JPH08129736A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH08129736A JPH08129736A JP6268703A JP26870394A JPH08129736A JP H08129736 A JPH08129736 A JP H08129736A JP 6268703 A JP6268703 A JP 6268703A JP 26870394 A JP26870394 A JP 26870394A JP H08129736 A JPH08129736 A JP H08129736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- film surface
- film
- magnetization
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 58
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 140
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 177
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 17
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- -1 If not Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017135 Fe—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜型磁気記録媒体に関するもの
で、高いS/Nを有する磁気テープを提供することを目
的とする。 【構成】 基板1上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第1の磁
性層11が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面
の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易
軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo
基の部分酸化膜からなる第2の磁性層12が形成されて
いる磁気記録媒体。
で、高いS/Nを有する磁気テープを提供することを目
的とする。 【構成】 基板1上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第1の磁
性層11が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面
の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易
軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo
基の部分酸化膜からなる第2の磁性層12が形成されて
いる磁気記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高いS/Nの得られる磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。この要望に応えるべく薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法等により作製され、優れた短
波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒体におけ
る磁性層としては、Co、Co−Ni、Co−Ni−
P、Co−O、Co−Ni−O、Co−Cr、Co−N
i−Cr、Co−Cr−Ta、Co−Cr−Pt等が検
討されている。
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。この要望に応えるべく薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法等により作製され、優れた短
波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒体におけ
る磁性層としては、Co、Co−Ni、Co−Ni−
P、Co−O、Co−Ni−O、Co−Cr、Co−N
i−Cr、Co−Cr−Ta、Co−Cr−Pt等が検
討されている。
【0003】薄膜型磁気記録媒体を磁気テープとして実
用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適して
おり、高分子基板上にCo−Ni−O磁性層が形成され
た蒸着テープが、既にHi8方式VTR用テープとして
実用化されている。
用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適して
おり、高分子基板上にCo−Ni−O磁性層が形成され
た蒸着テープが、既にHi8方式VTR用テープとして
実用化されている。
【0004】蒸着テープにおける磁性層は、膜面の法線
に対して斜めに傾斜して成長した結晶粒からなり、磁化
容易軸は膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、
磁化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるので
はなく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内にお
いて、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販の
Hi8方式VTR用蒸着テープは、磁化容易軸がテープ
の長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾
斜している。ここでテープの長手方向とは、テープの長
さ方向のことである。
に対して斜めに傾斜して成長した結晶粒からなり、磁化
容易軸は膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、
磁化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるので
はなく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内にお
いて、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販の
Hi8方式VTR用蒸着テープは、磁化容易軸がテープ
の長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾
斜している。ここでテープの長手方向とは、テープの長
さ方向のことである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
S/N化、特に短波長領域における高S/N化が要求さ
れる。
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
S/N化、特に短波長領域における高S/N化が要求さ
れる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、基板上に結晶粒の成長方向が膜面の
略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは
膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第
1の磁性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容
易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるC
o基の部分酸化膜からなる第2の磁性層が形成されてい
ることを特徴とする。
したものであって、基板上に結晶粒の成長方向が膜面の
略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは
膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第
1の磁性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容
易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるC
o基の部分酸化膜からなる第2の磁性層が形成されてい
ることを特徴とする。
【0007】
【作用】磁気記録媒体を本発明の構成にすることによ
り、記録再生特性に大きな影響を及ぼす第2の磁性層あ
るいは第2の磁性層と第3の磁性層の磁気異方性を高く
することができ、短波長領域で高いS/Nを得ることが
できる。
り、記録再生特性に大きな影響を及ぼす第2の磁性層あ
るいは第2の磁性層と第3の磁性層の磁気異方性を高く
することができ、短波長領域で高いS/Nを得ることが
できる。
【0008】
【実施例】本発明の磁気記録媒体について図1〜3を用
いて説明する。図1は本発明の磁気記録媒体の第1の例
の基本構成を示し、1は高分子基板、11は結晶粒の成
長方向が膜面に略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜
面内方向あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分
酸化膜からなる第1の磁性層、12は結晶粒の成長方向
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ
磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向に
あるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層である。
このような構成にすることにより、高分子基板上に単純
に1層の磁性層、あるいは同特性の複数の磁性層が形成
された従来の蒸着テープに比べて、高いS/Nを得るこ
とができる。
いて説明する。図1は本発明の磁気記録媒体の第1の例
の基本構成を示し、1は高分子基板、11は結晶粒の成
長方向が膜面に略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜
面内方向あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分
酸化膜からなる第1の磁性層、12は結晶粒の成長方向
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ
磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向に
あるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層である。
このような構成にすることにより、高分子基板上に単純
に1層の磁性層、あるいは同特性の複数の磁性層が形成
された従来の蒸着テープに比べて、高いS/Nを得るこ
とができる。
【0009】図1に示すような本発明の構成により、従
来の蒸着テープに比べて高いS/Nが得られる主な理由
は、結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜
した方向であり、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる
第2の磁性層を、結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向
であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の略
垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第1の磁性
層の上に形成すると、高分子基板の上に直接形成した場
合よりも保磁力及び角型比が高くなることにある。この
ように保磁力及び角型比が高くなるのは、結晶配向性が
改善されるためである。例えば、高分子基板の上に直接
形成した第2の磁性層の保磁力が100kA/m、角型比が0.8
5の場合に、これと全く同じ作製条件で、第1の磁性層
を介して第2の磁性層を形成すると、保磁力は130kA/
m、角型比は0.92になった。その結果、記録波長0.5μm
における再生出力は、第1の磁性層がない場合よりも約
3dB高くなった。
来の蒸着テープに比べて高いS/Nが得られる主な理由
は、結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜
した方向であり、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる
第2の磁性層を、結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向
であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の略
垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第1の磁性
層の上に形成すると、高分子基板の上に直接形成した場
合よりも保磁力及び角型比が高くなることにある。この
ように保磁力及び角型比が高くなるのは、結晶配向性が
改善されるためである。例えば、高分子基板の上に直接
形成した第2の磁性層の保磁力が100kA/m、角型比が0.8
5の場合に、これと全く同じ作製条件で、第1の磁性層
を介して第2の磁性層を形成すると、保磁力は130kA/
m、角型比は0.92になった。その結果、記録波長0.5μm
における再生出力は、第1の磁性層がない場合よりも約
3dB高くなった。
【0010】なお、上記のような効果を得るためには、
第1の磁性層を構成する元素は第2の磁性層とほぼ同じ
にする必要がある。これは、第1の磁性層は第2の磁性
層の結晶配向性を改善するものでなければならないため
であると考えられる。従って、第2の磁性層がCoの部
分酸化膜である場合に、第1の磁性層が異なる元素から
成っていたり、金属Coのままであると本発明の効果は
得られない。さらに、Coの完全な酸化物であっても本
発明の効果は得られない。すなわち、第2の磁性層がC
oの部分酸化膜からなる場合には、第1の磁性層もCo
の部分酸化膜であることが必要である。
第1の磁性層を構成する元素は第2の磁性層とほぼ同じ
にする必要がある。これは、第1の磁性層は第2の磁性
層の結晶配向性を改善するものでなければならないため
であると考えられる。従って、第2の磁性層がCoの部
分酸化膜である場合に、第1の磁性層が異なる元素から
成っていたり、金属Coのままであると本発明の効果は
得られない。さらに、Coの完全な酸化物であっても本
発明の効果は得られない。すなわち、第2の磁性層がC
oの部分酸化膜からなる場合には、第1の磁性層もCo
の部分酸化膜であることが必要である。
【0011】また、本発明者らの実験の結果、本発明の
効果を得るためには、第1の磁性層は結晶粒の成長方向
が膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸は膜面内方
向あるいは膜面の略垂直方向になければならないことが
明らかになった。この理由は、第1の磁性層がこのよう
に成長した場合に第2の磁性層の結晶配向性が最もよく
なるためである。第1の磁性層の結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜していると、その結晶配向
性が悪いために、第2の磁性層の結晶配向性も改善され
ない。
効果を得るためには、第1の磁性層は結晶粒の成長方向
が膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸は膜面内方
向あるいは膜面の略垂直方向になければならないことが
明らかになった。この理由は、第1の磁性層がこのよう
に成長した場合に第2の磁性層の結晶配向性が最もよく
なるためである。第1の磁性層の結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜していると、その結晶配向
性が悪いために、第2の磁性層の結晶配向性も改善され
ない。
【0012】以上説明したように、本発明における第1
の磁性層の主な効果は、第2の磁性層の磁気特性を改善
することにある。この効果を得るためには、第1の磁性
層の膜厚は2nm以上であることが望ましい。2nm未満であ
ると、第1の磁性層がない場合の特性に近づく。
の磁性層の主な効果は、第2の磁性層の磁気特性を改善
することにある。この効果を得るためには、第1の磁性
層の膜厚は2nm以上であることが望ましい。2nm未満であ
ると、第1の磁性層がない場合の特性に近づく。
【0013】また、第1の磁性層の膜厚と飽和磁化との
積が、第2の磁性層の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越
えると、第1の磁性層の持つ磁性が記録再生特性に悪影
響を及ぼし、S/Nが低下する。この理由は次のように
考えられる。第1の磁性層に記録される磁化と、第2の
磁性層に記録される磁化とは、磁気ヘッドからの距離及
び磁化容易軸方向が異なるために、位相が異なってい
る。それゆえ、特に短波長領域において、それぞれの磁
性層から発生する磁束が、干渉しあって再生出力が低下
する。
積が、第2の磁性層の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越
えると、第1の磁性層の持つ磁性が記録再生特性に悪影
響を及ぼし、S/Nが低下する。この理由は次のように
考えられる。第1の磁性層に記録される磁化と、第2の
磁性層に記録される磁化とは、磁気ヘッドからの距離及
び磁化容易軸方向が異なるために、位相が異なってい
る。それゆえ、特に短波長領域において、それぞれの磁
性層から発生する磁束が、干渉しあって再生出力が低下
する。
【0014】高い再生出力を得るためには、第1の磁性
層、第2の磁性層ともに、Co基の部分酸化膜にする必
要があるが、第1の磁性層の酸素濃度を第2の磁性層の
酸素濃度よりも高くすることが望ましい。こうすること
により高い再生出力が得られる。なぜならば、第2の磁
性層は満足な磁気特性を達成できる範囲内で、できる限
り酸素濃度が少ないことが好ましく、第1の磁性層は部
分酸化膜である状態で、できるだけ酸素が多い方が、第
2の磁性層の結晶配向性を改善でき、しかも、磁化量が
S/Nに悪影響を及ぼさないからである。
層、第2の磁性層ともに、Co基の部分酸化膜にする必
要があるが、第1の磁性層の酸素濃度を第2の磁性層の
酸素濃度よりも高くすることが望ましい。こうすること
により高い再生出力が得られる。なぜならば、第2の磁
性層は満足な磁気特性を達成できる範囲内で、できる限
り酸素濃度が少ないことが好ましく、第1の磁性層は部
分酸化膜である状態で、できるだけ酸素が多い方が、第
2の磁性層の結晶配向性を改善でき、しかも、磁化量が
S/Nに悪影響を及ぼさないからである。
【0015】図2は本発明の磁気記録媒体の第2の例の
基本構成を示す。高分子基板1上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜か
らなる第1の磁性層11が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層
12が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Co基の部分酸化膜からなる第3の磁性層13が形成さ
れている。このような構成にすることにより、図1に示
すような、本発明の磁気記録媒体の第1の例よりもノイ
ズを低減させることができる。
基本構成を示す。高分子基板1上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜か
らなる第1の磁性層11が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層
12が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Co基の部分酸化膜からなる第3の磁性層13が形成さ
れている。このような構成にすることにより、図1に示
すような、本発明の磁気記録媒体の第1の例よりもノイ
ズを低減させることができる。
【0016】この理由は、図2のような構成にすること
により、第2及び第3の磁性層の総厚が図1の構成の場
合の第2の磁性層の膜厚と同程度である場合に、図2の
ような構成の方が結晶粒の大きさが小さいからである。
結晶粒の大きさが小さい方が、信号を記録した際の磁化
遷移幅が狭く、ノイズが低い。
により、第2及び第3の磁性層の総厚が図1の構成の場
合の第2の磁性層の膜厚と同程度である場合に、図2の
ような構成の方が結晶粒の大きさが小さいからである。
結晶粒の大きさが小さい方が、信号を記録した際の磁化
遷移幅が狭く、ノイズが低い。
【0017】図2のような構成の場合においても、図1
の構成の場合と同様に、第1の磁性層の膜厚が2nm以上
が望ましく、かつ第1の磁性層の膜厚と飽和磁化との積
が第2及び第3の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/
3以下であることが望ましい。その理由は図1の構成の
場合と同様である。
の構成の場合と同様に、第1の磁性層の膜厚が2nm以上
が望ましく、かつ第1の磁性層の膜厚と飽和磁化との積
が第2及び第3の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/
3以下であることが望ましい。その理由は図1の構成の
場合と同様である。
【0018】また、磁性層の酸素濃度も、図1の構成の
際に説明したのと同じ理由により、第1の磁性層の酸素
濃度が第2及び第3の磁性層の酸素濃度よりも大なるこ
とが望ましい。
際に説明したのと同じ理由により、第1の磁性層の酸素
濃度が第2及び第3の磁性層の酸素濃度よりも大なるこ
とが望ましい。
【0019】図3は本発明の磁気記録媒体の第3の例の
基本構成を示す。高分子基板1上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜か
らなる第1の磁性層11が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層
12が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向に
あるCo基の部分酸化膜からなる第4の磁性層14が形
成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo基の
部分酸化膜からなる第3の磁性層13が形成されてい
る。このような構成にすることにより、本発明の磁気記
録媒体の第2の例よりも再生出力を増加させ、さらにノ
イズを低減させることができる。
基本構成を示す。高分子基板1上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜か
らなる第1の磁性層11が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の磁性層
12が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向に
あるCo基の部分酸化膜からなる第4の磁性層14が形
成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo基の
部分酸化膜からなる第3の磁性層13が形成されてい
る。このような構成にすることにより、本発明の磁気記
録媒体の第2の例よりも再生出力を増加させ、さらにノ
イズを低減させることができる。
【0020】この理由は、図3のような構成にすること
により、第3の磁性層の結晶配向性が図2の構成の場合
よりも改善され、さらに、第3の磁性層が第2の磁性層
からほぼ完全に分断されて成長するからである。第3の
磁性層の結晶配向性が改善されることにより、再生出力
は図2の構成よりも増加し、また、第3の磁性層が第2
の磁性層からほぼ完全に分断されて成長することによ
り、ノイズがさらに低下する。
により、第3の磁性層の結晶配向性が図2の構成の場合
よりも改善され、さらに、第3の磁性層が第2の磁性層
からほぼ完全に分断されて成長するからである。第3の
磁性層の結晶配向性が改善されることにより、再生出力
は図2の構成よりも増加し、また、第3の磁性層が第2
の磁性層からほぼ完全に分断されて成長することによ
り、ノイズがさらに低下する。
【0021】図3のような構成においても、図1の構成
の場合と同様に、第1の磁性層及び第4の磁性層の膜厚
がそれぞれ2nm以上であり、かつ第1及び第4の磁性層
の総膜厚と飽和磁化との積が第2及び第3の磁性層の総
膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることが望まし
い。その理由は図1の構成の場合と同様である。
の場合と同様に、第1の磁性層及び第4の磁性層の膜厚
がそれぞれ2nm以上であり、かつ第1及び第4の磁性層
の総膜厚と飽和磁化との積が第2及び第3の磁性層の総
膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることが望まし
い。その理由は図1の構成の場合と同様である。
【0022】また、磁性層の酸素濃度も、図1の構成の
際に説明したのと同じ理由により、第1及び第4の磁性
層の酸素濃度が第2及び第3の磁性層の酸素濃度よりも
大なることが望ましい。
際に説明したのと同じ理由により、第1及び第4の磁性
層の酸素濃度が第2及び第3の磁性層の酸素濃度よりも
大なることが望ましい。
【0023】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
一例を図4に基づいて説明する。図4は本発明の磁気記
録媒体を作製するための真空蒸着装置内部の構成の一例
である。第1の磁性層11を成膜する際には、高分子基
板1を円筒状キャン2の表面に沿って矢印6の向きに走
行させる。蒸発源8と円筒状キャン2との間には遮蔽板
3A、3Bが配置されている。この遮蔽板の開口部を通
って蒸発原子9は高分子基板1に付着する。蒸発物質7
としてCo、Co−Ni等のCo合金を蒸発源8に充填
する。また、酸素導入口10から真空槽内に酸素を導入
する。なお、第1の磁性層11、あるいは第4の磁性層
14を形成する際の酸素導入口は、図4のような位置に
限定されるものではない。例えば、遮蔽板3Aと円筒状
キャン2との間や遮蔽板と蒸発源との間に配置してもよ
いし、あるいは複数の酸素導入口を設けてもよい。
一例を図4に基づいて説明する。図4は本発明の磁気記
録媒体を作製するための真空蒸着装置内部の構成の一例
である。第1の磁性層11を成膜する際には、高分子基
板1を円筒状キャン2の表面に沿って矢印6の向きに走
行させる。蒸発源8と円筒状キャン2との間には遮蔽板
3A、3Bが配置されている。この遮蔽板の開口部を通
って蒸発原子9は高分子基板1に付着する。蒸発物質7
としてCo、Co−Ni等のCo合金を蒸発源8に充填
する。また、酸素導入口10から真空槽内に酸素を導入
する。なお、第1の磁性層11、あるいは第4の磁性層
14を形成する際の酸素導入口は、図4のような位置に
限定されるものではない。例えば、遮蔽板3Aと円筒状
キャン2との間や遮蔽板と蒸発源との間に配置してもよ
いし、あるいは複数の酸素導入口を設けてもよい。
【0024】θi、θfは、高分子基板1が矢印6の方向
に走行する際に、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着
終了部における蒸発原子の高分子基板1への入射角であ
る。高分子基板1を矢印6の逆方向に走行させて磁性層
を形成する際には、θfが蒸着開始部、θiが蒸着終了部
の入射角となる。第1の磁性層形成時には、θiを約40
゜以下にしθfを約−40゜以上に設定しておくことが望
ましい。ここでθfのマイナスは、図4において、遮蔽
板3Bと蒸発源の蒸発部を結ぶ直線が、円筒状キャン2
の中心と蒸発源の蒸発部を結ぶ直線よりも右側にあるこ
とを意味する。θ i、θfをこのように設定して、酸素を
導入しつつ磁性層を形成すると、結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あ
るいは膜面の略垂直方向にある第1の磁性層11が形成
される。なお、酸素を導入しただけでは、このようにな
らない場合には、酸素にアルゴンや窒素などのガスを混
入して導入すればよい。このようにして作製した磁性層
は、一般に、膜厚が約30〜40nm以下の場合には、磁化容
易軸は膜面内方向にあり、それ以上の膜厚の場合には、
膜面の略垂直方向にある。ただし、磁化容易軸が膜面内
方向から膜面の略垂直方向に変わる膜厚は、入射角、雰
囲気、酸素濃度、基板温度等によって変化する。4、5
は高分子基板1が巻かれているロールである。
に走行する際に、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着
終了部における蒸発原子の高分子基板1への入射角であ
る。高分子基板1を矢印6の逆方向に走行させて磁性層
を形成する際には、θfが蒸着開始部、θiが蒸着終了部
の入射角となる。第1の磁性層形成時には、θiを約40
゜以下にしθfを約−40゜以上に設定しておくことが望
ましい。ここでθfのマイナスは、図4において、遮蔽
板3Bと蒸発源の蒸発部を結ぶ直線が、円筒状キャン2
の中心と蒸発源の蒸発部を結ぶ直線よりも右側にあるこ
とを意味する。θ i、θfをこのように設定して、酸素を
導入しつつ磁性層を形成すると、結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あ
るいは膜面の略垂直方向にある第1の磁性層11が形成
される。なお、酸素を導入しただけでは、このようにな
らない場合には、酸素にアルゴンや窒素などのガスを混
入して導入すればよい。このようにして作製した磁性層
は、一般に、膜厚が約30〜40nm以下の場合には、磁化容
易軸は膜面内方向にあり、それ以上の膜厚の場合には、
膜面の略垂直方向にある。ただし、磁化容易軸が膜面内
方向から膜面の略垂直方向に変わる膜厚は、入射角、雰
囲気、酸素濃度、基板温度等によって変化する。4、5
は高分子基板1が巻かれているロールである。
【0025】次に、第2の磁性層12の成膜方法を説明
する。第1の磁性層11が形成されてロール5に巻き取
られた高分子基板1を円筒状キャン2の周面に沿って矢
印6の逆向きに走行させ、ロール4に巻き戻す。この際
に、蒸発源8の電源は切っておき、蒸発を停止させてお
く。あるいは、遮蔽板3A、3Bの間の開口部をシャッ
ター(図示されていない)により閉じて、蒸発原子9が
高分子基板1に付着するのを防止する。次に、この高分
子基板1を矢印6の向きに走行させて、第2の磁性層1
2を形成する。この際にθiを60゜以上の角度とし、θf
を30゜以上の角度にしておく。なお、蒸発物質7として
はCo合金を蒸発源8に充填しておく。また、酸素導入
口10から、真空槽内に酸素を導入する。第2の磁性層
12あるいは第3の磁性層13を形成する際には、図4
に示すように、蒸着終了部近傍から蒸着部に向かって酸
素を導入すると、特性の優れた磁性層が得られる。この
ようにすることにより、結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある第2の磁
性層12が形成される。
する。第1の磁性層11が形成されてロール5に巻き取
られた高分子基板1を円筒状キャン2の周面に沿って矢
印6の逆向きに走行させ、ロール4に巻き戻す。この際
に、蒸発源8の電源は切っておき、蒸発を停止させてお
く。あるいは、遮蔽板3A、3Bの間の開口部をシャッ
ター(図示されていない)により閉じて、蒸発原子9が
高分子基板1に付着するのを防止する。次に、この高分
子基板1を矢印6の向きに走行させて、第2の磁性層1
2を形成する。この際にθiを60゜以上の角度とし、θf
を30゜以上の角度にしておく。なお、蒸発物質7として
はCo合金を蒸発源8に充填しておく。また、酸素導入
口10から、真空槽内に酸素を導入する。第2の磁性層
12あるいは第3の磁性層13を形成する際には、図4
に示すように、蒸着終了部近傍から蒸着部に向かって酸
素を導入すると、特性の優れた磁性層が得られる。この
ようにすることにより、結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある第2の磁
性層12が形成される。
【0026】以上の方法により、図1に示す構成を有す
る磁気記録媒体を製造することができる。
る磁気記録媒体を製造することができる。
【0027】以上の例では、図4において矢印6の方向
に高分子基板1を走行させながら第1の磁性層11を形
成した後、矢印6の逆方向に高分子基板1を走行させて
巻き戻し、次に、矢印6の方向に高分子基板1を走行さ
せて第2の磁性層12を形成する例について説明した
が、製造方法はこれに限定されるものではない。例えば
図4において、矢印6の逆方向に高分子基板1を走行さ
せながら第1の磁性層11を形成した後、矢印6の方向
に高分子基板1を走行させて第2の磁性層12を形成し
てもよい。あるいは、蒸着装置を工夫することにより、
1回の基板走行で第1の磁性層11と第2の磁性層12
を同時に形成してもよい。
に高分子基板1を走行させながら第1の磁性層11を形
成した後、矢印6の逆方向に高分子基板1を走行させて
巻き戻し、次に、矢印6の方向に高分子基板1を走行さ
せて第2の磁性層12を形成する例について説明した
が、製造方法はこれに限定されるものではない。例えば
図4において、矢印6の逆方向に高分子基板1を走行さ
せながら第1の磁性層11を形成した後、矢印6の方向
に高分子基板1を走行させて第2の磁性層12を形成し
てもよい。あるいは、蒸着装置を工夫することにより、
1回の基板走行で第1の磁性層11と第2の磁性層12
を同時に形成してもよい。
【0028】第3の磁性層13及び第4の磁性層14を
形成する際も、以上で説明した方法と同様にすればよ
い。
形成する際も、以上で説明した方法と同様にすればよ
い。
【0029】次に、具体的な実施例及び比較例について
述べる。まず、第1の実施例について説明する。これ
は、図1に示すような、本発明の第1の例である。図4
に示す構成で、高分子基板1を矢印6の逆方向に走行さ
せて、第1の磁性層11を形成した。蒸発源8に蒸発物
質7としてのCoを充填して蒸着を行なった。円筒状キ
ャン2の直径は1mであり、その表面温度を室温とし
た。高分子基板1としては膜厚6μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。θiは20゜、θfは−20゜
に設定した。酸素導入口10からは、2l/minの量の酸素
を真空槽内に導入した。このようにして、平均の膜堆積
速度を0.1μm/sとして、膜厚0.01μmの第1の磁性層1
1を形成した。この磁性層の破断面を透過型電子顕微鏡
(TEM)により観察すると、結晶粒の成長方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。またこの磁性層の磁気異方性
をトルク計により測定すると、磁化容易軸方向は膜面内
にあった。膜厚と飽和磁化との積は3μm・kA/mであっ
た。
述べる。まず、第1の実施例について説明する。これ
は、図1に示すような、本発明の第1の例である。図4
に示す構成で、高分子基板1を矢印6の逆方向に走行さ
せて、第1の磁性層11を形成した。蒸発源8に蒸発物
質7としてのCoを充填して蒸着を行なった。円筒状キ
ャン2の直径は1mであり、その表面温度を室温とし
た。高分子基板1としては膜厚6μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。θiは20゜、θfは−20゜
に設定した。酸素導入口10からは、2l/minの量の酸素
を真空槽内に導入した。このようにして、平均の膜堆積
速度を0.1μm/sとして、膜厚0.01μmの第1の磁性層1
1を形成した。この磁性層の破断面を透過型電子顕微鏡
(TEM)により観察すると、結晶粒の成長方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。またこの磁性層の磁気異方性
をトルク計により測定すると、磁化容易軸方向は膜面内
にあった。膜厚と飽和磁化との積は3μm・kA/mであっ
た。
【0030】次に、第1の磁性層11の形成された高分
子基板1を矢印6の方向に走行させて、第2の磁性層1
2を形成した。蒸発物質7としては第1の磁性層形成時
に充填したCoをそのまま使用した。円筒状キャンの表
面温度は室温とした。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口10からの酸素導入量は0.8l/minとし
た。この様にして、平均の膜堆積速度を0.1μm/sとし
て、膜厚0.1μmの第2の磁性層12を形成した。この磁
性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜めに傾
斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜めに傾
斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積は60μm・k
A/mであった。
子基板1を矢印6の方向に走行させて、第2の磁性層1
2を形成した。蒸発物質7としては第1の磁性層形成時
に充填したCoをそのまま使用した。円筒状キャンの表
面温度は室温とした。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口10からの酸素導入量は0.8l/minとし
た。この様にして、平均の膜堆積速度を0.1μm/sとし
て、膜厚0.1μmの第2の磁性層12を形成した。この磁
性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜めに傾
斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜めに傾
斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積は60μm・k
A/mであった。
【0031】この第1の実施例の磁性層の酸素濃度をオ
ージェ電子分光分析により調べると、第1の磁性層11
の酸素濃度は約40原子%であり、第2の磁性層12の酸
素濃度は約20原子%であった。
ージェ電子分光分析により調べると、第1の磁性層11
の酸素濃度は約40原子%であり、第2の磁性層12の酸
素濃度は約20原子%であった。
【0032】第1の磁性層11の膜厚のみを変えて、そ
れ以外は第1の実施例の場合と全く同様にして、第2の
実施例のサンプルを作製した。すなわち、第1の磁性層
11の膜厚を0.05μmとした。この第1の磁性層の結晶
粒の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸
方向はほぼ膜面の垂直方向であった。膜厚と飽和磁化と
の積は15μm・kA/mであった。
れ以外は第1の実施例の場合と全く同様にして、第2の
実施例のサンプルを作製した。すなわち、第1の磁性層
11の膜厚を0.05μmとした。この第1の磁性層の結晶
粒の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸
方向はほぼ膜面の垂直方向であった。膜厚と飽和磁化と
の積は15μm・kA/mであった。
【0033】次に、第3の実施例について説明する。第
3の実施例のサンプルは、第1の磁性層11の膜厚を1.
5nmとした以外は、第1の実施例と全く同様にして作製
した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒の成長方向
はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ膜
面内にあった。
3の実施例のサンプルは、第1の磁性層11の膜厚を1.
5nmとした以外は、第1の実施例と全く同様にして作製
した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒の成長方向
はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ膜
面内にあった。
【0034】次に、第4の実施例について説明する。第
4の実施例のサンプルは、第1の磁性層11形成時にお
ける酸素導入口10からの酸素導入量を0.8l/minとし、
膜厚を0.03μmとした以外は、第1の実施例と全く同様
にして作製した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒
の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方
向はほぼ膜面内にあった。また第1の磁性層の膜厚と飽
和磁化との積は24μm・kA/mであった。
4の実施例のサンプルは、第1の磁性層11形成時にお
ける酸素導入口10からの酸素導入量を0.8l/minとし、
膜厚を0.03μmとした以外は、第1の実施例と全く同様
にして作製した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒
の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方
向はほぼ膜面内にあった。また第1の磁性層の膜厚と飽
和磁化との積は24μm・kA/mであった。
【0035】次に、第5の実施例について説明する。第
5の実施例のサンプルは、第1の磁性層11の膜厚を0.
08μmとした以外は、第1の実施例と全く同様にして作
製した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒の成長方
向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。また、第1の磁性層の膜厚と
飽和磁化との積は24μm・kA/mであった。
5の実施例のサンプルは、第1の磁性層11の膜厚を0.
08μmとした以外は、第1の実施例と全く同様にして作
製した。このサンプルの第1の磁性層の結晶粒の成長方
向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。また、第1の磁性層の膜厚と
飽和磁化との積は24μm・kA/mであった。
【0036】第1の磁性層11の酸素濃度のみを変え
て、それ以外は第1の実施例の場合と全く同等にして、
第6の実施例のサンプルを作製した。すなわち、第1の
磁性層11を蒸着する際の酸素導入口10からの酸素導
入量を0.6l/minとして、それ以外は、第1の実施例の場
合と全く同様にした。この第1の磁性層11の結晶粒の
成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向
は膜面内にあった。膜厚と飽和磁化との積は9μm・kA/m
であった。第1の磁性層11の酸素濃度は約15原子%で
あった。
て、それ以外は第1の実施例の場合と全く同等にして、
第6の実施例のサンプルを作製した。すなわち、第1の
磁性層11を蒸着する際の酸素導入口10からの酸素導
入量を0.6l/minとして、それ以外は、第1の実施例の場
合と全く同様にした。この第1の磁性層11の結晶粒の
成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向
は膜面内にあった。膜厚と飽和磁化との積は9μm・kA/m
であった。第1の磁性層11の酸素濃度は約15原子%で
あった。
【0037】次に、第1の比較例について説明する。高
分子基板1上に、直接、第1の実施例における第2の磁
性層を形成し、単層構造の磁気記録媒体を作製した。こ
の磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜め
に傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜め
に傾斜した方向にあった。
分子基板1上に、直接、第1の実施例における第2の磁
性層を形成し、単層構造の磁気記録媒体を作製した。こ
の磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜め
に傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜め
に傾斜した方向にあった。
【0038】次に、第2の比較例について説明する。第
2の比較例のサンプルは、第1の磁性層形成時に、酸素
導入口10からの酸素導入量を0とした以外は、第1の
実施例と全く同様にして作製した。
2の比較例のサンプルは、第1の磁性層形成時に、酸素
導入口10からの酸素導入量を0とした以外は、第1の
実施例と全く同様にして作製した。
【0039】次に、第3の比較例について説明する。第
3の比較例のサンプルは、第1の実施例における第1の
磁性層11の代わりに、非磁性のCoO膜としたもので
ある。このサンプルは、第1の実施例における第1の磁
性層11形成時に、酸素導入口10から5l/minの量の酸
素を真空槽内に導入した以外は、第1の実施例と全く同
様にして作製した。
3の比較例のサンプルは、第1の実施例における第1の
磁性層11の代わりに、非磁性のCoO膜としたもので
ある。このサンプルは、第1の実施例における第1の磁
性層11形成時に、酸素導入口10から5l/minの量の酸
素を真空槽内に導入した以外は、第1の実施例と全く同
様にして作製した。
【0040】次に、第4の比較例について説明する。図
4に示す構成で、高分子基板1を矢印6の方向に走行さ
せて、第1の磁性層を形成した。蒸発源8に蒸発物質7
としてのCoを充填して蒸着を行なった。円筒状キャン
2の直径は1mであり、その表面温度を室温とした。高
分子基板1としては膜厚6μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いた。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口10からは、2l/minの量の酸素を真空槽
内に導入した。このようにして、平均の膜堆積速度を0.
1μm/sとして、膜厚0.05μmの第1の磁性層を形成し
た。この磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対し
て斜めに傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線か
ら斜めに傾斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積
は15μm・kA/mであった。
4に示す構成で、高分子基板1を矢印6の方向に走行さ
せて、第1の磁性層を形成した。蒸発源8に蒸発物質7
としてのCoを充填して蒸着を行なった。円筒状キャン
2の直径は1mであり、その表面温度を室温とした。高
分子基板1としては膜厚6μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いた。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口10からは、2l/minの量の酸素を真空槽
内に導入した。このようにして、平均の膜堆積速度を0.
1μm/sとして、膜厚0.05μmの第1の磁性層を形成し
た。この磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対し
て斜めに傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線か
ら斜めに傾斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積
は15μm・kA/mであった。
【0041】次に、ロール5に巻き取られた第1の磁性
層の形成された高分子基板1を、矢印6の逆方向に走行
させてロール4に巻き戻した。この際に遮蔽板の開口部
をシャッター(図示されていない)により閉じておい
た。次に、第1の磁性層の形成された高分子基板1を矢
印6の方向に走行させ、第1の実施例の場合と全く同様
にして第2の磁性層12を形成した。
層の形成された高分子基板1を、矢印6の逆方向に走行
させてロール4に巻き戻した。この際に遮蔽板の開口部
をシャッター(図示されていない)により閉じておい
た。次に、第1の磁性層の形成された高分子基板1を矢
印6の方向に走行させ、第1の実施例の場合と全く同様
にして第2の磁性層12を形成した。
【0042】次に、第7の実施例について説明する。こ
れは、図2に示すような、本発明の磁気記録媒体の第2
の例である。第1の磁性層11は、第1の実施例におけ
る第1の磁性層と全く同様にして形成した。第2の磁性
層12及び第3の磁性層13は、いずれの磁性層も、膜
厚を0.05μmとした以外は、第1の実施例における第2
の磁性層と全く同様にして形成した。
れは、図2に示すような、本発明の磁気記録媒体の第2
の例である。第1の磁性層11は、第1の実施例におけ
る第1の磁性層と全く同様にして形成した。第2の磁性
層12及び第3の磁性層13は、いずれの磁性層も、膜
厚を0.05μmとした以外は、第1の実施例における第2
の磁性層と全く同様にして形成した。
【0043】次に、第8の実施例について説明する。こ
れは、図3に示すような、本発明の磁気記録媒体の第3
の例である。第8の実施例のサンプルは、第4の磁性層
以外は、第7の実施例と全く同様にして形成した。第4
の磁性層14は、第1及び第2の磁性層の形成された高
分子基板1上に、第1の磁性層11と全く同様にして形
成した。
れは、図3に示すような、本発明の磁気記録媒体の第3
の例である。第8の実施例のサンプルは、第4の磁性層
以外は、第7の実施例と全く同様にして形成した。第4
の磁性層14は、第1及び第2の磁性層の形成された高
分子基板1上に、第1の磁性層11と全く同様にして形
成した。
【0044】以上のようにして作製した磁気記録媒体を
テープ状にスリットし、センダストから成るギャップ長
0.15μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の
評価を行なった。その結果を表1に示す。再生出力は、
記録波長0.5μmの信号を記録した際の値であり、ノイズ
は、その時の0.6μmの波長に相当する周波数における値
である。すなわち、測定はテープとヘッドとの相対速度
を4.5m/sとして行ったので、記録周波数は9MHzであり、
ノイズは7.5MHzにおける値である。再生出力、ノイズと
もに、第1の実施例のサンプルを0dBとして、これに対
する相対値で表している。
テープ状にスリットし、センダストから成るギャップ長
0.15μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の
評価を行なった。その結果を表1に示す。再生出力は、
記録波長0.5μmの信号を記録した際の値であり、ノイズ
は、その時の0.6μmの波長に相当する周波数における値
である。すなわち、測定はテープとヘッドとの相対速度
を4.5m/sとして行ったので、記録周波数は9MHzであり、
ノイズは7.5MHzにおける値である。再生出力、ノイズと
もに、第1の実施例のサンプルを0dBとして、これに対
する相対値で表している。
【0045】(表1)から、本発明の第1〜第8の実施
例は、第1〜第4の比較例に比べて再生出力が高くノイ
ズは同等以下であり、高いS/Nが得られていることが
わかる。
例は、第1〜第4の比較例に比べて再生出力が高くノイ
ズは同等以下であり、高いS/Nが得られていることが
わかる。
【0046】
【表1】
【0047】第1〜第6の実施例は、第1の磁性層11
と第2の磁性層12から成る2層構造のサンプルであ
り、いずれも、比較例のサンプルよりも高い再生出力及
び同等以下のノイズとなっている。特に、第1の磁性層
11の膜厚が2nm以上で、第1の磁性層11の膜厚と飽
和磁化との積が第2の磁性層12の膜厚と飽和磁化との
積の1/3以下であり、かつ第1の磁性層11の酸素濃度
が第2の磁性層12の酸素濃度よりも高い、第1及び第
2の実施例において、最も優れた特性が得られているこ
とがわかる。
と第2の磁性層12から成る2層構造のサンプルであ
り、いずれも、比較例のサンプルよりも高い再生出力及
び同等以下のノイズとなっている。特に、第1の磁性層
11の膜厚が2nm以上で、第1の磁性層11の膜厚と飽
和磁化との積が第2の磁性層12の膜厚と飽和磁化との
積の1/3以下であり、かつ第1の磁性層11の酸素濃度
が第2の磁性層12の酸素濃度よりも高い、第1及び第
2の実施例において、最も優れた特性が得られているこ
とがわかる。
【0048】第1の実施例と第2の実施例においては、
第1の磁性層11の磁化容易軸方向が異なっている。す
なわち、前者は膜面内にあり、後者は膜面の略垂直方向
にある。しかし、いずれにおいても同等の記録再生特性
が得られている。従って、第1の磁性層の磁化容易軸方
向は、膜面内であっても膜面の略垂直方向であってもよ
い。ただし、第4の比較例のように、第1の磁性層の結
晶粒の成長方向及び磁化容易軸方向を斜め方向にする
と、高いS/Nは得られなくなる。
第1の磁性層11の磁化容易軸方向が異なっている。す
なわち、前者は膜面内にあり、後者は膜面の略垂直方向
にある。しかし、いずれにおいても同等の記録再生特性
が得られている。従って、第1の磁性層の磁化容易軸方
向は、膜面内であっても膜面の略垂直方向であってもよ
い。ただし、第4の比較例のように、第1の磁性層の結
晶粒の成長方向及び磁化容易軸方向を斜め方向にする
と、高いS/Nは得られなくなる。
【0049】第3の実施例は、第1の磁性層の膜厚が2n
m未満であるので、第1の実施例に比べ再生出力が1dB低
く、ノイズが1dB高くなっている。第4及び第5の実施
例では、第1の磁性層11の膜厚と飽和磁化との積が第
2の磁性層12の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越えて
いるので、再生出力が1〜2dB低く、ノイズが1dB高くな
っている。第6の実施例では第1の実施例に比べ、第1
の磁性層11の酸素濃度を第2の磁性層12の酸素濃度
よりも低くしているので、再生出力が2dB低く、ノイズ
が1dB高くなっている。
m未満であるので、第1の実施例に比べ再生出力が1dB低
く、ノイズが1dB高くなっている。第4及び第5の実施
例では、第1の磁性層11の膜厚と飽和磁化との積が第
2の磁性層12の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越えて
いるので、再生出力が1〜2dB低く、ノイズが1dB高くな
っている。第6の実施例では第1の実施例に比べ、第1
の磁性層11の酸素濃度を第2の磁性層12の酸素濃度
よりも低くしているので、再生出力が2dB低く、ノイズ
が1dB高くなっている。
【0050】本発明の第2の例である第7の実施例で
は、第1の実施例に比べて、斜め方向に磁化容易軸を有
する磁性層を2層にしているので、第1の実施例よりも
さらなる低ノイズが達成されている。
は、第1の実施例に比べて、斜め方向に磁化容易軸を有
する磁性層を2層にしているので、第1の実施例よりも
さらなる低ノイズが達成されている。
【0051】本発明の第3の例である第8の実施例で
は、第4の磁性層14を形成することにより、第1の実
施例よりも、さらに高出力、低ノイズが達成されてい
る。
は、第4の磁性層14を形成することにより、第1の実
施例よりも、さらに高出力、低ノイズが達成されてい
る。
【0052】以上のように、本発明の構成にすることに
より、比較例よりも優れた記録再生特性が得られる。な
お、市販のHi8方式VTR用蒸着テープに対して、第
1の実施例のサンプルは、再生出力が6dB高く、ノイズ
は1dB低い。
より、比較例よりも優れた記録再生特性が得られる。な
お、市販のHi8方式VTR用蒸着テープに対して、第
1の実施例のサンプルは、再生出力が6dB高く、ノイズ
は1dB低い。
【0053】以上では、θiを20゜、θfを-20゜に設定
してCo−Oから成る第1あるいは第4の磁性層を形成
し、θiを90゜、θfを55゜に設定してCo−Oから成る
第2あるいは第3の磁性層を形成すると、優れた記録再
生特性を有する磁気記録媒体が得られることを説明し
た。しかし、これ以外の製造条件、製造方法、組成ある
いは膜厚であっても、第1の磁性層の結晶粒の成長方向
を膜面の略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向ある
いは膜面の略垂直方向とし、第2及び第3の磁性層の結
晶粒の成長方向を膜面の法線に対して斜めに傾斜した方
向、かつ磁化容易軸を膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向とし、第4の磁性層の結晶粒の成長方向を膜面の
略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向とすることに
より、優れた記録再生特性を実現できる。
してCo−Oから成る第1あるいは第4の磁性層を形成
し、θiを90゜、θfを55゜に設定してCo−Oから成る
第2あるいは第3の磁性層を形成すると、優れた記録再
生特性を有する磁気記録媒体が得られることを説明し
た。しかし、これ以外の製造条件、製造方法、組成ある
いは膜厚であっても、第1の磁性層の結晶粒の成長方向
を膜面の略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向ある
いは膜面の略垂直方向とし、第2及び第3の磁性層の結
晶粒の成長方向を膜面の法線に対して斜めに傾斜した方
向、かつ磁化容易軸を膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向とし、第4の磁性層の結晶粒の成長方向を膜面の
略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向とすることに
より、優れた記録再生特性を実現できる。
【0054】以上では磁性層の組成として、Co−Oの
例について説明したが、これに限ったものではなく、C
o−Ni−O、Co−Fe−O、Co−Ni−Fe−O
などの組成でも、本発明の構成にすることにより、高い
再生出力が得られる。また、基板については、ポリエチ
レンテレフタレートフィルムについて説明したが、ポリ
エチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の
高分子フィルムでも全く同様であり、膜厚に限定がない
ことも言うまでもない。
例について説明したが、これに限ったものではなく、C
o−Ni−O、Co−Fe−O、Co−Ni−Fe−O
などの組成でも、本発明の構成にすることにより、高い
再生出力が得られる。また、基板については、ポリエチ
レンテレフタレートフィルムについて説明したが、ポリ
エチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の
高分子フィルムでも全く同様であり、膜厚に限定がない
ことも言うまでもない。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、高いS/Nを有する磁
気記録媒体を提供できる。
気記録媒体を提供できる。
【図1】本発明の磁気記録媒体の第1の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図2】本発明の磁気記録媒体の第2の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図3】本発明の磁気記録媒体の第3の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図4】本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するた
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図
【符号の説明】 1 高分子基板 2 円筒状キャン 3A、3B 遮蔽板 4、5 ロール 6 基板走行方向 7 蒸発物質 8 蒸発源 9 蒸発原子 10 酸素導入口 11 第1の磁性層 12 第2の磁性層 13 第3の磁性層 14 第4の磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 和也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向にあるCo基の
部分酸化膜からなる第1の磁性層が形成され、その上に
結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の
磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項2】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にあるC
o基の部分酸化膜からなる第1の磁性層が形成され、そ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾
斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる
第2の磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項3】第1の磁性層の膜厚が2nm以上であり、か
つ第1の磁性層の膜厚と飽和磁化との積が第2の磁性層
の膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることを特徴と
する請求項1または2記載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】第1の磁性層の酸素濃度が第2の磁性層の
酸素濃度よりも大なることを特徴とする請求項1〜3の
いずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向にあるCo基の
部分酸化膜からなる第1の磁性層が形成され、その上に
結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第2の
磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Co基の部分酸化膜からなる第3の磁性層が形成されて
いることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項6】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にあるC
o基の部分酸化膜からなる第1の磁性層が形成され、そ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾
斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からなる
第2の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成長
方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありか
つ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向
にあるCo基の部分酸化膜からなる第3の磁性層が形成
されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項7】第1の磁性層の膜厚が2nm以上であり、か
つ第1の磁性層の膜厚と飽和磁化との積が第2及び第3
の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であるこ
とを特徴とする請求項5または6記載の磁気記録媒体。 - 【請求項8】第1の磁性層の酸素濃度が第2及び第3の
磁性層の酸素濃度よりも大なることを特徴とする請求項
5〜7のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項9】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第1の磁
性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面の法
線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo基の
部分酸化膜からなる第2の磁性層が形成され、さらにそ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向でありかつ
磁化容易軸が膜面内方向にあるCo基の部分酸化膜から
なる第4の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
りかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第3の磁性層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項10】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂
直方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にある
Co基の部分酸化膜からなる第1の磁性層が形成され、
その上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対し
て斜めに傾斜した方向にあるCo基の部分酸化膜からな
る第2の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成
長方向が膜面の略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面
内方向にあるCo基の部分酸化膜からなる第4の磁性層
が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の
法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易軸
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるCo基
の部分酸化膜からなる第3の磁性層が形成されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項11】第1の磁性層及び第4の磁性層の膜厚が
それぞれ2nm以上であり、かつ第1及び第4の磁性層の
総膜厚と飽和磁化との積が第2及び第3の磁性層の総膜
厚と飽和磁化との積の1/3以下であることを特徴とする
請求項9または10記載の磁気記録媒体。 - 【請求項12】第1及び第4の磁性層の酸素濃度が第2
及び第3の磁性層の酸素濃度よりも大なることを特徴と
する請求項9〜11のいずれか1項に記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6268703A JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
EP95116773A EP0710950A1 (en) | 1994-11-01 | 1995-10-25 | Magnetic recording medium |
US08/548,422 US5665460A (en) | 1994-11-01 | 1995-10-26 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6268703A JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08129736A true JPH08129736A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17462206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6268703A Pending JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5665460A (ja) |
EP (1) | EP0710950A1 (ja) |
JP (1) | JPH08129736A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8116035B2 (en) | 2005-06-13 | 2012-02-14 | Tohoku University | Magnetic recording medium having a secondary recording layer made of a material having a negative crystal magnetic anisotropy and magnetic recording and reproducing apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG93828A1 (en) * | 1998-03-26 | 2003-01-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium |
US6274233B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-08-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
JP4491934B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-06-30 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
US6936353B1 (en) | 2003-07-02 | 2005-08-30 | Seagate Technology Llc | Tilted recording medium design with (101-2) orientation |
JP2005063508A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6310314A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
JPH0760482B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1995-06-28 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録方法 |
JPS63102020A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS63197026A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
EP0443478A3 (en) * | 1990-02-19 | 1992-03-11 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and method for preparing the same |
JPH03242818A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPH06150289A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-01 JP JP6268703A patent/JPH08129736A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-25 EP EP95116773A patent/EP0710950A1/en not_active Withdrawn
- 1995-10-26 US US08/548,422 patent/US5665460A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8116035B2 (en) | 2005-06-13 | 2012-02-14 | Tohoku University | Magnetic recording medium having a secondary recording layer made of a material having a negative crystal magnetic anisotropy and magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0710950A1 (en) | 1996-05-08 |
US5665460A (en) | 1997-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01158618A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH08171716A (ja) | 磁性合金及びその製造方法 | |
KR0133353B1 (ko) | 자기기록매체 및 그 제조방법 | |
JPH08129736A (ja) | 磁気記録媒体 | |
KR0185237B1 (ko) | 자기기록매체 및 그 제조방법 | |
JP2988188B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH08315346A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0475577B2 (ja) | ||
JPH06111272A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS60195737A (ja) | 磁気記録体及びその製造法 | |
JP2977618B2 (ja) | 磁気記録方法 | |
JP2006048840A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体の記録再生方法 | |
JP3248700B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61187122A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04206017A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS5933628A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH05159267A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH01303623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0729143A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH0520666A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPS62232722A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0476813A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH07121857A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH07182644A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0869608A (ja) | 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |