JPH08116020A - Pressure contact semiconductor device - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To avoid the element breakdown in the assembling time for improving the reliability upon the element by a method wherein the contact element body serving both as a semiconductor chip and pressed heat radiation body within a modulated semiconductor device wherein semiconductor chips are assembled into a package container. CONSTITUTION: A chip base and a semiconductor chip 4 on a substrate 7 are aligned with each other by an assembling guide 2 and after soldered by a solder sheet 6, a contact terminal body 1 is aligned with this assembling guide 2 so that the protrusion 10 of the contact terminal body 1 may be precisely aligned with a collector electrode 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、絶縁ゲート形バイポ
ーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュールなどのパワー
デバイスを対象に基板の一主面に第一の主電極と制御電
極、別の主面に第二の主電極を有する半導体チップの複
数個を同一のパッケージ内に組み込んだ加圧接触形半導
体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to power devices such as insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules and the like, and has a first main electrode and a control electrode on one main surface of a substrate and a second main electrode on another main surface. The present invention relates to a pressure contact type semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips each having a main electrode are incorporated in the same package.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＩＧＢＴは、パワースイチングデバイス
としてモータＰＷＭ制御インバータの応用などに幅広く
使われている。また、このＩＧＢＴは電圧駆動型で扱い
易いなどから、市場への要求は大容量化へ向かってきて
おり、半導体チップの大型化と相まってますます大容量
化が進められる傾向にあり、最近では容量の増大を図る
ために複数のＩＧＢＴを同一パッケージ内に組み込んだ
モジュール構造が多く採用されるようになっている。2. Description of the Related Art IGBTs are widely used as power switching devices for applications such as motor PWM control inverters. Also, because this IGBT is a voltage-driven type and easy to handle, the demand for the market is increasing toward larger capacities, and along with the increase in the size of semiconductor chips, there is a trend toward larger capacities. In order to increase the number of modules, a module structure in which a plurality of IGBTs are incorporated in the same package is often adopted.

【０００３】ところで、ＩＧＢＴのような絶縁ゲート形
素子（ＭＯＳ制御デバイス）では半導体チップの一主面
上に主電極としてのエミッタ電極、および制御電極とし
てのゲート電極が並んで形成されている。このためＩＧ
ＢＴのチップをッパケージングして組立てる場合に、第
二主面側のコレクタは放熱体兼用の金属ベース上に直接
マウントすることができるが、第一主面側のエミッタ電
極とゲート電極は別々に外部導出端子を介して引き出す
必要がある。そこで、従来のパッケージ組立構造では、
前記の金属ベースとともにパッケージのケース上面側に
エミッタ、ゲート用の外部導出端子を装備し、エミッタ
電極と外部導出端子、およびゲート電極と外部導出端子
との間に線径３００μｍ程度のアルミ導線をワイヤボン
デングして引き出すようにしている。In an insulated gate element (MOS control device) such as an IGBT, an emitter electrode as a main electrode and a gate electrode as a control electrode are formed side by side on one main surface of a semiconductor chip. Therefore IG
When assembling the BT chip by packaging, the collector on the second main surface side can be directly mounted on the metal base that also serves as a radiator, but the emitter electrode and gate electrode on the first main surface side can be externally mounted separately. It is necessary to pull it out through the lead-out terminal. So, in the conventional package assembly structure,
An external lead terminal for the emitter and the gate is provided on the upper surface side of the package case together with the above-mentioned metal base, and an aluminum conductor wire having a wire diameter of about 300 μm is wired between the emitter electrode and the external lead terminal and between the gate electrode and the external lead terminal. I try to bond it and pull it out.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の組立構造ではコレクタ側からは十分な熱放散ができ
るが、エミッタ側からの熱放散は殆ど行われないために
電流容量が大幅に制限される。また、大電流素子ではエ
ミッタ電極に接続したボンデングワイヤの本数も多くな
り、特に複数個のＩＧＢＴを同一パッケージに組み込ん
でモジュール化した構成ではワイヤ本数が数百本にも及
ぶため、内部配線インダクタンスが増大し、これが基で
ＩＧＢＴのスイッチング動作時に大きなサージが発生す
るといった問題も派生する。By the way, in the above-mentioned conventional assembly structure, although sufficient heat can be dissipated from the collector side, heat is hardly dissipated from the emitter side, so that the current capacity is significantly limited. It Also, in a large current element, the number of bonding wires connected to the emitter electrode also increases. Especially, in the configuration in which a plurality of IGBTs are incorporated in the same package to form a module, the number of wires reaches several hundreds. Is increased, which causes a problem that a large surge occurs during the switching operation of the IGBT.

【０００５】一方、前記の組立構造による放熱性、配線
インダクタンスの問題解消を狙いに、在来の加圧接触形
半導体装置と同様に、ＩＧＢＴを平形パッケージ内に組
み込み、その主面に形成されたコレクタ電極、エミッタ
電極をそれぞれパッケージ側に設けた上下の電極板に面
接触させて引き出すようにすることが考えられる。しか
しながら、ＩＧＢＴはゲート電極を覆う絶縁層の上にエ
ミッタ電極にパッケージ側の電極板を圧接させると、こ
の加圧力がゲート電極にも加わってゲート電極構造を破
壊するおそれがあり、これを防ぐために、このゲート電
極部分を避けて、熱放散と電流通路を兼ね備えた集電極
と呼ばれる部分を設けてその部分を加圧することにより
平形素子を構成している。また、ＩＧＢＴモジュールと
して、同一パッケージ内にＩＧＢＴとこれに付属するフ
ライホイールダイオードを一緒に組み込んだ複合デバイ
スに加圧接触式の平形パッケージを採用した場合には、
次のような問題が派生する。すなわち、電気的特性面か
ら要求されるＩＧＢＴとフライホイールダイオードと
は、一般的にチップの高さ寸法（ウエハの厚さ）が異な
るため、このような高さ寸法が異なる異種の半導体チッ
プを並置して同一の平形パッケージに組み込んだ場合に
はチップの上面高さが揃わず、各半導体チップを均一に
加圧接触させることが極めて困難となる。これを防ぐた
め、半導体チップを平形パッケージの電極板に固着する
のにはんだシートを用いて高さ寸法の差を吸収するよう
にしている。On the other hand, in order to solve the problems of heat dissipation and wiring inductance by the above-mentioned assembly structure, the IGBT is built in the flat package and formed on the main surface thereof, like the conventional pressure contact type semiconductor device. It is conceivable that the collector electrode and the emitter electrode are respectively brought into surface contact with the upper and lower electrode plates provided on the package side to be drawn out. However, in the IGBT, if the package-side electrode plate is brought into pressure contact with the emitter electrode on the insulating layer covering the gate electrode, this pressure may also be applied to the gate electrode and destroy the gate electrode structure. A flat element is constructed by avoiding the gate electrode portion and providing a portion called a collecting electrode having both heat dissipation and current passage and pressurizing the portion. Also, as the IGBT module, if a pressure contact type flat package is adopted in a composite device in which an IGBT and a flywheel diode attached thereto are incorporated in the same package,
The following problems arise. That is, since the IGBT and the flywheel diode, which are required in terms of electrical characteristics, generally have different chip height dimensions (wafer thickness), different semiconductor chips having different height dimensions are arranged side by side. Then, when the chips are assembled in the same flat package, the heights of the upper surfaces of the chips are not uniform, and it becomes extremely difficult to uniformly press and contact each semiconductor chip. To prevent this, a solder sheet is used to fix the semiconductor chip to the electrode plate of the flat package so as to absorb the height difference.

【０００６】しかし、このはんだシートと半導体チップ
の位置決めにはカーボン製の位置決め治具を使用し、は
んだ付けを行い、その後で、この治具を除去し、その代
わりに、フッ素樹脂製の組立ガイドを半導体チップの集
電極と平形パッケージの電極板の凸部が接するように位
置決め用に使用しいるが、カーボン製治具とフッ素樹脂
製組立ガイドの間に寸法公差があり、集電極と電極板の
凸部が正確に合わず、この凸部がゲート電極を加圧して
半導体チップを破壊させる問題が依然として派生してい
る。However, a carbon positioning jig is used for positioning the solder sheet and the semiconductor chip, soldering is performed, and then the jig is removed. Instead, a fluororesin assembly guide is used. Is used for positioning so that the collector electrode of the semiconductor chip and the convex part of the electrode plate of the flat package are in contact, but there is a dimensional tolerance between the carbon jig and the fluororesin assembly guide. However, there still remains a problem that the convex portions of (1) do not fit accurately and the convex portions press the gate electrode to destroy the semiconductor chip.

【０００７】この発明は、このような問題を解決するた
めに、耐熱性プラスチックで組立ガイドを具備し、はん
だ付け時の位置決め用にも使用するようにした加圧接触
型半導体装置を提供する。In order to solve such a problem, the present invention provides a pressure contact type semiconductor device which is provided with an assembly guide made of heat resistant plastic and is also used for positioning during soldering.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は前記の目的を
達成するために、第一主面に第一主電極と制御電極を、
第二主面に第二主電極をそれぞれ有する半導体チップの
複数個を並置して両面に露出する一対の共通電極板の間
に絶縁外筒を介装してなる平形パッケージに組み込んだ
半導体装置であって、各半導体チップの第一主電極とこ
れに対向するパッケージ側の共通電極板との間にそれぞ
れ加圧、放熱体を兼ねたコンタクト端子体を介装し、各
半導体チップと各コンタクト端子体とが対応するよう
に、位置決めのための組立ガイドを設ける。また半導体
チップと第二主電極に対向するパッケージ側の共通電極
板とを熱可塑性シートで固着することである。このと
き、半導体チップと第二主電極に対向するパッケージ側
の共通電極板とを熱可塑性導電シートで固着するととも
に、コンタクト端子体の表面を平行、かつ同一高さに成
るようにする。さらに第二主電極に対向するパッケージ
側の共通電極板と半導体チップとを固着させるための熱
可塑性導電シートを半導体チップと共通電極板とに位置
決するために、組立ガイドを用いると効果的である。ま
た組立ガイドが耐熱性プラスチック（液晶ポリマー）か
らなることがよい。また、第一主面に第一主電極と制御
電極、第二主面に第二主電極を有する半導体チップが絶
縁ゲート形素子であり、同一の平形パッケージ内には複
数個の絶縁ゲート形素子と逆並列にフライホイールダイ
オードを組み込み、かつ、絶縁ゲート形素子の第一主電
極およびフライホイールダイオードのアノード電極とこ
れに対向するパッケージの共通電極板との間にそれぞれ
加圧、放熱体とを兼ねたコンタクト端子体を具備したこ
とである。さらにこの絶縁ゲート形素子が絶縁ゲート形
バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を含むＭＯＳトラ
ンジスタまたは絶縁ゲート形サイリスタ（ＭＯＳ制御サ
イリスタ）からなることである。In order to achieve the above object, the present invention provides a first main electrode and a control electrode on a first main surface,
A semiconductor device, wherein a plurality of semiconductor chips each having a second main electrode on a second main surface are juxtaposed and incorporated in a flat package in which an insulating outer cylinder is interposed between a pair of common electrode plates exposed on both surfaces. , A contact terminal body that also functions as a pressure and heat radiator is interposed between the first main electrode of each semiconductor chip and the common electrode plate on the package side facing the first main electrode, and each semiconductor chip and each contact terminal body are connected. Is provided with an assembly guide for positioning. Further, the semiconductor chip and the common electrode plate on the package side facing the second main electrode are fixed with a thermoplastic sheet. At this time, the semiconductor chip and the package-side common electrode plate facing the second main electrode are fixed by a thermoplastic conductive sheet, and the surfaces of the contact terminal bodies are parallel and at the same height. Further, it is effective to use an assembly guide to position the thermoplastic conductive sheet for fixing the common electrode plate on the package side facing the second main electrode and the semiconductor chip on the semiconductor chip and the common electrode plate. . The assembly guide is preferably made of heat resistant plastic (liquid crystal polymer). Further, the semiconductor chip having the first main electrode and the control electrode on the first main surface and the second main electrode on the second main surface is an insulated gate type element, and a plurality of insulated gate type elements are provided in the same flat package. Incorporating a flywheel diode in anti-parallel with, and applying a pressure and a heat radiator between the first main electrode of the insulated gate element and the anode electrode of the flywheel diode and the common electrode plate of the package facing it, respectively. That is, the double-ended contact terminal body is provided. Further, the insulated gate element is a MOS transistor including an insulated gate bipolar transistor (IGBT) or an insulated gate thyristor (MOS control thyristor).

【０００９】[0009]

【作用】上記構成のように、平形パッケージに組み込ま
れた複数個の各半導体チップごとにゲート電極以外の領
域に設けた電流通路と放熱を兼ね備えた集電極部に対し
てパッケージ側の共通電極板（エミッタ側）との間に面
接触する、平行度と同一高さを確保した各コンタクト端
子体を介して加圧接触させることにより、半導体チップ
のゲート電極部に不当な加圧力を加えることなしに、こ
のエミッタ側の第一主面からもコンタクト端子体および
パッケージの外面に露出する共通電極板を通して放熱が
効率よく行われる。これにより、コレクタ側の第二主面
側からの放熱と合わせて放熱性が飛躍的に向上するので
半導体装置の電流容量の増大化が図れる。また主電極の
接続にはボンデングワイヤを使用しないので内部インダ
クタンスも小さくなる。As described above, the common electrode plate on the package side with respect to the current collecting electrode portion provided in the area other than the gate electrode and having the heat dissipation for each of the plurality of semiconductor chips incorporated in the flat package is provided. No pressure is applied to the gate electrode part of the semiconductor chip by making pressure contact through each contact terminal body that has surface contact with the (emitter side) and secures parallelism and the same height. In addition, heat is efficiently radiated from the first main surface on the emitter side through the common electrode plate exposed on the outer surfaces of the contact terminal body and the package. As a result, heat dissipation from the second main surface side on the collector side is dramatically improved, and the current capacity of the semiconductor device can be increased. Moreover, since the bonding wire is not used for connecting the main electrodes, the internal inductance is also reduced.

【００１０】一方、複数のＩＧＢＴチップおよびフライ
ホイールダイオードが、基板に対し、最終的に素子内に
組み込まれる組立ガイドにて正確に位置決めされなが
ら、はんだ接合されるので、従来のようにカーボン治具
を使用し、はんだ接合した後、フッ素樹脂製の治具に取
り替えて位置合わせするよりも、耐熱性プラスチック製
の組立ガイドをはんだ付け時の位置決めと、はんだ付け
後の位置決めの双方で共用することで、治具の公差およ
び治具の取り替えによる位置ずれが少なくなる。また、
同時に素子の製作工程が簡略化される。On the other hand, a plurality of IGBT chips and flywheel diodes are solder-bonded to the substrate while being accurately positioned by an assembly guide that is finally incorporated in the device, so that a carbon jig is used as in the conventional case. Use a heat-resistant plastic assembly guide for both positioning during soldering and positioning after soldering, rather than replacing with a jig made of fluororesin and aligning after soldering Therefore, the tolerance of the jig and the displacement due to the replacement of the jig are reduced. Also,
At the same time, the manufacturing process of the device is simplified.

【００１１】[0011]

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す要部構成図
で、同図（ａ）は断面構造図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＡ−Ａの切断面を上方から見た平面図である。同図
（ａ）において、基板７のチップ台８上に溶融し固化し
たはんだシート６を介して半導体チップ４が固着する。
このとき、組立ガイド２により基板７、はんだシート
６、半導体チップ４は位置決めされる。この組立ガイド
２によりコンタクト端子体１の凸部１０が半導体チップ
４の集電極５上に正確に位置合わせされる。基板７とコ
ンタクト端子体１は共通電極板であるコレクタ電極板１
２とエミッタ電極板１３とそれぞれ外部力により圧接さ
れる。同図（ｂ）において、基板１上に組立ガイド２が
固定され、この組立ガイド２内にコンタクト端子体１が
位置決めされている。尚、コレクタ電極板１２とエミッ
タ電極板１３とは、その外周部で図に示されていないセ
ラミック等の外筒とハーメチックシールされ気密が保持
される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view of a main part of an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 (a) is a sectional structural view and FIG.
FIG. 3 is a plan view of the section AA of FIG. In FIG. 3A, the semiconductor chip 4 is fixed on the chip base 8 of the substrate 7 via the melted and solidified solder sheet 6.
At this time, the board 7, the solder sheet 6, and the semiconductor chip 4 are positioned by the assembly guide 2. By this assembly guide 2, the convex portion 10 of the contact terminal body 1 is accurately aligned with the collector electrode 5 of the semiconductor chip 4. The substrate 7 and the contact terminal body 1 are collector electrode plates 1 which are common electrode plates.
2 and the emitter electrode plate 13 are pressed against each other by an external force. In FIG. 1B, the assembly guide 2 is fixed on the substrate 1, and the contact terminal body 1 is positioned in the assembly guide 2. The collector electrode plate 12 and the emitter electrode plate 13 are hermetically sealed at their outer peripheral portions to an outer cylinder made of ceramic or the like (not shown) to maintain airtightness.

【００１２】図２はこの発明による組立ガイドを使用し
た素子の製作法を示す図である。基板７にはんだ逃げ代
１１を有するチップ台８を設け、このチップ台８の側面
９に組立ガイド２の一方の端の内壁が接するように組立
ガイド２を嵌め込み、チップ台９に、はんだシート６と
半導体チップ４を組立ガイド２で位置決めして置き、は
んだシート６でチップ台８と半導体チップ４を固着した
あと、組立ガイド２にコンタクト端子体１を挿入し、コ
ンタクト端子体１の凸部１０と集電極５とが正確に対応
して接触するようにコンタクト端子体１を位置決めす
る。また組立ガイド２はゲートワイヤ引出し用切り欠き
３を有している。尚、はんだシート６によるチップ台８
と半導体チップ４との固着はリフロー炉などのはんだ付
け炉により行われる。FIG. 2 is a view showing a method of manufacturing an element using the assembly guide according to the present invention. A chip base 8 having a solder clearance 11 is provided on the substrate 7, and the assembly guide 2 is fitted so that the inner wall at one end of the assembly guide 2 contacts the side surface 9 of the chip base 8, and the solder sheet 6 is attached to the chip base 9. The semiconductor chip 4 and the semiconductor chip 4 are positioned by the assembly guide 2, the chip base 8 and the semiconductor chip 4 are fixed by the solder sheet 6, the contact terminal body 1 is inserted into the assembly guide 2, and the convex portion 10 of the contact terminal body 1 is inserted. The contact terminal body 1 is positioned so that the collector electrode 5 and the collector electrode 5 correspond to each other exactly. Further, the assembly guide 2 has a notch 3 for pulling out the gate wire. In addition, the chip base 8 with the solder sheet 6
The semiconductor chip 4 and the semiconductor chip 4 are fixed to each other by a soldering furnace such as a reflow furnace.

【００１３】組立ガイド２をはんだ付けのときにも用い
るため、従来の場合と異なり、はんだ付け時の位置決め
とコンタクト端子体１と集電極との位置決めとで、組立
ガイド２が同一のため、位置合わせ公差を小さくでき
る。また各半導体チップ４の厚さとそれに対応する各コ
ンタクト端子体１の厚さのばらつきをはんだが吸収する
ので共通電極板であるエミッタ電極板１３と接する各コ
ンタクト端子体１の表面を平行、且つ同一高さに揃える
ことができる。なお、この場合にプレス操作により押し
潰されてチップ面域からはみ出したはんだははんだ逃げ
代１１に入り込むので支障ない。Since the assembly guide 2 is also used during soldering, unlike the conventional case, since the assembly guide 2 is the same in the positioning at the time of soldering and the positioning of the contact terminal body 1 and the collector electrode, The alignment tolerance can be reduced. Further, since the solder absorbs the variation in the thickness of each semiconductor chip 4 and the thickness of each corresponding contact terminal body 1, the surface of each contact terminal body 1 in contact with the emitter electrode plate 13, which is the common electrode plate, is parallel and the same. Can be aligned to the height. In this case, the solder crushed by the pressing operation and protruding from the chip surface area enters the solder relief area 11, so that there is no problem.

【００１４】この組立ガイド２の材質ははんだ付けの温
度である３２０°Ｃより高い３４０°Ｃ以上に耐える耐
熱性プラスチック（液晶ポリマー）などである。また上
記の構成にすることで半導体チップ４が基板７とコンタ
クト端子体１を介して両面冷却できるようになる。また
半導体チップ４はＩＧＢＴを含むＭＯＳトランジスタ、
ＭＯＳ制御サイリスタなどの絶縁ゲート形素子およびフ
ライホイールダイオードである。The material of the assembly guide 2 is a heat-resistant plastic (liquid crystal polymer) which can withstand 340 ° C. or higher, which is higher than the soldering temperature of 320 ° C. Further, with the above configuration, the semiconductor chip 4 can be cooled on both sides via the substrate 7 and the contact terminal body 1. Further, the semiconductor chip 4 is a MOS transistor including an IGBT,
Insulated gate devices such as MOS controlled thyristors and flywheel diodes.

【００１５】尚、図１は半導体チップが２個の場合を示
すが、さらに多数の半導体チップが配置される場合もあ
る。また、絶縁ゲート形素子とフライホイールダイオー
ドとの双方が存在する場合にはお互いが逆並列になるよ
うに配置される。Although FIG. 1 shows the case where there are two semiconductor chips, a larger number of semiconductor chips may be arranged. When both the insulated gate element and the flywheel diode are present, they are arranged so as to be antiparallel to each other.

【００１６】[0016]

【発明の効果】この発明によれば、半導体チップのゲー
ト電極に不当な加圧力を加えること無しに、複数個の半
導体チップを面接触により均一な加圧接触が達成できる
ように平形パッケージ内に組み込み、各半導体チップの
両面からの放熱を可能とし、電流容量の増加を図るほ
か、主電極からの電流の引出しにボンデングワイヤを使
用しないので内部配線インダクタンスも小さくなり、ハ
ーメチックシール構造の平形パッケージと組み合わせて
半導体装置の大幅な信頼性向上が図れる。また加えて組
立ガイドにより、素子とコンタクト端子体間の位置決め
が正確に確保され、位置ずれ等によるゲート電極部分の
加圧がなくなり、ゲート電極部分を損傷することがなく
なる。また素子製作工程においても使用でき、従来の、
はんだ付け時には位置決めにカーボン治具を用い、製品
時の位置決めはフッ素樹脂に代えることを行っていた場
合と比べ、大幅に工程削減ができる。According to the present invention, a plurality of semiconductor chips can be placed in a flat package in a flat package so that a uniform pressure contact can be achieved by surface contact without applying an undue pressing force to the gate electrodes of the semiconductor chips. Assembled, allowing heat to be dissipated from both sides of each semiconductor chip to increase the current capacity, and because the bonding wire is not used to draw out the current from the main electrode, the internal wiring inductance is also reduced, and the flat package has a hermetically sealed structure. In combination with this, the reliability of the semiconductor device can be greatly improved. In addition, the assembly guide ensures accurate positioning between the element and the contact terminal body, and pressure applied to the gate electrode portion due to displacement or the like is eliminated so that the gate electrode portion is not damaged. It can also be used in the element manufacturing process,
Compared to the case where a carbon jig is used for positioning during soldering and fluorocarbon resin is used for positioning during product manufacturing, the number of steps can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の一実施例を示す要部構成図で、同図
（ａ）は断面構造図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
の切断面を上方から見た平面図FIG. 1 is a configuration diagram of a main part showing an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 (a) is a sectional structural view and FIG. 1 (b) is AA of FIG. 1 (a).
Top view of the cut surface of the

【図２】この発明による組立ガイドを使用した素子の製
作法を示す図FIG. 2 is a view showing a method of manufacturing an element using the assembly guide according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ コンタクト端子体 ２ 組立ガイド ３ ゲートワイヤ用切り欠き ４ 半導体チップ ５ 集電極 ６ はんだシート ７ 基板 ８ チップ台 ９ チップ台の側面 １０ コンタクト端子体の凸部 １１ はんだ逃げ代 １２ コレクタ電極板 １３ エミッタ電極板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Contact terminal assembly 2 Assembly guide 3 Gate wire notch 4 Semiconductor chip 5 Collector electrode 6 Solder sheet 7 Substrate 8 Chip base 9 Side surface of chip base 10 Contact terminal projection 11 Solder relief allowance 12 Collector electrode plate 13 Emitter electrode Board

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】第一主面に第一主電極と制御電極を、第二
主面に第二主電極をそれぞれ有する半導体チップの複数
個を並置して、両面に露出する一対の共通電極板の間に
絶縁外筒を介装してなる平形パッケージに組み込んだ半
導体装置であって、各半導体チップの第一主電極とこれ
に対向するパッケージ側の共通電極板との間にそれぞれ
加圧、放熱体を兼ねたコンタクト端子体を介装し、各半
導体チップと各コンタクト端子体とが対応するように、
位置決めのための組立ガイドを有することを特徴とする
加圧接触形半導体装置。1. A plurality of semiconductor chips each having a first main electrode and a control electrode on a first main surface and a second main electrode on a second main surface are arranged side by side, and between a pair of common electrode plates exposed on both surfaces. A semiconductor device incorporated in a flat package having an insulating outer tube interposed between a first main electrode of each semiconductor chip and a common electrode plate on the package side facing the first main electrode, which applies pressure and heat radiation respectively. By interposing a contact terminal body that doubles as the contact terminal body so that each semiconductor chip and each contact terminal body correspond to each other,
A pressure contact type semiconductor device having an assembly guide for positioning. 【請求項２】半導体チップと第二主電極に対向するパッ
ケージ側の共通電極板とを熱可塑性導電シートで固着す
ることを特徴とする請求項１記載の加圧接触形半導体装
置。2. The pressure contact type semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor chip and the package-side common electrode plate facing the second main electrode are fixed by a thermoplastic conductive sheet. 【請求項３】半導体チップと第二主電極に対向するパッ
ケージ側の共通電極板とを、熱可塑性導電シートで固着
するとともに、コンタクト端子体の表面を平行、かつ同
一高さにすることを特徴とする請求項２記載の加圧接触
形半導体装置。3. A semiconductor chip and a package-side common electrode plate facing the second main electrode are fixed by a thermoplastic conductive sheet, and the surfaces of the contact terminals are parallel and at the same height. The pressure contact type semiconductor device according to claim 2. 【請求項４】第二主電極に対向するパッケージ側の共通
電極板と半導体チップとを固着するための熱可塑性導電
シートを半導体チップと共通電極板とに位置決めするた
めの組立ガイドを有することを特徴とする請求項２記載
の加圧接触形半導体装置。4. An assembly guide for positioning a thermoplastic conductive sheet for fixing a semiconductor chip and a common electrode plate on the package side facing the second main electrode to the semiconductor chip and the common electrode plate. The pressure contact type semiconductor device according to claim 2, which is characterized in that. 【請求項５】組立ガイドが耐熱性プラスチック（液晶ポ
リマー）からなることを特徴とする請求項１又は３記載
の加圧接触形半導体装置。5. The pressure contact type semiconductor device according to claim 1, wherein the assembly guide is made of heat resistant plastic (liquid crystal polymer). 【請求項６】第一主面に第一主電極と制御電極、第二主
面に第二主電極を有する半導体チップが絶縁ゲート形素
子であり、同一の平形パッケージ内には複数個の絶縁ゲ
ート形素子と逆並列にフライホイールダイオードを組み
込み、かつ、絶縁ゲート形素子の第一主電極およびフラ
イホイールダイオードのアノード電極とこれに対向する
パッケージの共通電極板との間にそれぞれ加圧、放熱体
とを兼ねたコンタクト端子体を具備したことを特徴とす
る請求項１記載の加圧接触形半導体装置。6. A semiconductor chip having a first main electrode and a control electrode on a first main surface and a second main electrode on a second main surface is an insulated gate element, and a plurality of insulating elements are provided in the same flat package. A flywheel diode is installed in anti-parallel with the gate type element, and pressure and heat are radiated between the first main electrode of the insulated gate type element and the anode electrode of the flywheel diode and the common electrode plate of the package facing it. 2. The pressure contact type semiconductor device according to claim 1, further comprising a contact terminal body that also serves as a body. 【請求項７】絶縁ゲート形素子が絶縁ゲート形バイポー
ラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を含むＭＯＳトランジス
タ、または絶縁ゲート形サイリスタ（ＭＯＳ制御サイリ
スタ）からなることを特徴とする請求項３記載の加圧接
触形半導体装置。7. The pressure contact type semiconductor according to claim 3, wherein the insulated gate element is a MOS transistor including an insulated gate bipolar transistor (IGBT) or an insulated gate thyristor (MOS control thyristor). apparatus.