JPH08114426A - ワイヤ曲がり検査方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ワイヤ長の長さに関係なく、光学系の倍率を変
更することなく同一条件でワイヤ全体の曲がりを検出す
る。 【構成】撮像範囲20内に検出範囲21を設定し、検出
範囲21でワイヤ51、52、53の第1ボンド点51
a、52a、53aと第2ボンド点51b、52b、5
3b間の距離を分割して撮像範囲エリア22、23を設
定し、各撮像範囲エリア22、23におけるワイヤ曲が
りを検出する。
更することなく同一条件でワイヤ全体の曲がりを検出す
る。 【構成】撮像範囲20内に検出範囲21を設定し、検出
範囲21でワイヤ51、52、53の第1ボンド点51
a、52a、53aと第2ボンド点51b、52b、5
3b間の距離を分割して撮像範囲エリア22、23を設
定し、各撮像範囲エリア22、23におけるワイヤ曲が
りを検出する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディングさ
れたワイヤの曲がり検査方法及びその装置に関する。
れたワイヤの曲がり検査方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ボンディングされたワイヤの検査
方法及び装置として、例えば特開平4−330757号
公報、特開平5−160233号公報があげられる。こ
の検査装置の概略を図4に示す。半導体チップ1のパッ
ド2とリードフレーム3のリード4を接続するようにワ
イヤ5がボンデイングされた試料6は、検査台10に載
置されている。検査台10に載置された試料6の上方に
は照明手段11が配設され、照明手段11は光学系12
の下部に取付けられている。光学系12の上部には絞り
手段13を介してCCD(光電変換素子)カメラ等の撮
像装置14が取付けられている。照明手段11及び撮像
装置14が取付けられた光学系12は、XYテーブル1
5上に固定された支持ブロック16に上下動可能に取付
けられ、Z軸モータ17で上下駆動されるようになって
いる。
方法及び装置として、例えば特開平4−330757号
公報、特開平5−160233号公報があげられる。こ
の検査装置の概略を図4に示す。半導体チップ1のパッ
ド2とリードフレーム3のリード4を接続するようにワ
イヤ5がボンデイングされた試料6は、検査台10に載
置されている。検査台10に載置された試料6の上方に
は照明手段11が配設され、照明手段11は光学系12
の下部に取付けられている。光学系12の上部には絞り
手段13を介してCCD(光電変換素子)カメラ等の撮
像装置14が取付けられている。照明手段11及び撮像
装置14が取付けられた光学系12は、XYテーブル1
5上に固定された支持ブロック16に上下動可能に取付
けられ、Z軸モータ17で上下駆動されるようになって
いる。
【0003】そして、図5に示すように、ワイヤ5の第
1ボンド点5a(パッド2のボンド点)のボンド座標と
第2ボンド点5b(リード4のボンド点)のボンド座標
を結ぶ直線18からの距離Sを検出している。
1ボンド点5a(パッド2のボンド点)のボンド座標と
第2ボンド点5b(リード4のボンド点)のボンド座標
を結ぶ直線18からの距離Sを検出している。
【0004】ところで近年、半導体デバイスは大型、高
密度化し、それに伴いワイヤボンディングによりボンデ
ィングされるワイヤ長(ワイヤ5の長さ)も約8mm程
までの製品も存在する。このため、ワイヤ検査装置にお
いては、検査対象となる試料6のワイヤ長は約1mm〜
8mm程までさまざまである。以下、撮像範囲内に入る
ワイヤ長のものを従来ワイヤ、撮像範囲内を越えるワイ
ヤ長のものをロングワイヤと称する。
密度化し、それに伴いワイヤボンディングによりボンデ
ィングされるワイヤ長(ワイヤ5の長さ)も約8mm程
までの製品も存在する。このため、ワイヤ検査装置にお
いては、検査対象となる試料6のワイヤ長は約1mm〜
8mm程までさまざまである。以下、撮像範囲内に入る
ワイヤ長のものを従来ワイヤ、撮像範囲内を越えるワイ
ヤ長のものをロングワイヤと称する。
【0005】従って、ワイヤ全体を撮像して検査する場
合、従来ワイヤにおいてはワイヤ全体が撮像できても、
光学系の倍率が同じであれば、ロングワイヤにおいては
ワイヤ全体が撮像できなくなる。そこで従来、ロングワ
イヤの場合は、光学系の倍率を低くして撮像範囲内にワ
イヤ全体が入るような形で検査するか、又は光学系の倍
率は変えないでワイヤの部分的な像を検査することでワ
イヤ曲がりを検出していた。
合、従来ワイヤにおいてはワイヤ全体が撮像できても、
光学系の倍率が同じであれば、ロングワイヤにおいては
ワイヤ全体が撮像できなくなる。そこで従来、ロングワ
イヤの場合は、光学系の倍率を低くして撮像範囲内にワ
イヤ全体が入るような形で検査するか、又は光学系の倍
率は変えないでワイヤの部分的な像を検査することでワ
イヤ曲がりを検出していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、光学系の倍率を変えてワイヤ全体を検査する方法
は、画像の解像度が変化することにより検出精度が変化
してしまう。即ち、ロングワイヤの場合には解像度が悪
くなり、検出精度が劣る。ワイヤの部分的な像(画像)
を検査する方法は、ワイヤ全長の曲がり、即ちワイヤ軌
跡が算出できない。
て、光学系の倍率を変えてワイヤ全体を検査する方法
は、画像の解像度が変化することにより検出精度が変化
してしまう。即ち、ロングワイヤの場合には解像度が悪
くなり、検出精度が劣る。ワイヤの部分的な像(画像)
を検査する方法は、ワイヤ全長の曲がり、即ちワイヤ軌
跡が算出できない。
【0007】本発明の目的は、ワイヤ長の長さに関係な
く、同一条件で(光学系の倍率を変更することなく)ワ
イヤ全体の曲がりを検出することができるワイヤ曲がり
検査方法及びその装置を提供することにある。
く、同一条件で(光学系の倍率を変更することなく)ワ
イヤ全体の曲がりを検出することができるワイヤ曲がり
検査方法及びその装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の方法は、半導体チップのパッドとリードフレ
ームのリードとにボンディングされたワイヤを光学系を
通して撮像装置で撮像してワイヤ曲がりを検査するボン
ディングワイヤ曲がり検査方法において、撮像範囲内に
検出範囲を設定し、この検出範囲で撮像されたワイヤの
第1ボンド点と第2ボンド点間の距離のXY方向の長い
方向の成分を分割して複数の撮像範囲エリアを設定し、
その各撮像範囲エリアにおけるワイヤ曲がりを検出する
ことを特徴とする。
の本発明の方法は、半導体チップのパッドとリードフレ
ームのリードとにボンディングされたワイヤを光学系を
通して撮像装置で撮像してワイヤ曲がりを検査するボン
ディングワイヤ曲がり検査方法において、撮像範囲内に
検出範囲を設定し、この検出範囲で撮像されたワイヤの
第1ボンド点と第2ボンド点間の距離のXY方向の長い
方向の成分を分割して複数の撮像範囲エリアを設定し、
その各撮像範囲エリアにおけるワイヤ曲がりを検出する
ことを特徴とする。
【0009】上記目的を達成するための本発明の装置
は、半導体チップのパッドとリードフレームのリードと
にボンディングされたワイヤを光学系を通して撮像装置
で撮像してワイヤ曲がりを検査するボンディングワイヤ
曲がり検査装置において、検査するワイヤのXY座標を
記憶したワイヤ座標データメモリと、撮像範囲内に設定
した検出範囲を記憶する検出範囲メモリと、前記検出範
囲で撮像されたワイヤの第1ボンド点と第2ボンド点間
の距離のXY方向の長い方向の成分を分割したワイヤ分
割数を記憶するワイヤ分割数メモリと、分割点の座標を
記憶する分割点座標メモリと、ワイヤ曲がりの検査結果
を記憶するワイヤ曲がりメモリと、前記ワイヤ分割数の
計算、この分割された各撮像範囲エリアを撮像装置で撮
像して得られた画像を処理してワイヤ曲がりを検出する
演算制御部とを有することを特徴とする。
は、半導体チップのパッドとリードフレームのリードと
にボンディングされたワイヤを光学系を通して撮像装置
で撮像してワイヤ曲がりを検査するボンディングワイヤ
曲がり検査装置において、検査するワイヤのXY座標を
記憶したワイヤ座標データメモリと、撮像範囲内に設定
した検出範囲を記憶する検出範囲メモリと、前記検出範
囲で撮像されたワイヤの第1ボンド点と第2ボンド点間
の距離のXY方向の長い方向の成分を分割したワイヤ分
割数を記憶するワイヤ分割数メモリと、分割点の座標を
記憶する分割点座標メモリと、ワイヤ曲がりの検査結果
を記憶するワイヤ曲がりメモリと、前記ワイヤ分割数の
計算、この分割された各撮像範囲エリアを撮像装置で撮
像して得られた画像を処理してワイヤ曲がりを検出する
演算制御部とを有することを特徴とする。
【0010】
【作用】撮像範囲内に検出範囲を設定し、この検出範囲
でワイヤの第1ボンド点と第2ボンド点間の距離を分割
して複数の撮像範囲エリアを設定し、その各撮像範囲エ
リアにおけるワイヤ曲がりを検出するので、光学系の倍
率を変えないで、即ち同一条件でワイヤ長に関係なくワ
イヤ全体の検出が行える。
でワイヤの第1ボンド点と第2ボンド点間の距離を分割
して複数の撮像範囲エリアを設定し、その各撮像範囲エ
リアにおけるワイヤ曲がりを検出するので、光学系の倍
率を変えないで、即ち同一条件でワイヤ長に関係なくワ
イヤ全体の検出が行える。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図4によ
り説明する。本実施例は、図4に示す検査装置を用いて
検査する。図1(a)に示すように、撮像装置14によ
る撮像範囲20内に検出範囲21を設定する。そして、
撮像されたワイヤ51の第1ボンド点51aと第2ボン
ド点51b間の距離のXY成分の距離の内、長い成分の
距離を検出範囲21の幅で割り、端数を切り上げてワイ
ヤ分割数とする。図1の場合は、ワイヤ51がY方向に
伸びているので、このY方向の距離を検出範囲21のY
方向の幅で割る。もし、ワイヤ51がX方向に伸びてい
る場合は、このX方向の距離を検出範囲21のX方向の
幅で割る。またワイヤ51が45°方向に伸びている場
合には、ワイヤ51のXY方向成分の内のいずれかの距
離を検出範囲21のXY方向の幅のいずれかで割っても
よい。今、検出範囲21の幅をD、第1ボンド点51a
と第2ボンド点51b間の距離のY方向成分の距離を
d、ワイヤ分割数をnとすると、数1で表される。
り説明する。本実施例は、図4に示す検査装置を用いて
検査する。図1(a)に示すように、撮像装置14によ
る撮像範囲20内に検出範囲21を設定する。そして、
撮像されたワイヤ51の第1ボンド点51aと第2ボン
ド点51b間の距離のXY成分の距離の内、長い成分の
距離を検出範囲21の幅で割り、端数を切り上げてワイ
ヤ分割数とする。図1の場合は、ワイヤ51がY方向に
伸びているので、このY方向の距離を検出範囲21のY
方向の幅で割る。もし、ワイヤ51がX方向に伸びてい
る場合は、このX方向の距離を検出範囲21のX方向の
幅で割る。またワイヤ51が45°方向に伸びている場
合には、ワイヤ51のXY方向成分の内のいずれかの距
離を検出範囲21のXY方向の幅のいずれかで割っても
よい。今、検出範囲21の幅をD、第1ボンド点51a
と第2ボンド点51b間の距離のY方向成分の距離を
d、ワイヤ分割数をnとすると、数1で表される。
【数1】n≧d/D (n:1,2,・・・)
【0012】図1(a)はワイヤ分割数nが「2」の場
合を示す。即ち、ワイヤ51は2つの第1及び第2の撮
像範囲エリア22、23に分割される。そこで、ワイヤ
51の各第1及び第2の撮像範囲エリア22、23にお
けるワイヤ曲がりを検出する。まず、第1ボンド点51
aと第2ボンド点51bとを結ぶ直線24上で、第1の
撮像範囲エリア22と第2の撮像範囲エリア23が重な
った分割点51cの座標を設定する。そして、第1段階
は、図1(b)に示すように、図4に示すワイヤ検査装
置で第1の撮像範囲エリア22において、第1ボンド点
51aから分割点51cに向かってワイヤ曲がりS1、
S2、S3の検出を行う。次に第2段階は、図1(c)
に示すように、図4に示すワイヤ検査装置で第2の撮像
範囲エリア23において、分割点51cから第2ボンド
点51bに向かってワイヤ曲がりS4、S5の検出を行
う。そして、第1段階の検出結果と第2段階の検出結果
を1つにすることにより、第1ボンド点51aから第2
ボンド点51bまでのワイヤ曲がり、即ちワイヤ全体の
軌跡が求められる。
合を示す。即ち、ワイヤ51は2つの第1及び第2の撮
像範囲エリア22、23に分割される。そこで、ワイヤ
51の各第1及び第2の撮像範囲エリア22、23にお
けるワイヤ曲がりを検出する。まず、第1ボンド点51
aと第2ボンド点51bとを結ぶ直線24上で、第1の
撮像範囲エリア22と第2の撮像範囲エリア23が重な
った分割点51cの座標を設定する。そして、第1段階
は、図1(b)に示すように、図4に示すワイヤ検査装
置で第1の撮像範囲エリア22において、第1ボンド点
51aから分割点51cに向かってワイヤ曲がりS1、
S2、S3の検出を行う。次に第2段階は、図1(c)
に示すように、図4に示すワイヤ検査装置で第2の撮像
範囲エリア23において、分割点51cから第2ボンド
点51bに向かってワイヤ曲がりS4、S5の検出を行
う。そして、第1段階の検出結果と第2段階の検出結果
を1つにすることにより、第1ボンド点51aから第2
ボンド点51bまでのワイヤ曲がり、即ちワイヤ全体の
軌跡が求められる。
【0013】なお、第1段階及び第2段階の検出におい
ては、撮像範囲20に複数のワイヤ(本実施例は3つの
ワイヤ51、52、53)が撮像される場合は、それぞ
れの段階では全てのワイヤ51、52、53のワイヤ曲
がりの検出を行う。
ては、撮像範囲20に複数のワイヤ(本実施例は3つの
ワイヤ51、52、53)が撮像される場合は、それぞ
れの段階では全てのワイヤ51、52、53のワイヤ曲
がりの検出を行う。
【0014】図2は図1のワイヤ検査方法に用いる制御
回路の一実施例を示す。図4の撮像装置14で撮像した
映像は、画像入力手段30によってデジタル信号に変換
されて画像記憶メモリ31に記憶され、この画像記憶メ
モリ31に記憶された画像形状は、画像処理部32によ
って画像処理されると共に、画像はモニター33に表示
される。また図4のXYテーブル15を駆動するX軸モ
ータ34及びY軸モータ35並びにZ軸モータ17は、
XYZ駆動部36によって制御され、XYZ駆動部36
は、手動入力手段37によって直接制御又は演算制御部
40によって制御される。また図4の絞り手段13、照
明手段11等の光学系駆動部38の設定も演算制御部4
0によって制御される。
回路の一実施例を示す。図4の撮像装置14で撮像した
映像は、画像入力手段30によってデジタル信号に変換
されて画像記憶メモリ31に記憶され、この画像記憶メ
モリ31に記憶された画像形状は、画像処理部32によ
って画像処理されると共に、画像はモニター33に表示
される。また図4のXYテーブル15を駆動するX軸モ
ータ34及びY軸モータ35並びにZ軸モータ17は、
XYZ駆動部36によって制御され、XYZ駆動部36
は、手動入力手段37によって直接制御又は演算制御部
40によって制御される。また図4の絞り手段13、照
明手段11等の光学系駆動部38の設定も演算制御部4
0によって制御される。
【0015】演算制御部40は、制御メモリ41に記憶
された処理手順によって処理及び各部を制御し、前記X
YZ駆動部36及び光学系駆動部38の制御の他に、前
記画像処理部32で処理された画像によってワイヤ曲が
りの検出を行い、またデータメモリ42より必要なデー
タを読み出して処理し、また算出したデータをデータメ
モリ42に記憶する。データメモリ42は、検査するワ
イヤ5のXY座標を記憶したワイヤ座標データメモリ4
3と、検出範囲21を記憶する検出範囲メモリ44と、
ワイヤ分割数nを記憶するワイヤ分割数メモリ45と、
分割点51cの座標を記憶する分割点座標メモリ46
と、ワイヤ曲がりの検査結果を記憶するワイヤ曲がりメ
モリ47とを有している。
された処理手順によって処理及び各部を制御し、前記X
YZ駆動部36及び光学系駆動部38の制御の他に、前
記画像処理部32で処理された画像によってワイヤ曲が
りの検出を行い、またデータメモリ42より必要なデー
タを読み出して処理し、また算出したデータをデータメ
モリ42に記憶する。データメモリ42は、検査するワ
イヤ5のXY座標を記憶したワイヤ座標データメモリ4
3と、検出範囲21を記憶する検出範囲メモリ44と、
ワイヤ分割数nを記憶するワイヤ分割数メモリ45と、
分割点51cの座標を記憶する分割点座標メモリ46
と、ワイヤ曲がりの検査結果を記憶するワイヤ曲がりメ
モリ47とを有している。
【0016】次に作用を図1乃至図4により説明する。
ワイヤ51が張られた試料6が検査台10上にセットさ
れると、試料6の検査するワイヤ51の第1ボンド点5
1aと第2ボンド点51bの座標より第1ボンド点51
aと第2ボンド点51b間の距離の内のXY成分の長い
成分の距離dの計算60が行われる。この距離dの計算
60は、ワイヤ座標データメモリ43に記憶された第1
ボンド点51aと第2ボンド点51bの座標を演算装置
40が読み出して計算する。次に演算装置40は、検出
範囲メモリ44に記憶された検出範囲の幅Dで前記距離
dを割り、ワイヤ分割数nを算出61し、このワイヤ分
割数nはワイヤ分割数メモリ45に記憶される。また演
算装置40は、第1ボンド点51aと第2ボンド点51
bとを結ぶ直線24上で、第1及び第2の撮像範囲エリ
ア22、23が重なった分割点51cの座標を算出62
し、この分割点51cの座標を分割点座標メモリ46に
記憶する。
ワイヤ51が張られた試料6が検査台10上にセットさ
れると、試料6の検査するワイヤ51の第1ボンド点5
1aと第2ボンド点51bの座標より第1ボンド点51
aと第2ボンド点51b間の距離の内のXY成分の長い
成分の距離dの計算60が行われる。この距離dの計算
60は、ワイヤ座標データメモリ43に記憶された第1
ボンド点51aと第2ボンド点51bの座標を演算装置
40が読み出して計算する。次に演算装置40は、検出
範囲メモリ44に記憶された検出範囲の幅Dで前記距離
dを割り、ワイヤ分割数nを算出61し、このワイヤ分
割数nはワイヤ分割数メモリ45に記憶される。また演
算装置40は、第1ボンド点51aと第2ボンド点51
bとを結ぶ直線24上で、第1及び第2の撮像範囲エリ
ア22、23が重なった分割点51cの座標を算出62
し、この分割点51cの座標を分割点座標メモリ46に
記憶する。
【0017】そこで、演算装置40は、制御メモリ41
に記憶された手順に従い、XYZ駆動部36を介してX
軸モータ34及びY軸モータ35を駆動させてXYテー
ブル15を移動させ、図1(b)に示すように、検査す
る第1の撮像範囲エリア22の上方に光学系12を位置
63させる。そして、演算装置40は、撮像装置14で
撮像して画像処理部32で画像処理64されたワイヤ5
1の直線24からの曲がりを第1ボンド点51aから分
割点51cに向かって検出65し、この検出した結果の
ワイヤ曲がりS1、S2、S3をワイヤ曲がりメモリ4
7に記憶する。本実施例の場合は、第1及び第2の撮像
範囲エリア22、23に3つのワイヤ51、52、53
が同時に撮像されるので、ワイヤ52、53についても
ワイヤ51の検査と同様にしてワイヤ曲がりを検出64
し、その結果をワイヤ曲がりメモリ47に記憶する。こ
れにより、第1段階が終了する。
に記憶された手順に従い、XYZ駆動部36を介してX
軸モータ34及びY軸モータ35を駆動させてXYテー
ブル15を移動させ、図1(b)に示すように、検査す
る第1の撮像範囲エリア22の上方に光学系12を位置
63させる。そして、演算装置40は、撮像装置14で
撮像して画像処理部32で画像処理64されたワイヤ5
1の直線24からの曲がりを第1ボンド点51aから分
割点51cに向かって検出65し、この検出した結果の
ワイヤ曲がりS1、S2、S3をワイヤ曲がりメモリ4
7に記憶する。本実施例の場合は、第1及び第2の撮像
範囲エリア22、23に3つのワイヤ51、52、53
が同時に撮像されるので、ワイヤ52、53についても
ワイヤ51の検査と同様にしてワイヤ曲がりを検出64
し、その結果をワイヤ曲がりメモリ47に記憶する。こ
れにより、第1段階が終了する。
【0018】次に演算装置40は、XYZ駆動部36を
介してX軸モータ34及びY軸モータ35を駆動させて
XYテーブル15を移動させ、図1(c)に示すよう
に、検査する第2の撮像範囲エリア23の上方に光学系
12を位置させる。そして、前記第1段階と同様に、ワ
イヤ51の直線24から曲がりを分割点51cから第2
ボンド点51bに向かって検出64し、この検出した結
果のワイヤ曲がりS4、S5をワイヤ曲がりメモリ47
に記憶する。またワイヤ52、53の曲がりも同様に検
出してワイヤ曲がりメモリ47に記憶する。これにより
第2段階が終了する。なお、第2段階の検査結果は、第
1段階の検査結果の対応するワイヤ51に組み合わせら
れてワイヤ51、52、53に対してそれぞれ1つにし
てワイヤ曲がりメモリ47に記憶される。これにより、
各ワイヤ51について第1ボンド点51a、52a、5
3aから第2ボンド点51b、52b、53bまでのワ
イヤ曲がり、即ちワイヤ全体の軌跡が求められる。
介してX軸モータ34及びY軸モータ35を駆動させて
XYテーブル15を移動させ、図1(c)に示すよう
に、検査する第2の撮像範囲エリア23の上方に光学系
12を位置させる。そして、前記第1段階と同様に、ワ
イヤ51の直線24から曲がりを分割点51cから第2
ボンド点51bに向かって検出64し、この検出した結
果のワイヤ曲がりS4、S5をワイヤ曲がりメモリ47
に記憶する。またワイヤ52、53の曲がりも同様に検
出してワイヤ曲がりメモリ47に記憶する。これにより
第2段階が終了する。なお、第2段階の検査結果は、第
1段階の検査結果の対応するワイヤ51に組み合わせら
れてワイヤ51、52、53に対してそれぞれ1つにし
てワイヤ曲がりメモリ47に記憶される。これにより、
各ワイヤ51について第1ボンド点51a、52a、5
3aから第2ボンド点51b、52b、53bまでのワ
イヤ曲がり、即ちワイヤ全体の軌跡が求められる。
【0019】このように、撮像範囲20内に検出範囲2
1を設定し、検出範囲21の幅でワイヤ51、52、5
3の第1ボンド点51a、52a、53aと第2ボンド
点51b、52b、53b間の距離のXY成分の内の長
い成分距離dを分割して第1及び第2の撮像範囲エリア
22、23を設定し、その各第1及び第2の撮像範囲エ
リア22、23における第1ボンド点51a、52a、
53aと第2ボンド点51b、52b、53bとを結ぶ
直線24、25、26からの曲がりを検出するので、光
学系12の倍率を変えないで、即ち同一条件でワイヤ長
に関係なくワイヤ全体の検出が行える。このため、従来
ワイヤからロングワイヤまで精度を落とすことなく検出
できる。
1を設定し、検出範囲21の幅でワイヤ51、52、5
3の第1ボンド点51a、52a、53aと第2ボンド
点51b、52b、53b間の距離のXY成分の内の長
い成分距離dを分割して第1及び第2の撮像範囲エリア
22、23を設定し、その各第1及び第2の撮像範囲エ
リア22、23における第1ボンド点51a、52a、
53aと第2ボンド点51b、52b、53bとを結ぶ
直線24、25、26からの曲がりを検出するので、光
学系12の倍率を変えないで、即ち同一条件でワイヤ長
に関係なくワイヤ全体の検出が行える。このため、従来
ワイヤからロングワイヤまで精度を落とすことなく検出
できる。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、撮像範囲内に検出範囲
を設定し、この検出範囲でワイヤの第1ボンド点と第2
ボンド点間の距離を分割して複数の撮像範囲エリアを設
定し、その各撮像範囲エリアにおけるワイヤ曲がりを検
出するので、ワイヤ長の長さに関係なく、同一条件でワ
イヤ全体の曲がりを検出することができ、検出精度が向
上する。
を設定し、この検出範囲でワイヤの第1ボンド点と第2
ボンド点間の距離を分割して複数の撮像範囲エリアを設
定し、その各撮像範囲エリアにおけるワイヤ曲がりを検
出するので、ワイヤ長の長さに関係なく、同一条件でワ
イヤ全体の曲がりを検出することができ、検出精度が向
上する。
【図1】(a)(b)(c)は本発明のワイヤ曲がり検
査方法の一実施例を示す説明図である。
査方法の一実施例を示す説明図である。
【図2】本発明のワイヤ曲がり検査装置の制御回路部の
一実施例を示すブロック図である。
一実施例を示すブロック図である。
【図3】動作のフローチャート図である。
【図4】ボンディングワイヤ検査装置の概略側面図であ
る。
る。
【図5】ワイヤ曲がり検査の説明図である。
6 試料 14 撮像装置 20 撮像範囲 21 検出範囲 22、23 第1及び第2の撮像範囲エリア 40 演算制御部 42 データメモリ 43 ワイヤ座標データメモリ 44 検出範囲メモリ 45 ワイヤ分割数メモリ 46 分割点座標メモリ 47 ワイヤ曲がりメモリ 51、52、53 ワイヤ 51a、52a、53a 第1ボンド点 51b、52b、53b 第2ボンド点 51c 分割点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 毅之 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 株式会社新川内 (72)発明者 金山 直樹 アメリカ合衆国カルフォルニア州95054 サンタクララ スイート120 オーガステ ィン ドライブ 2620番 シンテックコー ポレション内
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップのパッドとリードフレーム
のリードとにボンディングされたワイヤを光学系を通し
て撮像装置で撮像してワイヤ曲がりを検査するボンディ
ングワイヤ曲がり検査方法において、撮像範囲内に検出
範囲を設定し、この検出範囲で撮像されたワイヤの第1
ボンド点と第2ボンド点間の距離のXY方向の長い方向
の成分を分割して複数の撮像範囲エリアを設定し、その
各撮像範囲エリアにおけるワイヤ曲がりを検出すること
を特徴とするワイヤ曲がり検査方法。 - 【請求項2】 半導体チップのパッドとリードフレーム
のリードとにボンディングされたワイヤを光学系を通し
て撮像装置で撮像してワイヤ曲がりを検査するボンディ
ングワイヤ曲がり検査装置において、検査するワイヤの
XY座標を記憶したワイヤ座標データメモリと、撮像範
囲内に設定した検出範囲を記憶する検出範囲メモリと、
前記検出範囲で撮像されたワイヤの第1ボンド点と第2
ボンド点間の距離のXY方向の長い方向の成分を分割し
たワイヤ分割数を記憶するワイヤ分割数メモリと、分割
点の座標を記憶する分割点座標メモリと、ワイヤ曲がり
の検査結果を記憶するワイヤ曲がりメモリと、前記ワイ
ヤ分割数の計算、この分割された各撮像範囲エリアを撮
像装置で撮像して得られた画像を処理してワイヤ曲がり
を検出する演算制御部とを有することを特徴とするワイ
ヤ曲がり検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27601394A JP3298753B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | ワイヤ曲がり検査装置 |
KR1019950024254A KR100186239B1 (ko) | 1994-10-14 | 1995-08-05 | 와이어 굽힘 검사방법 및 장치 |
TW085102139A TW387119B (en) | 1994-10-14 | 1996-02-24 | Wire bend inspection method and apparatus |
US08/758,204 US5818958A (en) | 1994-10-14 | 1996-11-25 | Wire bend inspection method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27601394A JP3298753B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | ワイヤ曲がり検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08114426A true JPH08114426A (ja) | 1996-05-07 |
JP3298753B2 JP3298753B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=17563574
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US5818958A (ja) |
JP (1) | JP3298753B2 (ja) |
KR (1) | KR100186239B1 (ja) |
TW (1) | TW387119B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1187190A1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-03-13 | Marconi Communications GmbH | Method for monitoring the length of constant-wire-length bonds & apparatus therefor |
CN105486933A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-04-13 | 西安交通大学 | 通过蚊香式位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8177843B2 (en) * | 2006-02-16 | 2012-05-15 | Nabil L. Muhanna | Automated pedicle screw rod bender |
US20120128229A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Imaging operations for a wire bonding system |
WO2017155470A1 (en) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Agency For Science, Technology And Research | Self-determining inspection method for automated optical wire bond inspection |
US10405935B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-09-10 | Warsaw Orthopedic, Inc. | Surgical implant bending system and method |
CN107747913B (zh) * | 2017-11-15 | 2023-12-19 | 西安工业大学 | 一种管道弯曲度测量装置及方法 |
KR102403587B1 (ko) * | 2020-05-28 | 2022-05-30 | 정조우 리서치 인스티튜트 오브 머케니컬 엔지니어링 컴퍼니 리미티드 | 컨트롤러, 플럭스 코어드 와이어 충전율 검측 방법 및 디바이스 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60870A (ja) * | 1983-02-28 | 1985-01-05 | 株式会社 サタケ | 籾玄米選別方法 |
US5490084A (en) * | 1987-06-01 | 1996-02-06 | Hitachi Techno Engineering Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting bent leads in electronic components |
JPH07111998B2 (ja) * | 1989-08-18 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | ワイヤボンディング検査装置 |
US5119436A (en) * | 1990-09-24 | 1992-06-02 | Kulicke And Soffa Industries, Inc | Method of centering bond positions |
JP2913565B2 (ja) * | 1991-01-31 | 1999-06-28 | 株式会社新川 | ワイヤループ曲がり検査方法及びその装置 |
JP2981942B2 (ja) * | 1991-12-02 | 1999-11-22 | 株式会社新川 | ボンデイングワイヤ検査方法 |
JP2969403B2 (ja) * | 1991-12-02 | 1999-11-02 | 株式会社新川 | ボンデイングワイヤ検査装置 |
JPH06137839A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-05-20 | Nec Corp | リード曲り測定装置 |
JP2851023B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1999-01-27 | 株式会社鷹山 | Icの傾き検査方法 |
US5563703A (en) * | 1994-06-20 | 1996-10-08 | Motorola, Inc. | Lead coplanarity inspection apparatus and method thereof |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP27601394A patent/JP3298753B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-05 KR KR1019950024254A patent/KR100186239B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-24 TW TW085102139A patent/TW387119B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-11-25 US US08/758,204 patent/US5818958A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1187190A1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-03-13 | Marconi Communications GmbH | Method for monitoring the length of constant-wire-length bonds & apparatus therefor |
US6661525B2 (en) | 2000-09-11 | 2003-12-09 | Marconi Communications Gmbh | Method for monitoring the length of constant-wire-length bonds and apparatus therefor |
CN105486933A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-04-13 | 西安交通大学 | 通过蚊香式位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3298753B2 (ja) | 2002-07-08 |
US5818958A (en) | 1998-10-06 |
TW387119B (en) | 2000-04-11 |
KR100186239B1 (ko) | 1999-04-15 |
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