JPH08124495A - Electron gun of cathode-ray tube - Google Patents
Electron gun of cathode-ray tubeInfo
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- JPH08124495A JPH08124495A JP25858694A JP25858694A JPH08124495A JP H08124495 A JPH08124495 A JP H08124495A JP 25858694 A JP25858694 A JP 25858694A JP 25858694 A JP25858694 A JP 25858694A JP H08124495 A JPH08124495 A JP H08124495A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばプロジェクタ
管、カラー受像管、インデックス管等に用いられる陰極
線管の電子銃に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron gun of a cathode ray tube used for, for example, a projector tube, a color picture tube, an index tube and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、陰極線管の電子銃としては、例え
ば図２３に示すようなものが知られている。この電子銃
はユニポテンシャル型のものであり、電子を放出すべき
カソードＫに対して、加速および集束電極としての第１
〜第５グリッドが同軸（Ｚ軸）上に配される。そして、
カソードＫから放出される電子ビームは、第２および第
３グリッドＧ2 ，Ｇ3 によって形成されるプリフォーカ
スレンズと、第３〜第５グリッドＧ3 〜Ｇ5 により形成
される主レンズとの働きにより蛍光面上に集束される。
これらカソードＫおよび第１〜第５グリッドＧ1 〜Ｇ5
は、融着によりビードガラスに固定され、一体的に組み
立てられる。また、第１〜第５グリッドＧ1 〜Ｇ5 は、
例えばステンレス等の金属から構成される。2. Description of the Related Art Conventionally, as an electron gun for a cathode ray tube, for example, one shown in FIG. 23 has been known. This electron gun is of a unipotential type, and has a first electrode as an accelerating and focusing electrode for the cathode K to emit electrons.
~ The fifth grid is arranged coaxially (Z axis). And
The electron beam emitted from the cathode K functions as a prefocus lens formed by the second and third grids G 2 and G 3 and a main lens formed by the third to fifth grids G 3 to G 5. Are focused on the fluorescent screen by.
The cathode K and the first to fifth grids G 1 to G 5
Are fixed to the bead glass by fusion and are integrally assembled. Further, the first to fifth grids G 1 to G 5 are
For example, it is made of metal such as stainless steel.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
に係る電子銃では、次のような問題が生じていた。すな
わち、上述した構成においては、電極特に第３〜第５グ
リッドＧ3 〜Ｇ5間の同心度にずれが生じやすく、その
ため電子ビームの離軸が起こって、フォーカスぼけが発
生し易い。However, the electron gun according to the conventional example has the following problems. That is, in the configuration described above, the electrode in particular third to fifth grids G 3 ~G the concentricity between 5 tends to occur deviation, therefore off-axis of the electron beam is going easily defocusing occurs.
【０００４】また、電極間の電位こう配が急しゅんであ
るため、第３〜第５グリッドＧ3 〜Ｇ5 間において放電
が起こりやすく、また、レンズ径の球面収差が大きくな
ってビームスポット径が大きくなっていた。また、第３
グリッドＧ3 と第４グリッドＧ4 とのギャップと、第４
グリッドＧ 4 と第５グリッドＧ5 とのギャップとを、あ
る間隔以上に広げると、その隙間から、電子ビームが漏
れ、ネック部やビードガラスなどにチャージアップが発
生すると言う課題を有している。これらのギャップは、
電子銃の性能（特に球面収差係数）に関係しており、最
適なギャップとすることが望まれている。In addition, the potential gradient between the electrodes is steep.
Therefore, the third to fifth grids G3 ~ GFive Discharge between
Is likely to occur, and the spherical aberration of the lens diameter becomes large.
Therefore, the beam spot diameter was large. Also, the third
Grid G3 And the fourth grid GFour And the gap with
Grid G Four And the fifth grid GFive And the gap between
If it is wider than the gap, the electron beam will leak through the gap.
And charge up on the neck and bead glass.
It has a problem of giving birth. These gaps are
It is related to the performance of the electron gun (especially spherical aberration coefficient),
It is desired to have a suitable gap.
【０００５】本発明は、このような実情に鑑みてなさ
れ、その目的とするところは、ネック部やビードガラス
などにチャージアップを発生させることなく、グリッド
間ギャップを、電子銃の性能が向上する最適値に設計す
ることできる陰極線管の電子銃を提供することにある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to improve the gap between grids and the performance of an electron gun without causing charge-up in a neck portion, a bead glass and the like. An object is to provide an electron gun of a cathode ray tube which can be designed to have an optimum value.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る陰極線管の電子銃は、電子レンズ構成
部が、抵抗筒体で構成され、この抵抗筒体の内部に、少
なくとも、リング状の第１高圧電極と、リング状の中圧
電極と、リング状の第２高圧電極とが、カソード側から
軸方向に沿って、この順で配置してあり、前記第１高圧
電極と中圧電極との間のギャップに対し、前記中圧電極
と第２高圧電極との間のギャップの比が、１以上、好ま
しくは１〜３、さらに好ましくは１〜２である。In order to achieve the above object, in an electron gun of a cathode ray tube according to the present invention, an electron lens forming portion is composed of a resistance cylinder, and at least inside the resistance cylinder. A ring-shaped first high-voltage electrode, a ring-shaped medium-voltage electrode, and a ring-shaped second high-voltage electrode are arranged in this order along the axial direction from the cathode side, and the first high-voltage electrode The ratio of the gap between the medium-voltage electrode and the second high-voltage electrode to the gap between the medium-voltage electrode and the second medium-voltage electrode is 1 or more, preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2.
【０００７】前記抵抗筒体は、たとえばセラミックで構
成される。The resistance cylinder is made of, for example, ceramic.
【０００８】[0008]
【作用】本発明者らの実験によれば、図５に示すよう
に、第１高圧電極と中圧電極との間のギャップａに対
し、中圧電極と第２高圧電極との間のギャップｂの比
（ｂ／ａ）を変化させた場合には、電子銃のレンズの球
面収差係数Ｃｓが大きく変化する。なお、図５の横軸
は、ｂ／ａであり、縦軸は、球面収差係数Ｃｓである。
球面収差係数Ｃｓは、陰極線管のスポット径に大きく影
響する。スポット径Ｄは、以下の数式で表わせる。According to the experiments conducted by the present inventors, as shown in FIG. 5, the gap between the first high voltage electrode and the medium voltage electrode is different from the gap between the medium voltage electrode and the second high voltage electrode. When the ratio of b (b / a) is changed, the spherical aberration coefficient Cs of the lens of the electron gun changes greatly. The horizontal axis of FIG. 5 is b / a, and the vertical axis is the spherical aberration coefficient Cs.
The spherical aberration coefficient Cs greatly affects the spot diameter of the cathode ray tube. The spot diameter D can be expressed by the following mathematical formula.
【０００９】[0009]
【数１】Ｄ＝ｄｃ×Ｍ＋１／２×Ｃｓ×Ｍ×θ3 ただし、ｄｃは物点径であり、Ｍは増倍率であり、θは
発散角である。## EQU1 ## D = dc × M + 1/2 × Cs × M × θ 3 where dc is the object point diameter, M is the multiplication factor, and θ is the divergence angle.
【００１０】上記式より、スポット径Ｄを小さくするに
は、球面収差係数Ｃｓを小さくすれば良いことが分か
る。したがって、図５に示す結果から、本発明では、ｂ
／ａは、１以上とする。球面収差係数Ｃｓのみを考えれ
ば、ｂ／ａは、１以上であれば良いが、増倍率Ｍまでも
考慮すると、図６に示すように、Ｃｓ×Ｍは、ｂ／ａに
対して極小値を持つので、スポット径Ｄを小さくするに
は、現実的には、ｂ／ａは、１〜３、好ましくは１〜２
である。From the above equation, it can be seen that in order to reduce the spot diameter D, it is sufficient to reduce the spherical aberration coefficient Cs. Therefore, from the results shown in FIG.
/ A is 1 or more. Considering only the spherical aberration coefficient Cs, b / a may be 1 or more, but considering the multiplication factor M as well, as shown in FIG. 6, Cs × M is a minimum value with respect to b / a. Therefore, in order to reduce the spot diameter D, realistically, b / a is 1 to 3, preferably 1 to 2
Is.
【００１１】本発明では、前記ギャップ比ｂ／ａを所定
の範囲とすることにより、球面収差を最少にすることが
でき、これにより陰極線管の解像度の向上を図ることが
できる。しかも、電極の外周は、抵抗筒体で覆われてい
るので、電子ビームが電極の間から漏れてビードガラス
などにチャージアップすることもない。さらに、電子レ
ンズ構成部を抵抗筒体で形成したことから、電子レンズ
系の同心度のずれがほとんど生じない。According to the present invention, the spherical aberration can be minimized by setting the gap ratio b / a within a predetermined range, whereby the resolution of the cathode ray tube can be improved. Moreover, since the outer circumference of the electrode is covered with the resistance cylinder, the electron beam does not leak from between the electrodes and charge up the bead glass or the like. Further, since the electron lens constituent portion is formed of the resistance cylinder, the concentricity of the electron lens system hardly shifts.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明に係る陰極線管の電子銃の実施
例について、図面を参照して説明する。図１に第１実施
例の全体構成を示す。本実施例の電子銃はユニポテンシ
ャル型のものである。同図に示すように、本実施例にお
いては、陰極線管のネック管１のステム２の近傍に、電
子を放出するためのカソードＫが設けられ、このカソー
ドＫに隣接して第１グリッドＧ1 、第２グリッドＧ2 お
よび第３グリッドＧ3 を構成するカップ部材Ｇ3Aが同軸
上に配される。そして、カップ部材Ｇ3Aに隣接した位置
に、主レンズを形成するための後述する絶縁管（抵抗筒
体）３が設けられる。さらに、この絶縁管３の上端部に
はＨＶシールド４およびＨＶスプリング５が固定され
る。なお、ステム２には複数のステムピン６が埋め込ま
れている。Embodiments of the electron gun of a cathode ray tube according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the overall configuration of the first embodiment. The electron gun of this embodiment is of a unipotential type. As shown in the figure, in the present embodiment, a cathode K for emitting electrons is provided in the vicinity of the stem 2 of the neck tube 1 of the cathode ray tube, and the first grid G 1 is adjacent to the cathode K. , The cup members G 3 A forming the second grid G 2 and the third grid G 3 are arranged coaxially. Then, a position adjacent to the cup member G3 A, later an insulating tube to form a main lens (the resistance cylinder) 3 is provided. Further, the HV shield 4 and the HV spring 5 are fixed to the upper end of the insulating tube 3. A plurality of stem pins 6 are embedded in the stem 2.
【００１３】第１グリッドＧ1 には、ビーム量を制御す
るためのカットオフ電圧が印加される。一方、第１グリ
ッドＧ1 に隣接する第２グリッドＧ2 にはカソードＫよ
り正に数百Ｖ程度高い電圧が印加される。そして、第１
グリッドＧ1 、第２グリッドＧ2 および第３グリッドＧ
3 を構成するカップ部材Ｇ3Aは、これらの両側に配され
た一対のビードガラス７に融着によって固定され、トラ
イオードを構成する。A cutoff voltage for controlling the beam amount is applied to the first grid G 1 . On the other hand, a voltage positively higher than the cathode K by about several hundreds V is applied to the second grid G 2 adjacent to the first grid G 1 . And the first
Grid G 1 , second grid G 2 and third grid G
Cup member G3 A constituting the 3 is fixed by welding to a pair of bead glass 7 disposed on these sides, constitute a triode.
【００１４】また、第１グリッドＧ1 のリード線２４お
よび第２グリッドＧ2 のリード線２５は、それぞれステ
ムピン６に接続され、これによりトライオードが固定さ
れる。絶縁管３は、１０11Ω・ｃｍ以上程度の高抵抗
体、例えば絶縁性セラミック（Ａｌ2 Ｏ3 ９６％）また
はガラスで構成され、真円度の高い（例えば５０μｍ以
下）円筒形状に形成される。この絶縁管３の両端部およ
び中央部には、１０3 Ω・ｃｍ以下程度の導電膜、たと
えばＲｕＯ2 −ガラスペーストから成るリング状の電極
膜８、９、１０が塗布形成されている。ここで、電極膜
８はカップ部材Ｇ3Aとともに第３グリッドＧ3 を構成
し、電極膜９、１０は、それぞれ第４グリッドＧ4 およ
び第５グリッドＧ5 の役割を果たす。第３グリッドＧ3
（第１高圧電極）および第５グリッドＧ5 （第２高圧電
極）には、３０〜３２ｋＶ程度の高電圧が印加され、第
４グリッドＧ4 （中圧電極）には、７〜９ｋＶ程度の中
電圧が印加される。Further, the lead wire 24 of the first grid G 1 and the lead wire 25 of the second grid G 2 are connected to the stem pin 6, respectively, whereby the triode is fixed. The insulating tube 3 is made of a high resistance material of about 10 11 Ω · cm or more, for example, insulating ceramic (Al 2 O 3 96%) or glass, and is formed into a cylindrical shape having a high roundness (for example, 50 μm or less). It On both ends and the central part of the insulating tube 3, conductive films of about 10 3 Ω · cm or less, for example, ring-shaped electrode films 8, 9 and 10 made of RuO 2 -glass paste are formed by coating. Here, the electrode film 8 constitute the third grid G 3 together with the cup member G3 A, electrode films 9 and 10 serves as the fourth grid G 4 and the fifth grid G 5, respectively. Third grid G 3
A high voltage of about 30 to 32 kV is applied to the (first high voltage electrode) and the fifth grid G 5 (second high voltage electrode), and a voltage of about 7 to 9 kV is applied to the fourth grid G 4 (intermediate voltage electrode). Medium voltage is applied.
【００１５】そして、両端部の電極膜８、１０と一部重
なると共に、中央部の電極膜９には全部重なるように、
抵抗膜１１が形成されている。電極膜８、９，９、１０
間には、リング状の抵抗膜が形成される。絶縁管３の両
端部には、電極膜８、１０と電気的に接続するための円
筒ホルダ−１２（１２ａ，１２ｂ）が固定されている。
この円筒ホルダー１２は、例えばステンレス等の金属か
らなり、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、絶縁管３と
嵌まり合うリング状のフランジ部１３を有している。そ
して、このフランジ部１３の内周には、対向する一対の
突起１４が３箇所に設けられ、これらの突起１４のうち
内側のものが絶縁管３の内面に形成した電極膜１０、１
２と接触するように構成される。また、円筒ホルダー１
２ａと円筒ホルダー１２ｂとは、絶縁管３の外面に形成
した導電膜１７を介して電気的に接続される。Then, the electrode films 8 and 10 at both ends are partially overlapped with each other, and the electrode films 9 at the central part are entirely overlapped with each other.
The resistance film 11 is formed. Electrode film 8, 9, 9, 10
A ring-shaped resistance film is formed between them. Cylindrical holders 12 (12a, 12b) for electrically connecting to the electrode films 8 and 10 are fixed to both ends of the insulating tube 3.
The cylindrical holder 12 is made of a metal such as stainless steel, and has a ring-shaped flange portion 13 that fits with the insulating pipe 3, as shown in FIGS. A pair of protrusions 14 facing each other are provided at three locations on the inner circumference of the flange portion 13, and the inner one of these protrusions 14 is the electrode film 10, 1 formed on the inner surface of the insulating tube 3.
Configured to contact two. Also, the cylindrical holder 1
2a and the cylindrical holder 12b are electrically connected via a conductive film 17 formed on the outer surface of the insulating tube 3.
【００１６】図１に示すように、絶縁管３のほぼ中央部
にはＧ4 ピン１５が設けられる。このＧ4 ピン１５は、
絶縁管３の膨張係数とほぼ等しい膨張係数を有するコバ
ルト（Ｃｏ）鉄またはＴｉ合金で形成することが好まし
い。そして、このＧ4 ピン１５は、絶縁管３に形成した
孔１６を介して電極膜９と接触するように取り付けられ
る。また、Ｇ4 ピン１５には、リード線２６が接続され
る。このリード線２６は、図示しないがステムピン６に
接続固定される。As shown in FIG. 1, a G 4 pin 15 is provided at a substantially central portion of the insulating tube 3. This G 4 pin 15
It is preferable that the insulating tube 3 is formed of cobalt (Co) iron or Ti alloy having an expansion coefficient substantially equal to that of the insulating tube 3. The G 4 pin 15 is attached so as to come into contact with the electrode film 9 through the hole 16 formed in the insulating tube 3. A lead wire 26 is connected to the G 4 pin 15. Although not shown, the lead wire 26 is connected and fixed to the stem pin 6.
【００１７】図３に示すように、ＨＶシールド４は、例
えばＳＵＳ３０４等からなる平板状の部材で、その中央
部には電子ビームを透過させるための孔１８が設けられ
る。このＨＶシールド４は、図１に示すように、溶接に
よって円筒ホルダー１２ａに固定される。As shown in FIG. 3, the HV shield 4 is a flat plate member made of, for example, SUS304, and a hole 18 for allowing an electron beam to pass therethrough is provided at the center thereof. The HV shield 4 is fixed to the cylindrical holder 12a by welding, as shown in FIG.
【００１８】ＨＶスプリング５は、例えばインコネルか
らなる。図１に示すように、ＨＶスプリング５はＨＶシ
ールド４の両端部に溶接によって固定され、その先端部
がネック管１の内面を押圧するように構成される。そし
て、このＨＶスプリング５はカーボン等からなる導電膜
を介して不図示のアノードボタンに電気的に接続され
る。The HV spring 5 is made of, for example, Inconel. As shown in FIG. 1, the HV spring 5 is fixed to both ends of the HV shield 4 by welding, and its tip end portion presses the inner surface of the neck tube 1. The HV spring 5 is electrically connected to an anode button (not shown) via a conductive film made of carbon or the like.
【００１９】本実施例では、図４に示すように、電極膜
８で構成される第３グリッドＧ3 （第１高圧電極）と電
極膜９で構成される第４グリッドＧ4 （中圧電極）との
間のギャップａに対し、電極膜１０で構成される第５グ
リッドＧ5 （第２高圧電極）と第４グリッドＧ4 との間
のギャップｂの比（ｂ／ａ）を、１以上、好ましくは１
〜３、さらに好ましくは１〜２と成るように設計してあ
る。In this embodiment, as shown in FIG. 4, a third grid G 3 (first high voltage electrode) composed of the electrode film 8 and a fourth grid G 4 (intermediate voltage electrode) composed of the electrode film 9 are formed. ) To a gap a between the fifth grid G 5 (second high-voltage electrode) and the fourth grid G 4 formed of the electrode film 10, the ratio (b / a) is set to 1 Or more, preferably 1
It is designed so as to be ~ 3, and more preferably 1-2.
【００２０】前記ギャップ比（ｂ／ａ）を、上述する範
囲に設定する理由を次に説明する。図５に示すように、
前記ギャップ比（ｂ／ａ）を変化させた場合には、電子
銃のレンズの球面収差係数Ｃｓが大きく変化する。な
お、図５の横軸は、ｂ／ａであり、縦軸は、球面収差係
数Ｃｓである。球面収差係数Ｃｓは、陰極線管のスポッ
ト径に大きく影響する。スポット径Ｄは、以下の数式で
表わせる。The reason why the gap ratio (b / a) is set in the above range will be described below. As shown in FIG.
When the gap ratio (b / a) is changed, the spherical aberration coefficient Cs of the lens of the electron gun changes greatly. The horizontal axis of FIG. 5 is b / a, and the vertical axis is the spherical aberration coefficient Cs. The spherical aberration coefficient Cs greatly affects the spot diameter of the cathode ray tube. The spot diameter D can be expressed by the following mathematical formula.
【００２１】[0021]
【数２】Ｄ＝ｄｃ×Ｍ＋１／２×Ｃｓ×Ｍ×θ3 ただし、ｄｃは物点径であり、Ｍは増倍率であり、θは
発散角である。## EQU2 ## D = dc × M + 1/2 × Cs × M × θ 3 where dc is the object point diameter, M is the multiplication factor, and θ is the divergence angle.
【００２２】上記式より、スポット径Ｄを小さくするに
は、球面収差係数Ｃｓを小さくすれば良いことが分か
る。したがって、図５に示す結果から、本実施例では、
ｂ／ａは、１以上とする。球面収差係数Ｃｓのみを考え
れば、ｂ／ａは、１以上であれば良いが、増倍率Ｍまで
も考慮すると、図６に示すように、Ｃｓ×Ｍは、ｂ／ａ
に対して極小値を持つので、スポット径Ｄを小さくする
には、現実的には、ｂ／ａは、１〜３、好ましくは１〜
２である。From the above equation, it can be seen that in order to reduce the spot diameter D, it is sufficient to reduce the spherical aberration coefficient Cs. Therefore, from the results shown in FIG.
b / a is 1 or more. If only the spherical aberration coefficient Cs is considered, b / a may be 1 or more, but if the multiplication factor M is also taken into consideration, as shown in FIG. 6, Cs × M is b / a.
Therefore, in order to reduce the spot diameter D, b / a is realistically 1 to 3, preferably 1 to
It is 2.
【００２３】なお、第３グリッドＧ3 と第４グリッドＧ
4 とのギャップａの具体的寸法は、陰極線管の大きさな
どにより相違する。本実施例では、前記ギャップ比を所
定の範囲とすることにより、球面収差を最少にすること
ができ、これにより陰極線管の解像度の向上を図ること
ができる。しかも、グリッドＧ3 ，Ｇ4 ，Ｇ5 の外周
は、絶縁管３で覆われているので、電子ビームがグリッ
ド間から漏れてビードガラスなどにチャージアップする
こともない。The third grid G 3 and the fourth grid G
The specific size of the gap a with respect to 4 differs depending on the size of the cathode ray tube and the like. In the present embodiment, the spherical aberration can be minimized by setting the gap ratio within a predetermined range, whereby the resolution of the cathode ray tube can be improved. Moreover, since the outer circumferences of the grids G 3 , G 4 , and G 5 are covered with the insulating tube 3, the electron beam does not leak from between the grids and charge up the bead glass or the like.
【００２４】次に、本実施例に係る電子銃の製造方法に
ついて、図７および図８を用いて説明する。まず、絶縁
管３に、Ｇ4 ピン１５を取り付けるための孔１６を形成
し、（図７工程（１）、図８Ａ）、この絶縁管３を洗浄
する（図７工程（２））。そして、図９に示すように、
この孔１６にＧ4 ピン１５とフリットガラスｇをセット
する（図７工程（３））。Next, a method of manufacturing the electron gun according to this embodiment will be described with reference to FIGS. First, a hole 16 for attaching the G 4 pin 15 is formed in the insulating tube 3 (FIG. 7 step (1), FIG. 8A), and this insulating tube 3 is washed (FIG. 7 step (2)). Then, as shown in FIG.
The G 4 pin 15 and the frit glass g are set in this hole 16 (step (3) in FIG. 7).
【００２５】さらに、Ｇ4 ピン１５を治具によって固定
し、その状態でフリット焼成を行う（図７工程（４）、
図８Ｂ）。次いで、絶縁管３の内面の両端部および中央
部に電極膜８〜１０を塗布形成する（図７工程（５）、
図８Ｃ）。この場合、導電ペーストとしては、例えばＲ
ｕＯ2 −ガラスペースト（商品名＃９５１６、デュポン
社製等）を用い、膜厚が均一になるように塗布する。Further, the G 4 pin 15 is fixed by a jig and frit firing is performed in that state (FIG. 7 step (4),
FIG. 8B). Next, the electrode films 8 to 10 are applied and formed on both end portions and the central portion of the inner surface of the insulating tube 3 (step (5) in FIG. 7,
FIG. 8C). In this case, as the conductive paste, for example, R
uO 2 -glass paste (trade name: # 9516, manufactured by DuPont, etc.) is used to apply a uniform film thickness.
【００２６】さらに、図８Ｄに示すように、第３グリッ
ドＧ3 としての電極膜８と第５グリッドＧ5 としての電
極膜１０を電気的に接続するため、絶縁管３のＧ4 ピン
１５が設けられない側の外周に長手方向に上記導電ペー
ストを塗布し、導電膜１７を形成する。そして、電極膜
８〜１０および導電膜１７を平坦化するためレベリング
乾燥を行う（図７工程（６））。Further, as shown in FIG. 8D, in order to electrically connect the electrode film 8 as the third grid G 3 and the electrode film 10 as the fifth grid G 5 , the G 4 pin 15 of the insulating tube 3 is The conductive paste is applied in the longitudinal direction on the outer periphery of the side not provided to form the conductive film 17. Then, leveling drying is performed to flatten the electrode films 8 to 10 and the conductive film 17 (step (6) in FIG. 7).
【００２７】その後、図８Ｅに示すように、絶縁管３の
内面のほぼ全面に、即ち絶縁管３の両端部の電極膜８、
１０が形成された部分を多少残して抵抗膜１１を塗布形
成する（図８工程（７））。この場合、抵抗ペーストと
しては、例えばＲｕＯ2 −ガラスペースト）（商品名＃
９５１８、デュポン社製等）を用い、後述する方法によ
って膜厚が均一になるように塗布を行う。After that, as shown in FIG. 8E, the electrode films 8 on the entire inner surface of the insulating tube 3, that is, at both ends of the insulating tube 3,
Resistive film 11 is formed by coating, leaving a portion where 10 is formed (step (7) in FIG. 8). In this case, the resistance paste is, for example, RuO2 -glass paste) (trade name #
9518, manufactured by DuPont Co., Ltd.) and applied by a method described later so that the film thickness becomes uniform.
【００２８】図１０は抵抗ペーストの塗布方法の例を示
すものである。同図に示すように、Ｚ軸即ち管軸方向を
中心にして絶縁管３を回転し、抵抗ペースト１８のタン
ク１９に連結されたノズル２０から絶縁管３の内面に一
定量の抵抗ペースト１８を供給する。FIG. 10 shows an example of a method of applying the resistance paste. As shown in the figure, the insulating tube 3 is rotated about the Z axis, that is, the tube axis direction, and a fixed amount of the resistance paste 18 is applied to the inner surface of the insulating tube 3 from the nozzle 20 connected to the tank 19 of the resistance paste 18. Supply.
【００２９】そして、抵抗膜１１に対してレベリング乾
燥を行った（図７工程（８））後に、図１１に示す方法
により抵抗膜のトリミングおよび洗浄を行う（図７工程
（９））。図１１はトリミング方法の１つの例を示すも
のである。即ち、Ｚ軸を中心にして絶縁管３を回転しつ
つこれをＸ軸方向へ移動させ、けがき針２１の先端を抵
抗膜１１の表面に接触させることにより、抵抗膜１１を
螺旋状にけがく。この場合、電極膜８〜１０と重なって
いない部分のみけがくようにする。この工程により、電
極膜８、９および電極膜９、１０間において抵抗膜１１
が螺旋状に形成される（図８Ｆ）。なお、トリミングに
よって発生した切り屑はエアブロー等により絶縁管から
完全に除く（洗浄）。なお、けがき針２１を移動させる
ようにしてもよい。After the resistance film 11 is leveled and dried (step (8) in FIG. 7), the resistance film is trimmed and washed by the method shown in FIG. 11 (step (9) in FIG. 7). FIG. 11 shows an example of the trimming method. That is, while rotating the insulating tube 3 around the Z axis and moving it in the X axis direction, the tip of the scribing needle 21 is brought into contact with the surface of the resistive film 11, so that the resistive film 11 is wound in a spiral shape. Ku. In this case, only the portion not overlapping with the electrode films 8 to 10 is marked. By this step, the resistance film 11 is formed between the electrode films 8 and 9 and the electrode films 9 and 10.
Are formed in a spiral shape (FIG. 8F). Chips generated by trimming are completely removed (cleaned) from the insulating tube by air blow or the like. The scribing needle 21 may be moved.
【００３０】一方、このような方法によらなくとも、次
の方法により抵抗膜１１を螺旋状に形成してもより。即
ち、図７工程（６）のレベリング乾燥後、図１２に示す
ように、絶縁管３をＺ軸を中心にして回転しつつこれを
Ｘ軸方向へ移動させ、抵抗ペースト１８のタンク１９に
連結されたディスペンサー２２（注射針）から抵抗ペー
スト１８を供給することもできる。On the other hand, instead of using such a method, the resistance film 11 may be formed in a spiral shape by the following method. That is, after the leveling and drying in the step (6) of FIG. 7, as shown in FIG. 12, the insulating tube 3 is moved in the X axis direction while rotating around the Z axis, and is connected to the tank 19 of the resistance paste 18. It is also possible to supply the resistance paste 18 from a dispenser 22 (injection needle) that has been prepared.
【００３１】この場合、ディスペンサー２２と絶縁管３
との距離を一定に保つことが好ましい。また、ディスペ
サー２２を移動させるようにしてもよい。上述の工程に
より螺旋状の抵抗膜１１を形成した後、絶縁管３を例え
ば８５０℃の温度で１０分間焼成する（図７工程（１
０））。これにより電極膜８〜１０および抵抗膜１１が
溶解して絶縁管３に固着し安定化する。In this case, the dispenser 22 and the insulating tube 3
It is preferable to keep the distance between and constant. Further, the dispenser 22 may be moved. After forming the spiral resistance film 11 by the above process, the insulating tube 3 is fired at a temperature of 850 ° C. for 10 minutes, for example (FIG.
0)). As a result, the electrode films 8 to 10 and the resistance film 11 are melted and fixed to the insulating tube 3 to be stabilized.
【００３２】そして、絶縁管３を洗浄乾燥（図７工程
（１１））した後、位置決め治具で絶縁管３を芯出しお
よび垂直出しして円筒ホルダー１２を絶縁管３にセット
し、（図７工程（１２））、図８Ｇに示すように円筒ホ
ルダー１２と絶縁管３との連結部分にフリット２３を配
し、焼成を行う（図７工程（１３））。After the insulating pipe 3 is washed and dried (step (11) in FIG. 7), the insulating pipe 3 is centered and vertically aligned by a positioning jig to set the cylindrical holder 12 on the insulating pipe 3 (see FIG. 7 step (12)), as shown in FIG. 8G, the frit 23 is arranged at the connecting portion between the cylindrical holder 12 and the insulating tube 3, and firing is performed (FIG. 7 step (13)).
【００３３】その後、一方の円筒ホルダー１２ａに対
し、位置出し治具を用いてＨＶシールド４およびＨＶス
プリング５を組立、溶接する。また、他方の円筒ホルダ
ー１２ｂに対し、予め公知のビーディング法により組み
立てたトライオード（カソードＫ、第１グリッドＧ1 、
第２グリッドＧ2 、カップ部材Ｇ3A）を、位置出し治具
を用いて組み立て、溶接する（図７工程（１４））。After that, the HV shield 4 and the HV spring 5 are assembled and welded to one of the cylindrical holders 12a using a positioning jig. In addition, a triode (cathode K, first grid G 1 ,
The second grid G 2 and the cup member G 3 A ) are assembled using a positioning jig and welded (FIG. 7 step (14)).
【００３４】さらに、第１および第２グリッドＧ1,Ｇ2
のリード線２４、２５およびＧ4 ピン１５のリード線２
６を、ステム２に埋め込まれたステムピン６に接続する
ことにより、図１に示すような電子銃が完成する。かか
る構成を有する本実施例においては、主レンズを形成す
るための第３〜第５グリッドＧ3 〜Ｇ5 に相当する電極
膜８〜１０が、精度良く一体形成された絶縁管３に形成
されていることから、これらの電極８〜１０管のＺ軸に
対する軸ずれが小さくなる。従って、本実施例によれ
ば、電子ビームの離軸を小さく抑えることができる。Furthermore, the first and second grids G 1 , G 2
Lead wires 24, 25 and lead wire 2 for G 4 pin 15
An electron gun as shown in FIG. 1 is completed by connecting 6 to the stem pin 6 embedded in the stem 2. In the present embodiment having such a configuration, the electrode film 8 to 10 corresponding to the third to fifth grids G 3 ~G 5 for forming a main lens is formed in precisely insulating tube 3 integrally formed Therefore, the axial displacement of the tubes of these electrodes 8 to 10 with respect to the Z axis becomes small. Therefore, according to the present embodiment, the off axis of the electron beam can be suppressed small.
【００３５】また、本実施例においては、電極膜８〜１
０の間に螺旋状の抵抗膜１１が形成されていることか
ら、電極膜８〜１０の間の電位勾配（電界強度変化率）
が従来例に比べて小さくなり、その結果、電極８〜１０
間の放電が起こりにくくなる。さらに、球面収差が小さ
くなることから、ビームスポット径を小さくすることが
でき、解像度を向上させることが可能になる。In the present embodiment, the electrode films 8-1
Since the spiral resistance film 11 is formed between 0, the potential gradient between the electrode films 8 to 10 (electric field intensity change rate)
Becomes smaller than the conventional example, and as a result, the electrodes 8 to 10
Discharging during that time is less likely to occur. Further, since the spherical aberration is reduced, the beam spot diameter can be reduced and the resolution can be improved.
【００３６】なお、上述の実施例においては、導電膜１
７および円筒ホルダー１２ａ、１２ｂを介して電極膜
８、１０を接続するようにしたが、本発明はこれに限ら
れることなく、例えば円筒ホルダー１２ａ、１２ｂをリ
ード線により接続するようにしてもよい。In the above embodiment, the conductive film 1
Although the electrode films 8 and 10 are connected via 7 and the cylindrical holders 12a and 12b, the present invention is not limited to this, and the cylindrical holders 12a and 12b may be connected by a lead wire, for example. .
【００３７】また、上述の実施例においては、例えば図
８Ｇに示すように、フリットガラス２３を用いて円筒ホ
ルダー１２ａ，１２ｂを絶縁管３に固定するようにした
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図１
３に示すように絶縁管３の外面に凹部３ａを形成し、こ
の凹部３ａと円筒ホルダー１２の突起１４とをはめ合わ
せるように構成することもできる。この場合、ＨＶシー
ルド４と円筒ホルダー１２とは予め溶接しておくとよ
い。また、ＨＶシールド４とＨＶスプリング５について
も、溶接によらず、はめ込んで固定することもできる。Further, in the above-described embodiment, the frit glass 23 is used to fix the cylindrical holders 12a and 12b to the insulating tube 3, as shown in FIG. 8G, but the present invention is not limited to this. Not the one shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a concave portion 3a may be formed on the outer surface of the insulating tube 3, and the concave portion 3a and the protrusion 14 of the cylindrical holder 12 may be fitted together. In this case, the HV shield 4 and the cylindrical holder 12 may be welded in advance. Further, the HV shield 4 and the HV spring 5 can also be fitted and fixed without welding.
【００３８】さらに本発明では、円筒ホルダー１２に設
けた突起１４の数についても、上記実施例に限られるこ
となく、複数であれば任意の数を選ぶことができる。さ
らにまた、上述の実施例において、第１グリッドＧ1 、
第２グリッドＧ2 および第３グリッド部材Ｇ3Aのみビー
ドガラス７で固定するようにしたが、本発明はこれに限
られるものではなく、例えばビードガラス７を延長して
ＨＶシールド４を併せて固定することもできる。これに
より一層強固に電子銃を組み立てることができる。な
お、この場合、ビードガラスによる固定は電子銃の組立
の最後に行う。Further, in the present invention, the number of the projections 14 provided on the cylindrical holder 12 is not limited to the above embodiment, and any number can be selected as long as it is plural. Furthermore, in the embodiment described above, the first grid G 1 ,
Although only the second grid G 2 and the third grid member G 3 A are fixed by the bead glass 7, the present invention is not limited to this. For example, the bead glass 7 may be extended to fix the HV shield 4 together. You can also do it. Thereby, the electron gun can be assembled more firmly. In this case, the fixing with the bead glass is performed at the end of the assembly of the electron gun.
【００３９】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、種々に改変することができる。たと
えば、本発明では、前記抵抗膜１１は、必ずしも設ける
必要はない。また、抵抗筒体としての絶縁管３内に配置
される第１高圧電極、中圧電極および第２高圧電極は、
第３グリッドＧ3 、第４グリッドＧ4 、第５グリッドＧ
5 に限定されず、その他のグリッドであっても良い。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be modified in various ways. For example, in the present invention, the resistance film 11 does not necessarily have to be provided. Further, the first high-voltage electrode, the medium-voltage electrode, and the second high-voltage electrode arranged in the insulating tube 3 as the resistance cylinder are
3rd grid G 3 , 4th grid G 4 , 5th grid G
The number of grids is not limited to 5 , and other grids may be used.
【００４０】次に、本発明の他の実施例に係る陰極線管
の電子銃について説明する。ただし、以下の実施例の説
明では、電極膜間のギャップ比については特に説明しな
いが、前記実施例と同様である。まず、第２実施例につ
いて図１４〜図１６を参照して説明する。なお、上記第
１実施例と対応する部分には同一符号を付し、重複説明
を省略する。Next, an electron gun of a cathode ray tube according to another embodiment of the present invention will be described. However, in the following description of the embodiments, the gap ratio between the electrode films is not particularly described, but is the same as the above-mentioned embodiments. First, the second embodiment will be described with reference to FIGS. The parts corresponding to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the duplicated description will be omitted.
【００４１】図１４に本実施例の全体構成を示す。本実
施例の電子銃はユニポテンシャル型のものである。同図
に示すように、本実施例においては、ネック管１のステ
ム２の近傍に電子を放出するためのカソードＫが設けら
れ、このカソードＫに隣接して第１グリッドＧ1 、第２
グリッドＧ2 および第３グリッドＧ3 を構成するカップ
部材Ｇ3Aが同軸上に配される。そして、カップ部材Ｇ3A
に隣接した位置に、主レンズを形成するための後述する
高抵抗管３Ａが設けられる。さらに、この高抵抗管３Ａ
の上端部にはＨＶシールド４およびＨＶスプリング５が
固定される。なお、ステム２には複数のステムピン６が
埋め込まれている。FIG. 14 shows the overall construction of this embodiment. The electron gun of this embodiment is of a unipotential type. As shown in the figure, in this embodiment, a cathode K for emitting electrons is provided in the vicinity of the stem 2 of the neck tube 1, and adjacent to the cathode K, the first grid G 1 and the second grid G 2 are provided.
Cup member G3 A constituting the grid G 2 and the third grid G 3 is disposed coaxially. And the cup member G3 A
A high resistance tube 3A, which will be described later, for forming the main lens is provided at a position adjacent to. Furthermore, this high resistance tube 3A
The HV shield 4 and the HV spring 5 are fixed to the upper end of the. A plurality of stem pins 6 are embedded in the stem 2.
【００４２】高抵抗管３Ａは、例えばアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）中にＴｉ、Ｗ、Ｃｕ等の酸化物を混合し焼結させ
て導電性をもたせた物質や導電性をもたせたフェライ
ト、チタニア系セラミックス等からなり、高耐圧性を有
する絶縁物を主成分とする。この高抵抗管３Ａは、真円
度の高い（例えば２０μｍ以下）円筒形状に形成され、
その両端部および中央部内面には例えばＲｕＯ2 −ガラ
スペーストからなるリング状の電極膜８、９、１０が塗
布形成されている。ここで、電極膜８はカップ部材Ｇ3A
とともに第３グリッドＧ3 を構成し、電極膜９、１０は
それぞれ第４グリッドＧ4 および第５グリッドＧ5 の役
割を果たす。一方、電極膜８、９、１０の間には、例え
ば電極膜８〜１０と同じ材料からなる複数のリング状の
部分（以下「導電リング」という。）１１Ａが形成され
ている。ここで、電極膜８〜１０および導電リング１１
Ａは、ともに高抵抗管３の長手方向即ち管軸（Ｚ軸）方
向と垂直方向に形成されている。The high resistance tube 3A is made of, for example, alumina (Al 2
O 3 ) is mixed with oxides of Ti, W, Cu, etc. and sintered, and is made of an electrically conductive material, an electrically conductive material such as ferrite, titania-based ceramics, etc. The main component. The high resistance tube 3A is formed in a cylindrical shape with high roundness (for example, 20 μm or less),
Ring-shaped electrode films 8, 9 and 10 made of, for example, RuO 2 -glass paste are applied and formed on both end portions and the inner surface of the central portion. Here, the electrode film 8 cup member G3 A
Together with this, a third grid G 3 is formed, and the electrode films 9 and 10 play the roles of a fourth grid G 4 and a fifth grid G 5 , respectively. On the other hand, a plurality of ring-shaped portions (hereinafter referred to as “conductive rings”) 11A made of, for example, the same material as the electrode films 8 to 10 are formed between the electrode films 8, 9 and 10. Here, the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11
Both A are formed in the longitudinal direction of the high resistance tube 3, that is, in the direction perpendicular to the tube axis (Z axis) direction.
【００４３】高抵抗管３Ａの抵抗値については、高抵抗
管３Ａの直径と電極膜８、９および９、１０間の間隔を
それぞれ１２ｍｍ程度とすると、各電極膜８、９および
９、１０間において１００ＭΩ（メガオーム）〜１０Ｔ
ｅｒａΩ（テラオーム）となるように設定することが好
ましく、特に１ＧΩ程度が好ましい。この値より小さい
と発熱しやすく、また、この値より大きいと帯電しやす
くなる。なお、かかる抵抗値を１ＧΩに設定した場合、
高抵抗管３Ａの体積抵抗率は１０6 Ω・ｃｍとなる。Regarding the resistance value of the high resistance tube 3A, if the diameter of the high resistance tube 3A and the distance between the electrode films 8, 9 and 9, 10 are respectively about 12 mm, the resistance value between the electrode films 8, 9 and 9, 10 is large. At 100 MΩ (mega ohm) to 10 T
It is preferable to set it to be eraΩ (teraohm), and it is particularly preferable to set it to about 1 GΩ. When it is smaller than this value, heat is easily generated, and when it is larger than this value, charging is easy. If the resistance is set to 1 GΩ,
The volume resistivity of the high resistance tube 3A is 10 6 Ω · cm.
【００４４】さらに、高抵抗管３Ａの一方の外面には、
その長手方向に延びる導電膜１７が形成されている。高
抵抗管３Ａの両端部には、電極膜８、１０を電気的に接
続するための円筒ホルダー１２（１２ａ，１２ｂ）が固
定されている。この円筒ホルダー１２は、第１実施例と
同様の構成を有している。Further, on one outer surface of the high resistance tube 3A,
A conductive film 17 extending in the longitudinal direction is formed. A cylindrical holder 12 (12a, 12b) for electrically connecting the electrode films 8 and 10 is fixed to both ends of the high resistance tube 3A. The cylindrical holder 12 has the same structure as that of the first embodiment.
【００４５】本実施例に係る電子銃では、第３グリッド
Ｇ3 と第４グリッドＧ4 とのギャップに対し、第４グリ
ッドＧ4 と第５グリッドＧ5 とのギャップの比は、前記
第１実施例と同様である。本実施例では、高抵抗管３Ａ
の内部に、導電リング１１Ａが配置してある点が、前記
実施例と大きく異なる点である。導電リング１１Ａは、
次のような役割を果たすものである。In the electron gun according to the present embodiment, the ratio of the gap between the fourth grid G 4 and the fifth grid G 5 to the gap between the third grid G 3 and the fourth grid G 4 is the first It is similar to the embodiment. In this embodiment, the high resistance tube 3A
The point that the conductive ring 11A is arranged inside is substantially different from the above embodiment. The conductive ring 11A is
It plays the following roles.
【００４６】すなわち、図１５および図１６Ａに示すよ
うに、高抵抗管３Ａの内壁表面の抵抗は、その上側部分
４５ａと下側部分４５ｂでばらつきを生ずるが、本実施
例のように高抵抗管３Ａの長手方向（Ｚ軸方向）と垂直
方向（Ｙ軸方向）に導電リング１１Ａを設けることによ
り、Ｙ軸方向の等電位化がなされ、かかる抵抗のばらつ
きを抑えることができる。That is, as shown in FIGS. 15 and 16A, the resistance of the inner wall surface of the high resistance tube 3A varies between the upper portion 45a and the lower portion 45b thereof, but as in this embodiment, By providing the conductive ring 11A in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the longitudinal direction (Z-axis direction) of 3A, equalization of potential in the Y-axis direction can be achieved and variation in such resistance can be suppressed.
【００４７】例えば図１６Ｂに示すように、Ｚ＝０ｍｍ
の場所に電極膜８を設けるとともにＺ＝１００ｍｍの場
所に導電リング１１Ａを設けた場合、電極膜８〜１０お
よび導電リング１１Ａ間における上記抵抗のばらつきの
値は、導電リング１１Ａを設けた場合の方が小さくなる
（Ｒ1 ＞Ｒ2 ，Ｒ4 ＞Ｒ5 ）。そして、Ｚ＝５０ｍｍの
場所にも導電リング１１Ａを設けた場合には、図１６Ｃ
に示すように、さらに上記抵抗のばらつきの値が小さく
なる（Ｒ2 ＞Ｒ3 ，Ｒ5 ＞Ｒ6 ＝０）。For example, as shown in FIG. 16B, Z = 0 mm
When the conductive film 11A is provided at the position of Z = 100 mm and the electrode film 8 is provided at the position of, the value of the variation of the resistance between the electrode films 8 to 10 and the conductive ring 11A is the same as when the conductive ring 11A is provided. It becomes smaller (R 1 > R 2 , R 4 > R 5 ). Then, when the conductive ring 11A is provided also at the position of Z = 50 mm, FIG.
As shown in ( 4 ), the value of the variation in resistance is further reduced (R 2 > R 3 , R 5 > R 6 = 0).
【００４８】この結果、本実施例のように電極膜８〜１
０間に導電リング１１Ａを設けた場合、電極膜８〜１０
によって形成される電子レンズ系の球面収差を小さくす
ることができる。そして、この導電リング１１Ａを精度
良く多く設ければ設けるほど、従来の装置において電子
銃を構成する部材の真円度が小さくなった場合と同様の
効果がある。As a result, as in this embodiment, the electrode films 8 to 1
When the conductive ring 11A is provided between 0, the electrode films 8 to 10
The spherical aberration of the electron lens system formed by can be reduced. The more accurately the conductive ring 11A is provided, the same effect as in the case where the roundness of the member forming the electron gun becomes smaller in the conventional device.
【００４９】また、導電リング１１Ａのピッチや巾を変
えることにより、図１６Ｄに示すように、電極間の電位
の微調整を行うことができ、その結果、球面収差のより
小さなレンズ系を設計することができる。かかる構成を
有する本実施例においては、主レンズを形成するための
第３〜５グリッドＧ3 〜Ｇ5 に相当する電極膜８〜１０
が、精度良く一体形成された高抵抗管３Ａに形成されて
いることから、これらの電極８〜１０間のＺ軸に対する
軸ずれが小さくなる。従って、本実施例によれば、電子
ビームの離軸を小さく抑えることができる。By changing the pitch and width of the conductive ring 11A, the electric potential between the electrodes can be finely adjusted as shown in FIG. 16D, and as a result, a lens system with smaller spherical aberration can be designed. be able to. In the present embodiment having such a configuration, the electrode film 8 to 10 corresponding to the third to fifth grids G 3 ~G 5 for forming a main lens
However, since it is formed in the high resistance tube 3A which is integrally formed with high accuracy, the axis deviation between the electrodes 8 to 10 with respect to the Z axis becomes small. Therefore, according to the present embodiment, the off axis of the electron beam can be suppressed small.
【００５０】また、本実施例においては、電極膜８〜１
０の間に複数の導電リング１１Ａが形成されていること
から、図１７に示すように電極膜８〜１０の間の電位勾
配（電界強度変化率）が従来例に比べて小さくなり、そ
の結果、電極８〜１０間の放電が起こりにくくなる。さ
らに、球面収差が小さくなることから、ビームスポット
径を小さくすることができ、解像度を向上させることが
可能になる。Further, in this embodiment, the electrode films 8 to 1
Since the plurality of conductive rings 11A are formed between 0, the potential gradient (electric field strength change rate) between the electrode films 8 to 10 is smaller than that in the conventional example as shown in FIG. The discharge between the electrodes 8 to 10 is less likely to occur. Further, since the spherical aberration is reduced, the beam spot diameter can be reduced and the resolution can be improved.
【００５１】この場合、電極膜８〜１０は高抵抗の物質
が存在しているため、例えば低抵抗の絶縁管３に電極膜
８〜１０を形成するとともに電極膜８〜１０間に螺旋状
の抵抗膜１１を設けた場合に比べ、わずかな数の導電リ
ング１１Ａを設けるだけで所望の主レンズを形成する第
３〜第５グリッドＧ3 〜Ｇ5 を得ることができ、この結
果、容易に電子銃を製造することができる。In this case, since the electrode films 8 to 10 have a high resistance substance, for example, the electrode films 8 to 10 are formed on the low resistance insulating tube 3 and a spiral shape is formed between the electrode films 8 to 10. compared with the case where the resistive film 11 is provided, it is possible to obtain the third to fifth grids G 3 ~G 5 forming the only desired main lens providing a small number of conductive rings 11A, as a result, easily An electron gun can be manufactured.
【００５２】また、本実施例における導電リング１１Ａ
はＺ軸と垂直方向に形成されているため、電極膜８〜１
０間における電位を安定させることができる。そして、
本実施例の構成によれば、高抵抗管３Ａ内において電流
がＺ軸に平行に流れるので、管内における磁界発生がな
く、電子ビームの偏心を防止することができる。The conductive ring 11A in this embodiment is also used.
Is formed in the direction perpendicular to the Z axis, the electrode films 8 to 1
The potential between 0 can be stabilized. And
According to the configuration of the present embodiment, since the current flows in the high resistance tube 3A in parallel with the Z axis, no magnetic field is generated in the tube and the eccentricity of the electron beam can be prevented.
【００５３】なお、ビードガラス７をＨＶシールド４ま
で延長しなくとも、図１８に示すように一対の帯状のバ
ンドＢで高い抵抗管３Ａを挟むとともに高抵抗管３Ａの
途中までビードガラス７を延長し、このビードガラス７
に対してバンドＢを融着することにより高抵抗管３Ａと
トライオードとを固定するようにしてもよい。Even if the bead glass 7 is not extended to the HV shield 4, as shown in FIG. 18, the high resistance tube 3A is sandwiched between a pair of band-shaped bands B and the bead glass 7 is extended partway along the high resistance tube 3A. And this bead glass 7
Alternatively, the high resistance tube 3A and the triode may be fixed by fusing the band B.
【００５４】図１９は本発明の第３実施例の要部を示す
ものである。本実施例にあっては、上述と同様の高抵抗
セラミックスからなるリング状の部材５４を積層し、そ
の間に円板状の金属板５５を挟んで構成される。ここ
で、金属板５５には電子ビーム透過用の孔５６〜５８が
形成される。なお、本例は３ビームの電子銃の場合であ
るが、かかる構成は図１に示す単ビーム用の電子銃にも
適用可能である。FIG. 19 shows an essential part of the third embodiment of the present invention. In this embodiment, a ring-shaped member 54 made of the same high-resistance ceramic as described above is laminated, and a disc-shaped metal plate 55 is sandwiched therebetween. Here, holes 56 to 58 for transmitting electron beams are formed in the metal plate 55. Although this example is for a three-beam electron gun, such a configuration is also applicable to the single-beam electron gun shown in FIG.
【００５５】ところで、上述の実施例においては、高抵
抗セラミックスからなる高抵抗管３Ａの電極膜８〜１０
を形成する際に、導電ペースト７０を塗布および乾燥し
た後、これを焼成する必要があるため、コスト高になる
おそれがある。また、ＲｕＯ2 −ガラスペーストからな
る導電ペースト７０がスパーキング時に損傷を受けるこ
とにより、レンズ特性が劣化するおそれがある。By the way, in the above-mentioned embodiment, the electrode films 8 to 10 of the high resistance tube 3A made of high resistance ceramics.
When forming, the conductive paste 70 needs to be applied and dried, and then baked, which may increase the cost. Further, the conductive paste 70 made of RuO 2 -glass paste may be damaged during sparking, which may deteriorate the lens characteristics.
【００５６】加えて、さらなるレンズ特性の向上を図る
ためには抵抗分布をより傾斜させる必要があるが、高抵
抗管３Ａ内は均一な抵抗分布となっていることからこれ
には限界がある。そこで、本発明の第４実施例において
は、以下のような構成を採用している。In addition, in order to further improve the lens characteristics, it is necessary to make the resistance distribution more inclined, but this is a limitation because the resistance distribution inside the high resistance tube 3A is uniform. Therefore, the following configuration is adopted in the fourth embodiment of the present invention.
【００５７】図２０は本実施例の要部構成を示すもので
ある。図２０Ａに示すように、本実施例に用いる高抵抗
管１０５においては、一体に形成された本体の両端に低
抵抗部１０６が形成され、その間に高抵抗部１０７が形
成されている。この場合、低抵抗部１０６の抵抗値は、
その表面の抵抗が１０ＫΩ／□程度とすることが好まし
い。一方、高抵抗部１０７の抵抗値は、上記実施例と同
様に、１００ＭΩから１０ＴｅｒａΩとすることが好ま
しい。なお、高抵抗部１０７を低抵抗部１０６との境界
において抵抗が連続的に変化するように構成することが
好ましい。これにより電位勾配が更に小さくなる。FIG. 20 shows the structure of the main part of this embodiment. As shown in FIG. 20A, in the high resistance tube 105 used in this embodiment, the low resistance portions 106 are formed at both ends of the integrally formed main body, and the high resistance portion 107 is formed therebetween. In this case, the resistance value of the low resistance portion 106 is
The surface resistance is preferably about 10 KΩ / □. On the other hand, the resistance value of the high resistance portion 107 is preferably 100 MΩ to 10 TeraΩ, as in the above embodiment. Note that it is preferable that the high resistance portion 107 be configured so that the resistance continuously changes at the boundary with the low resistance portion 106. This further reduces the potential gradient.
【００５８】本実施例の高抵抗管１０５は、例えば公知
の文献（Jady Chu, 石橋、林、武部、森永 SliP Casti
nt of Continuous Functionally Gradient Material Jo
urnal of the Ceramic Society of Japan 101 [7] 841-
844, 1993)に記載されている方法等により得られる。す
なわち、この方法は、導電物質（Ｗ，Ｎｉ−Ｃｒ等）を
混合したスラリーを用い、粒子の沈降速度の差を利用し
て管軸方向に濃度差を与えることにより高抵抗管１０５
の抵抗に勾配をつけるものである。The high resistance tube 105 of this embodiment is, for example, a known document (Jady Chu, Ishibashi, Hayashi, Takebe, Morinaga SliP Casti).
nt of Continuous Functionally Gradient Material Jo
urnal of the Ceramic Society of Japan 101 [7] 841-
844, 1993). That is, this method uses a slurry in which a conductive material (W, Ni-Cr, etc.) is mixed, and uses the difference in the sedimentation velocity of particles to give a difference in concentration in the axial direction of the high resistance tube 105.
This is to give a gradient to the resistance of.
【００５９】図２０Ｂは、本実施例における高抵抗管１
０８の他の例を示すものである。同図に示すように、こ
の例においては、図２０Ａに示す高抵抗管１０５の周囲
に第２の高抵抗部１０９が設けられる。この第２の高抵
抗部１０９は、低抵抗部１０６を保護すること等を目的
として設けられるもので、その材料としては、内側の高
抵抗部１０７と同じものまたは他の絶縁体を用いること
ができる。FIG. 20B shows a high resistance tube 1 according to this embodiment.
08 shows another example of No. 08. As shown in the figure, in this example, a second high resistance portion 109 is provided around the high resistance tube 105 shown in FIG. 20A. The second high resistance portion 109 is provided for the purpose of protecting the low resistance portion 106, and the same material as the inner high resistance portion 107 or another insulator is used as the material thereof. it can.
【００６０】また、一体のセラミックスからなる抵抗円
筒体（図示せず）の表面近傍のみを低抵抗化することも
できる。例えば、円筒体の生焼きのセラミックの両端部
内面に導電物質を塗布した後、そのセラミックを本焼き
することにより図２０Ｂに示すものと同様の低抵抗部を
形成することができる。Further, it is possible to reduce the resistance only in the vicinity of the surface of the resistance cylindrical body (not shown) made of integral ceramics. For example, a low resistance portion similar to that shown in FIG. 20B can be formed by applying a conductive material to the inner surfaces of both ends of the ceramic of the cylinder that has been fired, and then firing the ceramic.
【００６１】図２１は本実施例の全体構成を示すもので
ある。同図に示すように、本実施例の場合、径の異なる
２つの上記高抵抗管１０５Ａ、１０５Ｂを用い、第４グ
リッドＧ4 となる金属部材を各高抵抗管１０５Ａ、１０
５Ｂに挿入することによりこれらを固定する。そして、
各高抵抗管１０５Ａ、１０５Ｂに第３グリッドＧ3 およ
び第５グリッドＧ5 を取り付けておく。なお、各高抵抗
管１０５Ａ，１０５Ｂには上述の導電リング１１Ａを設
けておく。さらに、第３および第５グリッドＧ 3 、Ｇ5
をリード線ｌ1 によって接続するとともに、第４グリッ
ドＧ4 とステムピン１１０とをリード線ｌ2 を用いて接
続する。なお、ステムピンと第３グリッドＧ3 との間に
は、カソードＫ、第１および第２グリッドＧ1 ，Ｇ2 が
設けられる。FIG. 21 shows the overall construction of this embodiment.
is there. As shown in the figure, in the case of this embodiment, the diameter is different.
Using the above two high resistance tubes 105A and 105B,
Lid GFour High resistance tubes 105A, 10
Fix these by inserting into 5B. And
Third grid G on each high resistance tube 105A, 105B3 And
And 5th grid GFive Attached. In addition, each high resistance
The above-mentioned conductive ring 11A is installed on the tubes 105A and 105B.
Set it aside. Furthermore, the third and fifth grids G 3 , GFive
Lead wire l1Connected by the 4th grid
De GFour And stem pin 110 with lead wire l2 Contact with
To continue. The stem pin and the third grid G3 Between
Is the cathode K, the first and second grids G1 , G2 But
It is provided.
【００６２】以上の構成を有する本実施例によれば、抵
抗分布をより傾斜させることができ、その結果、放電が
起こりにくくなるとともに、より一層レンズ収差の小さ
いレンズ系を形成して高解像度の画面を実現することが
できる。また、本実施例によれば導電ペーストを塗布、
乾燥および焼成する工程が必要なくなるため、工程の簡
素化およびコストダウンが可能になる。According to the present embodiment having the above-described structure, the resistance distribution can be made more inclined, and as a result, discharge is less likely to occur, and a lens system with even smaller lens aberration is formed to achieve high resolution. The screen can be realized. Further, according to the present embodiment, the conductive paste is applied,
Since the steps of drying and baking are not necessary, the steps can be simplified and the cost can be reduced.
【００６３】さらに、本実施例によれば、スパーキング
が起こり易くなるため、耐圧を向上させることができ
る。なお、上述の実施例においては高抵抗管１０５Ａ，
１０５Ｂを２つに組み合わせて第３〜第５グリッドＧ3
〜Ｇ5 を構成するようにしたが、本発明はこれに限られ
るものではなく、１つの抵抗円筒体に第３〜第５グリッ
ドＧ3 〜Ｇ5 に対応する低抵抗部を形成するようにして
もよい。Furthermore, according to the present embodiment, since sparking is likely to occur, the breakdown voltage can be improved. In the above embodiment, the high resistance tube 105A,
3rd to 5th grid G 3 by combining 105B into two
Was to constitute the ~G 5, the present invention is not limited thereto, so as to form a low resistance portion corresponding to the third to fifth grids G 3 ~G 5 to one resistor cylinders May be.
【００６４】また、高抵抗管は円筒のものに限られず、
例えば断面が楕円または方形の筒状体を用いることもで
きる。さらに、本発明は主レンズ系のみならず、プリフ
ォーカスレンズ系にも適用することができる。この場
合、例えば図２１に示すように、２つの高抵抗管１０５
Ａ，１０５Ｂを組み合わせ、一方の高抵抗管１０５Ａに
２箇所の低抵抗部１０５Ｂを形成するとともに、図２２
に示すように他方の高抵抗管１０５Ｂにプリフォーカス
レンズ系用の低抵抗部１１２を形成し、この高抵抗管１
０５Ｂの端部に第１および第２グリッドＧ1 ，Ｇ2 を取
り付けるように構成する。なお、１１４はスペーサであ
る。The high resistance tube is not limited to the cylindrical one,
For example, a tubular body having an elliptical or rectangular cross section can be used. Furthermore, the present invention can be applied not only to the main lens system but also to the prefocus lens system. In this case, for example, as shown in FIG. 21, two high resistance tubes 105
22 is formed by combining A and 105B to form two low resistance portions 105B on one high resistance tube 105A.
As shown in FIG. 3, a low resistance portion 112 for the prefocus lens system is formed on the other high resistance tube 105B.
The first and second grids G 1 and G 2 are attached to the ends of 05B. In addition, 114 is a spacer.
【００６５】かかる構成を有する第実施例によれば、第
１、第２グリッドＧ1 ，Ｇ2 近傍の構成を簡素化するこ
とができる。一方、高抵抗管１０５Ｂにプリフォーカス
レンズ系用の低抵抗部１１２を形成せず、支持体として
のみ機能させることもできる。その場合には、放電防止
が容易になる。According to the first embodiment having such a structure, the structure in the vicinity of the first and second grids G 1 and G 2 can be simplified. On the other hand, the low resistance portion 112 for the prefocus lens system may not be formed on the high resistance tube 105B, and the high resistance tube 105B may function only as a support. In that case, discharge prevention becomes easy.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、電
子レンズ構成部を抵抗筒体で形成したことから、電子レ
ンズ系の同心度のずれを抑えて電子ビームの軸ずれを小
さくでき、高画質の画像を実現できる。As described above, according to the present invention, since the electron lens forming portion is formed of the resistance cylinder, the deviation of the concentricity of the electron lens system can be suppressed and the axis deviation of the electron beam can be reduced. A high quality image can be realized.
【００６７】しかも、本発明では、第１高圧電極と中圧
電極とのギャップａに対して、中圧電極と第２高圧電極
とのギャップｂのｂ／ａを所定の範囲とすることによ
り、球面収差を最少にすることができ、これにより陰極
線管の解像度の向上を図ることができる。Moreover, in the present invention, the gap b between the medium-voltage electrode and the second medium-voltage electrode is set within a predetermined range with respect to the gap a between the first medium-voltage electrode and the medium-voltage electrode. Spherical aberration can be minimized, which can improve the resolution of the cathode ray tube.
【００６８】しかも、電極の外周は、抵抗筒体で覆われ
ているので、電子ビームが電極の間から漏れてビードガ
ラスなどにチャージアップすることもない。Moreover, since the outer circumference of the electrode is covered with the resistance cylinder, the electron beam does not leak from between the electrodes and charge up the bead glass or the like.
【図１】本発明の第１実施例に係る陰極線管の電子銃の
全体構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an overall configuration of an electron gun of a cathode ray tube according to a first embodiment of the present invention.
【図２】（Ａ）は同実施例の円筒ホルダーの正面図であ
る。（Ｂ）は図２Ａのａ−０−ａ’線断面図である。
（Ｃ）は図２Ａのｂ−ｂ’線断面図である。（Ｄ）は図
２Ｃのｃ−ｃ’線断面図である。FIG. 2A is a front view of the cylindrical holder according to the embodiment. FIG. 2B is a sectional view taken along the line a-0-a ′ of FIG. 2A.
2C is a cross-sectional view taken along the line bb ′ of FIG. 2A. 2D is a sectional view taken along the line cc ′ of FIG. 2C.
【図３】同実施例のＨＶシールドの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the HV shield of the same embodiment.
【図４】電極間ギャップを示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing a gap between electrodes.
【図５】ギャップ比ｂ／ａに対する球面収差係数の関係
を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the spherical aberration coefficient and the gap ratio b / a.
【図６】ギャップ比ｂ／ａに対する球面収差係数×増倍
率の関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a relationship of a spherical aberration coefficient × a multiplication factor with respect to a gap ratio b / a.
【図７】同実施例に係る電子銃の製造工程を示すフロー
チャートである。FIG. 7 is a flowchart showing manufacturing steps of the electron gun according to the embodiment.
【図８】（Ａ）〜（Ｇ）は同実施例の製造工程を示す説
明図である。8A to 8G are explanatory views showing the manufacturing process of the same example.
【図９】同実施例のＧ4 ピンの取付部分を示す断面図で
ある。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a mounting portion of a G 4 pin of the embodiment.
【図１０】同実施例における抵抗ペーストの塗布方法の
例を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a method of applying a resistance paste in the example.
【図１１】同実施例における抵抗膜のトリミング方法の
例を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example of a method of trimming a resistance film in the example.
【図１２】同実施例における螺旋状抵抗膜の形成方法の
例を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing an example of a method of forming the spiral resistance film in the example.
【図１３】同実施例における円筒ホルダーの取付方法の
他の例を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing another example of the method of attaching the cylindrical holder according to the embodiment.
【図１４】本発明の第２実施例に係る電子銃の全体構成
を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing the overall structure of an electron gun according to a second embodiment of the present invention.
【図１５】導電リングの役割の説明に供する説明図であ
る。FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining the role of a conductive ring.
【図１６】（Ａ）〜（Ｄ）は導電リングの役割の説明に
供するグラフである。16A to 16D are graphs for explaining the role of a conductive ring.
【図１７】第２実施例の効果の原理を示す説明図であ
る。FIG. 17 is an explanatory diagram showing the principle of the effect of the second embodiment.
【図１８】（Ａ），（Ｂ）は高抵抗管の固定方法の他の
例を示す説明図である。18A and 18B are explanatory views showing another example of a method of fixing a high resistance tube.
【図１９】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第３実施例の要部
を示す断面図および平面図である。19 (A) and 19 (B) are a sectional view and a plan view showing an essential part of a third embodiment of the present invention.
【図２０】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第４実施例を示す
要部断面図でである。20 (A) and 20 (B) are sectional views showing the principal part of a fourth embodiment of the present invention.
【図２１】同実施例の全体構成図である。FIG. 21 is an overall configuration diagram of the same embodiment.
【図２２】本発明の第５実施例を示す要部断面図であ
る。FIG. 22 is a sectional view showing a main part of a fifth embodiment of the present invention.
【図２３】従来例の概略構成を示す説明図である。FIG. 23 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a conventional example.
１… ネック管 ３… 絶縁管（抵抗筒体） ３Ａ… 高抵抗管（抵抗筒体） ８，９，１０… 電極膜 Ｇ1 〜Ｇ5 … 第１〜第５グリッド １１… 抵抗膜 １１Ａ… 導電リング1 ... neck tube 3 ... insulating tube (resistive cylinder) 3A ... high resistance tube (resistive cylinder) 8, 9, 10 ... electrode film G 1 ~G 5 ... first to fifth grid 11 ... resistive film 11A ... conductive ring
Claims (3)
れ、この抵抗筒体の内部に、少なくとも、リング状の第
１高圧電極と、リング状の中圧電極と、リング状の第２
高圧電極とが、カソード側から軸方向に沿って、この順
で配置してあり、 前記第１高圧電極と中圧電極との間のギャップに対し、
前記中圧電極と第２高圧電極との間のギャップの比が、
１以上である陰極線管の電子銃。1. An electronic lens component is composed of a resistance cylinder, and at least a ring-shaped first high-voltage electrode, a ring-shaped medium-voltage electrode, and a ring-shaped second member are provided inside the resistance cylinder.
The high-voltage electrode is arranged in this order along the axial direction from the cathode side, and with respect to the gap between the first high-voltage electrode and the medium-voltage electrode,
The ratio of the gap between the medium voltage electrode and the second high voltage electrode is
A cathode ray tube electron gun that is one or more.
る請求項１に記載の陰極線管の電子銃。2. The electron gun for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the resistance cylinder is made of ceramic.
ャップに対し、前記中圧電極と第２高圧電極との間のギ
ャップの比が、１〜２である請求項１または２に記載の
陰極線管の電子銃。3. The ratio of the gap between the intermediate voltage electrode and the second high voltage electrode to the gap between the first high voltage electrode and the intermediate voltage electrode is 1 to 2. An electron gun for a cathode ray tube according to 1.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25858694A JPH08124495A (en) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | Electron gun of cathode-ray tube |
| US08/546,944 US5773925A (en) | 1994-10-24 | 1995-10-23 | Electron gun for a cathode ray tube |
| KR1019950036562A KR100386182B1 (en) | 1994-10-24 | 1995-10-23 | Electron gun of cathode ray tube and manufacturing method of cathode ray tube |
| GB9521751A GB2294581B (en) | 1994-10-24 | 1995-10-24 | Cathode ray tube and electron gun for a cathode ray tube |
| US08/838,195 US5895303A (en) | 1994-10-24 | 1997-04-16 | Method of manufacturing an electron gun for a cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25858694A JPH08124495A (en) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | Electron gun of cathode-ray tube |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124495A true JPH08124495A (en) | 1996-05-17 |
Family
ID=17322321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25858694A Pending JPH08124495A (en) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | Electron gun of cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124495A (en) |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP25858694A patent/JPH08124495A/en active Pending
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