JPH08146218A - 偏光ビームスプリッター - Google Patents
偏光ビームスプリッターInfo
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- JPH08146218A JPH08146218A JP28792694A JP28792694A JPH08146218A JP H08146218 A JPH08146218 A JP H08146218A JP 28792694 A JP28792694 A JP 28792694A JP 28792694 A JP28792694 A JP 28792694A JP H08146218 A JPH08146218 A JP H08146218A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ±５゜以上の非常に広い角度域で所望の偏光
特性をもたせ、光学系の設計自由度を向上させる。 【構成】 高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して
なる偏光ビームスプリッターにおいて、分岐する光の中
心波長をλとしたとき、高屈折率物質および低屈折率物
質の各光学的膜厚ＨおよびＬが、それぞれ０．８×λ／
４＜Ｈ＜１．０×λ／４かつ０．８×λ／４＜Ｌ＜１．
０×λ／４となる第１のスタックと、１．３×λ／４＜
Ｈ＜１．５×λ／４かつ１．３×λ／４＜Ｌ＜１．５×
λ／４となる第２のスタックとを有する。
特性をもたせ、光学系の設計自由度を向上させる。 【構成】 高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して
なる偏光ビームスプリッターにおいて、分岐する光の中
心波長をλとしたとき、高屈折率物質および低屈折率物
質の各光学的膜厚ＨおよびＬが、それぞれ０．８×λ／
４＜Ｈ＜１．０×λ／４かつ０．８×λ／４＜Ｌ＜１．
０×λ／４となる第１のスタックと、１．３×λ／４＜
Ｈ＜１．５×λ／４かつ１．３×λ／４＜Ｌ＜１．５×
λ／４となる第２のスタックとを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定波長の光線が入射
した場合に、その偏光状態により分岐する方向が所定の
割合で異なるような偏光ビームスプリッターに関する。
した場合に、その偏光状態により分岐する方向が所定の
割合で異なるような偏光ビームスプリッターに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスク装置、レーザープリ
ンター、レーザー加工機および測定装置などのレーザー
応用機器では、光源からの光路と検出器に至る光路の分
割のために、偏光ビームスプリッターが光学部品の一部
として使用されている。この偏光ビームスプリッター
は、通常、両者とも光学的膜厚が設計波長の１／４倍の
厚さをもつ高屈折率層と低屈折率層とを積層することに
よって構成されている。また、ビームスプリッターとし
て機能する波長領域を広げるために、積層した膜に様々
な調整層をもたせたり、あるいは特開平５−３５４０３
号公報に開示されるように、膜厚を設計波長の１／４倍
の整数倍、あるいは整数の逆数倍の膜厚を基準膜厚とし
て用いている。
ンター、レーザー加工機および測定装置などのレーザー
応用機器では、光源からの光路と検出器に至る光路の分
割のために、偏光ビームスプリッターが光学部品の一部
として使用されている。この偏光ビームスプリッター
は、通常、両者とも光学的膜厚が設計波長の１／４倍の
厚さをもつ高屈折率層と低屈折率層とを積層することに
よって構成されている。また、ビームスプリッターとし
て機能する波長領域を広げるために、積層した膜に様々
な調整層をもたせたり、あるいは特開平５−３５４０３
号公報に開示されるように、膜厚を設計波長の１／４倍
の整数倍、あるいは整数の逆数倍の膜厚を基準膜厚とし
て用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これら従来
から用いられている偏光ビームスプリッターでは、光線
の入射角の制限が非常に厳しく、多くは４５゜のみか、
あるいは他の単一の角度、せいぜい中心角度に対して±
１゜程度の角度域でしか所望の偏光特性を得ることがで
きなかった。
から用いられている偏光ビームスプリッターでは、光線
の入射角の制限が非常に厳しく、多くは４５゜のみか、
あるいは他の単一の角度、せいぜい中心角度に対して±
１゜程度の角度域でしか所望の偏光特性を得ることがで
きなかった。
【０００４】このため、光学系を構成する要素の配置が
ある程度固定されてしまい、光学設計の範囲が狭くなっ
てしまうために、装置の小型化や簡素化、部品点数の減
少等を図ろうとする場合の制限となっていた。
ある程度固定されてしまい、光学設計の範囲が狭くなっ
てしまうために、装置の小型化や簡素化、部品点数の減
少等を図ろうとする場合の制限となっていた。
【０００５】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、請求項１に係る発明は、±５゜以上の非
常に広い角度域で所望の偏光特性をもち、光学系の設計
自由度を向上させることができる偏光ビームスプリッタ
ーを提供することを目的とする。
されたもので、請求項１に係る発明は、±５゜以上の非
常に広い角度域で所望の偏光特性をもち、光学系の設計
自由度を向上させることができる偏光ビームスプリッタ
ーを提供することを目的とする。
【０００６】請求項２に係る発明は、上記目的に加え、
最も良好な偏光ビームスプリッターを提供することを目
的とする。
最も良好な偏光ビームスプリッターを提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、高屈折率層と低屈折率層と
を交互に積層してなる偏光ビームスプリッターにおい
て、分岐する光の中心波長をλとしたとき、高屈折率層
および低屈折率層の各光学的膜厚ＨおよびＬが、それぞ
れ０．８×λ／４＜Ｈ＜１．０×λ／４かつ０．８×λ
／４＜Ｌ＜１．０×λ／４となる第１のスタックと、
１．３×λ／４＜Ｈ＜１．５×λ／４かつ１．３×λ／
４＜Ｌ＜１．５×λ／４となる第２のスタックとを有す
ることとした。
に、請求項１に係る発明は、高屈折率層と低屈折率層と
を交互に積層してなる偏光ビームスプリッターにおい
て、分岐する光の中心波長をλとしたとき、高屈折率層
および低屈折率層の各光学的膜厚ＨおよびＬが、それぞ
れ０．８×λ／４＜Ｈ＜１．０×λ／４かつ０．８×λ
／４＜Ｌ＜１．０×λ／４となる第１のスタックと、
１．３×λ／４＜Ｈ＜１．５×λ／４かつ１．３×λ／
４＜Ｌ＜１．５×λ／４となる第２のスタックとを有す
ることとした。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の偏
光ビームスプリッターにおいて、前記高屈折率層がＴｉ
Ｏ2 からなり、低屈折率層がＳｉＯ2 からなることを特
徴とする。
光ビームスプリッターにおいて、前記高屈折率層がＴｉ
Ｏ2 からなり、低屈折率層がＳｉＯ2 からなることを特
徴とする。
【０００９】
【作用】第１のスタックだけの膜では、λより短い波長
の光（Ｐ，Ｓ偏光共）を反射し、λ付近およびλよりあ
る程度長い波長の光をも反射する。そして、Ｓ偏光の光
の方がＰ偏光の光よりも長い波長の光を反射する。これ
とは逆に、第２のスタックだけの膜では、λより長い波
長の光（Ｐ，Ｓ偏光共）を反射し、λ付近およびλより
ある程度短い波長の光を反射する。そして、Ｓ偏光の光
の方がＰ偏光の光よりも短い波長の光を反射する。
の光（Ｐ，Ｓ偏光共）を反射し、λ付近およびλよりあ
る程度長い波長の光をも反射する。そして、Ｓ偏光の光
の方がＰ偏光の光よりも長い波長の光を反射する。これ
とは逆に、第２のスタックだけの膜では、λより長い波
長の光（Ｐ，Ｓ偏光共）を反射し、λ付近およびλより
ある程度短い波長の光を反射する。そして、Ｓ偏光の光
の方がＰ偏光の光よりも短い波長の光を反射する。
【００１０】これら二つのスタックを同時に備える多層
膜では、上記二つの膜の特性を合成したような特性とな
り、λ近辺の波長域でＰ偏光は透過し、Ｓ偏光は反射す
るような偏光ビームスプリッターが得られる。そして、
特に上記のような本発明の膜厚とした場合には、特性の
角度依存性の面でも非常に良好な膜が得られる。
膜では、上記二つの膜の特性を合成したような特性とな
り、λ近辺の波長域でＰ偏光は透過し、Ｓ偏光は反射す
るような偏光ビームスプリッターが得られる。そして、
特に上記のような本発明の膜厚とした場合には、特性の
角度依存性の面でも非常に良好な膜が得られる。
【００１１】それぞれのスタックを構成するＨおよびＬ
（第１のスタックのＨとＬ、あるいは第２のスタックの
ＨとＬ）は、それぞれ同じ膜厚であってもよく、また異
なる膜厚であっても勿論よい。
（第１のスタックのＨとＬ、あるいは第２のスタックの
ＨとＬ）は、それぞれ同じ膜厚であってもよく、また異
なる膜厚であっても勿論よい。
【００１２】このような構成により、±５゜あるいはそ
れ以上の広い角度域で所望の偏光特性を有する偏光ビー
ムスプリッターを得ることができる。また、この偏光ビ
ームスプリッターを用いることによって、光学系の設計
自由度を増すことができ、光学系を小型で、かつ部品点
数が少ないものとし、構成の簡素化を図ることが可能と
なる。
れ以上の広い角度域で所望の偏光特性を有する偏光ビー
ムスプリッターを得ることができる。また、この偏光ビ
ームスプリッターを用いることによって、光学系の設計
自由度を増すことができ、光学系を小型で、かつ部品点
数が少ないものとし、構成の簡素化を図ることが可能と
なる。
【００１３】
［実施例１］本実施例では、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍの
波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が
０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例を
示す。
ｂＯ3 ）基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍの
波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が
０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例を
示す。
【００１４】まず、ＬｉＮｂＯ3 基板を真空槽中にセッ
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表１のよう
になるような２１層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに
０．８８７×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、Ｓ
ｉＯ2 ともに１．３８５×λ／４である（ただし、λ＝
７８５ｎｍ）。
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表１のよう
になるような２１層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに
０．８８７×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、Ｓ
ｉＯ2 ともに１．３８５×λ／４である（ただし、λ＝
７８５ｎｍ）。
【００１５】
【表１】
【００１６】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図１のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が８０±１％以内、Ｐ
偏光の反射率が２．８％以下、４５±４゜の角度域では
Ｓ偏光の反射率が８０±１％以内、Ｐ偏光の反射率が１
％以下であった。
での透過率特性を測定したところ、図１のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が８０±１％以内、Ｐ
偏光の反射率が２．８％以下、４５±４゜の角度域では
Ｓ偏光の反射率が８０±１％以内、Ｐ偏光の反射率が１
％以下であった。
【００１７】［実施例２］本実施例では、ＬｉＮｂＯ3
基板上に、４０〜５５゜の角度域で７８５ｎｍの波長の
光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が１０％
となるような偏光ビームスプリッターを設けた例を示
す。
基板上に、４０〜５５゜の角度域で７８５ｎｍの波長の
光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が１０％
となるような偏光ビームスプリッターを設けた例を示
す。
【００１８】まず、ＬｉＮｂＯ3 基板を真空槽中にセッ
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表２のよう
になるような２１層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 が０．８９６×λ／
４、ＳｉＯ2 が０．９１７×λ／４、第２のスタック
は、ＴｉＯ2 が１．４６１×λ／４、ＳｉＯ2 が１．４
６９×λ／４である（ただし、λ＝７８５ｎｍ）。
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表２のよう
になるような２１層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 が０．８９６×λ／
４、ＳｉＯ2 が０．９１７×λ／４、第２のスタック
は、ＴｉＯ2 が１．４６１×λ／４、ＳｉＯ2 が１．４
６９×λ／４である（ただし、λ＝７８５ｎｍ）。
【００１９】
【表２】
【００２０】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図２のように、４０
〜５５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７６．６〜８０．
４％、Ｐ偏光の反射率が９．３〜１３．６％であった。
での透過率特性を測定したところ、図２のように、４０
〜５５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７６．６〜８０．
４％、Ｐ偏光の反射率が９．３〜１３．６％であった。
【００２１】［実施例３］本実施例では、ＬｉＮｂＯ3
基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍの波長の光
のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が５％とな
るような偏光ビームスプリッターを設けた例を示す。
基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍの波長の光
のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率が５％とな
るような偏光ビームスプリッターを設けた例を示す。
【００２２】まず、ＬｉＮｂＯ3 基板を真空槽中にセッ
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表３のよう
になるような２３層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 が０．９９５×λ／
４、ＳｉＯ2 が０．９０４×λ／４、第２のスタック
は、ＴｉＯ2 が１．３８０×λ／４、ＳｉＯ2 が１．３
２７×λ／４である（ただし、λ＝７８５ｎｍ）。
トした後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１
０-4Ｐａに到達したところで、光学的膜厚が表３のよう
になるような２３層のビームスプリッターを真空蒸着法
によって成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴ
ｉＯ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例
では、第１のスタックは、ＴｉＯ2 が０．９９５×λ／
４、ＳｉＯ2 が０．９０４×λ／４、第２のスタック
は、ＴｉＯ2 が１．３８０×λ／４、ＳｉＯ2 が１．３
２７×λ／４である（ただし、λ＝７８５ｎｍ）。
【００２３】
【表３】
【００２４】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図３のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７８〜８１％、Ｐ偏
光の反射率が３．７〜７．６％であった。
での透過率特性を測定したところ、図３のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７８〜８１％、Ｐ偏
光の反射率が３．７〜７．６％であった。
【００２５】［実施例４］本実施例では、屈折率１．５
２のガラス基板上に、４５±７゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
２のガラス基板上に、４５±７゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
【００２６】まず、ガラス基板を真空槽中にセットした
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表４のようになる
ような２６層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９０２×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３３８×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表４のようになる
ような２６層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９０２×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３３８×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
【００２７】
【表４】
【００２８】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図４のように、４５
±７゜の角度域でＳ偏光の反射率が７６〜８２％、Ｐ偏
光の反射率が５．５％以下、４５±５゜の角度域ではＳ
偏光の反射率が７６〜８２％、Ｐ偏光の反射率が２．２
％以下であった。
での透過率特性を測定したところ、図４のように、４５
±７゜の角度域でＳ偏光の反射率が７６〜８２％、Ｐ偏
光の反射率が５．５％以下、４５±５゜の角度域ではＳ
偏光の反射率が７６〜８２％、Ｐ偏光の反射率が２．２
％以下であった。
【００２９】［実施例５］本実施例では、屈折率１．５
２のガラス基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
２のガラス基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が８０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
【００３０】まず、ガラス基板を真空槽中にセットした
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表５のようになる
ような２４層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９００×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３８５×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表５のようになる
ような２４層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９００×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３８５×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
【００３１】
【表５】
【００３２】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図５のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７８．５〜８０．５
％、Ｐ偏光の反射率が２．２％以下、４５±４゜の角度
域ではＳ偏光の反射率が８０±０．５％、Ｐ偏光の反射
率が０．８％以下であった。
での透過率特性を測定したところ、図５のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が７８．５〜８０．５
％、Ｐ偏光の反射率が２．２％以下、４５±４゜の角度
域ではＳ偏光の反射率が８０±０．５％、Ｐ偏光の反射
率が０．８％以下であった。
【００３３】［実施例６］本実施例では、屈折率１．５
２のガラス基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が９０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
２のガラス基板上に、４５±５゜の角度域で７８５ｎｍ
の波長の光のＳ偏光の反射率が９０％、Ｐ偏光の反射率
が０％となるような偏光ビームスプリッターを設けた例
を示す。
【００３４】まず、ガラス基板を真空槽中にセットした
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表６のようになる
ような２７層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉＯ2
、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９０３×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３４５×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
後、基板を３００℃まで加熱し、真空度が５×１０-4Ｐ
ａに到達したところで、光学的膜厚が表６のようになる
ような２７層のビームスプリッターを真空蒸着法によっ
て成膜した。膜材料としては、高屈折率材料にＴｉＯ2
、低屈折率材料にＳｉＯ2 を使用した。本実施例で
は、第１のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 ともに０．
９０３×λ／４、第２のスタックは、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ
2 ともに１．３４５×λ／４である（ただし、λ＝７８
５ｎｍ）。
【００３５】
【表６】
【００３６】この偏光ビームスプリッターの７８５ｎｍ
での透過率特性を測定したところ、図６のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が８７〜９１％、Ｐ偏
光の反射率が４．４％以下、４５±４゜の角度域ではＳ
偏光の反射率が８７．５〜９１％、Ｐ偏光の反射率が
１．７％以下であった。
での透過率特性を測定したところ、図６のように、４５
±５゜の角度域でＳ偏光の反射率が８７〜９１％、Ｐ偏
光の反射率が４．４％以下、４５±４゜の角度域ではＳ
偏光の反射率が８７．５〜９１％、Ｐ偏光の反射率が
１．７％以下であった。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明によ
れば、±５゜以上あるいはそれ以上の広い角度域で所望
の偏光特性を得ることができ、また、その偏光ビームス
プリッターを用いることによって、小型でかつ部品点数
が少なく、簡素な構成の光学系を得ることが可能とな
る。請求項２に係る発明によれば、上記効果に加え、偏
光ビームスプリッターとして最も良好なものとなる。
れば、±５゜以上あるいはそれ以上の広い角度域で所望
の偏光特性を得ることができ、また、その偏光ビームス
プリッターを用いることによって、小型でかつ部品点数
が少なく、簡素な構成の光学系を得ることが可能とな
る。請求項２に係る発明によれば、上記効果に加え、偏
光ビームスプリッターとして最も良好なものとなる。
【図１】実施例１の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図２】実施例２の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図３】実施例３の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図４】実施例４の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図５】実施例５の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図６】実施例６の偏光ビームスプリッターの反射率特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層
してなる偏光ビームスプリッターにおいて、分岐する光
の中心波長をλとしたとき、高屈折率層および低屈折率
層の各光学的膜厚ＨおよびＬが、それぞれ０．８×λ／
４＜Ｈ＜１．０×λ／４かつ０．８×λ／４＜Ｌ＜１．
０×λ／４となる第１のスタックと、１．３×λ／４＜
Ｈ＜１．５×λ／４かつ１．３×λ／４＜Ｌ＜１．５×
λ／４となる第２のスタックとを有することを特徴とす
る偏光ビームスプリッター。 - 【請求項２】 前記高屈折率層がＴｉＯ2 からなり、低
屈折率層がＳｉＯ2からなることを特徴とする請求項１
記載の偏光ビームスプリッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28792694A JPH08146218A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28792694A JPH08146218A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146218A true JPH08146218A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17723523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28792694A Withdrawn JPH08146218A (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | 偏光ビームスプリッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08146218A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791750B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-09-14 | Minolta Co., Ltd. | Polarization beam splitter |
| US6859315B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Polarization beam splitter and method of producing the same |
| US7289267B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-10-30 | Konica Minolta Opto, Inc. | Polarizing beam splitter |
| JP2008304614A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Canon Inc | 偏光素子及び露光装置 |
| CN109343167A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-15 | 三明福特科光电有限公司 | 可见、红外可延展的高消光比偏振棱镜 |
| CN110461203A (zh) * | 2017-03-24 | 2019-11-15 | 奥林巴斯株式会社 | 内窥镜*** |
-
1994
- 1994-11-22 JP JP28792694A patent/JPH08146218A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6859315B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Polarization beam splitter and method of producing the same |
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| CN110461203A (zh) * | 2017-03-24 | 2019-11-15 | 奥林巴斯株式会社 | 内窥镜*** |
| CN109343167A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-15 | 三明福特科光电有限公司 | 可见、红外可延展的高消光比偏振棱镜 |
| CN109343167B (zh) * | 2018-12-14 | 2024-05-17 | 三明福特科光电有限公司 | 可见、红外可延展的高消光比偏振棱镜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |