JPH08116167A

JPH08116167A - はんだ付け装置

Info

Publication number: JPH08116167A
Application number: JP25174494A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Kobayashi; 康彦小林; Osamu Shimada; 修嶋田; Ryoji Hakuta; 良次伯田; Masae Yamakawa; 正栄山川
Original assignee: NIHON DENNETSU KK; Nihon Dennetsu Co Ltd; Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: NIHON DENNETSU KK; Nihon Dennetsu Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 1994-10-18
Filing date: 1994-10-18
Publication date: 1996-05-07
Anticipated expiration: 2018-03-24
Also published as: JP3390268B2

Abstract

(57)【要約】【目的】チャンバ内の雰囲気封止性を向上し、リフロ
ーはんだ付け工程とフローはんだ付け工程とを一つのチ
ャンバ内で行えるはんだ付け装置を得る。【構成】チャンバ９内に予備加熱工程部４と、リフロ
ーはんだ付け工程部６とフローはんだ付け工程部７とを
設け、配線基板１を搬送する方向と交差する方向に板面
を向けた抑止板１３を配線基板１の搬送方向Ａに沿って
予備加熱工程部４のヒータに並設したことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チャンバ内の雰囲気中
で配線基板のはんだ付けを行う装置であって、特に雰囲
気封止性に優れたはんだ付け装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下の説明では下記の８件の公報および
文献を従来技術の説明に用いる。

【０００３】・特開昭６０−６２７０号公報の技術（公
知例１という）・「エレクトロニクスのはんだ付け」（はんだ付け技術
編集委員会編：総合電子出版社発行：発行年月日・昭和
５１年１月２０日）の第２２９頁〜第２４８頁に記載さ
れた「9.2 自動機器」の技術（公知例２という）・実開平４−９８３６４号公報の技術（公知例３とい
う）・特開平５−３０５４２９号公報の技術（公知例４とい
う）・特開平２−３０３７３号公報の技術（公知例５とい
う）・特開平１−２１５４６２号公報の技術（公知例６とい
う）・特開昭６０−１６５７９１号公報の技術（公知例７と
いう）・特開平２−２９４０９８号公報の技術（公知例８とい
う）まず、リフロー方法とフロー方法によるはんだ付け装置
について説明する。

【０００４】配線基板のはんだ付け装置は、リフローは
んだ付け装置とフローはんだ付け装置とに大別され、そ
れぞれに対応したはんだ付け装置がある。

【０００５】リフローはんだ付け装置としては、赤外線
または遠赤外線加熱方式や熱風加熱方式等が一般的に多
く使用されるとともに、それぞれの特徴を生かしてこれ
らの方式を併用するはんだ付け装置もある。そしていず
れにおいてもチャンバ内の雰囲気中において配線基板を
加熱し、あらかじめはんだを供給した部分のはんだを溶
融してはんだ付けを行うように構成している。

【０００６】例えば、公知例１の「クリームはんだのは
んだ付け方法およびその装置」の技術は、赤外線で予備
加熱を行い熱風ではんだを溶融させる技術であり、各工
程に対応して「赤外線ヒータ」と「熱風ブロワー」を配
設した装置構成としている。

【０００７】フローはんだ付け装置は、溶融はんだの噴
流波に配線基板を接触させ、被はんだ付け部分に溶融は
んだを供給してはんだ付けを行う装置である。配線基板
の予備加熱を行った後にはんだ付けを行う構成であり、
最も一般的なはんだ付け装置である。

【０００８】例えば、公知例２の「エレクトロニクスの
はんだ付け」において、例を挙げつつ詳しく説明されて
いる。

【０００９】次に、低酸素濃度雰囲気中におけるはんだ
付けプロセスの技術について説明する。

【００１０】電子部品の小型化およびファインピッチ化
と配線基板への実装密度が高まる、いわゆるマイクロソ
ルダリング化の進行と併せて、配線基板はんだ付け後の
無洗浄化を図ろうとする、いわゆる脱フロン化が進行し
ている。そして、これらを実現する中心技術が特定のガ
ス雰囲気中で、裏を返せば低酸素濃度雰囲気中でのはん
だ付け技術である。すなわち、このような雰囲気中では
溶融はんだの表面張力が低下するとともに被はんだ付け
部の酸化が抑制され、微量のフラックスで良好なはんだ
付け性を得ることができるのである。

【００１１】そのため、フローはんだ付け装置において
も、予備加熱工程やはんだ付け工程等の各はんだ付けプ
ロセスをトンネル状チャンバで覆い、このチャンバ内の
雰囲気中で一連のはんだ付けプロセスを実行するように
構成している。すなわち、チャンバ内に窒素ガス（Ｎ₂
ガス）等の不活性ガスを供給し、不活性ガスが大部分を
占める低酸素濃度の雰囲気中ではんだ付けプロセスを実
行するように構成している。

【００１２】このことはリフローはんだ付け装置におい
ても同様であり、チャンバ内にＮ₂ガス等の不活性ガス
を供給し、低酸素濃度の雰囲気中ではんだ付けプロセス
を実行するように構成している。

【００１３】そして、このような不活性ガスの雰囲気中
ではんだ付けを行う装置においては、Ｎ₂ ガス等のガス
消費量が配線基板のはんだ付けプロセスにおけるコスト
として付加されるので、Ｎ₂ ガス等の消費量の少ないこ
とが必須の要件である。そのため、生産性を低下させる
ことなくチャンバの封止性を向上させる技術が開発され
ている。すなわち、チャンバへの搬入口とチャンバから
の搬出口を開口したままで良好な封止性を得ることがで
きる封止技術の開発である。

【００１４】例えば、公知例３に開示される「リフロー
炉」の封止技術、公知例４に開示される「半田付け用加
熱炉」の封止技術は、炉の搬入口および搬出口に搬入お
よび搬出用の開口領域を残して板状部材を並列し、いわ
ゆるラビリンス流路を形成して炉の封止性向上を図った
技術である。この技術は、流体工学分野において主に圧
縮性流体を封止するための常套手段として利用されてい
る技術である。

【００１５】次に、加熱用ヒータの技術について説明す
る。

【００１６】炉内で配線基板を加熱する手段としては電
気ヒータが一般的であり、シーズヒータやパネル状ヒー
タ，フィン付きヒータ，等が使用されている。

【００１７】例えば、シーズヒータを所定の間隔で配設
して加熱装置を構成した例が、公知例２「エレクトロニ
クスのはんだ付け」の第２３７頁〜第２３８頁に記載さ
れた「9.2.3.5 予備加熱」において、特にその図9.30に
説明されている。

【００１８】また、公知例５の「リフロー半田付装置」
の技術においては、パネルヒータを加熱手段として用い
た技術例が説明されている。

【００１９】さらに、公知例６の「リフロー半田付け方
法及び装置」の技術において、フィン付きヒータを加熱
手段として用いた技術例が説明されている。なお、この
フィン付きヒータは熱風加熱方式のリフロー半田付けに
利用しているもので、熱交換効率を高めるためにフィン
を付けて使用しているものである。

【００２０】次に、リフロー方法とフロー方法とを両立
させたはんだ付け装置について説明する。

【００２１】従来においては、リフローはんだ付け装置
とフローはんだ付け装置とは別々のものであった。その
ため、配線基板の一方の面をリフローはんだ付け、他方
の面をフローはんだ付けするように構成された配線基板
にあっては、リフローはんだ付け装置ではんだ付けを行
った後にフローはんだ付け装置ではんだ付けを行うプロ
セスが必要であった。また、逆の順序によるプロセスも
行われていた。

【００２２】このような非能率的な生産工程を解消する
技術として、例えば、公知例７の「汎用ハンダ炉」の技
術、公知例８の「はんだ付け装置」の技術がある。

【００２３】公知例７の「汎用ハンダ炉」の技術では、
１つの炉内の下方側にハンダ槽を、上方側に近赤外線ヒ
ータを配設し、配線基板の一方の面についてはリフロー
ハンダ付けを行い、他方の面についてはフローハンダ付
けを行えるように構成している。

【００２４】公知例８の「はんだ付け装置」の技術で
は、装置の上方側に熱風加熱方式の加熱用チャンバを加
熱工程順（予備加熱→リフロー加熱）に配設し、下方側
に熱線加熱方式の予備加熱装置と噴流式はんだ槽とを前
記チャンバに合わせて配設した構成としている。これに
より、配線基板加熱温度の制御性が良好となり、多用な
各種基板（両面リフローの配線基板や一面フローで他面
リフローの配線基板、等々）の加熱やはんだ付けに順応
性よく対応可能としている。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】公知例３に開示される
「リフロー炉」の封止技術や公知例４に開示される「半
田付け用加熱炉」の封止技術は、基本的にチャンバの搬
入口および搬出口のみにラビリンス流路を形成している
だけであるので、その封止性には自ずと限界を生じる。

【００２６】また、公知例７の「汎用ハンダ炉」の技術
や公知例８の「はんだ付け装置」の技術では、チャンバ
内雰囲気をチャンバ外の大気に対して封止することは何
ら考慮されていない。

【００２７】本発明は、チャンバ内の雰囲気中ではんだ
付けを行うフローはんだ付け装置やリフローはんだ付け
装置の雰囲気封止性を格段に向上させることを目的とし
ている。また、雰囲気封止性が格段に優れているととも
にリフローはんだ付けとフローはんだ付けを１つのチャ
ンバ内で行える装置を実現することを目的としている。

【００２８】すなわち、低酸素濃度の雰囲気を極めて少
ない不活性ガス消費量によって達成することで良好なは
んだ付けプロセス環境を実現し、高い生産性と高品質な
配線基板製造を両立可能とするところにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明は、加熱用ヒータ
がラビリンス流路を形成するように構成しているところ
に特徴がある。

【００３０】本発明の請求項１に記載の発明は、配線基
板を加熱するヒータに、配線基板を搬送する方向と交差
する方向に板面を向けて板状部材を配線基板の搬送方向
に沿って並設したものである。

【００３１】また、本発明の請求項２に記載の発明は、
予備加熱工程部に、配線基板の予備加熱用のヒータを設
け、このヒータに配線基板を搬送する方向と交差する方
向に板面を向けて板状部材を配線基板の搬送方向に沿っ
て並設し、そしてこのヒータを少なくとも配線基板のリ
フローはんだ付けを行う面側に配設し、はんだ付け工程
部に、チャンバ内の雰囲気を加熱するヒータと、チャン
バ内の雰囲気を前記配線基板のリフローはんだ付け面側
に吹き当てるファンとを備え、また、はんだ融液の噴流
波を配線基板のフローはんだ付け面側に接触させるはん
だ槽とを備えたものである。

【００３２】また、本発明の請求項３に記載の発明は、
ヒータをパネル状ヒータに形成したものである。

【００３３】

【作用】本発明にかかる請求項１に記載の発明は、配線
基板の加熱をチャンバ内においても、ヒータに設けた板
状部材によって雰囲気の不必要な流動を抑制することが
できる。すなわち、チャンバ内雰囲気のチャンバ外への
流出を抑制することができる。

【００３４】また、本発明にかかる請求項２に記載の発
明は、予備加熱工程部においては、パネル状ヒータに板
状部材を設けているので、チャンバ内の流体抵抗が高く
なり、チャンバ内雰囲気のチャンバ外への流出を極めて
効果的に抑制することができる。

【００３５】はんだ付け工程部において、リフローはん
だ付けは工程部では熱風を配線基板に吹き当てて行う熱
風加熱方式であるので、配線基板を短時間に昇温させて
はんだを溶融させることができる。この熱風の循環に伴
ってチャンバ内には激しい雰囲気流動が生ずるが、前記
予備加熱工程部のチャンバ部分がラビリンス流路を形成
しているので、極めて良好な封止性を得ることができ
る。

【００３６】したがって、フローはんだ付け工程部にお
いても低酸素濃度の良好な雰囲気環境の中でフローはん
だ付けも行うことができる。

【００３７】さらに、本発明にかかる請求項３に記載の
発明は、パネル状ヒータは、そのパネル状の形状自体で
チャンバ内を確実に仕切ることができる。そして、パネ
ル状ヒータに設けた板状部材がチャンバ内をさらに仕切
る。その結果、チャンバ内の流体抵抗が高まり雰囲気の
不必要な流動を確実に抑制し、チャンバ内雰囲気のチャ
ンバ外への流出を一層効果的に抑制することができる。

【００３８】

【実施例】

〔実施例１〕図１は、本発明の第１の実施例を示す側断
面図で、リフローはんだ付けおよびフローはんだ付けを
行うことができるはんだ付け装置を説明する図である。

【００３９】図１において、１は配線基板、２はリフロ
ー／フローはんだ付け装置（以下単にはんだ付け装置と
いう）の全体を示し、入口側ラビリンス部３，予備加熱
工程部４，はんだ付け工程部５，および出口側ラビリン
ス部８からなり、配線基板１の搬送方向Ａに対して順次
配設され、チャンバ９によって一体に形成されている。
チャンバ９は上部チャンバ体９Ａと下部チャンバ体９Ｂ
とからなる。また、はんだ付け工程部５の上部チャンバ
体９Ａ側はリフローはんだ付け工程部６、下部チャンバ
体９Ｂ側はフローはんだ付け工程部７によって形成され
ている。

【００４０】１０は前記配線基板１の搬送コンベアで、
チャンバ９を通して配設されている。１１，１２は前記
チャンバ９に形成された配線基板１の搬入口と搬出口で
ある。

【００４１】このように、図１のはんだ付け装置２で
は、配線基板１の上面側についてリフローはんだ付けを
行い、下面側についてフローはんだ付けを行う構成とし
ている。また、予備加熱工程やリフローはんだ付け工程
あるいはフローはんだ付け工程をチャンバ９内の雰囲気
中で実行する構成であり、チャンバ９の搬入口１１側に
は入口側ラビリンス部３が、搬出口１２側には出口側ラ
ビリンス部８を設けてある。

【００４２】そして、入口側および出口側ラビリンス部
３，８には、板状部材からなる抑止板１３を配線基板１
の搬送方向Ａと交差する方向に板面を向けて配線基板１
の搬送方向Ａに沿ってチャンバ９に並設したもので、も
ちろん配線基板１の搬送領域を残している。一般的には
抑止板１３の前記交差方向は配線基板１の搬送方向Ａに
対して９０°に採り、流体（雰囲気）の流動に対する抵
抗が最大となるように構成している。

【００４３】一方、予備加熱工程部４は３つの領域に分
けてあり、配線基板１の上面側には抑止板１３付きのパ
ネルヒータ１４を配設し、下面側には抑止板１３のない
パネルヒータ１４を配設した構成である。

【００４４】図２は、抑止板１３付きのパネルヒータ１
４の一例を示す斜視図である。すなわち、熱伝導性の良
好な金属性部材等からなるパネル１５の一方の面にシー
ズヒータ等予備加熱用のヒータ１６を取り付け、パネル
１５の他方の面には板状部材、すなわち抑止板１３を取
り付けた構成である。なお、パネルヒータ１４を図１の
チャンバ９に取り付けるときには、抑止板１３を配線基
板１の搬送方向Ａと交差する方向に板面を向けて配線基
板１の搬送方向Ａに沿うように並設する。そして、この
パネル１５には遠赤外線を効率よく放射するセラミック
等をコーティングすることも、加熱性を高める上で有効
である。なお、１７は前記ヒータ１６の接続端子であ
る。

【００４５】ここで、図１，図２において、チャンバ９
またはパネルヒータ１４に並設した抑止板１３の交差方
向を配線基板１の搬送方向Ａに対して９０°に採り、流
体（雰囲気）の流動に対する抵抗が最大となるように構
成している。すなわち、チャンバ９は搬送コンベア１０
に沿った管路状の形状であるので、搬送コンベア１０に
沿って流れようとする流体の流動抵抗を最大にすること
ができる。また、抑止板１３の素材としては、パネル１
５と同一の素材で良いが、セラミック等の遠赤外線の放
射性の良好な素材を用いることも、加熱性を高める上で
有効である。

【００４６】図３はヒータ１６に直接抑止板１３を取り
付けた例を示す斜視図で、図２と同一符号は同一符号を
示す。

【００４７】すなわち、図２に示すパネルヒータ１４を
用いないものであれば、図３に示すようにシーズヒータ
等のヒータ１６に直接抑止板１３の切欠部１３ａを挿入
し、適宜の手段で固着することにより、抑止板１３を配
線基板１の搬送方向Ａに沿って並設した構成とすること
も可能である。しかし、一般的にはパネルヒータ１４の
方が均一な加熱を行う上では優位である。

【００４８】図１の予備加熱工程部４において、配線基
板１の下面側を加熱するパネルヒータ１４は、図２の抑
止板１３付きのパネルヒータ１４の構成において抑止板
１３を取り付けていない構成である。その他に、図示し
ていないが抑止板１３の長さを短くして取り付けること
も有効である。つまり、第１の実施例では、配線基板１
の下面側の予備加熱温度を一般的な予備加熱温度よりも
高くするために、配線基板１とパネルヒータ１４の間隔
を狭めた構成としている。一般的な予備加熱を行うので
あれば、下面側においても抑止板１３付きのパネルヒー
タ１４を使用して構成すればよい。

【００４９】図４は、図１のＩ−Ｉ線による予備加熱工
程部４の断面図である。すなわち、チャンバ９は上部チ
ャンバ体９Ａと下部チャンバ体９Ｂとに分かれていて、
上部チャンバ体９Ａには図２に例示した抑止板１３付き
のパネルヒータ１４を取り付けてあり、下部チャンバ体
９Ｂには抑止板１３のないパネルヒータ１４を取り付け
た構成である。そして、上面側と下面側の両ヒータ１
６，１６の間に搬送コンベア１０を通してある。搬送コ
ンベア１０は循環回動する搬送チェーン１８に配線基板
１保持用の保持爪１９を設けて構成したもので、保持爪
１９に配線基板１を保持させ、かつ、搬送チェーン１８
をチェーンガイド２０に案内させて搬送する構成であ
る。その他、図２と同一符号は同一部分を示す。

【００５０】はんだ付け工程部５は図５および図１のよ
うに構成している。図５は、図１のＩＩ−ＩＩ線による
リフローはんだ付け工程部６の断面図で、図４と同一符
号は同一部分を示す。すなわち、図５，図１において、
リフロー用のヒータ１６Ａで加熱した雰囲気をファン２
１とフード２２によって循環させ、搬送用コンベア１０
によって搬送される配線基板１に熱風を吹き当てる構成
である。また、フローはんだ付け工程部７としては図１
に示すように、噴流槽２５から噴流するはんだ融液２４
の噴流波２７をポンプ機構（羽根で示す）２６によって
形成する構成のフロー型のはんだ槽２３を設けている。

【００５１】そして、図１に示すように、出口側ラビリ
ンス部８の抑止板１３間にガス供給用ノズル２８を配設
し、このガス供給用ノズル２８からＮ₂ ガス等の不活性
ガスを噴出させる構成である。この場合、ガス供給用ノ
ズル２８から噴出する不活性ガスを出口側ラビリンス部
８の底部側のチャンバ壁あるいは抑止板１３に吹き当
て、結果的に出口側ラビリンス部８の抑止板１３間から
噴出する不活性ガスが、はんだ付け工程部５へ向かって
噴出するように噴出の指向性を与えている。また、これ
によって、各抑止板１３間の空間で不活性ガスが渦巻く
貯流運動を与えることができる。なお、図１において
は、不活性ガス供給手段を省略して図示していない。

【００５２】次に、動作について説明する。入口側ラビ
リンス部３および出口側ラビリンス部８は、予備加熱工
程部４とはんだ付け工程部５のチャンバ９内雰囲気がチ
ャンバ９の外へ流出することを抑制する。逆にチャンバ
９の外の大気がチャンバ９内へ流入することも抑制す
る。

【００５３】また、予備加熱工程部４のチャンバ９内の
３つの領域部分には、それぞれ抑止板１３付きのパネル
ヒータ１４を配設しているので、チャンバ９内の雰囲気
の流動が抑制されチャンバ９の外へ流出し難い。したが
って、第１の実施例のはんだ付け装置２は、極めて高い
封止性を得ることができる。なお、リフローはんだ付け
工程部６は熱風加熱方式によってリフローはんだ付けを
行う構成としているので、出口側ラビリンス部８の長さ
を入口側ラビリンス部３より若干長くした構成として封
止性を向上させている。また、不活性ガス供給方法を貯
流方式としたことにより、さらに良好な封止性を確保し
ている。

【００５４】他方、ガス供給用ノズル２８から噴出した
不活性ガスは、はんだ付け工程部５へ向かって流れる。
すなわち、搬送コンベア１０および配線基板１が搬送さ
れることによってチャンバ９の外へ持ち出されようとす
る雰囲気の流動を抑止・平衡させることによって雰囲気
流動量を最小にしている。

【００５５】はんだ付けプロセスは次のように実行され
る。すなわち、搬入口１１から搬送コンベア１０に保持
されて搬入した配線基板１は、入口側ラビリンス部３を
通った後に予備加熱工程部４で目的とする温度に加熱さ
れる。なお、配線基板１の下面側のパネルヒータ１４を
配線基板１に接近させているので、下面側の予備加熱温
度を上面側の表面温度に対して高くすることができる。
このような加熱方法は、配線パターンが多層に積層され
るとともに絶縁性基部材として比熱の大きいセラミック
を使用したセラミック多層配線基板等において特に有効
である。

【００５６】そして、はんだ付け工程部５では、配線基
板１の下面側が噴流波２７に接触してはんだ付けされ、
配線基板１の上面側はあらかじめ供給してあったはんだ
が熱風によって溶融し、目的とする部分のはんだ付けが
行われる。なお、セラミック多層配線基板等においても
層内まで十分に加熱されるので、噴流波２７から供給さ
れたはんだ溶融２４を各層に十分供給することができ
る。

【００５７】また、はんだ付け工程部５ではリフローは
んだ付け用の加熱方式を熱風加熱方式としているので、
はんだ槽２３のはんだ融液２４等から放射される熱線に
よって熱風加熱温度が影響を受けることが少なく、リフ
ローはんだ付け温度の制御性が優れている。

【００５８】続いて、配線基板１は出口側ラビリンス部
８を通って搬出口１２から次工程へ搬送されて行き、一
連のはんだ付けプロセスが完了する。

【００５９】なお、図１においては、リフローはんだ付
け工程部６とフローはんだ付け工程部７とを配線基板１
の搬送方向Ａに対して上下方向の同一位置に設けたが、
リフローはんだ付け工程部６とフローはんだ付け工程部
７との位置をずらして設けても良い。すなわち、フロー
はんだ付け工程部７を配線基板１の搬送方向Ａに対して
リフローはんだ付け工程部７の後方側または前方側に設
けることもできる。〔実施例２〕図６は、本発明の第２の実施例を示す側断
面図で、フローはんだ付け装置３１を示すもので、図１
と同一符号は同一部分を示す。

【００６０】すなわち、第２の実施例ではフローはんだ
付け装置３１の予備加熱用ヒータとして、抑止板１３付
きのヒータ１６を使用した例を示す。また、図示はされ
ないが第１の実施例と同様に、パネルヒータ１４に抑止
板１３を設けた構成を採ることができる。

【００６１】図６に示すように、「へ」の字形をしたト
ンネル状のチャンバ３２に配線基板１の搬送コンベア１
０を通して設けるとともに、予備加熱工程部４では抑止
板１３付きのヒータ１６を配設し、続いてはんだ融液２
４の噴流波２７を形成するはんだ槽２３，チャンバ３２
内に低酸素濃度の雰囲気を形成するためのＮ₂ ガス等の
不活性ガスを供給するガス供給用ノズル２８を配設して
いる。なお、トンネル状のチャンバ３２には、配線基板
１の搬送方向Ａと交差する方向に板面を向けて抑止板１
３を配線基板１の搬送方向Ａに沿って並設している。ま
た、第２の実施例においても、不活性ガス供給技術には
第１の実施例と同様の技術を使用している。

【００６２】このように、予備加熱用のヒータとして抑
止板１３付きのヒータ１６を使用することにより、チャ
ンバ３２内の雰囲気の不要な流動が抑制され、チャンバ
３２の封止性が格段に向上する。したがって、雰囲気制
御性に優れた良好なはんだ付けプロセスの環境を実現す
ることができるようになり、配線基板１のはんだ付け品
質も格段に向上する。〔実施例３〕図７は、本発明の第３の実施例を示す側断
面図で、リフローはんだ付け装置４１を示すもので、図
１と同一符号は同一部分を示す。

【００６３】すなわち、第３の実施例ではリフローはん
だ付け装置４１の予備加熱工程部４に第１の実施例と同
様、パネルヒータ１４に抑止板１３を設けた例を示す。
また、図示はされないが、抑止板１３付きのヒータ１６
を設けた構成を採ることもできる。

【００６４】図７に示すように、チャンバ９の各部分を
通して配線基板１の搬送コンベア１０を配設してあり、
予備加熱工程部４の部分にはそれぞれ抑止板１３付きの
パネルヒータ１４を配設し、続いてリフローはんだ付け
工程部６の部分では配線基板１に熱風を吹き当てるため
のリフロー用のヒータ１６Ａ，ファン２１，フード２
２，等を備えている。また、配線基板１の搬入口１１側
には入口側ラビリンス部３を設けてあり、搬出口１２側
には出口側ラビリンス部８を設けてある。

【００６５】そして出口側ラビリンス部８には、チャン
バ９内に低酸素濃度の雰囲気を形成するためのガス供給
用ノズル２８を配設している。なお、第３の実施例にお
いても、不活性ガス供給技術には第１の実施例と同様の
技術を使用している。

【００６６】このように、予備加熱用ヒータとして抑止
板１３付きのパネルヒータ１４を使用することにより、
チャンバ９内の雰囲気の不要な流動が抑制され、チャン
バ９の封止性が格段に向上する。したがって、雰囲気制
御性に優れた良好なはんだ付けプロセスの環境を実現す
ることができるようになり、配線基板１のはんだ付け品
質も格段に向上する。

【００６７】なお、抑止板１３付きパネルのヒータ１４
を使用してリフローはんだ付け工程部６の加熱手段を構
成することも可能である。ただしこの場合の加熱手段は
遠赤外線加熱方式の直接加熱方式であるため、配線基板
１に熱風を吹き当てるファン２１やフード２２は不要と
なる。すなわち、それらは、被はんだ付け部材である配
線基板１に最適な加熱特性が選択される際の設計的事項
である。

【００６８】

【発明の効果】以上のように本発明の請求項１に記載の
発明は、配線基板を加熱するヒータに、配線基板を搬送
する方向と交差する方向に板面を向けて板状部材を配線
基板の搬送方向に沿って並設したので、チャンバ内雰囲
気中ではんだ付けを行うフローはんだ付け装置やリフロ
ーはんだ付け装置の雰囲気封止性を格段に向上させるこ
とができる。すなわち、これによって雰囲気制御性も格
段に向上し、良好なはんだ付けプロセスの環境を実現す
ることができるようになり、配線基板等の被はんだ付け
部材に高品質のはんだ付けを行うことが可能となる。

【００６９】また、シャッタ機構等を使用することなく
低酸素濃度の雰囲気を極めて少ない不活性ガス消費量に
よって達成することが可能となり、高い生産性と高品質
な配線基板製造を低コストで両立することができるよう
になる。

【００７０】また、請求項２に記載の発明は、予備加熱
工程部に、配線基板の予備加熱用のヒータを設け、この
ヒータに配線基板を搬送する方向と交差する方向に板面
を向けて板状部材を配線基板の搬送方向に沿って並設
し、ヒータを少なくとも配線基板のリフローはんだ付け
を行う面側に配設し、はんだ付け工程部に、チャンバ内
の雰囲気を加熱するヒータと、チャンバ内の雰囲気を前
記配線基板のリフローはんだ付け面側に吹き当てるファ
ンとを備え、また、はんだ融液の噴流波を配線基板のフ
ローはんだ付け面側に接触させるはんだ槽とを備えたの
で、リフロー工程時の良好な加熱温度制御性を得ること
ができるとともに、予備加熱工程部に抑止板付きヒータ
を用いた構成とすることにより、雰囲気封止性が格段に
優れ、低コストで高品質のはんだ付けが可能なリフロー
はんだ付けプロセスとフローはんだ付けプロセスを両立
できるはんだ付け装置を実現することができる。

【００７１】さらに、請求項３に記載の発明は、ヒータ
をパネルヒータで形成したので、パネルヒータ自体もチ
ャンバを仕切ることとなり、不要な雰囲気流動がさらに
抑制される。したがって、雰囲気封止性がさらに向上し
たはんだ付け装置を実現することができるようになる等
の利点を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す側断面図である。

【図２】図１のパネルヒータの一例を示す斜視図であ
る。

【図３】ヒータに抑止板を取り付けた例を示す斜視図で
ある。

【図４】図１のＩ−Ｉ線による予備加熱工程部の断面図
である。

【図５】図１のＩＩ−ＩＩ線によるリフローはんだ付け
工程部の断面図である。

【図６】本発明の第２の実施例を示す側断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例を示す側断面図である。

【符号の説明】

１配線基板２リフロー／フローはんだ付け装置３入口側ラビリンス部４予備加熱工程部５はんだ付け工程部６リフローはんだ付け工程部７フローはんだ付け工程部８出口側ラビリンス部９チャンバ１０搬送コンベア１３抑止板１４パネルヒータ１５パネル１６ヒータ１６Ａヒータ２３はんだ槽２４はんだ融液２７噴流波３１フローはんだ付け装置４１リフローはんだ付け装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伯田良次東京都新宿区西新宿二丁目１番１号日立化成工業株式会社内 (72)発明者山川正栄東京都新宿区西新宿二丁目１番１号日立化成工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チャンバ内にヒータを備え、このチャン
バ内の雰囲気中で配線基板を搬送しながら加熱してはん
だ付けを行うはんだ付け装置において、前記配線基板を加熱する前記ヒータに、前記配線基板を
搬送する方向と交差する方向に板面を向けて板状部材を
前記配線基板の搬送方向に沿って並設した、ことを特徴とするはんだ付け装置。
【請求項２】チャンバ内の雰囲気中で配線基板に予備
加熱を行う予備加熱工程部と、前記配線基板の一方の面
にリフローはんだ付けを行い、他方の面にフローはんだ
付けを行うはんだ付け工程部とを備えたはんだ付け装置
であって、前記予備加熱工程部に、前記配線基板の予備加熱用のヒ
ータを設け、このヒータに前記配線基板を搬送する方向
と交差する方向に板面を向けて板状部材を前記配線基板
の搬送方向に沿って並設し、前記ヒータを少なくとも前
記配線基板のリフローはんだ付けを行う面側に配設し、前記はんだ付け工程部に、前記チャンバ内の雰囲気を加
熱するヒータと、前記チャンバ内の雰囲気を前記配線基
板のリフローはんだ付け面側に吹き当てるファンとを備
え、また、はんだ融液の噴流波を前記配線基板のフロー
はんだ付け面側に接触させるはんだ槽とを備えた、ことを特徴とするはんだ付け装置。
【請求項３】ヒータがパネル状ヒータであることを特
徴とする請求項１または２記載のはんだ付け装置。