JPH079829B2 - Method and apparatus for manufacturing thin film EL element - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing thin film EL elementInfo
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- JPH079829B2 JPH079829B2 JP1138075A JP13807589A JPH079829B2 JP H079829 B2 JPH079829 B2 JP H079829B2 JP 1138075 A JP1138075 A JP 1138075A JP 13807589 A JP13807589 A JP 13807589A JP H079829 B2 JPH079829 B2 JP H079829B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電極間に電圧を印加することにより、発光する
薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以下、薄膜EL素子
と略称する）に係わり、特に発光体層を硫化亜鉛にマン
ガンをドープした膜（以下、ZnS:Mn膜と略称する）とす
るEL素子の製造方法およびその装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thin film electroluminescent device (hereinafter, abbreviated as thin film EL device) that emits light when a voltage is applied between electrodes, and particularly to a light emitting layer. The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing an EL element in which is a film in which manganese is doped in zinc sulfide (hereinafter abbreviated as ZnS: Mn film).
［従来技術］ 近年、分散型EL素子に代わり、高輝度の薄膜EL素子が注
目されてきている。[Prior Art] In recent years, high-brightness thin film EL devices have been attracting attention in place of distributed EL devices.
従来このようなEL素子の発光体層は、EB蒸着法、スパッ
タリング法などにより、成膜されているが、EB蒸着法に
おいては（１）蒸発ルツボからクラスター状のものが飛
び出し、膜中に１〜10μｍの欠陥が生じる。（２）膜中
にピンホールなどの欠陥が生じる。（３）蒸発源が点な
ので、膜ムラができる等の欠点があり、スパッタリング
法においては、（１）ターゲット２次電子によりZnS:Mn
膜（発光体層）が損傷を受ける。（２）スパッタガスが
膜中に混入する。（３）ターゲット表面の組成がスパッ
タリング中に変化するなどの欠点があった。Conventionally, the light emitting layer of such an EL element has been formed by an EB vapor deposition method, a sputtering method, or the like. In the EB vapor deposition method, (1) a cluster-shaped object pops out from the evaporation crucible, and Defects of ~ 10 μm occur. (2) Defects such as pinholes occur in the film. (3) Since the evaporation source is a point, there are drawbacks such as film unevenness. In the sputtering method, (1) ZnS: Mn
The film (emitter layer) is damaged. (2) Sputter gas is mixed in the film. (3) There is a defect that the composition of the target surface changes during sputtering.
また、有機亜鉛化合物、有機マンガン化合物と有機硫黄
化合物としてのジメチル硫黄、ジエチル硫黄、硫化水素
などの一種以上を含む原料ガスを気相成長させるいわゆ
るMOCVD法により成膜する方法が提案されている（特開
昭62-98596号）。Further, a method of forming a film by a so-called MOCVD method in which a source gas containing one or more of an organic zinc compound, an organic manganese compound and one or more of organic sulfur compounds such as dimethyl sulfur, diethyl sulfur, and hydrogen sulfide has been proposed ( JP-A-62-98596).
しかしながら、ジメチル硫黄やジエチル硫黄を用いると
基板温度が500℃以下では成膜できず、500℃以上とする
必要があるが、成膜速度が遅いという欠点があり、硫化
水素を用いると気相中でジエチルジンクなどの有機亜鉛
化合物と反応し、粉を生じ膜質に悪影響を与えることは
避けられないものであった。However, when dimethylsulfur or diethylsulfur is used, the film formation cannot be performed at a substrate temperature of 500 ° C or lower, and it is necessary to raise the film temperature to 500 ° C or higher. However, there is a drawback that the film formation rate is slow. It was unavoidable that it would react with an organozinc compound such as diethylzinc to produce powder and adversely affect the film quality.
本出願人はかかる欠点を解消する目的でMOCVD法で成膜
する成膜EL素子について出願（特願昭63−128291号）し
た。The present applicant has filed an application (Japanese Patent Application No. 63-128291) for a film formation EL device in which a film is formed by the MOCVD method for the purpose of solving such a drawback.
［発明の目的］ しかしながら、有機亜鉛化合物、ジシクロペンタジエニ
ルマンガン、および有機硫黄化合物としてメチルメルカ
プタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを同一ノズ
ルから反応器へ導入する従来の方法では、例えば数10cm
角の大型基板に成膜すると膜厚が均一にならず、特にMn
のドープ量がばらつき、所望の発光輝度を得ることがで
きなかった。[Object of the Invention] However, in the conventional method of introducing a mixed gas containing an organic zinc compound, dicyclopentadienyl manganese, and methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound into the reactor through the same nozzle, for example, several tens cm
If the film is formed on a large square substrate, the film thickness will not be uniform.
However, the desired emission brightness could not be obtained due to variations in the doping amount.
そこで、本発明者らは、噴出口を多数設けたシャワー型
のノズルを使って成膜したが、前述の混合ガスを同一ノ
ズルから反応器へ導入すると、ノズル板の裏面に黒色の
膜が付着してしまい、その結果Mnのドープ量が減って薄
膜EL素子の発光輝度を低下せしめることが判明した。こ
の原因を調べたところ、シクロペンタジエニルマンガン
と有機硫黄化合物が反応してMnSなどの化合物と思われ
る黒色の膜が生成されたことによることを見いだした。Therefore, the present inventors formed a film using a shower-type nozzle provided with a large number of ejection ports, but when the aforementioned mixed gas was introduced into the reactor from the same nozzle, a black film adhered to the back surface of the nozzle plate. As a result, it was found that the amount of Mn doped is reduced and the emission brightness of the thin film EL device is reduced. As a result of investigating the cause, it was found that cyclopentadienyl manganese and an organic sulfur compound reacted with each other to form a black film that seems to be a compound such as MnS.
本発明はこの新しい知見に基づいてなされたもので、特
に大型基板に好適であって、しかも発光輝度の低下を防
止しうる薄膜EL素子の製造方法とその装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made based on this new finding, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film EL element and an apparatus for the same, which are particularly suitable for a large-sized substrate and can prevent a decrease in emission luminance.
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、発光体層の両方の面に、その少なくとも一方
の面には誘導体層を介して、一対の電極を設けた薄膜EL
素子の製造方法において、発光体層は、有機亜鉛化合物
とジシクロペンタジエニルマンガンを含む混合ガスを同
一ノズルから反応器に導入し、他方、有機硫黄化合物と
してのメチルメルカプタかエチルメルカプタンを含む混
合ガスを前記ノズルの噴出口迄は前記混合ガスと接触さ
せないで、反応器に導入した後混合させることにより、
化学的に気相成長させて成膜するようにしたことを特徴
とする。[Means for Solving the Problems] The present invention is directed to a thin film EL in which a pair of electrodes are provided on both surfaces of a light emitting layer, with a dielectric layer on at least one surface thereof.
In the manufacturing method of the device, the light emitting layer, the mixed gas containing an organic zinc compound and dicyclopentadienyl manganese is introduced into the reactor from the same nozzle, while the mixed gas containing methyl mercapta or ethyl mercaptan as the organic sulfur compound. Is not brought into contact with the mixed gas until the jet outlet of the nozzle is introduced into the reactor and then mixed,
It is characterized in that the film is formed by chemical vapor deposition.
また、この方法を実施するための装置としては、発光体
層をMOCVD法により成膜するに際し、有機亜鉛化合物と
ジシクロペンタジエニルマンガンを含む混合ガスを導入
するための複数の噴出口を有するノズルと有機硫黄化合
物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタンを
含む混合ガスを反応器に導入するための複数の噴出口を
有するノズルを近接して配設するようにした構成とする
こと、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジエニルマンガ
ンを含む混合ガスを反応器に導入するための複数の噴出
口を有するノズルに、有機硫黄化合物としてのメチルメ
ルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを反応
器に導入するための複数の細管を挿通し、前記複数の噴
出口とは異なる噴出口を形成するようにした構成とする
ことを特徴とする。The apparatus for carrying out this method has a plurality of ejection ports for introducing a mixed gas containing an organozinc compound and dicyclopentadienylmanganese when the phosphor layer is formed by the MOCVD method. A nozzle and a nozzle having a plurality of jets for introducing a mixed gas containing methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound into the reactor are arranged in proximity to each other, and an organic zinc compound and A nozzle having a plurality of ejection ports for introducing a mixed gas containing dicyclopentadienyl manganese into a reactor is provided with a plurality of nozzles for introducing a mixed gas containing methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound into the reactor. The thin tube is inserted to form a jet port different from the plurality of jet ports.
［作用］ ジシクロペンタジエニルマンガン（以下、DCPMと略称す
る）と有機硫黄化合物としてのメチルメルカプタンかエ
チルメルカプタンを同一ノズルから反応器へ導入する
と、ノズル内で反応して黒色の膜を生じ、Mnのドープ量
を精密に制御できなきが、ノズルの噴出口迄はこれらの
混合ガスを接触させないようにすることにより、このよ
うな問題点を解消することができる。[Operation] When dicyclopentadienyl manganese (hereinafter abbreviated as DCPM) and methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound are introduced into the reactor through the same nozzle, a reaction occurs in the nozzle to form a black film, Although the Mn doping amount cannot be precisely controlled, such a problem can be solved by preventing the mixed gas from coming into contact with the nozzle ejection port.
また、ZnSへのMnのドープはZn結晶格子の主として格子
点でMnがZnに置換ることにより行われるので、有機亜鉛
化合物とDCPMを同一ノズルに導入し、反応器へ混合ガス
を供給することにより、ノズル内で有機亜鉛化合物粒子
中に、DCPM粒子が均一に分散され、その結果、基板に形
成される発光体層ZnS:Mn膜のMnドープも均一に行われ、
安定した発光輝度を得ることができる。Since ZnS is doped with Mn mainly by substituting Zn for Zn at the lattice points of the Zn crystal lattice, the organozinc compound and DCPM are introduced into the same nozzle, and a mixed gas is supplied to the reactor. Thus, in the organic zinc compound particles in the nozzle, DCPM particles are uniformly dispersed, as a result, Mn doping of the phosphor layer ZnS: Mn film formed on the substrate is also uniformly performed,
Stable emission brightness can be obtained.
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。[Examples] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図、第２図は本発明の薄膜EL素子の発光体層を製造
するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図であ
り、第４図は本発明により得られる薄膜EL素子を示す断
面図である。1 and 2 are schematic views of the main part of an apparatus for producing a light emitting layer of a thin film EL element of the present invention, FIG. 3 is an overall schematic view, and FIG. 4 is a thin film obtained by the present invention. It is a sectional view showing an EL element.
実施例１ 無アルカリガラスなどの透明基板１上に有機錫化合物と
フッ素化合物を含む加熱蒸気を原料としてCVD法によSnO
2膜を形成し、その後エッチングしてストライプ状の透
明電極２とする。Example 1 SnO by a CVD method using a heating vapor containing an organic tin compound and a fluorine compound as a raw material on a transparent substrate 1 such as non-alkali glass.
Two films are formed and then etched to form a stripe-shaped transparent electrode 2.
次に図示しないプラズマCVD装置を用いて、まず、SiH4
ガスとN2Oガスを原料としてSiO2膜３を形成、さらに、
同装置によりSIH4ガスとN2ガスを原料としてSi3N4膜４
を形成、２層からなる第１誘電体層５とする。Next, using a plasma CVD device (not shown), first, SiH 4
SiO 2 film 3 is formed by using gas and N 2 O gas as raw materials.
With this equipment, SiH 4 gas and N 2 gas are used as raw materials for Si 3 N 4 film 4
To form a first dielectric layer 5 composed of two layers.
（発光体層成膜） この過程の基板１を第３図に示すMOCVD装置20の反応器2
1に入れ、ホルダー22で保持し、反応圧力3.4Torr、基板
温度600℃の条件で、有機亜鉛化合物としてのジエチル
亜鉛（以下、DEZと略称する）とDCPMを含む混合ガスを
第１図に示すような同一の複数の噴出口23aを有するノ
ズル23からDEZを2.2×10-5mol/min、DCPMをキャリアガ
スで流量を調節しながら少量、例えば6.5×10-6mol/min
反応器内に導入、有機硫黄化合物としてのメチルメルカ
プタンガスをノズル23に近接して設けた、複数の噴出口
24aを有するノズル24から1.1×10-4mol/min反応器に導
入し、反応時間約40分でMnがドープされたZnS膜（ZnS:M
n膜）を所望厚さに形成、発光体層６とする。Of (light emitting layer deposition) MOCVD apparatus 20 of a substrate 1 of this process in FIG. 3 reactor 2
Fig. 1 shows a mixed gas containing diethyl zinc (hereinafter, abbreviated as DEZ) as an organozinc compound and DCPM under the conditions of a reaction pressure of 3.4 Torr and a substrate temperature of 600 ° C, which was placed in 1 and held by a holder 22. From the nozzle 23 having the same plurality of jet outlets 23a, the DEZ is 2.2 × 10 -5 mol / min, the DCPM is a small amount while adjusting the flow rate with the carrier gas, for example, 6.5 × 10 -6 mol / min.
A plurality of ejection ports, in which methyl mercaptan gas as an organic sulfur compound introduced into the reactor is provided in the vicinity of the nozzle 23
The ZnS film (ZnS: Mn) doped with Mn was introduced into the reactor at 1.1 × 10 -4 mol / min from the nozzle 24 with 24a and the reaction time was about 40 minutes.
(n film) is formed to a desired thickness to form the light emitting layer 6.
その後、他の一面に、Si3N4膜７、SiO2膜８を順次、前
述のCVD法により形成、第２誘電体層９とし、この上にA
l等よりなる背面電極10を透明電極２とクロスするよう
にストライプ状に形成し、薄膜EL素子とする。After that, the Si 3 N 4 film 7 and the SiO 2 film 8 are sequentially formed on the other surface by the above-mentioned CVD method to form the second dielectric layer 9, and A is formed on the second dielectric layer 9.
A back electrode 10 made of l or the like is formed in a stripe shape so as to cross the transparent electrode 2 to form a thin film EL element.
このようにして得られた薄膜EL素子は発光体層６におけ
るMnドープが所望の量（例えば1wt％）、均一に行われ
るので、発光輝度のばらつきがなく、安定した高輝度特
性が得られた。In the thin film EL device thus obtained, the Mn doping in the light emitting layer 6 is uniformly performed in a desired amount (for example, 1 wt%), so that there is no variation in the emission brightness and stable high brightness characteristics are obtained. .
実施例２ 第２図に示すように、MOCVD装置のノズル部分を変えた
以外は実施例１と同じ方法、装置によって薄膜EL素子を
得るものである。Example 2 As shown in FIG. 2, a thin film EL element was obtained by the same method and apparatus as in Example 1 except that the nozzle portion of the MOCVD apparatus was changed.
ノズル23は有機亜鉛化合物とDCPMを含む混合ガスを反応
器に導入するための複数の噴出口23a形成する一方、メ
チルメルカプタンあるいはエチルメルカプタンなどの有
機硫黄化合物を含むガスを反応器に導入するための複数
の細管25をノズル23に挿通し、前記噴出口23aとは異な
る噴出口25aを形成するものである。The nozzle 23 forms a plurality of ejection ports 23a for introducing a mixed gas containing an organozinc compound and DCPM into the reactor, while introducing a gas containing an organic sulfur compound such as methyl mercaptan or ethyl mercaptan into the reactor. A plurality of thin tubes 25 are inserted into the nozzle 23 to form a jet port 25a different from the jet port 23a.
このようにすると、有機亜鉛化合物、DCPMを含む混合ガ
スはノズル23内で接触してMnが分散されて反応器に導入
されるが、有機硫黄化合物とはノズル内で接触せず反応
器に導入されるので、黒色の膜（MnSなどの化合物）が
ノズル内部に生じて付着することはなく、ZnSにMnが所
望の量、均一にドープされた発光体層が形成される。In this way, the mixed gas containing the organozinc compound and DCPM is contacted in the nozzle 23 and Mn is dispersed and introduced into the reactor, but the organosulfur compound is not contacted in the nozzle and is introduced into the reactor. Therefore, a black film (compound such as MnS) does not occur inside the nozzle and is not attached, and a light emitting layer in which ZnS is uniformly doped with a desired amount of Mn is formed.
以上、好適な実施例により説明したが、本発明はこれら
に限定されるものではなく、種々の応用が可能である。The preferred embodiments have been described above, but the present invention is not limited to these, and various applications are possible.
発光体層であるZnS:Mn膜をMOCVD法により成膜するため
のノズルについて、各実施例のようにDCPMと有機亜鉛化
合物を導入するノズルは実施例１のように広面積にし
て、多数設けた噴出口から反応器に混合ガスを導入させ
ると、基板上に均一に供給されるので好ましく、有機硫
黄化合物を導入するノズルは実施例１のように、パイプ
に複数の噴出口を設けたノズルを基板の大きさに対応し
てパイプ本数の増減を行えばよく、実施例２のように複
数の細管をノズルに挿通してDCPMと有機亜鉛化合物が導
入される噴出口とは異なる噴出口を設けると、噴出口の
配置を自在に分散できるので、均一な発光体層を成膜す
る上で好ましい。なお、導入する混合ガスを実施例２と
逆にすることも可能であるが、有機硫黄化合物は基板ま
わりに充満しやすく、噴出口の数を有機亜鉛化合物とDC
PMの噴出口の数より減少しうるので、実施例２のような
構成にしたほうがよい。Regarding the nozzle for forming the ZnS: Mn film which is the light emitting layer by the MOCVD method, the nozzles for introducing DCPM and the organozinc compound as in each example have a large area as in Example 1, and a large number of nozzles are provided. It is preferable that the mixed gas is introduced into the reactor from the jet nozzle because it is uniformly supplied onto the substrate. The nozzle for introducing the organic sulfur compound is the nozzle in which a plurality of jet nozzles are provided in the pipe as in Example 1. The number of pipes may be increased or decreased according to the size of the substrate. As in Example 2, a plurality of thin tubes are inserted into the nozzle to form a jet port different from the jet port into which DCPM and the organozinc compound are introduced. When provided, the arrangement of the ejection ports can be freely dispersed, which is preferable for forming a uniform light emitting layer. The mixed gas to be introduced can be reversed from that in Example 2, but the organic sulfur compound easily fills the periphery of the substrate, and the number of ejection ports is set to that of the organic zinc compound and DC.
Since it is possible to reduce the number of PM ejection ports, it is preferable to adopt the configuration as in the second embodiment.
発光体層のZnS:Mn膜について、有機亜鉛化合物としてジ
エチル亜鉛以外にも、ジメチル亜鉛を用いても同等の特
性を有する薄膜EL素子を得ることができる。With respect to the ZnS: Mn film of the light emitting layer, it is possible to obtain a thin film EL element having the same characteristics by using dimethylzinc instead of diethylzinc as the organic zinc compound.
誘電体層について、第１、第２誘電体ともSiO2膜とSi3O
4膜の二層構造にすると、互いにピンホール、クラスタ
ーなどに埋め合うことにより、絶縁耐圧が向上するので
好ましいが、どちらか一層としてもよく、あるいはその
他の誘電体層、例えばTiO2、Al2O3などを用いてもよ
い。また、第１誘電体層と第２誘電体層を設けて発光体
層を挾持する構造にする方が絶縁上好ましいが、第２誘
電体層のみの構造とすること可能である。Regarding the dielectric layer, both the first and second dielectrics are SiO 2 film and Si 3 O.
A four- layer two-layer structure is preferable because it improves the withstand voltage by filling in pinholes, clusters, etc., but either layer may be used, or another dielectric layer such as TiO 2 or Al 2 may be used. O 3 or the like may be used. In addition, it is preferable in terms of insulation to have a structure in which the first dielectric layer and the second dielectric layer are provided to sandwich the light emitting layer, but a structure having only the second dielectric layer is possible.
［発明の効果］ 本発明によれば、複数の噴出口を有するノズルから混合
ガスを反応器に導入するので、大面積基板への発光体層
ZnS:Mn膜の均一な成膜を可能にするとともに、DCPMと有
機亜鉛化合物を含む混合ガスを同一ノズルから反応器へ
導入し、これらの混合ガスとメチルメルカプタンかエチ
ルメルカプタンを含む混合ガスは前記ノズルの噴出口迄
は接触させないで、反応器に導入後混合することによ
り、ZnS膜へのMnのドープ量のばらつきを無くし、均一
にすることができるので、高発光輝度の薄膜EL素子を安
定して得ることができるものである。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, the mixed gas is introduced into the reactor from the nozzle having a plurality of ejection ports, so that the light emitting layer on the large-area substrate is formed.
A ZnS: Mn film can be uniformly formed, and a mixed gas containing DCPM and an organozinc compound is introduced into the reactor through the same nozzle.The mixed gas containing these mixed gases and methyl mercaptan or ethyl mercaptan is By introducing the mixture into the reactor and mixing it without contacting it to the nozzle outlet, it is possible to eliminate variations in the amount of Mn doped in the ZnS film and make it uniform, thus stabilizing the thin film EL device with high emission brightness. Can be obtained by doing.
第１図、第２図は本発明の薄膜EL素子の発光体層を製造
するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図であ
り、第４図は本発明により得られる薄膜EL素子を示す断
面図である。 ６……発光体層、20……MOCVD装置 21……反応器、23,24……ノズル 23a,24a……噴出口、25……細管1 and 2 are schematic views of the main part of an apparatus for producing a light emitting layer of a thin film EL element of the present invention, FIG. 3 is an overall schematic view, and FIG. 4 is a thin film obtained by the present invention. It is a sectional view showing an EL element. 6 ... Phosphor layer, 20 ... MOCVD equipment 21 ... Reactor, 23, 24 ... Nozzle 23a, 24a ... Jet port, 25 ... Capillary tube
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−163995（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−298681（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−98596（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−176091（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) References JP-A-1-163995 (JP, A) JP-A-1-298681 (JP, A) JP-A-62-98596 (JP, A) JP-A-62- 176091 (JP, A)
Claims (3)
方の面には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜
EL素子の製造方法において、発光体層は、有機亜鉛化合
物とジシクロペンタジエニルマンガンを含む混合ガスを
同一ノズルから反応器に導入し、他方、有機硫黄化合物
としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタンを含
む混合ガスを前記ノズルの噴出口迄は前記混合ガスと接
触させないで、反応器に導入した後混合させることによ
り、化学的に気相成長させて成膜するようにしたことを
特徴とする薄膜EL素子の製造方法。1. A thin film having a pair of electrodes provided on both surfaces of a light-emitting layer and at least one surface of which a dielectric layer is interposed.
In the method for manufacturing an EL device, the phosphor layer contains a mixed gas containing an organic zinc compound and dicyclopentadienyl manganese into the reactor through the same nozzle, while containing methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound. A thin film EL characterized in that the mixed gas is not brought into contact with the mixed gas up to the ejection port of the nozzle, but is introduced into the reactor and then mixed to chemically vapor-deposit it to form a film. Device manufacturing method.
方の面には誘導体層を介して、一対の電極を設けた薄膜
EL素子の製造方法において、発光体層をMOCVD法により
成膜するに際し、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジエ
ニルマンガンを含む混合ガスを導入するための複数の噴
出口を有するノズルと有機硫黄化合物としてのメチルメ
ルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを反応
器に導入するための複数の噴出口を有するノズルを近接
して配設するようにしたことを特徴とする薄膜EL素子の
製造装置。2. A thin film in which a pair of electrodes are provided on both surfaces of a light emitting layer with a dielectric layer on at least one surface thereof.
In the method for manufacturing an EL element, when forming a phosphor layer by MOCVD, a nozzle having a plurality of ejection ports for introducing a mixed gas containing an organozinc compound and dicyclopentadienylmanganese and an organosulfur compound 2. A manufacturing apparatus for a thin film EL element, characterized in that a nozzle having a plurality of ejection ports for introducing a mixed gas containing the methyl mercaptan or the ethyl mercaptan of 1. into a reactor is arranged in proximity.
方の面には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜
EL素子の製造装置において、発光体層をMOCVD法により
成膜するに際し、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジエ
ニルマンガンを含む混合ガスを反応器に導入するための
複数の噴出口を有するノズルに、有機硫黄化合物として
のメチルメルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合
ガスを反応器に導入するための複数の細管を挿通し、前
記複数の噴出口とは異なる噴出口を形成するようにした
ことを特徴とする薄膜EL素子の製造装置。3. A thin film in which a pair of electrodes are provided on both surfaces of a light-emitting layer and at least one surface of which is provided with a dielectric layer therebetween.
In the EL device manufacturing apparatus, when forming the phosphor layer by the MOCVD method, a nozzle having a plurality of ejection ports for introducing a mixed gas containing an organozinc compound and dicyclopentadienylmanganese into a reactor, It is characterized in that a plurality of thin tubes for introducing a mixed gas containing methyl mercaptan or ethyl mercaptan as an organic sulfur compound into the reactor are inserted to form an ejection port different from the plurality of ejection ports. Thin-film EL device manufacturing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138075A JPH079829B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Method and apparatus for manufacturing thin film EL element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138075A JPH079829B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Method and apparatus for manufacturing thin film EL element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034482A JPH034482A (en) | 1991-01-10 |
| JPH079829B2 true JPH079829B2 (en) | 1995-02-01 |
Family
ID=15213379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138075A Expired - Lifetime JPH079829B2 (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Method and apparatus for manufacturing thin film EL element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079829B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2900814B2 (en) * | 1994-04-26 | 1999-06-02 | 株式会社デンソー | Method and apparatus for manufacturing electroluminescent element |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138075A patent/JPH079829B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034482A (en) | 1991-01-10 |
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