JPH08129777A - Optical information recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To obtain a phase transition type optical information recording medium showing good signal amplification, erasing rate and characteristics for repetition of use. CONSTITUTION: This recording medium is obtd. by successively depositing a first dielectric layer 2, a recording layer 3, a second dielectric layer 4, and a reflecting layer 5 on a substrate 1. These layers are formed in such a manner that the thickness of the second dielectric layer 2 is between >=3nm and >=45nm, the absorptivity Ac in the crystal state of the recording layer for incident laser beams and the absorptivity Aa in the amorphous state are in the relation of Ac-Aa>=0, and the reflectance Rc in the crystal state for incident laser beams and the reflectance Ra in the amorphous state are in the relation of Rc-Ra>=10%. Thus, a high erasing rate is obtd. because of Ac-Aa>=0 and large signal amplification is obtd. because of Rc-Ra>=10%. Since the distance between the recording layer and the reflecting layer is small, heat in the recording layer is easily diffused to the reflecting layer, which decreases thermal damages in the recording layer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成した記録
薄膜層にレ−ザ−光線等の高エネルギービームを照射
し、記録材料薄膜に変化を生じさせることにより情報信
号を記録、再生する光学的情報記録媒体に関するもので
あり、特にオーバーライト記録に有効な相変化記録媒体
の構成に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention records and reproduces information signals by irradiating a recording thin film layer formed on a substrate with a high energy beam such as a laser beam to cause a change in a recording material thin film. The present invention relates to an optical information recording medium, and more particularly to a structure of a phase change recording medium effective for overwrite recording.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ディスク状、カード状等をした基板上に
金属薄膜や有機物薄膜で構成される記録薄膜層を形成
し、これにサブミクロンオーダー径の微小光スポットに
絞り込んだ高エネルギービームを照射することで記録層
に局部的な変化を生じさせ、情報信号の蓄積を行なう技
術は既に広く知られている。2. Description of the Related Art A recording thin film layer composed of a metal thin film or an organic thin film is formed on a disk-shaped or card-shaped substrate, and a high-energy beam focused on a micro light spot of a submicron order diameter is irradiated on this. By doing so, a technique of causing a local change in the recording layer and accumulating an information signal is already widely known.

【０００３】とりわけ相変化材料薄膜を記録層に用いた
媒体では、オーバーライトによる書換えが容易に行える
ことから、さかんに研究開発がなされてきている。Particularly, in a medium using a thin film of a phase change material as a recording layer, rewriting by overwriting can be easily performed, and therefore research and development have been vigorously conducted.

【０００４】相変化媒体の一般的な構成は、樹脂板やガ
ラス板等の透明基板上に、誘電体層、記録層、誘電体
層、金属反射層を順次スパッタリングや真空蒸着等の方
法で積層し、接着層を介して保護材（板）を設置した構
成である。レーザー光線は、一般的に基板側から入射さ
せる。The general structure of a phase change medium is that a dielectric layer, a recording layer, a dielectric layer and a metal reflection layer are sequentially laminated on a transparent substrate such as a resin plate or a glass plate by a method such as sputtering or vacuum deposition. The protective material (plate) is installed via the adhesive layer. The laser beam is generally incident from the substrate side.

【０００５】従来の構成では、反射層厚は一般的には５
０ｎｍより厚い。これは充分な反射率をえると同時に、
反射層に熱拡散層の役目をもたせてるためである。しか
しながらこのような従来の構造では、線速度（ディスク
上でのレーザースポットの速度）の速い場合には、オー
バーライト時の消去率が低下する場合があった。その原
因は、記録層の結晶状態とアモルファス状態の昇温の違
いにある。In conventional arrangements, the reflective layer thickness is typically 5
Thicker than 0 nm. This gives a sufficient reflectance,
This is because the reflective layer serves as a heat diffusion layer. However, in such a conventional structure, when the linear velocity (the speed of the laser spot on the disk) is high, the erasing rate at the time of overwriting may decrease. The cause is the difference in temperature rise between the crystalline state and the amorphous state of the recording layer.

【０００６】相変化光ディスクでは、信号の記録はレー
ザー照射によって記録膜を溶融後急冷してアモルファス
の記録マークを形成することで行なわれる。結晶状態
は、アモルファス状態より反射率が高く、従ってレーザ
ー光の吸収率は小さい。In a phase-change optical disk, a signal is recorded by melting a recording film by laser irradiation and then rapidly cooling it to form an amorphous recording mark. The crystalline state has a higher reflectance than the amorphous state, and therefore has a lower absorptance of laser light.

【０００７】加えて結晶は、溶融するとき融解熱を吸収
するため融解熱を必要としないアモルファスより溶融す
るためには、高いエネルギーを必要とする。[0007] In addition, the crystal absorbs heat of fusion as it melts, and therefore requires higher energy to melt than an amorphous that does not require heat of fusion.

【０００８】結果として結晶状態は、アモルファス状態
より記録時の到達温度が低くなる。すなわち、オーバー
ライトする場合には、古い信号のアモルファスの記録マ
ークが点在するトラック上に信号を記録するため、新し
く記録されたマークはその到達温度が場所によって異な
り、古い信号によって新しいマークの形状が歪む。これ
が消し残りの一因であった。As a result, the crystalline state has a lower reached temperature during recording than the amorphous state. That is, when overwriting, since the signal is recorded on the track in which the amorphous record marks of the old signal are scattered, the reached temperature of the newly recorded mark differs depending on the location, and the shape of the new mark depends on the old signal. Is distorted. This was one of the causes of the remaining erase.

【０００９】これを解消するには、結晶領域の光吸収率
をアモルファス領域のそれより大きくして、両者の到達
温度を等しくすればよい。これを実現するためには、例
えばＡｕ反射層の膜厚を２０ｎｍ程度の薄いものとする
ことが１つの解であることが開示されている（例えば、
山田他：「アモルファス−結晶領域間の昇温条件をバラ
ンスさせた高速オーバライト光ディスク」光メモリシン
ポジウム’９２、論文集Ｐ２１）。In order to solve this, the light absorption rate of the crystalline region may be made larger than that of the amorphous region so that the temperatures reached by both are equal. In order to realize this, it is disclosed that one solution is to make the thickness of the Au reflective layer thin, for example, about 20 nm (for example,
Yamada et al .: "High-speed overwrite optical disc with balanced temperature rising conditions between amorphous and crystalline regions" Optical Memory Symposium '92, Proceedings P21).

【００１０】さらには、基板と誘電体層の間にさらに金
属薄膜層を設けた５層構造が提案されている（森下他：
「ＰＷＭ記録における消去率の改善」１９９３年第５回
相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、Ｐ９２）。Furthermore, a five-layer structure has been proposed in which a metal thin film layer is further provided between the substrate and the dielectric layer (Morishita et al .:
"Improvement of erasing rate in PWM recording" Proceedings of the 1993 5th Phase Change Recording Workshop Symposium Proceedings, P92).

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記Ａｕ反射層を薄く
した構造は、信号の繰り返し記録によって信号品質の低
下が大きい場合があることが分かった。これは反射層厚
が薄く、かつ記録層と反射層の間の誘電体層が厚いため
に、記録時に与えられた記録層の熱が反射層へ拡散しに
くいため、記録層が長時間高温に保たれ熱的ダメージを
受けるためと考えられる。It has been found that in the structure in which the Au reflective layer is thin, the signal quality may be greatly deteriorated due to repeated recording of the signal. This is because the thickness of the reflective layer is thin and the dielectric layer between the recording layer and the reflective layer is thick, so that the heat of the recording layer applied at the time of recording does not easily diffuse to the reflective layer, so that the recording layer is kept at a high temperature for a long time. It is thought that it is kept and suffers thermal damage.

【００１２】これに対して、上記基板と誘電体層の間に
さらに金属薄膜層を設けた５層構造は、記録層と反射層
の間の誘電体層を薄くできるため、記録層の熱的ダメー
ジは低減できるが、反射率が結晶状態よりアモルファス
状態の方が高くなるという特徴を持つ。On the other hand, in the five-layer structure in which the metal thin film layer is further provided between the substrate and the dielectric layer, the dielectric layer between the recording layer and the reflective layer can be made thin, so that the thermal performance of the recording layer is improved. Although damage can be reduced, the reflectance is higher in the amorphous state than in the crystalline state.

【００１３】すなわち、信号の消去状態（あるいは未記
録状態）は結晶であり、結晶状態の反射率が低いという
ことは、記録再生装置のフォーカシング、トラッキング
等の制御が難しくなる。That is, the erased state (or unrecorded state) of the signal is crystalline, and the low reflectance in the crystalline state makes it difficult to control focusing, tracking, etc. of the recording / reproducing apparatus.

【００１４】そこで本発明は、かかる従来の課題に鑑み
てなされてものであり、大きな信号振幅、高い消去率を
有し、良好な繰り返し特性を同時に満たす光学的情報記
録媒体を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of such conventional problems, and an object thereof is to provide an optical information recording medium having a large signal amplitude, a high erasing rate, and simultaneously satisfying good repeating characteristics. And

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の光学的情報記録
媒体は上記課題を解決するために、基板上に、第１の誘
電体層、レーザ−光線の照射によって結晶状態とアモル
ファス状態との間で光学的に検出可能な可逆的状態変化
を生じる材料からなる記録層、第２の誘電体層、反射層
を順に積層し、かつ、前記第２の誘電体層の厚さを３ｎ
ｍ以上４５ｎｍ以下とし、さらに前記入射レーザー光線
に対する記録層での吸収率を結晶状態でＡｃ、アモルフ
ァス状態でＡａとするとき、Ａｃ−Ａａ≧０とし、か
つ、前記入射レーザー光線に対する反射率を結晶状態で
Ｒｃ、アモルファス状態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ
≧１０％となるように各層の膜厚が選ばれたものであ
る。In order to solve the above problems, the optical information recording medium of the present invention has a substrate in which a crystalline state and an amorphous state are formed by irradiating a first dielectric layer and a laser beam. A recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer, which are made of a material that causes a reversible state change that can be optically detected between the layers, and the thickness of the second dielectric layer is 3n.
m to 45 nm, and when the absorption rate in the recording layer for the incident laser beam is Ac in the crystalline state and Aa in the amorphous state, Ac-Aa ≧ 0 and the reflectance for the incident laser beam in the crystalline state. When Rc is Ra in the amorphous state, Rc-Ra
The film thickness of each layer is selected so that ≧ 10%.

【００１６】さらには、反射層の上に、レーザ光線に対
して、略透明な無機薄膜層を積層する。Further, an inorganic thin film layer which is substantially transparent to the laser beam is laminated on the reflective layer.

【００１７】[0017]

【作用】Ａｃ−Ａａ≧０であるため高い消去率が得ら
れ、かつＲｃ−Ｒａ≧１０％のため、大きな信号振幅が
得られる。Since Ac-Aa≥0, a high erasing rate can be obtained, and since Rc-Ra≥10%, a large signal amplitude can be obtained.

【００１８】さらに、記録層と反射層の距離が近いた
め、記録層の熱が反射層へ拡散しやすく、記録層の熱的
ダメージが小さい。Furthermore, since the distance between the recording layer and the reflective layer is short, the heat of the recording layer easily diffuses to the reflective layer, and the thermal damage to the recording layer is small.

【００１９】すなわち、高い消去率、大きな信号振幅と
良好な繰り返し特性の三者を同時に満たすことができ
る。That is, it is possible to simultaneously satisfy the three requirements of high erasing rate, large signal amplitude and good repeating characteristics.

【００２０】また、反射層の上に、さらにレーザ光線に
対して略透明な無機薄膜層を積層することで、反射層か
らの熱の拡散が促進され、またその上にさらに有機の保
護材がある場合には、その保護材の熱的ダメージを防ぐ
ことができる。Further, by laminating an inorganic thin film layer which is substantially transparent to a laser beam on the reflective layer, diffusion of heat from the reflective layer is promoted, and an organic protective material is further provided thereon. In some cases, thermal damage to the protective material can be prevented.

【００２１】[0021]

【実施例】以下図面を参照しながら本願発明を詳細に説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【００２２】図１は、本願発明による光学情報記録媒体
の代表的な構成の断面図である。１は基板であり、一般
的にはその表面に信号記録用トラックが設けてある。FIG. 1 is a sectional view of a typical structure of an optical information recording medium according to the present invention. Reference numeral 1 denotes a substrate, which is generally provided with a signal recording track on its surface.

【００２３】基板の材質としては、一般的に透明なガラ
ス、石英、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレー
ト等が用いられ、レーザー光線は基板の信号トラック面
とは反対側から投入される。Transparent glass, quartz, polycarbonate, polymethylmethacrylate, etc. are generally used as the material of the substrate, and the laser beam is applied from the side opposite to the signal track surface of the substrate.

【００２４】基板上には、第１の誘電体層２、記録層
３、第２の誘電体層４、反射層５の順に積層されてい
る。一般的には、薄膜層を保護するために保護材６が設
けられるが、保護材は無くてもよい。A first dielectric layer 2, a recording layer 3, a second dielectric layer 4, and a reflective layer 5 are laminated on the substrate in this order. Generally, a protective material 6 is provided to protect the thin film layer, but the protective material may be omitted.

【００２５】記録層３は、レーザー光線等の照射によっ
て光学的に識別が可能な状態間で可逆的に変化する材料
からなり、例えば相変化物質として一般的に知られてい
るものが使用できる。The recording layer 3 is made of a material that reversibly changes between optically distinguishable states by irradiation with a laser beam or the like. For example, a generally known phase change substance can be used.

【００２６】相変化物質は、アモルファスと結晶間、あ
るいは結晶とさらに異なる結晶間で状態変化を起こす例
えばTe,Se,Sb,In,Ge等の合金であり、これらの合金はア
モルファス状態と結晶状態では光学定数が変化し反射率
が異なるため、例えばレーザー光線等の照射により、そ
の状態が光学的に識別できる。具体的には、例えばGeSb
Te,InSbTe,InSbTeAg,GaSb,InGaSb,GeSnTe,AgSbTe等の合
金である。この中でもGeSbTe合金は、結晶化速度が速い
ため、高転送レートに対応可能であり、また繰り返し特
性にも優れている。The phase change material is an alloy such as Te, Se, Sb, In, Ge or the like which causes a state change between an amorphous state and a crystalline state or between a crystalline state and a different crystalline state. These alloys are in an amorphous state and a crystalline state. Since the optical constant changes and the reflectance differs, the state can be optically identified by irradiation with, for example, a laser beam. Specifically, for example, GeSb
It is an alloy of Te, InSbTe, InSbTeAg, GaSb, InGaSb, GeSnTe, AgSbTe and the like. Among them, GeSbTe alloy has a high crystallization rate, so it can handle a high transfer rate and has excellent repeatability.

【００２７】第１の誘電体層２および第２の誘電体層４
は、透明でかつ熱的に安定な物質がよく、例えば金属や
半金属の酸化物、窒化物、カルコゲン化物、フッ化物、
炭化物等およびこれらの混合物であり、具体的にはSi
O₂,SiO,Al₂O₃,GeO₂,In₂O₃,Ta₂O ₅,TeO₂,TiO₂,MoO₃,WO₃,Z
rO₂,Si₃N₄,AlN,BN,TiN,ZnS,CdS,CdSe,ZnSe,ZnTe,AgF,Pb
F₂,MnF₂,NiF₂,SiC等のの単体あるいはこれらの混合物等
である。First dielectric layer 2 and second dielectric layer 4
Is preferably a transparent and thermally stable substance, such as metal or
Semi-metal oxides, nitrides, chalcogenides, fluorides,
Carbides, etc. and mixtures thereof, specifically Si
O₂, SiO, Al₂O₃, GeO₂, In₂O₃, Ta₂O _Five, TeO₂, TiO₂, MoO₃, WO₃, Z
rO₂, Si₃N_Four, AlN, BN, TiN, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe, ZnTe, AgF, Pb
F₂, MnF₂, NiF₂, SiC, etc. alone or a mixture of these
Is.

【００２８】反射層５は、金属膜で構成され、材料とし
ては例えばAu,Al,Ti,Ni,Cu,Cr等の単体、あるいはこれ
らの合金を用いることができる。本願発明の構造では、
反射層厚は３０ｎｍ以下と薄くするため、薄くても熱伝
導率が大きく、かつ耐環境性に優れるＡｕが特に適して
いる。The reflective layer 5 is composed of a metal film, and as a material thereof, a simple substance such as Au, Al, Ti, Ni, Cu, Cr or the like, or an alloy thereof can be used. In the structure of the present invention,
Since the thickness of the reflective layer is as thin as 30 nm or less, Au, which has a large thermal conductivity and an excellent environment resistance even if it is thin, is particularly suitable.

【００２９】ここで本願発明の構成は、第２の誘電体層
の厚さを３ｎｍ以上４５ｎｍ以下、さらに入射レーザ光
線に対する記録層での吸収率がが結晶部ではＡｃ、アモ
ルファス部ではＡａであるとき、Ａｃ−Ａａ≧０となる
ように、またレーザー光線に対する反射率を結晶状態で
Ｒｃ、アモルファス状態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ
≧１０％となるように各層の膜厚が選ばれたものであ
る。In the structure of the present invention, the thickness of the second dielectric layer is 3 nm or more and 45 nm or less, and the absorption rate of the incident laser beam in the recording layer is Ac in the crystal part and Aa in the amorphous part. At this time, Ac−Aa ≧ 0, and when the reflectance for the laser beam is Rc in the crystalline state and Ra in the amorphous state, Rc−Ra
The film thickness of each layer is selected so that ≧ 10%.

【００３０】このように構成することにより、Ａｃ−Ａ
ａ≧０であるため高い消去率が得られ、かつＲｃ−Ｒａ
≧１０％のため大きな信号振幅が得られる。With this configuration, the Ac-A
Since a ≧ 0, a high erasing rate can be obtained, and Rc-Ra
Since ≧ 10%, a large signal amplitude can be obtained.

【００３１】さらに、記録層と反射層との距離が近いた
め、記録層の熱が反射層へ拡散しやすく、記録層の熱的
ダメージが小さい。すなわち、高い消去率、大きな信号
振幅と良好な繰り返し特性の三者を同時に満たすことが
できる構造を実現できる。Furthermore, since the distance between the recording layer and the reflective layer is short, the heat of the recording layer easily diffuses to the reflective layer, and the thermal damage to the recording layer is small. That is, it is possible to realize a structure capable of simultaneously satisfying the three requirements of a high erasing rate, a large signal amplitude and a good repeating characteristic.

【００３２】次に本願発明の構成の具体的設計例につい
て述べる。図１のような薄膜積層構造におけるレーザー
光の反射率、記録層における吸収率を計算する手法は、
例えばマトリックス法として公知であり、本願でも各層
の複素屈折率と膜厚からマトリックス法で計算した（た
とえば、久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７１年
第３章参照）。Next, a specific design example of the configuration of the present invention will be described. The method of calculating the reflectance of laser light and the absorptance of the recording layer in the thin film laminated structure as shown in FIG.
For example, it is known as a matrix method, and in the present application, it was also calculated by the matrix method from the complex refractive index and the film thickness of each layer (see, for example, Hiro Kubota "Wave Optics", Iwanami Shoten, 1971, Chapter 3).

【００３３】また、基板１と保護カバー９は、無限大の
膜厚をもつものとして（基材−空気界面、保護材−空気
界面の効果を無視）、反射率は基材から入射した光の基
材中に出射してくる比率としてもとめた。Further, assuming that the substrate 1 and the protective cover 9 have infinite film thickness (ignoring the effects of the base material-air interface and the protective material-air interface), the reflectance is the light incident from the base material. The ratio was calculated as the ratio of light emitted into the base material.

【００３４】ここで、記録層が結晶状態とアモルファス
状態とで光学定数（複素屈折率）を変えて計算し、入射
レーザー光線を１００％としたときの記録層での吸収率
を、結晶部でＡｃ、アモルファス部でＡａとして、吸収
率の差ΔＡ＝Ａｃ−Ａａ、および結晶状態における反射
率をＲｃ、アモルファス状態における反射率をＲａとし
て、反射率の差ΔＲ＝Ｒｃ−Ｒａを求める。Here, the optical constant (complex refractive index) was changed between the crystalline state and the amorphous state of the recording layer, and the absorption rate in the recording layer when the incident laser beam was 100% was Ac at the crystal part. , Aa in the amorphous portion, the difference in absorption ΔA = Ac−Aa, and the reflectance in the crystalline state as Rc, and the reflectance in the amorphous state as Ra, the difference ΔR = Rc−Ra in the reflectance is obtained.

【００３５】反射率差ΔＲは、充分な信号振幅を得るた
めには１０％以上必要であり、本願の構成限定の一つの
条件とした。The reflectance difference ΔR is required to be 10% or more in order to obtain a sufficient signal amplitude, which is one condition for limiting the structure of the present application.

【００３６】吸収率の差ΔＡは、大きい程アモルファス
状態と結晶状態との昇温差が小さくなり、大きな消去率
が得られたが、ΔＡ≧０％であれば充分な消去率が得ら
れることが分かったため、ΔＡ≧０％を本願構成の限定
条件とした。The larger the absorption difference ΔA, the smaller the temperature difference between the amorphous state and the crystalline state, and a large erasing rate was obtained. However, if ΔA ≧ 0%, a sufficient erasing rate can be obtained. Since it was found, ΔA ≧ 0% was set as the limiting condition for the configuration of the present application.

【００３７】反射層の厚さは３０ｎｍ以下、特に２０ｎ
ｍ以下がよい。２０ｎｍより厚いとΔＲ≧１０％とΔＡ
≧０％を同時に満たす構成範囲は急激に狭くなり、３０
ｎｍを越えるとほとんど得られなくなる。ただし、反射
層厚が３ｎｍより薄いときには、反射層としての充分な
効果は得られなかった。The thickness of the reflective layer is 30 nm or less, especially 20 n.
m or less is preferable. If thicker than 20 nm, ΔR ≧ 10% and ΔA
The composition range that satisfies ≧ 0% at the same time sharply narrows to 30
When it exceeds nm, it is almost impossible to obtain. However, when the thickness of the reflective layer was less than 3 nm, a sufficient effect as the reflective layer was not obtained.

【００３８】また、第２の誘電体層は約４５ｎｍ以下で
あれば、それ以上厚い場合に比べて繰り返し特性の改善
が見られた。特に、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下のとき繰り
返し特性の改善効果が大きかった。Further, when the second dielectric layer has a thickness of about 45 nm or less, an improvement in the repeating characteristics was observed as compared with the case where the thickness was more than 45 nm. Particularly, when the thickness is 5 nm or more and 30 nm or less, the effect of improving the repeating characteristics was large.

【００３９】しかし、３ｎｍより薄くすると、繰り返し
特性は急激に低下した。繰り返しによって第２の誘電体
層が破壊され、記録層材料と反射層材料が混合したため
と考えられる。However, when the thickness is less than 3 nm, the repetitive characteristic deteriorates sharply. It is considered that the second dielectric layer was destroyed by repetition and the recording layer material and the reflective layer material were mixed.

【００４０】図３に記録層材料としてＧｅＳｂＴｅ、第
１および第２の誘電体層材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ
₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）、反射層材料としてＡｕを
用いた場合の設計例である。計算に使用した複素屈折率
の値は、記録層のアモルファス状態が４．４１＋ｉ１．
３４，結晶状態が５．５２＋ｉ４．００，上下誘電体層
は２．１＋ｉ０，反射層は０．１８＋ｉ４．６４であ
る。In FIG. 3, GeSbTe is used as the recording layer material, and ZnS-SiO is used as the first and second dielectric layer materials.
₂ (SiO ₂ : 20 mol%), this is a design example when Au is used as the reflective layer material. The value of the complex refractive index used for the calculation is 4.41 + i1.
34, the crystalline state is 5.52 + i4.00, the upper and lower dielectric layers are 2.1 + i0, and the reflective layer is 0.18 + i4.64.

【００４１】記録膜厚を２０ｎｍ、反射層厚を１０ｎｍ
とし、第１の誘電体層と第２の誘電体層の層厚を変化さ
せた場合の吸収率差ΔＡおよび反射率差ΔＲを等高線で
示した。誘電体層の厚さは光学厚さで示した。レーザー
波長が７８０ｎｍ、誘電体層の屈折率が２．１のため、
誘電体の光学厚さλは誘電体層厚として約３７１ｎｍで
ある。また、光学厚さはλ／２周期であるため、光学厚
さ０とλ／２は等価である。Recording film thickness 20 nm, reflective layer thickness 10 nm
Then, the absorptance difference ΔA and the reflectance difference ΔR when the layer thicknesses of the first dielectric layer and the second dielectric layer are changed are shown by contour lines. The thickness of the dielectric layer is indicated by the optical thickness. Since the laser wavelength is 780 nm and the refractive index of the dielectric layer is 2.1,
The optical thickness λ of the dielectric is about 371 nm as the dielectric layer thickness. Further, since the optical thickness is λ / 2 period, the optical thickness 0 and λ / 2 are equivalent.

【００４２】図３において、ΔＲの等高線を実線で、ま
た、ΔＡの等高線を破線で示し、ΔＲ≧１０％とΔＡ≧
０％を同時に満たす領域を斜線で示した。この範囲にお
いては大きな信号振幅と、大きな消去率が同時に得られ
る。In FIG. 3, the contour lines of ΔR are shown by solid lines, and the contour lines of ΔA are shown by broken lines, and ΔR ≧ 10% and ΔA ≧.
The area that simultaneously fills 0% is indicated by diagonal lines. In this range, a large signal amplitude and a large erasing rate can be obtained at the same time.

【００４３】さらに、繰り返し特性について検討した結
果、第２の誘電体の膜厚は３ｎｍ以上４５ｎｍ以下が良
かった。これは、光学厚さとしては、略０．５λ／６４
以上λ／８以下に相当する。すなわち、本発明による限
定領域は、網掛けで示した領域であり（ただし第２の誘
電体の膜厚０．５λ／６４は図中では膜厚０のラインと
ほぼ重なるため省略した）、この範囲で構成されたディ
スクは、大きな信号振幅、大きな消去率、そして良好な
繰り返し特性を同時に満足するものである。Further, as a result of examining the repeating characteristics, it was found that the film thickness of the second dielectric is preferably 3 nm or more and 45 nm or less. This is about 0.5λ / 64 as the optical thickness.
This corresponds to λ / 8 or less. That is, the limited region according to the present invention is a shaded region (however, the thickness 0.5λ / 64 of the second dielectric is omitted because it almost overlaps the line of thickness 0 in the figure). The range-structured disk simultaneously satisfies a large signal amplitude, a large erasing rate, and good repeatability.

【００４４】記録層厚と反射層厚を変化させた場合につ
いても、同様の方法でΔＲ≧１０％とΔＡ≧０％を同時
に満たす領域、およびさらに繰り返し特性が良好な本発
明による限定領域を求めた。Even when the recording layer thickness and the reflection layer thickness are changed, a region simultaneously satisfying ΔR ≧ 10% and ΔA ≧ 0% and a limited region according to the present invention having a good repeating characteristic are obtained by the same method. It was

【００４５】図４に、記録層厚１０ｎｍ、反射層厚１０
ｎｍの場合、図５に、記録層厚１５ｎｍ、反射層厚１０
ｎｍの場合、図６に、記録層厚１０ｎｍ、反射層厚２０
ｎｍの場合、図７に、記録層厚１５ｎｍ、反射層厚２０
ｎｍの場合、図８に、記録層厚２０ｎｍ、反射層厚２０
ｎｍの場合、図９に、記録層厚１０ｎｍ、反射層厚３０
ｎｍの場合、図１０に、記録層厚１５ｎｍ、反射層厚３
０ｎｍの場合、図１１に、記録層厚２０ｎｍ、反射層厚
３０ｎｍの場合の結果を示す。In FIG. 4, the recording layer thickness is 10 nm and the reflective layer thickness is 10 nm.
5 nm, the recording layer thickness is 15 nm and the reflective layer thickness is 10 nm.
6 nm, the recording layer thickness is 10 nm and the reflective layer thickness is 20 nm.
7 nm, the recording layer thickness is 15 nm and the reflective layer thickness is 20 nm.
8 nm, the recording layer thickness is 20 nm and the reflective layer thickness is 20 nm.
9 nm, the recording layer thickness is 10 nm and the reflective layer thickness is 30 nm.
10 nm, the recording layer thickness is 15 nm and the reflective layer thickness is 3 in FIG.
When the thickness is 0 nm, FIG. 11 shows the results when the recording layer thickness is 20 nm and the reflective layer thickness is 30 nm.

【００４６】ただし、これらの図においても第２の誘電
体の膜厚０．５λ／６４を示すラインは、図中では膜厚
０のラインとほぼ重なるため省略した。However, in these figures, the line showing the film thickness of 0.5λ / 64 of the second dielectric is omitted because it almost overlaps with the line having the film thickness of 0 in the drawings.

【００４７】各図から分かるように、反射層厚が厚くな
ると、本願発明による限定領域は狭くなり、３０ｎｍを
越えるとほとんどなくなる。従って、反射層厚は３０ｎ
ｍ以下よく、特に２０ｎｍ以下が設計マージンが広くと
れ良好である。また、これらの場合にも、反射層厚が３
ｎｍより薄いとサイクル特性は急激に低下した。As can be seen from the respective figures, as the thickness of the reflective layer becomes thicker, the confined area according to the present invention becomes narrower, and when it exceeds 30 nm, it almost disappears. Therefore, the reflection layer thickness is 30n
m or less is good, and particularly 20 nm or less is good because the design margin is wide. Also in these cases, the reflective layer thickness is 3
When the thickness is less than nm, the cycle characteristics deteriorate sharply.

【００４８】図２は、本願発明による光学情報記録媒体
の他の構成の断面図である。この構成の特徴は、反射層
の上にさらにレーザー光線に対して略透明な無機薄膜層
を設けたことにある。FIG. 2 is a sectional view of another structure of the optical information recording medium according to the present invention. The feature of this structure is that an inorganic thin film layer that is substantially transparent to a laser beam is further provided on the reflective layer.

【００４９】これによって、繰り返し特性はさらに改善
された。本発明による構造では、反射層が薄いために、
記録時に反射層も昇温すると考えられる。そこで、反射
層の上に無機薄膜層を積層することで、反射層からの熱
の拡散が促進されて反射層の昇温が抑えられ、したがっ
て、記録層から反射層への熱拡散も促進されて、記録層
の熱ダメージが小さく抑えられたためと思われる。Thereby, the repeatability was further improved. In the structure according to the present invention, since the reflective layer is thin,
It is considered that the reflective layer also rises in temperature during recording. Therefore, by stacking an inorganic thin film layer on the reflective layer, diffusion of heat from the reflective layer is promoted and the temperature rise of the reflective layer is suppressed, and therefore thermal diffusion from the recording layer to the reflective layer is also promoted. This is probably because the heat damage to the recording layer was suppressed to a small level.

【００５０】また、薄膜層の上にさらに有機の保護材が
ある場合には、その保護材の熱的ダメージを防ぐことも
できる。When an organic protective material is further provided on the thin film layer, the protective material can be prevented from being thermally damaged.

【００５１】上記無機膜層としては、レーザー光線に対
して略透明で、かつ熱的安定性の良い材料であればよい
が、熱伝導率の高い材料が特に好ましい。例えば、金属
や半金属の酸化物、窒化物、カルコゲン化物、フッ化
物、炭化物等およびこれらの混合物であり、具体的には
SiO₂,SiO,Al₂O₃,GeO₂,In₂O₃,Ta₂O₅,TeO₂,TiO₂,MoO₃,W
O₃,ZrO₂,Si₃N₄,AlN,BN,TiN,ZnS,CdS,CdSe,ZnSe,ZnTe,Ag
F,PbF₂,MnF₂,NiF₂,SiC等の単体あるいはこれらの混合物
等、さらにはダイヤモンド薄膜、ダイヤモンドライクカ
ーボン等は、特に熱伝導率が大きく有効である。The inorganic film layer may be made of any material that is substantially transparent to a laser beam and has good thermal stability, but a material having high thermal conductivity is particularly preferable. For example, metal or metalloid oxides, nitrides, chalcogenides, fluorides, carbides and the like, and mixtures thereof, specifically,
SiO ₂ , SiO, Al ₂ O ₃ , GeO ₂ , In ₂ O ₃ , Ta ₂ O ₅ , TeO ₂ , TiO ₂ , MoO ₃ , W
O ₃ ,, ZrO ₂ ,, Si ₃ N ₄ ,, AlN, BN, TiN, ZnS, CdS, CdSe, ZnSe, ZnTe, Ag
A simple substance such as F, PbF ₂ , MnF ₂ , NiF ₂ , and SiC, a mixture thereof, a diamond thin film, diamond-like carbon, and the like are particularly effective because of their large thermal conductivity.

【００５２】また、無機薄膜層材料として、第１の誘電
体層もしくは第２の誘電体層と同じ材料を用いれば製造
が容易になる。Further, if the same material as the first dielectric layer or the second dielectric layer is used as the material of the inorganic thin film layer, the manufacture becomes easy.

【００５３】さらに、容易に推測できるように、光学計
算に取り込む層の数は、なるべく少ない方が望ましい。
すなわち、計算に要する手間が省けるばかりでなく、計
算精度も高くなる。Furthermore, as easily estimated, it is desirable that the number of layers incorporated in the optical calculation is as small as possible.
That is, not only the labor required for calculation can be saved, but also the calculation accuracy can be improved.

【００５４】そこで、最後の層である無機薄膜層の厚さ
をλ／２ｎ（λはレーザ波長、ｎは熱拡散層の屈折率）
の整数倍近傍に選ぶことが賢い方法である。当該波長に
対して透明な物質層が、λ／２ｎの整数倍の厚さに形成
されても記録面側からみた媒体全体の光学的特性は変化
しないからである。すなわち、無機薄膜層の膜厚を（ｍ
×λ）／（２×ｎ）とすればよい。ここでｍは正の整数
である。Therefore, the thickness of the inorganic thin film layer which is the last layer is λ / 2n (where λ is the laser wavelength and n is the refractive index of the thermal diffusion layer).
It is wise to choose an integer multiple of. This is because the optical characteristics of the entire medium viewed from the recording surface side do not change even if the material layer that is transparent to the wavelength is formed with a thickness that is an integral multiple of λ / 2n. That is, the thickness of the inorganic thin film layer is (m
× λ) / (2 × n). Here, m is a positive integer.

【００５５】なお、各薄膜はスパッタリング法、真空蒸
着法、プラズマＣＶＤ法等で成膜できるが、本願発明は
成膜法を限定するものではない。Although each thin film can be formed by a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, a plasma CVD method or the like, the present invention does not limit the film forming method.

【００５６】次に本願発明に至った具体的実施例につい
て記す。 （実施例１）図１おいて記録層としてＧｅＳｂＴｅ：２
０ｎｍ、反射層としてＡｕ：１０ｎｍとし、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ％）の第１および第２の誘
電体層の厚さを変化させて光ディスクを作製した。Next, specific examples of the present invention will be described. (Embodiment 1) In FIG. 1, GeSbTe: 2 is used as a recording layer.
0 nm, Au: 10 nm as a reflective layer, ZnS-S
Optical disks were produced by changing the thicknesses of the first and second dielectric layers of io ₂ (SiO ₂ : 20 mol%).

【００５７】基板は厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍの
ポリカーボネイト製であり、その表面にはレーザー光線
を導くための深さ６０ｎｍ、幅０．６μｍのスパイラル
状の連続溝が、１．２μｍピッチで刻まれている。The substrate is made of polycarbonate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 120 mm, and a spiral continuous groove having a depth of 60 nm and a width of 0.6 μm for guiding a laser beam is formed on the surface at a pitch of 1.2 μm. It is rare.

【００５８】薄膜の成膜は、すべてスパッタリング法で
おこなった。この設計は図３に基づくものであり、レー
ザー波長が７８０ｎｍ、誘電体層の屈折率が２．１のた
め、誘電体の光学厚さλは誘電体層厚として約３７１ｎ
ｍである。The thin film was formed by a sputtering method. This design is based on FIG. 3. Since the laser wavelength is 780 nm and the refractive index of the dielectric layer is 2.1, the optical thickness λ of the dielectric is about 371 n as the dielectric layer thickness.
m.

【００５９】（表１）に第１の誘電体層の厚さｔ₂、第
２の誘電体層の厚さｔ₄と、それぞれの場合における吸
収率差ΔＡおよび反射率差ΔＲを示す。Table 1 shows the thickness t ₂ of the first dielectric layer, the thickness t _{4 of} the second dielectric layer, and the difference ΔA in absorption coefficient and the difference ΔR in reflectance in each case.

【００６０】作製したディスクの記録特性の評価には、
レーザ出力を記録信号に応じて、ピークレベル（アモル
ファス化レベル）とバイアスレベル（結晶化レベル）間
で２値変調し、古い信号を消しながら、新しい信号を記
録する方法（いわゆる１ビームオーバライト法）を用い
た。To evaluate the recording characteristics of the manufactured disc,
A method of binary-modulating the laser output between a peak level (amorphization level) and a bias level (crystallization level) according to a recording signal, and erasing an old signal while recording a new signal (so-called 1-beam overwrite method). ) Was used.

【００６１】ディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、直
径φ８５ｍｍ（線速度８ｍ／ｓ）の位置で、オーバライ
トを繰返した。信号はデューティー５０％の単一周波数
モードとし、ｆ１（５ＭＨｚ）とｆ２（３ＭＨｚ）の２
つの信号を交互に記録した。The disc was rotated at 1800 rpm, and the overwrite was repeated at a position of diameter φ85 mm (linear velocity 8 m / s). The signal is in single frequency mode with a duty of 50%, and f1 (5 MHz) and f2 (3 MHz)
The two signals were recorded alternately.

【００６２】レーザー波長は、７８０ｎｍ、対物レンズ
Ｎ．Ａは０．５５である。記録パワーは、ピークパワー
がＣＮＲ（信号対雑音比）が飽和する最小パワー、バイ
アスは最大消去率が得られるパワーをそれぞれのディス
クにおいて求めた。The laser wavelength is 780 nm and the objective lens N. A is 0.55. The recording power was the minimum power at which the peak power saturates the CNR (signal to noise ratio), and the bias was the power at which the maximum erasing rate was obtained for each disk.

【００６３】それぞれのディスクにおいてＣＮＲ、消去
率、繰り返し特性を求めた。ＣＮＲはｆ１を記録した場
合の値、消去率はｆ１を記録した後ｆ２をオーバーライ
トした場合のｆ１成分の減衰量、繰り返し特性はｆ１と
ｆ２を交互にオーバーライトした場合にｆ１のＣＮＲが
３ｄＢ低下するサイクル回数で定義した。各ディスクの
ＣＮＲ、消去率、サイクル回数の測定結果を（表１）に
併せて記す。The CNR, erasure rate, and repeatability of each disk were determined. The CNR is the value when f1 is recorded, the erasure rate is the attenuation amount of the f1 component when f2 is overwritten after f1 is recorded, and the repeating characteristic is that the CNR of f1 is 3 dB when f1 and f2 are alternately overwritten. It was defined as the number of cycles to decrease. The measurement results of CNR, erasure rate, and cycle number of each disk are also shown in (Table 1).

【００６４】[0064]

【表１】 [Table 1]

【００６５】（表１）から分かるように、ΔＲ≧１０％
であれば信号振幅が大きいためＣＮＲ≧５０ｄＢが達成
されている。さらには、ΔＡ≧０であれば３０ｄＢ以上
の消去率が得られている。As can be seen from Table 1, ΔR ≧ 10%
If so, CNR ≧ 50 dB is achieved because the signal amplitude is large. Furthermore, if ΔA ≧ 0, an erasing rate of 30 dB or more is obtained.

【００６６】また（表１）の結果のうち、第１の誘電体
層ｔ₂の膜厚が９３ｎｍの場合における第２の誘電体層
とサイクル回数の関係を図１２に示す。サイクル回数は
ΔＲ、ΔＡの大きさとは関係なく、第２の誘電体層の厚
さに大きく依存するのが分かる。Further, among the results of (Table 1), FIG. 12 shows the relationship between the second dielectric layer and the number of cycles when the thickness of the first dielectric layer t ₂ is 93 nm. It can be seen that the number of cycles is largely dependent on the thickness of the second dielectric layer, regardless of the magnitudes of ΔR and ΔA.

【００６７】第２の誘電体層の膜厚ｔ₄が３ｎｍ〜４５
ｎｍの範囲であれば、サイクル回数は１万回以上であ
り、ｔ₄がさらに厚くてΔＲ≧１０％かつΔＡ≧０を満
たす領域（従来構成）より、繰り返し特性に優れる光デ
ィスクが得られることが分かる。The film thickness t _{4 of} the second dielectric layer is 3 nm to 45 nm.
In the nm range, the number of cycles is 10,000 times or more, and an optical disc having excellent repeatability can be obtained from a region (conventional configuration) in which t ₄ is thicker and ΔR ≧ 10% and ΔA ≧ 0 are satisfied. I understand.

【００６８】ｔ₄が２ｎｍの場合、サイクル回数は２百
回と極端に少ないが、これは第２の誘電体層が薄いた
め、熱的に破壊されたためと考えられる。特にｔ₂が５
ｎｍ以上３０ｎｍ以下のとき、サイクル回数は１０万回
以上を達成しており、きわめて繰り返し特性の優れた光
ディスクが得られることが分かった。When t ₄ is 2 nm, the number of cycles is extremely small at 200 times, which is considered to be because the second dielectric layer is thin and is thermally destroyed. Especially t ₂ is 5
It was found that the number of cycles reached 100,000 times or more when the thickness was not less than 30 nm and not more than 30 nm, and an optical disc having extremely excellent repeating characteristics was obtained.

【００６９】（実施例２）実施例１と同様の実験を、Ｇ
ｅＳｂＴｅ層厚とＡｕ厚を変えて行なった。ＧｅＳｂＴ
ｅ層厚１０ｎｍとＡｕ厚１０ｎｍの場合、およびＧｅＳ
ｂＴｅ層厚２０ｎｍとＡｕ厚２０ｎｍの場合である。(Example 2) The same experiment as in Example 1 was conducted by G
The eSbTe layer thickness and the Au thickness were changed. GeSbT
e layer thickness of 10 nm and Au thickness of 10 nm, and GeS
This is the case where the bTe layer thickness is 20 nm and the Au thickness is 20 nm.

【００７０】基板、誘電体材料は実施例１と同じであ
る。作製したディスクは、実施例１と同じ評価手段によ
りＣＮＲ、消去率、繰り返し特性を求めた。The substrate and the dielectric material are the same as in the first embodiment. The CNR, erasure rate, and repetitive characteristics of the manufactured disk were determined by the same evaluation means as in Example 1.

【００７１】（表２）にＧｅＳｂＴｅ層厚１０ｎｍ、Ａ
ｕ厚１０ｎｍの場合における第１の誘電体層の厚さ
ｔ₂、第２の誘電体層の厚さｔ₄と、それぞれの場合にお
ける吸収率差ΔＡおよび反射率差ΔＲ、さらに評価結果
のＣＮＲ、消去率、繰り返し特性を示す。Table 2 shows the GeSbTe layer thickness of 10 nm, A
When the thickness u is 10 nm, the thickness t ₂ of the first dielectric layer, the thickness t _{4 of} the second dielectric layer, the absorption difference ΔA and the reflectance difference ΔR in each case, and the CNR of the evaluation result , Erasure rate, and repeatability are shown.

【００７２】[0072]

【表２】 [Table 2]

【００７３】また、（表３）にＧｅＳｂＴｅ層厚２０ｎ
ｍ、Ａｕ厚２０ｎｍの場合における第１の誘電体層の厚
さｔ₂、第２の誘電体層の厚さｔ₄と、それぞれの場合に
おける吸収率差ΔＡおよび反射率差ΔＲ、さらに評価結
果のＣＮＲ、消去率、繰り返し特性を示す。Further, (Table 3) shows that the GeSbTe layer thickness is 20 n.
m, the thickness t ₂ of the first dielectric layer and the thickness t _{4 of} the second dielectric layer when the Au thickness is 20 nm, the absorption difference ΔA and the reflectance difference ΔR in each case, and the evaluation results. CNR, erasing rate, and repetitive characteristics of are shown.

【００７４】[0074]

【表３】 [Table 3]

【００７５】どちらの構成の場合も、実施例１と同様な
結果が得られた。すなわち、ΔＲ≧１０％のときＣＮＲ
≧５０ｄＢであり、ΔＡ≧０のとき３０ｄＢ以上の消去
率が得られている。In both cases, the same results as in Example 1 were obtained. That is, when ΔR ≧ 10%, CNR
≧ 50 dB, and when ΔA ≧ 0, an erasing rate of 30 dB or more is obtained.

【００７６】また、第２の誘電体層の膜厚ｔ₄が３ｎｍ
以上４５ｎｍ以下の範囲であればサイクル回数は１万回
以上である。特に、ｔ₂が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下のと
き、サイクル回数は１０万回以上を達成しており、きわ
めて繰り返し特性の優れた光ディスクが得られることも
実施例１と同じである。The film thickness t _{4 of} the second dielectric layer is 3 nm.
In the range of 45 nm or less, the number of cycles is 10,000 times or more. Particularly, when t ₂ is 5 nm or more and 30 nm or less, the number of cycles has reached 100,000 times or more, and an optical disc with extremely excellent repeating characteristics can be obtained, as in the first embodiment.

【００７７】（実施例３）次に反射層の上にさらに無機
薄膜層を設けた図２の構成に関する具体的実施例につい
て述べる。(Embodiment 3) Next, a concrete embodiment relating to the structure of FIG. 2 in which an inorganic thin film layer is further provided on the reflection layer will be described.

【００７８】実施例１のディスクＮｏ．５のＡｕ反射層
の上に、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂：２０ｍｏｌ
％）を１００ｎｍ設けたＮｏ．５ａ、Ｔａ₂Ｏ₅を１００
ｎｍ設けたＮｏ．５ｂ、ＳｉＯ₂を１００ｎｍ設けたＮ
ｏ．５ｃ、ＳｉＮ_xを１００ｎｍ設けたＮｏ．５ｄ、ダ
イアモンドライクカーボンを１００ｎｍ設けたＮｏ．５
ｅの５種類の光ディスクを作製した。Disc No. 1 of the first embodiment. ZnS—SiO ₂ (SiO ₂ : 20 mol) on the Au reflective layer of No. 5
%) Provided with 100 nm. 5a, Ta ₂ O ₅ to 100
nm provided in No. 5b, N provided with SiO ₂ of 100 nm
o. 5c, No. 5 with SiN _x of 100 nm. No. 5d, which has 100 nm of diamond-like carbon. 5
Five kinds of optical disks of e were manufactured.

【００７９】無機薄膜層としてのＺｎＳ−ＳｉＯ₂、Ｔ
ａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_xはスパッタリング法で成膜
し、また、ダイアモンドライクカーボンはＥＣＲプラズ
マ法で成膜した。ZnS-SiO ₂ , T as an inorganic thin film layer
a ₂ O ₅ , SiO ₂ , and SiN _x were formed by a sputtering method, and diamond-like carbon was formed by an ECR plasma method.

【００８０】無機反射層以外の構成はディスクＮｏ．５
と同じであり、作製したディスクの評価方法も実施例１
と同じである。The structure other than the inorganic reflective layer was disc No. 5
The evaluation method of the manufactured disk is the same as in Example 1
Is the same as

【００８１】５枚のディスクのＣＮＲと消去率とはほぼ
同等であった。しかし、サイクル回数はＮｏ．５が４０
万回であったのに対して、Ｎｏ．５ａが６５万回、Ｎ
ｏ．５ｂが８０万回、Ｎｏ．５ｃが７５万回、Ｎｏ．５
ｄが８０万回、Ｎｏ．５ｅが１７０万回と、どのディス
クにおいても無機薄膜層の採用による効果が見られる。
特に、熱伝導率の高いダイアモンドライクカーボンを設
けた場合において大きな繰り返し特性の改善がみられ
る。The CNR and the erasure rate of the five disks were almost the same. However, the number of cycles is No. 5 is 40
No. 5a is 650,000 times, N
o. 5b is 800,000 times, No. 5c is 750,000 times, No. 5
d is 800,000 times, No. With 5e of 1.7 million times, the effect of using the inorganic thin film layer can be seen in any disc.
In particular, when the diamond-like carbon having high thermal conductivity is provided, a great improvement in the repeating characteristics is observed.

【００８２】同様の検討を実施例１および実施例２の他
の構成のディスクに試みたところ、全てのディスクの繰
り返し回数の改善がみられた。When the same examination was attempted on the disks having the other structures of Example 1 and Example 2, the improvement in the number of repetitions of all disks was observed.

【００８３】無機薄膜の材質としては、本実施例３の材
料に限定されるものではなく、レーザー光線に対して略
透明で、かつ熱的安定性の良い材料であればよい。例え
ば、金属や半金属の酸化物、窒化物、カルコゲン化物、
フッ化物、炭化物等およびこれらの混合物を採用するこ
とができる。The material of the inorganic thin film is not limited to the material of the third embodiment, but may be any material that is substantially transparent to the laser beam and has good thermal stability. For example, metal or metalloid oxides, nitrides, chalcogenides,
Fluorides, carbides and the like and mixtures thereof can be employed.

【００８４】[0084]

【発明の効果】本願発明は、基板上に、第１の誘電体
層、レーザ−光線の照射によって結晶状態とアモルファ
ス状態との間で光学的に検出可能な可逆的状態変化を生
じる材料からなる記録層、第２の誘電体層、反射層を順
に積層した積層体を含む光学情報記録媒体であって、前
記第２の誘電体層の厚さが３ｎｍ以上４５ｎｍ以下であ
り、かつ、前記入射レーザー光線に対する記録層での吸
収率を結晶状態でＡｃ、アモルファス状態でＡａとする
とき、Ａｃ−Ａａ≧０であり、かつ、前記入射レーザー
光線に対する反射率を結晶状態でＲｃ、アモルファス状
態でＲａとするとき、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％となるよう
に、各層の膜厚が選ばれる光学的情報記録媒体であるた
め、大きな信号振幅、高い消去率、良好な繰り返し特性
を同時に満たす光学的情報記録媒体を提供することがで
きる。INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention comprises a first dielectric layer on a substrate, and a material that undergoes a reversible optically detectable state change between a crystalline state and an amorphous state upon irradiation with a laser beam. An optical information recording medium including a laminated body in which a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are laminated in this order, wherein the thickness of the second dielectric layer is 3 nm or more and 45 nm or less, and the incident light is incident. When the absorption rate in the recording layer for the laser beam is Ac in the crystalline state and Aa in the amorphous state, Ac-Aa ≧ 0, and the reflectance for the incident laser beam is Rc in the crystalline state and Ra in the amorphous state. At this time, since the optical information recording medium is such that the film thickness of each layer is selected so that Rc−Ra ≧ 10%, an optical signal recording medium that satisfies a large signal amplitude, a high erasing rate, and good repeatability at the same time. It is possible to provide a broadcast recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本願発明の光学的情報記録媒体の代表的な構成
を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a typical configuration of an optical information recording medium of the present invention.

【図２】本願発明の光学的情報記録媒体の他の態様の構
成を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of another aspect of the optical information recording medium of the present invention.

【図３】ＧｅＳｂＴｅ記録層２０ｎｍ、Ａｕ反射層１０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 3 GeSbTe recording layer 20 nm, Au reflective layer 10
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図４】ＧｅＳｂＴｅ記録層１０ｎｍ、Ａｕ反射層１０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 4 GeSbTe recording layer 10 nm, Au reflective layer 10
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図５】ＧｅＳｂＴｅ記録層１５ｎｍ、Ａｕ反射層１０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 5: GeSbTe recording layer 15 nm, Au reflective layer 10
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図６】ＧｅＳｂＴｅ記録層１０ｎｍ、Ａｕ反射層２０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 6 GeSbTe recording layer 10 nm, Au reflective layer 20
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図７】ＧｅＳｂＴｅ記録層１５ｎｍ、Ａｕ反射層２０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 7: GeSbTe recording layer 15 nm, Au reflective layer 20
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図８】ＧｅＳｂＴｅ記録層２０ｎｍ、Ａｕ反射層２０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 8: GeSbTe recording layer 20 nm, Au reflective layer 20
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図９】ＧｅＳｂＴｅ記録層１０ｎｍ、Ａｕ反射層３０
ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 9: GeSbTe recording layer 10 nm, Au reflective layer 30
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of nm.

【図１０】ＧｅＳｂＴｅ記録層１５ｎｍ、Ａｕ反射層３
０ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 10: GeSbTe recording layer 15 nm, Au reflective layer 3
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of 0 nm.

【図１１】ＧｅＳｂＴｅ記録層２０ｎｍ、Ａｕ反射層３
０ｎｍの場合における本願発明の構成限定範囲を示す図FIG. 11: GeSbTe recording layer 20 nm, Au reflective layer 3
The figure which shows the structural limitation range of this invention in the case of 0 nm.

【図１２】第２の誘電体層の厚さとサイクル回数の関係
を示す図FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the thickness of the second dielectric layer and the number of cycles.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層 ５ 反射層 ６ 保護材 ７ 無機材料層 1 Substrate 2 First Dielectric Layer 3 Recording Layer 4 Second Dielectric Layer 5 Reflective Layer 6 Protective Material 7 Inorganic Material Layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｆ 7215−5Ｄ Ｌ 7215−5Ｄ Ｂ４１Ｍ 5/26 (72)発明者 西内 健一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 長田 憲一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification number Internal reference number FI Technical display location G11B 7/24 538 F 7215-5D L 7215-5D B41M 5/26 (72) Inventor Kenichi Nishiuchi 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Kenichi Nagata, 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】基板上に、第１の誘電体層、レーザ−光線
の照射によって結晶状態とアモルファス状態との間で光
学的に検出可能な可逆的状態変化を生じる材料からなる
記録層、第２の誘電体層、反射層を順に積層した積層体
を含む光学情報記録媒体であって、前記第２の誘電体層
の厚さが３ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、かつ、前記入
射レーザー光線に対する記録層での吸収率を結晶状態で
Ａｃ、アモルファス状態でＡａとするとき、Ａｃ−Ａａ
≧０であり、かつ、前記入射レーザー光線に対する反射
率を結晶状態でＲｃ、アモルファス状態でＲａとすると
き、Ｒｃ−Ｒａ≧１０％となるように、各層の膜厚が選
ばれることを特徴とする光学的情報記録媒体。1. A first dielectric layer on a substrate, a recording layer made of a material that undergoes a reversibly optically changeable state between a crystalline state and an amorphous state upon irradiation with a laser beam, An optical information recording medium including a laminated body in which a second dielectric layer and a reflective layer are laminated in this order, wherein the thickness of the second dielectric layer is 3 nm or more and 45 nm or less, and the recording layer for the incident laser beam. When the absorption rate in the crystalline state is Ac and that in the amorphous state is Aa, Ac-Aa
It is characterized in that the film thickness of each layer is selected so that ≧ 0 and Rc−Ra ≧ 10% when the reflectance for the incident laser beam is Rc in the crystalline state and Ra in the amorphous state. Optical information recording medium. 【請求項２】反射層の厚さが、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下
であることを特徴とする、請求項１記載の光学的情報記
録媒体。2. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer has a thickness of 3 nm or more and 30 nm or less. 【請求項３】反射層の厚さが、２０ｎｍ以下であること
を特徴とする、請求項２記載の光学的情報記録媒体。3. The optical information recording medium according to claim 2, wherein the reflective layer has a thickness of 20 nm or less. 【請求項４】第２の誘電体層の厚さが、５ｎｍ以上３０
ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載の光学
的情報記録媒体。4. The thickness of the second dielectric layer is 5 nm or more and 30 or more.
The optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium has a thickness of not more than nm. 【請求項５】反射層をＡｕで構成したことを特徴とす
る、請求項１記載の光学的情報記録媒体。5. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer is made of Au. 【請求項６】反射層の上に、さらにレーザ光線に対して
略透明な無機薄膜層を積層してなることを特徴とする請
求項１または５何れかに記載の光学的情報記録媒体。6. The optical information recording medium according to claim 1, wherein an inorganic thin film layer that is substantially transparent to a laser beam is further laminated on the reflective layer. 【請求項７】無機薄膜層が、少なくとも第１の誘電体層
もしくは第２の誘電体層のいずれか一方と同じ材料で構
成したことを特徴とする、請求項６記載の光学的情報記
録媒体。7. The optical information recording medium according to claim 6, wherein the inorganic thin film layer is made of the same material as at least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer. . 【請求項８】無機薄膜層が、少なくとも第２の誘電体層
材料よりも熱伝導率が大きい材料で構成したことを特徴
とする、請求項６記載の光学的情報記録媒体。8. The optical information recording medium according to claim 6, wherein the inorganic thin film layer is made of a material having a thermal conductivity higher than that of at least the second dielectric layer material. 【請求項９】無機薄膜層をダイアモンド薄膜またはダイ
アモンドライクカーボン膜で構成したことを特徴とする
請求項８記載の光学的情報記録媒体。9. The optical information recording medium according to claim 8, wherein the inorganic thin film layer comprises a diamond thin film or a diamond-like carbon film. 【請求項１０】無機薄膜層の膜厚を、略（ｍ×λ）／
（２×ｎ）としたことを特徴とする、請求項６記載の光
学的情報記録媒体（但し、λはレーザ光線の波長を示
し、ｎは無機材料層の屈折率を示し、ｍは正の整数であ
る）。10. The thickness of the inorganic thin film layer is approximately (m × λ) /
(2 × n), wherein the optical information recording medium according to claim 6 (wherein λ is the wavelength of the laser beam, n is the refractive index of the inorganic material layer, and m is positive). Is an integer). 【請求項１１】記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金または
これをベースにした合金で構成したことを特徴とする、
請求項１記載の光学的情報記録媒体。11. The recording layer is made of a Ge—Sb—Te alloy or an alloy based on the same.
The optical information recording medium according to claim 1.