JPH08129505A - Ｅｅｐｒｏｍ制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＥＥＰＲＯＭに対する無駄な書換えや無駄な
処理を行うことなく、ＥＥＰＲＯＭの書込み待ち時間の
短縮、ＥＥＰＲＯＭの書込み競合の防止、ＥＥＰＲＯＭ
の書込み漏れの防止、ＥＥＰＲＯＭの書込み回数の減少
を図る。 【構成】 タスク４ａ〜４ｄは通常動作時におけるＥＥ
ＰＲＯＭ３へのアクセスをＲＡＭ２の疑似メモリ２ａへ
のアクセスに置き換えて実行する。ＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１は一定間隔でＲＡＭ２の書込み要求フラグ２ｂ
をチェックし、書込み要求があれば疑似メモリ２ａのデ
ータをＥＥＰＲＯＭ３に書込む。ＥＥＰＲＯＭ処理ルー
チン１は書込み要求がなければＥＥＰＲＯＭ３に対して
１ページずつデータチェック処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＥＥＰＲＯＭ制御装置に
関し、特に電気的に書込み及び消去自在な不揮発性メモ
リ［以下、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ
Ｅｒａｓａｂｌｅ ＆ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅ
ａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）とする］の制御方式に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＥＥＰＲＯＭを有するマイクロプロセッ
サシステムにおいて、そのＥＥＰＲＯＭに対するデータ
書込み及び読出しにはいくつかの制約がある。すなわ
ち、ＥＥＰＲＯＭのメモリはページ単位に分割されてい
るので、ＣＰＵが連続して書込めるのは同一ページ内の
データに対してだけである。その場合、別ページにデー
タを書込むには現ページへの書込み動作（以下、ライト
サイクルとする）の終了を待たなくてはならず、このラ
イトサイクルは１０ｍｓ程度である。

【０００３】また、同一ページ内でのデータ書込み時に
一定時間以内（１００μｓ程度）に次のアドレスとデー
タとを入力しないと、ライトサイクルに入ってしまう。
このライトサイクル中に書込みを行うと、その書込みデ
ータは保証されない。さらに、ＥＥＰＲＯＭへの書込み
回数には寿命があるため、ＥＥＰＲＯＭへの無駄な書込
みを避ける必要がある。

【０００４】したがって、ＥＥＰＲＯＭへの書込みに
は、図５〜図７に示すような制御が必要となる。まず、
簡単な方法としては、データを書込んだ後に（図５ステ
ップＳ１１）、ライトサイクル時間（約７〜１０ｍｓ）
が経過するのを待ち（図５ステップＳ１２，１３）、次
のステップに進む方法がある。

【０００５】この方法よりもライトサイクルの待ち時間
を減らすためには、ＥＥＰＲＯＭにページ単位に連続し
てデータを書込める機能や、最後に書込んだデータを読
出すことによってライトサイクル終了を知ることが可能
な機能がついているＥＥＰＲＯＭを使用し、書込みプロ
グラムを以下のようにすることで実現することができ
る。

【０００６】バイト単位の場合には、データを１バイト
書込んだ後に（図６ステップＳ２１）、書込みデータの
比較をデータが一致するまで続け（図６ステップＳ２
２，２３）、一致すると他のページへの書込みかを判断
する（図６ステップＳ２４）。この場合、次のデータは
ライトサイクル終了後に書込み可能となる。

【０００７】また、大量にデータを書込む場合には、ま
ず１ページ分のデータを編集し（図７ステップＳ３
１）、編集した１ページ分のデータを書込む（図７ステ
ップＳ３２）。その後に、最後に書込んだデータをＥＥ
ＰＲＯＭの読出しデータと比較し（図７ステップＳ３
３）、この比較を一致するまで続ける（図７ステップＳ
３３，３４）。その比較が一致すれば、ライトサイクル
終了として他のページへの書込みチェック（図７ステッ
プＳ３５）が可能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＥＥＰ
ＲＯＭに対する制御を、割込みやマルチタスクを利用し
たシステムに使用する場合、ＣＰＵを有効に活用するた
めに、ＥＥＰＲＯＭのライトサイクルの待ち時間を他の
タスクや割込みに解放する方法がある。

【０００９】この方法の場合、その期間中はＥＥＰＲＯ
Ｍへのアクセスが不可能であるため、ＥＥＰＲＯＭへの
データ書込み及び読出しの競合を避けるための制御が必
要となり、複雑なソフトウェアとなる。

【００１０】また、ＥＥＰＲＯＭのデータを確実に利用
するためには書込み時のライトサイクルを十分にとり、
データチェックを行わなければならないが、そのための
時間をとればとるほど他の処理への妨げとなってしま
う。

【００１１】さらに、ＥＥＰＲＯＭ上における同じペー
ジ内のデータでもプログラム上で別の場所からアクセス
される場合には夫々のライトサイクル間隔を確保するこ
とになるので、無駄な待ち時間や無駄な書込みが起きる
原因となる。

【００１２】これらの問題点を解決するために、特開平
２−８１３９８号公報ではＥＥＰＲＯＭと同じ記憶容量
のＲＡＭを用い、通常動作状態ではＲＡＭに対してアク
セスを行い、必要に応じて選択的にＲＡＭとＥＥＰＲＯ
Ｍとの間で相互にデータを転送させる方法が提案されて
いる。

【００１３】この方法では電源遮断時にＲＡＭのデータ
をＥＥＰＲＯＭに転送し、電源投入時にＥＥＰＲＯＭの
データをＲＡＭに転送したり、ＲＡＭ及びＥＥＰＲＯＭ
各々の同一アドレスのデータを読出し、それらが不一致
ならばＥＥＰＲＯＭのデータをＲＡＭのデータにしたが
って書換えたりしてＥＥＰＲＯＭに対する書換え回数を
低減させている。尚、ＥＥＰＲＯＭとＲＡＭとの間のデ
ータ転送をラッチ回路を介してワード線単位で行うこと
で、データ書換えの高速動作化を図っている。

【００１４】しかしながら、電源遮断時にＲＡＭのデー
タをＥＥＰＲＯＭに転送し、電源投入時にＥＥＰＲＯＭ
のデータをＲＡＭに転送する方法では書換えなくともよ
いデータの書換えも行われるため、ＥＥＰＲＯＭに対す
る無駄な書換えが生じてしまう。

【００１５】また、ＲＡＭ及びＥＥＰＲＯＭ各々の同一
アドレスのデータを読出し、それらが不一致ならばＥＥ
ＰＲＯＭのデータをＲＡＭのデータにしたがって書換え
る方法では、ＲＡＭ及びＥＥＰＲＯＭ各々からすべての
データを読出さなければ、どの部分で書換えず行われた
かを知ることができず、ＲＡＭ及びＥＥＰＲＯＭ各々の
全アドレスからのデータの読出しとそれらの比較とを行
わなければならず、ＥＥＰＲＯＭの書換え工数が多大に
なるととともに、ＥＥＰＲＯＭの書換えの処理時間も長
くなってしまう。

【００１６】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、ＥＥＰＲＯＭに対する無駄な書換えや無駄な処理
を行うことなく、ＥＥＰＲＯＭの書込み待ち時間の短
縮、ＥＥＰＲＯＭの書込み競合の防止、ＥＥＰＲＯＭの
書込み漏れの防止、ＥＥＰＲＯＭの書込み回数の減少を
図ることができるＥＥＰＲＯＭ制御装置を提供すること
にある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明によるＥＥＰＲＯ
Ｍ制御装置は、電気的に書込み及び消去自在な不揮発性
メモリと、前記不揮発性メモリの内容を全て記憶する記
憶領域を含む読出し書込み自在な記憶装置とを有する情
報処理装置のＥＥＰＲＯＭ制御装置であって、通常動作
時に前記不揮発性メモリへのアクセスを前記記憶領域へ
のアクセスに置き換える手段と、前記記憶領域への書込
みの有無を示す書込み要求を保持する保持手段と、予め
設定された所定周期で動作しかつ前記保持手段に前記書
込み要求が保持されているときに前記書込み要求に対応
する前記記憶領域の内容を前記不揮発性メモリに書込む
手段とを備えている。

【００１８】本発明による他のＥＥＰＲＯＭ制御装置
は、上記の構成のほかに、前記情報処理装置とは非同期
に動作しかつ前記情報処理装置に対して前記所定周期毎
に割込みを発生する手段を具備している。

【００１９】本発明による別のＥＥＰＲＯＭ制御装置
は、上記の構成のほかに、前記所定周期で動作しかつ前
記保持手段に前記書込み要求が保持されていないときに
前記不揮発性メモリのデータチェックを行う手段を具備
している。

【００２０】

【作用】通常動作時にＥＥＰＲＯＭへのアクセスを疑似
メモリへのアクセスに置き換えて実行するとともに、疑
似メモリへの書込みの有無を示す書込み要求を書込み要
求フラグに保持しておく。

【００２１】一定間隔で定時間割込みを起動するＥＥＰ
ＲＯＭ処理ルーチンが起動されたときに書込み要求が書
込み要求フラグに保持されていれば、その書込み要求に
対応する疑似メモリのデータでＥＥＰＲＯＭの対応する
データを更新する。

【００２２】これによって、ＥＥＰＲＯＭをアクセスす
るタスクや割込みルーチン等の通常処理ルーチンにとっ
ては普通のＲＡＭをアクセスするだけなので、ＥＥＰＲ
ＯＭ特有の手続きを踏まなくともＥＥＰＲＯＭに対する
データの読み書きが可能となり、ソフトウェアによる時
間管理やメモリ管理の負担が軽減される。

【００２３】また、ＥＥＰＲＯＭへのデータ書込み終了
待ちを行う必要がなくなるので、その分ＣＰＵ占有時間
のロスが無くなる。さらに、ＥＥＰＲＯＭにアクセスす
るプログラムの場所が、書込み要求フラグ内の書込み要
求の有無、あるいはベリファイカウンタの値によって限
定されるので、書込み回数のチェック等ＥＥＰＲＯＭ管
理プログラムの作成が容易となる。

【００２４】さらにまた、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチンは
ライトサイクル間隔を避けて動作するので、メモリ重複
アクセスを生ずる心配がない。この場合、ＥＥＰＲＯＭ
の１ページあたりへのアクセス間隔内にデータ書換えが
何回起きても、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチンによるそのペ
ージに対するＥＥＰＲＯＭへのアクセスが１回だけなの
で、その分ＥＥＰＲＯＭに対する書込み回数が減少す
る。

【００２５】よって、ＥＥＰＲＯＭに対する無駄な書換
えや無駄な処理を行うことなく、ＥＥＰＲＯＭの書込み
待ち時間の短縮、ＥＥＰＲＯＭの書込み競合の防止、Ｅ
ＥＰＲＯＭの書込み漏れの防止、ＥＥＰＲＯＭの書込み
回数の減少が図れる。

【００２６】

【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。

【００２７】図１は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ック図である。図において、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン
１はタスク４ａ〜４ｄとは非同期で動作し、一定間隔で
タスク４ａ〜４ｄの処理に割込みをかけて動作する。

【００２８】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はこの割込み
によって動作を開始すると、ＲＡＭ２に予め設けた書込
み要求フラグ２ｂをチェックし、書込み要求フラグ２ｂ
が立っていれば、ＲＡＭ２に予め設けた疑似メモリ２ａ
内のフラグに対応するページのデータをＥＥＰＲＯＭ３
の対応するページに書込む。

【００２９】また、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は書込
み要求フラグ２ｂが立っていなければ、ＥＥＰＲＯＭ３
に対して１ページずつデータチェック処理（ベリファイ
チェック）を行う。

【００３０】ここで、ＲＡＭ２の疑似メモリ２ａはＥＥ
ＰＲＯＭ３と同じ大きさの領域が確保されたものであ
る。また、書込み要求フラグ２ｂはＥＥＰＲＯＭ３のペ
ージ単位毎に書込み要求、つまり疑似メモリ２ａへの書
込みが行われたか否かを示す情報の有無を示すものであ
る。さらに、割込みを発生する一定間隔には使用するＥ
ＥＰＲＯＭ３のライトサイクルよりも少し長い程度の時
間が設定される。

【００３１】図２は本発明の一実施例によるＥＥＰＲＯ
Ｍ制御方法を用いたマイクロプロセッサシステムを示す
ブロック図である。図において、このマイクロプロセッ
サシステムではＣＰＵ４にＲＡＭ２と、ＥＥＰＲＯＭ３
と、ＲＯＭ５とが夫々接続されている。

【００３２】ここで、ＣＰＵ４はＲＯＭ５に格納されて
いるプログラムによって動作し、上記のＥＥＰＲＯＭ処
理ルーチン１とタスク４ａ〜４ｄとを夫々実行する。Ｃ
ＰＵ４はタスク４ａ〜４ｄを実行する通常ルーチンでＥ
ＥＰＲＯＭ３のデータをアクセスする場合、それらのア
クセスを全てＲＡＭ２内の疑似メモリ２ａへのアクセス
に置き換えて実行する。

【００３３】図３は図１のＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１
の処理動作を示すフローチャートである。これら図１〜
図３を用いてＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理動作に
ついて説明する。

【００３４】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は起動される
と、まず定時間割込みを発生し（図３ステップＳ１）、
その後にＲＡＭ２の書込み要求フラグ２ｂを参照して書
込み要求の有無をチェックする（図３ステップＳ２）。

【００３５】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は書込み要求
があれば、その書込み要求に対応するＲＡＭ２の疑似メ
モリ２ａのデータでＥＥＰＲＯＭ３の対応するページの
データを更新する（図３ステップＳ３）。ＥＥＰＲＯＭ
処理ルーチン１はＥＥＰＲＯＭ３に対するデータの更新
が終了すると、書込み要求フラグ２ｂの書込み要求を１
ページ分削除してから（図３ステップＳ４）、処理を終
了して次の割込み起動待ちとなる。

【００３６】一方、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は書込
み要求がなければ、ベリファイカウンタ（図示せず）に
よって処理するページを選択し、選択したページに対応
する疑似メモリ２ａのデータとＥＥＰＲＯＭ３のデータ
とのベリファイチェックを行う（図３ステップＳ５，
６）。

【００３７】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は選択したペ
ージに対応する疑似メモリ２ａのデータでＥＥＰＲＯＭ
３のデータを更新し（図３ステップＳ７）、ベリファイ
カウンタを更新してから（図３ステップＳ８）、処理を
終了して次の割込み起動待ちとなる。

【００３８】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから（図３ステップＳ８）、
処理を終了して次の割込み起動待ちとなる。

【００３９】図４は図２のＣＰＵ４における処理の流れ
を示すタイミング図である。図において、処理の優先順
位はＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１、タスク４ｄ、タスク
４ｃ、タスク４ｂ、タスク４ａの順番になっている。

【００４０】上記のマイクロプロセッサシステムに対し
て電源が投入されてからタスク４ａ〜４ｄが処理されて
いないときに起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン
１はまず定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２の書
込み要求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無をチェ
ックする。

【００４１】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして１ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの１ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の１ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００４２】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの１ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の１ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドを発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００４３】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００４４】次に、タスク４ａの処理中にＥＥＰＲＯＭ
処理ルーチン１が起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理ルー
チン１は定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２の書
込み要求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無をチェ
ックする。

【００４５】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして２ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの２ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の２ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００４６】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの２ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の２ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドを発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００４７】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００４８】この間、タスク４ａの処理は中断され、Ｅ
ＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理が終了すると、制御が
戻されて再開される。再開後に、タスク４ａの処理にタ
スク４ｂの処理が割込むと、タスク４ａの処理が中断さ
れ、タスク４ｂの処理が開始される。この間、ＥＥＰＲ
ＯＭ３ではＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１におけるデータ
更新によって書込みコマンドが発行されると、その書込
みコマンドによるライトサイクルに入り、タスク４ａ，
４ｂの処理と並行してライトサイクルの処理が行われ
る。

【００４９】タスク４ｂの処理中にＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１が起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１
は定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２の書込み要
求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無をチェックす
る。

【００５０】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして３ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの３ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の３ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００５１】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの３ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の３ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドを発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００５２】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００５３】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理によっ
て中断されたタスク４ｂの処理は、ＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１の処理が終了すると再開される。このタスク４
ｂの処理が終了すると、タスク４ａの処理が再開され
る。タスク４ａの処理の再開後に、タスク４ａの処理に
タスク４ｃの処理が割込むと、タスク４ａの処理が中断
され、タスク４ｃの処理が開始される。この間、ＥＥＰ
ＲＯＭ３ではＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１におけるデー
タ更新によって書込みコマンドが発行されると、その書
込みコマンドによるライトサイクルに入り、タスク４
ｂ，４ａ，４ｃの処理と並行してライトサイクルの処理
が行われる。

【００５４】タスク４ｃの処理中にＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１が起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１
は定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２の書込み要
求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無をチェックす
る。

【００５５】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして４ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの４ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の４ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００５６】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの４ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の４ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドを発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００５７】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００５８】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理によっ
て中断されたタスク４ｃの処理は、ＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１の処理が終了すると再開される。このタスク４
ｃの処理中に疑似メモリ２ａの１ページにデータの書込
みが行われると、書込み要求フラグ２ｂの１ページに対
応する位置にフラグが立つ。この間、ＥＥＰＲＯＭ３で
はＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１におけるデータ更新によ
って書込みコマンドが発行されると、その書込みコマン
ドによるライトサイクルに入り、タスク４ｃの処理と並
行してライトサイクルの処理が行われる。

【００５９】疑似メモリ２ａの１ページに対するデータ
の書込みが行われた後のタスク４ｃの処理中にＥＥＰＲ
ＯＭ処理ルーチン１が起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理
ルーチン１は定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２
の書込み要求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無を
チェックする。

【００６０】このとき、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求があるので、その書込み要求に対応する疑似
メモリ２ａの１ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の対
応する１ページ目のデータを更新する。ＥＥＰＲＯＭ処
理ルーチン１はＥＥＰＲＯＭ３に対するデータの更新の
ための書込みコマンドの発行が終了すると、書込み要求
フラグ２ｂの書込み要求を１ページ分削除してから、処
理を終了して次の割込み起動待ちとなる。

【００６１】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理によっ
て中断されたタスク４ｃの処理は、ＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１の処理が終了すると再開される。このタスク４
ｃの処理にタスク４ｄの処理が割込むと、タスク４ｃの
処理が中断され、タスク４ｄの処理が開始される。

【００６２】タスク４ｃの処理は、タスク４ｄの処理が
終了すると再開される。このタスク４ｄの処理が終了す
ると、タスク４ｃの処理が再開される。この間、ＥＥＰ
ＲＯＭ３ではＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１における１ペ
ージ目のデータ更新によって書込みコマンドが発行され
ると、その書込みコマンドのライトサイクルに入り、タ
スク４ｃ，４ｄの処理と並行してライトサイクルの処理
が行われる。

【００６３】タスク４ｃの処理中にＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１が起動されると、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１
は定時間割込みを発生し、その後にＲＡＭ２の書込み要
求フラグ２ｂを参照して書込み要求の有無をチェックす
る。

【００６４】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして５ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの５ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の５ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００６５】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの５ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の５ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドが発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００６６】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００６７】ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１の処理によっ
て中断されたタスク４ｃの処理は、ＥＥＰＲＯＭ処理ル
ーチン１の処理が終了すると再開される。このタスク４
ｃの処理が終了すると、タスク４ａの処理が再開され
る。この間、ＥＥＰＲＯＭ３ではＥＥＰＲＯＭ処理ルー
チン１におけるデータ更新によって書込みコマンドが発
行されると、その書込みコマンドのライトサイクルに入
り、タスク４ｃ，４ａの処理と並行してライトサイクル
の処理が行われる。

【００６８】タスク４ａの処理の再開後、タスク４ａの
処理中にＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１が起動されると、
ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は定時間割込みを発生し、
その後にＲＡＭ２の書込み要求フラグ２ｂを参照して書
込み要求の有無をチェックする。

【００６９】この場合、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は
書込み要求がないので、ベリファイカウンタによって処
理するページとして６ページ目を選択し、疑似メモリ２
ａの４ページ目のデータとＥＥＰＲＯＭ３の６ページ目
のデータとのベリファイチェックを行う。

【００７０】このベリファイチェックで一致しないデー
タがあれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１は疑似メモリ
２ａの４ページ目のデータでＥＥＰＲＯＭ３の６ページ
目のデータを更新するための書込みコマンドを発行し、
ベリファイカウンタを更新してから処理を終了して次の
割込み起動待ちとなる。

【００７１】また、このベリファイチェックで全てのデ
ータが一致すれば、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１はベリ
ファイカウンタを更新してから処理を終了して次の割込
み起動待ちとなる。

【００７２】このように、通常動作時にＥＥＰＲＯＭ３
へのアクセスを疑似メモリ２ａへのアクセスに置き換え
て実行するとともに、疑似メモリ２ａへの書込みの有無
を示す書込み要求を書込み要求フラグ２ｂに保持してお
き、予め設定された所定周期毎に定時間割込みを起動す
るＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１が起動されたときに書込
み要求が書込み要求フラグ２ｂに保持されていれば、そ
の書込み要求に対応する疑似メモリ２ａのデータでＥＥ
ＰＲＯＭ３の対応するデータを更新することによって、
ＥＥＰＲＯＭ３をアクセスするタスク４ａ〜４ｄや割込
みルーチン等の通常処理ルーチンにとっては普通のＲＡ
Ｍ２をアクセスするだけなので、ＥＥＰＲＯＭ３特有の
手続きを踏まなくともＥＥＰＲＯＭ３に対するデータの
読み書きが可能となり、ソフトウェアによる時間管理や
メモリ管理の負担が軽減される。

【００７３】また、ＥＥＰＲＯＭ３へのデータ書込み終
了待ちを行う必要がなくなるので、その分ＣＰＵ占有時
間のロスが無くなる。さらに、ＥＥＰＲＯＭ３にアクセ
スするプログラムの場所が、書込み要求フラグ２ｂ内の
書込み要求の有無、あるいはベリファイカウンタの値に
よって限定されるので、書込み回数のチェック等ＥＥＰ
ＲＯＭ管理プログラムの作成が容易となる。

【００７４】さらにまた、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１
はライトサイクル間隔を避けて動作するので、メモリ重
複アクセスを生ずる心配がない。この場合、ＥＥＰＲＯ
Ｍ３の１ページあたりへのアクセス間隔内にデータ書換
えが何回起きても、ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン１による
そのページに対するＥＥＰＲＯＭ３へのアクセスが１回
だけなので、その分ＥＥＰＲＯＭ３に対する書込み回数
を減少させることができる。

【００７５】よって、ＥＥＰＲＯＭ３に対する無駄な書
換えや無駄な処理を行うことなく、ＥＥＰＲＯＭ３の書
込み待ち時間の短縮、ＥＥＰＲＯＭ３の書込み競合の防
止、ＥＥＰＲＯＭ３の書込み漏れの防止、ＥＥＰＲＯＭ
３の書込み回数の減少を図ることができる。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、通
常動作時に電気的に書込み及び消去自在な不揮発性メモ
リへのアクセスを、その不揮発性メモリの内容を全て記
憶する記憶領域へのアクセスに置き換えるとともに、こ
の記憶領域への書込みの有無を示す書込み要求を保持し
ておき、予め設定された所定周期で書込み要求の有無を
チェックしたときに書込み要求が保持されていれば、そ
の書込み要求に対応する記憶領域の内容を不揮発性メモ
リに書込むことによって、ＥＥＰＲＯＭに対する無駄な
書換えや無駄な処理を行うことなく、ＥＥＰＲＯＭの書
込み待ち時間の短縮、ＥＥＰＲＯＭの書込み競合の防
止、ＥＥＰＲＯＭの書込み漏れの防止、ＥＥＰＲＯＭの
書込み回数の減少を図ることができるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】本発明の一実施例によるＥＥＰＲＯＭ制御方法
を用いたマイクロプロセッサシステムを示すブロック図
である。

【図３】図１のＥＥＰＲＯＭ処理ルーチンの処理動作を
示すフローチャートである。

【図４】図２のＣＰＵにおける処理の流れを示すタイミ
ング図である。

【図５】従来例によるＥＥＰＲＯＭの制御動作を示すフ
ローチャートである。

【図６】従来例によるＥＥＰＲＯＭの制御動作を示すフ
ローチャートである。

【図７】従来例によるＥＥＰＲＯＭの制御動作を示すフ
ローチャートである。

【符号の説明】

１ ＥＥＰＲＯＭ処理ルーチン ２ ＲＡＭ ２ａ 疑似メモリ ２ｂ 書込み要求フラグ ３ ＥＥＰＲＯＭ ４ａ〜４ｄ タスク

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に書込み及び消去自在な不揮発性
   メモリと、前記不揮発性メモリの内容を全て記憶する記
   憶領域を含む読出し書込み自在な記憶装置とを有する情
   報処理装置のＥＥＰＲＯＭ制御装置であって、通常動作
   時に前記不揮発性メモリへのアクセスを前記記憶領域へ
   のアクセスに置き換える手段と、前記記憶領域への書込
   みの有無を示す書込み要求を保持する保持手段と、予め
   設定された所定周期で動作しかつ前記保持手段に前記書
   込み要求が保持されているときに前記書込み要求に対応
   する前記記憶領域の内容を前記不揮発性メモリに書込む
   手段とを有することを特徴とするＥＥＰＲＯＭ制御装
   置。
2. 【請求項２】 前記情報処理装置とは非同期に動作しか
   つ前記情報処理装置に対して前記所定周期毎に割込みを
   発生する手段を含むことを特徴とする請求項１記載のＥ
   ＥＰＲＯＭ制御装置。
3. 【請求項３】 前記所定周期で動作しかつ前記保持手段
   に前記書込み要求が保持されていないときに前記不揮発
   性メモリのデータチェックを行う手段を含むことを特徴
   とする請求項１または請求項２記載のＥＥＰＲＯＭ制御
   装置。