JPH0791632B2 - Method for manufacturing inorganic dielectric thin film - Google Patents
Method for manufacturing inorganic dielectric thin filmInfo
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- JPH0791632B2 JPH0791632B2 JP26678691A JP26678691A JPH0791632B2 JP H0791632 B2 JPH0791632 B2 JP H0791632B2 JP 26678691 A JP26678691 A JP 26678691A JP 26678691 A JP26678691 A JP 26678691A JP H0791632 B2 JPH0791632 B2 JP H0791632B2
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はＰｂ含有ペロブスカイ
ト等の無機誘電体薄膜の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an inorganic dielectric thin film such as Pb-containing perovskite.
【０００２】[0002]
【従来の技術】センサヘッド部分、磁気記録媒体等に使
用されているＰｂ含有ペロブスカイト等の無機誘電体薄
膜は、従来は、マグネトロンスパッタリング法、高周波
スパッタリング法、あるいはＣＶＤ（化学気相蒸着法）
等によって成膜されている。2. Description of the Related Art Inorganic dielectric thin films such as Pb-containing perovskites used in sensor heads, magnetic recording media, etc. have hitherto been magnetron sputtering, high frequency sputtering, or CVD (chemical vapor deposition).
And the like.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで上記従来の成
膜方法によって作成された無機誘電体薄膜は、ランダム
配向し易い傾向にあり、そのためアズ・デポ状態でＣ軸
配向した結晶化膜を得ようとすれば、基板温度を６００
℃以上の高温にする必要があり、Ｓｉ―ＣＣＤ、ＭＯＳ
−ＦＥＴ等のデバイスへの直接成膜が不可能であった。By the way, the inorganic dielectric thin film formed by the above-mentioned conventional film forming method tends to be randomly oriented, so that a crystallized film oriented in the C-axis in the as-deposited state should be obtained. Then, the substrate temperature is 600
It is necessary to raise the temperature to ℃ or more, Si-CCD, MOS
-Direct film formation on devices such as FETs was impossible.
【０００４】この発明は上記従来の欠点を解決するため
になされたものであって、その目的は、低温でもってＣ
軸配向度が高く、結晶性の良い無機誘電体薄膜を形成す
ることが可能な無機誘電体薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to reduce C at low temperature.
An object of the present invention is to provide a method for producing an inorganic dielectric thin film having a high degree of axial orientation and capable of forming an inorganic dielectric thin film having good crystallinity.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】そこで請求項１の無機誘
電体薄膜の製造方法は、高融点金属と低融点金属との複
合酸化物より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等
を利用した蒸着法によって基板上に形成するための無機
誘電体薄膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対し
てレーザビームを照射することを特徴としている。Therefore, the method for producing an inorganic dielectric thin film according to claim 1 utilizes an inorganic dielectric thin film composed of a complex oxide of a high melting point metal and a low melting point metal, and the generated excited species or the like. In the method for producing an inorganic dielectric thin film to be formed on a substrate by the above vapor deposition method, the substrate is irradiated with a laser beam during vapor deposition.
【０００６】請求項２の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。A method of manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 2 is
The vapor deposition method is a vapor deposition method using a laser beam.
【０００７】請求項３の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームの強度が約１Ｊ／ｃｍ２であ
り、また上記基板照射用レーザビームの強度が１０〜８
０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２で
あることを特徴としている。A method for manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 3 is
The vapor deposition laser beam has an intensity of about 1 J / cm 2 , and the substrate irradiation laser beam has an intensity of 10 to 8
The feature is 0 mJ / cm 2 , preferably 30 to 50 mJ / cm 2 .
【０００８】請求項４の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームとして基板照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記基板照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して成膜物質に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。A method of manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 4 is
While using a laser beam having a higher energy than the laser beam for irradiating the substrate as the laser beam for vapor deposition, as compared with the laser beam for vapor deposition as the laser beam for irradiating the substrate, the absorption efficiency for a film-forming substance is equal to or more than that. Is characterized by using a high laser beam.
【０００９】請求項５の無機誘電体薄膜の製造方法は、
高融点金属と低融点金属との複合酸化物より成る無機誘
電体薄膜を、生成した励起種等を利用した蒸着法によっ
て基板上に形成するための無機誘電体薄膜の製造方法に
おいて、蒸発気相に対してレーザビームを照射すること
を特徴としている。The method for producing an inorganic dielectric thin film according to claim 5 is
A method for producing an inorganic dielectric thin film for forming an inorganic dielectric thin film composed of a complex oxide of a high melting point metal and a low melting point metal on a substrate by a vapor deposition method utilizing the generated excited species, etc. It is characterized by irradiating a laser beam to.
【００１０】請求項６の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着法が、レーザビームを利用した蒸着法であるこ
とを特徴としている。A method of manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 6 is
The vapor deposition method is a vapor deposition method using a laser beam.
【００１１】請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法は、
上記蒸着用レーザビームとして気相照射用レーザビーム
よりもエネルギの高いレーザビームを使用する一方、上
記気相照射用レーザビームとして上記蒸着用レーザビー
ムと比較して蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれ
よりも高いレーザビームを用いることを特徴としてい
る。A method for manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 7 is
While using a laser beam having higher energy than the vapor phase irradiation laser beam as the vapor deposition laser beam, the vapor phase irradiation laser beam has the same absorption efficiency with respect to the vapor phase as compared with the vapor deposition laser beam. It is characterized by using a laser beam higher than that.
【００１２】[0012]
【作用】上記請求項１及び請求項５の無機誘電体薄膜の
製造方法によれば、基板温度を低温にしながらも、充分
なＣ軸配向をした結晶化膜が得られる。According to the method for producing an inorganic dielectric thin film of the above-mentioned claim 1 and claim 5, a crystallized film having a sufficient C-axis orientation can be obtained while the substrate temperature is kept low.
【００１３】また請求項２、請求項３、請求項４、請求
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、上記よりも一段と低い基板温度においても、結晶化
の良好なＣ軸配向をした無機誘電体薄膜を形成すること
が可能となる。According to the method for producing an inorganic dielectric thin film of claim 2, claim 3, claim 4, claim 6, and claim 7, crystallization is excellent even at a substrate temperature much lower than the above. It becomes possible to form an inorganic dielectric thin film having a C-axis orientation.
【００１４】[0014]
【実施例】次にこの発明の無機誘電体薄膜の製造方法の
具体的な実施例について、図面を参照しつつ詳細に説明
する。図１に実施装置の一例の概略構成を示す。同図に
おいて、１は成膜容器（真空チャンバ）、２はレーザ発
振器、３はターゲット、４は基板、５は酸素ガス導入路
をそれぞれ示している。この場合、レーザ発振器２から
は、紫外光であるＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）
が発振されるようなされており、このレーザビーム６
は、レンズ７及び成膜容器１に設けたレーザ導入口８を
それぞれ通過してターゲット３に照射される。そしてタ
ーゲット３から生成する励起種等が、上記ターゲッ卜３
と相対向して配置された基板４に蒸着し、これにより成
膜が行われる。この成膜装置は、エネルギ源（レーザ）
２と成膜容器（真空チャンバ）１とが分離しているとこ
ろに特徴があり、このため広範囲のガス圧力（１０
−１０Ｔｏｒｒ〜常圧）下での成膜が可能となる。また
同図において、９は上記とは別のレーザ発振器、１０は
ミラーをそれぞれ示しており、レーザ発振器９から発振
された励起用レーザビーム１１が、ミラー１０によっ
て、上記とは別のレーザ導入口１２から真空チャンバー
１内へと導入される。この場合、励起用レーザビーム１
１は、ミラー１０の角度調整によって、図２（ａ）に示
すように基板４に向けて照射されたり、あるいは図２
（ｂ）に示すように蒸発気相１３に向けて照射される。Next, specific examples of the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an example of the embodying apparatus. In the figure, 1 is a film forming container (vacuum chamber), 2 is a laser oscillator, 3 is a target, 4 is a substrate, and 5 is an oxygen gas introduction path. In this case, from the laser oscillator 2, an ArF excimer laser (193 nm) that is ultraviolet light is emitted.
This laser beam 6
Is irradiated onto the target 3 through the lens 7 and the laser introduction port 8 provided in the film forming container 1, respectively. The excited species generated from the target 3 are the target 3
The film is vapor-deposited on the substrate 4 arranged so as to face the above, and thereby a film is formed. This film deposition system uses an energy source (laser)
2 and the film forming container (vacuum chamber) 1 are separated from each other. Therefore, a wide range of gas pressure (10
It is possible to form a film under ( -10 Torr to normal pressure). Further, in the figure, reference numeral 9 denotes a laser oscillator different from the above, and 10 denotes a mirror, respectively, and the excitation laser beam 11 oscillated from the laser oscillator 9 is reflected by the mirror 10 at a laser introduction port different from the above. It is introduced from 12 into the vacuum chamber 1. In this case, the excitation laser beam 1
1 is irradiated toward the substrate 4 as shown in FIG. 2A by adjusting the angle of the mirror 10, or
As shown in (b), the vapor phase 13 is irradiated.
【００１５】まず最初に励起用レーザビーム１１を基板
４に照射する場合の実施例について説明する。First, an embodiment in which the substrate 4 is irradiated with the excitation laser beam 11 will be described.
【００１６】実施例１ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：１０ｍＪ／ｃｍ２ Example 1 Laser intensity: 1-3 J / cm 2 Repetition frequency: 5-30 Hz Substrate temperature (Ts): 380 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Substrate irradiation laser intensity: 10 mJ / Cm 2
【００１７】比較例１ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０・１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ：なし Comparative Example 1 Laser intensity: 1 to 3 J / cm 2 Repetition frequency: 5 to 30 Hz Substrate temperature (Ts): 380 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Substrate irradiation laser: None
【００１８】比較例２ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：４５０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ：なし Comparative Example 2 Laser intensity: 1-3 J / cm 2 Repetition frequency: 5-30 Hz Substrate temperature (Ts): 450 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Substrate irradiation laser: None
【００１９】上記実施例１及び比較例１、２において作
成したＰｂＴｉＯ３薄膜のＸ線回折パターンを図３に示
す。同図から明らかな通り、基板温度（Ｔｓ）が低温
（３８０℃）の場合、基板４へのレーザ照射があるとき
には（実施例１）、Ｃ軸配向を示す指数（００１）（０
０２）のＸ線強度が高く、結晶化した薄膜を形成し得る
ものの、基板４へのレーザ照射がないときには（比較例
１）、結晶化した薄膜は得られない。また基板４へのレ
ーザ照射がない条件において結晶化した薄膜を得ようと
すれば、比較例２のように、実施例１の場合よりも基板
温度（Ｔｓ）を約７０℃程度上昇させる必要が生じるこ
とになる。The X-ray diffraction patterns of the PbTiO 3 thin films prepared in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in FIG. As is clear from the figure, when the substrate temperature (Ts) is low (380 ° C.) and the substrate 4 is irradiated with the laser (Example 1), the index (001) (0) indicating the C-axis orientation is obtained.
Although the X-ray intensity of 02) is high and a crystallized thin film can be formed, a crystallized thin film cannot be obtained when the substrate 4 is not irradiated with laser (Comparative Example 1). In order to obtain a crystallized thin film under the condition that the substrate 4 is not irradiated with laser, it is necessary to raise the substrate temperature (Ts) by about 70 ° C. as compared with the case of Example 1 as in Comparative Example 2. Will occur.
【００２０】次に基板照射用レーザ強度の影響について
検討する。Next, the influence of the laser intensity for substrate irradiation will be examined.
【００２１】実施例２ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：３０ｍＪ／ｃｍ２ Example 2 Laser intensity: 1-3 J / cm 2 Repetition frequency: 5-30 Hz Substrate temperature (Ts): 380 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Laser intensity for substrate irradiation: 30 mJ / Cm 2
【００２２】上記によって得られたＰｂＴｉＯ３薄膜の
Ｘ線回折パターンを図４に示す。なお図４には上記実施
例１（基板照射用レーザ強度：１０ｍＪ／ｃｍ２）、及
び比較例１（基板照射用レーザ：なし）のＸ線回折パタ
ーンを併記した。同図から明らかなように、基板照射用
レーザ強度が上昇すると、結晶性は向上することにな
る。The X-ray diffraction pattern of the PbTiO 3 thin film obtained above is shown in FIG. Note that FIG. 4 also shows the X-ray diffraction patterns of Example 1 (laser intensity for substrate irradiation: 10 mJ / cm 2 ) and Comparative Example 1 (laser for substrate irradiation: none). As is clear from the figure, as the substrate irradiation laser intensity increases, the crystallinity improves.
【００２３】実施例３ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：３８０℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：８０ｍＪ／ｃｍ２ Example 3 Laser intensity: 1-3 J / cm 2 Repetition frequency: 5-30 Hz Substrate temperature (Ts): 380 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Laser intensity for substrate irradiation: 80 mJ / Cm 2
【００２４】この実施例３のように基板照射用レーザ強
度が過大であると、図５に示すＸ線回折パターンから明
らかな通り、膜の再蒸発等が生じて膜質が悪化する傾向
が生じるようになる。このように膜質が悪化する傾向
は、ＳＥＭイメージ画像によっても明瞭に認められた。
なお基板照射用レーザ強度は、３０〜５０ｍＪ／ｃｍ２
が最適領域であることを確認している。When the substrate irradiation laser intensity is excessively high as in Example 3, the film quality tends to deteriorate due to re-evaporation of the film, as is clear from the X-ray diffraction pattern shown in FIG. become. Such a tendency that the film quality deteriorates was clearly recognized also in the SEM image.
The laser intensity for substrate irradiation is 30 to 50 mJ / cm 2.
Has been confirmed to be the optimum area.
【００２５】次に図２（ｂ）に示すように蒸発気相１３
に励起用レーザビームを照射する場合の実施例について
説明する。Next, as shown in FIG. 2B, the vapor phase 13
An example of irradiating the laser beam for excitation on will be described.
【００２６】実施例４ レーザ強度 ：１〜３Ｊ／ｃｍ２ 繰返し周波数 ：５〜３０Ｈｚ 基板温度（Ｔｓ）：４００℃ ターゲット ：ＰｂＴｉＯ３ ガス圧 ：０．１Ｔｏｒｒ（Ｏ２） 基板照射用レーザ強度：３０ｍＪ／ｃｍ２ Example 4 Laser intensity: 1-3 J / cm 2 Repetition frequency: 5-30 Hz Substrate temperature (Ts): 400 ° C. Target: PbTiO 3 gas pressure: 0.1 Torr (O 2 ) Laser intensity for substrate irradiation: 30 mJ / Cm 2
【００２７】この実施例４において得られたＰｂＴｉＯ
３薄膜のＸ線回折パターンを図６に示すが、この図か
ら、実施例４においても充分に結晶化した薄膜が得られ
ることが明らかである。なおこの気相照射レーザ強度
は、これよりもやや高い方が好ましく、また繰返し周波
数も１００Ｈｚ以上にするのが効果的であることを確認
している。PbTiO 2 obtained in this Example 4
The X-ray diffraction patterns of the 3 thin films are shown in FIG. 6, and it is clear from this figure that a sufficiently crystallized thin film can be obtained in Example 4 as well. It has been confirmed that the gas phase irradiation laser intensity is preferably slightly higher than this, and that the repetition frequency is 100 Hz or more.
【００２８】上記において使用する蒸着用のレーザビー
ム強度についても種々検討したが、このレーザビーム強
度が０．５Ｊ／ｃｍ２以下では組成ずれが生じ、結晶性
が悪くなり、また３〜４Ｊ／ｃｍ２以上になると膜質が
悪化することから、１Ｊ／ｃｍ２程度が最適であること
が確認された。Various studies were also conducted on the laser beam intensity for vapor deposition used in the above. When the laser beam intensity was 0.5 J / cm 2 or less, composition deviation occurred, crystallinity deteriorated, and 3 to 4 J / cm. It was confirmed that about 1 J / cm 2 is optimal because the film quality deteriorates when it is 2 or more.
【００２９】また上記蒸着用レーザビーム６と励起用レ
ーザビーム１１とは、同種類の波長のものを用いるので
はなく、蒸着用には１光子当りのエネルギの高いＡｒＦ
エキシマレーザを用い、励起用には励起する気相あるい
は物質の吸収効率の最も良好な波長のレーザ光を選択す
るのが好ましい。例えば、Ｎ２Ｏガス使用時にはＡｒＦ
エキシマレーザを、Ｏ３ガス使用にはＫｒＦエキシマレ
ーザ（波長：２４９ｎｍ）を、またＮＯ２ガス使用時に
はＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）やＸｅＦレーザ
（波長：３５１ｎｍ）を用いればよく、さらにこれ以外
のＹＡＧ−ＴＨＧ（波長：３５５ｎｍ）等の紫外光レー
ザを使用するのも有効である。Further, the vapor deposition laser beam 6 and the excitation laser beam 11 do not use the same type of wavelength, but ArF having a high energy per photon for vapor deposition.
It is preferable to use an excimer laser and to select a laser beam having a wavelength with the best absorption efficiency of a gas phase or a substance to be excited for excitation. For example, when using N 2 O gas, ArF
As the excimer laser, a KrF excimer laser (wavelength: 249 nm) can be used when using O 3 gas, and a XeCl laser (wavelength: 308 nm) or a XeF laser (wavelength: 351 nm) can be used when using NO 2 gas. It is also effective to use an ultraviolet light laser such as YAG-THG (wavelength: 355 nm).
【００３０】なお上記各実施例においては、成膜物質と
してＰｂＴｉＯ３を用いているが、これ以外のもの、例
えばＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３、ＬｉＴａＯ３、
ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３等を使用す
ることが可能である。In each of the above embodiments, PbTiO 3 is used as the film forming material, but other substances such as Pb (Zr, Ti) O 3 , (Pb, La) (Zr,
Ti) O 3 , (Pb, La) TiO 3 , LiTaO 3 ,
It is possible to use BaTiO 3 , LiNbO 3 , SrTiO 3 or the like.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように請求項１及び請求項５の無
機誘電体薄膜の製造方法によれば、基板温度を従来より
も低温にしながらも、充分なＣ軸配向をした結晶化膜が
得られることになる。As described above, according to the method for producing an inorganic dielectric thin film of claims 1 and 5, a crystallized film having a sufficient C-axis orientation can be obtained while the substrate temperature is lower than that of the conventional one. Will be obtained.
【００３２】また請求項２、請求項３、請求項４、請求
項６及び請求項７の無機誘電体薄膜の製造方法によれ
ば、Ｃ軸配向した結晶化膜が得られる基板温度を一段と
低下し得ることになる。Further, according to the method for producing an inorganic dielectric thin film of claim 2, claim 3, claim 4, claim 6 and claim 7, the substrate temperature at which a C-axis oriented crystallized film is obtained is further lowered. You will be able to do it.
【図１】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法を実施す
るための装置の一例を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention.
【図２】励起用レーザビームの照射状態の説明図で、同
図（ａ）は基板照射状態、同図（ｂ）は気相照射状態を
それぞれ示している。2A and 2B are explanatory views of an irradiation state of a laser beam for excitation, wherein FIG. 2A shows a substrate irradiation state and FIG. 2B shows a vapor phase irradiation state.
【図３】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法の一実施
例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のもの
とを対比して示すＸ線回折パターン図である。FIG. 3 is an X-ray diffraction pattern diagram showing the PbTiO 3 thin film obtained in one example of the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention and a comparative example in comparison.
【図４】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法の他の実
施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較例のも
のとを対比して示すＸ線回折パターン図である。FIG. 4 is an X-ray diffraction pattern diagram showing a comparison between a PbTiO 3 thin film obtained in another example of the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention and a comparative example.
【図５】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法のさらに
他の実施例において得られたＰｂＴｉＯ３薄膜と、比較
例のものとを対比して示すＸ線回折パターン図である。FIG. 5 is an X-ray diffraction pattern diagram showing the PbTiO 3 thin film obtained in still another example of the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention and the comparative example in comparison.
【図６】この発明の無機誘電体薄膜の製造方法における
気相照射についての実施例において得られたＰｂＴｉＯ
３薄膜と、比較例のものとを対比して示すＸ線回折パタ
ーン図である。FIG. 6 shows PbTiO 2 obtained in an example of vapor phase irradiation in the method for producing an inorganic dielectric thin film of the present invention.
It is an X-ray-diffraction pattern figure which shows and compares 3 thin films and a thing of a comparative example.
３ ターゲット ４ 基板 ６ 蒸着用レーザビーム １１ 励起用レーザビーム １３ 蒸発気相 3 Target 4 Substrate 6 Deposition Laser Beam 11 Excitation Laser Beam 13 Vapor Phase
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南方 俊一 兵庫県明石市川崎町１番１号 川崎重工業 株式会社 明石工場内 (72)発明者 川合 知二 大阪府箕面市小野原2494−615 (72)発明者 河合 七雄 大阪府吹田市千里山五丁目47―20 (56)参考文献 特開 昭60−50166（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shunichi Minakata 1-1 Kawasaki-cho, Akashi-shi, Hyogo Kawasaki Heavy Industries Ltd. Akashi factory (72) Inventor Tomoji Kawai 2494-615, Onohara, Minoh-shi, Osaka (72) Inventor Nanao Kawai 47-20, Senriyama 5-chome, Suita City, Osaka Prefecture (56) References JP-A-60-50166 (JP, A)
Claims (7)
より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等を利用し
た蒸着法によって基板上に形成するための無機誘電体薄
膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対してレーザ
ビームを照射することを特徴とする無機誘電体薄膜の製
造方法。1. A method for producing an inorganic dielectric thin film for forming an inorganic dielectric thin film composed of a complex oxide of a high melting point metal and a low melting point metal on a substrate by a vapor deposition method using the generated excited species or the like. 2. A method for manufacturing an inorganic dielectric thin film, which comprises irradiating a substrate with a laser beam during vapor deposition.
蒸着法であることを特徴とする請求項１の無機誘電体薄
膜の製造方法。2. The method for producing an inorganic dielectric thin film according to claim 1, wherein the vapor deposition method is a vapor deposition method using a laser beam.
／ｃｍ２であり、また上記基板照射用レーザビームの強
度が１０〜８０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは３０〜５０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項２の無機誘電
体薄膜の製造方法。3. The intensity of the laser beam for vapor deposition is about 1 J.
/ Cm 2 , and the intensity of the laser beam for irradiating the substrate is 10 to 80 mJ / cm 2 , preferably 30 to 50 m.
Method of producing an inorganic dielectric thin film according to claim 2, characterized in that the J / cm 2.
用レーザビームよりもエネルギの高いレーザビームを使
用する一方、上記基板照射用レーザビームとして上記蒸
着用レーザビームと比較して成膜物質に対する吸収効率
が同等又はそれよりも高いレーザビームを用いることを
特徴とする請求項２又は請求項３の無機誘電体薄膜の製
造方法。4. A laser beam having a higher energy than a laser beam for irradiating a substrate is used as the laser beam for vapor deposition, while the laser beam for irradiating the substrate has an absorption efficiency for a film-forming substance as compared with the laser beam for vapor deposition. 4. A method of manufacturing an inorganic dielectric thin film according to claim 2 or 3, wherein a laser beam having the same or higher value is used.
より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等を利用し
た蒸着法によって基板上に形成するための無機誘電体薄
膜の製造方法において、蒸発気相に対してレーザビーム
を照射することを特徴とする無機誘電体薄膜の製造方
法。5. A method for producing an inorganic dielectric thin film for forming an inorganic dielectric thin film composed of a complex oxide of a high melting point metal and a low melting point metal on a substrate by a vapor deposition method using the generated excited species or the like. 2. A method for producing an inorganic dielectric thin film, which comprises irradiating a laser beam to the vapor phase.
蒸着法であることを特徴とする請求項５の無機誘電体薄
膜の製造方法。6. The method for producing an inorganic dielectric thin film according to claim 5, wherein the vapor deposition method is a vapor deposition method using a laser beam.
用レーザビームよりもエネルギの高いレーザビームを使
用する一方、上記気相照射用レーザビームとして上記蒸
着用レーザビームと比較して蒸発気相に対する吸収効率
が同等又はそれよりも高いレーザビームを用いることを
特徴とする請求項６の無機誘電体薄膜の製造方法。7. A laser beam having a higher energy than that of the vapor phase irradiation laser beam is used as the vapor deposition laser beam, and the vapor phase is compared with the vapor deposition laser beam as the vapor phase irradiation laser beam. 7. The method for producing an inorganic dielectric thin film according to claim 6, wherein a laser beam having an absorption efficiency equal to or higher than that is used.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678691A JPH0791632B2 (en) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | Method for manufacturing inorganic dielectric thin film |
| GB9118246A GB2250751B (en) | 1990-08-24 | 1991-08-23 | Process for the production of dielectric thin films |
| US08/051,817 US5395663A (en) | 1990-08-24 | 1993-04-26 | Process for producing a perovskite film by irradiating a target of the perovskite with a laser beam and simultaneously irradiating the substrate upon which the perovskite is deposited with a laser beam |
| GB9407946A GB2276393B (en) | 1990-08-24 | 1994-04-21 | Pyroelectric type of sensor |
| US08/353,293 US5532504A (en) | 1990-08-24 | 1994-12-05 | Process for the production of dielectric thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26678691A JPH0791632B2 (en) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | Method for manufacturing inorganic dielectric thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230632A JPH05230632A (en) | 1993-09-07 |
| JPH0791632B2 true JPH0791632B2 (en) | 1995-10-04 |
Family
ID=17435675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26678691A Expired - Lifetime JPH0791632B2 (en) | 1990-08-24 | 1991-07-12 | Method for manufacturing inorganic dielectric thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791632B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5731046A (en) * | 1994-01-18 | 1998-03-24 | Qqc, Inc. | Fabrication of diamond and diamond-like carbon coatings |
| EP0752018A4 (en) * | 1994-05-12 | 1998-09-02 | Qqc Inc | Surface treatment techniques |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP26678691A patent/JPH0791632B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05230632A (en) | 1993-09-07 |
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