JPH08115930A - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
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- JPH08115930A JPH08115930A JP6250399A JP25039994A JPH08115930A JP H08115930 A JPH08115930 A JP H08115930A JP 6250399 A JP6250399 A JP 6250399A JP 25039994 A JP25039994 A JP 25039994A JP H08115930 A JPH08115930 A JP H08115930A
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- collet
- semiconductor
- bonding
- intermediate stage
- suction
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 移送コレット２とボンディングコレット４と
を備えたダイボンディング装置において、ボンディング
コレット４の吸着保持時に発生する半導体ペレット６の
破損を防止する。 【構成】 供給部１に配置された半導体ペレット６を吸
着保持し、この半導体ペレット６を中間ステージ３のポ
ケット領域３Ａに移送する移送コレット２と、前記中間
ステージ３のポケット領域３Ａに移送された半導体ペレ
ット６を吸着保持し、この半導体ペレット６を処理部５
に移送してボンディング処理を施すボンディングコレッ
ト４とを備えたダイボンディング装置において、前記中
間ステージ３のポケット領域３Ａに、気体吸引系１０に
連結される吸引孔３Ｂを設ける。
を備えたダイボンディング装置において、ボンディング
コレット４の吸着保持時に発生する半導体ペレット６の
破損を防止する。 【構成】 供給部１に配置された半導体ペレット６を吸
着保持し、この半導体ペレット６を中間ステージ３のポ
ケット領域３Ａに移送する移送コレット２と、前記中間
ステージ３のポケット領域３Ａに移送された半導体ペレ
ット６を吸着保持し、この半導体ペレット６を処理部５
に移送してボンディング処理を施すボンディングコレッ
ト４とを備えたダイボンディング装置において、前記中
間ステージ３のポケット領域３Ａに、気体吸引系１０に
連結される吸引孔３Ｂを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイボンディング装置
(ダイボンダ)に関し、特に、供給部に配置された半導体
ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間ステ
ージのポケット領域に移送する移送コレットと、前記中
間ステージのポケット領域に移送された半導体ペレット
を吸着保持し、この半導体ペレットを処理部に移送して
ボンディング処理を施すボンディングコレットとを備え
たダイボンディング装置に適用して有効な技術に関する
ものである。
(ダイボンダ)に関し、特に、供給部に配置された半導体
ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間ステ
ージのポケット領域に移送する移送コレットと、前記中
間ステージのポケット領域に移送された半導体ペレット
を吸着保持し、この半導体ペレットを処理部に移送して
ボンディング処理を施すボンディングコレットとを備え
たダイボンディング装置に適用して有効な技術に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハから複数個に分割された
半導体ペレットの夫々は、例えばリードフレームのダブ
上にＡｕ−Ｓｉ共晶反応を利用したボンディング法で固
着される。この種の半導体ペレットの固着は、移送コレ
ットとダイボンディングコレットとを備えたダイボンデ
ィング装置で行なわれる。
半導体ペレットの夫々は、例えばリードフレームのダブ
上にＡｕ−Ｓｉ共晶反応を利用したボンディング法で固
着される。この種の半導体ペレットの固着は、移送コレ
ットとダイボンディングコレットとを備えたダイボンデ
ィング装置で行なわれる。
【０００３】前記ダイボンディング装置において、移送
コレットは、供給部に収納トレイを介して配置された半
導体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間
ステージのポケット領域に移送する。ボンディングコレ
ットは、中間ステージのポケット領域に移送された半導
体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを処理部
に移送してボンディング処理を施す。
コレットは、供給部に収納トレイを介して配置された半
導体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間
ステージのポケット領域に移送する。ボンディングコレ
ットは、中間ステージのポケット領域に移送された半導
体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを処理部
に移送してボンディング処理を施す。
【０００４】前記移送コレットには吸引孔が設けられ、
この吸引孔には気体吸引系及び気体圧送系が連結され
る。つまり、移送コレットは、気体吸引系の吸引力で半
導体ペレットを吸着保持し、気体圧送系の圧送力で半導
体ペレットを離反する。
この吸引孔には気体吸引系及び気体圧送系が連結され
る。つまり、移送コレットは、気体吸引系の吸引力で半
導体ペレットを吸着保持し、気体圧送系の圧送力で半導
体ペレットを離反する。
【０００５】前記ボンディングコレットには吸引孔が設
けられ、この吸引孔には気体吸引系及び気体圧送系が連
結される。つまり、ボンディングコレットは、移送コレ
ットと同様に、気体吸引系の吸引力で半導体ペレットを
吸着保持し、気体圧送系の圧送力で半導体ペレットを離
反する。
けられ、この吸引孔には気体吸引系及び気体圧送系が連
結される。つまり、ボンディングコレットは、移送コレ
ットと同様に、気体吸引系の吸引力で半導体ペレットを
吸着保持し、気体圧送系の圧送力で半導体ペレットを離
反する。
【０００６】なお、前記ダイボンディング装置について
は、例えば、応用技術出版株式会社発行の〔最近の半導
体アセンブリ技術とその高信頼化・全自動化（１９８５
年、１１月３日、第１３０頁乃至第１３３頁〕に記載さ
れている。
は、例えば、応用技術出版株式会社発行の〔最近の半導
体アセンブリ技術とその高信頼化・全自動化（１９８５
年、１１月３日、第１３０頁乃至第１３３頁〕に記載さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記ダイボンディング
装置において、移送コレットに吸着保持された半導体ペ
レットは、気体圧送系の圧送力で移送コレットから離反
され、中間ステージのポケット領域に載置される。この
時、離反のタイミングのズレにより、中間ステージのポ
ケット領域に対して半導体ペレットに位置ズレが生じ
る。このため、半導体ペレットをダイボンディングコレ
ットで吸着保持する際、半導体ペレットの主面にダイボ
ンディングコレットが接触し、半導体ペレットにカケ、
亀裂等の破損が生じる。
装置において、移送コレットに吸着保持された半導体ペ
レットは、気体圧送系の圧送力で移送コレットから離反
され、中間ステージのポケット領域に載置される。この
時、離反のタイミングのズレにより、中間ステージのポ
ケット領域に対して半導体ペレットに位置ズレが生じ
る。このため、半導体ペレットをダイボンディングコレ
ットで吸着保持する際、半導体ペレットの主面にダイボ
ンディングコレットが接触し、半導体ペレットにカケ、
亀裂等の破損が生じる。
【０００８】本発明の目的は、供給部に配置された半導
体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間ス
テージのポケット領域に移送する移送コレットと、前記
中間ステージのポケット領域に移送された半導体ペレッ
トを吸着保持し、この半導体ペレットを処理部に移送し
てボンディング処理を施すボンディングコレットとを備
えたダイボンディング装置において、ボンディングコレ
ットで吸着保持する時に発生する半導体ペレットの破損
を防止することが可能な技術を提供することにある。
体ペレットを吸着保持し、この半導体ペレットを中間ス
テージのポケット領域に移送する移送コレットと、前記
中間ステージのポケット領域に移送された半導体ペレッ
トを吸着保持し、この半導体ペレットを処理部に移送し
てボンディング処理を施すボンディングコレットとを備
えたダイボンディング装置において、ボンディングコレ
ットで吸着保持する時に発生する半導体ペレットの破損
を防止することが可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】供給部に配置された半導体ペレットを吸着
保持し、この半導体ペレットを中間ステージのポケット
領域に移送する移送コレットと、前記中間ステージのポ
ケット領域に移送された半導体ペレットを吸着保持し、
この半導体ペレットを処理部に移送してボンディング処
理を施すボンディングツールとを備えたダイボンディン
グ装置において、前記中間ステージのポケット領域に、
気体吸引系に連結される吸引孔を設ける。
保持し、この半導体ペレットを中間ステージのポケット
領域に移送する移送コレットと、前記中間ステージのポ
ケット領域に移送された半導体ペレットを吸着保持し、
この半導体ペレットを処理部に移送してボンディング処
理を施すボンディングツールとを備えたダイボンディン
グ装置において、前記中間ステージのポケット領域に、
気体吸引系に連結される吸引孔を設ける。
【００１２】
【作用】上述した手段によれば、移送コレットに吸着保
持された半導体ペレットを離反し、中間ステージのポケ
ット領域に半導体ペレットを載置する時に生じた半導体
ペレットのポケット領域に対する位置ズレを気体吸引系
の吸引力で補正することができるので、ボンディングコ
レットで吸着保持する時に発生する半導体ペレットの破
損を防止することができる。
持された半導体ペレットを離反し、中間ステージのポケ
ット領域に半導体ペレットを載置する時に生じた半導体
ペレットのポケット領域に対する位置ズレを気体吸引系
の吸引力で補正することができるので、ボンディングコ
レットで吸着保持する時に発生する半導体ペレットの破
損を防止することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の構成について、ダイボンディ
ング装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。なお、実施例を説明するための全図において、同一
機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。
ング装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。なお、実施例を説明するための全図において、同一
機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。
【００１４】本発明の一実施例であるダイボンディング
装置の概略構成を図１(概略構成図)に示す。
装置の概略構成を図１(概略構成図)に示す。
【００１５】図１に示すように、ダイボンディング装置
は、供給部１、移送コレット２、中間ステージ３、ボン
ディングコレット４、処理部５等を備えている。供給部
１には例えば複数個の半導体ペレット６を収納した収納
トレイ７が配置される。処理部５にはボンディングテー
ジ８が配置され、このボンディングステージ８上にはタ
ブ９Ａを有するリードフレーム９が配置される。
は、供給部１、移送コレット２、中間ステージ３、ボン
ディングコレット４、処理部５等を備えている。供給部
１には例えば複数個の半導体ペレット６を収納した収納
トレイ７が配置される。処理部５にはボンディングテー
ジ８が配置され、このボンディングステージ８上にはタ
ブ９Ａを有するリードフレーム９が配置される。
【００１６】前記移送コレット２は、供給部１に収納ト
レイ７を介して配置された半導体ペレット６を順次吸着
保持し、この半導体ペレット６を中間ステージ３のポケ
ット領域３Ａに順次移送する。
レイ７を介して配置された半導体ペレット６を順次吸着
保持し、この半導体ペレット６を中間ステージ３のポケ
ット領域３Ａに順次移送する。
【００１７】前記ボンディングコレット４は、中間ステ
ージ３のポケット領域３Ａに順次移送された半導体ペレ
ット６を順次吸着保持し、この半導体ペレット６を処理
部５のボンディングステージ８上に配置されたリードフ
レーム９のタブ９Ａ上に順次移送してボンディング処理
を施す。ボンディングコレット４及びボンディングステ
ージ８は例えば数百［℃］程度に加熱される。本実施例
のダイボンディング装置は、リードフレーム９のタブ９
Ａ上にＡｕ−Ｓｉ共晶反応を利用したボンディング法で
半導体ペレット６を固着する。
ージ３のポケット領域３Ａに順次移送された半導体ペレ
ット６を順次吸着保持し、この半導体ペレット６を処理
部５のボンディングステージ８上に配置されたリードフ
レーム９のタブ９Ａ上に順次移送してボンディング処理
を施す。ボンディングコレット４及びボンディングステ
ージ８は例えば数百［℃］程度に加熱される。本実施例
のダイボンディング装置は、リードフレーム９のタブ９
Ａ上にＡｕ−Ｓｉ共晶反応を利用したボンディング法で
半導体ペレット６を固着する。
【００１８】前記移送コレット２には吸引孔２Ａが設け
られ、この吸引孔２Ａには、図示していないが、気体吸
引系及び気体圧送系が連結される。つまり、移送コレッ
ト２は、気体吸引系の吸引力で半導体ペレット６を吸着
保持し、気体圧送系の圧送力で半導体ペレット６を離反
する。
られ、この吸引孔２Ａには、図示していないが、気体吸
引系及び気体圧送系が連結される。つまり、移送コレッ
ト２は、気体吸引系の吸引力で半導体ペレット６を吸着
保持し、気体圧送系の圧送力で半導体ペレット６を離反
する。
【００１９】前記ボンディングコレット４には吸引孔４
Ａが設けられ、この吸引孔４Ａには、図示していない
が、気体吸引系及び気体圧送系が連結される。つまり、
ボンディングコレット４は、移送コレット２と同様に、
気体吸引系の吸引力で半導体ペレット６を吸着保持し、
気体圧送系の圧送力で半導体ペレットを離反する。
Ａが設けられ、この吸引孔４Ａには、図示していない
が、気体吸引系及び気体圧送系が連結される。つまり、
ボンディングコレット４は、移送コレット２と同様に、
気体吸引系の吸引力で半導体ペレット６を吸着保持し、
気体圧送系の圧送力で半導体ペレットを離反する。
【００２０】前記中間ステージ３のポケット領域３Ａに
は吸引孔３Ｂが設けられる。この吸引孔３Ｂには、図２
(概略構成図)に示すように、吸引系１０が連結される。
また、吸引孔３Ｂには気体圧送系１１が連結される。気
体吸引系１０は例えば空気又は窒素ガスを吸引する。気
体圧送系１１は例えば空気又は窒素ガスを圧送する。
は吸引孔３Ｂが設けられる。この吸引孔３Ｂには、図２
(概略構成図)に示すように、吸引系１０が連結される。
また、吸引孔３Ｂには気体圧送系１１が連結される。気
体吸引系１０は例えば空気又は窒素ガスを吸引する。気
体圧送系１１は例えば空気又は窒素ガスを圧送する。
【００２１】前記吸引孔３Ｂと気体吸引系１０との間に
は開閉バルブ(第１開閉バルブ)１２が設けられ、前記吸
引孔３Ｂと気体圧送系１１との間には開閉バルブ（第２
開閉バルブ）１３が設けられる。この開閉バルブ１２、
開閉バルブ１３の夫々の開閉動作は制御回路１５で制御
される。制御回路１５は、図１及び図２に示すように、
位置検知センサ１４からの信号に基づいて、開閉バルブ
１２、開閉バルブ１３の夫々の開閉動作を制御する。位
置検知センサ１４は、ボンディングコレット４の位置を
検知する。
は開閉バルブ(第１開閉バルブ)１２が設けられ、前記吸
引孔３Ｂと気体圧送系１１との間には開閉バルブ（第２
開閉バルブ）１３が設けられる。この開閉バルブ１２、
開閉バルブ１３の夫々の開閉動作は制御回路１５で制御
される。制御回路１５は、図１及び図２に示すように、
位置検知センサ１４からの信号に基づいて、開閉バルブ
１２、開閉バルブ１３の夫々の開閉動作を制御する。位
置検知センサ１４は、ボンディングコレット４の位置を
検知する。
【００２２】次に、前記ダイボンディング装置の動作に
ついて簡単に説明する。
ついて簡単に説明する。
【００２３】まず、供給部１に収納トレイ７を介して配
置された半導体ペレット６を吸着保持し、この半導体ペ
レット６を中間ステージ３のポケット領域３Ａ上に移送
コレット２で移送する。半導体ペレット６は、移送コレ
ット２の吸引孔２Ａに連結された気体吸引系の吸引力で
移送コレットに吸着保持される。また、半導体ペレット
６は、移送コレット２の吸引孔２Ａに連結された気体圧
送系の圧送力で移送コレット２から離反され、中間ステ
ージ３のポケット領域３Ａ上に載置される。この時、図
３(動作説明図)に示すように、離反のタイミングのズレ
により、中間ステージ３のポケット領域３Ａに対して半
導体ペレット６に位置ズレが生じるが、図４(動作説明
図)に示すように、中間ステージ３のポケット領域３Ａ
には気体吸引系１０に連結された吸引孔３Ｂが設けられ
ているので、半導体ペレット６の位置ズレを気体吸引系
１０の吸引力で補正することができる。
置された半導体ペレット６を吸着保持し、この半導体ペ
レット６を中間ステージ３のポケット領域３Ａ上に移送
コレット２で移送する。半導体ペレット６は、移送コレ
ット２の吸引孔２Ａに連結された気体吸引系の吸引力で
移送コレットに吸着保持される。また、半導体ペレット
６は、移送コレット２の吸引孔２Ａに連結された気体圧
送系の圧送力で移送コレット２から離反され、中間ステ
ージ３のポケット領域３Ａ上に載置される。この時、図
３(動作説明図)に示すように、離反のタイミングのズレ
により、中間ステージ３のポケット領域３Ａに対して半
導体ペレット６に位置ズレが生じるが、図４(動作説明
図)に示すように、中間ステージ３のポケット領域３Ａ
には気体吸引系１０に連結された吸引孔３Ｂが設けられ
ているので、半導体ペレット６の位置ズレを気体吸引系
１０の吸引力で補正することができる。
【００２４】次に、中間ステージ３のポケット領域３Ａ
に移送された半導体ペレット６を吸着保持し、この半導
体ペレット６を処理部５のボンディングステージ８に配
置されたリードフレーム９のタブ９Ａ上にボンディング
コレット４で移送する。半導体ペレット６は、ボンディ
ングコレット４の吸引孔４Ａに連結された気体吸引系の
吸引力でボンディングコレット４に吸着保持される。ま
た、半導体ペレット６は、ボンディングコレット４の吸
引孔４Ａに連結された気体圧送系の圧送力でボンディン
グコレット４から離反され、リードフレーム９のタブ９
Ａ上に載置される。この時、中間ステージ３のポケット
領域３Ａ上に載置されている半導体ペレット９は、ポケ
ット領域３Ａの吸引孔３Ｂに連結された気体吸引系１０
の吸引力でポケット領域３Ａに吸着保持されているが、
位置検知センサ１４がボンディングコレット４を検知
し、検知センサ１４の信号に基づいて制御回路１５は、
開閉バルブ１２を閉に制御し、開閉バルブ１３を開に制
御する。つまり、中間ステージ３のポケット領域３Ａ上
に載置された半導体ペレット６は、中間ステージ３のポ
ケット領域３Ａから気体圧送系１１の圧送力によって離
反され、ボンディングコレット４に吸着保持される。
に移送された半導体ペレット６を吸着保持し、この半導
体ペレット６を処理部５のボンディングステージ８に配
置されたリードフレーム９のタブ９Ａ上にボンディング
コレット４で移送する。半導体ペレット６は、ボンディ
ングコレット４の吸引孔４Ａに連結された気体吸引系の
吸引力でボンディングコレット４に吸着保持される。ま
た、半導体ペレット６は、ボンディングコレット４の吸
引孔４Ａに連結された気体圧送系の圧送力でボンディン
グコレット４から離反され、リードフレーム９のタブ９
Ａ上に載置される。この時、中間ステージ３のポケット
領域３Ａ上に載置されている半導体ペレット９は、ポケ
ット領域３Ａの吸引孔３Ｂに連結された気体吸引系１０
の吸引力でポケット領域３Ａに吸着保持されているが、
位置検知センサ１４がボンディングコレット４を検知
し、検知センサ１４の信号に基づいて制御回路１５は、
開閉バルブ１２を閉に制御し、開閉バルブ１３を開に制
御する。つまり、中間ステージ３のポケット領域３Ａ上
に載置された半導体ペレット６は、中間ステージ３のポ
ケット領域３Ａから気体圧送系１１の圧送力によって離
反され、ボンディングコレット４に吸着保持される。
【００２５】次に、リードフレーム９のタブ９Ａ上に半
導体ペレット６をボンディングコレット４で固着する。
導体ペレット６をボンディングコレット４で固着する。
【００２６】このように、供給部１に配置された半導体
ペレット６を吸着保持し、この半導体ペレット６を中間
ステージ３のポケット領域３Ａに移送する移送コレット
２と、前記中間ステージ３のポケット領域３Ａに移送さ
れた半導体ペレット６を吸着保持し、この半導体ペレッ
ト６を処理部５に移送してボンディング処理を施すボン
ディングコレット４とを備えたダイボンディング装置に
おいて、前記中間ステージ３のポケット領域３Ａに、気
体吸引系１０に連結される吸引孔３Ｂを設ける。この構
成により、移送コレット２に吸着保持された半導体ペレ
ット６を離反し、中間ステージ３のポケット領域３Ａに
半導体ペレット６を載置する時に生じた半導体ペレット
６のポケット領域３Ａに対する位置ズレを気体吸引系１
０の吸引力で補正することができるので、ボンディング
コレット４の吸着保持時に生じる半導体ペレット６の破
損を防止することができる。
ペレット６を吸着保持し、この半導体ペレット６を中間
ステージ３のポケット領域３Ａに移送する移送コレット
２と、前記中間ステージ３のポケット領域３Ａに移送さ
れた半導体ペレット６を吸着保持し、この半導体ペレッ
ト６を処理部５に移送してボンディング処理を施すボン
ディングコレット４とを備えたダイボンディング装置に
おいて、前記中間ステージ３のポケット領域３Ａに、気
体吸引系１０に連結される吸引孔３Ｂを設ける。この構
成により、移送コレット２に吸着保持された半導体ペレ
ット６を離反し、中間ステージ３のポケット領域３Ａに
半導体ペレット６を載置する時に生じた半導体ペレット
６のポケット領域３Ａに対する位置ズレを気体吸引系１
０の吸引力で補正することができるので、ボンディング
コレット４の吸着保持時に生じる半導体ペレット６の破
損を防止することができる。
【００２７】また、移送コレット２に吸着保持された半
導体ペレット６の離反と同時に、中間ステージ３のポケ
ット領域３Ａ上に気体吸引系１０の吸引力で半導体ペレ
ットを吸着保持することができるので、半導体ペレット
６のポケット領域３Ａに対する位置ズレを防止すること
ができる。
導体ペレット６の離反と同時に、中間ステージ３のポケ
ット領域３Ａ上に気体吸引系１０の吸引力で半導体ペレ
ットを吸着保持することができるので、半導体ペレット
６のポケット領域３Ａに対する位置ズレを防止すること
ができる。
【００２８】また、半導体ペレット６の移送によって中
間ステージ３のポケット領域３Ａ上に付着した異物を気
体吸引系１０の吸引力で除去することができるので、異
物による半導体ペレット６のポケット領域３Ａに対する
位置ズレを防止することができる。
間ステージ３のポケット領域３Ａ上に付着した異物を気
体吸引系１０の吸引力で除去することができるので、異
物による半導体ペレット６のポケット領域３Ａに対する
位置ズレを防止することができる。
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３０】例えば、本発明は、配線基板のペレット塔
載面上に半導体ペレットをボンディングするダイボンデ
ィング装置に適用できる。
載面上に半導体ペレットをボンディングするダイボンデ
ィング装置に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３２】供給部に配置された半導体ペレットを吸着
保持し、この半導体ペレットを中間ステージのポケット
領域に移送する移送コレットと、前記中間ステージのポ
ケット領域に移送された半導体ペレットを吸着保持し、
この半導体ペレットを処理部に移送してボンディング処
理を施すボンディングコレットとを備えたダイボンディ
ング装置において、ボンディングコレットで吸着保持す
る時に発生する半導体ペレットの破損を防止することが
できる。
保持し、この半導体ペレットを中間ステージのポケット
領域に移送する移送コレットと、前記中間ステージのポ
ケット領域に移送された半導体ペレットを吸着保持し、
この半導体ペレットを処理部に移送してボンディング処
理を施すボンディングコレットとを備えたダイボンディ
ング装置において、ボンディングコレットで吸着保持す
る時に発生する半導体ペレットの破損を防止することが
できる。
【図１】本発明の一実施例であるダイボンディング装置
の概略構成図。
の概略構成図。
【図２】前記ダイボンディング装置の概略構成図。
【図３】前記ダイボンディング装置の動作を説明するた
めの動作説明図。
めの動作説明図。
【図４】前記ダイボンディング装置の動作を説明するた
めの動作説明図。
めの動作説明図。
１…供給部、２…移送コレット、２Ａ…吸引孔、３…中
間ステージ、３Ａ…ポケット領域、３Ｂ…吸引孔、４…
ボンディングコレット、４Ａ…吸引孔、５…処理部、６
…半導体ペレット、７…収納トレイ、８…ボンディング
ステージ、９…リードフレーム、９Ａ…タブ、１０…気
体吸引系、１１…気体圧送系、１２…開閉バルブ(第１
バルブ)、１３…開閉バルブ(第２バルブ)、１４…位置
検知センサ、１５…制御回路部。
間ステージ、３Ａ…ポケット領域、３Ｂ…吸引孔、４…
ボンディングコレット、４Ａ…吸引孔、５…処理部、６
…半導体ペレット、７…収納トレイ、８…ボンディング
ステージ、９…リードフレーム、９Ａ…タブ、１０…気
体吸引系、１１…気体圧送系、１２…開閉バルブ(第１
バルブ)、１３…開閉バルブ(第２バルブ)、１４…位置
検知センサ、１５…制御回路部。
Claims (3)
- 【請求項１】 供給部に配置された半導体ペレットを吸
着保持し、この半導体ペレットを中間ステージのポケッ
ト領域に移送する移送コレットと、前記中間ステージの
ポケット領域に移送された半導体ペレットを吸着保持
し、この半導体ペレットを処理部に移送してボンディン
グ処理を施すボンディングコレットとを備えたダイボン
ディング装置において、前記中間ステージのポケット領
域に、気体吸引系に連結される吸引孔を設けたことを特
徴とするダイボンディング装置。 - 【請求項２】 前記吸引孔は気体吸引系及び気体圧送系
に連結されることを特徴とする請求項１に記載のダイボ
ンディング装置。 - 【請求項３】 前記吸引孔と気体吸引系との間には第１
開閉バルブが設けられ、前記吸引孔と気体圧送系との間
には第２開閉バルブが設けられ、前記第１開閉バルブ、
第２開閉バルブの夫々の開閉動作は制御回路部で制御さ
れるを特徴とする請求項２に記載のダイボンディング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6250399A JPH08115930A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6250399A JPH08115930A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | ダイボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115930A true JPH08115930A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17207341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6250399A Pending JPH08115930A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105023862A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-04 | 捷进科技有限公司 | 芯片贴装机及贴装方法 |
-
1994
- 1994-10-17 JP JP6250399A patent/JPH08115930A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105023862A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-04 | 捷进科技有限公司 | 芯片贴装机及贴装方法 |
| KR20150125611A (ko) * | 2014-04-30 | 2015-11-09 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본더 및 본딩 방법 |
| US9530751B2 (en) | 2014-04-30 | 2016-12-27 | Fasford Technology Co., Ltd. | Die bonder and bonding method |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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