JPH0810693A - レジスト膜の乾燥方法及び装置 - Google Patents

レジスト膜の乾燥方法及び装置

Info

Publication number
JPH0810693A
JPH0810693A JP6173313A JP17331394A JPH0810693A JP H0810693 A JPH0810693 A JP H0810693A JP 6173313 A JP6173313 A JP 6173313A JP 17331394 A JP17331394 A JP 17331394A JP H0810693 A JPH0810693 A JP H0810693A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drying
temperature
resist film
atmosphere
furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6173313A
Other languages
English (en)
Inventor
Takefumi Kandori
武文 神鳥
Seiichiro Sato
誠一郎 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP6173313A priority Critical patent/JPH0810693A/ja
Priority to KR1019950006789A priority patent/KR0150291B1/ko
Publication of JPH0810693A publication Critical patent/JPH0810693A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レジスト膜の膜厚に影響されること無く、容
易に乾燥位置を見出すことができて、乾燥炉内の所望の
位置においてレジスト膜を所定の乾燥状態にすることが
可能なレジスト膜の乾燥方法及び装置を提供することに
ある。 【構成】 レジスト膜が塗布された帯状の素材７をその
長手方向に搬送しつつ乾燥炉１内を通過させて乾燥させ
るレジスト膜の乾燥装置において、乾燥炉１内における
素材７の搬送方向について互いに異なる複数の位置にお
ける素材の温度をそれぞれ測定する素材温度測定手段３
と、素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内の
雰囲気の温度をそれぞれ測定する雰囲気温度測定手段４
と、前記各位置における素材の温度と雰囲気の温度とが
互いに等しい位置から、乾燥炉内の所望の位置において
レジスト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥炉内の乾
燥条件を調節する乾燥条件調節手段２とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯状の素材に塗布され
たレジスト膜の乾燥方法及び装置に関し、特にカラーブ
ラウン管に用いられるシャドウマスクや半導体素子に用
いられるリードフレーム等の製造工程における、帯状の
素材に塗布されたレジスト膜を乾燥させる乾燥方法及び
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、カラーブラウン管に用いられて
いるシャドウマスクや半導体素子に用いられるリードフ
レームは、フォトエッチング法によって製造されてい
る。この方法は、帯状の素材にレジスト膜を塗布する塗
布工程と、塗布されたレジスト膜に所定のパターンを焼
き付ける露光工程と、露光工程で未露光となったレジス
ト膜を現像液にて溶解除去する現像工程と、現像工程後
の残存したレジスト膜を高温処理しレジスト膜を乾燥さ
せて強化させるバーニング工程と、残存したレジスト膜
をマスクパターンとして帯状の素材を蝕刻するエッチン
グ工程とからなっている。上述のバーニング工程におい
て、レジスト膜の乾燥を適切に行うことは、その後のエ
ッチング工程において帯状の素材を所望のパターンに蝕
刻するために重要なことであり、最終製品の品質にも大
きく影響する。
【０００３】従来は、特開平３−２５６０４９号公報に
開示されているように、レジスト膜が塗布された帯状の
素材をその長手方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させ、
素材の搬送方向について互いに異なる複数の位置でレジ
スト膜に含有される水分量を測定し、各位置において測
定された水分量に基づいて、乾燥炉内の所望の位置にお
いてレジスト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥炉内
の乾燥条件を設定するレジスト膜の乾燥方法及び装置が
知られている。
【０００４】上述の公報に開示されている乾燥炉は、乾
燥炉内の雰囲気温度を所定の値に設定することが可能で
ある７個のチャンバーが素材の搬送方向に並べられるこ
とにより構成されている。各チャンバーは、搬送方向の
上流側から第１〜第７チャンバーと称されている。ま
た、レジスト膜に含有された水分量は、それぞれのチャ
ンバーと乾燥炉の入口と乾燥炉の出口との９つの測定位
置で測定される。この水分量の測定に用いられる水分計
の一例として、水の吸収波長の光と水の非吸収波長の光
とを同時にレジスト膜に当て、その膜を通って反射して
きたこれらの光の強さの比である吸光度を求める方式の
水分計が開示されている。
【０００５】さらに、上述の公報には、レジスト膜が所
定の乾燥状態となる乾燥炉内の位置である乾燥位置を求
める方法として、以下に説明するような方法が開示され
ている。吸光度を測定した測定位置を横軸にとり、吸光
度を縦軸にとり、それぞれの測定位置における吸光度を
表すグラフを求める。図４は前記グラフの一例であり、
このグラフの場合、第４から第６チャンバーの各測定値
を結んで外挿した曲線と第７チャンバーと出口の測定値
を結んで外挿した曲線との交点から乾燥位置を求める。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
乾燥位置を求める方法によると以下に説明するような問
題が発生する。塗布されたレジスト膜に含有される水分
量はレジスト膜の膜厚に依存し、膜厚が厚い場合は水分
量は多く、逆に薄い場合は少なくなるので、乾燥位置を
求めるためには、図４に示すグラフを膜厚が変化する毎
に求めなければならない。したがって、乾燥位置を求め
ることが非常に面倒である。
【０００７】上述のような点に鑑み、本発明の目的は、
レジスト膜の膜厚に影響されること無く、容易に乾燥位
置を見出すことができて、乾燥炉内の所望の位置におい
てレジスト膜を所定の乾燥状態にすることが可能なレジ
スト膜の乾燥方法及び装置を提供することにある。
【０００８】また、本発明の別の目的は、レジスト膜の
膜厚に影響されること無く、容易に乾燥位置を見出すこ
とが可能なレジスト膜の乾燥装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のレジスト
膜の乾燥方法は、レジスト膜が塗布された帯状の素材を
その長手方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥さ
せるレジスト膜の乾燥方法において、乾燥炉内における
素材の搬送方向について互いに異なる複数の位置におけ
る素材の温度をそれぞれ測定する工程と、素材の温度が
測定された各位置における乾燥炉内の雰囲気の温度をそ
れぞれ測定する工程と、前記各位置における素材の温度
と雰囲気の温度とが互いに等しくなる位置から、乾燥炉
内の所望の位置においてレジスト膜が所定の乾燥状態に
なるように乾燥炉内の乾燥条件を設定する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００１０】請求項２記載のレジスト膜の乾燥装置は、
レジスト膜が塗布された帯状の素材をその長手方向に搬
送しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥させるレジスト膜の
乾燥装置において、乾燥炉内における素材の搬送方向に
ついて互いに異なる複数の位置における素材の温度をそ
れぞれ測定する素材温度測定手段と、素材の温度が測定
された各位置における乾燥炉内の雰囲気の温度をそれぞ
れ測定する雰囲気温度測定手段と、前記各位置における
素材の温度と雰囲気の温度とが互いに等しくなる位置か
ら、乾燥炉内の所望の位置においてレジスト膜が所定の
乾燥状態になるように乾燥炉内の乾燥条件を設定する乾
燥条件設定手段とを有することを特徴とする。
【００１１】請求項３記載のレジスト膜の乾燥装置は、
乾燥条件設定手段が前記各位置の素材の温度と雰囲気の
温度とからレジスト膜が所定の乾燥状態になる乾燥炉内
の位置である乾燥位置を求める乾燥位置検出手段と、乾
燥炉内の所望の位置と乾燥位置とのズレ量を求めるズレ
量検出手段と、ズレ量に応じて所望の位置に乾燥位置が
位置するように乾燥炉内の乾燥条件を調節する乾燥条件
調節手段とからなることを特徴とする。
【００１２】請求項４記載のレジスト膜の乾燥装置は、
請求項２もしくは請求項３記載のレジスト膜の乾燥装置
において、素材温度測定手段として放射温度計を用いる
ことを特徴とする。
【００１３】請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置は、
レジストが塗布された帯状の素材をその長手方向に搬送
しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥させるレジスト膜の乾
燥装置において、乾燥炉内における素材の搬送方向につ
いて互いに異なる複数の位置における素材の温度をそれ
ぞれ測定する素材温度測定手段と、素材の温度が測定さ
れた各位置における乾燥炉内の雰囲気の温度をそれぞれ
測定する雰囲気温度測定手段と、前記各位置における素
材の温度と雰囲気の温度とから、各位置におけるレジス
ト膜の乾燥状態を表示する表示手段とを有することを特
徴とする。
【００１４】請求項６記載のレジスト膜の乾燥装置は、
表示手段が前記各位置における素材の温度と雰囲気の温
度とをそれぞれ表示することを特徴とする。
【００１５】請求項７記載のレジスト膜の乾燥装置は、
表示手段が前記各位置における素材の温度と雰囲気の温
度との温度差をそれぞれ表示することを特徴とする。
【００１６】請求項８記載のレジスト膜の乾燥装置は、
表示手段が前記各位置における素材の温度と雰囲気の温
度との温度差の有無をそれぞれ表示することを特徴とす
る。
【００１７】
【作用】請求項１記載のレジスト膜の乾燥方法の作用を
以下に説明する。レジスト膜が塗布された帯状の素材
は、その長手方向に搬送されつつ乾燥炉内を通過する。
素材の温度は、乾燥炉内における素材の搬送方向につい
て互いに異なる複数の位置において測定される。乾燥炉
内の雰囲気の温度は、素材の温度が測定された前記各位
置においてそれぞれ測定される。乾燥炉内の乾燥条件
は、前記各位置における素材の温度と雰囲気の温度とが
互いに等しい位置から、乾燥炉内の所望の位置において
レジスト膜が所定の乾燥状態になるように設定される。
【００１８】請求項２記載のレジスト膜の乾燥装置の作
用を以下に説明する。レジスト膜が塗布された帯状の素
材は、その長手方向に搬送されつつ乾燥炉内を通過す
る。素材の温度は、乾燥炉内における素材の搬送方向に
ついて互いに異なる複数の位置において素材温度測定手
段により測定される。乾燥炉内の雰囲気の温度は、素材
の温度が測定された各位置において雰囲気温度測定手段
によりそれぞれ測定される。乾燥炉内の乾燥条件は、前
記各位置における素材の温度と雰囲気の温度とが互いに
等しい位置から、乾燥炉内の所望の位置においてレジス
ト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥条件設定手段に
より自動的に設定される。
【００１９】請求項３記載のレジスト膜の乾燥装置の作
用を以下に説明する。レジスト膜が所定の乾燥状態にな
る乾燥炉内の位置である乾燥位置は、前記各位置の素材
の温度と雰囲気の温度とが互いに等しい位置から乾燥位
置検出手段により検出される。所望の位置と乾燥位置と
のズレ量は、ズレ量検出手段により検出される。乾燥炉
内の乾燥条件は、ズレ量に応じて乾燥条件調節手段によ
り調節される。
【００２０】請求項４記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、素材の温度は、素材に接触することなく放射温度
計により測定される。
【００２１】請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置は、
レジスト膜が塗布された帯状の素材は、その長手方向に
搬送されつつ乾燥炉内を通過する。素材の温度は、乾燥
炉内における素材の搬送方向について互いに異なる複数
の位置において素材温度測定手段により測定される。乾
燥炉内の雰囲気の温度は、素材の温度が測定された各位
置において雰囲気温度測定手段によりそれぞれ測定され
る。前記各位置におけるレジスト膜の乾燥状態は、表示
手段により表示される。
【００２２】請求項６記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、レジスト膜の乾燥状態として、乾燥炉内の前記各
位置における素材の温度と雰囲気の温度とがそれぞれ表
示手段により表示される。
【００２３】請求項７記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、レジスト膜の乾燥状態として、乾燥炉内の前記各
位置における素材の温度と雰囲気の温度との温度差がそ
れぞれ表示手段により表示される。
【００２４】請求項８記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、レジスト膜の乾燥状態として、乾燥炉内の前記各
位置における素材の温度と雰囲気の温度との温度差の有
無がそれぞれ表示手段により表示される。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を説明する。図１
は、本発明の一実施例の装置の要部を示す模式図であ
る。
【００２６】図１において、素材（７）は、ニッケルを
３６％含有するインバー型合金や低炭素アルミキルド鋼
等の長尺帯状でかつ板厚が０．０５〜０．３ｍｍのシャ
ドウマスク素材である。乾燥炉（１）は、素材（７）の
搬送方向に並べられた第１チャンバー（２１）から第１
０チャンバー（３０）の１０個のチャンバーより構成さ
れている。搬送ローラ（１２ａ）、（１２ｂ）は、素材
（７）をレジスト槽（１０）に導き、レジスト槽（１
０）に貯留されたレジスト（１１）に浸漬された素材
（７）を引き上げて、乾燥炉（１）内を通過させる。段
付きローラ（１３）は、素材（７）の蛇行防止のための
段差が素材（７）の幅に応じて設けられていて、素材
（７）をレジスト槽（１０）の内部へ正確に導くもので
ある。レジスト槽（１０）は、カゼインと重クロム酸塩
よりなる水溶性のレジスト（１１）を貯留している。放
射温度計（３ａ）〜（３ｊ）は、それぞれのチャンバー
（２１）〜（３０）において、素材（７）に塗布された
レジスト膜（図示せず）の温度を測定する素材温度測定
手段（３）を構成する。熱電対（４ａ）〜（４ｊ）は、
それぞれのチャンバー（２１）〜（３０）において、乾
燥炉（１）内の雰囲気の温度を測定する雰囲気温度測定
手段（４）を構成する。
【００２７】素材温度測定手段（３）として、放射温度
計（３ａ）〜（３ｊ）以外に熱電対やサーミスタ等を用
いた温度計が考えられるが、素材に接触させることなく
素材の温度が測定できる放射温度計が好ましい。また、
図１に示すように放射温度計（３ａ）〜（３ｊ）を乾燥
炉（１）の内部に設けるのではなく、乾燥炉（１）に窓
を設けて、その窓を介して素材の温度を測定するように
放射温度計（３ａ）〜（３ｊ）を乾燥炉（１）の外部に
配置してもよい。
【００２８】乾燥条件設定手段（９）は、各チャンバー
（２１）〜（３０）における素材の温度と雰囲気の温度
とが互いに等しくなる位置から、乾燥炉（１）内の所望
の位置においてレジスト膜が所定の乾燥状態になるよう
に乾燥炉内の乾燥条件を設定するものである。また乾燥
条件設定手段（９）は、乾燥位置検出手段（５）とズレ
量検出手段（６）と乾燥条件調節手段（２）とにより構
成されている。
【００２９】乾燥位置検出手段（５）は、乾燥炉（１）
内において、雰囲気の温度と素材の温度とが互いに等し
い乾燥炉（１）内の位置、つまりレジスト膜が所定の乾
燥状態となる位置である乾燥位置を検出するものであ
る。また、乾燥位置検出手段（５）は、Ａ／Ｄ変換器
（５２）とＣＰＵ（５３）とから構成されている。Ａ／
Ｄ変換器（５２Ａ）〜（５２Ｊ）は、放射温度計（３
ａ）〜（３ｊ）から出力されるアナログの電気信号をデ
ジタルの電気信号にそれぞれ変換する。Ａ／Ｄ変換器
（５２ａ）〜（５２ｊ）は、熱電対（４ａ）〜（４ｊ）
から出力されるアナログの電気信号をデジタルの電気信
号にそれぞれ変換する。ＣＰＵ（５３）は、デジタルの
電気信号に変換された各チャンバー（２１）〜（３０）
におけるそれぞれの素材の温度と雰囲気の温度との温度
差を算出する。さらにＣＰＵ（５３）は、温度差より乾
燥位置を検出する。
【００３０】ズレ量検出手段（６）は、所望の乾燥位置
である設定乾燥位置を記憶し、設定乾燥位置と乾燥位置
とのズレ量を検出するものである。またズレ量検出手段
（６）は、メモリ（５４）と比較器（５５）とから構成
されている。メモリ（５４）は、設定乾燥位置を記憶す
る。比較器（５５）は、設定乾燥位置と乾燥位置とのズ
レ量を求める。
【００３１】乾燥条件調節手段（２）は、ズレ量に応じ
て所望の位置に乾燥位置が位置するように乾燥炉内の乾
燥条件を調節するものである。また、乾燥条件調節手段
（２）は、ファン（５０ａ）〜（５０ｊ）と制御ユニッ
ト（５１ａ）〜（５１ｊ）とから構成されている。ファ
ン（５０ａ）〜（５０ｊ）は、それぞれのチャンバー
（２１）〜（３０）に熱風を送り込むものである。制御
ユニット（５１ａ）〜（５１ｊ）は、レジスト膜の乾燥
状態に応じて、ファン（５０ａ）〜（５０ｊ）を制御す
ることにより各チャンバー（２１）〜（３０）内の雰囲
気の温度を調整する。
【００３２】尚、図１のファン（５０ａ）〜（５０ｊ）
に代えて、それぞれのチャンバー（２１）〜（３０）に
赤外線ランプ（図示せず）を設けて、その赤外線ランプ
の出力をレジスト膜の乾燥状態に応じて調節してもよ
い。また乾燥位置検出手段（５）は、検出した乾燥位置
の内、最も上流側の乾燥位置をズレ量検出手段に伝達す
る。ズレ量検出手段（６）は、その内部のメモリ（５
４）に記憶されている設定乾燥位置と乾燥位置検出手段
（５）から伝達される最も上流側の乾燥位置とのズレ量
を比較器（５５）により演算する。この演算結果は乾燥
条件調整手段（２）が有する制御ユニット（５１ａ）〜
（５１ｊ）に伝達される。制御ユニット（５１ａ）〜
（５１ｊ）は、設定乾燥位置が乾燥位置になるようにフ
ァン（５０ａ）〜（５０ｊ）の回転数を制御して、各チ
ャンバー（２１）〜（３０）に送り込まれる熱風の風量
を調整する。
【００３３】次に上述の実施例の動作を以下に説明す
る。
【００３４】放射温度計（３ａ）〜（３ｊ）と熱電対
（４ａ）〜（４ｊ）は、それぞれ素材の温度と雰囲気の
温度との測定値をアナログの電気信号として乾燥位置検
出手段（５）に出力する。乾燥位置検出手段（５）が有
するＡ／Ｄ変換器（５２）は、放射温度計（３ａ）〜
（３ｊ）と熱電対（４ａ）〜（４ｊ）とから出力された
アナログの電気信号を受け取り、デジタルの電気信号に
変換する。乾燥位置検出手段（５）が有するＣＰＵ（５
３）は、デジタルの電気信号に変換された各チャンバー
（２１）〜（３０）におけるそれぞれの素材の温度と雰
囲気の温度との温度差を算出する。温度差を計算する代
わりに素材の温度と雰囲気の温度との温度比を算出して
もよい。表１は、本実施例において測定された素材の温
度と雰囲気の温度と算出された両者の温度差との一例を
示すものである。但し、表１に示す素材の温度は、放射
温度計で測定したレジスト膜の温度の測定値（表示値）
にレジスト膜の放射率を乗じた値である。
【００３５】
【表１】
【００３６】また、乾燥位置検出手段（５）が有するＣ
ＰＵ（５３）は、レジスト膜が所定の乾燥状態となった
位置である乾燥位置を検出する。表１の場合について素
材の温度と雰囲気の温度との温度差が無い位置、つまり
素材の温度と雰囲気の温度とが互いに等しい位置は、第
９，１０チャンバー（２９）（３０）であり、この両チ
ャンバー（２９）（３０）においてレジスト膜は所定の
乾燥状態にある。また第８チャンバー（２８）では、素
材の温度と雰囲気の温度とに温度差が有るのでレジスト
膜は所定の乾燥状態でない。したがって、乾燥位置は、
レジスト膜が所定の乾燥状態となる最も上流側のチャン
バーである第９チャンバー（２９）にあると見い出すこ
とができる。
【００３７】次に、乾燥位置検出手段（５）及びズレ量
検出手段（６）の動作について、図２のフローチャート
に基づいて説明する。このフローチャートにおいて、
「ｎ」は、各チャンバーの番号を示し、「Ｘ」は、設定
乾燥位置のあるチャンバーの番号を示す。また、図２に
示される動作は、装置の稼動中常に行われるものであ
る。
【００３８】図２のステップＳ１において、乾燥位置検
出手段（５）は、ｎを最も上流のチャンバーの番号であ
る「１」に初期設定する。ステップＳ２において、乾燥
位置検出手段（５）が有するＣＰＵ（５３）は、第ｎチ
ャンバー内の雰囲気の温度（Ｔn）から第ｎチャンバー
における素材の温度（Ｒn）を減じた温度差（ｄn）を算
出する。次にステップＳ３において、ＣＰＵ（５３）
は、求めた温度差（ｄn）が正であるか否かを判断す
る。温度差（ｄn）が正の場合は、第ｎチャンバーにお
いてレジストは所定の乾燥状態にないとＣＰＵ（５３）
が判断する。この場合には、ステップＳ７に進む。ステ
ップＳ７において、ＣＰＵ（５３）は、ｎに「１」を加
える、すなわちチャンバーの番号を一つ下流側に進め
る。ステップＳ８において、ＣＰＵ（５３）は、ｎが
「１１」より小さいか否か判断する。ｎが「１１」より
小さい場合は、ステップＳ２に戻る。上述のようにステ
ップＳ３において、第ｎチャンバーにおける温度差（ｄ
n）が正の場合は、上述のステップを繰り返す。但し、
ステップＳ８において、ｎが「１１」となった場合は、
乾燥位置が第１チャンバー（２１）から第１０チャンバ
ー（３０）までの間に存在しないとＣＰＵ（５３）が判
断する。この場合には、各チャンバー（２１）〜（３
０）内の雰囲気の温度の設定が大きく誤っている等の問
題が装置に発生している。この時、ＣＰＵ（５３）は装
置の異常を知らせるための「エラー」を発する。また、
ステップＳ３において、第ｎチャンバーの温度差（ｄ
n）が正でない場合には、第ｎチャンバーにおいて、レ
ジスト膜が所定の乾燥状態となっている。したがって、
ＣＰＵ（５３）は、レジスト膜が所定の乾燥状態となる
最も上流側の乾燥位置が第ｎチャンバーにあると判断す
る。そして、ＣＰＵ（５３）は最も上流側の乾燥位置が
あるチャンバーの番号「ｎ」をズレ量検出手段（６）が
有する比較器（５５）に伝達する。次にステップＳ４に
おいて、比較器（５５）は、メモリ（５４）が記憶して
いる設定乾燥位置があるチャンバーの番号「Ｘ」からＣ
ＰＵ（５３）によって求められた乾燥位置があるチャン
バーの番号「ｎ」を減じてズレ量「Ｄ」を算出する。次
にステップＳ５において、比較器（５５）はズレ量
「Ｄ」がゼロであるか否かを判断する。ズレ量「Ｄ」が
ゼロである場合は、乾燥位置が設定乾燥位置に位置して
いると比較器（５５）が判断する。この場合には、ステ
ップＳ１に戻り、上述のステップを繰り返す。また、ズ
レ量「Ｄ」がゼロでない場合は、比較器（５５）は乾燥
位置「ｎ」が設定乾燥位置「Ｘ」からズレ量「Ｄ」だけ
ずれていると判断する。そして、比較器（５５）はズレ
量「Ｄ」を乾燥条件調整手段（２）が有する制御ユニッ
ト（５１ａ）〜（５１ｊ）に伝達する。次にステップＳ
６において、制御ユニット（５１ａ）〜（５１ｊ）は、
比較器（５５）から伝達されたズレ量「Ｄ」に応じて、
ファン（５０ａ）〜（５０ｊ）の回転数を制御すること
により、各チャンバー（２１）〜（３０）に送り込まれ
る熱風の風量を自動的に調整する。そして、ステップＳ
１に戻り、上述のステップを繰り返す。
【００３９】レジストに含有された水分量の測定値によ
り図４に示すようなグラフを作成して、そのグラフを用
いて乾燥位置を求める従来のレジスト膜の乾燥方法及び
装置によると、多くの位置において水分量を測定しなく
てはならず、しかも図４に示す第７チャンバーの水分量
と出口の水分量とが等しいように水分量が変化しない２
つの位置を必ず測定しなければならない。このため乾燥
位置が図４に示す第７チャンバー以降にずれ込んだ場合
には、言い代えれば、最終の測定位置の一つ上流側の測
定位置以降に乾燥位置がずれ込んだ場合には、乾燥位置
を求められなくなってしまうという問題があった。
【００４０】しかしながら本実施例によれば、上述のよ
うに各チャンバー（２１）〜（３０）において、素材の
温度と雰囲気の温度との温度差を求めて、素材の温度と
雰囲気の温度とが互いに等しくなるチャンバーを乾燥位
置としているので、第１チャンバー（２１）から第１０
チャンバー（３０）までの間に乾燥位置がある場合は、
乾燥位置を求めることができる。したがって、最終の測
定位置の一つ上流側の測定位置に乾燥位置がずれ込んだ
場合、つまり本実施例の第９チャンバー（２９）以降に
乾燥位置がずれ込んだ場合でも、第９、１０チャンバー
（２９）、（３０）にある乾燥位置を見い出すことがで
きる。
【００４１】次に本発明の別の実施例について説明す
る。
【００４２】図３は、本発明の別の実施例の装置の要部
を示す模式図である。図３において、図１に示される符
号と同一のものは、上述の実施例で説明した機能と同じ
機能を有するのでここでは説明を省略する。
【００４３】図３において、（６０）は、素材（７）に
塗布されたレジスト膜の乾燥状態を評価する乾燥状態評
価装置である。乾燥状態評価装置（６０）は、素材温度
測定手段（３）と雰囲気温度測定手段（４）と表示手段
（８）とから構成されている。表示手段（８）は、各チ
ャンバー（２１）〜（３０）における素材の温度と雰囲
気の温度とから、各チャンバー（２１）〜（３０）にお
けるレジスト膜の乾燥状態を表示するものである。ま
た、表示手段（８）は、演算手段（１５）とＣＲＴ（１
４）とにより構成されている。演算手段（１５）は、各
チャンバー（２１）〜（３０）における素材の温度と雰
囲気の温度との温度差をそれぞれ演算する。ＣＲＴ（１
４）は、各チャンバーにおけるレジスト膜の乾燥状態を
表示する。設定手段（１６）は、ボリューム（６２ａ）
〜（６２ｊ）を操作することにより、ファン（５０ａ）
〜（５０ｊ）の回転数を調整して、乾燥炉（１）内に吹
き込まれる熱風の風量を設定するものである。
【００４４】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
【００４５】素材温度測定手段（３）は、各チャンバー
（２１）〜（３０）において素材の温度をそれぞれ測定
して、測定した素材の温度を演算手段（１５）に伝達す
る。雰囲気温度測定手段（４）は、各チャンバー内の雰
囲気の温度をそれぞれ測定して、測定した雰囲気の温度
を演算手段（１５）に伝達する。演算手段（１５）は、
各チャンバー（２１）〜（３０）における素材の温度と
雰囲気の温度との温度差をそれぞれ演算して、各チャン
バーにおける素材の温度と雰囲気の温度とこれらの温度
差とをそれぞれＣＲＴ（１４）に伝達する。ＣＲＴ（１
４）は、各チャンバー（２１）〜（３０）毎に素材の温
度と雰囲気の温度とこれら両者の温度差とをそれぞれ表
示する。また、ＣＲＴ（１４）は各チャンバー（２１）
〜（３０）毎に素材の温度と雰囲気の温度とのみをそれ
ぞれ表示してもよい。さらにＣＲＴ（１４）は各チャン
バー（２１）〜（３０）毎に素材の温度と雰囲気の温度
との温度差のみをそれぞれ表示してもよい。またさらに
ＣＲＴ（１４）は各チャンバー（２１）〜（３０）毎に
素材の温度と雰囲気の温度との温度差の有無のみをそれ
ぞれ表示してもよい。次に乾燥炉（１）内の乾燥条件を
設定する作業者は、ＣＲＴ（１４）に表示されたレジス
ト膜の乾燥状態から素材の温度と雰囲気の温度との温度
差が無い最も上流側のチャンバーの番号を確認する。そ
して、作業者は前記チャンバーの番号が所望の番号であ
るか否かを判断する。前記チャンバーの番号が所望の番
号でない場合、作業者は前記チャンバーの番号が所望の
番号になるように、設定手段（１６）が有するボリュー
ム（６２ａ）〜（６２ｊ）を操作することによりファン
（５０ａ）〜（５０ｊ）の回転数を調整して、乾燥炉
（１）内に吹き込まれる熱風の風量を設定する。
【００４６】
【発明の効果】請求項１記載のレジスト膜の乾燥方法に
よると、レジスト膜が塗布された帯状の素材をその長手
方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて、乾燥炉内にお
ける素材の搬送方向について互いに異なる複数の位置に
おける素材の温度をそれぞれ測定して、素材の温度が測
定された各位置における乾燥炉内の雰囲気の温度をそれ
ぞれ測定して、前記各位置における素材の温度と雰囲気
の温度とが互いに等しくなる位置から、乾燥炉内の所望
の位置においてレジスト膜が所定の乾燥状態になるよう
に乾燥炉内の乾燥条件を設定することが可能となる。
【００４７】請求項２記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、レジスト膜が塗布された帯状の素材をその長手方
向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて、乾燥炉内におけ
る素材の搬送方向について互いに異なる複数の位置にお
ける素材の温度を素材温度測定手段によりそれぞれ測定
して、素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内
の雰囲気の温度を雰囲気温度測定手段によりそれぞれ測
定して、前記各位置における素材の温度と雰囲気の温度
とが互いに等しくなる位置から、乾燥炉内の所望の位置
においてレジスト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥
炉内の乾燥条件を乾燥条件設定手段により設定すること
が可能となる。
【００４８】請求項３記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、前記各位置の素材の温度と雰囲気の温度とからレ
ジスト膜が所定の乾燥状態になる乾燥炉内の位置である
乾燥位置を乾燥位置検出手段により求めて、レジスト膜
が所定の乾燥状態になる乾燥炉内の所望の位置と前記乾
燥位置とのズレ量をズレ量検出手段により求めて、ズレ
量に応じて乾燥炉内の乾燥条件を乾燥条件調節手段によ
り調節することが可能となる。
【００４９】請求項４記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、前記素材温度測定手段として放射温度計が用いら
れるので、素材に接触することなく素材の温度を測定す
ることが可能となるので、素材と素材温度測定手段との
接触による発塵及びレジスト膜の傷の発生がなくなる。
【００５０】請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、レジスト膜が塗布された帯状の素材をその長手方
向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて、乾燥炉内におけ
る素材の搬送方向について互いに異なる複数の位置にお
ける素材の温度を素材温度測定手段によりそれぞれ測定
して、素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内
の雰囲気の温度を雰囲気温度測定手段によりそれぞれ測
定して、前記各位置におけるレジスト膜の乾燥状態を表
示手段により表示することが可能となる。
【００５１】請求項６記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、乾燥状態として乾燥炉内の各位置における素材の
温度と雰囲気の温度とを表示手段により表示することが
可能となる。
【００５２】請求項７記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、乾燥状態として乾燥炉内の各位置における素材の
温度と雰囲気の温度との温度差を表示手段により表示す
ることが可能となる。
【００５３】請求項８記載のレジスト膜の乾燥装置によ
ると、乾燥状態として乾燥炉内の各位置における素材の
温度と雰囲気の温度との温度差の有無を表示手段により
表示することが可能となる。
【００５４】従って、本発明のレジスト膜の乾燥方法及
び装置によると、レジスト膜の膜厚に影響されること無
く、容易に乾燥位置を見出すことが可能となる。また見
出した乾燥位置より、乾燥炉内の所望の位置においてレ
ジスト膜を所定の乾燥状態にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の装置の要部を示す模式図で
ある。
【図２】本発明の上記実施例の制御を示すフロー図であ
る。
【図３】本発明の別の実施例の装置の要部を示す模式図
である。
【図４】従来技術の各チャンバーにおける吸光度の一例
を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 乾燥炉 ２ 乾燥条件調節手段 ３ 素材温度測定手段 ４ 雰囲気温度測定手段 ５ 乾燥位置検出手段 ６ ズレ量検出手段 ７ 素材 ８ 表示手段 ９ 乾燥条件設定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レジスト膜が塗布された帯状の素材をそ
    の長手方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥させ
    るレジスト膜の乾燥方法において、 乾燥炉内における素材の搬送方向について互いに異なる
    複数の位置における素材の温度をそれぞれ測定する工程
    と、 素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内の雰囲
    気の温度をそれぞれ測定する工程と、 前記各位置における素材の温度と雰囲気の温度とが互い
    に等しくなる位置から、乾燥炉内の所望の位置において
    レジスト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥炉内の乾
    燥条件を設定する工程と、 を有することを特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
  2. 【請求項２】 レジスト膜が塗布された帯状の素材をそ
    の長手方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥させ
    るレジスト膜の乾燥装置において、 乾燥炉内における素材の搬送方向について互いに異なる
    複数の位置における素材の温度をそれぞれ測定する素材
    温度測定手段と、 素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内の雰囲
    気の温度をそれぞれ測定する雰囲気温度測定手段と、 前記各位置における素材の温度と雰囲気の温度とが互い
    に等しくなる位置から、乾燥炉内の所望の位置において
    レジスト膜が所定の乾燥状態になるように乾燥炉内の乾
    燥条件を設定する乾燥条件設定手段と、 を有することを特徴とするレジスト膜の乾燥装置。
  3. 【請求項３】 乾燥条件設定手段は、各位置の素材の温
    度と雰囲気の温度とからレジスト膜が所定の乾燥状態に
    なる位置である乾燥位置を求める乾燥位置検出手段と、 乾燥炉内の所望の位置と前記乾燥位置とのズレ量を求め
    るズレ量検出手段と、 ズレ量に応じて所望の位置に乾燥位置が位置するように
    乾燥炉内の乾燥条件を調節する乾燥条件調節手段と、か
    らなることを特徴とする請求項２記載のレジスト膜の乾
    燥装置。
  4. 【請求項４】 素材温度測定手段として放射温度計を用
    いることを特徴とする請求項２もしくは請求項３記載の
    レジスト膜の乾燥装置。
  5. 【請求項５】 レジスト膜が塗布された帯状の素材をそ
    の長手方向に搬送しつつ乾燥炉内を通過させて乾燥させ
    るレジスト膜の乾燥装置において、 乾燥炉内における素材の搬送方向について互いに異なる
    複数の位置における素材の温度をそれぞれ測定する素材
    温度測定手段と、 素材の温度が測定された各位置における乾燥炉内の雰囲
    気の温度をそれぞれ測定する雰囲気温度測定手段と、 各位置における素材の温度と雰囲気の温度とから、各位
    置におけるレジスト膜の乾燥状態を表示する表示手段
    と、 を有することを特徴とするレジスト膜の乾燥装置。
  6. 【請求項６】 表示手段は、各位置における素材の温度
    と雰囲気の温度とをそれぞれ表示することを特徴とする
    請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置。
  7. 【請求項７】 表示手段は、各位置における素材の温度
    と雰囲気の温度との温度差をそれぞれ表示することを特
    徴とする請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置。
  8. 【請求項８】 表示手段は、各位置における素材の温度
    と雰囲気の温度との温度差の有無をそれぞれ表示するこ
    とを特徴とする請求項５記載のレジスト膜の乾燥装置。
JP6173313A 1994-06-30 1994-06-30 レジスト膜の乾燥方法及び装置 Pending JPH0810693A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6173313A JPH0810693A (ja) 1994-06-30 1994-06-30 レジスト膜の乾燥方法及び装置
KR1019950006789A KR0150291B1 (ko) 1994-06-30 1995-03-28 레지스트막의 건조방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6173313A JPH0810693A (ja) 1994-06-30 1994-06-30 レジスト膜の乾燥方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0810693A true JPH0810693A (ja) 1996-01-16

Family

ID=15958135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6173313A Pending JPH0810693A (ja) 1994-06-30 1994-06-30 レジスト膜の乾燥方法及び装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0810693A (ja)
KR (1) KR0150291B1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877087A (en) * 1995-11-21 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US5900645A (en) * 1996-11-21 1999-05-04 Nec Corporation Semiconductor device and method of testing the same
US5989623A (en) * 1997-08-19 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Dual damascene metallization
US6001420A (en) * 1996-09-23 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Semi-selective chemical vapor deposition
US6066358A (en) * 1995-11-21 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Blanket-selective chemical vapor deposition using an ultra-thin nucleation layer
US6207558B1 (en) 1999-10-21 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Barrier applications for aluminum planarization
US6458684B1 (en) 1995-11-21 2002-10-01 Applied Materials, Inc. Single step process for blanket-selective CVD aluminum deposition
US6605531B1 (en) 1997-11-26 2003-08-12 Applied Materials, Inc. Hole-filling technique using CVD aluminum and PVD aluminum integration
US6726776B1 (en) 1995-11-21 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US6797620B2 (en) 2002-04-16 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved electroplating fill of an aperture

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190127501A (ko) 2018-05-04 2019-11-13 남대현 손전등의 기능을 내포한 충전형 탈부착식 스탠드

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6066358A (en) * 1995-11-21 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Blanket-selective chemical vapor deposition using an ultra-thin nucleation layer
US5877087A (en) * 1995-11-21 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US6355560B1 (en) 1995-11-21 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US6726776B1 (en) 1995-11-21 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Low temperature integrated metallization process and apparatus
US6458684B1 (en) 1995-11-21 2002-10-01 Applied Materials, Inc. Single step process for blanket-selective CVD aluminum deposition
US6001420A (en) * 1996-09-23 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Semi-selective chemical vapor deposition
US6430458B1 (en) 1996-09-23 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Semi-selective chemical vapor deposition
US5900645A (en) * 1996-11-21 1999-05-04 Nec Corporation Semiconductor device and method of testing the same
US6159756A (en) * 1996-11-21 2000-12-12 Nec Corporation Method of testing semiconductor device
US5989623A (en) * 1997-08-19 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Dual damascene metallization
US6207222B1 (en) 1997-08-19 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Dual damascene metallization
US6605531B1 (en) 1997-11-26 2003-08-12 Applied Materials, Inc. Hole-filling technique using CVD aluminum and PVD aluminum integration
US6207558B1 (en) 1999-10-21 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Barrier applications for aluminum planarization
US6368880B2 (en) * 1999-10-21 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Barrier applications for aluminum planarization
US6797620B2 (en) 2002-04-16 2004-09-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved electroplating fill of an aperture

Also Published As

Publication number Publication date
KR960001898A (ko) 1996-01-26
KR0150291B1 (ko) 1998-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0810693A (ja) レジスト膜の乾燥方法及び装置
KR100348853B1 (ko) 압력식 유량제어장치에 있어서의 막힘 검출방법 및 그검출장치
US8299409B2 (en) Fuzzy logic-based control of microwave dryers
JPH09160254A (ja) レジスト膜の乾燥方法及び装置
JPS6079207A (ja) 放射線板厚測定方法
JP2002045961A (ja) 加熱炉の加熱評価方法及びこの加熱評価方法を用いた被加熱体の温度予測方法
JPH03264821A (ja) 複合センサ出力信号処理方法
JPH08191046A (ja) 基板処理方法およびそれに使用する装置
JPH05345929A (ja) 連続焼鈍炉における放射温度計の指示値異常検出方法
JP3997698B2 (ja) 信号減衰補正装置
US20230094819A1 (en) Method for Measuring Humidity
JP2000297330A (ja) ストリップ連続焼鈍炉の板温測定方法及びその装置
JP2001255136A (ja) 幅長さ計のオンライン測定精度検査方法
JP2989847B2 (ja) レジスト塗布膜の乾燥方法及び装置
JP2906624B2 (ja) 薄膜形成装置
JPS61296250A (ja) 湿度センサ出力の補正方法
JPS6033379Y2 (ja) 放射測温試験装置
JPH01169328A (ja) 金属ストリップの温度測定装置
JPH0682045B2 (ja) 鋼帯の熱処理炉における酸化膜測定装置
JPH0633700A (ja) トンネル換気制御システム
JP2022077626A (ja) 塗布膜の乾燥装置及び乾燥方法
JPH02154104A (ja) 被膜厚さ測定方法
JPH1137649A (ja) 帯状体の乾燥方法およびその装置
JPH06147989A (ja) 比較的低温物体の表面温度測定方法及び装置
JP2003090751A (ja) フローセンサ式流量計及びその校正方法