JPH08133888A - Method for carrying out liquid phase epitaxial growth and apparatus therefor - Google Patents
Method for carrying out liquid phase epitaxial growth and apparatus thereforInfo
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- JPH08133888A JPH08133888A JP23653995A JP23653995A JPH08133888A JP H08133888 A JPH08133888 A JP H08133888A JP 23653995 A JP23653995 A JP 23653995A JP 23653995 A JP23653995 A JP 23653995A JP H08133888 A JPH08133888 A JP H08133888A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はエピタキシャル層の
表面欠陥を減少させた液相エピタキシャル成長方法及び
その装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid phase epitaxial growth method and apparatus for reducing surface defects in an epitaxial layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体の製造プロセスに用いられる液相
エピタキシャル成長方法には幾つかの方式が知られてい
るが、そのうちの一つにスライドボートを使用する方式
がある。2. Description of the Related Art There are several known liquid phase epitaxial growth methods used in semiconductor manufacturing processes, one of which is a method using a slide boat.
【０００３】図４はこの方式の動作原理図を示すもので
あり、結晶を成長させる場合は、スライドボート１を加
熱し、溶液ホルダ７の溶液溜６にセットした原料を一定
温度で溶解して原料溶液５を作成する。次に温度を徐々
に冷却し所定の温度に達したときに、基板ホルダ３を移
動させ、基板ホルダ３にセットした基板２と溶液ホルダ
７にセットした溶液５とを接触させて基板表面に単結晶
を成長させる。所定の厚さの成長層を成長した後再び基
板ホルダ３を移動して基板２と溶液５とを分離して成長
を完了する。FIG. 4 shows the principle of operation of this system. When growing a crystal, the slide boat 1 is heated and the raw material set in the solution reservoir 6 of the solution holder 7 is melted at a constant temperature. A raw material solution 5 is prepared. Next, the temperature is gradually cooled, and when the temperature reaches a predetermined temperature, the substrate holder 3 is moved, and the substrate 2 set in the substrate holder 3 and the solution 5 set in the solution holder 7 are brought into contact with each other, and the substrate surface is simply exposed. Grow crystals. After growing a growth layer having a predetermined thickness, the substrate holder 3 is moved again to separate the substrate 2 from the solution 5 to complete the growth.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のスライ
ドボートを用いた液相エピタキシャル成長方法により半
導体の単結晶を成長した場合、特に薄膜を成長した場
合、結晶表面にくもりが生じることがある。When a single crystal of a semiconductor is grown by the liquid phase epitaxial growth method using the above-mentioned conventional slide boat, particularly when a thin film is grown, clouding may occur on the crystal surface.
【０００５】くもりが生じる原因としては、基板上に結
晶成長を行った後に溶液と分離して室温まで冷却する過
程で基板上部のグラファイトから不純物が拡散して成長
層の表面に付着し、くもりが生ずると考えられる。不純
物としては、前回の成長で結晶表面から結晶の構成物質
のうち昇華し易い成分が昇華しグラファイト中に取り込
まれたものである。As a cause of clouding, impurities are diffused from the graphite on the upper part of the substrate and adhere to the surface of the growth layer during the process of growing the crystal on the substrate, separating it from the solution, and cooling it to room temperature. It is thought to occur. As the impurities, a component that easily sublimes out of the crystal constituent substances from the crystal surface in the previous growth is sublimated and taken into the graphite.
【０００６】そのため従来は、１回の成長毎にスライド
ボートを空焼きまたは洗浄して不純物を除去する必要が
あり、作業性が非常に悪かった。[0006] Therefore, conventionally, it was necessary to dry or wash the slide boat to remove impurities after each growth, and the workability was very poor.
【０００７】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、スライドボートを空焼しなくても、結晶表面
の欠陥を大幅に減少させ、作業性の良好な液相エピタキ
シャル成長方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to provide a liquid-phase epitaxial growth method with excellent workability by significantly reducing the defects on the crystal surface without air-drying the slide boat. To do.
【０００８】また、本発明の目的は、簡単な構成で、結
晶表面の欠陥を大幅に減少させ、高品質の半導体結晶を
得ることが出来る液相エピタキシャル成長装置を提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a liquid phase epitaxial growth apparatus which has a simple structure and can significantly reduce defects on the crystal surface to obtain a high quality semiconductor crystal.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の液相エピタキシ
ャル成長方法は、グラファイト製の溶液ホルダと基板ホ
ルダとにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触
させて基板上に半導体結晶を成長させ、原料融液と基板
とを分離させて成長を完了する液相エピタキシャル成長
方法において、成長を完了した基板の上部をグラッシー
カーボン製、パイロリティックグラファイト製または炭
化ケイ素被覆グラファイト製のふたで覆うようにしたも
のである。According to a liquid phase epitaxial growth method of the present invention, a raw material solution set in a graphite solution holder and a substrate holder are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate. In a liquid phase epitaxial growth method that completes the growth by separating the raw material melt and the substrate, the top of the grown substrate is covered with a lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite or silicon carbide coated graphite Is.
【００１０】また、本発明の液相エピタキシャル成長装
置は、グラファイト製の溶液ホルダと基板ホルダとにそ
れぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させて基板
上に半導体結晶を成長し、成長を完了するために基板を
溶液から分離して溶液ホルダの所定位置に待機させるよ
うにした液相エピタキシャル成長装置において、上記基
板が待機する溶液ホルダの所定位置に、基板表面を覆う
グラッシーカーボン製、パイロリティックグラファイト
製または炭化ケイ素被覆グラファイト製のふたを設けた
ものである。Further, in the liquid phase epitaxial growth apparatus of the present invention, the raw material solutions set in the graphite solution holder and the substrate holder are brought into contact with the substrate to grow a semiconductor crystal on the substrate and the growth is completed. In order to separate the substrate from the solution and make it stand by at a predetermined position of the solution holder, in the predetermined position of the solution holder where the substrate stands by, glassy carbon covering the substrate surface, made of pyrolytic graphite Alternatively, it is provided with a lid made of silicon carbide coated graphite.
【００１１】本発明は、前回の成長で結晶表面から結晶
の構成物質のうち昇華し易い成分が昇華して溶液ホルダ
のグラファイト中に不純物として取り込まれ、今回の成
長完了後に溶液と分離して基板待機位置で基板を室温ま
で冷却する過程で、基板上部の溶液ホルダのグラファイ
トから不純物が拡散して成長層の表面に付着するという
知見のもとに、このような現象を阻止するために、成長
完了後に基板が待機する溶液ホルダの所定位置に、基板
表面を覆うグラッシーカーボン製、パイロリティックグ
ラファイト製または炭化ケイ素被覆グラファイト製のふ
たを設けたものである。その結果、今回の成長完了後の
基板待機位置で、溶液ホルダから前回取り込まれた不純
物が拡散して成長層の表面に付着することもなく、結晶
表面に生じるくもりを大幅に低減することができる。な
お、グラッシーカーボンとは、黒色ガラス状の不透過性
炭素製品であり、気体透過度が通常使用されているグラ
ファイトと比較して約１０-10 小さいものである。ま
た、パイロリティックグラファイトは、その密度が通常
使用されているグラファイトと比較して約１．３倍大き
いものである。また、炭化ケイ素は、グラファイトの表
面に容易にコーティングでき、しかも気体透過度が通常
使用されているグラファイトと比較して非常に小さいた
め、これをグラファイトの表面にコーティングすること
によりグラッシーカーボンとほぼ同じ効果を得ることが
できる。According to the present invention, a component which is easily sublimated out of the crystal constituents from the crystal surface in the previous growth is sublimated and taken into the graphite of the solution holder as an impurity, and after the completion of the present growth, it is separated from the solution and separated from the substrate. In the process of cooling the substrate to the room temperature at the standby position, the growth of the growth was carried out in order to prevent such a phenomenon based on the finding that impurities diffuse from the graphite of the solution holder on the substrate and adhere to the surface of the growth layer. A lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite, or silicon carbide-coated graphite covering the surface of the substrate is provided at a predetermined position of the solution holder on which the substrate stands by after completion. As a result, at the substrate stand-by position after the completion of this growth, the impurities previously taken in from the solution holder do not diffuse and adhere to the surface of the growth layer, and it is possible to greatly reduce the cloudiness that occurs on the crystal surface. . Glassy carbon is an impermeable carbon product in the form of black glass, and has a gas permeability smaller than that of graphite, which is usually used, by about 10 -10 . Further, the density of pyrolytic graphite is about 1.3 times larger than that of graphite which is normally used. In addition, since silicon carbide can be easily coated on the surface of graphite, and its gas permeability is extremely small compared to commonly used graphite, coating this on the surface of graphite gives almost the same results as glassy carbon. The effect can be obtained.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例をＧａＡｓ
結晶のエピタキシャル成長について図を用いて説明す
る。図１から図３は本実施例のスライドボート及びその
動作説明図を示したものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will now be described with reference to GaAs.
The epitaxial growth of crystals will be described with reference to the drawings. 1 to 3 show a slide boat according to the present embodiment and an operation explanatory diagram thereof.
【００１３】図においてスライドボート１は、共に高純
度のグラファイトにより製作された基板ホルダ３と、溶
液ホルダ７とから構成される。基板ホルダ３の上に溶液
ホルダ７が載せられ、いずれかのホルダを水平方向にス
ライド自在とするが、ここでは、基板２がセットされる
基板ホルダ３を矢印の方向にスライド自在としてある溶
液ホルダ７は溶液溜６をもち、そこに原料溶液５をセッ
トするようになっている。In the figure, a slide boat 1 is composed of a substrate holder 3 and a solution holder 7 both made of high-purity graphite. The solution holder 7 is placed on the substrate holder 3 and either holder is slidable in the horizontal direction. Here, the substrate holder 3 on which the substrate 2 is set is slidable in the direction of the arrow. 7 has a solution reservoir 6 in which the raw material solution 5 is set.
【００１４】溶液ホルダ７と基板ホルダ３とにそれぞれ
セットされた原料溶液５と基板２とを接触させて基板２
上に半導体結晶を成長し、成長を完了するために基板２
を溶液５から分離して溶液ホルダ７の所定位置に待機さ
せる。この基板２が待機する溶液ホルダ７の所定位置
に、基板表面を覆うグラッシーカーボン製のふた８を設
けてある。このグラッシーカーボン製のふた８は、溶液
ホルダ７に埋め込まれ、溶液ホルダ７のスライド面と面
一になっている。ふた８の厚さは任意である。The raw material solution 5 set in the solution holder 7 and the substrate 2 are brought into contact with each other to bring the substrate 2 into contact.
Substrate 2 to grow a semiconductor crystal on and to complete the growth
Is separated from the solution 5 and made to stand by at a predetermined position of the solution holder 7. At a predetermined position of the solution holder 7 on which the substrate 2 stands by, a glassy carbon lid 8 covering the substrate surface is provided. The glassy carbon lid 8 is embedded in the solution holder 7 and is flush with the slide surface of the solution holder 7. The thickness of the lid 8 is arbitrary.
【００１５】[0015]
【実施例】さて、結晶を成長するには、例えばｐ型Ｇａ
Ａｓ基板２、およびＧａ、ＧａＡｓ、Ｔｅから成る原料
をセットした図１の状態でスライドボート１を８００℃
に加熱し、原料を溶解してＧａ溶液５を作成する。EXAMPLES Now, in order to grow a crystal, for example, p-type Ga
The slide boat 1 was set at 800 ° C. in the state of FIG. 1 in which the As substrate 2 and the raw material composed of Ga, GaAs and Te were set.
Then, the raw material is melted to prepare a Ga solution 5.
【００１６】次に温度を０．５℃/minの冷却速度で冷却
し所定の温度に達したときに、基板ホルダ３を移動さ
せ、図２の状態でｐ型ＧａＡｓ基板２とＧａ溶液５とを
接触させて基板表面にｎ型ＧａＡｓ単結晶を１μｍ成長
させる。Next, when the temperature is cooled at a cooling rate of 0.5 ° C./min and reaches a predetermined temperature, the substrate holder 3 is moved and the p-type GaAs substrate 2 and the Ga solution 5 are placed in the state shown in FIG. Are contacted to grow an n-type GaAs single crystal on the surface of the substrate by 1 μm.
【００１７】その後、図３の状態となるように、再び基
板ホルダ３を移動し、基板２を溶液５から分離して、待
機位置に持ってきてグラッシーカーボン製のふた８の下
で、室温まで冷却して成長を完了する。After that, the substrate holder 3 is moved again to separate the substrate 5 from the solution 5 so that the state shown in FIG. 3 is obtained, and the substrate 2 is brought to the standby position and is brought to room temperature under the glassy carbon lid 8. Cool to complete growth.
【００１８】その結果、成長層表面にはくもりの発生は
なかった。同様の成長を１０回連続して行ったが、成長
層表面のくもりは全く発生しないことを確認できた。As a result, no clouding occurred on the surface of the growth layer. The same growth was performed 10 times in succession, but it was confirmed that no clouding occurred on the growth layer surface.
【００１９】次に、グラッシーカーボン製のふたに代え
てパイロリティックグラファイト製のふたと炭化ケイ素
被覆グラファイト製のふたを用い、それぞれのふたにつ
いて上記成長と同様の成長を各１０回連続して行った
が、これらの場合も成長層表面のくもりは全く発生しな
いことを確認できた。Next, a lid made of pyrolytic graphite and a lid made of silicon carbide-coated graphite were used in place of the glassy carbon lid, and the same growth as the above-mentioned growth was continuously performed 10 times for each lid. However, it was confirmed that the clouding of the growth layer surface did not occur at all in these cases.
【００２０】比較のために、グラッシーカーボン製、パ
イロリティックグラファイト製または炭化ケイ素被覆グ
ラファイト製のふたを設けない従来のスライドボートで
１０回連続成長させたが、２回目からくもりが発生し、
１０回中６回、成長層表面にくもりが発生した。For comparison, a conventional slide boat without a lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite or silicon carbide-coated graphite was continuously grown 10 times, but clouding occurred from the second time.
Clouding occurred on the surface of the growth layer 6 times in 10 times.
【００２１】このように、溶液ホルダの所定位置にグラ
ッシーカーボン製、パイロリティックグラファイト製ま
たは炭化ケイ素被覆グラファイト製のふたを設けると、
１μｍ程度の薄膜であっても結晶表面にくもりが生じ
ず、以後のプロセス、例えばエピタキシーや露光などで
の歩留まりを大幅に向上することができる。As described above, when a lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite or silicon carbide coated graphite is provided at a predetermined position of the solution holder,
Even a thin film having a thickness of about 1 μm does not cause clouding on the crystal surface, and the yield in subsequent processes, such as epitaxy and exposure, can be greatly improved.
【００２２】なお、上記実施例ではグラッシーカーボン
製、パイロリティックグラファイト製または炭化ケイ素
被覆グラファイト製のふたを、基板が待機する溶液ホル
ダの所定位置にのみ設けるようにしたが、それ以外の位
置に設けるようにしてもよい。In the above embodiment, the lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite or silicon carbide coated graphite is provided only at a predetermined position of the solution holder on which the substrate stands by, but it is provided at other positions. You may do it.
【００２３】また、上記実施例では、上下いずれかのホ
ルダを水平方向にスライドする水平スライド式のスライ
ドボートについて説明したが、本発明はこれに限定され
ない。例えば上下いずれかのホルダを軸を中心に回転す
る縦型回転式のスライドボートにも適用できる。Further, in the above embodiment, the horizontal slide type slide boat in which one of the upper and lower holders is slid in the horizontal direction has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it can be applied to a vertical rotary slide boat that rotates one of upper and lower holders around an axis.
【００２４】また、上記実施例では溶液溜が１個で１層
成長の場合を述べたが、２層以上の成長にも適用でき
る。Further, in the above embodiment, the case of growing one layer with one solution reservoir was described, but it can be applied to the growth of two or more layers.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明方法によれば、成長を完了した基
板の上部をグラッシーカーボン製、パイロリティックグ
ラファイト製または炭化ケイ素被覆グラファイト製のふ
たで覆うようにしたので、成長毎にスライドボートを空
焼きしなくても、表面欠陥の大幅に低減したくもりのな
い成長層表面を容易に得ることができ、作業性が飛躍的
に向上する。According to the method of the present invention, the upper portion of the substrate on which the growth is completed is covered with the lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite, or silicon carbide-coated graphite. Even without baking, it is possible to easily obtain a cloudy growth layer surface with greatly reduced surface defects, and workability is dramatically improved.
【００２６】本発明装置によれば、基板が待機する溶液
ホルダの所定位置に、基板表面を覆うグラッシーカーボ
ン製、パイロリティックグラファイト製または炭化ケイ
素被覆グラファイト製のふたを設けるという簡単な構成
で、結晶表面の欠陥を大幅に減少させ、高品質の半導体
結晶を得ることが出来る。According to the apparatus of the present invention, a crystal is provided with a simple structure in which a lid made of glassy carbon, pyrolytic graphite or graphite coated with silicon carbide is provided at a predetermined position of the solution holder on which the substrate stands by to cover the surface of the substrate. Surface defects can be significantly reduced and high quality semiconductor crystals can be obtained.
【図１】本発明の液相エピタキシャル成長装置の実施例
を説明するためにスライドボートの概略図であって、成
長開始前の状態図。FIG. 1 is a schematic view of a slide boat for explaining an embodiment of a liquid phase epitaxial growth apparatus of the present invention, which is a state diagram before the start of growth.
【図２】同じく成長中の状態図。FIG. 2 is a state diagram during the same growth.
【図３】同じく成長完了後の状態図。FIG. 3 is a state diagram after the completion of growth.
【図４】従来のスライドボートの概略図。FIG. 4 is a schematic view of a conventional slide boat.
１ スライドボート ２ 基板 ３ 基板ホルダ ５ 原料溶液 ６ 溶液溜 ７ 溶液ホルダ ８ グラッシーカーボン製のふた 1 Slide Boat 2 Substrate 3 Substrate Holder 5 Raw Material Solution 6 Solution Reservoir 7 Solution Holder 8 Glassy Carbon Lid
Claims (6)
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長させ、原料融液と基板とを
分離させて成長を完了する液相エピタキシャル成長方法
において、成長を完了した基板の上部をグラッシーカー
ボン製のふたで覆うようにしたことを特徴とする液相エ
ピタキシャル成長方法。1. A raw material solution set in a graphite solution holder and a substrate holder are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the raw material melt and the substrate are separated to complete the growth. In the liquid phase epitaxial growth method described above, the upper part of the substrate on which the growth has been completed is covered with a lid made of glassy carbon.
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長し、成長を完了するために
基板を溶液から分離して溶液ホルダの所定位置に待機さ
せるようにした液相エピタキシャル成長装置において、
上記基板が待機する溶液ホルダの所定位置に、基板表面
を覆うグラッシーカーボン製のふたを設けたことを特徴
とする液相エピタキシャル成長装置。2. A raw material solution set in a graphite solution holder and a substrate holder are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the substrate is separated from the solution to complete the growth. In a liquid phase epitaxial growth apparatus that is made to stand by at a predetermined position of the solution holder,
A liquid phase epitaxial growth apparatus comprising a glassy lid covering the surface of the substrate at a predetermined position of the solution holder on which the substrate stands by.
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長させ、原料融液と基板とを
分離させて成長を完了する液相エピタキシャル成長方法
において、成長を完了した基板の上部をパイロリティッ
クグラファイト製のふたで覆うようにしたことを特徴と
する液相エピタキシャル成長方法。3. A raw material solution set in a graphite solution holder and a substrate holder are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the raw material melt and the substrate are separated to complete the growth. In the liquid phase epitaxial growth method described above, the upper part of the substrate on which the growth has been completed is covered with a lid made of pyrolytic graphite.
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長し、成長を完了するために
基板を溶液から分離して溶液ホルダの所定位置に待機さ
せるようにした液相エピタキシャル成長装置において、
上記基板が待機する溶液ホルダの所定位置に、基板表面
を覆うパイロリティックグラファイト製のふたを設けた
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。4. A solution holder made of graphite and a substrate holder are brought into contact with a raw material solution respectively set to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the substrate is separated from the solution to complete the growth. In a liquid phase epitaxial growth apparatus that is made to stand by at a predetermined position of the solution holder,
A liquid phase epitaxial growth apparatus characterized in that a lid made of pyrolytic graphite covering the surface of the substrate is provided at a predetermined position of a solution holder on which the substrate stands by.
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長させ、原料融液と基板とを
分離させて成長を完了する液相エピタキシャル成長方法
において、成長を完了した基板の上部を炭化ケイ素被覆
グラファイト製のふたで覆うようにしたことを特徴とす
る液相エピタキシャル成長方法。5. A raw material solution set in a graphite solution holder and a substrate holder are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the raw material melt and the substrate are separated to complete the growth. In the liquid phase epitaxial growth method described above, the upper part of the completed substrate is covered with a lid made of graphite coated with silicon carbide.
とにそれぞれセットされた原料溶液と基板とを接触させ
て基板上に半導体結晶を成長し、成長を完了するために
基板を溶液から分離して溶液ホルダの所定位置に待機さ
せるようにした液相エピタキシャル成長装置において、
上記基板が待機する溶液ホルダの所定位置に、基板表面
を覆う炭化ケイ素被覆グラファイト製のふたを設けたこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。6. A raw material solution set in a solution holder and a substrate holder made of graphite are brought into contact with each other to grow a semiconductor crystal on the substrate, and the substrate is separated from the solution to complete the growth. In a liquid phase epitaxial growth apparatus that is made to stand by at a predetermined position of the solution holder,
A liquid phase epitaxial growth apparatus, wherein a lid made of silicon carbide-coated graphite covering the surface of the substrate is provided at a predetermined position of a solution holder on which the substrate stands by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23653995A JPH08133888A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | Method for carrying out liquid phase epitaxial growth and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-221979 | 1994-09-16 | ||
| JP22197994 | 1994-09-16 | ||
| JP23653995A JPH08133888A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | Method for carrying out liquid phase epitaxial growth and apparatus therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08133888A true JPH08133888A (en) | 1996-05-28 |
Family
ID=26524611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23653995A Pending JPH08133888A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | Method for carrying out liquid phase epitaxial growth and apparatus therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08133888A (en) |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23653995A patent/JPH08133888A/en active Pending
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