JPH0814698B2 - Silicon-containing negative photoresist composition - Google Patents
Silicon-containing negative photoresist compositionInfo
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- JPH0814698B2 JPH0814698B2 JP61216767A JP21676786A JPH0814698B2 JP H0814698 B2 JPH0814698 B2 JP H0814698B2 JP 61216767 A JP61216767 A JP 61216767A JP 21676786 A JP21676786 A JP 21676786A JP H0814698 B2 JPH0814698 B2 JP H0814698B2
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子および磁気バブル素子等の製造
に使用しうるフォトレジスト組成物に関するものであ
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoresist composition that can be used for manufacturing semiconductor devices, magnetic bubble devices, and the like.
半導体集積回路や磁気バブル素子等の製造において
は、近年高密度化が進み、それに伴う薄膜の微細加工技
術が極めて重要な要素技術となっている。In the manufacture of semiconductor integrated circuits, magnetic bubble elements, and the like, the density has been increasing in recent years, and the thin film microfabrication technology has become an extremely important elemental technology.
最近では、従来のウェットエッチングに代わり、加工
精度の高いドライエッチングが用いられるようになり、
そのため、パターン幅に比べて厚みのある高アスペクト
比パターンを得ることが必要になってきている。また、
光学リソグラフィーにおいては基板からの反射の影響
が、そして電子ビームリソグラフィーにおいては電子の
散乱の影響があるため、厚いレジスト層を用いた場合に
は、一般に十分な解像力が得られない。一方、高解像度
のレジストパターンを得るために薄いレジスト層を用い
た場合には、ドライエッチングの際に基板を加工するた
めの十分な耐性を示さないという不都合がある。さら
に、被加工表面の段差部においては、この段差を平坦化
するためにある程度の厚さを持つレジスト層が必要とな
り、かかるレジスト層に微細パターンを形成することは
極めて困難である。Recently, instead of the conventional wet etching, dry etching with high processing accuracy has come to be used.
Therefore, it is necessary to obtain a high aspect ratio pattern that is thicker than the pattern width. Also,
In the case of using a thick resist layer, a sufficient resolution is generally not obtained because of the influence of reflection from the substrate in optical lithography and the influence of electron scattering in electron beam lithography. On the other hand, when a thin resist layer is used to obtain a high resolution resist pattern, there is a disadvantage that it does not exhibit sufficient resistance for processing the substrate during dry etching. Further, in the step portion of the surface to be processed, a resist layer having a certain thickness is required to flatten the step, and it is extremely difficult to form a fine pattern on the resist layer.
このような問題点を解決するために、多層レジストが
採用される趨勢にある。その代表ともいえるものに３層
レジスト法がある。３層レジスト法は、リフトオフ工程
への適用を目的として、J.Havasによって発表されたの
が最初であるが、1979年にJ.Moranによってジャーナル
・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テクノロジ
ー（J.Vacuum Science and Technology）第16巻、1620
頁に報告されて以来、本格的に取り上げられるようにな
ってきた。In order to solve such a problem, a multilayer resist is being adopted. The three-layer resist method is a representative one. The three-layer resist method was first announced by J. Havas for the purpose of application to the lift-off process, but in 1979, J. Moran published the Journal of Vacuum Science and Technology (J. Vacuum Science and Technology) Volume 16, 1620
Since it was reported on the page, it has started to be taken up in earnest.
３層レジストの構成は、下から平坦化層、中間層およ
びパターニングレジスト層となっている。平坦化層は２
〜３μｍの厚い高分子材料であり、そこには通常のフォ
トレジスト材料が用いられる。この層により、基板上の
段差が平滑化される。中間層は、酸素を用いた反応性イ
オンエッチング（以下、O2RIEと略記する）のときのマ
スク材料となるもので、そこにはシリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜などの無機物質材料が用いられる。The structure of the three-layer resist is a flattening layer, an intermediate layer, and a patterning resist layer from the bottom. 2 planarization layer
It is a thick polymer material having a thickness of ˜3 μm, and a normal photoresist material is used there. This layer smoothes the steps on the substrate. The intermediate layer serves as a mask material for reactive ion etching using oxygen (hereinafter abbreviated as O 2 RIE), and an inorganic material such as a silicon oxide film or a silicon nitride film is used therefor. .
３層レジスト法の工程は、上層レジストを光または電
子ビームで露光し、次いで現像するところから始まる。
得られたレジストパターンをマスクにして中間層をドラ
イエッチングし、しかる後にパターニングされた中間層
をマスクにして平坦化層をO2RIEによりエッチングす
る。この方法によれば、基板段差によって影響されな
い、高解像度で高アスペクト比を有するパターンが実現
できる。しかしながらこの方法には、工程が複雑でかつ
長くなるという欠点がある。The process of the three-layer resist method starts with exposing the upper layer resist by light or electron beam and then developing.
The intermediate layer is dry-etched using the obtained resist pattern as a mask, and then the flattening layer is etched by O 2 RIE using the patterned intermediate layer as a mask. According to this method, a pattern having a high resolution and a high aspect ratio, which is not affected by the substrate step, can be realized. However, this method has the drawback that the process is complicated and long.
このような欠点を解決するものとして、比較的工程数
の少ない２層レジスト法が注目を集めている。２層レジ
スト法では中間層を省いた２層構造となるため、上層レ
ジストは中間層の機能を併せ持つ必要がある。そこで、
ますますO2RIEに対して耐性を有する上層レジスト材料
が求められている。２層レジスト用の上層レジスト材料
には、O2RIE耐性の他、一般の単層レジストに要求され
る高感度、高解像度などの特性が必要であり、これらの
特性を満足させようとして、各種の有機金属ポリマーが
提案されている。有機金属ポリマーは、O2RIE時に酸素
プラズマと反応して、表面に薄い金属酸化物層を形成
し、その層がO2RIEに対するバリア層となることが知ら
れている。一つの方法は、レジスト層にシリコンを含有
させるものであり、O2RIEを行うことにより、有機成分
が灰化されてシリコンオキサイド（SiOX）が残るため、
これが耐O2RIE膜となって、下層のドライ現像が可能に
なる。As a solution to these drawbacks, a two-layer resist method, which has a relatively small number of steps, has been attracting attention. Since the two-layer resist method has a two-layer structure in which the intermediate layer is omitted, the upper layer resist must also have the function of the intermediate layer. Therefore,
Increasingly, there is a demand for upper layer resist materials that are resistant to O 2 RIE. In addition to O 2 RIE resistance, the upper layer resist material for a two-layer resist is required to have the characteristics such as high sensitivity and high resolution required for a general single layer resist, and various properties are required to satisfy these characteristics. Of organometallic polymers have been proposed. It is known that the organometallic polymer reacts with oxygen plasma during O 2 RIE to form a thin metal oxide layer on the surface, and the layer serves as a barrier layer for O 2 RIE. One method is to contain silicon in the resist layer, and by performing O 2 RIE, the organic components are ashed and silicon oxide (SiO X ) remains,
This becomes an O 2 RIE resistant film, which enables dry development of the lower layer.
本発明の目的は、紫外線の照射により非常に高い感度
で微細なパターンが形成でき、しかもO2RIE耐性に優れ
たフォトレジスト組成物を提供することにある。An object of the present invention is to provide a photoresist composition capable of forming a fine pattern with extremely high sensitivity by irradiation with ultraviolet rays and having excellent O 2 RIE resistance.
本発明は、一般式（Ｉ） （式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表す） で示される繰り返し単位を含むシリコン原子を有するス
チレン系重合体および感光剤としてのビスアジド化合物
を含み、そのビスアジド化合物が前記スチレン系重合体
に対して0.5〜30重量％の範囲で存在するシリコン含有
ネガ型フォトレジスト組成物を提供するものである。The present invention has the general formula (I) (In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) A styrene-based polymer having a silicon atom containing a repeating unit represented by the formula: and a bisazide compound as a photosensitizer, wherein the bisazide compound is the styrene-based compound. The present invention provides a silicon-containing negative photoresist composition which is present in the range of 0.5 to 30% by weight with respect to the coalescence.
以下、本発明について詳述する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明においては、上記一般式（Ｉ）で示される繰り
返し単位を有するスチレン系重合体を使用するが、その
繰り返し単位中の置換基Ｒは、メチル基、エチル基、プ
ロピル基など、炭素数１〜４の低級アルキル基である。
この繰り返し単位を形成するためのシリコン原子を有す
るスチレン系モノマーの具体例としては、トリメチルシ
リルスチレン、トリエチルシリルスチレン、トリプロピ
ルシリルスチレンなどが挙げられる。なかでも、トリメ
チルシリルスチレンは入手し易く、好ましい。In the present invention, a styrene polymer having a repeating unit represented by the general formula (I) is used, and the substituent R in the repeating unit has a carbon number of 1 such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like. To 4 lower alkyl groups.
Specific examples of the styrene-based monomer having a silicon atom for forming this repeating unit include trimethylsilylstyrene, triethylsilylstyrene, tripropylsilylstyrene and the like. Of these, trimethylsilylstyrene is preferred because it is easily available.
本発明に使用するシリコン原子を有する重合体は、上
記スチレン系モノマーの単独または共重合体の他、上記
モノマーの１種以上と、これらモノマーと共重合しうる
エチレン性不飽和化合物との共重合体であってもよい。
エチレン性不飽和化合物の具体例としては、アクリル酸
およびメタクリル酸誘導体、例えば、アクリル酸または
メタクリル酸のメチル、エチル、プロピル、グリシジル
等のエステル類、スチレン系化合物、例えば、スチレ
ン、ビニルトルエン、クロルメチルスチレン、α−メチ
ルスチレン等、酢酸ビニル、メチルビニルケトン、Ｎ−
ビニルピロリドン、ビニルピリジンなどが挙げられる。The polymer having a silicon atom used in the present invention is a homopolymer or a copolymer of the above-mentioned styrene-based monomers, and a copolymerization of one or more of the above-mentioned monomers and an ethylenically unsaturated compound copolymerizable with these monomers. It may be a combination.
Specific examples of the ethylenically unsaturated compound include acrylic acid and methacrylic acid derivatives, for example, esters of acrylic acid or methacrylic acid such as methyl, ethyl, propyl and glycidyl, styrenic compounds such as styrene, vinyltoluene and chloro. Methylstyrene, α-methylstyrene, etc., vinyl acetate, methyl vinyl ketone, N-
Examples thereof include vinylpyrrolidone and vinylpyridine.
エチレン性不飽和化合物を共重合させる場合、その含
有量は、置換基Ｒおよびエチレン性不飽和化合物の種類
により変わってくるが、O2RIE耐性を低下させない範囲
で適宜決めることができる。好ましくは、重合体中のSi
含有量が約４〜約16重量％の範囲となるようにする。When an ethylenically unsaturated compound is copolymerized, the content thereof varies depending on the substituent R and the type of the ethylenically unsaturated compound, but can be appropriately determined within a range that does not reduce the O 2 RIE resistance. Preferably, Si in the polymer
The content is in the range of about 4 to about 16% by weight.
一般にネガ型レジストとして用いられる重合体は、高
分子量であれば高感度になるが、成膜性あるいは現像時
の膨潤による解像度の低下など、相反する性質を伴う。
通常、分子量百万を越える重合体は高い解像度を期待で
きず、一方、分子量を小さくすることは解像度の向上に
つながるが、感度が分子量に比例して低下し、実用性を
失うだけでなく、均一で堅固な膜形成が難しくなるとい
う問題がある。分子量分布も解像度に影響を与えること
が知られており、分散度の小さなものほど良好な解像度
を示す。一般に、分散度４以下の重合体を用いることが
好ましい。Generally, a polymer used as a negative resist has a high molecular weight so that it has high sensitivity, but it has contradictory properties such as film-forming property or a decrease in resolution due to swelling during development.
Usually, a polymer having a molecular weight of more than 1 million cannot be expected to have high resolution. On the other hand, reducing the molecular weight leads to an improvement in resolution, but the sensitivity decreases in proportion to the molecular weight, and not only loses practicality, There is a problem that it becomes difficult to form a uniform and solid film. It is known that the molecular weight distribution also affects the resolution, and the smaller the degree of dispersion, the better the resolution. Generally, it is preferable to use a polymer having a dispersity of 4 or less.
以上の点に鑑み、上記一般式（Ｉ）で示される繰り返
し単位を含むシリコン原子を有するスチレン系重合体の
重量平均分子量は、約３千〜60万の範囲にあるのが好ま
しく、また分散度は４以下、特に２以下であるのが好ま
しい。低分散の重合体を得る方法としては、重合により
直接単分散ないし低分散の重合体とする方法、あるいは
分別による方法のどちらでも構わない。In view of the above points, the weight average molecular weight of the styrene polymer having a silicon atom containing the repeating unit represented by the general formula (I) is preferably in the range of about 3,000 to 600,000, and the dispersity is Is preferably 4 or less, particularly preferably 2 or less. As a method for obtaining a low-dispersion polymer, either a method of directly making a monodisperse or low-dispersion polymer by polymerization or a method of fractionation may be used.
一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を含むシリコン
原子を有するスチレン系重合体の製造方法としては、通
常のエチレン性不飽和化合物を重合させる方法を用いる
ことができるが、工業的観点からはラジカル重合法が好
ましい。As a method for producing a styrene-based polymer having a silicon atom containing a repeating unit represented by the general formula (I), an ordinary method of polymerizing an ethylenically unsaturated compound can be used. Polymerization methods are preferred.
本発明に使用される第２の成分であるビスアジド化合
物としては、下記一般式（II） （式中、R1は−CH2−、−Ｏ−、−CH＝CH−、−Ｎ＝
Ｎ−、−Ｓ−、−SO2−、−CO−、−CH＝CH−CO−CH＝C
H−、−CH＝CH−CO−、 を表し、R2は水素原子、アルキル基またはハロゲン原
子を表す） で示される化合物が好ましい。The bisazide compound which is the second component used in the present invention has the following general formula (II) (In the formula, R 1 is -CH 2- , -O-, -CH = CH-, -N =
N -, - S -, - SO 2 -, - CO -, - CH = CH-CO-CH = C
H-, -CH = CH-CO-, And R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom).
ビスアジド化合物の具体例としては、3,3′−ジクロ
ロ−4,4′−ジアジドジフェニルメタン、4,4′−ジアジ
ドジフェニルエーテル、4,4′−ジアジドジフェニルメ
タン、4,4′−ジアジドジフェニルスルフォン、3,3′−
ジアジドジフェニルスルフォン、4,4′−ジアジドジフ
ェニルケトン、4,4′−ジアジドカルコン、2,6−ビス
（４′−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、2,6
−ビス（４′−アジドベンジリデン）−４−メチルシク
ロヘキサノン、2,6−ビス（４′−アジドベンジリデ
ン）−４−ハイドロオキシシクロヘキサノンなどが挙げ
られるが、特に4,4′−ジアジドカルコンまたは2,6−ビ
ス（４′−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘ
キサノンが好ましい。Specific examples of the bisazide compound include 3,3′-dichloro-4,4′-diazidodiphenylmethane, 4,4′-diazidodiphenyl ether, 4,4′-diazidodiphenylmethane and 4,4′-diazidodiphenyl. Sulphone, 3,3'-
Diazido diphenyl sulfone, 4,4'-diazide diphenyl ketone, 4,4'-diazido chalcone, 2,6-bis (4'-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6
-Bis (4'-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2,6-bis (4'-azidobenzylidene) -4-hydroxycyclohexanone and the like, but especially 4,4'-diazidochalcone or 2 , 6-Bis (4'-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone is preferred.
ビスアジド化合物の添加量は、過少であると紫外線に
対する感度が低下し、また過大に添加した組成物では、
相対的にシリコン含有量が低下するためにO2RIE耐性が
不足し、問題である。そのため、ビスアジド化合物は、
前記スチレン系重合体の重量を基準に0.5〜30重量％の
範囲で存在させるのが好ましい。If the amount of the bisazide compound added is too small, the sensitivity to ultraviolet rays decreases, and in the composition added too much,
This is a problem because the O 2 RIE resistance is insufficient due to the relatively low silicon content. Therefore, the bisazide compound is
It is preferably present in the range of 0.5 to 30% by weight based on the weight of the styrenic polymer.
以上のフォトレジスト組成物においては、レジスト性
能に悪影響を及ぼさない範囲で、増感剤、付加的な樹
脂、可塑剤、染料などが添加されていてもよい。In the above photoresist composition, a sensitizer, an additional resin, a plasticizer, a dye and the like may be added within a range that does not adversely affect the resist performance.
本発明のネガ型フォトレジスト組成物は、光に対して
高感度であり、しかも酸素プラズマに対しても高い耐性
を示す特長を有し、半導体素子および磁気バブル素子等
の超微細加工に有用である。The negative photoresist composition of the present invention is highly sensitive to light and has a characteristic of exhibiting high resistance to oxygen plasma, and is useful for ultrafine processing of semiconductor elements and magnetic bubble elements. is there.
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれらにより限定されるものではない。Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
参考例１（シリコン原子含有スチレン系重合体の製造） 窒素吹き込み管、コンデンサーおよび温度計を取り付
けた三口フラスコ中に、トリメチルシリルスチレン191g
（1.1モル）、クロルメチルスチレン44g（0.28モル）、
過酸化ベンゾイル0.375g（0.0015モル、モノマーに対し
て0.11モル％）およびシクロヘキサン1500mlを仕込んで
溶解させ、還流温度で16時間反応させた。Reference Example 1 (Production of Styrene-based Polymer Containing Silicon Atom) 191 g of trimethylsilylstyrene was placed in a three-necked flask equipped with a nitrogen blowing tube, a condenser and a thermometer.
(1.1 mol), chloromethylstyrene 44 g (0.28 mol),
0.375 g of benzoyl peroxide (0.0015 mol, 0.11 mol% relative to the monomer) and 1500 ml of cyclohexane were charged and dissolved, and the mixture was reacted at reflux temperature for 16 hours.
反応終了後、反応液を多量のメタノールに投入し、白
色粉末の重合体を得た。重合体を濾別後、再びシクロヘ
キサン300ml中に溶かし、この溶液をメタノール中に投
入した。上記操作を２回繰り返し、得られた粉体のポリ
マーを濾別後、減圧下で乾燥した。Mw＝107,000、Mn＝3
6,000、Mw/Mn＝３であった。After completion of the reaction, the reaction solution was poured into a large amount of methanol to obtain a white powder polymer. After the polymer was separated by filtration, it was dissolved again in 300 ml of cyclohexane, and this solution was poured into methanol. The above operation was repeated twice, and the polymer of the obtained powder was separated by filtration and then dried under reduced pressure. Mw = 107,000, Mn = 3
It was 6,000 and Mw / Mn = 3.
この重合体70gをメチルエチルケトン2200mlに溶解さ
せ、攪拌しながらそこへメタノールを滴下した。メタノ
ール900mlを滴下したところで白濁した。白濁後、緩や
かに温めて透明にした。一昼夜放置して層分離した後、
上層液をデカンテーションして下層液と分離した。下層
液を50mlのシクロヘキサンに溶解させ、次いで多量のメ
タノール中に投入し、第１フラクションの重合体を得
た。Mw＝220,000、Mn＝89,000、Mw/Mn＝2.5であった。70 g of this polymer was dissolved in 2200 ml of methyl ethyl ketone, and methanol was added dropwise thereto with stirring. When 900 ml of methanol was dropped, it became cloudy. After clouding, it was warmed gently to make it transparent. After leaving it overnight and separating the layers,
The upper layer liquid was decanted and separated from the lower layer liquid. The lower layer liquid was dissolved in 50 ml of cyclohexane and then poured into a large amount of methanol to obtain a polymer of the first fraction. Mw = 220,000, Mn = 89,000 and Mw / Mn = 2.5.
デカンテーションした液にメタノール200mlを加え、
同様に第２フラクションの重合体を得た。Mw＝149,00
0、Mn＝99,000、Mw/Mn＝1.5であった。さらに、上層に1
00mlのメタノールを加え、第３フラクションの重合体を
得た。Mw＝61,000、Mn＝47,000、Mw/Mn＝1.3であった。Add 200 ml of methanol to the decanted liquid,
Similarly, a second fraction of polymer was obtained. Mw = 149,00
The values were 0, Mn = 99,000 and Mw / Mn = 1.5. In addition, 1 on the upper layer
00 ml of methanol was added to obtain a third fraction polymer. Mw = 61,000, Mn = 47,000, Mw / Mn = 1.3.
実施例１ 参考例１で合成したトリメチルシリルスチレン重合体
の第２フラクション0.9gおよび2,6−ビス（４′−アジ
ドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン0.09g
をトルエン17mlに溶解し、十分に攪拌した後、0.2μｍ
のフィルターで濾過し、試料溶液とした。この溶液をシ
リコン基板上にスピン塗布し、空気中80℃にて30分間乾
燥を行った後、コンタクトマクスアライナーを用いて近
紫外線照射を行った。テトラヒドロフラン／メタノール
（容積比＝45/55）混合溶液を用いて１分間現像を行っ
た後、イソプロピルアルコールにより１分間リンスを行
った。初期膜厚の50％が残る光照射量は26mj/cm2であ
り、実用上十分利用可能な感度を有していた。また、１
μｍのラインアンドスペースをシャープに解像してお
り、解像度の点でも優れていた。Example 1 0.9 g of a second fraction of the trimethylsilylstyrene polymer synthesized in Reference Example 1 and 0.09 g of 2,6-bis (4'-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone
Was dissolved in 17 ml of toluene, and after stirring thoroughly, 0.2 μm
It filtered with the filter of No. 3, and was set as the sample solution. This solution was spin-coated on a silicon substrate, dried in air at 80 ° C. for 30 minutes, and then irradiated with near-ultraviolet rays using a contact mask aligner. After performing development for 1 minute using a mixed solution of tetrahydrofuran / methanol (volume ratio = 45/55), rinsing was performed for 1 minute with isopropyl alcohol. The amount of light irradiation at which 50% of the initial film thickness remains was 26 mj / cm 2 , which was a sensitivity that was practically sufficient. Also, 1
The line and space of μm was resolved sharply, and the resolution was also excellent.
実施例２ シリコンウェハー上に、ノボラック樹脂を主成分とす
るAZ−1470（シプレー社製品）を1.2μｍ厚に塗布し、2
00℃で１時間熱処理を行った。その上に、実施例１で用
いたのと同様のレジスト溶液をスピン塗布し、以下実施
例１と同様の方法で露光および現像を行い、レジストパ
ターンを得た。Example 2 AZ-1470 (product of Shipley Co.) containing a novolac resin as a main component was applied on a silicon wafer to a thickness of 1.2 μm, and 2
Heat treatment was performed at 00 ° C. for 1 hour. A resist solution similar to that used in Example 1 was spin-coated thereon, and exposure and development were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a resist pattern.
得られたパターンの下層有機膜に対するドライエッチ
ングのマスクとしての適応性をみるために、O2RIEを行
った後、走査電子顕微鏡でエッチング後のパターンを観
察した。露出している下層の有機膜のエッチングが完全
に終了した後でも、レジストパターンの厚みはほとんど
変化がなく、その下部の約１μｍの有機膜は、ほぼ垂直
なプロファイルで残存していた。In order to examine the adaptability of the obtained pattern to the lower organic film as a mask for dry etching, after O 2 RIE, the pattern after etching was observed with a scanning electron microscope. Even after the etching of the exposed lower organic film was completely completed, the thickness of the resist pattern was hardly changed, and the organic film of about 1 μm below the resist pattern remained in a substantially vertical profile.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花畑 誠 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 大西 良武 東京都港区芝五丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 渡辺 文武 東京都港区芝五丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−255909（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−209528（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−75440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−4230（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Makoto Hanabata 2-10-1 Tsukahara, Takatsuki City, Osaka Prefecture Sumitomo Kagaku Kogyo Co., Ltd. (72) Inventor Yoshitake Onishi 5-33-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo No. within NEC Corporation (72) Inventor Fumitake Watanabe 5-33-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Inside NEC Corporation (56) Reference JP-A-61-255909 (JP, A) JP-A 62-209528 (JP, A) JP-A-62-75440 (JP, A) JP-A-63-4230 (JP, A)
Claims (2)
チレン系重合体および感光剤としてのビスアジド化合物
を含み、該ビスアジド化合物が該スチレン系重合体に対
して0.5〜30重量％の範囲で存在することを特徴とする
シリコン含有ネガ型フォトレジスト組成物。1. A general formula (I) (In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) and a styrene-based polymer having a silicon atom containing a repeating unit represented by the formula: and a bisazide compound as a photosensitizer. A silicon-containing negative photoresist composition, characterized in that it is present in the range of 0.5 to 30 wt% with respect to the coalescence.
記載の組成物。2. The composition according to claim 1, wherein R is a methyl group.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61216767A JPH0814698B2 (en) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | Silicon-containing negative photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216767A JPH0814698B2 (en) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | Silicon-containing negative photoresist composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370846A JPS6370846A (en) | 1988-03-31 |
| JPH0814698B2 true JPH0814698B2 (en) | 1996-02-14 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP61216767A Expired - Fee Related JPH0814698B2 (en) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | Silicon-containing negative photoresist composition |
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| JP (1) | JPH0814698B2 (en) |
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-
1986
- 1986-09-12 JP JP61216767A patent/JPH0814698B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPS6370846A (en) | 1988-03-31 |
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