JPH08111403A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH08111403A JPH08111403A JP26819194A JP26819194A JPH08111403A JP H08111403 A JPH08111403 A JP H08111403A JP 26819194 A JP26819194 A JP 26819194A JP 26819194 A JP26819194 A JP 26819194A JP H08111403 A JPH08111403 A JP H08111403A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングチャンバ内のプラズマの発光をチ
ャンバに設けた検出窓を通して検出し、この発光に基づ
いてエッチングの終了を判定するドライエッチング装置
において、検出窓内面への反応生成物やエッチングガス
の付着及びプラズマによる検出窓内面のエッチングを抑
制し、長期間にわたってエッチングの終了を安定に判定
する。 【構成】 外面に外方に延出する中空支持部３４が形成
され、かつ中空支持部３４の先端側に中空部を覆って光
透過性の検出窓１８が取り付けられたエッチングチャン
バ３０を用いる。そして、エッチング時におけるエッチ
ングチャンバ３０内のプラズマの発光を中空支持部３４
の中空部及び検出窓１８を通して光検出器２４で検出す
る。
ャンバに設けた検出窓を通して検出し、この発光に基づ
いてエッチングの終了を判定するドライエッチング装置
において、検出窓内面への反応生成物やエッチングガス
の付着及びプラズマによる検出窓内面のエッチングを抑
制し、長期間にわたってエッチングの終了を安定に判定
する。 【構成】 外面に外方に延出する中空支持部３４が形成
され、かつ中空支持部３４の先端側に中空部を覆って光
透過性の検出窓１８が取り付けられたエッチングチャン
バ３０を用いる。そして、エッチング時におけるエッチ
ングチャンバ３０内のプラズマの発光を中空支持部３４
の中空部及び検出窓１８を通して光検出器２４で検出す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造等に
用いられるドライエッチング装置に関し、さらに詳しく
は、エッチングチャンバ内のプラズマの発光を検出して
エッチングの終了を判定する機能を備えたドライエッチ
ング装置に関する。
用いられるドライエッチング装置に関し、さらに詳しく
は、エッチングチャンバ内のプラズマの発光を検出して
エッチングの終了を判定する機能を備えたドライエッチ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の製造において、
フォトレジストをマスクとして基板表面に形成した配線
層や絶縁膜のエッチングを行う場合、フォトレジストの
パターンを可能な限り忠実に再現するために、プラズマ
を用いたドライエッチング装置が使用される。ドライエ
ッチング装置では、通常、配線層や絶縁膜のエッチング
で生ずる固有のプラズマの発光をモニターし、その発光
の増減によりエッチングの終了を判定してエッチングの
制御を行っている。この終了判定機能により適切なエッ
チングが行われ、正確なパターン再現性が得られる。
フォトレジストをマスクとして基板表面に形成した配線
層や絶縁膜のエッチングを行う場合、フォトレジストの
パターンを可能な限り忠実に再現するために、プラズマ
を用いたドライエッチング装置が使用される。ドライエ
ッチング装置では、通常、配線層や絶縁膜のエッチング
で生ずる固有のプラズマの発光をモニターし、その発光
の増減によりエッチングの終了を判定してエッチングの
制御を行っている。この終了判定機能により適切なエッ
チングが行われ、正確なパターン再現性が得られる。
【０００３】図５は、エッチングの終了判定機能を有す
る従来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図
である。図５において、２は四角容器状のエッチングチ
ャンバを示す。このチャンバ２にはエッチングガス導入
管４及び排気管６が連結され、排気管６は真空ポンプ８
に接続されている。チャンバ２内には互いに対向する一
対の電極１０及び１２が設置されているとともに、一方
の電極１０はＲＦ電源１４に接続されている。また、チ
ャンバ２の側壁部には透孔１６が形成され、この透孔１
６を覆ってチャンバ２の外面に石英ガラスからなる光透
過性の検出窓１８が固定部材２０によって固定されてい
る。そして、上記検出窓１８に光ファイバ２２が接続さ
れ、この光ファイバ２２が光検出器２４に連結されてい
る。
る従来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図
である。図５において、２は四角容器状のエッチングチ
ャンバを示す。このチャンバ２にはエッチングガス導入
管４及び排気管６が連結され、排気管６は真空ポンプ８
に接続されている。チャンバ２内には互いに対向する一
対の電極１０及び１２が設置されているとともに、一方
の電極１０はＲＦ電源１４に接続されている。また、チ
ャンバ２の側壁部には透孔１６が形成され、この透孔１
６を覆ってチャンバ２の外面に石英ガラスからなる光透
過性の検出窓１８が固定部材２０によって固定されてい
る。そして、上記検出窓１８に光ファイバ２２が接続さ
れ、この光ファイバ２２が光検出器２４に連結されてい
る。
【０００４】図５の装置でドライエッチングを行う場
合、表面に配線層あるいは絶縁膜を形成したウェハ２６
を電極１０上に載置し、真空ポンプ８によってチャンバ
２内の排気を行いつつ、エッチングガス導入管４からチ
ャンバ２内にエッチングガスを供給する。そして、電極
１０、１２間にＲＦ電源１４からＲＦ電圧を印加し、エ
ッチングガスのプラズマ２８を発生させ、このプラズマ
２８によりウェハ２６の加工を行う。
合、表面に配線層あるいは絶縁膜を形成したウェハ２６
を電極１０上に載置し、真空ポンプ８によってチャンバ
２内の排気を行いつつ、エッチングガス導入管４からチ
ャンバ２内にエッチングガスを供給する。そして、電極
１０、１２間にＲＦ電源１４からＲＦ電圧を印加し、エ
ッチングガスのプラズマ２８を発生させ、このプラズマ
２８によりウェハ２６の加工を行う。
【０００５】また、プラズマ２８からの発光は、検出窓
１８及び光ファイバー２２を通って光検出器２４にモニ
ターされており、このモニターされた発光に基づいてエ
ッチングの終了が判定される。すなわち、プラズマ２８
からはエッチングされる材料固有の発光があり、そのた
め上記発光をモニターすることにより、エッチングされ
ている材料の状態を判別してエッチングの終点を検出す
ることができる。
１８及び光ファイバー２２を通って光検出器２４にモニ
ターされており、このモニターされた発光に基づいてエ
ッチングの終了が判定される。すなわち、プラズマ２８
からはエッチングされる材料固有の発光があり、そのた
め上記発光をモニターすることにより、エッチングされ
ている材料の状態を判別してエッチングの終点を検出す
ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５のドライエッチン
グ装置では、エッチングの終了判定のために検出窓を通
してエッチングチャンバ内からプラズマの発光を取り出
しているが、この従来装置には下記のような問題があっ
た。
グ装置では、エッチングの終了判定のために検出窓を通
してエッチングチャンバ内からプラズマの発光を取り出
しているが、この従来装置には下記のような問題があっ
た。
【０００７】図５の装置では、エッチングチャンバ内
で発生した反応生成物やエッチングガスの一部成分が検
出窓の内面に次第に付着し、検出窓が曇って検出窓の光
透過性が悪くなり、エッチングの終了判定が不安定にな
る。すなわち、図６に示すように、検出窓１８のエッチ
ングチャンバ２側の面には、エッチング生成物、エッチ
ングガスの一部成分といった付着物３０が付着する。こ
れに対し、エッチングチャンバ内にＯ2ガスを導入し、
Ｏ2プラズマクリーニングを行うことにより、検出窓内
面の付着物を除去することが可能であるが、Ｏ2プラズ
マクリーニングを行うとドライエッチング装置の稼働率
が低下する。
で発生した反応生成物やエッチングガスの一部成分が検
出窓の内面に次第に付着し、検出窓が曇って検出窓の光
透過性が悪くなり、エッチングの終了判定が不安定にな
る。すなわち、図６に示すように、検出窓１８のエッチ
ングチャンバ２側の面には、エッチング生成物、エッチ
ングガスの一部成分といった付着物３０が付着する。こ
れに対し、エッチングチャンバ内にＯ2ガスを導入し、
Ｏ2プラズマクリーニングを行うことにより、検出窓内
面の付着物を除去することが可能であるが、Ｏ2プラズ
マクリーニングを行うとドライエッチング装置の稼働率
が低下する。
【０００８】図５の装置では、検出窓の内面がエッチ
ングガスのプラズマにさらされるので、検出窓の内面が
エッチングされて粗くなる。したがって、と同様に検
出窓が曇って検出窓の光透過性が悪くなり、エッチング
の終了判定が不安定になる。これを防止して終了判定を
安定させるためには、頻繁に検出窓を交換しなければな
らず、コスト及びドライエッチング装置の稼働率低下の
面で不利になる。
ングガスのプラズマにさらされるので、検出窓の内面が
エッチングされて粗くなる。したがって、と同様に検
出窓が曇って検出窓の光透過性が悪くなり、エッチング
の終了判定が不安定になる。これを防止して終了判定を
安定させるためには、頻繁に検出窓を交換しなければな
らず、コスト及びドライエッチング装置の稼働率低下の
面で不利になる。
【０００９】本発明は、上記問題点を改善するためにな
されたもので、検出窓内面への反応生成物やエッチング
ガスの付着及びプラズマによる検出窓内面のエッチング
を可及的に抑制し、長期間にわたってエッチングの終了
を安定に判定することが可能なドライエッチング装置を
提供することを目的とする。
されたもので、検出窓内面への反応生成物やエッチング
ガスの付着及びプラズマによる検出窓内面のエッチング
を可及的に抑制し、長期間にわたってエッチングの終了
を安定に判定することが可能なドライエッチング装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、外面に外方に延出する中空支持部が形成さ
れ、かつ前記中空支持部の先端側に中空部を覆って光透
過性の検出窓が取り付けられたエッチングチャンバと、
前記エッチングチャンバの外部に設置された光検出器と
を備え、エッチング時におけるエッチングチャンバ内の
プラズマの発光を前記中空支持部の中空部及び検出窓を
通して前記光検出器で検出し、この検出した発光に基づ
いてエッチングの終了判定を行うことを特徴とするドラ
イエッチング装置を提供する。
成するため、外面に外方に延出する中空支持部が形成さ
れ、かつ前記中空支持部の先端側に中空部を覆って光透
過性の検出窓が取り付けられたエッチングチャンバと、
前記エッチングチャンバの外部に設置された光検出器と
を備え、エッチング時におけるエッチングチャンバ内の
プラズマの発光を前記中空支持部の中空部及び検出窓を
通して前記光検出器で検出し、この検出した発光に基づ
いてエッチングの終了判定を行うことを特徴とするドラ
イエッチング装置を提供する。
【００１１】本発明において、エッチングチャンバの外
面に形成する中空支持部の形状に限定はない。また、中
空支持部の大きさにも制限はなく、エッチングチャンバ
の大きさ等に応じて適宜決定できるが、通常内径１〜２
ｃｍ、長さ５〜１０ｃｍ程度とすることが適当である。
面に形成する中空支持部の形状に限定はない。また、中
空支持部の大きさにも制限はなく、エッチングチャンバ
の大きさ等に応じて適宜決定できるが、通常内径１〜２
ｃｍ、長さ５〜１０ｃｍ程度とすることが適当である。
【００１２】本発明では、中空支持部の冷却機構を設け
ることが望ましい。すなわち、エッチング生成物やエッ
チングガスは、エネルギーが高く活性であるため、中空
支持部の温度が低ければ低いほど効率よくその内壁に付
着し、検出窓内面への反応生成物やエッチングガスの付
着及びプラズマによる検出窓内面のエッチングが効果的
に抑制される。冷却機構の構成に限定はないが、例え
ば、冷却用フィンや冷却水が流れる水冷パイプを中空支
持部の外面に取り付けた構成とすることができる。
ることが望ましい。すなわち、エッチング生成物やエッ
チングガスは、エネルギーが高く活性であるため、中空
支持部の温度が低ければ低いほど効率よくその内壁に付
着し、検出窓内面への反応生成物やエッチングガスの付
着及びプラズマによる検出窓内面のエッチングが効果的
に抑制される。冷却機構の構成に限定はないが、例え
ば、冷却用フィンや冷却水が流れる水冷パイプを中空支
持部の外面に取り付けた構成とすることができる。
【００１３】検出窓は、エッチングチャンバ内のプラズ
マの発光が透過するものであればどのような材質であっ
てもよい。具体的には、石英ガラスからなるものを好適
に用いることができる。
マの発光が透過するものであればどのような材質であっ
てもよい。具体的には、石英ガラスからなるものを好適
に用いることができる。
【００１４】本発明のエッチング装置であっても、長期
間使用した場合には、どうしても検出窓内面に反応生成
物やエッチングガスが付着し、発光の透過率が悪くな
る。この付着成分は、前述したように、エッチングガス
としてＯ2を流し、Ｏ2プラズマクリーニングを行うこと
により除去することができる。しかし、本発明の構造で
は、Ｏ2プラズマは中空支持部内で消費され、検出窓内
面の付着物の除去効率が低下し、Ｏ2プラズマクリーニ
ングのために長時間エッチング装置を稼働できない状態
となる。そのため、本発明では、中空支持部の検出窓取
付位置近傍にＯ2プラズマクリーニング時に用いる排気
路を設けることが望ましい。これにより、Ｏ2プラズマ
を強制的に検出窓の近傍に引き寄せて検出窓内面の付着
物を効率的に除去することが可能となり、Ｏ2プラズマ
クリーニングを短時間に終了してエッチング装置の稼働
時間を延ばすことが可能となる。
間使用した場合には、どうしても検出窓内面に反応生成
物やエッチングガスが付着し、発光の透過率が悪くな
る。この付着成分は、前述したように、エッチングガス
としてＯ2を流し、Ｏ2プラズマクリーニングを行うこと
により除去することができる。しかし、本発明の構造で
は、Ｏ2プラズマは中空支持部内で消費され、検出窓内
面の付着物の除去効率が低下し、Ｏ2プラズマクリーニ
ングのために長時間エッチング装置を稼働できない状態
となる。そのため、本発明では、中空支持部の検出窓取
付位置近傍にＯ2プラズマクリーニング時に用いる排気
路を設けることが望ましい。これにより、Ｏ2プラズマ
を強制的に検出窓の近傍に引き寄せて検出窓内面の付着
物を効率的に除去することが可能となり、Ｏ2プラズマ
クリーニングを短時間に終了してエッチング装置の稼働
時間を延ばすことが可能となる。
【００１５】本発明は、プラズマを用いてエッチングを
行う全てのドライエッチング装置に適用可能である。こ
のようなドライエッチング装置としては、例えばプラズ
マエッチング装置、反応性イオンエッチング装置等が挙
げられる。
行う全てのドライエッチング装置に適用可能である。こ
のようなドライエッチング装置としては、例えばプラズ
マエッチング装置、反応性イオンエッチング装置等が挙
げられる。
【００１６】
【作用】本発明のドライエッチング装置では、発光透過
用の検出窓を中空支持部を介してチャンバ内のプラズマ
領域から隔離して設置する。プラズマ中で発生したエッ
チング生成物やエッチングガスは、エネルギーが高く活
性であるため、本発明の構造では、これらは検出窓へ到
達する前に温度の低い中空支持部の内壁へ付着して消費
される。そのため、エッチング生成物やエッチングガス
が検出窓の内面に付着しにくくなるとともに、プラズマ
による検出窓内面のエッチングが生じにくくなる。この
効果によって検出窓が曇りにくくなり、検出窓の光透過
性が低下しにくくなるので、エッチングチャンバ内のプ
ラズマの発光を安定して取り出せる期間が長くなり、エ
ッチングの終了判定を長期間にわたって再現性よく安定
して行うことが可能となる。
用の検出窓を中空支持部を介してチャンバ内のプラズマ
領域から隔離して設置する。プラズマ中で発生したエッ
チング生成物やエッチングガスは、エネルギーが高く活
性であるため、本発明の構造では、これらは検出窓へ到
達する前に温度の低い中空支持部の内壁へ付着して消費
される。そのため、エッチング生成物やエッチングガス
が検出窓の内面に付着しにくくなるとともに、プラズマ
による検出窓内面のエッチングが生じにくくなる。この
効果によって検出窓が曇りにくくなり、検出窓の光透過
性が低下しにくくなるので、エッチングチャンバ内のプ
ラズマの発光を安定して取り出せる期間が長くなり、エ
ッチングの終了判定を長期間にわたって再現性よく安定
して行うことが可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００１８】第１実施例 図１は、第１実施例のドライエッチング装置を示す概略
構成図である。本装置において、エッチングチャンバ３
０は、四角容器状のチャンバ本体３２の側壁部外面に外
方に延出する円筒状の中空支持部３４が一体に形成さ
れ、この中空支持部３４の先端にその中空部を覆って石
英ガラスからなる光透過性の検出窓１８が固定部材２０
によって固定された構成とされている。そして、上記検
出窓１８に光ファイバ２２が接続され、この光ファイバ
２２が光検出器２４に連結されており、エッチング時に
おけるエッチングチャンバ３０内のプラズマの発光を中
空支持部３４の中空部、検出窓１８及び光ファイバ２２
を通して光検出器２４で検出し、この光検出器２４で検
出した発光に基づいてエッチングの終了判定を行うよう
になっている。本装置の他の部分は図５の装置と同様で
あるため、図１において図５の装置と同一構成の部分に
は同一参照符号を付してその説明を省略する。また、エ
ッチング時の操作方法も図５の装置と同様であるため説
明を省略する。
構成図である。本装置において、エッチングチャンバ３
０は、四角容器状のチャンバ本体３２の側壁部外面に外
方に延出する円筒状の中空支持部３４が一体に形成さ
れ、この中空支持部３４の先端にその中空部を覆って石
英ガラスからなる光透過性の検出窓１８が固定部材２０
によって固定された構成とされている。そして、上記検
出窓１８に光ファイバ２２が接続され、この光ファイバ
２２が光検出器２４に連結されており、エッチング時に
おけるエッチングチャンバ３０内のプラズマの発光を中
空支持部３４の中空部、検出窓１８及び光ファイバ２２
を通して光検出器２４で検出し、この光検出器２４で検
出した発光に基づいてエッチングの終了判定を行うよう
になっている。本装置の他の部分は図５の装置と同様で
あるため、図１において図５の装置と同一構成の部分に
は同一参照符号を付してその説明を省略する。また、エ
ッチング時の操作方法も図５の装置と同様であるため説
明を省略する。
【００１９】本実施例の装置は、検出窓１８内面への反
応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる検
出窓１８内面のエッチングが抑制され、エッチングの終
了判定を長期間にわたって安定に行うことができるもの
で、チャンバ内のＯ2プラズマクリーニング及び検出窓
の交換の頻度を低減させることができるものであった。
応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる検
出窓１８内面のエッチングが抑制され、エッチングの終
了判定を長期間にわたって安定に行うことができるもの
で、チャンバ内のＯ2プラズマクリーニング及び検出窓
の交換の頻度を低減させることができるものであった。
【００２０】第２実施例 図２は、第２実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却用フィン３６を取り付
けたもので、これにより中空支持部３０の温度を低く保
つようにしたものである。
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却用フィン３６を取り付
けたもので、これにより中空支持部３０の温度を低く保
つようにしたものである。
【００２１】第３実施例 図３は、第３実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却水が流れる水冷パイプ
３８を取り付けたもので、これにより中空支持部３４の
温度を低く保つようにしたものである。
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の外面に冷却水が流れる水冷パイプ
３８を取り付けたもので、これにより中空支持部３４の
温度を低く保つようにしたものである。
【００２２】第２実施例及び第３実施例の装置は、エッ
チング生成物やエッチングガスを効率よく中空支持部３
４の内壁に付着させることができ、検出窓１８内面への
反応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる
検出窓１８内面のエッチングをより効果的に抑制できる
ものであった。
チング生成物やエッチングガスを効率よく中空支持部３
４の内壁に付着させることができ、検出窓１８内面への
反応生成物やエッチングガスの付着及びプラズマによる
検出窓１８内面のエッチングをより効果的に抑制できる
ものであった。
【００２３】第４実施例 図４は、第４実施例のドライエッチング装置の中空支持
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の先端側、すなわち検出窓１８の近
傍に、Ｏ2プラズマクリーニング時に用いる排気路４０
を設けたものである。この排気路４０は、通常の半導体
材料のエッチング中にはバルブ４２により閉としてある
が、Ｏ2プラズマクリーニング時にはバルブ４２により
開となり、強制的にＯ2プラズマを検出窓１８の近傍に
引き寄せて排気する。本装置は、Ｏ2プラズマクリーニ
ングによって検出窓１８内面の付着物を効率的に除去す
ることができ、Ｏ2プラズマクリーニングを短時間に終
了してエッチング装置の稼働時間を延ばすことができる
ものであった。
部を示す断面図である。本装置は、図１の装置におい
て、中空支持部３４の先端側、すなわち検出窓１８の近
傍に、Ｏ2プラズマクリーニング時に用いる排気路４０
を設けたものである。この排気路４０は、通常の半導体
材料のエッチング中にはバルブ４２により閉としてある
が、Ｏ2プラズマクリーニング時にはバルブ４２により
開となり、強制的にＯ2プラズマを検出窓１８の近傍に
引き寄せて排気する。本装置は、Ｏ2プラズマクリーニ
ングによって検出窓１８内面の付着物を効率的に除去す
ることができ、Ｏ2プラズマクリーニングを短時間に終
了してエッチング装置の稼働時間を延ばすことができる
ものであった。
【００２４】なお、上記実施例では、チャンバ本体３２
と中空支持部３４とを一体に形成したが、別体としても
よい。また、その他の構成についても本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変更して差し支えない。
と中空支持部３４とを一体に形成したが、別体としても
よい。また、その他の構成についても本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変更して差し支えない。
【００２５】
【発明の効果】本発明のドライエッチング装置は、検出
窓内面への反応生成物やエッチングガスの付着及びプラ
ズマによる検出窓内面のエッチングを抑制し、長期間に
わたってエッチングの終了を安定に判定することができ
る。したがって、本発明のドライエッチング装置によれ
ば、エッチングの終了の誤検出による異常エッチングを
防止することができ、またＯ2プラズマクリーニングや
検出窓交換の頻度を低減してエッチング装置の稼働率を
上げることができる。
窓内面への反応生成物やエッチングガスの付着及びプラ
ズマによる検出窓内面のエッチングを抑制し、長期間に
わたってエッチングの終了を安定に判定することができ
る。したがって、本発明のドライエッチング装置によれ
ば、エッチングの終了の誤検出による異常エッチングを
防止することができ、またＯ2プラズマクリーニングや
検出窓交換の頻度を低減してエッチング装置の稼働率を
上げることができる。
【図１】図１は、第１実施例のドライエッチング装置を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図２】図２は、第２実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。
中空支持部を示す断面図である。
【図３】図３は、第３実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。
中空支持部を示す断面図である。
【図４】図４は、第４実施例のドライエッチング装置の
中空支持部を示す断面図である。
中空支持部を示す断面図である。
【図５】図５は、エッチングの終了判定機能を有する従
来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図であ
る。
来のドライエッチング装置の一例を示す概略構成図であ
る。
【図６】図６は、図５の装置の検出窓を示す拡大断面図
である。
である。
１８ 検出窓 ２４ 光検出器 ３０ エッチングチャンバ ３４ 中空支持部 ３６ 冷却用フィン ３８ 水冷パイプ ４０ Ｏ2プラズマクリーニング時の排気路
Claims (3)
- 【請求項１】 外面に外方に延出する中空支持部が形成
され、かつ前記中空支持部の先端側に中空部を覆って光
透過性の検出窓が取り付けられたエッチングチャンバ
と、前記エッチングチャンバの外部に設置された光検出
器とを備え、エッチング時におけるエッチングチャンバ
内のプラズマの発光を前記中空支持部の中空部及び検出
窓を通して前記光検出器で検出し、この検出した発光に
基づいてエッチングの終了判定を行うことを特徴とする
ドライエッチング装置。 - 【請求項２】 中空支持部の冷却機構を設けた請求項１
記載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 中空支持部の検出窓取付位置近傍にエッ
チングチャンバ内のＯ2プラズマクリーニング時に用い
る排気路を設けた請求項１又は２記載のドライエッチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819194A JPH08111403A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819194A JPH08111403A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111403A true JPH08111403A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17455190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26819194A Pending JPH08111403A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08111403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199476A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| US6503364B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP26819194A patent/JPH08111403A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199476A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| US6503364B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
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