JPH0792187A - Acceleration sensor - Google Patents
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- JPH0792187A JPH0792187A JP24014593A JP24014593A JPH0792187A JP H0792187 A JPH0792187 A JP H0792187A JP 24014593 A JP24014593 A JP 24014593A JP 24014593 A JP24014593 A JP 24014593A JP H0792187 A JPH0792187 A JP H0792187A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、熱伝導現象を利用して
加速度を測定する加速度センサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an acceleration sensor for measuring acceleration by utilizing a heat conduction phenomenon.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の加速度センサとしては、Siのマイ
クロマシニング技術を利用した半導体ピエゾ抵抗型加速
度センサがある。この加速度センサの検出原理を図３に
基づいて説明する。図３は半導体ピエゾ抵抗型加速度セ
ンサ１を示す図で、（ａ）は１部分を断面図とした斜視
図で、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。図において、基板
２の中央部には中空部２ａが形成されており、基板２上
には、熱絶縁膜３の層が形成されている。熱絶縁膜３の
中央部は倒立四角錐台状に形成されており、倒立四角錐
台状の部分の周囲に、支持部３ａの部分を除いてスリッ
ト４をいれて、中空部２ａの上方に、カンチレバー３ｂ
と呼ばれる、支持部３ａによって支えられた片持ち梁構
造を微細加工技術によって形成している。また、支持部
３ａの上部にはピエゾ抵抗３ｃの領域が形成されてい
る。2. Description of the Related Art As a conventional acceleration sensor, there is a semiconductor piezoresistive acceleration sensor using Si micromachining technology. The detection principle of this acceleration sensor will be described with reference to FIG. 3A and 3B are views showing the semiconductor piezoresistive acceleration sensor 1, FIG. 3A is a perspective view with one portion as a sectional view, and FIG. 3B is a sectional view taken along line AA. In the figure, a hollow portion 2 a is formed in the center of the substrate 2, and a layer of the heat insulating film 3 is formed on the substrate 2. The central portion of the heat insulating film 3 is formed in an inverted quadrangular pyramid shape, and a slit 4 is provided around the inverted quadrangular pyramid shape portion except for the support portion 3a and above the hollow portion 2a. , Cantilever 3b
The cantilever structure supported by the support portion 3a, which is referred to as "," is formed by the fine processing technique. Further, a region of the piezoresistor 3c is formed on the upper portion of the support portion 3a.
【０００３】上記のように形成された半導体ピエゾ抵抗
型加速度センサは、加速度の変化をカンチレバー３ｂの
支持部３ａに形成されたピエゾ抵抗３ｃの抵抗変化とし
て電気信号に変換するもので、構造が比較的簡単で、小
型・軽量・低価格が可能なため幅広い分野で使用されて
いるものである。The semiconductor piezoresistive acceleration sensor formed as described above converts a change in acceleration into an electric signal as a change in resistance of the piezoresistor 3c formed on the support portion 3a of the cantilever 3b, and has a comparative structure. It is used in a wide range of fields because it is simple, compact, lightweight, and inexpensive.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
加速度センサの場合、ピエゾ抵抗３ｃは加速度が変化し
た時にしか抵抗が変化しないため、定加速度の測定はで
きないという問題点があった。However, in the case of the above acceleration sensor, there is a problem that the constant acceleration cannot be measured because the resistance of the piezoresistor 3c changes only when the acceleration changes.
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、定加速度も測定できる加
速度センサの構造を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a structure of an acceleration sensor capable of measuring a constant acceleration.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の加速度センサは、中空部を有する基
板と、前記中空部を覆うように周辺部が基板に支持され
ていると共に、前記中空部上方に片持ち梁構造のカンチ
レバーが形成された熱絶縁膜と、前記カンチレバー上面
に形成され、温度変化により抵抗値が変化する感温抵抗
体として薄膜抵抗体を用いたサーミスタとを具備したこ
とを特徴とするものである。In order to solve the above-mentioned problems, an acceleration sensor according to claim 1 has a substrate having a hollow portion, and a peripheral portion supported by the substrate so as to cover the hollow portion, A thermal insulating film having a cantilever structure of a cantilever structure above the hollow portion, and a thermistor formed on the upper surface of the cantilever and using a thin film resistor as a temperature sensitive resistor whose resistance value changes with temperature change. It is characterized by having done.
【０００７】請求項２記載の加速度センサは、請求項１
記載の加速度センサで、熱絶縁膜が複数の層を積層して
なる多層構造の薄膜であることを特徴とするものであ
る。An acceleration sensor according to a second aspect of the present invention is the acceleration sensor of the first aspect.
The acceleration sensor described in the above is characterized in that the heat insulating film is a thin film having a multilayer structure formed by laminating a plurality of layers.
【０００８】請求項３記載の加速度センサは、請求項２
記載の加速度センサで、多層構造が酸化シリコン層と窒
化シリコン層の積層で成されていることを特徴とするも
のである。The acceleration sensor according to claim 3 is the acceleration sensor according to claim 2.
The acceleration sensor described above is characterized in that the multilayer structure is formed by stacking a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.
【０００９】請求項４記載の加速度センサは、請求項１
乃至請求項３記載の加速度センサで、薄膜抵抗体が半導
体薄膜からなる抵抗体であることを特徴とするものであ
る。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the acceleration sensor of the first aspect.
The acceleration sensor according to claim 3 is characterized in that the thin film resistor is a resistor formed of a semiconductor thin film.
【００１０】請求項５記載の加速度センサは、請求項４
記載の加速度センサで、半導体薄膜がアモルファス炭化
シリコン薄膜を少なくとも含んでいることを特徴とする
ものである。The acceleration sensor according to claim 5 is the acceleration sensor according to claim 4.
The acceleration sensor described above is characterized in that the semiconductor thin film includes at least an amorphous silicon carbide thin film.
【００１１】[0011]
【作用】図１に基づいて、加速度測定原理について説明
する。図１に示す加速度センサ５では、カンチレバー３
ｂ上に四角い薄膜状のサーミスタ６が形成されている。
カンチレバー３ｂは、基板２の中空部２ａの上方に形成
されているため、サーミスタ６と基板２間は熱絶縁され
ており、サーミスタ６が有する熱は、基板２に拡散する
よりも空気等を媒体として直ちに、基板２の実装台であ
るシュテム７に流れるほうが支配的になる。一方、中空
部２ａに存在する気体分子の平均自由行程Ｌと、熱絶縁
膜３とシュテム７間の寸法ｄの差が、Ｌ≪ｄの関係を満
たす場合、サーミスタ６からシュテム７に伝わる熱量Ｑ
は、次式に従い、熱量Ｑはｄの変化により大きく変化す
ることになる。ここで、媒体が大気の場合は感度が下が
るため、Xe等の熱伝導率の低い気体を封入して用いる方
が望ましい。 Ｑ＝κＡ（Ｔ２−Ｔ１）／ｄ κ：熱伝導度、Ａ：熱絶縁膜３のサーミスタ６形成面
積、Ｔ１：サーミスタ６の温度、Ｔ２：シュテム７の温
度である。The principle of acceleration measurement will be described with reference to FIG. In the acceleration sensor 5 shown in FIG. 1, the cantilever 3
A square thin film thermistor 6 is formed on b.
Since the cantilever 3b is formed above the hollow portion 2a of the substrate 2, the thermistor 6 and the substrate 2 are thermally insulated, and the heat of the thermistor 6 is a medium such as air rather than being diffused into the substrate 2. Immediately, the one flowing to the stem 7 which is the mounting base of the substrate 2 becomes dominant. On the other hand, when the difference between the mean free path L of the gas molecules existing in the hollow portion 2a and the dimension d between the heat insulating film 3 and the stem 7 satisfies the relationship of L << d, the heat quantity Q transferred from the thermistor 6 to the stem 7
In accordance with the following equation, the heat quantity Q changes greatly depending on the change of d. Here, since sensitivity decreases when the medium is the atmosphere, it is preferable to enclose and use a gas having a low thermal conductivity such as Xe. Q = κA (T2-T1) / d κ: thermal conductivity, A: thermistor 6 formation area of the thermal insulating film 3, T1: temperature of the thermistor 6, and T2: temperature of the stem 7.
【００１２】そして、熱絶縁膜３とシュテム７間の寸法
ｄによってシュテム７に伝わる熱量Ｑが大きく変化する
ということは、カンチレバー３ｂのたわみ具合によっ
て、サーミスタ６の温度が大きく変化し、サーミスタ６
の抵抗値が大きく変わることになり、この結果、サーミ
スタ６の抵抗値からカンチレバー３ｂのたわみ具合が分
かり、カンチレバー３ｂのたわみ具合から加速度を算出
することが可能となり、加速度センサとしての機能が備
わっていることが分かる。サーミスタ６は発熱体の機能
を有すると共に、加速度測定のセンサ素子としての機能
を備えている。The fact that the amount of heat Q transferred to the stem 7 largely changes depending on the dimension d between the heat insulating film 3 and the stem 7 means that the temperature of the thermistor 6 largely changes due to the degree of bending of the cantilever 3b, and the thermistor 6 changes.
As a result, the resistance value of the thermistor 6 can be used to determine the deflection of the cantilever 3b, and the acceleration can be calculated from the deflection of the cantilever 3b. I know that The thermistor 6 has a function as a heating element and a function as a sensor element for measuring acceleration.
【００１３】[0013]
【実施例】図１に基づき、本発明の加速度センサ５の概
略構成について説明する。樹等委例と同等構成について
は、同符号を付すこととする。図１は加速度センサ５の
一実施例の主要部の構成を示す図で、（ａ）は１部分を
断面図とした斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図である。図
において、加速度センサ５は、中空部２ａを有する基板
２と、中空部２ａを覆って周辺が基板２に支持された熱
絶縁膜３と、熱絶縁膜３の中空部２ａを覆う領域上にス
リット４を入れて形成されたカンチレバー３ｂ上にサー
ミスタ６とを備えている。なお、７は容器の一部を構成
するシュテム（基台）である。（ａ）では、シュテム７
の図示を省略している。シュテム７は、蓋としてのキャ
ン（図示省略）と嵌合して、内部構造を保護するように
形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A schematic structure of an acceleration sensor 5 of the present invention will be described with reference to FIG. The same symbols will be attached to the same configurations as the tree and others. 1A and 1B are diagrams showing a configuration of a main part of an embodiment of the acceleration sensor 5, FIG. 1A is a perspective view of a part of the acceleration sensor 5, and FIG. In the figure, the acceleration sensor 5 includes a substrate 2 having a hollow portion 2a, a heat insulating film 3 which covers the hollow portion 2a and whose periphery is supported by the substrate 2, and a region of the heat insulating film 3 which covers the hollow portion 2a. The thermistor 6 is provided on the cantilever 3b formed by inserting the slit 4. In addition, 7 is a stem (base) that constitutes a part of the container. In (a), Stem 7
Are not shown. The stem 7 is formed so as to fit a can (not shown) as a lid to protect the internal structure.
【００１４】基板２にはシリコン基板などの半導体基板
が用いられている。中空部２ａは基板２を裏側から異方
性エッチングにより堀り込むことで形成することができ
る。また、熱絶縁膜３には、半導体薄膜や誘電体薄膜な
どの熱絶縁薄膜が用いられる。好ましい熱絶縁膜３とし
ては、複数の層を積層した多層構造の薄膜が挙げられ
る。例えば、酸化シリコン（ SiN）層で形成されてなる
多層構造の場合、層間で応力のバランスがとれ、膜の機
械的強度を高くすることができる。As the substrate 2, a semiconductor substrate such as a silicon substrate is used. The hollow portion 2a can be formed by digging the substrate 2 from the back side by anisotropic etching. As the heat insulating film 3, a heat insulating thin film such as a semiconductor thin film or a dielectric thin film is used. As a preferable heat insulating film 3, a thin film having a multilayer structure in which a plurality of layers are laminated can be mentioned. For example, in the case of a multi-layer structure formed of silicon oxide (SiN) layers, the stress can be balanced between the layers, and the mechanical strength of the film can be increased.
【００１５】サーミスタ６には、温度変化により抵抗値
が変化する感温抵抗体として薄膜抵抗体を用いるのであ
るが、薄膜抵抗体としては、半導体薄膜、特にシリコン
系の半導体薄膜が適当である。シリコン系の半導体薄膜
としては、アモルファスシリコン（a-Si）薄膜、アモル
ファスシリコンカーバイド（a-SiC ）薄膜などが挙げら
れるし、a-Si層とa-SiC 層など異なる半導体層が複数積
層された多層構造の半導体薄膜の場合もあり、例えば、
a-SiC 層の上下面にa-Si層が積層されてなり、上下電極
である導電薄膜がa-Si層で接している構成が挙げられ
る。In the thermistor 6, a thin film resistor is used as a temperature sensitive resistor whose resistance value changes with temperature change. A semiconductor thin film, particularly a silicon-based semiconductor thin film is suitable as the thin film resistor. Examples of silicon-based semiconductor thin films include amorphous silicon (a-Si) thin films and amorphous silicon carbide (a-SiC) thin films. A plurality of different semiconductor layers such as a-Si layers and a-SiC layers were stacked. It may be a semiconductor thin film having a multilayer structure, for example,
An example is a structure in which a-Si layers are laminated on the upper and lower surfaces of the a-SiC layer, and the conductive thin films that are the upper and lower electrodes are in contact with the a-Si layer.
【００１６】以上の構成の加速度センサは、半導体装置
製造技術を利用して製造することができる。基板２、熱
絶縁膜３、及び、サーミスタ６の材料はいずれも、半導
体装置製造で用いている材料であり、形成方法も半導体
装置製造時に用いている薄膜形成方法等が適用できる。
中空部２ａやサーミスタ６は、半導体装置製造で用いて
いる異方性エッチングや微細加工技術を適用でき、結果
として、非常にサイズの小さい加速度センサを容易に製
造することができる。また、従来の半導体ピエゾ抵抗型
加速度センサでは、高温時、ＰＮ接合でのリーク電流が
増大し、動作が不安定になるという問題点があったが、
本発明の加速度センサでは、耐熱性も改善することがで
きるようになる。The acceleration sensor having the above structure can be manufactured by utilizing semiconductor device manufacturing technology. The materials of the substrate 2, the heat insulating film 3, and the thermistor 6 are all the materials used in the semiconductor device manufacturing, and the forming method can be the thin film forming method used in the semiconductor device manufacturing.
The hollow portion 2a and the thermistor 6 can be applied with anisotropic etching or fine processing technology used in the manufacture of semiconductor devices, and as a result, an extremely small acceleration sensor can be easily manufactured. Further, in the conventional semiconductor piezoresistive acceleration sensor, there is a problem that the leakage current in the PN junction increases at high temperature and the operation becomes unstable.
The acceleration sensor of the present invention can also improve heat resistance.
【００１７】図２に本発明の加速度センサ５の一実施例
を示す。図は加速度センサ主要部の断面図である。スリ
ット４は図示を省略する。図において、加速度センサ５
は、熱分離空間である中空部２ａを有する基板２を備
え、基板２の表面に中空部２ａを覆って一辺が基板２に
支持された熱絶縁膜３の中央部に、カンチレバー３ｂが
設けられたダイアフラム構造をとっている。この熱絶縁
膜３のダイアフラム構造上にサーミスタ６が形成されて
いる。熱分離空間はサーミスタ６を基板２から熱絶縁す
る働きをする。なお、７は容器の一部を構成するシュテ
ムである。FIG. 2 shows an embodiment of the acceleration sensor 5 of the present invention. The figure is a cross-sectional view of the main part of the acceleration sensor. Illustration of the slit 4 is omitted. In the figure, the acceleration sensor 5
Is provided with a substrate 2 having a hollow portion 2a which is a heat separation space, and a cantilever 3b is provided in the central portion of a heat insulating film 3 whose one side is supported by the substrate 2 so as to cover the hollow portion 2a on the surface of the substrate 2. It has a diaphragm structure. A thermistor 6 is formed on the diaphragm structure of the thermal insulating film 3. The thermal isolation space serves to thermally insulate the thermistor 6 from the substrate 2. In addition, 7 is a stem which comprises a part of container.
【００１８】熱絶縁膜３は、３層構造であって、厚み50
00Åの酸化シリコン（ SiO）層３ａを厚み 500Åの窒化
シリコン（SiN ）層３ｂ、３ｃで挟んだ構成であり、引
っ張り・圧縮と異なる特性の薄膜を積層し、膜間の応力
バランスをとり、反りが少なく破壊の起こりにくい、機
械的強度の高い膜であり、電気的絶縁性も有するもので
ある。もちろん、酸化シリコン層だけの単独構成の熱絶
縁薄膜であってもよい。The heat insulating film 3 has a three-layer structure and a thickness of 50.
It consists of a 00 Å silicon oxide (SiO) layer 3a sandwiched between 500 Å silicon nitride (SiN) layers 3b and 3c. By laminating thin films with different characteristics from tension and compression, stress balance between the films and warpage It is a film having a high mechanical strength, which is less likely to break and has electrical insulation. Of course, it may be a heat insulating thin film having only a silicon oxide layer.
【００１９】一方、サーミスタ６は薄膜抵抗体である半
導体薄膜６ａの裏面と表面に下電極６ｂ、上電極６ｃが
設けられてなる構成である。半導体薄膜６ａとしては、
容量結合型プラズマＣＶＤ法で形成したものであって、
厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｄ、厚み 10000Åのｐ型a-Si
C 層６ｅ、厚み 300Åのｐ型a-Si層６ｆを積層してなる
アモルファス半導体薄膜である。On the other hand, the thermistor 6 has a structure in which a lower electrode 6b and an upper electrode 6c are provided on the back and front surfaces of a semiconductor thin film 6a which is a thin film resistor. As the semiconductor thin film 6a,
Formed by a capacitively coupled plasma CVD method,
300d thick p-type a-Si layer 6d, 10000l thick p-type a-Si layer
It is an amorphous semiconductor thin film formed by laminating a C layer 6e and a p-type a-Si layer 6f having a thickness of 300Å.
【００２０】上下のｐ型a-Si層６ｄ，６ｆの形成条件
は、0.25mol%のジボランを加えたモノシラン（B2H6/SiH
4=0.25% ）を用い、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。The upper and lower p-type a-Si layers 6d and 6f are formed under the conditions of monosilane (B 2 H 6 / SiH) containing 0.25 mol% of diborane.
4 = 0.25%), substrate temperature 180 ° C, gas pressure 0.9Tor
r, discharge power 20W, frequency 13.56MHz, electrode size 30mm
× 30 mm, electrode spacing 25 mm.
【００２１】ｐ型a-SiC 層６ｅの形成条件は、SiH4: 10
0sccm 、B2H6(0.5%H2 ベース）:50sccm 、CH4: 400sccm
のガス供給量とし、基板温度 180℃、ガス圧力 0.9Tor
r、放電電力20W 、周波数 13.56MHz 、電極サイズ30mm
×30mm、電極間隔25mmとした。The conditions for forming the p-type a-SiC layer 6e are SiH 4 : 10.
0sccm, B 2 H 6 (0.5% H 2 base): 50sccm, CH 4 : 400sccm
Gas supply amount, substrate temperature 180 ℃, gas pressure 0.9Tor
r, discharge power 20W, frequency 13.56MHz, electrode size 30mm
× 30 mm, electrode spacing 25 mm.
【００２２】下電極６ｂは電子ビーム蒸着法で形成した
厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いられる。導電薄
膜、特に、下電極６ｂとしては、 Ni-Cr系薄膜が適当で
あるが、Cr薄膜でもよい。上電極６ｃは電子ビーム蒸着
法で形成した厚み2000Å程度の適当な導電薄膜が用いら
れる。この導電薄膜としてはCr系薄膜などが挙げられ
る。 半導体薄膜や導電薄膜は、もちろん、微細加工技
術によるパターン化により所定のパターン形状にするこ
とは言うまでもない。なお、a-Si層６ｄとa-SiC層６ｅ
の間、a-Si層６ｆとa-SiC 層６ｅの間に、a-Si組成から
a-SiC 組成に連続ないし段階的に移行させた層（バッフ
ァ層）をそれぞれ挿入することが、良好なオーミック性
を得る上で望ましい。As the lower electrode 6b, a suitable conductive thin film having a thickness of about 2000Å formed by the electron beam evaporation method is used. As the conductive thin film, particularly the lower electrode 6b, a Ni—Cr based thin film is suitable, but a Cr thin film may be used. As the upper electrode 6c, a suitable conductive thin film having a thickness of about 2000 Å formed by the electron beam evaporation method is used. Examples of the conductive thin film include Cr-based thin films. It goes without saying that the semiconductor thin film and the conductive thin film are of course formed into a predetermined pattern shape by patterning by a fine processing technique. The a-Si layer 6d and the a-SiC layer 6e
Between the a-Si layer 6f and the a-SiC layer 6e,
In order to obtain a good ohmic property, it is desirable to insert a layer (buffer layer) that is continuously or stepwise transferred to the a-SiC composition.
【００２３】また、a-Si層６ｄ，６ｆやa-SiC 層６ｅの
形成条件も、上記の条件に限定されず、例えば、ガス圧
力 0.1〜10Torr、放電電力10〜150W、基板温度 100〜 3
00℃、B2H6/SiH4=0.01〜1%の範囲から適当な条件を選択
する。a-SiC 層６ｅの厚みも、数百Å〜数μｍの範囲か
ら選定できる。このような薄膜を用いた場合、温度に対
する抵抗の変化率であるＢ定数が5000程度のサーミスタ
５が得られる。The conditions for forming the a-Si layers 6d and 6f and the a-SiC layer 6e are not limited to the above conditions. For example, gas pressure is 0.1 to 10 Torr, discharge power is 10 to 150 W, and substrate temperature is 100 to 3
Appropriate conditions are selected from the range of 00 ° C, B 2 H 6 / SiH 4 = 0.01 to 1%. The thickness of the a-SiC layer 6e can also be selected from the range of several hundred Å to several μm. When such a thin film is used, the thermistor 5 having a B constant, which is a rate of change of resistance with respect to temperature, of about 5000 can be obtained.
【００２４】普通、熱絶縁膜３及びサーミスタ６を完成
させた後、基板２の裏面側を HF-HNO3系ないし KOH等の
エッチング液を使用する異方性エッチングにより熱絶縁
膜３を残すようにして堀り込み、中空部２ａを形成し、
スリット４を入れてカンチレバー３ｂを形成する。この
後、基板２の裏面をシリコン樹脂を用いてシュテム７の
表面に接合すると加速度センサの主要部分は完成する。
また、実施例の場合、シュテム７の表面を絶縁膜３に近
接するように配置し、シュテム７表面と熱絶縁膜３との
距離ｄの変化で加速度を検出する方式としたが、サーミ
スタ６の上側でサーミスタ６表面に近接して臨む容器面
を配し、この容器面とサーミスタ６表面の間の距離の変
化で加速度を検出する構成としてもよい。Normally, after the thermal insulating film 3 and the thermistor 6 are completed, the thermal insulating film 3 is left on the back surface of the substrate 2 by anisotropic etching using an etching solution such as HF-HNO 3 system or KOH. To form a hollow portion 2a,
The slit 4 is inserted to form the cantilever 3b. After that, the back surface of the substrate 2 is bonded to the front surface of the stem 7 using silicon resin, and the main part of the acceleration sensor is completed.
In the case of the embodiment, the surface of the stem 7 is arranged close to the insulating film 3 and the acceleration is detected by the change in the distance d between the surface of the stem 7 and the thermal insulating film 3. A configuration may be adopted in which a container surface facing the surface of the thermistor 6 is provided on the upper side, and acceleration is detected by a change in the distance between the container surface and the surface of the thermistor 6.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の加速度セ
ンサは、気体の熱伝導を利用したセンサであり、定加速
度の測定も可能となっている。As described above, the acceleration sensor of the present invention is a sensor that utilizes the heat conduction of gas, and can also measure a constant acceleration.
【図１】本発明の加速度センサの一例の主要部を示す図
で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ断
面図である。FIG. 1 is a diagram showing a main part of an example of an acceleration sensor of the present invention, in which (a) is a perspective view of a partial sectional view and (b) is a BB sectional view.
【図２】本発明に係る加速度センサの一実施例を示す断
面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of an acceleration sensor according to the present invention.
【図３】半導体ピエゾ抵抗型加速度センサの一例の主要
部を示す図で、（ａ）は１部分断面図の斜視図、（ｂ）
はＡ−Ａ断面図である。3A and 3B are diagrams showing a main part of an example of a semiconductor piezoresistive acceleration sensor, in which FIG.
FIG. 6 is a sectional view taken along line AA.
１ 加速度センサ ２ 基板 ２ａ 中空部 ３ 熱絶縁膜 ４ スリット ５ 加速度センサ ６ サーミスタ ７ シュテム 1 Acceleration sensor 2 Substrate 2a Hollow part 3 Thermal insulation film 4 Slit 5 Acceleration sensor 6 Thermistor 7 Stem
Claims (5)
うように周辺部が基板に支持されていると共に、前記中
空部上方に片持ち梁構造のカンチレバーが形成された熱
絶縁膜と、前記カンチレバー上面に形成され、温度変化
により抵抗値が変化する感温抵抗体として薄膜抵抗体を
用いたサーミスタとを具備したことを特徴とする加速度
センサ。1. A substrate having a hollow portion, and a thermal insulating film in which a peripheral portion is supported by the substrate so as to cover the hollow portion and a cantilever having a cantilever structure is formed above the hollow portion. An acceleration sensor, comprising: a thermistor formed on the upper surface of the cantilever and using a thin-film resistor as a temperature-sensitive resistor whose resistance value changes with temperature change.
多層薄膜であることを特徴とする請求項１記載の加速度
センサ。2. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the thermal insulation film is a multilayer thin film formed by laminating a plurality of layers.
リコン層とで形成されていることを特徴とする請求項２
記載の加速度センサ。3. The multilayer thin film is formed of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.
The acceleration sensor described.
抗体であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載
の加速度センサ。4. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the thin film resistor is a resistor formed of a semiconductor thin film.
コン薄膜を少なくとも含んでいることを特徴とする請求
項４記載の加速度センサ。5. The acceleration sensor according to claim 4, wherein the semiconductor thin film includes at least an amorphous silicon carbide thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014593A JPH0792187A (en) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24014593A JPH0792187A (en) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Acceleration sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792187A true JPH0792187A (en) | 1995-04-07 |
Family
ID=17055170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24014593A Withdrawn JPH0792187A (en) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | Acceleration sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792187A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014184513A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | Electric component and method for producing the same |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP24014593A patent/JPH0792187A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014184513A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | Electric component and method for producing the same |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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