JPH08102401A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

抵抗器およびその製造方法

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JPH08102401A
JPH08102401A JP6236751A JP23675194A JPH08102401A JP H08102401 A JPH08102401 A JP H08102401A JP 6236751 A JP6236751 A JP 6236751A JP 23675194 A JP23675194 A JP 23675194A JP H08102401 A JPH08102401 A JP H08102401A
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Japan
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resistor
electrode
substrate
resistance value
electrodes
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JP6236751A
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Keiichi Nakao
恵一 中尾
Ryo Kimura
涼 木村
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板内に複数個の抵抗部品を製造する際、抵
抗値バラツキを小さく製造することで、レーザートリミ
ング等の抵抗体自体の加工をせずとも、抵抗値バラツキ
を下げられ、更に容易に所定の抵抗値を得ることができ
る抵抗器を安価に製造することを目的とする。 【構成】 基板2上に形成された電極3aと電極3bを
接続するように形成する抵抗体を端部を半円または半楕
円形状の抵抗体5とすることで、抵抗体5における有効
長を長くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器、抵抗
ネットワーク、コンデンサやコイルと複合化された抵抗
部品やハイブリッドICの抵抗などに利用される抵抗器
およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ハイブリッドIC、チップ抵抗器
等の抵抗部品に対して円高等の影響により以前に増して
コストダウンと特性向上の要求が強くなってきている。
【0003】以下に従来の角形チップ抵抗器を例にとり
説明する。図18(a)、図18(b)は従来の角形チ
ップ抵抗器を示すものであり、分かりやすくするために
抵抗体の保護層や実装用の外部電極は省略して示してい
る。
【0004】図18(a)、図18(b)において、1
は抵抗体、2はセラミックなどからなる基板、3a,3
bは第1,第2の電極である。図18(a)において、
抵抗体1の両端は第1の電極3a、第2の電極3bの上
部に形成されており、図18(b)において、抵抗体1
の両端は第1の電極3a、第2の電極3bの下に埋め込
まれて形成されている。こうして抵抗器は、必要に応じ
て図18(a)や図18(b)の構造を選択することが
できる。
【0005】次に図19,図20を用いて、1枚の基板
から複数個の抵抗器を製造する様子を説明する。図19
において、2はセラミックなどからなる基板であり、こ
の基板2の内部には複数のブレークライン4が縦横に形
成されている。この基板2の上に図19に示すように複
数個の第1の電極3a、第2の電極3bを形成する。そ
して図20のように抵抗体1を形成し、この抵抗体1を
レーザートリミングすることで抵抗値を調整し、表面に
保護層を形成し、ブレークライン4で個片に分割し、外
部電極を形成することで図18(a)、図18(b)に
示したような角形チップ抵抗器を製造することができ
る。なお、図20において、抵抗体1の下に第1の電極
3a、第2の電極3bが形成されるため、でき上がった
抵抗器は、図18(a)に相当なものになる。
【0006】図21は、図20のサンプルの抵抗値を基
板内(図21のA−A’位置)で測定し、その分布を示
したものであり、レーザートリミングする前のものであ
る。図21から基板2の中央に形成された抵抗体1の方
が、周辺部に形成されたものに比較して5%〜10%程
度小さくなっていることがわかる。しかし通常はこの
後、レーザートリミングを行うため、この抵抗値のバラ
ツキは問題にならない。
【0007】ここで言うトリミングとは、抵抗体1自体
を加工することで抵抗値を変化させるものであり、主に
レーザートリミング方法や希にはブラストトリミング方
法が実用化されている。しかしこのトリミング方法は、
抵抗値を高い方向にしか調整できない。このため、実際
は抵抗値のバラツキを考慮して初期抵抗値は大幅に低い
ものに設定した後大きくトリミングすることが行われて
いる。
【0008】このように、従来の抵抗器の製造方法で
は、トリミング工程により抵抗値を目的値に調整するこ
とになり、抵抗体の抵抗値は一定の範囲に入っていれば
よい。更に抵抗体材料には高価なルテニウムを使用する
ため、抵抗体1の形状はコスト面で最大の効果が得られ
るように、図18に示すような長方形になっていた。こ
うしてレーザートリミングでの調整可能領域を大きくし
ていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、抵抗体をトリミングすることを前提としていたた
め、レーザートリミング時に抵抗体1にマイクロクラッ
クが発生して、ノイズ特性が劣化したり信頼性が低くな
ったりしていた。また抵抗値を高い方向にしか調整でき
ないため、必然的にトリミング量が大きくなりレーザー
トリミングコストが増加していた。
【0010】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、レーザートリミングする前の抵抗体の抵抗値バラツ
キを低減することにより、レーザートリミング量を低減
したり、レーザートリミング無しでも所定の抵抗値が得
られる抵抗器を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗器は、基板上に設けられた第1の電極と
第2の電極と、この第1と第2の電極に接続された外部
電極と、前記第1と第2の電極に接続される抵抗体と、
前記抵抗体上に形成された保護層からなり、前記抵抗体
の少なくとも一端は前記抵抗体の幅を直径とする半円状
もしくは半楕円状に形成する構成としたものである。
【0012】
【作用】この構成によって、レーザートリミングをする
前に基板内の抵抗値バラツキを低減でき、レーザートリ
ミング量を少なくできひいてはレーザートリミング工程
自体も省略することができる。
【0013】
【実施例】
(実施例1)以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【0014】図1は本発明の第1の実施例における抵抗
器の一例を示すものである。図1において、5は抵抗体
であり、抵抗体5の少なくとも一端が半円状もしくは半
楕円状に形成されている。図1において基板2の上に抵
抗体5が形成され、この抵抗体5の両端上に電極3aと
電極3bが形成されている。なお図1において、分かり
やすくするために抵抗体の保護層や実装用の外部電極は
省略して示している。
【0015】なお抵抗体5の端部は、図形的に正確な円
や正確な楕円でなくともよい。これは、実際に抵抗体印
刷用の版(スクリーン版、凸版、凹分、グラビア版等の
直接印刷方法、オフセット印刷方法とも)上では正確な
半円や半楕円であっても、実際に基板2上に抵抗体形成
インキが印刷されると、どうしても滲んでしまう。しか
し本発明では、印刷されたインキの持つ表面張力の関係
から、このインキが印刷後に滲んだとしてもでき上がっ
た抵抗体5の抵抗値には殆ど悪影響を与えず、レーザー
トリミングを行わずとも、抵抗値バラツキの小さい抵抗
器を提供できる。
【0016】なお図1では、抵抗体5の両端を半円状に
形成したが、目的によっては一端のみであってもよい。
また丸の直径は抵抗体5の幅と一致させる方が望ましい
が多少変っても良い。
【0017】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図2は実施例1
で説明した抵抗器の製造方法の一例を示すものである。
図2において、抵抗体5は、電極3a、電極3b間を接
続するように形成されている。
【0018】更に詳しく説明する。まず図2に示すよう
なブレークライン4の付いたアルミナ基板2に、電極3
a,3bを形成した。なおブレークライン4は1.6m
m×0.8mmのチップ部品用のものを用いた。次に、
この基板2の上に、図1に示したような抵抗体5を複数
個作成した。ここで抵抗体5の形成材料には、市販のル
テニウムを含む厚膜抵抗体インキを用いた。このインキ
を基板2上の電極3a、電極3bを接続し、両端が半円
状になるように印刷し焼成することで抵抗体5とし、図
2相当のものを作成した。次にこのサンプルの抵抗値を
測定した。
【0019】図3は実施例2で作成したサンプルの抵抗
値を基板内(図2のA−A’位置)で測定し、その分布
を示したものである。図3により抵抗体5の位置に関係
なく、相対抵抗値はほぼ一定の値を示すことがわかる。
このように抵抗体5のパターン形状を従来の長方形から
少なくとも一端に半円または半楕円状に形成した抵抗体
5にすることで、抵抗体5の長手方向の抵抗値のバラツ
キを大きく低減することができた。比較のために同じ基
板、同じ材料を用いて図18(a),(b)のように従
来例を試作したところ、図21に示すような結果が得ら
れた。
【0020】そこで、なぜ抵抗体の長手方向(電極と電
極をつなぐ方向)の抵抗値バラツキが低減されたのかを
調べた。すると抵抗体のレベリング状態が、抵抗体の印
刷パターンによって異なることがわかった。そこで更に
レーザー式非接触3次元表面粗さ計を用いて印刷された
未乾燥状態および乾燥状態で厚膜抵抗インキの印刷パタ
ーンの立体形状を調べた。この結果を図4を用いて説明
する。
【0021】図4は、抵抗体の立体形状を上面図および
側面図で模式的に示すものである。図4(a)は本実施
例で説明する抵抗体5の立体形状、図4(b)は図18
〜図21で説明した従来の抵抗体1の立体形状である。
また図4(a)、図4(b)において有効長とは、側面
図での抵抗体の高さの一定の領域を示す部分の長さを示
し、この部分では抵抗体の断面積は一定になる。本実施
例における抵抗体5の場合、図4(a)に示すように抵
抗体5の端部が半円であることにより、レベリング性に
優れ長い有効長が得られる。
【0022】従来の抵抗体形状の場合、図4(b)に示
すように抵抗体1の端部が直線状のためレベリングして
も有効長が短くなる。このため図4(b)において、有
効長を長くするためには抵抗体の全長を長くするしかな
い。この傾向は厚膜抵抗体インキを焼成した後まで観察
された。
【0023】従来の抵抗器の場合は抵抗体1が図18に
おける電極3a、電極3bと接続されるため、抵抗体1
(特に有効長部分)が電極と正確にアライメントできな
いと(抵抗体の薄い部分で電極と接続されるため)、す
ぐに図21に示したような抵抗値バラツキを発生させ
た。それ以外にも基板の反りや電極に重なった部分の抵
抗体材料のレベリングの影響も受けやすかった。従来の
抵抗器の場合は、レーザートリミングすることにより抵
抗値を調整していたためこのような抵抗体形状はあまり
影響を与えなかった。
【0024】一方の本実施例で説明する抵抗体形状の場
合では、抵抗体5の少なくとも一端は半円状であるた
め、図4(a)に示すように長い有効長が得られる。こ
のため、抵抗体5はいつもその断面積が一定な部分で電
極3a,3bと接することができる。こうして基板2の
反りや電極3a,3bとの位置ずれに対して十分な余裕
度を持ちながら、図3に示したような抵抗値バラツキの
小さいものが得られる。
【0025】(実施例3)以下本発明の第3の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図5は実施例3
における抵抗器の構造を示すものであり、抵抗体5の両
端は電極3a、電極3bの下に埋め込まれて形成してい
る。
【0026】まず基板2の上に抵抗体5を形成し、この
上に電極3a、電極3bを形成した。ここで抵抗体5は
基板2の上に直接形成できるため、図4に示したように
長い有効長で形成することができる。また抵抗体5の上
に電極3a、電極3bをスクリーン印刷方法で印刷形成
する際は、抵抗体端部にRが付いているために版離れが
よく電極インキの滲みを少なくできる。
【0027】(実施例4)以下本発明の第4の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図6は実施例4
における抵抗器の構造を示すものであり、抵抗体5の一
端は電極3aの上に、抵抗体5の他端は電極3bの下に
形成されている。ここで、Lは電極3aと電極3bの間
隔を示す。
【0028】実施例4においては、電極3aと電極3b
の間隔Lを増減することによって、抵抗値を目的とする
値に命中させることができる。
【0029】(実施例5)以下本発明の第5の実施例に
ついて、図7〜図9を参照しながら説明する。図7
(a),(b)は実施例5における抵抗器の構造を示す
ものであり、6はアジャスト電極、7は外部電極であ
る。抵抗体5の一端は電極3aの上に、抵抗体5の他端
は電極3b上でかつ第3電極としてのアジャスト電極6
の下に形成されている。ここで電極3aと電極3bの距
離より、電極3aとアジャスト電極6の距離の方が短
い。このため実施例5においては、まず電極3aと電極
3bの間に形成された抵抗体5の抵抗値を測定し、この
後抵抗値が目的となる値を示す位置にアジャスト電極6
を形成することにより、チップ抵抗の抵抗値を高精度に
命中させられる。
【0030】なお図8は抵抗体5の幅を一部大きくした
ものである。図8のようにすることで、アジャスト電極
6による抵抗値の命中精度をさらに向上できる。
【0031】図9は図7の構造の抵抗器と、図8の構造
の抵抗器においてのアジャスト電極6と電極3aの距離
Lとそのときの抵抗値の関係を示すものである。図9に
おいて、(1)は図7の構造の抵抗器、(2)は図8の
構造の抵抗器の場合である。図9より図8の構造の抵抗
器の方が、Lの変化に対して抵抗値の変化が小さいこと
がわかる。これを利用することで、抵抗値を高精度に命
中させることができる。
【0032】同様に図10に示すように抵抗体5の厚み
を一部大きくしておくことで、アジャスト電極6による
抵抗値の命中精度を向上できる。
【0033】(実施例6)以下本発明の第6の実施例に
ついて、図11,図12を参照しながら説明する。図1
1(a),(b)は実施例6における抵抗器の構造を示
すものであり、6はアジャスト電極である。抵抗体5の
一端は電極3aの下に、抵抗体5の他端は電極3bとア
ジャスト電極6の下に形成されている。ここで、電極3
aと電極3bの距離より、電極3aとアジャスト電極6
の距離の方が短い。このため実施例6においては、まず
電極3aと電極3bの間に形成された抵抗体5の抵抗値
を測定し、この後抵抗値が目的となる値を示す位置にア
ジャスト電極6を形成することにより、チップ抵抗の抵
抗値を高精度に命中させられる。
【0034】なお図12に示すように、図10と同様に
抵抗体5の厚みを一部大きくしておくことで、アジャス
ト電極6による抵抗値の命中精度を向上できる。また本
実施例においても、図8と同様に抵抗体5の一部を幅広
にすることでも同様の効果が得られる。
【0035】(実施例7)以下本発明の実施例7につい
て、図13,図14を参照しながら説明する。図13は
実施例2で作成したサンプルをA−A’に垂直な方向で
その抵抗値を測定した結果である。図13より得られた
抵抗値が中央部では低め、周辺部では高めになっている
ことがわかる。そこで実施例5では、電極間隔を基板内
で増減することによって、この抵抗値バラツキを低減し
た。
【0036】図14は、電極間隔を基板内で増減した一
例を示すものである。図14において電極3a、電極3
bはブレークライン4を挟んで形成されている。また電
極3aと電極3bの間隔は、基板中央部で長めに、基板
周辺部で短めに形成されている。本実施例では、この上
に抵抗体5が形成されることになる。図15は実施例5
における形成された抵抗体5の様子を示すものである。
図15において、電極3aと電極3bの間隔は、基板周
辺部になるほど小さくなるように設計されている。また
抵抗体5の大きさは全て同じである。
【0037】このように電極間隔を調整し、更に抵抗体
5を従来の長方形から端部を半円または半楕円状にする
ことでより基板内の抵抗値バラツキを低減できる。
【0038】(実施例8)以下本発明の実施例8につい
て、図16を参照しながら説明する。図16は、電極3
a、電極3bの間隔を基板内で一定とし、抵抗体5の幅
を基板内で変化させた一例を示すものである。図16に
おいて、抵抗体5の幅は基板の周辺部になるほど大きく
なるように設計されている。
【0039】このように抵抗体5の幅を調整し、さらに
抵抗体5を従来の長方形から端部を半円または半楕円状
にすることでより基板内の抵抗値バラツキを低減でき
る。
【0040】(実施例9)以下本発明の実施例9につい
て、図17を参照しながら説明する。図17は、抵抗体
5の断面積を基板内で変化させた一例を示すものであ
る。図17は、図2のサンプルをA−A’に垂直にかつ
抵抗体5を2分した場合のサンプル断面を示す。
【0041】このように抵抗体5の断面積を調整し、さ
らに抵抗体5を従来の長方形から端部を半円または半楕
円状にすることで、基板内の抵抗値バラツキを更に低減
できる。
【0042】以上のように、本発明の抵抗体を用いるこ
とで抵抗体の長手方向のバラツキを低減でき、これを更
に図6に示した構造や、図14に示したような電極間隔
の調整と組み合わせることで、より効果的に抵抗体のバ
ラツキを低減でき命中率も向上させられる。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、1枚の基
板上に多数の抵抗体を抵抗値バラツキの少ない状態に一
括して製造することができ、レーザートリミング量の低
減はレーザートリミング工程の省略をも可能にできる。
そして、抵抗体材料のロット間バラツキや基板の影響等
による複雑な抵抗値の変動要素を除去しながら、更に目
的とする抵抗値をレーザートリミングを行わなくとも抵
抗値を高歩留りで得られる抵抗器を製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における抵抗器の一例を
示す斜視図
【図2】同実施例1で説明した抵抗器の製造方法の一例
を示す斜視図
【図3】同実施例2で作成したサンプルの抵抗値を基板
内(図2のA−A’位置)で測定し、その分布を示した
特性図
【図4】(a)実施例2における抵抗体の立体形状を示
す説明図(b)従来例における抵抗体の立体形状を示す
説明図
【図5】実施例3における抵抗器の構造を示す斜視図
【図6】実施例4における抵抗器の構造を示す斜視図
【図7】(a)実施例5における抵抗器の構造を示す斜
視図 (b)同断面図
【図8】実施例5における抵抗体の幅を一部大きくした
ものを示す斜視図
【図9】アジャスト電極と電極との距離Lとその時の抵
抗値の関係を示す特性図
【図10】実施例5における抵抗体の厚みを一部大きく
したものを示す斜視図
【図11】(a)実施例6における抵抗器の構造を示す
一部切欠斜視図 (b)同断面図
【図12】実施例6における抵抗体の厚みを一部大きく
したものを示す一部切欠斜視図
【図13】実施例2で作成したサンプルをA−A’に垂
直な方向でその抵抗値を測定した結果を示す特性図
【図14】電極間隔を基板内で増減した一例を示す斜視
【図15】実施例5における形成された抵抗体の様子を
示す斜視図
【図16】電極の間隔を基板内で一定とし、抵抗体の幅
を基板内で変化させた一例を示す斜視図
【図17】抵抗体の断面積を基板内で変化させた一例を
示す断面図
【図18】(a)従来の角形チップ抵抗器を示す斜視図 (b)他の従来例を示す斜視図
【図19】従来例の1枚の基板から複数個の抵抗器を製
造する様子を説明する斜視図
【図20】従来例の1枚の基板から複数個の抵抗器を製
造する様子を説明する斜視図
【図21】従来例の基板内の抵抗値分布を示す特性図
【符号の説明】
2 基板 3a,3b 電極 4 ブレークライン 5 抵抗体 6 アジャスト電極 7 外部電極

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に設けられた第1の電極と第2の
    電極と、この第1と第2の電極に接続された外部電極
    と、前記第1と第2の電極に接続される抵抗体と、前記
    抵抗体を覆う保護層からなり、前記抵抗体の少なくとも
    一端は前記抵抗体の幅を直径とする半円状もしくは半楕
    円状に形成してなる抵抗器。
  2. 【請求項2】 抵抗体の一端は第1の電極の上に、他端
    は第2の電極の下に形成した請求項1記載の抵抗器。
  3. 【請求項3】 基板上に設けた第1の電極と第2の電極
    と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と第3の
    電極に接続される抵抗体と、この第1と第3の電極に接
    続された外部電極と、前記抵抗体を覆う保護層からな
    り、前記抵抗体の一端部は第1の電極の上に、他端部は
    第3の電極の上でかつ第2の電極の下に形成され、第1
    の電極と第3の電極の間隔よりも、第1の電極と第2の
    電極の間隔を短く構成し、前記抵抗体の少なくとも一端
    は前記抵抗体の幅を直径とする半円状もしくは半楕円状
    に形成されている抵抗器。
  4. 【請求項4】 基板上に設けた第1の電極と第2の電極
    と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と第3の
    電極に接続される抵抗体と、この第1と第3の電極に接
    続された外部電極と、前記抵抗体を覆う保護層からな
    り、前記抵抗体の一端部は第1の電極の下に、他端部は
    第3の電極の下でかつ第3の電極の下に形成され、第1
    の電極と第3の電極の間隔よりも第1の電極と第2の電
    極の間隔が短く構成され、前記抵抗体の少なくとも一端
    は前記抵抗体の幅を直径とする半円状もしくは半楕円状
    に形成されている抵抗器。
  5. 【請求項5】 基板上に設けられた第1の電極と第2の
    電極の間隔を、前記基板の中央部では周辺部に比べ0.
    2%以上20%以下の範囲で長くなるように形成し、前
    記複数の電極間に抵抗体を形成した後個片に分割する請
    求項1、請求項2、請求項3または請求項4記載の抵抗
    器の製造方法。
  6. 【請求項6】 基板上に設けられた第1の電極と第2の
    電極に接続される抵抗体の面積を、前記基板の中央部で
    は周辺部に比べ0.2%以上20%以下の範囲で小さく
    形成し、複数の電極間に接続されるように抵抗体を形成
    した後、個片に分割する請求項1、請求項2、請求項3
    または請求項4記載の抵抗器の製造方法。
  7. 【請求項7】 基板上に設けられた第1の電極と第2の
    電極に接続される抵抗体の断面積を、前記基板の中央部
    では周辺部に比べ0.2%以上20%以下の範囲で小さ
    く形成し、複数の電極間に接続されるように抵抗体を形
    成した後、個片に分割する請求項1、請求項2、請求項
    3または請求項4記載の抵抗器の製造方法。
  8. 【請求項8】 目的とする抵抗値が得られる位置の前記
    抵抗体上に前記第2の電極を形成する請求項1、請求項
    2、請求項3または請求項4記載の抵抗器の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7097287B2 (en) 2001-05-09 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink
JP2021529434A (ja) * 2018-06-25 2021-10-28 ビシェイ エレクトロニック ゲーエムベーハー セラミック基板の上に複数の抵抗モジュラーユニットを作り出すための方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7097287B2 (en) 2001-05-09 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink
JP2021529434A (ja) * 2018-06-25 2021-10-28 ビシェイ エレクトロニック ゲーエムベーハー セラミック基板の上に複数の抵抗モジュラーユニットを作り出すための方法

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