JPH08132555A - Reflecting plate and reflector for stroboscopic lamp using the same - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To suitably utilize a reflecting plate as a reflector for a stroboscopic lamp by forming an inorganic thin film layer having a specific film thickness, a transparent macromolecular film, a silver thin film layer having a specific film thickness, an adhesive layer and a plate-like molding in order named. CONSTITUTION: An inorganic thin film layer 01 having at least 0.2 to 3.7μm in film thickness, a transparent polymer film 02, a silver thin film layer 03 having 60 to 350nm in film thickness, an adhesive layer 04 and a plate-like molding 05 are formed in order named. The inorganic thin film layer 01 constitutes a reflective surface of a reflecting plate 20 and comprises a silicon oxide. In this reflecting plate, the silicon oxide is prepared by the heat treatment of a silazane polymer. Further, it is preferable that this silicon oxide is prepared by a plasma CVD process. The plate-like molding forms the reflecting plate selected from aluminum, aluminum alloy, stainless steel and the like and, furthermore, the reflecting plate is processed and formed as a reflector for a stroboscope.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、反射体に関するもので
あり、さらに詳しくは、ストロボ用の反射傘に好適に用
いることができる反射体とその反射傘に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflector, and more particularly, it relates to a reflector which can be preferably used as a reflector for a strobe and the reflector.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ストロボ用の反射傘として従来、表面を
研磨したアルミの板を板金加工により成形加工したもの
が用いられてきたが、近年、レンズ付きフィルムの様な
簡便なカメラにもストロボが装備されるようになり、ス
トロボのシステム全体として見た場合に、軽量化および
小型化が重要視されるようになってきた。しかしてスト
ロボに用いるキセノンランプを放電させるためのコンデ
ンサが、ストロボの回路において大きな割合を占めてお
り、上記コンデンサーを小さくすることは、ストロボシ
ステム全体としての小型化ばかりでなく低コスト化につ
ながり産業上きわめて重要である。このコンデンサを小
型化する１つの方法は、キセノンランプから放射される
光を効率的に被写体に到達させるために、上記の表面研
磨したアルミ（全反射率：８８％〜９０％）に代わっ
て、より反射率の高い銀（全反射率：９３％以上）を用
いることである。本発明者らは、アルミよりも可視光領
域で反射率が高く、かつ、アルミ板と同様に板金加工や
打ち抜き加工が可能な反射板に関する技術を提案してき
た（特開平５−１６２２２７号公報）。本発明者らが提
案した反射板は、透明高分子フィルム（Ｂ）、銀薄膜層
（Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）が、ＢＣＤＥ
の順に形成されたものであって、銀薄膜表面を直接大気
に暴露することがなく、銀薄膜表面の腐食の問題等を解
決し、銀を用いた反射体の耐侯性を飛躍的に向上させる
ものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, as a reflector for a strobe, an aluminum plate whose surface has been polished is formed by sheet metal processing, but in recent years, strobes have been used for a simple camera such as a film with a lens. As a result of being equipped, the weight and size of the strobe system have come to be emphasized in terms of the entire strobe system. However, the capacitor for discharging the xenon lamp used for the strobe occupies a large proportion in the strobe circuit, and reducing the size of the above condenser not only reduces the overall strobe system size, but also lowers the cost. Above is extremely important. One way to miniaturize this capacitor is to replace the above-mentioned surface-polished aluminum (total reflectance: 88% to 90%) in order to make the light emitted from the xenon lamp reach the subject efficiently. It is to use silver with higher reflectance (total reflectance: 93% or more). The present inventors have proposed a technique relating to a reflector having a higher reflectance in the visible light region than aluminum and capable of sheet metal working and punching similar to an aluminum plate (JP-A-5-162227). . The reflective plate proposed by the present inventors has a transparent polymer film (B), a silver thin film layer (C), an adhesive layer (D), and a plate-shaped molded body (E) of BCDE.
It is formed in the order of 1) and solves the problem of corrosion of the silver thin film surface without directly exposing the silver thin film surface to the atmosphere, and dramatically improves the weather resistance of the reflector using silver. It was a thing.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】そこで、上記銀を用い
た反射体を打ち抜き加工し、ストロボ用に板金加工し、
実際にストロボに用い１０〜５０回発光させたところ反
射板の透明高分子フィルム層表面が黒化するという予期
せざる問題に遭遇した。実際に使用される反射体では、
少なくとも１００回の発光に対して黒化しないことが望
まれる。そこで、この問題を解決する方法を鋭意研究し
たところ、反射面に０．５μｍ以上の無機薄膜層を形成
することで透明高分子フィルム層の黒化が抑制されるこ
とを見いだし、本発明に到達した。Therefore, the reflector made of silver is punched, and a sheet metal for a flash is processed.
We encountered an unexpected problem that the surface of the transparent polymer film layer of the reflector was blackened when it was actually used for a strobe and light was emitted 10 to 50 times. In the actual reflector used,
It is desired not to be blackened for at least 100 times of light emission. Therefore, as a result of intensive research into a method for solving this problem, it was found that the formation of an inorganic thin film layer having a thickness of 0.5 μm or more on the reflecting surface suppresses the blackening of the transparent polymer film layer, and the present invention was achieved. did.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、上
記の問題を解決するためになされたものであって、透明
高分子フィルム（Ｂ）の一方の面に０．２μｍ以上の無
機薄膜層（Ａ）を形成し、その裏面上に６０ｎｍ以上の
膜厚の銀薄膜（Ｃ）を形成し、そのフィルムの銀薄膜層
を形成した面と板状の成形体（Ｅ）、例えば、アルミ板
を接着層（Ｄ）を介してラミネートすることにより作製
することのできる反射板を提供するものであり、すなわ
ち要するに、ＡＢＣＤＥの順に構成された反射体のＡの
面を反射面として使用する反射板を提供するものであ
り、さらに、上記反射板を用いたストロボ用反射傘を提
供するものである。That is, the present invention has been made to solve the above problems, and an inorganic thin film layer of 0.2 μm or more is formed on one surface of a transparent polymer film (B). (A) is formed, a silver thin film (C) having a film thickness of 60 nm or more is formed on the back surface thereof, and the surface of the film on which the silver thin film layer is formed and a plate-shaped molded product (E), for example, an aluminum plate The present invention provides a reflector which can be produced by laminating the above with an adhesive layer (D), that is to say, in short, a reflector using the surface A of a reflector constructed in the order of ABCDE as a reflection surface. In addition, the present invention also provides a strobe reflector using the reflector.

【０００５】すなわち、本発明は、少なくとも、膜厚が
０．２μｍないし３．７μｍの無機薄膜層（Ａ）、透明
高分子フィルム（Ｂ）、膜厚が６０ｎｍないし３５０ｎ
ｍの銀薄膜層（Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）
が、ＡＢＣＤＥの順に形成された、Ａの面が反射面であ
る反射板であり、また無機薄膜層（Ａ）が珪素酸化物か
らなる反射板であり、また該珪素酸化物がシラザンポリ
マーを熱処理することにより形成される反射板であっ
て、またもしくは該珪素酸化物がプラズマＣＶＤ法によ
り形成される反射板であって、また該板状成形体（Ｅ）
がアルミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合
金、鋼から選ばれたものである反射板であり、また、上
記反射板を成形加工してなるストロボ用反射傘である。That is, according to the present invention, at least an inorganic thin film layer (A) having a thickness of 0.2 μm to 3.7 μm, a transparent polymer film (B), and a thickness of 60 nm to 350 n.
m silver thin film layer (C), adhesive layer (D), plate shaped body (E)
Is a reflector formed in the order of ABCDE, in which the surface A is a reflecting surface, the inorganic thin film layer (A) is a reflecting plate made of silicon oxide, and the silicon oxide heat-treats the silazane polymer. Or a reflector formed by plasma CVD of the silicon oxide, and the plate-shaped molded body (E)
Is a reflector selected from aluminum, aluminum alloy, stainless steel, copper-zinc alloy, and steel, and is a reflector for flash, which is formed by processing the reflector.

【０００６】以下、添付図面を参照しながら、本発明を
説明する。図１は、本発明の反射板の断面構造の一例を
示す図である。図において０１は無機薄膜層、０２は透
明高分子フィルム、０３は銀薄膜層、０４は接着層、０
５は板状成形体である。また、図２はキセノン管に反射
板を接触させたストロボ構造の断面を示す図であり、図
３はキセノン管に反射板を接触させたストロボ構造の発
光面の裏側から見た図であり、図４はストロボ発光回路
を示す図である。なお、１０はキセノンランプ、２０は
反射板、３０はトリガ端子を示す。The present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of a reflection plate of the present invention. In the figure, 01 is an inorganic thin film layer, 02 is a transparent polymer film, 03 is a silver thin film layer, 04 is an adhesive layer, 0
5 is a plate-shaped molded body. 2 is a cross-sectional view of a strobe structure in which a reflection plate is in contact with the xenon tube, and FIG. 3 is a view seen from the back side of the light emitting surface of the strobe structure in which the reflection plate is in contact with the xenon tube. FIG. 4 is a diagram showing a strobe light emitting circuit. 10 is a xenon lamp, 20 is a reflector, and 30 is a trigger terminal.

【０００７】本発明における透明高分子フィルムの材料
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートもしくは
ポリスチレン等が使用できるが、必ずしもこれらに限定
されるわけではなく、透明であり、ある程度常用耐熱温
度が高いものであれば利用できる。キセノンランプを発
光させた時、ランプが加熱され、ランプと接触させて配
置される反射傘もまた加熱されることになるがその熱に
対して少なくとも、変形や変色の起こらない透明高分子
フィルムを用いることが好ましい。本発明においてはか
かる透明高分子フィルムの一方の面には無機薄膜層を、
その裏面には銀薄膜層を形成することを特徴とする。し
かしてその形成過程で透明高分子フィルムが加熱される
ため、透明高分子フィルムには常用耐熱温度が８０℃以
上、より好ましくは常用耐熱温度１００℃以上のものを
用いるのが望ましい。なかでもポリエチレンテレフタレ
ートは常用耐熱温度が１２０℃であり、透明性および加
工性に優れているため、本発明の透明高分子フィルムと
して好適に使用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は常用耐熱温度が１７０℃と高いため、特に耐熱性を必
要とされる場合に好ましく用いられる。The material of the transparent polymer film in the present invention may be polyethylene terephthalate, polyether sulfone, polyether ether ketone, polyimide, polyethylene, polypropylene, polycarbonate or polystyrene, but is not necessarily limited thereto. It can be used as long as it is transparent and has a high normal heat resistance temperature to some extent. When the xenon lamp emits light, the lamp is heated and the reflector placed in contact with the lamp is also heated, but a transparent polymer film that does not deform or discolor at least against the heat It is preferable to use. In the present invention, an inorganic thin film layer on one surface of such a transparent polymer film,
It is characterized in that a silver thin film layer is formed on the back surface thereof. However, since the transparent polymer film is heated during the formation process, it is desirable to use a transparent polymer film having a normal heat resistance temperature of 80 ° C. or higher, more preferably a normal heat resistance temperature of 100 ° C. or higher. Among them, polyethylene terephthalate has a normal heat resistance temperature of 120 ° C. and is excellent in transparency and processability, and therefore can be suitably used as the transparent polymer film of the present invention. Further, since polyether sulfone has a high normal heat resistance temperature of 170 ° C., it is preferably used especially when heat resistance is required.

【０００８】透明高分子フィルムの厚さには限定的な制
限値はないが、通常２５μｍ〜１５０μｍ程度のものが
好ましい。使用する透明高分子フィルムの光学特性は、
波長５５０ｎｍの光の光線透過率が８０％以上であるこ
とが好ましい。より好ましくは、波長５００〜７００ｎ
ｍの光に対して、光線透過率が８０％以上であり、より
好ましくは８５％以上である。光線透過率が８０％より
低いと、反射フィルムとした時の全反射率が所望の値に
達しなくなる。There is no limit value for the thickness of the transparent polymer film, but a thickness of about 25 μm to 150 μm is usually preferable. The optical properties of the transparent polymer film used are
The light transmittance of light having a wavelength of 550 nm is preferably 80% or more. More preferably, wavelength 500-700n
With respect to the light of m, the light transmittance is 80% or more, more preferably 85% or more. If the light transmittance is lower than 80%, the total reflectance of the reflective film will not reach the desired value.

【０００９】本発明においては、上記したごとく透明高
分子フィルムの一方の面に無機薄膜層を、その裏面に銀
薄膜層を形成するが、それらの形成前に、片面もしくは
両面に、スパッタリング処理、コロナ処理、紫外線照
射、電子線照射、などのエッチング処理や、下塗り処理
を施して、無機薄膜層もしくは銀薄膜層と透明高分子フ
ィルムとの密着性を向上させるための処理を施してもよ
い。また、必要に応じて洗剤洗浄や超音波洗浄処理等の
防塵処理を施してもよい。In the present invention, as described above, the inorganic thin film layer is formed on one surface of the transparent polymer film and the silver thin film layer is formed on the back surface thereof. An etching treatment such as corona treatment, ultraviolet ray irradiation, electron beam irradiation, or an undercoating treatment may be performed to perform treatment for improving the adhesion between the inorganic thin film layer or the silver thin film layer and the transparent polymer film. Further, if necessary, dustproof treatment such as detergent cleaning or ultrasonic cleaning may be performed.

【００１０】無機薄膜層の材料は、珪素酸化物、チタン
酸化物、ジリコニア酸化物もしくはアルミ酸化物等が使
用できるが、必ずしもそれらに限定されるものではな
く、要するに波長４００ｎｍから７５０ｎｍの範囲の光
線に対する光吸収率が２０％以下であるものであれば利
用できる。波長４００ｎｍから７５０ｎｍの範囲の光吸
収率が２０％を超えると、キセノンランプにより発光し
た光が無機薄膜層に入射した際、光が吸収されてしまう
ため、反射板としたときの全反射率が所望の値に達しな
くなる。上記の無機酸化物のなかでも珪素酸化物は、光
吸収率が２０％以下の薄膜が後に述べる方法により容易
に形成できるため好適に用いられる。As the material of the inorganic thin film layer, silicon oxide, titanium oxide, zirconia oxide, aluminum oxide or the like can be used, but the material is not necessarily limited to these, and in short, a light beam having a wavelength of 400 nm to 750 nm can be used. Any material having a light absorption rate of 20% or less can be used. When the light absorptance in the wavelength range of 400 nm to 750 nm exceeds 20%, when the light emitted by the xenon lamp is incident on the inorganic thin film layer, the light is absorbed, so that the total reflectance when used as a reflector is reduced. The desired value will not be reached. Among the above inorganic oxides, silicon oxide is preferably used because a thin film having a light absorption rate of 20% or less can be easily formed by the method described later.

【００１１】ここでいう珪素酸化物とは、酸化された珪
素の総称であって、必ずしも化学量論的なものと一致す
る必要がないことは、当業者が容易に理解できるところ
であろう。すなわち、より具体的に示すとすれば、酸素
と珪素の原子比が１．５〜２．１の範囲である。また、
窒素、水素等の不純物が含まれていても、ここでいう珪
素酸化物の範中にはいることはいうまでもない。It will be easily understood by those skilled in the art that the term "silicon oxide" as used herein is a general term for oxidized silicon and does not necessarily correspond to stoichiometric one. That is, more specifically, the atomic ratio of oxygen to silicon is in the range of 1.5 to 2.1. Also,
Needless to say, even if impurities such as nitrogen and hydrogen are contained, they are included in the range of silicon oxide.

【００１２】無機薄膜層の形成方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物
理的気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法
といった従来公知の薄膜形成方法が利用できる。また、
酸化珪素薄膜を形成する場合にはシラザンポリマーを塗
布した後、加熱乾燥させる塗布法も利用できる。As a method for forming the inorganic thin film layer, there are conventionally known thin film forming methods such as a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method and an ion plating method, and a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method. Available. Also,
When a silicon oxide thin film is formed, a coating method in which a silazane polymer is coated and then dried by heating can also be used.

【００１３】プラズマＣＶＤ法においては、例えば酸化
珪素薄膜を形成する場合には、１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン（室温で液体）をヘリウムガス等の
不活性ガスでバブリングすることにより気化させて真空
室に導入し、そこに酸素ガスを混合したうえでプラズマ
を発生させ、珪素酸化物を析出させることで所望の珪素
酸化物薄膜を得ることができる。プラズマＣＶＤ法は成
膜速度が早く、珪素酸化物薄膜が高速に形成できるため
好んで用いられる。また、珪素酸化物を形成する場合に
おいて、塗布法はシラザンポリマーを大気中で塗布し１
５０〜５００℃において０．５〜５時間程度加熱乾燥さ
せるという簡略な工程で、しかも上記成膜法とは異なり
真空装置を必要としないため、簡便な装置で所望の珪素
酸化物薄膜が得られるので、これもまた好ましく用いら
れる。塗布法において用いられるシラザンポリマーに
は、例えばポリシラザン（東燃（株）製）が利用でき
る。In the plasma CVD method, for example, when a silicon oxide thin film is formed, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (liquid at room temperature) is bubbled with an inert gas such as helium gas. A desired silicon oxide thin film can be obtained by vaporizing and introducing it into a vacuum chamber, mixing oxygen gas therein, generating plasma, and precipitating silicon oxide. The plasma CVD method is preferably used because it has a high film formation rate and can form a silicon oxide thin film at a high speed. When forming silicon oxide, the coating method is to coat the silazane polymer in the atmosphere and
A simple process of heating and drying at 50 to 500 ° C. for about 0.5 to 5 hours and, unlike the above film forming method, does not require a vacuum device, and thus a desired silicon oxide thin film can be obtained with a simple device. Therefore, this is also preferably used. As the silazane polymer used in the coating method, for example, polysilazane (manufactured by Tonen Corporation) can be used.

【００１４】スパッタリング法ではターゲットに所望の
無機酸化物を、スパッタリングガスにアルゴン等の不活
性ガスを用いた高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ法
が好ましく用いられる。スパッタリングガス中に、成膜
された無機酸化物の酸素欠損を補うために適量の酸素ガ
スを導入してもよい。また、例えば、酸化珪素薄膜の場
合には珪素、チタン酸化物薄膜の場合にはチタンといっ
た金属ターゲットを用い、スパッタガスにアルゴン等の
不活性ガス、反応性ガスに酸素を用いた直流（ＤＣ）反
応性スパッタ法でも所望の無機酸化物層を得ることがで
きる。スパッタリング法ではターゲットに所望の材料を
選ぶことで、さまざまな無機薄膜が形成できるため、こ
れもまた好んで用いられる。In the sputtering method, a high frequency (RF) magnetron sputtering method in which a desired inorganic oxide is used as a target and an inert gas such as argon is used as a sputtering gas is preferably used. An appropriate amount of oxygen gas may be introduced into the sputtering gas in order to supplement the oxygen deficiency of the formed inorganic oxide. Further, for example, a direct current (DC) using a metal target such as silicon in the case of a silicon oxide thin film and titanium in the case of a titanium oxide thin film, an inert gas such as argon as a sputtering gas, and oxygen as a reactive gas. The desired inorganic oxide layer can also be obtained by the reactive sputtering method. In the sputtering method, various inorganic thin films can be formed by selecting a desired material for the target, and this is also preferably used.

【００１５】無機薄膜層の膜厚は０．２μｍ〜３．７μ
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３．７μｍ、さらに好
ましくは０．４μｍ〜３．７μｍ、さらに好ましくは
０．５μｍ〜３．５μｍ、さらに好ましくは０．５μｍ
〜２．５μｍである。無機薄膜層の厚さがこれより薄い
と、ストロボ発光に対する透明高分子フィルムの黒化を
抑制する保護層としての機能を果たさないため、該反射
板を用いて形成したストロボ用反射板、もしくは反射傘
は、数回のストロボ発光で透明高分子フィルムが黒化し
てしまうため好ましくない。また、無機薄膜層の膜厚が
これより厚いと、該反射板をストロボ用反射傘に加工す
る際、無機薄膜層にひび割れが生じるため好ましくな
い。なお無機薄膜層の膜厚は上記膜厚で実用上十分な性
能が得られるので、これを越える膜厚にするために成膜
時間をかけるのは材料の無駄でもあり好ましくない。The thickness of the inorganic thin film layer is 0.2 μm to 3.7 μm.
m, more preferably 0.3 μm to 3.7 μm, still more preferably 0.4 μm to 3.7 μm, further preferably 0.5 μm to 3.5 μm, still more preferably 0.5 μm.
Is about 2.5 μm. If the thickness of the inorganic thin film layer is smaller than this, it will not function as a protective layer that suppresses the blackening of the transparent polymer film against stroboscopic light emission. The umbrella is not preferable because the transparent polymer film is blackened by stroboscopic light emission several times. Further, if the thickness of the inorganic thin film layer is thicker than this, cracks are generated in the inorganic thin film layer when the reflector is processed into a strobe reflector, which is not preferable. Since the inorganic thin film layer has a practically sufficient performance with the above-mentioned film thickness, it is not preferable to spend a film-forming time to exceed the thickness because it wastes materials.

【００１６】本発明においては、かかる無機薄膜層を一
方の面上に形成した透明高分子フィルムに、図１に示す
ように、無機薄膜層を形成した面とは逆の面に、銀薄膜
層を形成する。かかる銀薄膜層の形成方法には、従来公
知の化学液相成長法及び物理気相成長法が利用できる。
化学液相成長法とはいわゆるメッキ法の総称であり、溶
液から銀を析出させ膜を形成する方法である。具体例を
挙げるとすれば、銀鏡反応等がある。一方、物理気相成
長法とは、真空成膜法の総称であり、具体的に例示する
とすれば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真
空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームアシ
スト真空蒸着法、スパッタ法等がある。とりわけ、本発
明には連続的に成膜するロールツロール方式が可能な真
空成膜法が好ましく用いられる。In the present invention, as shown in FIG. 1, a transparent polymer film having such an inorganic thin film layer formed on one surface is provided with a silver thin film layer on the surface opposite to the surface on which the inorganic thin film layer is formed. To form. As a method for forming such a silver thin film layer, conventionally known chemical liquid phase growth method and physical vapor phase growth method can be used.
The chemical liquid phase growth method is a general term for a so-called plating method, and is a method of depositing silver from a solution to form a film. Specific examples include silver mirror reaction and the like. On the other hand, the physical vapor deposition method is a general term for a vacuum film forming method, and if it is specifically exemplified, a resistance heating type vacuum deposition method, an electron beam heating type vacuum deposition method, an ion plating method, an ion beam assist method. There are a vacuum vapor deposition method, a sputtering method and the like. In particular, a vacuum film forming method capable of a roll-to-roll method of continuously forming a film is preferably used in the present invention.

【００１７】真空蒸着法では銀の原材料を電子ビーム、
抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を上昇させ、
好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ（約０．１Ｐａ）以上導入
させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしてもよ
い。In the vacuum deposition method, the silver raw material is an electron beam,
Melt by resistance heating, induction heating, etc. to raise the vapor pressure,
It is preferable to introduce 0.1 mTorr (about 0.1 Pa) or more to cause high frequency or direct current glow discharge.

【００１８】スパッタ法では、直流（ＤＣ）マグネトロ
ンスパッタ法、高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コン
ベンショナルＲＦスパッタ法、コンベンショナルＤＣス
パッタ法等を使用し得る。スパッタ法においては、原材
料は銀の板状のターゲットを用いればよく、スパッタガ
スにはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン等を使用し得るが、好ましくはアルゴンが用いられ
る。ガスの純度は、９９．０％以上が好ましいが、より
好ましくは９９．５％以上である。As the sputtering method, a direct current (DC) magnetron sputtering method, a radio frequency (RF) magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, an ECR sputtering method, a conventional RF sputtering method, a conventional DC sputtering method or the like can be used. In the sputtering method, a silver plate-shaped target may be used as the raw material, and helium, neon, argon, krypton, xenon, or the like may be used as the sputtering gas, but argon is preferably used. The gas purity is preferably 99.0% or more, more preferably 99.5% or more.

【００１９】銀薄膜層の厚さは６０ｎｍ〜３５０ｎｍ、
より好ましくは７０ｎｍ〜３００ｎｍである。これ未満
では、銀の膜厚が十分でないために、透過する光が存在
し、反射率が十分でなくなる。一方、膜厚をこれより厚
くしても、更に反射率は上昇せず、飽和傾向を示す上
に、銀層の透明高分子フィルムに対する密着性が低下す
るので好ましくない。The thickness of the silver thin film layer is 60 nm to 350 nm,
More preferably, it is 70 nm to 300 nm. Below this, the thickness of silver is not sufficient, so that there is light to be transmitted and the reflectance becomes insufficient. On the other hand, even if the film thickness is made thicker than this, the reflectance does not further increase, a saturation tendency is exhibited, and the adhesion of the silver layer to the transparent polymer film is lowered, which is not preferable.

【００２０】膜厚の測定は、触針粗さ計、繰り返し反射
干渉計、マイクロバランス、水晶振動子法等があるが、
水晶振動子法では成膜中に膜厚の測定が可能なので所望
の膜厚を得るのに適している。また、前もって成膜条件
を定めておき、試料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜
厚の関係を調べた上で、成膜時間により膜厚制御する方
法もある。The film thickness can be measured by a stylus roughness meter, a repetitive reflection interferometer, a microbalance, a crystal oscillator method, etc.
The crystal oscillator method is suitable for obtaining a desired film thickness because the film thickness can be measured during film formation. Further, there is also a method in which the film forming conditions are set in advance, the film is formed on the sample base material, the relationship between the film forming time and the film thickness is investigated, and then the film thickness is controlled by the film forming time.

【００２１】なお、銀薄膜層には、性能に害を及ぼさな
い程度の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングス
テン、モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、
マンガン、チタン等の金属不純物が含まれてもよい。さ
らに、銀層を形成した後、さらにその上に銀層の保護や
フィルムの滑り性の向上のために、インコネル、クロ
ム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タ
ングステン等の単金属層もしくは合金層を１０ｎｍ〜３
０ｎｍ積層することが有効であることは、当業者が理解
しているところであろう。The silver thin film layer contains gold, copper, nickel, iron, cobalt, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, indium, and aluminum, which do not impair the performance.
Metal impurities such as manganese and titanium may be included. After forming the silver layer, a single metal layer or alloy layer such as Inconel, chromium, nickel, titanium, aluminum, molybdenum, or tungsten is further formed on the silver layer to protect the silver layer and improve the slip property of the film. 10 nm to 3
Those skilled in the art will understand that 0 nm stacking is effective.

【００２２】本発明で用いられる接着剤は、熱または触
媒の助けにより接着される接着剤であり具体的には、シ
リコン系接着剤、ポリエステル系接着剤、エポキシ系接
着剤、シアノアクリレート系接着剤など一般的な接着剤
を用いることができる。シリコン系接着剤、及びポリエ
ステル系接着剤は耐熱性、電気特性に優れているためト
リガを印加するストロボ用反射体用に好適に利用でき
る。エポキシ系接着剤は強度、耐熱性に優れているた
め、これもまた好適に利用できる。シアノアクリレート
系接着剤は、速攻性と強度に優れているため、効率的な
反射体作製に利用できる。これらの接着剤は、接着方法
によって熱硬化型、ホットメルト型、二液混合型に大別
されるが、好ましくは連続生産が可能な熱硬化型あるい
はホットメルト型が使用される。熱接着剤の厚みには、
特に限定はないが、通常０．５μｍ〜５０μｍ、好まし
くは１μｍ〜２０μｍ程度である。The adhesive used in the present invention is an adhesive which is adhered with the aid of heat or a catalyst, and specifically, a silicone adhesive, a polyester adhesive, an epoxy adhesive, a cyanoacrylate adhesive. For example, a general adhesive can be used. Since the silicone-based adhesive and the polyester-based adhesive have excellent heat resistance and electrical characteristics, they can be suitably used for a reflector for stroboscope that applies a trigger. Since the epoxy adhesive has excellent strength and heat resistance, it can also be suitably used. The cyanoacrylate-based adhesive has excellent quickness and strength and can be used for efficient production of a reflector. These adhesives are roughly classified into a thermosetting type, a hot-melt type, and a two-liquid mixed type depending on the bonding method, but a thermosetting type or a hot-melt type capable of continuous production is preferably used. The thickness of the thermal adhesive is
Although not particularly limited, it is usually 0.5 μm to 50 μm, preferably about 1 μm to 20 μm.

【００２３】透明高分子フィルムと板状成形体との接着
は、銀薄膜層への接着剤のコーティング、乾燥、ローラ
ーによる板状成形体とのラミネート、の手順により行わ
れる。接着剤のコーティング方法は、基材や接着剤の種
類によって多くの方法があるが、広く使用されているの
はグラビアコーター方式及びリバースコーター方式であ
る。グラビアコーター方式では、接着剤に一部分が浸さ
れているグラビアロールを回転させ、バックアップロー
ルによって送られるフィルムを接着剤の付着したグラビ
アロールに接触させることでコーティングする。コーテ
ィング量はロールの回転数、接着剤の粘度を制御するこ
とで調整できる。リバースコーター方式も、グラビアロ
ール方式に類似した方法であるが、コーティングロール
に付着する接着剤の量を、それに接して設置されている
メタリングロールによって調整する。コーティングされ
た接着剤の乾燥温度、及びラミネート温度は接着剤の種
類によってまちまちであるが、上記に掲げた一般的な接
着剤を用いる場合は１００℃前後である。Adhesion between the transparent polymer film and the plate-shaped compact is performed by the steps of coating the silver thin film layer with an adhesive, drying, and laminating the plate-shaped compact with a roller. There are many adhesive coating methods depending on the type of base material and adhesive agent, but the widely used are the gravure coater method and the reverse coater method. In the gravure coater method, a gravure roll, a part of which is immersed in an adhesive, is rotated, and a film fed by a backup roll is brought into contact with the gravure roll to which the adhesive is attached to perform coating. The coating amount can be adjusted by controlling the rotation speed of the roll and the viscosity of the adhesive. The reverse coater method is also a method similar to the gravure roll method, but the amount of the adhesive attached to the coating roll is adjusted by the metering roll installed in contact with the coating roll. The drying temperature and the laminating temperature of the coated adhesive vary depending on the kind of the adhesive, but when the general adhesive listed above is used, it is around 100 ° C.

【００２４】この接着剤による銀薄膜層を形成した透明
高分子フィルムと板状成形体との密着強度は、１８０度
ピール強度で測定して１００ｇ／ｃｍ以上であることが
望ましい。この密着強度に達しない場合には、ストロボ
用反射体として板金加工した際、銀薄膜層を形成した透
明高分子フィルムの板状成形体からの剥がれ等が生じ、
変形等を引き起こす。The adhesive strength between the transparent polymer film having a silver thin film layer formed by this adhesive and the plate-like molded article is preferably 100 g / cm or more as measured by 180 degree peel strength. If the adhesion strength is not reached, peeling from the plate-shaped molded body of the transparent polymer film having a silver thin film layer occurs when sheet metal processing is performed as a strobe reflector,
Causes deformation, etc.

【００２５】板状成形体には、アルミニウム、アルミ合
金、ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等が使用されるが、
これらの金属にはそれぞれ長所があり次のように使い分
けることができる。アルミニウムは軽量かつ加工性に優
れ、また、熱伝導率が高くそれにかかる熱を効果的に大
気中に逃がすことができるため、ランプ発光によって反
射体が加熱されるストロボ用反射傘に好適に利用でき
る。アルミ合金は軽量かつ機械的強度が強いため、スト
ロボ用反射傘に好適に利用できる。ステンレス鋼は機械
的強度が高度にあり、また耐蝕性にすぐれているため、
ストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼亜鉛合金すな
わち黄銅またはしんちゅうは、機械的強度の強いことに
加え、はんだづけが容易なためトリガ端子をとり易くこ
れもまたストロボ用反射傘に好適に利用できる。鋼は安
価なため、コストを抑える必要がある時に好ましく用い
られる。Aluminum, aluminum alloy, stainless steel, steel-zinc alloy, steel, etc. are used for the plate-shaped molded body.
Each of these metals has its advantages and can be used as follows. Aluminum is lightweight and excellent in workability, and also has a high thermal conductivity and can effectively dissipate the heat to the atmosphere. Therefore, it can be suitably used for a strobe reflector that heats a reflector by light emission from a lamp. . Since aluminum alloy is lightweight and has high mechanical strength, it can be suitably used for a reflector for flash. Stainless steel has high mechanical strength and excellent corrosion resistance,
It can be suitably used as a reflector for a flash. Steel-zinc alloy, that is, brass or brass, has a high mechanical strength, and since it is easy to solder, it is easy to take a trigger terminal, which is also suitable for use as a reflector for a flash. Since steel is inexpensive, it is preferably used when it is necessary to keep the cost down.

【００２６】かくして、作製された反射板の反射率は典
型的には５５０ｎｍの波長の光に対して９３％以上であ
り、より詳しくは４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲で９３
％以上である。当該銀反射板を成形加工してストロボ用
反射傘を作製するには、アルミ板をストロボ用反射傘に
加工する従来の方法がそのまま適用できる。例えば、反
射体を反射傘を平面的に展開した形状に裁断し、この裁
断した平板を折曲げ加工して形成される（特開昭５５−
１１８００２）。かかる方法は製造コストが安いことか
ら、レンズ付きフィルム等に好適に利用されている。Thus, the reflectance of the produced reflector is typically 93% or more with respect to light having a wavelength of 550 nm, and more specifically, 93 in the range of 450 nm to 750 nm.
% Or more. The conventional method of processing an aluminum plate into a stroboscopic reflector can be applied as it is to form the silver reflector to form a stroboscopic reflector. For example, the reflector is cut into a shape in which a reflecting umbrella is developed in a plane, and the cut flat plate is bent to form (Japanese Patent Laid-Open No. 55-55-55).
118002). Since such a method has a low manufacturing cost, it is preferably used for a film with a lens or the like.

【００２７】本発明品である銀反射体の構成の代表的な
評価方法を以下に説明する。無機薄膜層、透明高分子フ
ィルム、銀薄膜層、接着層、板状成形体の各部の厚さ
は、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察する
ことで直接測定できる。また、オージェ電子分光（ＡＥ
Ｓ）により、層構造の深さ方向の組成を分析することに
よっても測定することが可能である。透明高分子フィル
ムの材料分析は、赤外分光（ＩＲ）により可能である。
また、接着剤の材料分析は銀薄膜層と板状成形体を引き
剥して接着剤を露出させ、適当な溶媒にそれを溶かした
試料を作製し、その赤外分光（ＩＲ）をとることで行わ
れる。無機薄膜層、銀薄膜層及び板状形成体の材料分析
は、蛍光Ｘ線分光（ＸＲＦ）やオージェ電子分光（ＡＥ
Ｓ）により行える。さらに、Ｘ線マイクロアナライザ
（ＥＰＭＡ）では蛍光Ｘ線分光より微細な部分の元素分
析が行える。A typical method of evaluating the constitution of the silver reflector of the present invention will be described below. The thickness of each part of the inorganic thin film layer, the transparent polymer film, the silver thin film layer, the adhesive layer, and the plate-shaped molded product can be directly measured by observing the cross section with a transmission electron microscope (TEM). In addition, Auger electron spectroscopy (AE
According to S), it is also possible to measure by analyzing the composition of the layer structure in the depth direction. The material analysis of the transparent polymer film can be performed by infrared spectroscopy (IR).
In addition, the material analysis of the adhesive is performed by peeling off the silver thin film layer and the plate-shaped molded product to expose the adhesive, preparing a sample by dissolving it in an appropriate solvent, and taking its infrared spectrum (IR). Done. Material analysis of the inorganic thin film layer, the silver thin film layer, and the plate-shaped body is performed by fluorescent X-ray spectroscopy (XRF) or Auger electron spectroscopy (AE).
It can be done by S). Furthermore, an X-ray microanalyzer (EPMA) can perform elemental analysis of a finer portion than fluorescent X-ray spectroscopy.

【００２８】[0028]

【実施例】以下、実施例により本発明の実施の態様の一
例を説明する。なお、実施例に記載された全光線透過
率、反射率は分光光度計（日立製作所製：Ｕ−３４０
０）で測定した。EXAMPLES An example of an embodiment of the present invention will be described below with reference to examples. The total light transmittance and reflectance described in the examples are spectrophotometers (Hitachi: U-340).
It was measured in 0).

【００２９】実施例１ ポリエーテルサルフォンフィルム（厚さ５０μｍ、全光
線透過率＝８７％）の一方の面に、１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ０．５μｍの珪素酸化物を
形成した後、珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９
９．９％の銀を原料として、電子ビーム真空蒸着法で、
厚さ１５０ｎｍの銀を蒸着した。水晶式膜厚モニターで
銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍであった。その
フィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル系ホ
ットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成した。そ
の銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反射率を
測定した後、板金加工によってストロボ反射体用傘と
し、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて固
定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアルミ
ニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを形
成した。Example 1 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane gas and oxygen gas were used as raw materials on one surface of a polyether sulfone film (thickness 50 μm, total light transmittance = 87%). After forming a silicon oxide having a thickness of 0.5 μm by the plasma CVD method, a purity of 9 is obtained on the back surface of the surface on which the silicon oxide is formed.
Using 9.9% silver as raw material, electron beam vacuum evaporation method,
Silver having a thickness of 150 nm was deposited. When the film thickness of the silver layer was measured with a crystal type film thickness monitor, it was 150 nm. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３０】実施例２ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に純度９９．９％の銀を
原料として、電子ビーム真空蒸着法で、厚さ１５０ｎｍ
の銀を蒸着した。そのフィルムの銀側とアルミニウム板
とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀
反射板を形成した。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光
線に対する全反射率を測定した後、板金加工によってス
トロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層
側を接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を
銀反射板のアルミニウム板に接続することで、写真撮影
用のストロボを形成した。Example 2 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
After coating polysilazane produced and heating and drying at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
A silicon oxide film having a purity of 99.9% was used as a raw material on the back surface of the surface, and a thickness of 150 nm was obtained by an electron beam vacuum deposition method.
Of silver was vapor deposited. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３１】実施例３ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ２．５μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 3 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
After applying polysilazane manufactured by the method and heating and drying at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 2.5 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide is formed, a target having a purity of 99.99% and an argon gas of 2 mTorr, and a thickness of 150 m
nm silver thin film layer was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to 0 nm light, a strobe reflector umbrella is made by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer side are fixed by contacting them, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is fixed to the aluminum plate of the silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.

【００３２】実施例４ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ３．５μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 4 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
After applying polysilazane produced by the method and heating and drying at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 3.5 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide is formed, a target having a purity of 99.99% and an argon gas of 2 mTorr, and a thickness of 150 m
nm silver thin film layer was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to 0 nm light, a strobe reflector umbrella is made by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer side are fixed by contacting them, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is fixed to the aluminum plate of the silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.

【００３３】実施例５ ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、全光線透過率
＝８７％）の一方の面に、東燃（株）製ポリシラザンを
塗布し、１７０℃で加熱乾燥させることにより厚さ１．
０μｍの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度９９．９％の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ７０ｎｍの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Example 5 Polysilazane (manufactured by Tonen KK) was applied to one surface of a polyethylene film (thickness 100 μm, total light transmittance = 87%) and heated to 170 ° C. to have a thickness of 1.
After forming a 0 μm silicon oxide layer, 70 nm thick silver was vapor-deposited on the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed by electron beam vacuum vapor deposition using 99.9% pure silver as a raw material.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３４】実施例６ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ３００
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Example 6 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
After coating polysilazane produced and heating and drying at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
On the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, a silver film having a purity of 99.99% was used as a target, and a thickness of 300 was obtained by a DC magnetron method under an atmosphere of argon gas of 2 mTorr.
nm silver thin film layer was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to 0 nm light, a strobe reflector umbrella is made by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer side are fixed by contacting them, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is fixed to the aluminum plate of the silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.

【００３５】比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に電子ビーム真
空蒸着法で、純度９９．９％の銀を蒸着した。水晶式膜
厚モニターで銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍで
あった。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリ
エステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を
形成した。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対す
る全反射率を測定した後、板金加工によってストロボ反
射体用傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触
させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板
のアルミニウム板に接続することで、写真撮影用のスト
ロボを形成した。Comparative Example 1 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%), and silver having a purity of 99.9% was vapor-deposited by an electron beam vacuum vapor deposition method. When the film thickness of the silver layer was measured with a crystal type film thickness monitor, it was 150 nm. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３６】比較例２ ポリエーテルサルフォンフィルム（厚さ５０μｍ、全光
線透過率＝８７％）の一方の面に、１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサンガスと酸素ガスを原料としたプ
ラズマＣＶＤ法により、厚さ０．３μｍの珪素酸化物を
形成した後、形成した面の裏面に電子ビーム真空蒸着法
で、純度９９．９％の銀を蒸着した。水晶式膜厚モニタ
ーで銀層の膜厚を測定したところ１５０ｎｍであった。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Comparative Example 2 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane gas and oxygen gas were used as raw materials on one surface of a polyether sulfone film (thickness 50 μm, total light transmittance = 87%). After forming a silicon oxide having a thickness of 0.3 μm by the plasma CVD method, silver having a purity of 99.9% was vapor-deposited on the back surface of the formed surface by an electron beam vacuum vapor deposition method. When the film thickness of the silver layer was measured with a crystal type film thickness monitor, it was 150 nm.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３７】比較例３ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ４．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ１５０
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Comparative Example 3 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
Polysilazane produced is applied and dried by heating at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 4.0 μm.
On the back surface of the surface on which the silicon oxide is formed, a target having a purity of 99.99% and an argon gas of 2 mTorr, and a thickness of 150 m
nm silver thin film layer was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to 0 nm light, a strobe reflector umbrella is made by sheet metal processing, and the xenon lamp and the silicon oxide layer side are fixed by contacting them, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit is fixed to the aluminum plate of the silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.

【００３８】比較例４ ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、全光線透過率
＝８７％）の一方の面に、東燃（株）製ポリシラザンを
塗布し、１７０℃で加熱乾燥させることにより厚さ１．
０μｍの珪素酸化物層を形成した後、珪素酸化物を形成
した面の裏面に、純度９９．９％の銀を原料として、電
子ビーム真空蒸着法で、厚さ５０ｎｍの銀を蒸着した。
そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポリエステル
系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その銀反射板の波長５５０ｎｍの光線に対する全反
射率を測定した後、板金加工によってストロボ反射体用
傘とし、キセノンランプと珪素酸化物層側を接触させて
固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のアル
ミニウム板に接続することで、写真撮影用のストロボを
形成した。Comparative Example 4 Polysilazane (manufactured by Tonen KK) was applied to one surface of a polyethylene film (thickness 100 μm, total light transmittance = 87%), and dried at 170 ° C. to a thickness of 1.
After forming a 0 μm silicon oxide layer, silver having a thickness of 50 nm was vapor-deposited by electron beam vacuum vapor deposition on the back surface of the surface on which the silicon oxide was formed, using silver having a purity of 99.9% as a raw material.
The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. After measuring the total reflectance of the 550 nm wavelength light of the silver reflector, it was made into a strobe reflector umbrella by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit was silver. A strobe for photography was formed by connecting to the aluminum plate of the reflector.

【００３９】比較例５ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ１００μ
ｍ、全光線透過率＝８７％）の一方の面に、東燃（株）
製ポリシラザンを塗布し、１７０℃で加熱乾燥させるこ
とにより厚さ１．０μｍの珪素酸化物層を形成した後、
珪素酸化物を形成した面の裏面に、純度９９．９９％の
銀をターゲットに用いて、アルゴンガス２ｍＴｏｒｒの
雰囲気の下で、直流マグネトロン法により、厚さ４００
ｎｍの銀薄膜層を形成した。そのフィルムの銀側とアル
ミニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で
接着し、銀反射板を形成した。その銀反射板の波長５５
０ｎｍの光線に対する全反射率を測定した後、板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと珪
素酸化物層側を接触させて固定、ストロボ発光回路のト
リガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。Comparative Example 5 Polyethylene terephthalate film (thickness 100 μm
m, total light transmittance = 87%) on one surface of Tonen Co., Ltd.
After coating polysilazane produced and heating and drying at 170 ° C. to form a silicon oxide layer having a thickness of 1.0 μm,
A silver film having a purity of 99.99% was used as a target on the back surface of the surface where the silicon oxide was formed, and a thickness of 400 was measured by a DC magnetron method in an atmosphere of argon gas of 2 mTorr.
nm silver thin film layer was formed. The silver side of the film and the aluminum plate were bonded together with a polyester hot melt adhesive to form a silver reflector. The wavelength of the silver reflector 55
After measuring the total reflectance with respect to the 0 nm ray, a strobe reflector umbrella is made by sheet metal processing and fixed by contacting the xenon lamp and the silicon oxide layer side, and the trigger terminal of the strobe light emitting circuit to the aluminum plate of the silver reflector. By connecting, a strobe for photography was formed.

【００４０】図２及び図３は、実施例１〜６、比較例１
〜５において説明した写真撮影用のストロボの概略図で
ある。ここで図２はキセノン管に銀反射板を接触させた
ストロボ構造の断面を示し、図３はキセノン管に銀反射
板を接触させたストロボ構造の発光面の裏側から見た図
を示している。図において、１０はキセノンランプ、２
０は銀反射板、３０はトリガ端子である。2 and 3 show Examples 1 to 6 and Comparative Example 1
FIG. 6 is a schematic view of a flash for photographing described in 5; Here, FIG. 2 shows a cross section of a strobe structure in which a silver reflection plate is in contact with a xenon tube, and FIG. 3 is a view seen from the back side of the light emitting surface of the strobe structure in which a silver reflection plate is in contact with the xenon tube. . In the figure, 10 is a xenon lamp, 2
Reference numeral 0 is a silver reflector, and 30 is a trigger terminal.

【００４１】図４はストロボを発光させるための発光回
路である。キセノンランプ１０に電界コンデサで充電し
た電圧をかけ、発光を誘起するためにトリガ端子２０に
高電圧、高周波のトリガを印加する。ここで、キセノン
ランプにかかる電圧、トリガ端子にかかる電圧及び周波
数は、キセノンランプを発光させ得る適当な値に設定す
ればよい。FIG. 4 shows a light emitting circuit for causing a strobe to emit light. A voltage charged by an electric field capacitor is applied to the xenon lamp 10, and a high-voltage, high-frequency trigger is applied to the trigger terminal 20 to induce light emission. Here, the voltage applied to the xenon lamp, the voltage applied to the trigger terminal, and the frequency may be set to appropriate values that allow the xenon lamp to emit light.

【００４２】実施例１〜６および比較例１〜５において
説明した写真撮影用ストロボを、図４において説明した
ストロボ回路において、キセノンランプに印加する電圧
を３２０Ｖ、トリガ端子に印加する電圧をピーク−ピー
ク値で１５ｋＶ、周波数１ＭＨｚに設定し、キセノンラ
ンプを１０秒間隔で１００回繰り返し発光させた後、銀
反射傘の状態を観察した。実施例１〜６および比較例１
〜５それぞれの、発光試験前の波長５５０ｎｍの光線に
対する全反射率、および発光試験後の反射傘の状態を
〔表１〕に掲げる。In the strobe circuit described in FIGS. 4A and 4B, the voltage applied to the xenon lamp is 320V, and the voltage applied to the trigger terminal is the peak-in the strobe circuit for photographing described in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5. After setting the peak value to 15 kV and the frequency to 1 MHz and repeatedly emitting the xenon lamp 100 times at intervals of 10 seconds, the state of the silver reflector was observed. Examples 1 to 6 and Comparative Example 1
[Table 1] shows the total reflectance for each of the light beams of ˜5 before the luminescence test and the state of the reflector after the luminescence test.

【００４３】[0043]

【表１】 本発明品である実施例１〜５が、写真撮影用のストロボ
反射体として優れていることは、高い反射率を有し、１
００回の発光試験においても異常をきたさないという、
上記の実験結果から明らかである。[Table 1] The fact that Examples 1 to 5, which are the products of the present invention, are excellent as strobe reflectors for photography has a high reflectance.
It is said that no abnormalities occur even in the 00 light emission test.
It is clear from the above experimental results.

【００４４】[0044]

【発明の効果】本発明に従えば、黒化が好適に防止され
たストロボの反射体に好適に用いることができる銀反射
板を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a silver reflector which can be suitably used for a stroboscopic reflector in which blackening is preferably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】反射板の断面構造を示す図FIG. 1 is a diagram showing a sectional structure of a reflector.

【図２】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の断面を示す図FIG. 2 is a view showing a cross section of a strobe structure in which a reflection plate is brought into contact with a xenon tube.

【図３】キセノン管に反射板を接触させたストロボ構造
の発光面の裏側から見た図FIG. 3 is a view seen from the back side of a light emitting surface of a strobe structure in which a reflection plate is in contact with a xenon tube.

【図４】ストロボ発光回路を示す図FIG. 4 is a diagram showing a strobe light emitting circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

０１ 無機薄膜層 ０２ 透明高分子フィルム ０３ 銀薄膜層 ０４ 接着層 ０５ 板状成形体 １０ キセノンランプ ２０ 反射板 ３０ トリガ端子 01 Inorganic thin film layer 02 Transparent polymer film 03 Silver thin film layer 04 Adhesive layer 05 Plate shaped body 10 Xenon lamp 20 Reflector plate 30 Trigger terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Nobuhiro Fukuda 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくとも、膜厚が０．２μｍないし
３．７μｍの無機薄膜層（Ａ）、透明高分子フィルム
（Ｂ）、膜厚が６０ｎｍないし３５０ｎｍの銀薄膜層
（Ｃ）、接着層（Ｄ）、板状成形体（Ｅ）が、ＡＢＣＤ
Ｅの順に形成された、Ａの面が反射面である反射板。1. An inorganic thin film layer (A) having a film thickness of 0.2 μm to 3.7 μm, a transparent polymer film (B), a silver thin film layer (C) having a film thickness of 60 nm to 350 nm, and an adhesive layer ( D), the plate-shaped compact (E) is ABCD
A reflecting plate in which the surface of A is a reflecting surface, which is formed in the order of E. 【請求項２】 無機薄膜層（Ａ）が珪素酸化物からなる
請求項１記載の反射板。2. The reflector according to claim 1, wherein the inorganic thin film layer (A) is made of silicon oxide. 【請求項３】 珪素酸化物がシラザンポリマーを熱処理
することにより形成される請求項２記載の反射板。3. The reflector according to claim 2, wherein the silicon oxide is formed by heat-treating a silazane polymer. 【請求項４】 珪素酸化物がプラズマＣＶＤ法により形
成される請求項２記載の反射板。4. The reflector according to claim 2, wherein the silicon oxide is formed by a plasma CVD method. 【請求項５】 板状成形体（Ｅ）がアルミニウム、アル
ミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合金、鋼から選ばれたも
のである請求項１〜４の何れかに記載の反射板。5. The reflector according to claim 1, wherein the plate-shaped molded product (E) is selected from aluminum, aluminum alloy, stainless steel, copper-zinc alloy, and steel. 【請求項６】 請求項１〜５の何れかに記載の反射板を
成形加工してなるストロボ用反射傘。6. A strobe reflector for forming a flash, which is obtained by molding the reflector according to any one of claims 1 to 5.