JPH08125936A - Image pickup signal defect detection and correction device - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To efficiently and effectively utilize detect pixel data by inhibiting the defect detection from being performed corresponding to defect correction instruction signals outputted by a timing signal formation part where the address of the defect part of image pickup signals detected beforehand is stored. CONSTITUTION: The address of the defect part of the image pickup signals passed through an A/D conversion part 31 and detected beforehand at the time of manufacture by a solid-state image pickup part 10 or the like is stored in the timing signal formation part 26. Then, when the address of the image pickup signals from the A/D conversion part 31 matches with the address of the defect part, the timing signal formation part 26 outputs first defect correction signals CX and sets a defect detection part 35 to a state for not detecting defects and the image pickup signals are corrected in a defect correction part 32 corresponding to the first defect correction signals CX. At the time of detecting the defects of the other image pickup signals, similar correction is performed by second defect correction signals CD outputted by the defect detection part 35, the defect pixel data are efficiently and effectively utilized and the useless consumption of a memory capacity is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の画素が配列配置
されて成る撮像面形成部を備えた撮像部からの撮像信号
に含まれる、撮像面形成部における欠陥画素からの出力
信号に基づく欠陥部分を検出するとともに、欠陥部分を
含んだ撮像信号に対して欠陥補正を施す、撮像信号欠陥
検出及び補正装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is based on an output signal from a defective pixel in an image pickup surface forming unit included in an image pickup signal from an image pickup unit having an image pickup surface forming unit having a plurality of pixels arranged in an array. The present invention relates to an image pickup signal defect detection and correction device that detects a defective portion and performs defect correction on an image pickup signal including the defective portion.

【０００２】[0002]

【従来の技術】映像信号を形成するビデオカメラ等を構
成すべく用いられる固体撮像部は、半導体基体に、光電
変換を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列形
成されるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送す
る電荷結合素子（ＣＣＤ）等で形成された電荷転送領域
が設けられて成る撮像面形成部を備えたものとされる。
このような固体撮像部における撮像面形成部は、その製
造過程において極めて多数の画素の全てが適正に機能す
るものとなるようにされることは容易ではなく、例え
ば、半導体の局部的な結晶欠陥等に起因して異常な動作
を行うことになる欠陥画素が含まれるものとなり易い。
また、固体撮像部が実際の使用に供された後において
も、静電破壊等に起因して、部分的に欠陥画素を含むも
のとされてしまう虞もある。2. Description of the Related Art In a solid-state image pickup section used to form a video camera for forming a video signal, a large number of pixels for photoelectric conversion are formed in a parallel array on a semiconductor substrate, and The image pickup surface forming unit is provided with a charge transfer region formed of a charge coupled device (CCD) or the like for transferring the signal charge obtained in each pixel.
It is not easy for the image pickup surface forming unit in such a solid-state image pickup unit to have all of a very large number of pixels properly function in the manufacturing process thereof. It is likely that defective pixels will be included due to abnormal operation.
Further, even after the solid-state imaging unit is actually used, there is a possibility that the defective pixels may be partially included due to electrostatic breakdown or the like.

【０００３】そして、欠陥画素を含む撮像面形成部を備
えるものとされた固体撮像部が使用される場合には、そ
の撮像面形成部における画素の各々からの出力信号につ
いての、画素が形成する多数の並行列のうちの選択され
たものとされる読出列に従ったサンプリング読出しが行
われ、それにより順次得られる撮像信号中に、欠陥画素
からの出力信号がノイズ成分として混入して、撮像信号
の欠陥部分を形成することになるので、固体撮像部から
の撮像信号が供給されてそれに基づく撮像出力信号を形
成する信号処理回路部において、斯かる欠陥画素に起因
する撮像信号の欠陥部分に対する処置、即ち、欠陥補正
が行われることが要求される。When a solid-state image pickup section having an image pickup plane forming section including defective pixels is used, the pixel forms an output signal from each pixel in the image pickup plane forming section. Sampling / reading is performed according to the selected read-out column of a large number of parallel columns, and the output signal from the defective pixel is mixed as a noise component in the image-captured signal sequentially obtained by this, and image pickup is performed. Since the defective portion of the signal is formed, in the signal processing circuit portion which is supplied with the image pickup signal from the solid-state image pickup portion and forms the image pickup output signal based on the signal, the defective portion of the image pickup signal caused by the defective pixel is detected. Treatment, that is, defect correction is required to be performed.

【０００４】それゆえ、固体撮像部に備えられる撮像面
形成部にあっては、その製造工程中における各画素が適
正に作動すべき状態とされた段階において、それに含ま
れる欠陥画素を検出してその位置を特定するためのテス
トが行われ、そのテストにより判明した欠陥画素の撮像
面形成部における位置を、例えば、撮像面形成部上にお
いて多数の画素により形成される並行列の夫々を特定す
る垂直方向アドレス及び並行列の各々における画素の夫
々を特定する水平方向アドレスをもってあらわす欠陥画
素データが格納されたリード・オンリー・メモリ（ＲＯ
Ｍ）が用意され、その欠陥画素データが格納されたＲＯ
Ｍを伴うものとされるようになすことが提案されてい
る。このように、欠陥画素データが格納されたＲＯＭを
伴うものとされた撮像面形成部は、実際の使用に供され
るにあたっては、それにおける画素の各々からの出力信
号に基づいて得られる、欠陥画素に起因する欠陥部分を
含んだ撮像信号に対して、ＲＯＭから読み出された欠陥
画素データに基づいて得られる欠陥補正指示信号に応じ
た欠陥補正が施され、それにより、撮像信号における欠
陥部分の除去あるいは低減が図られるものとされること
になる。Therefore, in the image pickup surface forming section provided in the solid-state image pickup section, a defective pixel included in the image pickup surface forming section is detected at a stage in which each pixel is in a proper operating state during its manufacturing process. A test for specifying the position is performed, and the position of the defective pixel found by the test in the imaging surface forming unit is specified, for example, each of parallel rows formed by a large number of pixels on the imaging surface forming unit. A read-only memory (RO) storing defective pixel data represented by a vertical address and a horizontal address that identifies each pixel in each of the parallel columns.
M) is prepared and the defective pixel data is stored in the RO
It has been proposed to do so with M. As described above, the imaging surface forming unit, which is associated with the ROM in which the defective pixel data is stored, has a defect which is obtained based on the output signal from each of the pixels in the actual use. Defect correction according to a defect correction instruction signal obtained based on defective pixel data read from a ROM is performed on an image pickup signal including a defective portion caused by a pixel, and thereby a defective portion in the image pickup signal is obtained. Will be eliminated or reduced.

【０００５】しかしながら、上述の如くに、固体撮像部
に備えられる撮像面形成部における画素の各々からの出
力信号に基づいて得られる撮像信号に含まれた欠陥画素
に起因する欠陥部分に対して、当該撮像面形成部が伴う
ＲＯＭから読み出される欠陥画素データに基づいて得ら
れる欠陥補正指示信号に応じた欠陥補正を施すようにな
す対処は、撮像面形成部の製造過程において発生した欠
陥画素に関しては有効であるが、撮像面形成部が実際の
使用に供された後において、例えば、静電破壊等に起因
して生じた欠陥画素に対しては、効力を発揮することは
できない。However, as described above, with respect to the defective portion caused by the defective pixel included in the image pickup signal obtained based on the output signal from each of the pixels in the image pickup surface forming portion provided in the solid-state image pickup portion, The countermeasure to be taken to perform the defect correction in accordance with the defect correction instruction signal obtained based on the defective pixel data read from the ROM associated with the image pickup surface forming unit is as to the defective pixel generated in the manufacturing process of the image pickup surface forming unit. Although effective, the effect cannot be exerted on defective pixels caused by, for example, electrostatic breakdown after the imaging surface forming unit is actually used.

【０００６】そこで、このような問題に対処すべく、本
願の出願人によって先に出願された特願平5-307477号に
記載されている如くの、固体撮像部における実際の撮像
動作に先立って、撮像面形成部に配列配置された複数の
画素の夫々からの出力信号に基づいて形成される撮像信
号に含まれる、欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部
分を検出するとともに、撮像面形成部における各画素を
特定するアドレスデータのうちの検出された欠陥部分の
原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレ
スデータをメモリ手段に格納する動作を行い、固体撮像
部における実際の撮像動作が行なわれる際に、メモリ手
段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮
像信号についての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補
正指示信号を送出するものとされる撮像信号欠陥検出及
び補正装置が提案されている。Therefore, in order to deal with such a problem, prior to the actual image pickup operation in the solid-state image pickup unit as described in Japanese Patent Application No. 5-307477 previously filed by the applicant of the present application. The imaging surface forming unit detects the defective portion based on the output signal from the defective pixel included in the imaging signal formed based on the output signal from each of the plurality of pixels arranged in the imaging surface forming unit. In the solid-state image pickup unit, an actual image pickup operation is performed by performing an operation of storing defective address data corresponding to a defective pixel causing a detected defective portion in the address data specifying each pixel in the memory means, When the defect correction instruction signal is performed, the defect correction instruction signal is sent to the defect correction unit that corrects the defect of the image pickup signal based on the defect address data read from the memory means. Imaging signal defect detection and correction apparatus is proposed that is things.

【０００７】斯かる撮像信号欠陥検出及び補正装置によ
れば、固体撮像部から得られる撮像信号に基づいて、撮
像面形成部における欠陥画素の検出及びその位置の特定
が、撮像面形成部が実際の使用に供された後において生
じた欠陥画素も含めて、適宜、容易かつ確実に行われる
とともにその結果が保存され、その後においては、検出
された欠陥画素に起因する撮像信号の欠陥部分の補正
が、保存された欠陥画素の位置の特定結果に基づくタイ
ミング設定がなされるもとで、適正に行われることにな
る。According to such an image pickup signal defect detection and correction device, the image pickup plane forming unit actually detects the defective pixel in the image pickup plane forming unit and specifies its position based on the image pickup signal obtained from the solid-state image pickup unit. Including the defective pixels that have occurred after being used, the result is saved and the result is saved, and after that, the defective portion of the imaging signal caused by the detected defective pixel is corrected. However, it is properly performed under the timing setting based on the stored result of specifying the position of the defective pixel.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述の如くの、固体撮
像部から得られる撮像信号における欠陥部分の検出及び
検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのメ
モリ手段への格納を行うとともに、メモリ手段から読み
出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号につ
いての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正指示信号
を送出するものとされる撮像信号欠陥検出及び補正装置
にあっては、それが適用される固体撮像部の撮像面形成
部が、例えば、その製造過程において行われたテストに
より判明した欠陥画素についての欠陥画素データが、Ｒ
ＯＭに格納されたもの等として、それに付随するものと
される場合、撮像面形成部に付随する欠陥画素データに
より特定されている欠陥画素の検出が、固体撮像部から
得られる撮像信号に基づいて再度行われ、その欠陥画素
を特定する、撮像面形成部に付随する欠陥画素データと
同一のものとされる欠陥アドレスデータが、メモリ手段
に格納されることになる。As described above, the defective portion in the image pickup signal obtained from the solid-state image pickup portion is detected, and the defective address data corresponding to the detected defective portion is stored in the memory means. In the image pickup signal defect detection and correction device, which transmits a defect correction instruction signal to a defect correction section that performs defect correction on the image pickup signal based on the defect address data read from the means, If the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit to be applied is, for example, defective pixel data about a defective pixel found by a test performed in the manufacturing process, R
When the OM is stored in the OM or the like, the defective pixel specified by the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit is detected based on the imaging signal obtained from the solid-state imaging unit. It is carried out again, and the defective address data that specifies the defective pixel and is the same as the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit is stored in the memory means.

【０００９】即ち、撮像面形成部に付随する欠陥画素デ
ータにより特定されている欠陥画素については、重複し
た検出がなされ、その欠陥画素を特定する欠陥画素デー
タが既に撮像面形成部に付随するものとされているにも
かからず、その欠陥画素を特定する欠陥アドレスデータ
がメモリ手段に格納されることになるのである。このよ
うな撮像面形成部に付随する欠陥画素データと同一の欠
陥アドレスデータのメモリ手段における格納は、撮像面
形成部に付随する欠陥画素データが利用されるもとでは
不要であり、さらに、メモリ容量の制約上、メモリ手段
に格納される欠陥アドレスデータの数が制限されること
を考慮すると、メモリ手段のメモリ容量を無駄に消費し
ていることになる。That is, the defective pixel specified by the defective pixel data attached to the image pickup surface forming unit is detected redundantly, and the defective pixel data specifying the defective pixel is already attached to the image pickup surface forming unit. However, the defective address data for specifying the defective pixel is stored in the memory means. The storage of the same defective address data as the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit in the memory means is not necessary under the use of the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit. Considering that the number of defective address data stored in the memory means is limited due to the capacity limitation, it means that the memory capacity of the memory means is wasted.

【００１０】また、このようなもとでは、撮像面形成部
に付随するものとされた欠陥画素データに基づいて得ら
れる欠陥補正指示信号に応じた欠陥補正は、固体撮像部
からの撮像信号に基づいて検出されたが、その検出結果
が、メモリ容量の制約上、メモリ手段に格納されないこ
とになる欠陥画素に起因する撮像信号の欠陥部分に対し
てのみ有効に作用するに過ぎないことになってしまう。Further, under such a condition, the defect correction in accordance with the defect correction instruction signal obtained based on the defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit is performed by the image pickup signal from the solid-state image pickup unit. However, the detection result is effective only for the defective portion of the image pickup signal caused by the defective pixel which is not stored in the memory means due to the memory capacity limitation. Will end up.

【００１１】斯かる点に鑑み、本発明は、撮像部から得
られる撮像信号における欠陥部分の検出及び検出された
欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのメモリ手段へ
の格納を行うとともに、メモリ手段から読み出された欠
陥アドレスデータに基づいて、撮像信号についての欠陥
補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正指示信号を送出する
にあたり、撮像部の撮像面形成部が、例えば、その製造
過程において行われたテストにより判明した欠陥画素に
ついての予め得られた欠陥画素データが付随するもので
ある場合、撮像面形成部に付随する欠陥画素データによ
り特定されている欠陥画素についての重複検出を回避し
て、撮像面形成部に付随する欠陥画素データを効率よく
有効利用することができ、かつ、メモリ手段のメモリ容
量の無駄な消費がまねかれる事態を防止することができ
る、撮像信号欠陥検出及び補正装置を提供することを目
的とする。In view of the above point, the present invention detects a defective portion in an image pickup signal obtained from an image pickup unit and stores defective address data corresponding to the detected defective portion in a memory means, and at the same time, from the memory means. When the defect correction instruction signal is sent to the defect correction unit that performs the defect correction on the image pickup signal based on the read defect address data, the image pickup surface forming unit of the image pickup unit is used, for example, in its manufacturing process. If the previously obtained defective pixel data about the defective pixel found by the test is attached, the duplicate detection is avoided for the defective pixel specified by the defective pixel data attached to the imaging surface forming unit, and the imaging is performed. Defective pixel data associated with the surface forming unit can be efficiently and effectively used, and the memory capacity of the memory means is wasted. It is possible to prevent it withers situation, and an object thereof is to provide an imaging signal defect detection and correction system.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成すべ
く、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置は、複
数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を有した撮
像部からの撮像信号に含まれる、撮像面形成部における
欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出する信
号欠陥検出部と、信号欠陥検出部により欠陥部分が検出
されるとき、撮像面形成部における各画素を特定するア
ドレスデータのうちの、欠陥部分の原因をなす欠陥画素
に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納する
データメモリ手段と、データメモリ手段における欠陥ア
ドレスデータの格納状態についての制御を行う欠陥デー
タ格納制御部とに加えて、撮像部から撮像面形成部にお
ける欠陥画素のうちの予め検知されているものからの出
力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得ら
れるとき、第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号
送出部と、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号
が送出されるとき、信号欠陥検出部による撮像信号に含
まれる欠陥部分の検出、もしくは、データメモリ手段に
おける欠陥アドレスデータの格納が、実質的に行われな
い状態となす欠陥検出制御部とを備え、さらに、データ
メモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づ
いて、第２の欠陥補正指示信号を形成する指示信号形成
部と、第１及び第２の欠陥補正指示信号を撮像信号に対
する欠陥補正部に供給する指示信号供給部とが設けられ
て構成される。In order to achieve the above object, an image pickup signal defect detecting and correcting apparatus according to the present invention is provided with an image pickup section having an image pickup surface forming section in which a plurality of pixels are arranged. A signal defect detection unit that detects a defective portion based on an output signal from a defective pixel in the image pickup surface formation unit included in the image pickup signal, and each pixel in the image pickup surface formation unit when the defective portion is detected by the signal defect detection unit Of the address data for specifying the defective address data, which stores the defective address data corresponding to the defective pixel causing the defective portion, and the storage state of the defective address data in the data memory means. In addition to the defect data storage control unit, one based on an output signal from a defective pixel detected in advance from the image pickup unit in the image pickup plane forming unit When a defective portion of the image pickup signal is obtained, a control signal transmitting section for transmitting a first defect correction instruction signal, and a signal defect detecting section for transmitting the first defect correction instruction signal from the control signal transmitting section And a defect detection control unit that makes it impossible to detect a defective portion included in the image pickup signal or store defective address data in the data memory means, and further read from the data memory means. An instruction signal forming unit that forms a second defect correction instruction signal based on the defect address data, and an instruction signal supply unit that supplies the first and second defect correction instruction signals to the defect correction unit for the imaging signal. It is provided and configured.

【００１３】[0013]

【作用】このように構成される本発明に係る撮像信号欠
陥検出及び補正装置においては、信号欠陥検出部に撮像
信号を供給する撮像部が、その撮像面形成部に予め得ら
れた欠陥画素データが付随するものとされる場合、信号
欠陥検出部により、撮像部からの撮像信号に含まれる、
撮像部の撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号
に基づく欠陥部分の検出が行われるとともに、検出され
た欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応する欠陥アドレ
スデータが、欠陥データ格納制御部による制御のもと
に、データメモリ手段に格納される際には、撮像部から
撮像面形成部における予め検知されている欠陥画素、即
ち、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定
される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮
像信号の欠陥部分が得られるとき、それに対応して、制
御信号送出部から撮像面形成部に付随する欠陥画素デー
タに基づく第１の欠陥補正指示信号が送出される。In the image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention having the above-described structure, the image pickup unit which supplies the image pickup signal to the signal defect detection unit has defective pixel data obtained in advance in the image pickup plane forming unit. Is included in the image pickup signal from the image pickup unit by the signal defect detection unit,
The defective portion is detected based on the output signal from the defective pixel in the imaging surface forming unit of the imaging unit, and the defective address data corresponding to the defective pixel causing the detected defective portion is detected by the defective data storage control unit. Under the control, when stored in the data memory means, a defective pixel detected in advance from the image pickup unit in the image pickup surface forming unit, that is, a defect specified by defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit. When the defective portion of the image pickup signal based on the output signal from the pixel is obtained, the first defect correction instruction signal based on the defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit from the control signal sending unit when the defective portion is obtained. Is sent.

【００１４】そして、制御信号送出部から第１の欠陥補
正指示信号が送出されると、それに応じて、信号欠陥検
出部による撮像信号に含まれる欠陥部分の検出、もしく
は、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格
納が実質的に行われない状態とされ、それにより、撮像
面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠
陥画素についての重複検出が回避されることになる。従
って、データメモリ手段には、撮像面形成部における欠
陥画素のうちの、撮像面形成部に付随する欠陥画素デー
タにより特定されないものについての検出結果が格納さ
れることになり、データメモリ手段のメモリ容量の無駄
な消費がまねかれる事態が防止される。When the first defect correction instruction signal is sent from the control signal sending unit, the signal defect detecting unit detects the defective portion included in the image pickup signal or the defective address in the data memory means in response thereto. The storage of the data is substantially not performed, thereby avoiding duplicate detection for the defective pixel specified by the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit. Therefore, the data memory means stores the detection result of the defective pixels in the imaging surface forming unit that are not specified by the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit, and the memory of the data memory means is stored. The situation that wasteful consumption of capacity is mimicked is prevented.

【００１５】その後、欠陥補正部により撮像部からの撮
像信号に対する欠陥補正が行われる際には、撮像部か
ら、データメモリ手段に格納された欠陥アドレスデータ
によって特定される欠陥画素からの出力信号に基づくも
のとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、指示信
号形成部により、データメモリ手段から読み出された欠
陥アドレスデータに基づいて第２の欠陥補正指示信号が
形成され、その第２の欠陥補正指示信号が指示信号供給
部により欠陥補正部に供給される。また、撮像部から、
撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定され
る欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信
号の欠陥部分が得られるとき、制御信号送出部から撮像
面形成部に付随する欠陥画素データに基づく第１の欠陥
補正指示信号が送出され、その第１の欠陥補正指示信号
が指示信号供給部により欠陥補正部に供給される。After that, when the defect correction unit performs defect correction on the image pickup signal from the image pickup unit, the image pickup unit outputs an output signal from the defective pixel specified by the defect address data stored in the data memory means. When the defective portion of the imaging signal to be based is obtained, the instruction signal forming unit forms the second defect correction instruction signal based on the defect address data read from the data memory means, and the second defect correction instruction signal is formed. The defect correction instruction signal is supplied to the defect correction unit by the instruction signal supply unit. In addition, from the imaging unit,
When the defective portion of the image pickup signal based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data attached to the image pickup surface forming unit is obtained, the defective pixel attached to the image pickup surface forming unit from the control signal sending unit A first defect correction instruction signal based on the data is transmitted, and the first defect correction instruction signal is supplied to the defect correction section by the instruction signal supply section.

【００１６】欠陥補正部にあっては、第２の欠陥補正指
示信号が供給されるとき、その第２の欠陥補正指示信号
に応じての撮像信号に対する欠陥補正が行われ、また、
第１の欠陥補正指示信号が供給されるときには、その第
１の欠陥補正指示信号に応じての撮像信号に対する欠陥
補正が行われる。従って、撮像面形成部に付随する欠陥
画素データが効率よく有効利用されることになる。In the defect correction section, when the second defect correction instruction signal is supplied, the defect correction is performed on the image pickup signal according to the second defect correction instruction signal, and
When the first defect correction instruction signal is supplied, the defect correction is performed on the image pickup signal according to the first defect correction instruction signal. Therefore, the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit can be efficiently and effectively used.

【００１７】[0017]

【実施例】図１は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び
補正装置の一例を、それが適用されたビデオカメラが備
える固体撮像部，光学系等と共に示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example of an image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention, together with a solid-state image pickup section, an optical system and the like included in a video camera to which it is applied.

【００１８】図１に示される構成においては、光電変換
を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列配置さ
れるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送するＣ
ＣＤにより形成された電荷転送領域が設けられて成る撮
像面形成部を備えるものとされた固体撮像部１０が備え
られている。固体撮像部１０の前方には、レンズ・シス
テム１１及び絞り機構１２を含んで構成される光学系が
配されており、この光学系は、固体撮像部１０が有する
撮像面形成部に、撮像対象像を投影する。In the configuration shown in FIG. 1, a large number of pixels that perform photoelectric conversion are arranged in a plurality of parallel columns and arranged, and C that transfers the signal charge obtained in each pixel.
The solid-state image pickup unit 10 is provided which is provided with an image pickup surface forming unit including a charge transfer region formed of a CD. An optical system including a lens system 11 and a diaphragm mechanism 12 is arranged in front of the solid-state image pickup unit 10. This optical system is provided in an image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 for image pickup. Project an image.

【００１９】固体撮像部１０は、例えば、図２に示され
る如くの撮像面形成部を有した、インターライン転送型
のものとなされる。図２に示される撮像面形成部におい
ては、半導体基体１３上に、各々が個々の画素を構成す
る多数の光電変換素子部１５が、多数の水平方向（矢印
ｈの方向）に伸びる並行列（画素水平列）を形成するも
のとされて配列配置されている。多数の画素水平列の夫
々を形成する光電変換素子部１５は、また、多数の垂直
方向（矢印ｖの方向）に伸びる並行列（画素垂直列）を
も形成しており、このような光電変換素子部１５が形成
する各画素垂直列に沿って、ＣＣＤ群により形成された
垂直電荷転送部１６が配されている。各垂直電荷転送部
１６は、例えば、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφ
Ｖ２により駆動されて電荷転送動作を行う。The solid-state image pickup section 10 is of an interline transfer type having an image pickup surface forming section as shown in FIG. In the imaging surface forming portion shown in FIG. 2, a large number of photoelectric conversion element portions 15 each of which constitutes an individual pixel are arranged in parallel rows (horizontal rows (direction of arrow h)) on the semiconductor substrate 13. Pixel horizontal columns) are arranged and arranged. The photoelectric conversion element portion 15 forming each of a large number of pixel horizontal columns also forms a large number of parallel columns (pixel vertical columns) extending in the vertical direction (direction of arrow v). A vertical charge transfer unit 16 formed of a CCD group is arranged along each pixel vertical column formed by the element unit 15. Each of the vertical charge transfer units 16 has, for example, two-phase vertical transfer drive signals φV1 and φV1.
It is driven by V2 to perform a charge transfer operation.

【００２０】各画素垂直列を形成する複数の光電変換素
子部１５の夫々とその垂直列に対応する垂直電荷転送部
１６との間には、電荷読出ゲート部１７が設けられてい
る。そして、電荷読出ゲート部１７は、画素水平列のう
ちの奇数番目のもの（奇数画素水平列）を形成する光電
変換素子部１５に関わるものが、読出ゲート駆動信号φ
ＧＯによって電荷読出状態をとるものとされ、また、画
素水平列のうちの偶数番目のもの（偶数画素水平列）を
形成する光電変換素子部１５に関わるものが、読出ゲー
ト駆動信号φＧＥによって電荷読出状態をとるものとさ
れる。A charge read gate section 17 is provided between each of the plurality of photoelectric conversion element sections 15 forming a vertical column of each pixel and the vertical charge transfer section 16 corresponding to the vertical column. In the charge read gate section 17, the read gate drive signal φ is associated with the photoelectric conversion element section 15 forming an odd-numbered pixel horizontal row (an odd pixel horizontal row).
The charge read state is set by GO, and the charge conversion is performed by the read gate drive signal φGE for the photoelectric conversion element portion 15 forming an even-numbered pixel horizontal column (even pixel horizontal column). It is assumed to be in a state.

【００２１】複数の垂直電荷転送部１６の夫々の一端部
側は、半導体基体１３の端縁部において、ＣＣＤ群によ
り形成されて水平方向に伸びるものとされた水平電荷転
送部１８に連結されている。水平電荷転送部１８は、例
えば、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２により
駆動されて電荷転送動作を行う。そして、水平電荷転送
部１８には、電荷出力部１９が設けられており、電荷出
力部１９からは出力端子２０が導出されている。One end side of each of the plurality of vertical charge transfer units 16 is connected to a horizontal charge transfer unit 18 formed by a group of CCDs and extending in the horizontal direction at the edge of the semiconductor substrate 13. There is. The horizontal charge transfer unit 18 is driven by, for example, two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 to perform a charge transfer operation. Further, the horizontal charge transfer section 18 is provided with a charge output section 19, and an output terminal 20 is derived from the charge output section 19.

【００２２】このような図２に示される撮像面形成部を
有した固体撮像部１０において撮像動作が行われる際に
は、先ず、所定の受光期間が設定され、その受光期間に
おいて、レンズ・システム１１及び絞り機構１２を含ん
で構成される光学系により、撮像対象像が投影される。
それにより、受光期間において、各々が画素を構成する
複数の光電変換素子部１５の夫々が、撮像対象像に応じ
た光電変換を行って電荷を蓄積する。When an image pickup operation is performed in the solid-state image pickup section 10 having the image pickup surface forming section shown in FIG. 2, first, a predetermined light receiving period is set, and in the light receiving period, the lens system is set. An imaging target image is projected by an optical system including 11 and a diaphragm mechanism 12.
As a result, in the light receiving period, each of the plurality of photoelectric conversion element units 15 each forming a pixel performs photoelectric conversion according to the image to be captured and accumulates charges.

【００２３】その後、第１の電荷読出期間において、駆
動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形
成部に供給される読出ゲート駆動信号φＧＯによって、
奇数画素水平列を形成する光電変換素子部１５に関わる
電荷読出ゲート部１７の夫々が電荷読出状態をとるもの
とされ、電荷読出状態をとる電荷読出ゲート部１７の夫
々を通じて、それに対応する光電変換素子部１５に蓄積
された電荷が対応する垂直電荷転送部１６に読み出され
る。続いて、第１の電荷読出期間に続く第１の電荷転送
期間において、各垂直電荷転送部１６に読み出された電
荷が、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における
撮像面形成部に供給される、２相の垂直転送駆動信号φ
Ｖ１及びφＶ２によって駆動される各垂直電荷転送部１
６の電荷転送動作により、各奇数画素水平列を形成する
複数の光電変換素子部１５により得られた分宛、順次、
水平電荷転送部１８に向けて転送されていく。Thereafter, in the first charge read period, the read gate drive signal φGO supplied from the drive signal forming section 25 to the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 causes
Each of the charge read gate sections 17 related to the photoelectric conversion element section 15 forming the odd-numbered pixel horizontal column is assumed to be in the charge read state, and the photoelectric conversion corresponding to each of the charge read gate sections 17 taking the charge read state is performed. The charges accumulated in the element unit 15 are read out to the corresponding vertical charge transfer unit 16. Subsequently, in the first charge transfer period subsequent to the first charge read period, the charges read to each vertical charge transfer unit 16 are supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10. 2-phase vertical transfer drive signal φ
Each vertical charge transfer unit 1 driven by V1 and φV2
By the charge transfer operation of 6, the portions obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each odd pixel horizontal column are sequentially addressed,
The charges are transferred toward the horizontal charge transfer unit 18.

【００２４】そして、水平電荷転送部１８においては、
駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面
形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及
びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転
送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、
奇数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部
１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送さ
れる。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８
により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子
２０に導出される。In the horizontal charge transfer section 18,
By the charge transfer operation performed by being driven by the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 supplied from the drive signal forming unit 25 to the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, the horizontal charge transfer unit 18 is sequentially operated. Transferred,
The charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming one of the odd-numbered pixel horizontal columns are transferred to the charge output unit 19. In the charge output unit 19, the horizontal charge transfer unit 18
The charges transferred by are sequentially converted into signals and led to the output terminal 20.

【００２５】次に、第１の電荷転送期間に続く第２の電
荷読出期間において、駆動信号形成部２５から固体撮像
部１０における撮像面形成部に供給される読出ゲート駆
動信号φＧＥによって、偶数画素水平列を形成する光電
変換素子部１５に関わる電荷読出ゲート部１７の夫々が
電荷読出状態をとるものとされ、電荷読出状態をとる電
荷読出ゲート部１７の夫々を通じて、それに対応する光
電変換素子部１５に蓄積された電荷が対応する垂直電荷
転送部１６に読み出される。続いて、第２の電荷読出期
間に続く第２の電荷転送期間において、各垂直電荷転送
部１６に読み出された電荷が、駆動信号形成部２５から
固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２
相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２によって駆動さ
れる各垂直電荷転送部１６の電荷転送動作により、各偶
数画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１５によ
り得られた分宛、順次、水平電荷転送部１８に向けて転
送されていく。Next, in the second charge read period following the first charge transfer period, the read gate drive signal φGE supplied from the drive signal formation unit 25 to the image pickup surface formation unit of the solid-state image pickup unit 10 causes the even-numbered pixels. Each of the charge read gate sections 17 associated with the photoelectric conversion element sections 15 forming a horizontal column is assumed to be in a charge read state, and the corresponding photoelectric conversion element section is provided through each of the charge read gate sections 17 in the charge read state. The charges accumulated in 15 are read out to the corresponding vertical charge transfer unit 16. Subsequently, in the second charge transfer period subsequent to the second charge read period, the charges read by each vertical charge transfer unit 16 are supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10. Will be 2
By the charge transfer operation of each vertical charge transfer unit 16 driven by the vertical transfer drive signals φV1 and φV2 of the phase, the portions obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each even pixel horizontal column are sequentially addressed, horizontally, and horizontally. The charge is transferred toward the charge transfer unit 18.

【００２６】そして、水平電荷転送部１８においては、
駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面
形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及
びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転
送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、
偶数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部
１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送さ
れる。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８
により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子
２０に導出される。Then, in the horizontal charge transfer section 18,
By the charge transfer operation performed by being driven by the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 supplied from the drive signal forming unit 25 to the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, the horizontal charge transfer unit 18 is sequentially operated. Transferred,
The charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming one of the even-numbered pixel horizontal columns are transferred to the charge output unit 19. In the charge output unit 19, the horizontal charge transfer unit 18
The charges transferred by are sequentially converted into signals and led to the output terminal 20.

【００２７】以下、上述の第１の電荷読出期間における
電荷読出し、第１の電荷転送期間における電荷転送、第
２の電荷読出期間における電荷読出し、及び、第２の電
荷転送期間における電荷転送が順次繰り返される。そし
て、出力端子２０に、複数の光電変換素子部１５に蓄積
された電荷に基づく、撮像対象像に応じた撮像信号ＩＰ
が得られる。Hereinafter, the charge read in the first charge read period, the charge transfer in the first charge transfer period, the charge read in the second charge read period, and the charge transfer in the second charge transfer period are sequentially performed. Repeated. Then, the image pickup signal IP corresponding to the image to be picked up, which is based on the charges accumulated in the plurality of photoelectric conversion element units 15, is output to the output terminal 20.
Is obtained.

【００２８】斯かる場合、固体撮像部１０を構成する撮
像面形成部における、奇数画素水平列の夫々を形成する
複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１
画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電
荷転送部１８への転送が、奇数フィールド期間内におい
て終了するとともに、偶数画素水平列の夫々を形成する
複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１
画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電
荷転送部１８への転送が、偶数フィールド期間内におい
て終了し、また、水平電荷転送部１８の夫々に順次転送
される１画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１
５で得られた分の電荷の、水平電荷転送部１８による電
荷出力部１９への供給は、各ライン期間内において終了
するものとされるように、２相の垂直転送駆動信号φＶ
１及びφＶ２及び２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφ
Ｈ２の夫々が設定される。それゆえ、固体撮像部１０を
構成する撮像面形成部の出力端子２０に導出される撮像
信号ＩＰは、ライン期間分を単位とするものが連なって
形成されることになる奇数フィールド期間分及び偶数フ
ィールド期間分が順次繰り返されるものとされることに
なる。In such a case, 1 of the charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element portions 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns in the image pickup surface forming portion constituting the solid-state image pickup portion 10
The transfer to the horizontal charge transfer unit 18 by each vertical charge transfer unit 16 for the pixel horizontal columns is completed within the odd field period, and at the same time, the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns. 1 about the obtained charge
The transfer of the vertical charge transfer units 16 to the horizontal charge transfer units 18 for the horizontal pixel transfer columns is completed within the even field period, and the horizontal charge transfer units 18 are sequentially transferred to the horizontal charge transfer units 18. A plurality of photoelectric conversion element parts 1 forming a
The supply of the charges obtained in 5 to the charge output unit 19 by the horizontal charge transfer unit 18 is completed within each line period so that the two-phase vertical transfer drive signal φV is supplied.
1 and φV2 and two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φ
Each of H2 is set. Therefore, the image pickup signal IP derived to the output terminal 20 of the image pickup surface forming unit forming the solid-state image pickup unit 10 is formed by a series of line period units and odd field period and even number. The field period will be sequentially repeated.

【００２９】従って、撮像面形成部からは、奇数フィー
ルド期間において、奇数画素水平列の夫々を形成する複
数の光電変換素子部１５で得られた電荷に基づくライン
期間分の撮像信号が奇数画素水平列の数だけ連なって形
成される、１フィールド期間分の撮像信号ＩＰが得ら
れ、また、偶数フィールド期間において、偶数画素水平
列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られ
た電荷に基づくライン期間分の撮像信号が偶数画素水平
列の数だけ連なって形成される、１フィールド期間分の
撮像信号ＩＰが得られる。Therefore, in the odd field period, the imaging signal for the line period based on the charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the odd pixel horizontal columns is supplied from the imaging surface forming unit to the odd pixel horizontal line. An image pickup signal IP for one field period, which is formed continuously by the number of columns, is obtained, and in the even field period, charges obtained by the plurality of photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns are obtained. The image pickup signal IP for one field period is obtained in which the image pickup signals for the line period based on the above are continuously formed by the number of even-numbered pixel horizontal columns.

【００３０】駆動信号形成部２５は、タイミング信号形
成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ，水平方向
クロック信号ＣＬＨ、及び、読出指令信号ＣＲＯ及びＣ
ＲＥが供給され、読出ゲート駆動信号φＧＯを読出指令
信号ＣＲＯに応じて形成するとともに、読出ゲート駆動
信号φＧＥを読出指令信号ＣＲＥに応じて形成し、ま
た、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２の夫々を
垂直方向クロック信号ＣＬＶに基づいて形成し、さら
に、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の夫々を
水平方向クロック信号ＣＬＨに基づいて形成する。そし
て、駆動信号形成部２５は、読出ゲート駆動信号φＧ
Ｏ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転
送駆動信号φＨ１及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＯに応
じて、また、読出ゲート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動
信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１
及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＥに応じて、夫々、固体
撮像部１０における撮像面形成部に供給する。The drive signal forming section 25 has a vertical clock signal CLV, a horizontal clock signal CLH, and read command signals CRO and C from the timing signal forming section 26.
RE is supplied to form the read gate drive signal φGO in response to the read command signal CRO, the read gate drive signal φGE in response to the read command signal CRE, and the two-phase vertical transfer drive signals φV1 and φV2. Are formed on the basis of the vertical clock signal CLV, and the two-phase horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 are formed on the basis of the horizontal clock signal CRH. Then, the drive signal forming unit 25 causes the read gate drive signal φG.
O, vertical transfer drive signals φV1 and φV2, and horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 according to the read command signal CRO, and read gate drive signal φGE, vertical transfer drive signals φV1 and φV2, and horizontal transfer drive signal φH1
And φH2 are supplied to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 in accordance with the read command signal CRE.

【００３１】タイミング信号形成部２６は、同期信号発
生部２７からの垂直同期信号ＳＶ及び水平同期信号ＳＨ
が供給され、さらに、後述される欠陥検出部３５からの
蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給されるもとで、垂
直方向クロック信号ＣＬＶを水平同期信号ＳＨに基づい
て形成し、また、水平方向クロック信号ＣＬＨを、水平
同期信号ＳＨより著しく高い周波数を有するが、水平同
期信号ＳＨに同期したものとして形成するとともに、読
出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号Ｃ
ＣＯ及びＣＣＥに基づき、奇数フィールド期間及び偶数
フィールド期間に対応するものとして形成し、それらを
駆動信号形成部２５に供給するものとされている。The timing signal forming section 26 includes a vertical synchronizing signal SV and a horizontal synchronizing signal SH from the synchronizing signal generating section 27.
Is supplied, and further the storage command signals CCO and CCE from the defect detection unit 35, which will be described later, are supplied, the vertical clock signal CLV is formed based on the horizontal synchronization signal SH, and the horizontal clock signal CLV is generated. The signal CLH is formed as a signal having a frequency significantly higher than that of the horizontal synchronizing signal SH, but synchronized with the horizontal synchronizing signal SH, and the read command signals CRO and CRE are respectively set to the storage command signal C.
Based on CO and CCE, they are formed to correspond to the odd field period and the even field period, and they are supplied to the drive signal forming unit 25.

【００３２】また、タイミング信号形成部２６には、固
体撮像部１０が備える撮像面形成部の製造過程において
行われたテストにより検知された撮像面形成部における
欠陥画素の位置を、撮像面形成部における多数の画素水
平列の各々をあらわす垂直方向アドレスＡＶ、及び、撮
像面形成部における各画素水平列内における画素の各々
の位置をあらわす水平方向アドレスＡＨをもって特定す
るものとされた欠陥画素データが格納されて、固体撮像
部１０の撮像面形成部に伴うものとされたＲＯＭが内蔵
されている。このＲＯＭに格納された欠陥画素データ
は、撮像面形成部における欠陥画素が属する画素水平列
を特定する垂直方向アドレスＡＶと、その垂直方向アド
レスＡＶによって特定された画素水平列内における欠陥
画素の位置を特定する水平方向アドレスＡＨとを含むア
ドレスを示すものとされる。Further, the timing signal forming section 26 indicates the position of the defective pixel in the image forming surface forming section detected by the test conducted in the manufacturing process of the image forming surface forming section included in the solid-state image forming section 10. Defective pixel data specified by a vertical address AV representing each of a large number of pixel horizontal columns in the horizontal direction and a horizontal address AH representing each position of each pixel in each horizontal pixel column in the imaging plane forming unit. The ROM that is stored and is associated with the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10 is built in. The defective pixel data stored in the ROM includes a vertical direction address AV that specifies a pixel horizontal column to which the defective pixel in the imaging surface forming unit belongs, and a position of the defective pixel in the pixel horizontal column specified by the vertical direction address AV. And a horizontal direction address AH for identifying the address.

【００３３】そして、タイミング信号形成部２６から
は、固体撮像部１０の撮像面形成部における予め検知さ
れた欠陥画素、即ち、ＲＯＭに格納されて固体撮像部１
０の撮像面形成部に付随するものとされた欠陥画素デー
タにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくも
のとされる撮像信号ＩＰの欠陥部分が、固体撮像部１０
における撮像面形成部から得られるとき、それに対応し
て、ＲＯＭに格納された欠陥画像データに基づく第１の
欠陥補正指示信号ＣＸが送出され、それが欠陥検出部３
５に供給される。Then, from the timing signal forming section 26, a defective pixel detected in advance in the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10, that is, stored in the ROM, is stored in the solid-state image pickup section 1.
The defective portion of the image pickup signal IP, which is based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data that is associated with the image pickup surface forming unit 0, is the solid-state image pickup unit 10.
When it is obtained from the image pickup surface forming unit, the first defect correction instruction signal CX based on the defect image data stored in the ROM is sent correspondingly, and the first defect correction instruction signal CX is sent out.
5 is supplied.

【００３４】図３及び図４は、上述の如くにして固体撮
像部１０における撮像面形成部から得られる撮像信号Ｉ
Ｐの状態を示す。図３は、主として奇数フィールド期間
における様子を示し、図３のＡに示される如くの、図３
のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始まる奇
数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいては、例えば、図３のＣ
に示される水平同期信号ＳＨの奇数フィールド期間Ｏ−
Ｆの開始時点から数えて１３番目のもの以降において、
図３のＤに示される如く、奇数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５で得られた分の電荷に基づくラ
イン期間分の撮像信号が連なって形成される撮像信号Ｉ
Ｐが得られる。撮像信号ＩＰにおける各ライン期間分に
付された奇数数字は、当該ライン期間分の撮像信号を形
成する電荷が得られた撮像面形成部における奇数画素水
平列の水平電荷転送部１８側からの番号をあらわす。な
お、この例にあっては、当該奇数フィールド期間Ｏ−Ｆ
の開始時点より３ライン期間だけ先立つ時点から当該奇
数フィールド期間Ｏ−Ｆの開始時点から１７ライン期間
だけ経過するまでの２０ライン期間に相当する期間は、
実際には垂直ブランキング期間ＴＢＬＫとされる。3 and 4 show the image pickup signal I obtained from the image pickup surface forming section in the solid-state image pickup section 10 as described above.
The state of P is shown. FIG. 3 mainly shows the state in the odd field period, and as shown in FIG.
In the odd field period OF starting from the leading edge of the vertical synchronizing signal SV shown in B of FIG.
O- of the horizontal sync signal SH shown in FIG.
After the thirteenth from the start of F,
As shown in D of FIG. 3, an image pickup signal I formed by a series of image pickup signals for a line period based on the charges obtained by the photoelectric conversion element units 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns.
P is obtained. The odd number given to each line period in the image pickup signal IP is the number from the horizontal charge transfer unit 18 side of the odd pixel horizontal column in the image pickup plane forming unit where the charge forming the image pickup signal for the line period is obtained. Represents In this example, the odd field period OF
The period corresponding to the 20-line period from the time point preceding the start time point of 3 lines period to the 17-line period from the start time point of the odd field period OF is
Actually, the vertical blanking period TBLK is set.

【００３５】同様に、図４は、主として偶数フィールド
期間における様子を示し、図４のＡに示される如くの、
図４のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始ま
る偶数フィールド期間Ｅ−Ｆにおいては、例えば、図４
のＣに示される水平同期信号ＳＨ（奇数フィールド期間
Ｏ−Ｆの場合に比して０．５ライン期間分のズレを生じ
ている）の偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点から数
えて１４番目のもの以降において、図４のＤに示される
如く、偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部
１５で得られた分の電荷に基づくライン期間分の撮像信
号が連なって形成される撮像信号ＩＰが得られる。撮像
信号ＩＰにおける各ライン期間分に付された偶数数字
は、当該ライン期間分の撮像信号を形成する電荷が得ら
れた撮像面形成部における偶数画素水平列の水平電荷転
送部１８側からの番号をあらわす。なお、ここにおいて
も、当該偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点より３ラ
イン期間だけ先立つ時点から当該偶数フィールド期間Ｅ
−Ｆの開始時点から１７ライン期間だけ経過するまでの
２０ライン期間に相当する期間は、実際には垂直ブラン
キング期間ＴＢＬＫとされる。Similarly, FIG. 4 mainly shows the state in the even field period, and as shown in A of FIG.
In the even field period EF starting from the front edge of the vertical synchronizing signal SV shown in FIG. 4B, for example, as shown in FIG.
14th from the start point of the even field period E-F of the horizontal synchronization signal SH shown in C of (the deviation of 0.5 line period occurs as compared with the case of the odd field period OF). After that, as shown in D of FIG. 4, the imaging is formed by a series of imaging signals for a line period based on the charges obtained by the photoelectric conversion element units 15 forming each of the even pixel horizontal columns. The signal IP is obtained. The even number given to each line period in the image pickup signal IP is the number from the horizontal charge transfer unit 18 side of the even pixel horizontal column in the image pickup plane forming unit where the charges forming the image pickup signal for the line period are obtained. Represents Note that, even in this case, the even field period E is started from a time point preceding the start time of the even field period E-F by three line periods.
The period corresponding to the 20-line period until the 17-line period elapses from the start of -F is actually the vertical blanking period TBLK.

【００３６】固体撮像部１０における撮像面形成部から
得られる撮像信号ＩＰは、サンプリング・ホールド部３
０に供給される。サンプリング・ホールド部３０におい
ては、撮像信号ＩＰに対する所定の短周期毎のレベル・
サンプリング及びサンプル・レベルの保持が行われてサ
ンプリング・ホールド出力信号ＳＩが得られ、それがア
ナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換部３１に供給され
る。Ａ／Ｄ変換部３１においては、サンプリング・ホー
ルド出力信号ＳＩに基づいての撮像信号ＩＰのディジタ
ル化が図られ、Ａ／Ｄ変換部３１から、撮像信号ＩＰに
対応するディジタル撮像信号ＤＩが得られて、それが欠
陥補正部３２に供給される。The image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 is supplied to the sampling and holding section 3.
0 is supplied. In the sampling and holding unit 30, the level of the image pickup signal IP for each predetermined short cycle
Sampling and holding of the sample level are performed to obtain a sampling and holding output signal SI, which is supplied to the analog / digital (A / D) conversion unit 31. In the A / D converter 31, the image pickup signal IP is digitized based on the sampling and holding output signal SI, and the digital image pickup signal DI corresponding to the image pickup signal IP is obtained from the A / D converter 31. Then, it is supplied to the defect correction section 32.

【００３７】欠陥補正部３２には、欠陥検出部３５から
送出される第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥
補正指示信号ＣＤも供給される。そして、欠陥補正部３
２においては、第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の
欠陥補正指示信号ＣＤの夫々に応じて、ディジタル撮像
信号ＤＩに含まれる、固体撮像部１０の撮像面形成部に
おける欠陥画素に起因してもたらされた欠陥部分につい
ての補正が行われる。欠陥補正部３２における第１の欠
陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤに
応じたディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分につい
ての補正にあたっては、既に提案されている撮像部から
得られる撮像信号についての欠陥補正方式が適宜採用さ
れる。The defect correcting section 32 is also supplied with the first defect correcting instruction signal CX and the second defect correcting instruction signal CD sent from the defect detecting section 35. Then, the defect correction unit 3
2 is caused by defective pixels in the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 included in the digital image pickup signal DI in accordance with each of the first defect correction instruction signal CX and the second defect correction instruction signal CD. A correction is made for the defective portion caused by the above. In correcting the defective portion in the digital image pickup signal DI corresponding to the first defect correction instruction signal CX and the second defect correction instruction signal CD in the defect correction unit 32, the image pickup signal obtained from the already proposed image pickup unit The defect correction method for is used appropriately.

【００３８】そして、欠陥補正部３２から、ディジタル
撮像信号ＤＩに対してそれに含まれる欠陥部分に応じた
欠陥補正が施されて得られるものとされるディジタル撮
像信号ＤＩＣが送出され、信号処理部３３に供給され
る。信号処理部３３においては、ディジタル撮像信号Ｄ
ＩＣについての各種の処理が行われて、固体撮像部１０
における撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに基づ
く映像信号ＤＶが形成され、それが出力端子３４に導出
される。Then, the defect correction section 32 sends out a digital image pickup signal DIC which is obtained by performing defect correction on the digital image pickup signal DI according to the defect portion contained therein, and the signal processing section 33. Is supplied to. In the signal processor 33, the digital image pickup signal D
Various processes are performed on the IC, and the solid-state imaging unit 10
A video signal DV is formed based on the image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming unit in, and is output to the output terminal 34.

【００３９】欠陥検出部３５には、タイミング信号形成
部２６からのＲＯＭに格納された欠陥画像データに基づ
く第１の欠陥補正指示信号ＣＸに加えて、タイミング信
号形成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ，水平
方向クロック信号ＣＬＨ，読出指令信号ＣＲＯ及び読出
指令信号ＣＲＥ，同期信号発生部２７からの垂直同期信
号ＳＶ、及び、制御ユニット３６からのリセット信号Ｃ
ＲＳ及び欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給される。In addition to the first defect correction instruction signal CX based on the defect image data stored in the ROM from the timing signal forming unit 26, the defect detecting unit 35 also includes a vertical clock signal from the timing signal forming unit 26. CLV, horizontal direction clock signal CLH, read command signal CRO and read command signal CRE, vertical sync signal SV from sync signal generator 27, and reset signal C from control unit 36.
The RS and the defect detection command signal CST are supplied.

【００４０】そして、欠陥検出部３５は、タイミング信
号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給
されないもとで、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、
固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素に起因
してもたらされる欠陥部分を検出するとともに、検出さ
れた欠陥部分の原因をなしている撮像面形成部における
欠陥画素を、撮像面形成部における垂直方向アドレスＡ
Ｖ及び水平方向アドレスＡＨをもって特定し、撮像面形
成部における欠陥画素が属する画素水平列を特定する垂
直方向アドレスＡＶと、その垂直方向アドレスＡＶによ
って特定された画素水平列内における欠陥画素の位置を
特定する水平方向アドレスＡＨとを含むアドレスを示す
欠陥アドレスデータ、即ち、検出された欠陥部分に対応
する欠陥アドレスデータを、内蔵するデータメモリ部に
格納する動作を行い、また、タイミング信号形成部２６
からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されるとき、
その第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル
撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検
出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのデー
タメモリ部への格納が、実質的に行われないようにする
動作を行う。さらに、欠陥検出部３５は、タイミング信
号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給
されないもとで、内蔵するデータメモリ部に格納された
欠陥アドレスデータに基づき、適切なタイミングをとる
ものとされる第２の欠陥補正指示信号ＣＤを形成して、
それを欠陥補正部３２に供給する動作、及び、タイミン
グ信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが
供給されるとき、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸを欠
陥補正部３２に供給する動作をも行う。The defect detecting section 35 is included in the digital image pickup signal DI without being supplied with the first defect correction instruction signal CX from the timing signal forming section 26.
The defect portion caused by the defective pixel in the image pickup surface forming portion of the solid-state image pickup portion 10 is detected, and the defective pixel in the image pickup surface forming portion which causes the detected defective portion is detected in the image pickup surface forming portion. Vertical address A
V and the horizontal address AH are used to identify the vertical address AV that identifies the pixel horizontal column to which the defective pixel belongs in the imaging plane forming unit, and the position of the defective pixel within the pixel horizontal column identified by the vertical address AV. The defective address data indicating the address including the specified horizontal address AH, that is, the defective address data corresponding to the detected defective portion is stored in the built-in data memory unit, and the timing signal forming unit 26 is also provided.
When the first defect correction instruction signal CX from
According to the first defect correction instruction signal CX, the detection of the defective portion included in the digital image pickup signal DI or the storage of the defective address data corresponding to the detected defective portion in the data memory unit is substantially performed. Take action to prevent it. Further, the defect detection unit 35 takes appropriate timing based on the defect address data stored in the built-in data memory unit without being supplied with the first defect correction instruction signal CX from the timing signal formation unit 26. Forming a second defect correction instruction signal CD to be obtained,
The operation of supplying it to the defect correction unit 32, and when the first defect correction instruction signal CX is supplied from the timing signal forming unit 26, supplies the first defect correction instruction signal CX to the defect correction unit 32. The action to do is also performed.

【００４１】欠陥検出部３５にあっては、このような動
作を通じて、タイミング信号形成部２６に対する蓄積指
令信号ＣＣＯ及びＣＣＥの供給が行われるとともに、デ
ィジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出
された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータをデータ
メモリ部に格納する動作、及び、第１の欠陥補正指示信
号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠
陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分に対応す
る欠陥アドレスデータのデータメモリ部への格納が、実
質的に行われないようにする動作が行われる期間が終了
したとき、検出終了信号ＣＥの制御ユニット３６への送
出が行われる。In the defect detecting section 35, the storage command signals CCO and CCE are supplied to the timing signal forming section 26 through such an operation, and the defective portion in the digital image pickup signal DI is detected and detected. The defective address data corresponding to the defective portion is stored in the data memory unit, and the defective portion included in the digital image pickup signal DI is detected or the detected defect is detected according to the first defect correction instruction signal CX. The detection end signal CE is sent to the control unit 36 at the end of the period in which the operation of substantially preventing the defective address data corresponding to the portion from being stored in the data memory unit is performed.

【００４２】制御ユニット３６には、欠陥検出部３５
に、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検出
し、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータ
をデータメモリ部に格納する動作、及び、第１の欠陥補
正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含
まれる欠陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分
に対応する欠陥アドレスデータのデータメモリ部への格
納が実質的に行われないようにする動作を行わせるべく
操作される、欠陥検出スイッチ３７Ｒが設けられてい
る。そして、制御ユニット３６は、欠陥検出スイッチ３
７が操作されて一時的にオン状態とされると、先ず、リ
セット信号ＣＲＳを欠陥検出部３５に供給し、続いて、
欠陥検出指令信号ＣＳＴを、その後欠陥検出部３５から
検出終了信号ＣＥが到来する時点あるいはその後の時点
まで、欠陥検出部３５及び駆動信号形成部２５の夫々に
供給する。The control unit 36 includes a defect detector 35.
In accordance with the operation of detecting a defective portion in the digital image pickup signal DI and storing the defective address data corresponding to the detected defective portion in the data memory unit, and the first defect correction instruction signal CX. Defect detection, which is operated to detect a defective portion included in DI or to substantially prevent the defective address data corresponding to the detected defective portion from being stored in the data memory unit. A switch 37R is provided. Then, the control unit 36 uses the defect detection switch 3
When 7 is operated and temporarily turned on, the reset signal CRS is first supplied to the defect detection unit 35, and then,
The defect detection command signal CST is supplied to each of the defect detection unit 35 and the drive signal forming unit 25 until the detection end signal CE arrives from the defect detection unit 35 thereafter or after that.

【００４３】駆動信号形成部２５は、制御ユニット３６
からの欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給されるとき、それ
に応じて、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号
ＣＩを、絞り機構１２に全絞り状態をとらせるものとな
す。絞り機構１２が全絞り状態をとるもとにあっては、
固体撮像部１０における撮像面形成部が、実質的に外光
が入射しない状態に維持される。その後、駆動信号形成
部２５に対する制御ユニット３６からの欠陥検出指令信
号ＣＳＴの供給が停止されると、駆動信号形成部２５
は、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号ＣＩ
を、絞り機構１２に欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前の
状態をとらせるものに戻す。The drive signal forming section 25 includes a control unit 36.
When the defect detection command signal CST from is supplied, the diaphragm mechanism drive signal CI supplied to the diaphragm mechanism 12 is caused to cause the diaphragm mechanism 12 to assume the full aperture state. When the diaphragm mechanism 12 is in the full diaphragm state,
The image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 is maintained in a state in which substantially no external light is incident. After that, when the supply of the defect detection command signal CST from the control unit 36 to the drive signal forming unit 25 is stopped, the drive signal forming unit 25
Is a diaphragm mechanism drive signal CI supplied to the diaphragm mechanism 12.
Is returned to that which causes the diaphragm mechanism 12 to assume the state before the supply of the defect detection command signal CST.

【００４４】欠陥検出部３５は、制御ユニット３６から
のリセット信号ＣＲＳが供給されると、それに応じて、
それまで内蔵するデータメモリ部に格納されていた欠陥
アドレスデータを消去して、データメモリ部に対する新
たな欠陥アドレスデータの書込みに備える。そして、続
いて制御ユニット３６から到来する欠陥検出指令信号Ｃ
ＳＴに応じ、絞り機構１２が全絞り状態をとるものとさ
れたもとにおいて、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠
陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応する欠陥ア
ドレスデータをデータメモリ部に格納する動作を開始す
る。When the reset signal CRS is supplied from the control unit 36, the defect detecting section 35 responds to the reset signal CRS.
The defective address data stored in the built-in data memory unit is erased to prepare for writing new defective address data to the data memory unit. Then, subsequently, the defect detection command signal C coming from the control unit 36
In response to ST, under the condition that the diaphragm mechanism 12 assumes the full diaphragm state, an operation of detecting a defective portion in the digital image pickup signal DI and storing defective address data corresponding to the detected defective portion in a data memory unit is performed. Start.

【００４５】斯かるもとで、制御ユニット３６は、装置
全体に対する動作モード設定を行う動作モード制御部を
形成しており、欠陥検出スイッチ３７がオフ状態に維持
されているとき、欠陥補正部３２において、固体撮像部
１０における撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに
基づくディジタル撮像信号ＤＩに、第１の欠陥補正指示
信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤに応じた欠陥
補正が施され、欠陥補正されたディジタル撮像信号ＤＩ
Ｃに基づく映像信号ＤＶが出力端子３４に得られるノー
マル動作モードを設定し、また、欠陥検出スイッチ３７
が操作されて一時的にオン状態とされるとき、欠陥検出
部３５において、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥
部分が検出され、検出された欠陥部分に対応する欠陥ア
ドレスデータがデータメモリ部に格納される動作、及
び、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル
撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検
出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータの内蔵
するデータメモリ部への格納が実質的に行われないよう
になす動作が行われる欠陥検出動作モードを設定する。Under the above circumstances, the control unit 36 forms an operation mode control section for setting the operation mode for the entire apparatus, and when the defect detection switch 37 is maintained in the off state, the defect correction section 32. In the digital image pickup signal DI based on the image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10, defect correction according to the first defect correction instruction signal CX and the second defect correction instruction signal CD is performed. And the defect-corrected digital imaging signal DI
The normal operation mode in which the video signal DV based on C is obtained at the output terminal 34 is set, and the defect detection switch 37
When is operated to be temporarily turned on, the defect detecting section 35 detects a defective portion in the digital image pickup signal DI, and defective address data corresponding to the detected defective portion is stored in the data memory section. In accordance with the operation and the first defect correction instruction signal CX, detection of a defective portion included in the digital image pickup signal DI or storage of defective address data corresponding to the detected defective portion in a built-in data memory unit. A defect detection operation mode is set in which an operation is performed so as to substantially not perform.

【００４６】図５は、欠陥検出部３５の具体構成につい
ての第１の例を示す。この第１の例においては、信号入
力端子４０に、同期信号発生部２７からの垂直同期信号
ＳＶが供給される。垂直同期信号ＳＶは、図６のＡに示
される如く、その各周期をもって、図６のＢに示される
如くに、奇数フィールド期間Ｏ−Ｆと偶数フィールド期
間Ｅ−Ｆとが交互に設定されるものとされる。また、信
号入力端子４１及び４２には、タイミング信号形成部２
６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ及び水平方向クロ
ック信号ＣＬＨが夫々供給される。FIG. 5 shows a first example of a specific structure of the defect detecting section 35. In the first example, the signal input terminal 40 is supplied with the vertical synchronizing signal SV from the synchronizing signal generator 27. As shown in A of FIG. 6, the vertical synchronizing signal SV has an odd field period OF and an even field period E-F alternately set in each cycle as shown in B of FIG. To be taken. The signal input terminals 41 and 42 are connected to the timing signal forming unit 2
A vertical clock signal CLV and a horizontal clock signal CHL from 6 are supplied respectively.

【００４７】制御ユニット３６に設けられた欠陥検出ス
イッチ３７が操作されて一時的にオン状態とされ、それ
に応じて、制御ユニット３６により欠陥検出動作モード
が設定されるときには、制御ユニット３６からリセット
信号ＣＲＳ及びそれに続く欠陥検出指令信号ＣＳＴが送
出され、その欠陥検出指令信号ＣＳＴが、信号入力端子
４３に、例えば、図６のＣに示される如くのタイミング
をもって供給される。図６のＣに示される如くにして欠
陥検出指令信号ＣＳＴが信号入力端子４３に供給される
場合には、欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給開始時点は、
固体撮像部１０における撮像面形成部から得られた撮像
信号ＩＰに基づくディジタル撮像信号ＤＩが形成され、
そのディジタル撮像信号ＤＩに基づいて形成される映像
信号ＤＶが出力端子３４に導出される動作が行われる期
間である、映像信号出力期間ＴＣＯ内にあるものとされ
る。斯かる映像信号出力期間ＴＣＯにおいては、信号入
力端子４４に、ディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに
示される如くに供給される。When the defect detection switch 37 provided in the control unit 36 is operated to be turned on temporarily and the defect detection operation mode is set by the control unit 36 accordingly, a reset signal is sent from the control unit 36. The CRS and the defect detection command signal CST subsequent thereto are transmitted, and the defect detection command signal CST is supplied to the signal input terminal 43 at the timing as shown in C of FIG. 6, for example. When the defect detection command signal CST is supplied to the signal input terminal 43 as shown in C of FIG. 6, the supply start time of the defect detection command signal CST is
A digital image pickup signal DI is formed based on the image pickup signal IP obtained from the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10,
It is assumed that the video signal DV formed based on the digital image pickup signal DI is within the video signal output period TCO, which is a period in which the operation of leading to the output terminal 34 is performed. During the video signal output period TCO, the digital image pickup signal DI is supplied to the signal input terminal 44 as shown by G in FIG.

【００４８】信号入力端子４４に供給されるディジタル
撮像信号ＤＩは、奇数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいて
は、固体撮像部１０の撮像面形成部における奇数画素水
平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電
荷に基づく、ライン期間分の撮像信号が連なって形成さ
れた奇数ラインフィールド期間信号 O.L.F. とされ、ま
た、偶数フィールド期間Ｅ−Ｆにおいては、撮像面形成
部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素
子部１５で得られた電荷に基づく、ライン期間分の撮像
信号が連なって形成された偶数ラインフィールド期間信
号 E.L.F. とされる。The digital image pickup signal DI supplied to the signal input terminal 44 receives the photoelectric conversion element section 15 forming each of the odd pixel horizontal columns in the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10 in the odd field period OF. It is an odd line field period signal OLF formed by a series of image signals for a line period based on the electric charges obtained in step 1. Further, in the even field period E-F, in the even pixel horizontal column in the image plane forming section, The even line field period signal ELF is formed by a series of image signals for line periods based on the charges obtained by the photoelectric conversion element units 15 forming each of them.

【００４９】さらに、映像信号出力期間ＴＣＯにおける
欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前にあっては、信号入力
端子４０を通じて垂直同期信号ＳＶが供給される蓄積指
令信号発生部４５に、信号入力端子４３を通じての欠陥
検出指令信号ＣＳＴの供給がなされず、それにより、蓄
積指令信号発生部４５から得られる蓄積指令信号ＣＣＯ
及びＣＣＥが、図６のＤ及びＥに夫々示される如くに、
各々が垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有し、垂
直同期信号ＳＶに同期して交互にあらわれるパルス信号
とされる。Further, before the defect detection command signal CST is supplied in the video signal output period TCO, the accumulation command signal generation unit 45 to which the vertical synchronizing signal SV is supplied through the signal input terminal 40 is supplied to the storage command signal generation unit 45 via the signal input terminal 43. The defect detection command signal CST is not supplied, so that the accumulation command signal CCO obtained from the accumulation command signal generation unit 45 is obtained.
And CCE, as shown in D and E of FIG. 6, respectively,
Each of them has a cycle twice as long as that of the vertical synchronizing signal SV, and is a pulse signal which appears alternately in synchronization with the vertical synchronizing signal SV.

【００５０】そして、蓄積指令信号発生部４５に、信号
入力端子４３を通じた欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給さ
れると、蓄積指令信号発生部４５は、それ以降、欠陥検
出指令信号ＣＳＴの供給開始時点後３個目の垂直同期信
号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＯ
を発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィール
ド期間（ｎ≧６）に相当する期間ＴＣＧＯが経過するま
で、蓄積指令信号ＣＣＯを発生させず、その後、期間Ｔ
ＣＧＯが経過したとき、蓄積指令信号ＣＣＯを、垂直同
期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有して垂直同期信号Ｓ
Ｖに同期するパルス信号として発生させ、また、欠陥検
出指令信号ＣＳＴの供給開始時点の直前に、垂直同期信
号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＥ
を発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィール
ド期間に相当する期間ＴＣＧＥが経過するまで、蓄積指
令信号ＣＣＥを発生させず、その後、期間ＴＣＧＥが経
過したとき、蓄積指令信号ＣＣＥを、垂直同期信号ＳＶ
に同期させて発生させ、さらに、その後６フィールド期
間に相当する期間をおいて、それ以後、再び、蓄積指令
信号ＣＣＥを垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有
して垂直同期信号ＳＶに同期するパルス信号として発生
させる。When the defect detection command signal CST is supplied to the storage command signal generation unit 45 through the signal input terminal 43, the storage command signal generation unit 45 thereafter starts the supply of the defect detection command signal CST. The storage command signal CCO is provided as a pulse signal synchronized with the third vertical synchronization signal SV.
Is generated, the storage command signal CCO is not generated until a preset period TCGO corresponding to, for example, n field periods (n ≧ 6) elapses, and then the period T
When CGO elapses, the accumulation command signal CCO has a cycle that is twice as long as that of the vertical synchronization signal SV.
The storage command signal CCE is generated as a pulse signal synchronized with V, and immediately before the start of supply of the defect detection command signal CST, as a pulse signal synchronized with the vertical synchronization signal SV.
After the generation of, the storage command signal CCE is not generated until a preset time, for example, a period TCGE corresponding to the n-field period has elapsed, and thereafter, when the period TCGE has elapsed, the storage command signal CCE is changed to Vertical sync signal SV
, And after a period corresponding to 6 field periods, the storage command signal CCE has a period twice that of the vertical synchronization signal SV and then the vertical synchronization signal SV. It is generated as a pulse signal synchronized with.

【００５１】図６のＤ及びＥに示される如くに、期間Ｔ
ＣＧＯにおいてはあらわれないものとされる蓄積指令信
号ＣＣＯ及び期間ＴＣＧＥにおいてはあらわれないもの
とされる蓄積指令信号ＣＣＥは、書込制御信号発生部４
６に供給されるとともにタイミング信号形成部２６に供
給される。タイミング信号形成部２６は、読出指令信号
ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣ
ＣＥに同期して発せられるパルス列信号として送出す
る。それゆえ、期間ＴＣＧＯ内においては、駆動信号形
成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部への
読出ゲート駆動信号φＧＯの供給がなされず、撮像面形
成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換
素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読
出しは行われない。また、期間ＴＣＧＥ内においては、
駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面
形成部への、読出ゲート駆動信号φＧＥの供給がなされ
ず、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送
部１６への読出しは行われない。As shown in D and E of FIG. 6, the period T
The storage command signal CCO that does not appear in the CGO and the storage command signal CCE that does not appear in the period TCGE are the write control signal generator 4.
6 and the timing signal forming unit 26. The timing signal forming unit 26 outputs the read command signals CRO and CRE to the storage command signals CCO and C, respectively.
It is sent out as a pulse train signal that is issued in synchronization with CE. Therefore, during the period TCGO, the read gate drive signal φGO is not supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit in the solid-state image pickup unit 10, and each odd pixel horizontal column is formed in the image pickup surface forming unit. The charges obtained in the photoelectric conversion element section 15 are not read out to the vertical charge transfer section 16. Also, within the period TCGE,
The read gate drive signal φGE is not supplied from the drive signal forming unit 25 to the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10, and is obtained by the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the even pixel horizontal columns in the image pickup surface forming unit. The read charges are not read out to the vertical charge transfer unit 16.

【００５２】このようにして、期間ＴＣＧＯにあって
は、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成
する光電変換素子部１５が電荷蓄積状態におかれ、ま
た、期間ＴＣＧＥにあっては、撮像面形成部における偶
数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５が電
荷蓄積状態におかれることになるが、期間ＴＣＧＯ及び
期間ＴＣＧＥの両者が含まれる期間においては、固体撮
像部１０の前方に配された絞り機構１２が全絞り状態を
とるものとされているので、撮像面形成部は実質的に外
光が入射しない状態におかれており、光電変換素子部１
５における外光による電荷の蓄積はなされない。As described above, in the period TCGO, the photoelectric conversion element portions 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns in the imaging surface forming portion are in the charge accumulation state, and in the period TCGE. The photoelectric conversion element portions 15 forming each of the even-numbered pixel horizontal columns in the image pickup surface forming portion are in the charge storage state, but in the period including both the period TCGO and the period TCGE, the solid-state image pickup portion 10 is included. Since the diaphragm mechanism 12 arranged in front of the image pickup device is set to the full diaphragm state, the image pickup surface forming portion is substantially in a state where external light does not enter, and the photoelectric conversion element portion 1
No charge accumulation by external light at 5 is made.

【００５３】そして、期間ＴＣＧＯの終端時点が到来す
ると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＯ
が垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号と
して発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６
に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６
は、期間ＴＣＧＯの終端時点において読出指令信号ＣＲ
Ｏを、蓄積指令信号ＣＣＯに同期して発せられるパルス
列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５
から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲ
ート駆動信号φＧＯ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ
２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給
が、期間ＴＣＧＯの終端時点において開始され、撮像面
形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変
換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への
読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６
による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間
ＴＣＧＯの終端時点において開始される。When the end time of the period TCGO arrives, the storage command signal generator 45 outputs the storage command signal CCO.
Is generated as a pulse signal that appears in synchronism with the vertical synchronizing signal SV, which is generated by the timing signal forming unit 26.
Is supplied to. As a result, the timing signal forming unit 26
Is the read command signal CR at the end of the period TCGO.
O is sent as a pulse train signal that is issued in synchronization with the storage command signal CCO. As a result, the drive signal forming unit 25
To the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 from the read gate drive signal φGO and the vertical transfer drive signals φV1 and φV.
2, and the supply of the horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 is started at the end of the period TCGO, and the vertical of the charges obtained in the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the odd pixel horizontal columns in the imaging surface forming unit. Readout to the charge transfer unit 16 and vertical charge transfer unit 16 of the read charges
And the transfer by the horizontal charge transfer unit 18 are started at the end of the period TCGO.

【００５４】同様に、期間ＴＣＧＥの終端時点が到来す
ると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＥ
が垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号と
して発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６
に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６
は、期間ＴＣＧＥの終端時点において読出指令信号ＣＲ
Ｅを、蓄積指令信号ＣＣＥに同期して発せられるパルス
列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５
から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲ
ート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ
２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給
が、期間ＴＣＧＥの終端時点において開始され、撮像面
形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変
換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への
読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６
による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間
ＴＣＧＥの終端時点において開始される。Similarly, when the end point of the period TCGE arrives, the accumulation command signal generator 45 outputs the accumulation command signal CCE.
Is generated as a pulse signal that appears in synchronism with the vertical synchronizing signal SV, which is generated by the timing signal forming unit 26.
Is supplied to. As a result, the timing signal forming unit 26
Is the read command signal CR at the end of the period TCGE.
E is sent as a pulse train signal that is issued in synchronization with the storage command signal CCE. As a result, the drive signal forming unit 25
Read drive signal φGE and vertical transfer drive signals φV1 and φV from the solid-state image pickup unit 10 to the image pickup surface forming unit.
2, and the supply of the horizontal transfer drive signals φH1 and φH2 is started at the end of the period TCGE, and the vertical direction of the charges obtained in the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the even pixel horizontal columns in the imaging surface forming unit. Readout to the charge transfer unit 16 and vertical charge transfer unit 16 of the read charges
And the transfer by the horizontal charge transfer unit 18 are started at the end of the period TCGE.

【００５５】斯かる際における撮像面形成部に設けられ
た光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部
１６への読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転
送部１６による転送及び水平電荷転送部１８による転送
は、撮像面形成部における撮像信号ＩＰの形成に直接的
に寄与しない領域からの電荷の読出し及び転送をも含む
ものとされ、通常の１フィールド期間より長い期間に亙
って行われる。それにより、撮像面形成部から、それら
が実質的に外光が入射しない状態におかれたもとで、期
間ＴＣＧＯが経過したときにおける奇数画素水平列の夫
々を形成する光電変換素子部１５の電荷状態をあらわす
撮像信号ＩＰが得られ、また、同様にして、撮像面形成
部から、それらが実質的に外光が入射しない状態におか
れたもとで、期間ＴＣＧＥが経過したときにおける偶数
画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５の電荷
状態をあらわす撮像信号ＩＰが得られる。At this time, the charges obtained by the photoelectric conversion element section 15 provided in the imaging surface forming section are read out to the vertical charge transfer section 16, and the read charges are transferred by the vertical charge transfer section 16. The transfer by the horizontal charge transfer unit 18 also includes reading and transfer of charges from a region that does not directly contribute to the formation of the image pickup signal IP in the image pickup surface forming unit, and is performed in a period longer than a normal one field period. It takes place over time. As a result, the charge state of the photoelectric conversion element unit 15 forming each of the odd-numbered pixel horizontal columns when the period TCGO elapses under the condition that the outside light does not substantially enter from the imaging surface forming unit. Of the even-numbered pixel horizontal column when the period TCGE elapses under the condition that no external light is substantially incident on the imaging surface forming unit. An image pickup signal IP representing the charge state of the photoelectric conversion element portion 15 forming each of them is obtained.

【００５６】それに伴い、欠陥検出動作モードのもとに
おいては、信号入力端子４４に、そのときの撮像信号Ｉ
Ｐに基づくディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示さ
れる如くに、期間ＴＣＧＯの終端時点から開始される１
フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤＯにおい
て供給され、さらに、期間ＴＣＧＥの終端時点から開始
される１フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤ
Ｅにおいて供給される。Accordingly, in the defect detection operation mode, the image pickup signal I at that time is applied to the signal input terminal 44.
The digital image pickup signal DI based on P starts at the end of the period TCGO 1 as shown in G of FIG.
A period TDD that is supplied in the period TDDO that is longer than the field period and that is longer than one field period that starts from the end point of the period TCGE.
Supplied at E.

【００５７】蓄積指令信号発生部４５から発せられる蓄
積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給される書込制御信号
発生部４６からは、期間ＴＣＧＥの終端時点において供
給される蓄積指令信号ＣＣＥ、及び、期間ＴＣＧＯの終
端時点において供給される蓄積指令信号ＣＣＯに応じ
て、図６のＦに示される如くの、期間ＴＣＧＥの終端時
点から２フィールド期間に亙って、及び、期間ＴＣＧＯ
の終端時点から２フィールド期間に亙って、夫々、高レ
ベルをとる書込制御信号ＣＷＣが送出されて、それが後
述される欠陥データが格納されるデータメモリ部４７に
おける制御端子に供給される。From the write control signal generator 46 supplied with the storage command signals CCO and CCE issued from the storage command signal generator 45, the storage command signal CCE supplied at the end of the period TCGE and the period TCGO. In response to the storage command signal CCO supplied at the end point of the period, as shown in F of FIG. 6, over the two field periods from the end point of the period TCGE, and the period TCGO.
The write control signal CWC, which takes a high level, is sent over the two-field period from the end of each of the two, and the write control signal CWC is supplied to the control terminal in the data memory unit 47 in which defective data described later is stored. .

【００５８】データメモリ部４７は、書込制御信号発生
部４６から供給される書込制御信号ＣＷＣが、高レベル
をとるときのみデータの書込みが可能とされ、それ以外
のときには、データの読出し、あるいは、データの消去
が可能とされる。従って、信号入力端子４４に、ディジ
タル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示される如くに、期間
ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて供給されるもとにあ
っては、データメモリ部４７がデータの書込みが可能な
状態におかれる。In the data memory section 47, data can be written only when the write control signal CWC supplied from the write control signal generating section 46 takes a high level, and in other cases, data read, Alternatively, the data can be erased. Therefore, when the digital image pickup signal DI is supplied to the signal input terminal 44 in the period TDDE and the period TDDO as shown in G of FIG. 6, the data memory unit 47 can write data. Be put into a state.

【００５９】期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて信
号入力端子４４に供給されるディジタル撮像信号ＤＩ
は、レベル置換部５０に供給される。レベル置換部５０
には、零レベル信号発生部５１からの、零レベルをあら
わすディジタル零レベル信号ＤＺも供給される。The digital image pickup signal DI supplied to the signal input terminal 44 in the periods TDDE and TDDO.
Are supplied to the level replacement unit 50. Level replacement unit 50
Is also supplied with a digital zero level signal DZ representing the zero level from the zero level signal generator 51.

【００６０】さらに、レベル置換部５０には、信号入力
端子４８に供給されるタイミング信号形成部２６から送
出された第１の欠陥補正指示信号ＣＸの供給が、アンド
ゲート部４９を通じてなされる。アンドゲート部４９
は、信号入力端子４３を通じた欠陥検出指令信号ＣＳＴ
が供給されるようにされており、欠陥検出指令信号ＣＳ
Ｔが供給される期間、即ち、制御ユニット３６により欠
陥検出動作モードが設定されている期間においては、オ
ン状態におかれる。従って、欠陥検出動作モードのもと
にあっては、タイミング信号形成部２６から送出された
第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及び
アンドゲート部４９を通じて、レベル置換部５０に供給
されることになる。Further, the level replacing unit 50 is supplied with the first defect correction instruction signal CX sent from the timing signal forming unit 26 to the signal input terminal 48 through the AND gate unit 49. AND gate section 49
Is the defect detection command signal CST through the signal input terminal 43.
Is supplied, and the defect detection command signal CS
In the period in which T is supplied, that is, in the period in which the defect detection operation mode is set by the control unit 36, it is kept in the ON state. Therefore, in the defect detection operation mode, the first defect correction instruction signal CX sent from the timing signal forming unit 26 is supplied to the level replacing unit 50 through the signal input terminal 48 and the AND gate unit 49. Will be done.

【００６１】レベル置換部５０にあっては、第１の欠陥
補正指示信号ＣＸが供給されないときには、信号入力端
子４４からのディジタル撮像信号ＤＩがそのまま出力端
に導出され、第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給される
とき、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、信号
入力端子４４からのディジタル撮像信号ＤＩに代えて、
零レベル信号発生部５１からのディジタル零レベル信号
ＤＺが出力端に導出される。それにより、レベル置換部
５０の出力端には、信号入力端子４４からのディジタル
撮像信号ＤＩと第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じたデ
ィジタル零レベル信号ＤＺとが得られる。In the level replacing section 50, when the first defect correction instruction signal CX is not supplied, the digital image pickup signal DI from the signal input terminal 44 is directly output to the output terminal, and the first defect correction instruction signal is output. When CX is supplied, instead of the digital image pickup signal DI from the signal input terminal 44, according to the first defect correction instruction signal CX,
The digital zero level signal DZ from the zero level signal generator 51 is led to the output end. As a result, at the output terminal of the level replacing unit 50, the digital image pickup signal DI from the signal input terminal 44 and the digital zero level signal DZ corresponding to the first defect correction instruction signal CX are obtained.

【００６２】タイミング信号形成部２６から第１の欠陥
補正指示信号ＣＸが送出されるときには、前述の如く、
タイミング信号形成部２６に内蔵されたＲＯＭに格納さ
れて固体撮像部１０の撮像面形成部に付随するものとさ
れた、欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの
出力信号に基づくものとされる撮像信号ＩＰの欠陥部分
が、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られ
る。従って、タイミング信号形成部２６から送出された
第１の欠陥補正指示信号ＣＸがレベル置換部５０に供給
されるとき、信号入力端子４４からのディジタル撮像信
号ＤＩは、ＲＯＭに格納された欠陥画素データにより特
定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされ
る、撮像信号ＩＰの欠陥部分に対応する欠陥部分とされ
ている。When the first defect correction instruction signal CX is sent from the timing signal forming unit 26, as described above,
It is based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data, which is stored in the ROM incorporated in the timing signal forming unit 26 and is associated with the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10. The defective portion of the image pickup signal IP is obtained from the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10. Therefore, when the first defect correction instruction signal CX sent from the timing signal forming unit 26 is supplied to the level replacing unit 50, the digital image pickup signal DI from the signal input terminal 44 is the defective pixel data stored in the ROM. The defective portion corresponds to the defective portion of the image pickup signal IP, which is based on the output signal from the defective pixel specified by.

【００６３】それゆえ、レベル置換部５０の出力端に
は、実質的に、ＲＯＭに格納された欠陥画素データによ
り特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとさ
れる、撮像信号ＩＰの欠陥部分に対応する欠陥部分が、
第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、零レベル部分に
置換されたものとされるディジタル撮像信号ＤＩが得ら
れることになる。Therefore, at the output terminal of the level replacing section 50, the defect of the image pickup signal IP is substantially based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data stored in the ROM. The defective part corresponding to the part
In accordance with the first defect correction instructing signal CX, the digital image pickup signal DI which has been replaced with the zero level portion is obtained.

【００６４】レベル置換部５０から得られるディジタル
撮像信号ＤＩ及びディジタル零レベル信号ＤＺは、クラ
ンプ部５２におい夫々の黒レベルが固定され、さらに、
ブランキング部５３において、ディジタル撮像信号ＤＩ
に対し、固体撮像部１０の撮像面形成部における各画素
水平列を形成する光電変換素子部１５からの電荷に基づ
いて得られた部分以外の部分にブランキングがかけられ
る処理が施され、ディジタル撮像信号ＤＩ’及びディジ
タル零レベル信号ＤＺ’とされてレベル比較部５４に供
給される。The black levels of the digital image pickup signal DI and the digital zero level signal DZ obtained from the level replacing section 50 are fixed in the clamp section 52, and further,
In the blanking unit 53, the digital image pickup signal DI
On the other hand, a process for blanking a portion other than a portion obtained based on the charges from the photoelectric conversion element portion 15 forming each pixel horizontal column in the image pickup surface forming portion of the solid-state image pickup portion The image pickup signal DI ′ and the digital zero level signal DZ ′ are supplied to the level comparing section 54.

【００６５】ディジタル撮像信号ＤＩ’は、絞り機構１
２が全絞り状態とされて撮像面形成部が実質的に外光が
入射しない状態におかれたもとで得られた撮像信号ＩＰ
に基づくものであるので、撮像面形成部の夫々における
画素、即ち、光電変換素子部１５が適正に動作するもと
では小なるレベルをあらわすはずである。換言すれば、
ディジタル撮像信号ＤＩ’において、比較的大なるレベ
ルをあらわす部分があれば、その部分は、撮像面形成部
における欠陥画素に起因する欠陥部分であることにな
る。The digital image pickup signal DI 'is supplied to the diaphragm mechanism 1
2. The image pickup signal IP obtained under the condition that 2 is the full aperture state and the image pickup surface forming portion is in a state where substantially no external light enters.
Therefore, the pixel in each of the imaging surface forming units, that is, the photoelectric conversion element unit 15, should represent a small level under the proper operation. In other words,
In the digital image pickup signal DI ′, if there is a portion representing a relatively large level, that portion is a defective portion caused by a defective pixel in the image pickup surface forming portion.

【００６６】レベル比較部５４には、基準レベル発生部
５５からの予め設定された正極性の基準レベルをあらわ
すディジタル基準レベル信号ＤＲが供給される。そし
て、レベル比較部５４において、ディジタル撮像信号Ｄ
Ｉ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’があらわすレベ
ルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベ
ルとが比較され、レベル比較部５４から、ディジタル撮
像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’があら
わすレベルが基準レベル以下であるとき低レベルをあら
わし、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルが基
準レベルを越えているとき高レベルをあらわすレベル比
較データＤＤが得られる。なお、ディジタル零レベル信
号ＤＺ’があらわすレベル（零レベル）が、基準レベル
を越えることはない。The level comparing section 54 is supplied with a digital reference level signal DR from the reference level generating section 55, which represents a preset positive reference level. Then, in the level comparing section 54, the digital image pickup signal D
The level represented by I ′ and the digital zero level signal DZ ′ is compared with the reference level represented by the digital reference level signal DR, and the level represented by the digital image pickup signal DI ′ and the digital zero level signal DZ ′ is determined by the level comparing unit 54. When the level is less than or equal to the level, the low level is represented, and when the level represented by the digital image pickup signal DI ′ exceeds the reference level, the level comparison data DD representing the high level is obtained. The level represented by the digital zero level signal DZ '(zero level) does not exceed the reference level.

【００６７】従って、レベル比較部５４にあっては、デ
ィジタル撮像信号ＤＩ’に含まれる欠陥部分が、レベル
比較データＤＤが高レベルをあらわすものとされること
により検出される。そして、レベル比較部５４から得ら
れるレベル比較データＤＤは、欠陥データ格納制御部５
６に供給される。Therefore, in the level comparing section 54, the defective portion included in the digital image pickup signal DI 'is detected by the level comparison data DD representing the high level. The level comparison data DD obtained from the level comparison unit 54 is the defect data storage control unit 5
6.

【００６８】このようなもとで、クランプ部５２，ブラ
ンキング部５３，レベル比較部５４及び基準レベル発生
部５５が含まれる部分によって、固体撮像部１０におけ
る撮像面形成部からの撮像信号ＩＰに基づいて得られる
ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、撮像面形成部にお
ける欠陥画素からの出力に基づく欠陥部分を検出する信
号欠陥検出部が形成されている。また、レベル置換部５
０及び零レベル信号発生部５１が含まれる部分によっ
て、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示
信号ＣＸが送出されるとき、信号欠陥検出部によるディ
ジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が実質的
に行われない状態となす欠陥検出制御部が形成されてい
る。Under such a condition, the image pickup signal IP from the image pickup plane forming section in the solid-state image pickup section 10 is picked up by the section including the clamp section 52, the blanking section 53, the level comparing section 54 and the reference level generating section 55. A signal defect detection unit for detecting a defective portion included in the digital image pickup signal DI obtained based on the output from the defective pixel in the image pickup surface forming unit is formed. Also, the level replacement unit 5
When the first defect correction instruction signal CX is sent from the timing signal forming unit 26 by the portion including the 0 and zero level signal generating unit 51, the signal defect detecting unit detects the defective portion included in the digital image pickup signal DI. A defect detection control unit is formed so as to be a state in which is not substantially performed.

【００６９】ブランキング部５３から得られるディジタ
ル撮像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’
は、レベルデータ形成部５７にも供給される。レベルデ
ータ形成部５７においては、ディジタル撮像信号ＤＩ’
のレベルをあらわすレベルデータＤＥが形成され、それ
が欠陥データ格納制御部５６に供給される。The digital image pickup signal DI 'and the digital zero level signal DZ' obtained from the blanking section 53.
Are also supplied to the level data forming unit 57. In the level data forming unit 57, the digital image pickup signal DI '
Level data DE representing the level of the defect data storage control unit 56 is supplied to the defect data storage control unit 56.

【００７０】欠陥データ格納制御部５６は、レベル比較
部５４から得られるレベル比較データＤＤが高レベルを
あらわすとき、レベルデータ形成部５７からのレベルデ
ータＤＥにおける、それがあらわすレベルが最大である
ものからレベル順に所定数までのものの各々に応じて、
データメモリ部４７に書込み状態をとらせる書込制御信
号ＣＭを供給する。When the level comparison data DD obtained from the level comparison unit 54 indicates a high level, the defect data storage control unit 56 has the maximum level in the level data DE from the level data formation unit 57. Depending on each of the ones up to a predetermined number in level order,
A write control signal CM that causes the data memory unit 47 to be in a written state is supplied.

【００７１】斯かる際、信号入力端子４１を通じた垂直
方向クロック信号ＣＬＶが垂直方向アドレスカウンタ
（Ｖ−アドレスカウンタ）６１に供給され、また、信号
入力端子４２を通じた水平方向クロック信号ＣＬＨが水
平方向アドレスカウンタ（Ｈ−アドレスカウンタ）６２
に供給される。さらに、Ｖ−アドレスカウンタ６１に
は、信号入力端子６３及び６４に夫々供給される、タイ
ミング信号形成部２６により蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣ
ＣＥに基づいて形成された読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲ
Ｅが、加算部６５を通じてリセット信号として供給さ
れ、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２には、垂直方向ク
ロック信号ＣＬＶがリセット信号として供給される。At this time, the vertical clock signal CLV from the signal input terminal 41 is supplied to the vertical address counter (V-address counter) 61, and the horizontal clock signal CLH from the signal input terminal 42 is in the horizontal direction. Address counter (H-address counter) 62
Is supplied to. Further, the V-address counter 61 is supplied to the signal input terminals 63 and 64, respectively, by the timing signal forming unit 26, and the storage command signals CCO and C are supplied.
Read command signals CRO and CR formed based on CE
E is supplied as a reset signal through the adder 65, and the vertical clock signal CLV is supplied to the H-address counter 62 as a reset signal.

【００７２】それにより、Ｖ−アドレスカウンタ６１
は、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥの到来毎に計数値が
リセットされるもとで、奇数フィールド期間及び偶数フ
ィールド期間の夫々において垂直方向クロック信号ＣＬ
Ｖを計数し、計数データＤＡＶを送出する。また、Ｈ−
アドレスカウンタ６２は、垂直方向クロック信号ＣＬＶ
の到来毎に計数値がリセットされるもとで、水平方向ク
ロック信号ＣＬＨを計数して、計数データＤＡＨを送出
する。従って、Ｖ−アドレスカウンタ６１から得られる
計数データＤＡＶの内容は、固体撮像部１０の撮像面形
成部における垂直電荷転送部１６による電荷転送に同期
して変化し、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得ら
れる計数データＤＡＨの内容は、固体撮像部１０の撮像
面形成部における水平電荷転送部１８による電荷転送に
同期して変化するものとされる。As a result, the V-address counter 61
The vertical direction clock signal CL is generated in each of the odd field period and the even field period while the count value is reset each time the read command signals CRO and CRE arrive.
V is counted and count data DAV is sent out. Also, H-
The address counter 62 has a vertical clock signal CLV.
, The horizontal direction clock signal CLH is counted and the count data DAH is transmitted. Therefore, the content of the count data DAV obtained from the V-address counter 61 changes in synchronization with the charge transfer by the vertical charge transfer unit 16 in the imaging surface forming unit of the solid-state imaging unit 10, and from the H-address counter 62. The content of the obtained count data DAH is supposed to change in synchronization with the charge transfer by the horizontal charge transfer section 18 in the image pickup surface forming section of the solid-state image pickup section 10.

【００７３】それゆえ、Ｖ−アドレスカウンタ６１から
得られる計数データＤＡＶの内容は、撮像面形成部から
撮像信号ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、
そのとき得られている撮像信号ＩＰを形成するものとさ
れた電荷を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５が
属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶをあ
らわし、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得られる
計数データＤＡＨの内容は、撮像面形成部から撮像信号
ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、そのとき
得られている撮像信号ＩＰを形成するものとされた電荷
を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５のそれが属
する画素水平列内における位置を特定する水平方向アド
レスＡＨをあらわすものとされる。Therefore, the content of the count data DAV obtained from the V-address counter 61 is as follows when the image pickup signal IP is obtained from the image pickup surface forming unit.
A vertical address AV that identifies the pixel that has provided the electric charge that is determined to form the image pickup signal IP obtained at that time, that is, the pixel horizontal column to which the photoelectric conversion element unit 15 belongs, and the H-address counter The content of the count data DAH obtained from 62 provided the electric charge that was supposed to form the image pickup signal IP obtained at that time in the image pickup surface formation unit when the image pickup signal IP was obtained from the image pickup surface formation unit. It represents a pixel, that is, a horizontal address AH that specifies the position of the photoelectric conversion element unit 15 in the pixel horizontal column to which it belongs.

【００７４】従って、期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯに
おいて、レベル比較部５４からのレベル比較データＤＤ
が高レベルをあらわすものとされて、ディジタル撮像信
号ＤＩ’に含まれた欠陥部分が検出されたときには、そ
のときＶ−アドレスカウンタ６１から得られている計数
データＤＡＶがあらわす垂直方向アドレスＡＶが、検出
された欠陥部分の原因をなす撮像面形成部における欠陥
画素、もしくは、検出された擬似欠陥部分に対応する撮
像面形成部における擬似欠陥画素が属する画素水平列を
特定しており、また、そのときＨ−アドレスカウンタ６
２から得られている計数データＤＡＨがあらわす水平方
向アドレスＡＨが、検出された欠陥部分の原因をなす撮
像面形成部における欠陥画素のそれが属する画素水平列
内における位置を特定している。従って、斯かる際に
は、計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、撮像面
形成部についての欠陥アドレスデータを形成しているこ
とになる。Therefore, during the period TDDE and the period TDDO, the level comparison data DD from the level comparison unit 54 is obtained.
Represents a high level, and when a defective portion included in the digital image pickup signal DI ′ is detected, the vertical direction address AV represented by the count data DAV obtained from the V-address counter 61 at that time is The defective pixel in the imaging surface forming unit that causes the detected defective portion, or the pixel horizontal row to which the pseudo defective pixel in the imaging surface forming unit corresponding to the detected pseudo defective portion belongs is specified. When H-address counter 6
The horizontal address AH represented by the count data DAH obtained from 2 specifies the position of the defective pixel in the image plane forming portion that causes the detected defective portion in the pixel horizontal column to which it belongs. Therefore, in such a case, the count data DAV and the count data DAH form defective address data for the imaging surface forming unit.

【００７５】このようにしてＶ−アドレスカウンタ６１
から送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウ
ンタ６２から送出される計数データＤＡＨは、前述の如
くに、データメモリ部４７に供給される。そして、デー
タメモリ部４７においては、Ｖ−アドレスカウンタ６１
から送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウ
ンタ６２から送出される計数データＤＡＨが、欠陥デー
タ格納制御部５６から供給される書込制御信号ＣＭに応
じて、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして書き込ま
れて格納される。In this way, the V-address counter 61
The count data DAV sent from the H-address counter 62 and the count data DAV sent from the H-address counter 62 are supplied to the data memory unit 47 as described above. Then, in the data memory unit 47, the V-address counter 61
The count data DAV sent from the H-address counter 62 and the count data DAV sent from the H-address counter 62 are written as the defect data DAVR and DAHR according to the write control signal CM supplied from the defect data storage controller 56. Is stored.

【００７６】欠陥データ格納制御部５６からデータメモ
リ部４７への書込制御信号ＣＭの供給は、レベル比較部
５４から得られるレベル比較データＤＤが高レベルをあ
らわすもとで、レベルデータ形成部５７からのレベルデ
ータＤＥにおける、それがあらわすレベルが最大である
ものからレベル順に所定数までのものの各々に応じてな
されるので、データメモリ部４７には、ディジタル撮像
信号ＤＩ’における欠陥部分であってそのレベルが最大
であるものからレベル順に所定数までのものの原因をな
す、撮像面形成部における欠陥画素の夫々を特定する垂
直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨをあらわ
し、欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡＶ及
び計数データＤＡＨが、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨ
Ｒとして格納されることになる。The supply of the write control signal CM from the defective data storage control unit 56 to the data memory unit 47 is performed while the level comparison data DD obtained from the level comparison unit 54 indicates the high level. In the level data DE from the maximum level to the predetermined number in the level order, the data memory section 47 stores the defective portion in the digital image pickup signal DI '. A count for forming defective address data by representing a vertical direction address AV and a horizontal direction address AH that specify each of defective pixels in the image pickup surface forming unit, which cause from a maximum level to a predetermined number in level order. The data DAV and the count data DAH are the defect data DAVR and DAH.
It will be stored as R.

【００７７】期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯが経過する
と、書込制御信号発生部４６からの書込制御信号ＣＷＣ
が供給される検出終了信号発生部６９から、図６のＨに
示される如くの、書込制御信号ＣＷＣの後縁時点に応じ
て形成される検出終了信号ＣＥが得られ、その検出終了
信号ＣＥが制御ユニット３６に供給される。それによ
り、制御ユニット３６は、図６のＣに示される如くに、
欠陥検出指令信号ＣＳＴの送出を検出終了信号ＣＥの前
縁の時点において停止させる。そして、検出終了信号Ｃ
Ｅの前縁時点において、欠陥検出部３５による欠陥検出
動作、即ち、ディジタル撮像信号ＤＩ’における欠陥部
分を検出し、検出された欠陥部分の原因をなしている固
体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素を特定す
る欠陥アドレスデータ、即ち、検出された欠陥部分に対
応する欠陥アドレスデータをデータメモリ部４７に格納
する動作が完了し、それに伴い、制御ユニット３６によ
り欠陥検出動作モードが解除されて、その後、例えば、
制御ユニット３６によりノーマル動作モードが設定され
る状態とされて、映像信号出力期間ＴＣＯに戻る。When the period TDDE and the period TDDO have elapsed, the write control signal CWC from the write control signal generator 46 is generated.
From the detection end signal generator 69, the detection end signal CE formed in accordance with the trailing edge of the write control signal CWC is obtained from the detection end signal CE. Are supplied to the control unit 36. Thereby, the control unit 36, as shown in FIG.
The transmission of the defect detection command signal CST is stopped at the leading edge of the detection end signal CE. Then, the detection end signal C
At the time of the leading edge of E, the defect detection operation by the defect detection unit 35, that is, the defect portion in the digital image pickup signal DI ′ is detected, and the image pickup surface forming unit of the solid-state image pickup unit 10 that causes the detected defect portion The operation of storing the defective address data for specifying the defective pixel in the data memory unit 47, that is, the defective address data corresponding to the detected defective portion in the data memory unit 47 is completed, and accordingly, the defect detection operation mode is released by the control unit 36. And then, for example,
The control unit 36 sets the normal operation mode and returns to the video signal output period TCO.

【００７８】欠陥検出動作が完了した欠陥検出部３５に
あっては、その後の映像信号出力期間ＴＣＯにおいて、
タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信
号ＣＸが信号入力端子４８を通じて供給されないとき、
データメモリ部４７から、そこに格納された欠陥データ
ＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが読み出され、読み出された欠陥
データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが、垂直方向アドレス比較
部（Ｖ−アドレス比較部）７０及び水平方向アドレス比
較部（Ｈ−アドレス比較部）７１に夫々供給されてラッ
チされる。In the defect detecting section 35 for which the defect detecting operation has been completed, in the subsequent video signal output period TCO,
When the first defect correction instruction signal CX from the timing signal forming unit 26 is not supplied through the signal input terminal 48,
The defective data DAVR and DAHR stored therein are read from the data memory unit 47, and the read defective data DAVR and DAHR are read in the vertical direction address comparison unit (V-address comparison unit) 70 and horizontal direction address comparison. Are supplied to the respective units (H-address comparison unit) 71 and latched.

【００７９】Ｖ−アドレス比較部７０には、Ｖ−アドレ
スカウンタ６１からの計数データＤＡＶが供給される。
そして、Ｖ−アドレスカウンタ６１からの計数データＤ
ＡＶがあらわす垂直方向アドレスデータＡＶがＶ−アド
レス比較部７０にラッチされた欠陥データＤＡＶＲがあ
らわす垂直方向アドレスＡＶと一致するとき、Ｖ−アド
レス比較部７０から、高レベルをとる比較出力信号ＣＶ
Ｒが得られて、アンド回路７２の一方の入力端に供給さ
れる。The count data DAV from the V-address counter 61 is supplied to the V-address comparison unit 70.
Then, the count data D from the V-address counter 61
When the vertical address data AV represented by AV coincides with the vertical address AV represented by the defective data DAVR latched in the V-address comparison unit 70, the comparison output signal CV which takes a high level from the V-address comparison unit 70.
R is obtained and supplied to one input terminal of the AND circuit 72.

【００８０】また、Ｈ−アドレス比較部７１には、Ｈ−
アドレスカウンタ６２からの計数データＤＡＨが供給さ
れる。そして、Ｈ−アドレスカウンタ６２からの計数デ
ータＤＡＨがあらわす水平方向アドレスデータＡＨがＨ
−アドレス比較部７１にラッチされた欠陥データＤＡＨ
Ｒがあらわす水平方向アドレスＡＨと一致するとき、Ｈ
−アドレス比較部７１から、高レベルをとる比較出力信
号ＣＨＲが得られて、アンド回路７２の他方の入力端に
供給される。アンド回路７２からは、比較出力信号ＣＶ
Ｒと比較出力信号ＣＨＲとの両者が高レベルをとるもの
となるとき、第２の欠陥補正指示信号ＣＤが得られ、そ
れがオア回路７３を通じて欠陥補正部３２に供給され
る。In addition, the H-address comparison unit 71 has an H-
Count data DAH from the address counter 62 is supplied. The horizontal address data AH represented by the count data DAH from the H-address counter 62 is H.
-Defective data DAH latched in the address comparison unit 71
When it matches the horizontal address AH represented by R, H
A high-level comparison output signal CHR is obtained from the address comparison unit 71 and supplied to the other input terminal of the AND circuit 72. The comparison output signal CV is output from the AND circuit 72.
When both R and the comparison output signal CHR have a high level, the second defect correction instruction signal CD is obtained and supplied to the defect correction section 32 through the OR circuit 73.

【００８１】これに対して、タイミング信号形成部２６
からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが信号入力端子４８
を通じて供給されるときには、その第１の欠陥補正指示
信号ＣＸが、そのまま、オア回路７３を通じて欠陥補正
部３２に供給される。それにより、欠陥補正部３２にお
いては、第２の欠陥補正指示信号ＣＤに応じての、ディ
ジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分についての補正
が行われるのみならず、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに
応じての、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分
についての補正も行われることになる。On the other hand, the timing signal forming section 26
The first defect correction instruction signal CX from the signal input terminal 48
When supplied through the OR circuit 73, the first defect correction instruction signal CX is directly supplied to the defect correction section 32 through the OR circuit 73. As a result, the defect correction section 32 not only corrects the defective portion included in the digital image pickup signal DI in accordance with the second defect correction instruction signal CD, but also the first defect correction instruction signal CX. Accordingly, the defective portion included in the digital image pickup signal DI is also corrected.

【００８２】なお、斯かる際には、制御ユニット３６か
らの欠陥検出指令信号ＣＳＴの送出がなされていないの
で、アンドゲート部４９がオフ状態とされ、信号入力端
子４８を通じて供給されるタイミング信号形成部２６か
らの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、レベル置換部５０
に供給される事態は生じない。従って、レベル置換部５
０の出力端には、常時、信号入力端子４４を通じて供給
されるディジタル撮像信号ＤＩが得られる。At this time, since the defect detection command signal CST is not sent from the control unit 36, the AND gate section 49 is turned off, and the timing signal formed through the signal input terminal 48 is formed. The first defect correction instruction signal CX from the unit 26 is supplied to the level replacing unit 50.
Will not be supplied to. Therefore, the level replacement unit 5
At the output terminal of 0, the digital image pickup signal DI supplied through the signal input terminal 44 is always obtained.

【００８３】斯かるもとで、Ｖ−アドレス比較部７０，
Ｈ−アドレス比較部７１及びアンド回路７２を含む部分
により指示信号形成部が形成されており、また、オア回
路７３により、第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の
欠陥補正指示信号ＣＤを欠陥補正部３２に供給する指示
信号供給部が形成されている。Under these circumstances, the V-address comparison unit 70,
An instruction signal forming portion is formed by a portion including the H-address comparison portion 71 and the AND circuit 72, and the OR circuit 73 causes the first defect correction instruction signal CX and the second defect correction instruction signal CD to be defective. An instruction signal supply unit that supplies the correction unit 32 is formed.

【００８４】図７は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及
び補正装置に備えられる欠陥検出部３５の具体構成につ
いての第２の例の部分を示す。この図７に示される第２
の例は、図５に示される第１の例が、レベル置換部５０
及び零レベル信号発生部５１が除去されて、信号入力端
子４４を通じたディジタル撮像信号ＤＩが直接にクラン
プ部５２に供給されるようになされるとともに、ブラン
キング部５３に、タイミング信号形成部２６からの第１
の欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及びアン
ドゲート部４９を通じて供給されるようになされて得ら
れるものに相当しており、図７においては、図５に示さ
れる各部分及び各信号に対応する部分及び信号が、図５
と共通の符号が付されて示されている。FIG. 7 shows a portion of a second example of the specific structure of the defect detecting section 35 provided in the image pickup signal defect detecting and correcting apparatus according to the present invention. The second shown in FIG.
The first example shown in FIG.
The zero-level signal generator 51 is removed so that the digital image pickup signal DI through the signal input terminal 44 is directly supplied to the clamp unit 52, and the blanking unit 53 is supplied to the timing signal forming unit 26. First of
The defect correction instructing signal CX of FIG. 7 corresponds to that obtained by being supplied through the signal input terminal 48 and the AND gate section 49, and in FIG. 7, each part and each signal shown in FIG. Corresponding parts and signals are shown in FIG.
The same reference numerals as those in FIG.

【００８５】このような第２の例におけるブランキング
部５３にあっては、欠陥検出動作モードのもとにおい
て、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信
号ＣＸが供給されないとき、クランプ部５２を経て供給
されるディジタル撮像信号ＤＩに対し、固体撮像部１０
の撮像面形成部における各画素水平列を形成する光電変
換素子部１５からの電荷に基づいて得られた部分以外の
部分にブランキングがかけられる処理が施され、それに
より得られるディジタル撮像信号ＤＩ’が、ブランキン
グ部５３から導出されて、レベル比較部５４に供給され
る。それに対して、欠陥検出動作モードのもとにあっ
て、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信
号ＣＸがブランキング部５３に供給されるときには、ブ
ランキング部５３において、クランプ部５２を経て供給
されるディジタル撮像信号ＤＩの全体にブランキングが
かけられる。それにより、タイミング信号形成部２６か
ら第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出される際には、実
質的に、ブランキング部５３からディジタル撮像信号Ｄ
Ｉ’が導出されない状態とされる。In the blanking section 53 in the second example as described above, in the defect detection operation mode, when the first defect correction instruction signal CX is not supplied through the AND gate section 49, the clamp section is provided. For the digital image pickup signal DI supplied via 52, the solid-state image pickup unit 10
In the image pickup surface forming unit, a process for blanking a portion other than the portion obtained based on the charges from the photoelectric conversion element unit 15 forming each pixel horizontal column is performed, and the digital image pickup signal DI obtained thereby is obtained. ′ Is derived from the blanking unit 53 and supplied to the level comparing unit 54. On the other hand, in the defect detection operation mode, when the first defect correction instruction signal CX via the AND gate unit 49 is supplied to the blanking unit 53, the blanking unit 53 causes the clamp unit 52 to operate. Blanking is applied to the entire digital image pickup signal DI supplied thereafter. As a result, when the timing signal forming unit 26 outputs the first defect correction instruction signal CX, the blanking unit 53 substantially outputs the digital image pickup signal D.
I'is not derived.

【００８６】従って、タイミング信号形成部２６から第
１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、クラ
ンプ部５２，ブランキング部５３，レベル比較部５４及
び基準レベル発生部５５を含んで形成される信号欠陥検
出部に、ブランキング部５３からのディジタル撮像信号
ＤＩ’が供給されず、信号欠陥検出部によるディジタル
撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が停止される。
そして、ブランキング部５３は、タイミング信号形成部
２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されると
き、ディジタル撮像信号ＤＩ’の信号欠陥検出部への供
給を停止させて、信号欠陥検出部によるディジタル撮像
信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われな
い状態を設定する欠陥検出制御部を形成していることに
なる。Therefore, when the first defect correction instruction signal CX is sent from the timing signal forming section 26, it is formed including the clamp section 52, the blanking section 53, the level comparing section 54 and the reference level generating section 55. The digital image pickup signal DI ′ from the blanking unit 53 is not supplied to the signal defect detection unit, and the detection of the defective portion included in the digital image pickup signal DI by the signal defect detection unit is stopped.
Then, the blanking unit 53, when the first defect correction instruction signal CX is transmitted from the timing signal forming unit 26, stops the supply of the digital imaging signal DI ′ to the signal defect detecting unit, and the signal defect detecting unit. Therefore, the defect detection control section for setting the state in which the detection of the defective portion included in the digital image pickup signal DI is substantially not performed is formed.

【００８７】このような図７に示される第２の例におい
て、その他の動作は、図５に示される第１の例の場合と
同様とされる。Other operations in the second example shown in FIG. 7 are similar to those in the first example shown in FIG.

【００８８】図８は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及
び補正装置に備えられる欠陥検出部３５の具体構成につ
いての第３の例の部分を示す。この図８に示される第３
の例は、図５に示される第１の例が、レベル置換部５０
及び零レベル信号発生部５１が除去されて、信号入力端
子４４を通じたディジタル撮像信号ＤＩが直接にクラン
プ部５２に供給されるようになされるとともに、レベル
比較部５４に、タイミング信号形成部２６からの第１の
欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及びアンド
ゲート部４９を通じて供給されるようになされて得られ
るものに相当しており、図８においても、図５に示され
る各部分及び各信号に対応する部分及び信号が、図５と
共通の符号が付されて示されている。FIG. 8 shows a portion of a third example of the specific structure of the defect detecting section 35 provided in the image pickup signal defect detecting and correcting apparatus according to the present invention. The third shown in FIG.
The first example shown in FIG.
The zero-level signal generator 51 is removed so that the digital image pickup signal DI through the signal input terminal 44 is directly supplied to the clamp unit 52, and the level comparison unit 54 is supplied from the timing signal forming unit 26. The first defect correction instructing signal CX corresponds to that which is obtained by being supplied through the signal input terminal 48 and the AND gate section 49. Also in FIG. 8, each part shown in FIG. Portions and signals corresponding to the respective signals are shown with the same reference numerals as in FIG.

【００８９】このような第３の例におけるレベル比較部
５４にあっては、欠陥検出動作モードのもとにおいて、
アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号Ｃ
Ｘが供給されないとき、ブランキング部５３からのディ
ジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルとディジタル基
準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとが比較され
る。そして、レベル比較部５４から、ディジタル撮像信
号ＤＩ’があらわすレベルが基準レベル以下であるとき
低レベルをあらわし、ディジタル撮像信号ＤＩ’があら
わすレベルが基準レベルを越えているとき高レベルをあ
らわすレベル比較データＤＤが得られて、欠陥データ格
納制御部５６に供給される。それに対して、欠陥検出動
作モードのもとにあって、アンドゲート部４９を通じた
第１の欠陥補正指示信号ＣＸがレベル比較部５４に供給
されるときには、レベル比較部５４において、ディジタ
ル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルとディジタル基準レ
ベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとを比較する比較動
作が停止される。それにより、タイミング信号形成部２
６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出される際に
は、実質的に、レベル比較部５４からレベル比較データ
ＤＤが得られない状態とされる。In the level comparing section 54 in the third example as described above, in the defect detecting operation mode,
First defect correction instruction signal C through the AND gate unit 49
When X is not supplied, the level represented by the digital image pickup signal DI ′ from the blanking section 53 and the reference level represented by the digital reference level signal DR are compared. Then, the level comparison unit 54 compares the low level when the level represented by the digital image pickup signal DI ′ is equal to or lower than the reference level and the high level when the level represented by the digital image pickup signal DI ′ exceeds the reference level. The data DD is obtained and supplied to the defect data storage control unit 56. On the other hand, in the defect detection operation mode, when the first defect correction instruction signal CX via the AND gate unit 49 is supplied to the level comparison unit 54, the level comparison unit 54 causes the digital image pickup signal DI to be input. The comparison operation for comparing the level represented by 'and the reference level represented by the digital reference level signal DR is stopped. As a result, the timing signal forming unit 2
When the first defect correction instructing signal CX is sent from 6, the level comparison unit 54 is substantially in a state in which the level comparison data DD cannot be obtained.

【００９０】従って、タイミング信号形成部２６から第
１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、クラ
ンプ部５２，ブランキング部５３，レベル比較部５４及
び基準レベル発生部５５を含んで形成される信号欠陥検
出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分
の検出が停止される。そして、レベル比較部５４は、タ
イミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号Ｃ
Ｘが送出されるとき、ディジタル撮像信号ＤＩ’があら
わすレベルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす
基準レベルとを比較する比較動作を停止することによっ
て、信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含
まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態を設定
する欠陥検出制御部を形成していることになる。Therefore, when the first defect correction instruction signal CX is sent from the timing signal forming section 26, it is formed by including the clamp section 52, the blanking section 53, the level comparing section 54 and the reference level generating section 55. The detection of the defective portion included in the digital image pickup signal DI by the signal defect detection unit is stopped. Then, the level comparison unit 54 receives the first defect correction instruction signal C from the timing signal formation unit 26.
When X is transmitted, by stopping the comparison operation for comparing the level represented by the digital image pickup signal DI ′ with the reference level represented by the digital reference level signal DR, the defect included in the digital image pickup signal DI by the signal defect detection unit is stopped. This means that the defect detection control unit that sets the state in which the detection of the portion is not substantially performed is formed.

【００９１】このような図８に示される第３の例におい
ても、その他の動作は、図５に示される第１の例の場合
と同様とされる。Other operations in the third example shown in FIG. 8 are similar to those in the first example shown in FIG.

【００９２】図９は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及
び補正装置に備えられる欠陥検出部３５の具体構成につ
いての第４の例の部分を示す。この図９に示される第４
の例は、図５に示される第１の例における欠陥データ格
納制御部５６とデータメモリ部４７との間にアンドゲー
ト部７６が設けられ、そのアンドゲート部７６に、欠陥
データ格納制御部５６から得られる書込制御信号ＣＭが
供給されるとともに、アンドゲート部４９を通じた第１
の欠陥補正指示信号ＣＸが、インバータ部７５により反
転欠陥補正指示信号ＣＸＩとされて、供給されるように
なされて得られるものに相当しており、図９において
も、図５に示される各部分及び各信号に対応する部分及
び信号が、図５と共通の符号が付されて示されている。FIG. 9 shows a portion of a fourth example of the specific configuration of the defect detecting section 35 provided in the image pickup signal defect detecting and correcting apparatus according to the present invention. The fourth shown in FIG. 9
5, an AND gate unit 76 is provided between the defective data storage control unit 56 and the data memory unit 47 in the first example shown in FIG. 5, and the defective data storage control unit 56 is provided in the AND gate unit 76. The write control signal CM obtained from
Of the defect correction instruction signal CX of FIG. 9 corresponds to that of the defect correction instruction signal CXI of FIG. Further, parts and signals corresponding to the respective signals are shown with the same reference numerals as in FIG.

【００９３】このような第４の例におけるインバータ部
７５から得られる反転欠陥補正指示信号ＣＸＩは、欠陥
検出動作モードのもとにおいて、第１の欠陥補正指示信
号ＣＸがインバータ部７５に供給されないとき、高レベ
ルをとり、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部
７５に供給されるとき、低レベルをとるものとされる。
そして、アンドゲート部７６は、反転欠陥補正指示信号
ＣＸＩが高レベルをとるとき、オン状態におかれ、反転
欠陥補正指示信号ＣＸＩが低レベルをとるとき、オフ状
態におかれる。The inverted defect correction instruction signal CXI obtained from the inverter section 75 in the fourth example is as follows when the first defect correction instruction signal CX is not supplied to the inverter section 75 in the defect detection operation mode. , And takes a low level when the first defect correction instruction signal CX is supplied to the inverter section 75.
The AND gate unit 76 is turned on when the inverted defect correction instruction signal CXI is at a high level, and is turned off when the inverted defect correction instruction signal CXI is at a low level.

【００９４】それゆえ、欠陥検出動作モードのもとにお
いて、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５
に供給されないとき、アンドゲート部７６にあっては、
高レベルをとるものとされた反転欠陥補正指示信号ＣＸ
Ｉに応じてオン状態がとられ、欠陥データ格納制御部５
６から得られる書込制御信号ＣＭが、アンドゲート部７
６を通じて、データメモリ部４７に供給される。それに
より、データメモリ部４７においては、書込制御信号Ｃ
Ｍに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩ’における欠陥部
分であってそのレベルが最大であるものからレベル順に
所定数までのものに対応する欠陥アドレスデータを形成
する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、欠陥デ
ータＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして格納される。Therefore, in the defect detection operation mode, the first defect correction instruction signal CX is output to the inverter unit 75.
When it is not supplied to the AND gate section 76,
Inversion defect correction instruction signal CX which is assumed to have a high level
The defect data storage control unit 5 is turned on according to I.
The write control signal CM obtained from 6 is applied to the AND gate unit 7
6 is supplied to the data memory unit 47. As a result, in the data memory unit 47, the write control signal C
Depending on M, the count data DAV and count data DAH forming defect address data corresponding to defective portions in the digital image pickup signal DI ′ having a maximum level to a predetermined number in level order are defective. It is stored as data DAVR and DAHR.

【００９５】また、欠陥検出動作モードのもとにおい
て、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５に
供給されるとき、アンドゲート部７６にあっては、低レ
ベルをとるものとされた反転欠陥補正指示信号ＣＸＩに
応じてオフ状態がとられ、欠陥データ格納制御部５６か
ら得られる書込制御信号ＣＭが、データメモリ部４７に
供給されなくなる。それにより、データメモリ部４７に
おいて、書込制御信号ＣＭに応じた、欠陥アドレスデー
タを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨに
ついての、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとしての格
納が停止される。In addition, in the defect detection operation mode, when the first defect correction instruction signal CX is supplied to the inverter section 75, the AND gate section 76 is set to the low level inversion. The OFF state is set according to the defect correction instruction signal CXI, and the write control signal CM obtained from the defect data storage control unit 56 is no longer supplied to the data memory unit 47. As a result, in the data memory unit 47, the storage of the count data DAV and the count data DAH forming the defect address data according to the write control signal CM as the defect data DAVR and DAHR is stopped.

【００９６】従って、欠陥検出動作モードのもとにあっ
て、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示
信号ＣＸが送出されるときには、データメモリ部４７に
おいて、欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡ
Ｖ及び計数データＤＡＨについての、欠陥データＤＡＶ
Ｒ及びＤＡＨＲとしての格納が行われないことになり、
インバータ部７５及びアンドゲート部７６は、タイミン
グ信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送
出されるとき、データメモリ部４７における欠陥アドレ
スデータの格納が実質的に行われない状態を設定する欠
陥検出制御部を形成していることになる。Therefore, when the first defect correction instruction signal CX is sent from the timing signal forming section 26 in the defect detecting operation mode, the count data forming the defect address data is formed in the data memory section 47. DA
Defect data DAV for V and count data DAH
It will not be stored as R and DAHR,
The inverter unit 75 and the AND gate unit 76 set a state in which the defective address data is not substantially stored in the data memory unit 47 when the first defect correction instruction signal CX is transmitted from the timing signal forming unit 26. Therefore, the defect detection control unit is formed.

【００９７】このような図９に示される第４の例におい
ても、その他の動作は、図５に示される第１の例の場合
と同様とされる。In the fourth example shown in FIG. 9 as described above, the other operations are similar to those in the first example shown in FIG.

【００９８】[0098]

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
係る撮像信号欠陥検出及び補正装置にあっては、撮像部
がその撮像面形成部に予め得られた欠陥画素データが付
随するものとされる場合、撮像部から、撮像面形成部に
付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素から
の出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が
得られるとき、それに対応して、制御信号送出部から第
１の欠陥補正指示信号が送出される。As is apparent from the above description, in the image pickup signal defect detection and correction apparatus according to the present invention, the image pickup unit is accompanied by defective pixel data obtained in advance in the image pickup plane forming unit. In this case, when the image pickup unit obtains a defective portion of the image pickup signal that is based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit, the control is performed accordingly. A first defect correction instruction signal is sent from the signal sending unit.

【００９９】そして、欠陥検出動作モードが設定された
もとにおいて、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示
信号が送出されると、それに応じて、信号欠陥検出部に
よる撮像信号に含まれる欠陥部分の検出、もしくは、デ
ータメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納が実
質的に行われない状態とされ、それにより、撮像面形成
部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素
についての重複検出が回避されることになる。従って、
データメモリ手段には、撮像面形成部における欠陥画素
のうちの、撮像面形成部に付随する欠陥画素データによ
り特定されないものについての検出結果が格納されるこ
とになり、データメモリ手段のメモリ容量の無駄な消費
が招かれる事態が防止される。When the defect detection operation mode is set and the first defect correction instruction signal is transmitted from the control signal transmission unit, the defect portion included in the image pickup signal by the signal defect detection unit is accordingly responded. The detection or the storage of the defective address data in the data memory means is substantially not performed, thereby avoiding duplicate detection of the defective pixel specified by the defective pixel data associated with the imaging surface forming unit. Will be. Therefore,
The data memory means stores the detection result of defective pixels in the image pickup surface forming unit that are not specified by the defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit. It is possible to prevent unnecessary consumption.

【０１００】その後、ノーマル動作モードが設定された
もとにおいては、撮像部から、データメモリ手段に格納
された欠陥アドレスデータによって特定される欠陥画素
からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部
分が得られるとき、データメモリ手段から読み出された
欠陥アドレスデータに基づいて形成された第２の欠陥補
正指示信号に応じた撮像信号に対する欠陥補正が行わ
れ、また、撮像部から、撮像面形成部に付随する欠陥画
素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基
づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、
制御信号送出部から送出される第１の欠陥補正指示信号
に応じた撮像信号に対する欠陥補正が行われるので、撮
像面形成部に付随する欠陥画素データが効率よく有効利
用されることになる。Thereafter, under the normal operation mode being set, the defective portion of the image pickup signal is based on the output signal from the defective pixel specified by the defective address data stored in the data memory means from the image pickup section. Is obtained, defect correction is performed on the image pickup signal according to the second defect correction instruction signal formed based on the defect address data read from the data memory means, and the image pickup unit forms the image pickup surface. When a defective portion of the image pickup signal that is based on the output signal from the defective pixel specified by the defective pixel data associated with the section is obtained,
Since the defect correction is performed on the image pickup signal corresponding to the first defect correction instruction signal sent from the control signal sending unit, the defective pixel data associated with the image pickup surface forming unit can be efficiently and effectively used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の
一例をそれが適用されたビデオカメラが備える固体撮像
部，光学系等と共に示すブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of an image pickup signal defect detection and correction device according to the present invention together with a solid-state image pickup unit, an optical system, and the like included in a video camera to which the image pickup signal defect detection and correction device is applied.

【図２】図１に示される例が適用される固体撮像部にお
ける撮像面形成部の説明に供される概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram provided for explaining an imaging surface forming unit in a solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図３】図１に示される例が適用される固体撮像部の動
作説明に供されるタイムーチャートである。FIG. 3 is a time chart used for explaining the operation of the solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図４】図１に示される例が適用される固体撮像部の動
作説明に供されるタイムーチャートである。FIG. 4 is a time chart used for explaining the operation of the solid-state imaging unit to which the example shown in FIG. 1 is applied.

【図５】図１に示される例における欠陥検出部の具体構
成についての第１の例を示すブロック構成図である。5 is a block configuration diagram showing a first example of a specific configuration of a defect detection unit in the example shown in FIG. 1. FIG.

【図６】図５に示される欠陥検出部の具体構成について
の第１の例の動作説明に供されるタイムーチャートであ
る。FIG. 6 is a time chart used for explaining the operation of the first example of the specific configuration of the defect detection unit shown in FIG.

【図７】図１に示される例における欠陥検出部の具体構
成についての第２の例の部分を示すブロック構成図であ
る。7 is a block configuration diagram showing a portion of a second example of the specific configuration of the defect detection unit in the example shown in FIG. 1. FIG.

【図８】図１に示される例における欠陥検出部の具体構
成についての第３の例の部分を示すブロック構成図であ
る。8 is a block configuration diagram showing a portion of a third example of a specific configuration of a defect detection unit in the example shown in FIG. 1. FIG.

【図９】図１に示される例における欠陥検出部の具体構
成についての第４の例の部分を示すブロック構成図であ
る。9 is a block configuration diagram showing a portion of a fourth example of the specific configuration of the defect detection unit in the example shown in FIG. 1. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 固体撮像部 １１ レンズ・システム １２ 絞り機構 １３ 半導体基体 １５ 光電変換素子部 １６ 垂直電荷転送部 １７ 電荷読出ゲート部 １８ 水平電荷転送部 １９ 電荷出力部 ２０ 出力端子 ２５ 駆動信号形成部 ２６ タイミング信号形成部 ２７ 同期信号発生部 ３０ サンプリング・ホールド部 ３１ Ａ／Ｄ変換部 ３２ 欠陥補正部 ３３ 信号処理部 ３５ 欠陥検出部 ３６ 制御ユニット ３７ 欠陥検出スイッチ ４５ 蓄積指令信号発生部 ４６ 書込制御信号発生部 ４７ データメモリ部 ４９，７６ アンドゲート部 ５０ レベル置換部 ５１ 零レベル信号発生部 ５２ クランプ部 ５３ ブランキング部 ５４ レベル比較部 ５５ 基準レベル発生部 ５６ 欠陥データ格納制御部 ５７ レベルデータ形成部 ６１ Ｖ−アドレスカウンタ ６２ Ｈ−アドレスカウンタ ６９ 検出終了信号発生部 ７０ Ｖ−アドレス比較部 ７１ Ｈ−アドレス比較部 ７２ アンド回路 ７３ オア回路 ７５ インバータ部 Reference Signs List 10 solid-state imaging unit 11 lens system 12 diaphragm mechanism 13 semiconductor substrate 15 photoelectric conversion element unit 16 vertical charge transfer unit 17 charge read gate unit 18 horizontal charge transfer unit 19 charge output unit 20 output terminal 25 drive signal formation unit 26 timing signal formation Part 27 Synchronous signal generation part 30 Sampling / holding part 31 A / D conversion part 32 Defect correction part 33 Signal processing part 35 Defect detection part 36 Control unit 37 Defect detection switch 45 Storage command signal generation part 46 Write control signal generation part 47 Data memory unit 49,76 AND gate unit 50 Level replacement unit 51 Zero level signal generation unit 52 Clamp unit 53 Blanking unit 54 Level comparison unit 55 Reference level generation unit 56 Defect data storage control unit 57 Level data formation unit 61 V-address Counter 62 H-address counter Unter 69 Detection end signal generation unit 70 V-address comparison unit 71 H-address comparison unit 72 AND circuit 73 OR circuit 75 Inverter unit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】複数の画素が配列配置されて成る撮像面形
成部を有した撮像部からの撮像信号に含まれる、上記撮
像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠
陥部分を検出する信号欠陥検出部と、 該信号欠陥検出部により上記欠陥部分が検出されると
き、上記撮像面形成部における各画素を特定するアドレ
スデータのうちの、上記欠陥部分の原因をなす欠陥画素
に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納する
データメモリ手段と、 該データメモリ手段における上記欠陥アドレスデータの
格納状態についての制御を行う欠陥データ格納制御部
と、 上記撮像部から、上記撮像面形成部における欠陥画素の
うちの予め検知されているものからの出力信号に基づく
ものとされる上記撮像信号の欠陥部分が得られるとき、
第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号送出部と、 該制御信号送出部から上記第１の欠陥補正指示信号が送
出されるとき、上記信号欠陥検出部による上記撮像信号
に含まれる欠陥部分の検出、もしくは、上記データメモ
リ手段における上記欠陥アドレスデータの格納が、実質
的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部と、 上記データメモリ手段から読み出された上記欠陥アドレ
スデータに基づいて、第２の欠陥補正指示信号を形成す
る指示信号形成部と、 上記第１の欠陥補正指示信号及び上記第２の欠陥補正指
示信号を、上記撮像信号に対する欠陥補正部に供給する
指示信号供給部と、を備えて構成される撮像信号欠陥検
出及び補正装置。1. A defective portion is detected based on an output signal from a defective pixel in the image pickup surface forming portion, which is included in an image pickup signal from an image pickup portion having an image pickup surface forming portion in which a plurality of pixels is arranged. A signal defect detection unit and, when the signal defect detection unit detects the defective portion, corresponds to a defective pixel causing the defective portion in address data specifying each pixel in the imaging surface forming unit. Data memory means for storing the defective address data to be used, a defect data storage control section for controlling the storage state of the defective address data in the data memory means, and from the image pickup section to the image pickup surface forming section. When a defective portion of the imaging signal is obtained which is based on an output signal from one of the defective pixels that has been detected in advance,
A control signal transmitting section for transmitting a first defect correction instruction signal, and a defect portion included in the image pickup signal by the signal defect detecting section when the first defect correction instruction signal is transmitted from the control signal transmitting section. Based on the defect address data read from the data memory means, and a defect detection control section that sets a state in which the defective address data is not substantially stored in the data memory means. An instruction signal forming unit that forms a second defect correction instruction signal, and an instruction signal supply unit that supplies the first defect correction instruction signal and the second defect correction instruction signal to the defect correction unit for the imaging signal. An image pickup signal defect detection and correction device including: 【請求項２】信号欠陥検出部が、撮像部から得られた撮
像信号のレベルが所定レベル以上であるとき該撮像信号
に含まれる欠陥部分の検出を行うものとされ、欠陥検出
制御部が、制御信号送出部からの第１の欠陥補正指示信
号に応じて、上記撮像部から得られて上記信号欠陥検出
部に供給される撮像信号のレベルを上記所定レベル未満
のものとなすことを特徴とする請求項１記載の撮像信号
欠陥検出及び補正装置。2. A signal defect detection unit is adapted to detect a defective portion included in the image pickup signal when the level of the image pickup signal obtained from the image pickup unit is equal to or higher than a predetermined level, and the defect detection control unit is According to the first defect correction instruction signal from the control signal sending unit, the level of the image pickup signal obtained from the image pickup unit and supplied to the signal defect detection unit is less than the predetermined level. The image signal defect detection and correction device according to claim 1. 【請求項３】欠陥検出制御部が、制御信号送出部からの
第１の欠陥補正指示信号に応じて、撮像部から得られて
信号欠陥検出部に供給される撮像信号のレベルを実質的
に零レベルとなすことを特徴とする請求項２記載の撮像
信号欠陥検出及び補正装置。3. The defect detection control unit substantially sets the level of the image pickup signal obtained from the image pickup unit and supplied to the signal defect detection unit in response to the first defect correction instruction signal from the control signal transmission unit. The image signal defect detection and correction device according to claim 2, wherein the level is set to zero. 【請求項４】欠陥検出制御部が、制御信号送出部からの
第１の欠陥補正指示信号に応じて、撮像部から得られた
撮像信号の信号欠陥検出部への供給を停止させることを
特徴とする請求項１記載の撮像信号欠陥検出及び補正装
置。4. The defect detection control unit stops the supply of the image pickup signal obtained from the image pickup unit to the signal defect detection unit in response to the first defect correction instruction signal from the control signal transmission unit. The imaging signal defect detection and correction device according to claim 1. 【請求項５】信号欠陥検出部が、撮像部から得られた撮
像信号のレベルと所定の基準レベルとを比較するレベル
比較部を含み、該レベル比較部からの比較出力信号に基
づいて、上記撮像信号に含まれる欠陥部分の検出を行う
ものとされ、上記レベル比較部が、制御信号送出部から
の第１の欠陥補正指示信号に応じて上記比較出力信号が
得られない状態をとり、欠陥検出制御部を形成するもの
とされることを特徴とする請求項１記載の撮像信号欠陥
検出及び補正装置。5. The signal defect detecting section includes a level comparing section for comparing the level of the image pickup signal obtained from the image pickup section with a predetermined reference level, and based on a comparison output signal from the level comparing section, It is assumed that the defective portion included in the image pickup signal is detected, and the level comparison unit takes a state in which the comparison output signal cannot be obtained according to the first defect correction instruction signal from the control signal transmission unit, and The image signal defect detection and correction apparatus according to claim 1, wherein the detection control section is formed. 【請求項６】欠陥検出制御部が、制御信号送出部からの
第１の欠陥補正指示信号に応じて、データメモリ手段に
おける欠陥アドレスデータの格納を停止させることを特
徴とする請求項１記載の撮像信号欠陥検出及び補正装
置。6. The defect detection control unit stops the storage of defective address data in the data memory means in response to a first defect correction instruction signal from the control signal transmission unit. Imaging signal defect detection and correction device.