JPH08148754A - Semiconductor laser and its manufacture - Google Patents
Semiconductor laser and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH08148754A JPH08148754A JP28995594A JP28995594A JPH08148754A JP H08148754 A JPH08148754 A JP H08148754A JP 28995594 A JP28995594 A JP 28995594A JP 28995594 A JP28995594 A JP 28995594A JP H08148754 A JPH08148754 A JP H08148754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- doped
- inp
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、Feドープの半導体
層を電流ブロック層として具えた半導体レーザおよびそ
の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser having an Fe-doped semiconductor layer as a current blocking layer and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体レーザの一種として、鉄(Fe)
をドープした半導体層により電流ブロック層を構成した
型の半導体レーザがある。その典型的な構造は、InP
系の半導体レーザの例で説明すれば、第1導電型例えば
n型(以下、同様)のInP基板上に、n型InPクラ
ッド層、活性層およびp型InPクラッド層をこの順に
有して成るメサ状のレ−ザストライプを具え、さらにこ
のレーザストライプの側面にFeがドープされたInP
(FeドープInP層ともいう)から成る電流ブロック
層を具えたものである。この種の半導体レーザでは、p
型半導体層およびn型半導体層の積層体を逆バイアスと
なるようにレーザストライプの側面に設けて電流ブロッ
ク層を構成した型の半導体レーザに比べ、素子容量を小
さくできるので、高速変調動作が可能になる。2. Description of the Related Art Iron (Fe) is a type of semiconductor laser.
There is a type of semiconductor laser in which a current blocking layer is constituted by a semiconductor layer doped with. Its typical structure is InP
Explaining with an example of a semiconductor laser of the system, it is formed by having an n-type InP clad layer, an active layer, and a p-type InP clad layer in this order on an InP substrate of the first conductivity type, for example, n-type (hereinafter, the same). InP having a laser stripe in the shape of a mesa, and Fe doped on the side surface of the laser stripe.
The current blocking layer is composed of (also referred to as Fe-doped InP layer). In this type of semiconductor laser, p
The device capacitance can be made smaller than that of the type of semiconductor laser in which the stacked body of the n-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer is provided on the side surface of the laser stripe so as to have a reverse bias, and thus the element capacitance can be made smaller, so high-speed modulation operation is possible. become.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体レー
ザを製造する場合のp型不純物(p型ドーパント)とし
て、一般に亜鉛が用いられる。そして、その場合、メサ
状のストライプ中のp型クラッド層も亜鉛(Zn)を含
む層で構成されることになる。このようなとき、Feド
ープInP層を電流ブロック層としている型の半導体レ
ーザでは、亜鉛を含んでいるp型InPクラッド層とF
eドープInP層とが必ず接することになる。そうする
と、Znを含むp型InPクラッド層とFeドープIn
P層との間においてZnとFeとの相互拡散が起こるの
で、FeドープInP層における電子をトラップする準
位の基であるFeが減じることになり、この結果、電流
ブロック層としての機能が低下してしまうという問題が
生じる。By the way, zinc is generally used as a p-type impurity (p-type dopant) when manufacturing a semiconductor laser. In that case, the p-type clad layer in the mesa-shaped stripe is also composed of a layer containing zinc (Zn). In such a case, in the semiconductor laser of the type using the Fe-doped InP layer as the current blocking layer, the p-type InP cladding layer containing zinc and the F-type InP cladding layer are used.
It is always in contact with the e-doped InP layer. Then, the p-type InP clad layer containing Zn and the Fe-doped In
Since Zn and Fe interdiffuse with the P layer, Fe, which is a level group that traps electrons in the Fe-doped InP layer, is reduced, and as a result, the function as a current blocking layer is deteriorated. The problem arises that
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の第一
発明によれば、亜鉛をp型不純物として含むp型クラッ
ド層、活性層およびn型クラッド層で構成されるメサ状
のストライプと、該メサ状のストライプの側面に設けら
れ鉄(Fe)がドープされている半導体層から成る電流
ブロック層とを具える半導体レーザにおいて、p型クラ
ッド層を、Znと共にシリコン(Si)をも含ませた層
で構成したことを特徴とする。Therefore, according to the first invention of this application, a mesa stripe composed of a p-type cladding layer containing zinc as a p-type impurity, an active layer and an n-type cladding layer, In a semiconductor laser comprising a current blocking layer made of a semiconductor layer doped with iron (Fe), which is provided on a side surface of the mesa-shaped stripe, a p-type clad layer is made to contain silicon (Si) together with Zn. It is characterized by being composed of different layers.
【0005】また、この出願の第二発明によれば、亜鉛
をp型不純物として含むp型クラッド層、活性層および
n型クラッド層で構成されるメサ状のストライプと、該
メサ状のストライプの側面に設けられ鉄(Fe)がドー
プされている半導体層から成る電流ブロック層とを具え
る半導体レーザを製造するに当たり、p型クラッド層を
形成する際に、Znと共にシリコン(Si)をも含有さ
せて該層を形成し、その後、Feがドープされた半導体
層からなる電流ブロック層を形成することを特徴とす
る。According to the second invention of this application, a mesa-shaped stripe formed of a p-type cladding layer containing zinc as a p-type impurity, an active layer and an n-type cladding layer, and the mesa-shaped stripe of In manufacturing a semiconductor laser having a current blocking layer made of a semiconductor layer provided on a side surface and doped with iron (Fe), when a p-type cladding layer is formed, silicon (Si) is also contained together with Zn. Then, the layer is formed, and then a current blocking layer made of a semiconductor layer doped with Fe is formed.
【0006】これら第一および第二発明において、p型
クラッド層にZnと共に含ませるシリコン(Si)のド
ーピング量は、亜鉛と鉄との対を構成する意味から、ク
ラッド層のp型を損ねない範囲で、亜鉛のドーピング量
に近い方が良いと考える。In these first and second inventions, the doping amount of silicon (Si) contained in the p-type cladding layer together with Zn does not impair the p-type of the cladding layer because it constitutes a pair of zinc and iron. It is considered that it is better to be close to the doping amount of zinc within the range.
【0007】また、第二発明において、Znと共にシリ
コン(Si)をも含有させてp型クラッド層を形成する
とは、下地(例えば化合物半導体基板)上に、亜鉛を含
むp型半導体層であってシリコンをも含むp型半導体
層、活性層形成用半導体層およびn型半導体層を形成し
(p型およびn型半導体層は上下逆でも可)、これら半
導体層をメサ状のストライプに加工して当該p型クラッ
ド層を得る場合、および、先ずメサ状のストライプを得
た後にこれらZnおよびSiの双方または一方をp側ク
ラッド層相当部分に含ませる場合、いずれでも良いと考
える。In the second invention, forming the p-type clad layer by containing silicon (Si) together with Zn means that the p-type semiconductor layer contains zinc on the underlying layer (eg, compound semiconductor substrate). A p-type semiconductor layer including silicon, a semiconductor layer for forming an active layer, and an n-type semiconductor layer are formed (the p-type and n-type semiconductor layers may be upside down), and these semiconductor layers are processed into mesa-shaped stripes. It is considered that either the case where the p-type clad layer is obtained or the case where both or one of Zn and Si is contained in the portion corresponding to the p-side clad layer after the mesa-shaped stripe is first obtained.
【0008】また、第一発明の実施に当たり、Feがド
ープされた半導体層の上下にn型半導体層をそれぞれ具
えるのが良い。その理由は次の通りである。Feドープ
半導体層(例えばFeドープInP層)は電子を捕獲す
る準位をもつため電子の注入に対しブロック層として機
能するが、ホールを捕獲する準位を持たないのでこれに
p型半導体層が接した状態になると、このFeドープ半
導体層にはホールが注入される。このホールは、Feド
ープ半導体層に注入された電子と再結合するので、この
Feドープ半導体層に電流を流す原因となりブロック層
としての機能を低下させる。このような現象は例えばF
eドープInP層上にp型のクラッド層やp型のコンタ
クト層を設けた場合や、p型基板上にFeドープInP
層を設けた場合等に生じてしまう。ところが、この好適
例のごとく、FeドープInP層の上下にn型半導体層
を設けると上記ホール注入の問題を回避できる。ここで
Feがドープされた半導体層の上下に設けるn型半導体
層のうちの下側に設ける層は、n型半導体基板そのもの
の場合があっても良い。In implementing the first invention, it is preferable to provide n-type semiconductor layers above and below the Fe-doped semiconductor layer. The reason is as follows. The Fe-doped semiconductor layer (for example, Fe-doped InP layer) has a level for trapping electrons and thus functions as a blocking layer for electron injection. However, since it does not have a level for trapping holes, a p-type semiconductor layer is added thereto. When in contact with each other, holes are injected into this Fe-doped semiconductor layer. The holes recombine with the electrons injected into the Fe-doped semiconductor layer, which causes a current to flow in the Fe-doped semiconductor layer and deteriorates the function as a block layer. Such a phenomenon is, for example, F
When a p-type clad layer or a p-type contact layer is provided on the e-doped InP layer, or Fe-doped InP on the p-type substrate
This occurs when a layer is provided. However, if the n-type semiconductor layers are provided above and below the Fe-doped InP layer as in this preferred example, the problem of hole injection can be avoided. Here, the lower layer of the n-type semiconductor layers provided above and below the Fe-doped semiconductor layer may be the n-type semiconductor substrate itself.
【0009】[0009]
【作用】この出願の第一発明によれば、p型クラッド層
はZnおよびSiがドープされた層で構成される。Zn
およびSiを共に含む(共にドーピングした)層ではZ
nとSiとが対をなすので、これらは層中を移動しなく
なる若しくは移動しにくくなる。このため、p型クラッ
ド層中にSiを含ませない場合に比べ、Znを含むp型
クラッド層とFeドープ半導体層との間でのZnとFe
との相互拡散が防止若しくは軽減される。According to the first invention of this application, the p-type cladding layer is composed of a layer doped with Zn and Si. Zn
Z in layers containing both (and co-doped) with Si
Since n and Si form a pair, they do not move or become hard to move in the layer. Therefore, as compared with the case where Si is not contained in the p-type clad layer, Zn and Fe between the p-type clad layer containing Zn and the Fe-doped semiconductor layer are
Mutual diffusion with and is prevented or reduced.
【0010】またこの出願の第二発明によれば、Znお
よびSiがドープされた状態となっているp側クラッド
層にFeドープの半導体層が接することになる。したが
って、p側クラッド層とFeドープの半導体層とが接し
た直後から、継続的に、両層間における亜鉛と鉄との相
互拡散を防止若しくは軽減できる。Further, according to the second invention of this application, the Fe-doped semiconductor layer is in contact with the p-side cladding layer in a state where Zn and Si are doped. Therefore, the mutual diffusion of zinc and iron between both layers can be continuously prevented or reduced immediately after the p-side clad layer and the Fe-doped semiconductor layer are in contact with each other.
【0011】[0011]
【実施例】以下、図面を参照してこの出願の第一発明お
よび第二発明の実施例についてそれぞれ説明する。な
お、説明に用いる各図は、この発明を理解出来る程度に
各構成成分の寸法、形状および配置関係を概略的に示し
てある。また、以下の実施例では、InP系材料からな
る半導体レーザであって下地をn型InP基板で構成し
た半導体レーザにこれらの発明を適用した例を説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the first invention and the second invention of this application will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings used for the description schematically show the dimensions, shapes, and arrangement relationships of the respective constituents to the extent that the present invention can be understood. Further, in the following embodiments, an example will be described in which these inventions are applied to a semiconductor laser made of an InP-based material and having a base made of an n-type InP substrate.
【0012】図1は第一発明の実施例の半導体レーザの
説明に供する図である。詳細には、実施例の半導体レー
ザを、これに備わるメサ状のストライプのストライプ方
向と直交する方向に沿って切ったときの断面図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a semiconductor laser according to an embodiment of the first invention. More specifically, it is a cross-sectional view of the semiconductor laser of the example when cut along a direction orthogonal to the stripe direction of a mesa-shaped stripe provided therein.
【0013】この実施例の半導体レーザ10は、n型I
nP基板11上に、レーザ共振器を構成するメサ状のス
トライプ13と、該メサ状のストライプ13の側面に設
けられFeドープInP層で構成された電流ブロック層
15とを具える。ただし、メサ状のストライプ13は、
n型InP基板11側から順に積層されたn型InPク
ラッド層13a、活性層13bおよび、Znとシリコン
(Si)とを含んでいるp型InPクラッド層13cで
構成してある。ここで、n型InPクラッド層13a
は、これに限られないが、錫(Sn)を1×1018/c
m3 ドーピングしたInP層で構成している。また、p
型InPクラッド層13cは、亜鉛をこれに限られない
が5×1017/cm3 およびシリコンをこれに限られな
いが4×1017/cm3 それぞれドーピングしたInP
層で構成している。なお、このメサ状のストライプ13
の幅は、設計に応じ決められるが一般には横モード単一
動作が得られる幅とされる。The semiconductor laser 10 of this embodiment has an n-type I
On the nP substrate 11, there are provided mesa-shaped stripes 13 that form a laser cavity, and a current block layer 15 that is provided on the side surface of the mesa-shaped stripes 13 and that is composed of an Fe-doped InP layer. However, the mesa-shaped stripe 13 is
It is composed of an n-type InP clad layer 13a, an active layer 13b, and a p-type InP clad layer 13c containing Zn and silicon (Si), which are sequentially stacked from the n-type InP substrate 11 side. Here, the n-type InP clad layer 13a
Is, but not limited to, tin (Sn) at 1 × 10 18 / c
It is composed of an InP layer doped with m 3 . Also, p
The type InP clad layer 13c is InP doped with, but not limited to, zinc 5 × 10 17 / cm 3 and silicon, but not limited to 4 × 10 17 / cm 3.
It consists of layers. In addition, this mesa-shaped stripe 13
The width of is determined according to the design, but is generally set to a width in which transverse mode single operation is obtained.
【0014】さらにこの実施例の半導体レーザ10は、
FeドープInP層15に対するホールの影響をなくす
ため、FeドープInP層15の上下にn型InP層1
3aおよびn型InP層17を具える。ここで、層13
aはn型InP基板11そのものとなっても良い。Further, the semiconductor laser 10 of this embodiment is
In order to eliminate the influence of holes on the Fe-doped InP layer 15, the n-type InP layer 1 is formed above and below the Fe-doped InP layer 15.
3a and n-type InP layer 17. Where layer 13
a may be the n-type InP substrate 11 itself.
【0015】さらに、この半導体レーザ10は、メサ状
のストライプ13およびn型InP層17上にp型In
Pクラッド層19とp型InGaAs(P)コンタクト
層21とを具える。ここで、p型InPクラッド層19
は、これに限られないが亜鉛を5×1017ドーピングし
たInP層で構成している。Further, the semiconductor laser 10 has p-type In on the mesa-shaped stripe 13 and the n-type InP layer 17.
It comprises a P clad layer 19 and a p-type InGaAs (P) contact layer 21. Here, the p-type InP clad layer 19
Is composed of an InP layer doped with 5 × 10 17 zinc, although not limited thereto.
【0016】さらに、この半導体レーザ10は、コンタ
クト層21上にp側の電極23を具え、またn型InP
基板裏面にn側の電極25を具える。ただし、p側の電
極23については、メサ状のストライプ13に当たる部
分以外の部分では絶縁膜27を挟んだ状態でコンタクト
層21上に設けてある。Further, the semiconductor laser 10 has a p-side electrode 23 on the contact layer 21, and also has n-type InP.
An n-side electrode 25 is provided on the back surface of the substrate. However, the electrode 23 on the p-side is provided on the contact layer 21 with the insulating film 27 sandwiched in the portion other than the portion corresponding to the mesa-shaped stripe 13.
【0017】この実施例の半導体レーザ10では、p型
InPクラッド層13cとFeドープInP層15とが
従来同様に接する構造となるが、p型InPクラッド層
13cには亜鉛の他にシリコンがドープされているので
シリコンおよび亜鉛が対となるから亜鉛はこのInP層
13中を移動しないか移動しずらい。このため、p型I
nPクラッド層13cとFeドープInP層15との間
でのFeとZnとの相互拡散を従来に比べ低減出来るの
で、電流ブロック層15の機能低下も生じにくくでき
る。したがって、鉄−亜鉛の相互拡散に起因するリーク
電流を従来に比べ抑制できるので、しきい値電流の低
下、発光効率の向上、最大発光効率の向上などが図れ
る。The semiconductor laser 10 of this embodiment has a structure in which the p-type InP clad layer 13c and the Fe-doped InP layer 15 are in contact with each other as in the conventional case, but the p-type InP clad layer 13c is doped with silicon in addition to zinc. Since silicon and zinc are paired with each other, zinc does not move or is hard to move in the InP layer 13. Therefore, p-type I
Since the mutual diffusion of Fe and Zn between the nP clad layer 13c and the Fe-doped InP layer 15 can be reduced as compared with the conventional case, the function of the current blocking layer 15 is less likely to deteriorate. Therefore, the leakage current due to the iron-zinc mutual diffusion can be suppressed as compared with the conventional one, and the threshold current can be reduced, the luminous efficiency can be improved, the maximum luminous efficiency can be improved, and the like.
【0018】次に、第二発明である半導体レーザの製造
方法の実施例について図2(A)〜(C)および図1を
参照して説明する。ここで図2(A)〜(C)は実施例
の製造方法の説明に供する工程図である。いずれの図
も、図1に対応する位置での断面図によって示してあ
る。Next, an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser according to the second invention will be described with reference to FIGS. 2 (A) to 2 (C) and FIG. Here, FIGS. 2A to 2C are process diagrams for explaining the manufacturing method of the example. Both figures are shown by a sectional view at a position corresponding to FIG.
【0019】先ず、n型InP基板11上に、n型In
P層13x、活性層形成用半導体層13y、p型InP
層13zおよびp型InGaAs(P)層31を、この
順に例えばMOVPE法により形成する(図2
(A))。ただし、n型InP層13xは、この実施例
の場合、錫(Sn)を1×1018/cm3 ドーピングし
たものとする。また、活性層形成用半導体層13yは、
活性層13bをどういう構成にするかに応じ決められる
ものであり、単層でも、また回折格子等が付加されたも
のでも、さらには多重量子構造を有するものでも任意で
ある。また、p型InP層13zはこの実施例の場合亜
鉛を例えば5×1017/cm3 およびシリコンを例えば
4×1017/cm3 ドーピングしたものとする。なお、
p型InGaAs(P)31は、メサ状のストライプ1
3を形成する際にこの形成されるストライプが断面略矩
形の所望のメサ状ストライプ13となるように設けたも
のである。しかし、この層31は本質的なものではな
い。First, on the n-type InP substrate 11, n-type In
P layer 13x, active layer forming semiconductor layer 13y, p-type InP
The layer 13z and the p-type InGaAs (P) layer 31 are formed in this order by, for example, the MOVPE method (FIG. 2).
(A)). However, in this embodiment, the n-type InP layer 13x is assumed to be doped with tin (Sn) at 1 × 10 18 / cm 3 . The active layer forming semiconductor layer 13y is
It is determined according to the structure of the active layer 13b, and may be a single layer, a layer to which a diffraction grating or the like is added, or a layer having a multiple quantum structure. In this embodiment, the p-type InP layer 13z is doped with zinc at 5 × 10 17 / cm 3 and silicon is doped at 4 × 10 17 / cm 3, for example. In addition,
The p-type InGaAs (P) 31 is a mesa stripe 1
3 is formed so that the formed stripes become desired mesa stripes 13 having a substantially rectangular cross section. However, this layer 31 is not essential.
【0020】次に、このp型InGaAs(P)31上
に、ストライプ方向が<011>方向でストライプの幅
が例えば3.5μmとなっているストライプ状のエッチ
ングマスク33であって例えばSiO2 膜からなるエッ
チングマスク33を、公知の成膜技術、フォトリソグラ
フィ技術およびエッチング技術により形成する。Next, on the p-type InGaAs (P) 31, a stripe-shaped etching mask 33 having a stripe direction of <011> and a stripe width of, for example, 3.5 μm, which is, for example, a SiO 2 film is formed. The etching mask 33 made of is formed by a known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.
【0021】次に、層31、13z,13y,13x
の、前記エッチングマスク33で覆われていない部分
を、例えば臭化水素酸系のエッチング液を用いてここで
はn型InP層13xに達するがn型InP基板11ま
で達しない深さまで除去する。これにより、メサ状のス
トライプ13が得られる(図2(B))。次に、例えば
MOVPE法によりこのメサ状のストライプ13の側面
をFeドープInP層15により埋め込み、さらに、こ
のFeドープInP層15上にn型InP層17を形成
する(図2(B))。Next, the layers 31, 13z, 13y, 13x
The portion not covered with the etching mask 33 is removed to a depth which reaches the n-type InP layer 13x here but does not reach the n-type InP substrate 11 by using, for example, a hydrobromic acid-based etching solution. As a result, the mesa-shaped stripe 13 is obtained (FIG. 2 (B)). Next, the side surface of the mesa-shaped stripe 13 is filled with the Fe-doped InP layer 15 by, for example, the MOVPE method, and the n-type InP layer 17 is formed on the Fe-doped InP layer 15 (FIG. 2B).
【0022】次に、例えばフッ酸(HF)と硝酸(HN
O3 )と水(H2 O)とを含むエッチング液によりエッ
チングマスク33およびInGaAs(P)層31をそ
れぞれ除去した後、メサ状のストライプ13上およびn
型InP層17上に、例えば、MOVPE法により、p
型InPクラッド層19およびp型InGaAsPコン
タクト層21(ただし図1に示した絶縁膜27より下の
部分のコンタクト層)を順次に形成する(図2
(C))。Next, for example, hydrofluoric acid (HF) and nitric acid (HN
After removing the etching mask 33 and the InGaAs (P) layer 31 with an etching solution containing O 3 ) and water (H 2 O), respectively, on the mesa-shaped stripe 13 and n.
P on the type InP layer 17 by, for example, the MOVPE method.
Type InP clad layer 19 and p type InGaAsP contact layer 21 (however, the contact layer below the insulating film 27 shown in FIG. 1) are sequentially formed (FIG. 2).
(C)).
【0023】次に、公知の方法により、絶縁膜27、p
型InGaAsPコンタクト層21(ただし図1に示し
た絶縁膜27より上の部分のコンタクト層)を形成し、
またn側のコンタクト層29および電極25を形成す
る。その後、好適な方法でウエハから各半導体レーザを
分割することで図1に示した実施例の半導体レーザ10
が得られる。Next, the insulating film 27, p is formed by a known method.
A InGaAsP contact layer 21 (however, the contact layer above the insulating film 27 shown in FIG. 1) is formed,
Further, the n-side contact layer 29 and the electrode 25 are formed. Thereafter, the semiconductor laser 10 of the embodiment shown in FIG. 1 is divided by dividing each semiconductor laser from the wafer by a suitable method.
Is obtained.
【0024】この第二発明の実施例の方法では、Znお
よびSiがドープされた状態となっているp側クラッド
層13cを有するメサ状のストライプ13を、Feドー
プの半導体層15で埋め込むという順序で、半導体レー
ザ10が作製される。したがって、p側クラッド層13
cとFeドープの半導体層15とが接した直後から、p
側クラッド層中13cのシリコンの効果が発現して、両
層13c,15間における亜鉛と鉄との相互拡散を防止
若しくは軽減できる。In the method of the second embodiment of the present invention, the mesa stripe 13 having the p-side cladding layer 13c doped with Zn and Si is filled with the Fe-doped semiconductor layer 15. Thus, the semiconductor laser 10 is manufactured. Therefore, the p-side cladding layer 13
Immediately after the contact between c and the Fe-doped semiconductor layer 15,
The effect of silicon of 13c in the side clad layer is developed, and mutual diffusion of zinc and iron between both layers 13c and 15 can be prevented or reduced.
【0025】上述においてはこの出願の第一発明および
第二発明の実施例について説明したが、これら発明は上
述の実施例に限られない。Although the embodiments of the first invention and the second invention of this application have been described above, these inventions are not limited to the above-mentioned embodiments.
【0026】例えば、図1および図2に示した構成にお
いてn型InP基板の代わりにp型InP基板を用い、
下側クラッド層の位置に亜鉛およびシリコンを含むIn
Pクラッド層を配置し、上側クラッド層の位置にn型I
npクラッド層を配置した場合も実施例と同様な効果が
得られる。また、また、GaAs系の半導体レーザにこ
の発明を適用した場合も実施例と同様な効果が期待出来
る。For example, in the structure shown in FIGS. 1 and 2, a p-type InP substrate is used instead of the n-type InP substrate,
In containing zinc and silicon in the position of the lower cladding layer
P-cladding layer is arranged, and n-type I
Even when the np clad layer is arranged, the same effect as that of the embodiment can be obtained. Further, when the present invention is applied to a GaAs semiconductor laser, the same effect as that of the embodiment can be expected.
【0027】[0027]
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の第一発明の半導体レーザによれば、亜鉛(Zn)
をp型不純物として含むp型クラッド層、活性層および
n型クラッド層で構成されるメサ状のストライプと、該
メサ状のストライプの側面に設けられ鉄(Fe)がドー
プされている半導体層から成る電流ブロック層とを具え
る半導体レーザにおいて、p型クラッド層を、Znと共
にシリコン(Si)をも含ませた層で構成している。こ
のため、亜鉛を含むp型クラッド層とFeドープ半導体
層との間での亜鉛と鉄との相互拡散を防止若しくは従来
より軽減できるためFeドープ半導体層からなる電流ブ
ロック層の機能が維持されるので、リーク電流を抑制出
来る。したがって、発振しきい値電流の低下、発光効率
および最大発光出力の向上した半導体レーザの提供が期
待出来る。As is apparent from the above description, according to the semiconductor laser of the first invention of this application, zinc (Zn)
A mesa-shaped stripe formed of a p-type clad layer containing p as a p-type impurity, an active layer, and an n-type clad layer, and a semiconductor layer provided on the side surface of the mesa-shaped stripe and doped with iron (Fe). In the semiconductor laser having the current blocking layer, the p-type clad layer is composed of a layer containing not only Zn but also silicon (Si). Therefore, the mutual diffusion of zinc and iron between the p-type cladding layer containing zinc and the Fe-doped semiconductor layer can be prevented or reduced as compared with the conventional case, so that the function of the current blocking layer made of the Fe-doped semiconductor layer is maintained. Therefore, the leak current can be suppressed. Therefore, it is expected to provide a semiconductor laser having a reduced oscillation threshold current, improved emission efficiency and maximum emission output.
【0028】また、この出願の第二発明の半導体レーザ
の製造方法によれば、亜鉛(Zn)をp型不純物として
含むp型クラッド層、活性層およびn型クラッド層で構
成されるメサ状のストライプと、該メサ状のストライプ
の側面に設けられ鉄(Fe)がドープされている半導体
層から成る電流ブロック層とを具える半導体レーザを製
造するに当たり、p型クラッド層を形成する際に、Zn
と共にシリコン(Si)をも含有させて該層を形成し、
その後、Feがドープされた半導体層からなる電流ブロ
ック層を形成する。したがって、p側クラッド層とFe
ドープの半導体層とが接した直後から、継続的に、両層
間における亜鉛と鉄との相互拡散を防止若しくは軽減で
きるので、発振しきい値電流の低下、発光効率および最
大発光出力の向上した半導体レーザの提供が期待出来
る。Further, according to the method for manufacturing a semiconductor laser of the second invention of this application, a mesa-shaped structure composed of a p-type cladding layer containing zinc (Zn) as a p-type impurity, an active layer and an n-type cladding layer is provided. In manufacturing a semiconductor laser including a stripe and a current blocking layer formed of a semiconductor layer provided on a side surface of the mesa-shaped stripe and doped with iron (Fe), when forming a p-type cladding layer, Zn
Together with silicon (Si) to form the layer,
After that, a current blocking layer made of a semiconductor layer doped with Fe is formed. Therefore, the p-side cladding layer and Fe
Immediately after the contact with the doped semiconductor layer, the mutual diffusion of zinc and iron between both layers can be continuously prevented or reduced, so that the semiconductor having improved oscillation threshold current, emission efficiency and maximum emission output can be obtained. We can expect to provide lasers.
【図1】第一発明の実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the first invention.
【図2】(A)〜(C)は、第二発明の実施例の説明に
供する工程図である。FIG. 2A to FIG. 2C are process drawings for explaining an embodiment of the second invention.
10:実施例の半導体レーザ 11:下地(n型InP基板) 13:メサ状のストライプ 13a:n型InPクラッド層 13b:活性層 13c:Znをp型不純物として含んでいるp型InP
クラッド層 15:FeドープInP層で構成された電流ブロック層 17:n型InP層 19:p型InPクラッド層 21:p型InGaAs(P)コンタクト層 23:p側の電極 25:n側の電極 27:絶縁膜 29:n側コンタクト層10: Semiconductor laser of Example 11: Base (n-type InP substrate) 13: Mesa stripe 13a: n-type InP clad layer 13b: active layer 13c: p-type InP containing Zn as p-type impurity
Cladding layer 15: current blocking layer composed of Fe-doped InP layer 17: n-type InP layer 19: p-type InP clad layer 21: p-type InGaAs (P) contact layer 23: p-side electrode 25: n-side electrode 27: Insulating film 29: n-side contact layer
Claims (2)
型クラッド層、活性層およびn型クラッド層で構成され
るメサ状のストライプと、該メサ状のストライプの側面
に設けられ鉄(Fe)がドープされている半導体層から
成る電流ブロック層とを具える半導体レーザにおいて、 p型クラッド層を、Znと共にシリコン(Si)をも含
ませた層で構成したことを特徴とする半導体レーザ。1. A p containing zinc (Zn) as a p-type impurity
A mesa-shaped stripe composed of a clad layer, an active layer, and an n-type clad layer, and a current blocking layer formed of a semiconductor layer provided on a side surface of the mesa-shaped stripe and doped with iron (Fe). The semiconductor laser according to claim 1, wherein the p-type clad layer is composed of a layer containing not only Zn but also silicon (Si).
型クラッド層、活性層およびn型クラッド層で構成され
るメサ状のストライプと、該メサ状のストライプの側面
に設けられ鉄(Fe)がドープされている半導体層から
成る電流ブロック層とを具える半導体レーザを製造する
に当たり、 p型クラッド層を形成する際に、Znと共にシリコン
(Si)をも含有させて該層を形成し、その後、Feが
ドープされた半導体層からなる電流ブロック層を形成す
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。2. A p containing zinc (Zn) as a p-type impurity
A mesa-shaped stripe composed of a clad layer, an active layer, and an n-type clad layer, and a current blocking layer formed of a semiconductor layer provided on a side surface of the mesa-shaped stripe and doped with iron (Fe). In manufacturing such a semiconductor laser, when a p-type clad layer is formed, Zn (Si) is also contained together with the layer to form the layer, and then a current blocking layer composed of a Fe-doped semiconductor layer is formed. A method for manufacturing a semiconductor laser, which comprises forming the semiconductor laser.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28995594A JPH08148754A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Semiconductor laser and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28995594A JPH08148754A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Semiconductor laser and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148754A true JPH08148754A (en) | 1996-06-07 |
Family
ID=17749904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28995594A Withdrawn JPH08148754A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Semiconductor laser and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08148754A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217195A (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP2017108061A (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 三菱電機株式会社 | Method of manufacturing semiconductor laser |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP28995594A patent/JPH08148754A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217195A (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Optical semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP4517653B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-08-04 | 住友電気工業株式会社 | Optical semiconductor device |
JP2017108061A (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 三菱電機株式会社 | Method of manufacturing semiconductor laser |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0722691A (en) | Semiconductor laser and manufacture thereof | |
JP3791589B2 (en) | End face non-injection type semiconductor laser and manufacturing method thereof | |
US5442649A (en) | Semiconductor laser device | |
WO2021152686A1 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing same | |
JPH08148754A (en) | Semiconductor laser and its manufacture | |
JP3645320B2 (en) | Semiconductor laser element | |
US20210273414A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device | |
CN113644550B (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JPH09148669A (en) | Semiconductor laser of buried-structure | |
JPS6124839B2 (en) | ||
JPH03133189A (en) | Highly resistive semiconductor layer buried type semiconductor laser | |
JPH05235481A (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2921053B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP3266114B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor laser | |
WO2020090078A1 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device | |
JP3208177B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JPH10107367A (en) | Semiconductor laser and manufacture thereof | |
JPH1140897A (en) | Semiconductor laser element and its manufacture | |
JPH04320083A (en) | Semiconductor laser element and manufacture thereof | |
JP2855887B2 (en) | Semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
JPH05206581A (en) | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof | |
JPH0582891A (en) | Semiconductor laser | |
JPH05121721A (en) | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof | |
JPH06350188A (en) | Semiconductor laser element | |
JPH07154026A (en) | Semiconductor laser and fabrication thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |