JPH0788761A - 半導体基板の研磨用保持板 - Google Patents
半導体基板の研磨用保持板Info
- Publication number
- JPH0788761A JPH0788761A JP25928293A JP25928293A JPH0788761A JP H0788761 A JPH0788761 A JP H0788761A JP 25928293 A JP25928293 A JP 25928293A JP 25928293 A JP25928293 A JP 25928293A JP H0788761 A JPH0788761 A JP H0788761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding plate
- polishing
- substrate
- semiconductor substrate
- porous ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハ等の半導体基板を鏡面研磨
する研磨装置において、被研磨基板を変形させることな
く保持しかつ吸着面に付着する異物に伴う基板表面の凹
部の発生を防止した半導体基板の研磨用保持板の提供
を。 【構成】 表面に吸引孔路４を設けて内部の吸引孔３と
連通させてある回転キャリア２上に配置されて、金属リ
ング８にて固着される保持板１０は、その基板吸着側に
幅１．０ｍｍ、深さ０．５ｍｍの細溝１１を同心円状に
多数刻設してあり、基板１上に付着した異物は細溝１１
内へ入り込み、また、保持板１０の表面状に付着した異
物はブラシング等により細溝１１内へ排出されるため、
吸着した基板は研磨後に異物等による部分的なくぼみは
全く発生しない。
する研磨装置において、被研磨基板を変形させることな
く保持しかつ吸着面に付着する異物に伴う基板表面の凹
部の発生を防止した半導体基板の研磨用保持板の提供
を。 【構成】 表面に吸引孔路４を設けて内部の吸引孔３と
連通させてある回転キャリア２上に配置されて、金属リ
ング８にて固着される保持板１０は、その基板吸着側に
幅１．０ｍｍ、深さ０．５ｍｍの細溝１１を同心円状に
多数刻設してあり、基板１上に付着した異物は細溝１１
内へ入り込み、また、保持板１０の表面状に付着した異
物はブラシング等により細溝１１内へ排出されるため、
吸着した基板は研磨後に異物等による部分的なくぼみは
全く発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェーハ等
の半導体基板を鏡面研磨する研磨装置に用い半導体基板
を吸着支持するための研磨用保持板に係り、ポーラスセ
ラミックスからなる保持板の基板吸着側に所定の幅及び
深さ寸法からなる細溝を多数配設して、変形させること
なく保持しかつ吸着面に付着する異物に伴う基板表面の
凹部の発生を防止した半導体基板の研磨用保持板に関す
る。
の半導体基板を鏡面研磨する研磨装置に用い半導体基板
を吸着支持するための研磨用保持板に係り、ポーラスセ
ラミックスからなる保持板の基板吸着側に所定の幅及び
深さ寸法からなる細溝を多数配設して、変形させること
なく保持しかつ吸着面に付着する異物に伴う基板表面の
凹部の発生を防止した半導体基板の研磨用保持板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ等の製造に当たっては
表面破壊層を削り、欠陥のない単結晶面を得るべくラッ
ピングやポリシングなどの表面加工工程が存在する。こ
の工程において、基板を研削、研磨する場合、研削、研
磨装置にウェーハ等を固定するため、回転キャリアに保
持された保持板表面に基板を当接させ吸引固定するので
あるが、従来の保持板としては、一般的に研削用として
硬質材料のポーラスセラミックスを使ったもの、高精度
の平坦度が要求される研磨用として軟質材料の金属板や
アクリル板に細孔を多数個穿孔したものなどが用いられ
ていた。
表面破壊層を削り、欠陥のない単結晶面を得るべくラッ
ピングやポリシングなどの表面加工工程が存在する。こ
の工程において、基板を研削、研磨する場合、研削、研
磨装置にウェーハ等を固定するため、回転キャリアに保
持された保持板表面に基板を当接させ吸引固定するので
あるが、従来の保持板としては、一般的に研削用として
硬質材料のポーラスセラミックスを使ったもの、高精度
の平坦度が要求される研磨用として軟質材料の金属板や
アクリル板に細孔を多数個穿孔したものなどが用いられ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】金属保持板を用いた例
を図３に示す如く、回転キャリア２上に配置する厚板の
金属保持板５に吸引用細孔６を設けてあり、回転キャリ
ア２側の吸引孔３及び吸引孔路４と連通させて基板１を
吸引固定するが、金属保持板５の表面に現れる吸引用細
孔６が基板１の全面を均一に吸着することができず、研
磨後の基板１に図５に示すような微妙なうねりとなり基
板の精度が低下する問題があった。
を図３に示す如く、回転キャリア２上に配置する厚板の
金属保持板５に吸引用細孔６を設けてあり、回転キャリ
ア２側の吸引孔３及び吸引孔路４と連通させて基板１を
吸引固定するが、金属保持板５の表面に現れる吸引用細
孔６が基板１の全面を均一に吸着することができず、研
磨後の基板１に図５に示すような微妙なうねりとなり基
板の精度が低下する問題があった。
【０００４】図４に示す保持板は、ポーラスセラミック
スを用いたもので、ポーラスセラミックス保持板７は吸
引孔路４を有する回転基盤２上に載せられ、このポーラ
スセラミックス保持板７の外周には吸引孔を閉じる目的
とポーラスセラミックスの割れの防止のため、金属リン
グ８が配置されている。ポーラスセラミックスを使用す
ることで基板１の全面を均一に吸着することができ、微
妙なうねりは解決できるが、基板１の裏面及びポーラス
セラミックス７の吸着面にゴミなどの異物９が付着する
ことで、図５に示すように加工後基板１にくぼみが発生
する問題がある。従って、硬質材料のポーラスセラミッ
クス製保持板は、くぼみの発生をともなうことから、一
般的にシリコンウェーハの仕上げ研磨には使用されない
ものであった。
スを用いたもので、ポーラスセラミックス保持板７は吸
引孔路４を有する回転基盤２上に載せられ、このポーラ
スセラミックス保持板７の外周には吸引孔を閉じる目的
とポーラスセラミックスの割れの防止のため、金属リン
グ８が配置されている。ポーラスセラミックスを使用す
ることで基板１の全面を均一に吸着することができ、微
妙なうねりは解決できるが、基板１の裏面及びポーラス
セラミックス７の吸着面にゴミなどの異物９が付着する
ことで、図５に示すように加工後基板１にくぼみが発生
する問題がある。従って、硬質材料のポーラスセラミッ
クス製保持板は、くぼみの発生をともなうことから、一
般的にシリコンウェーハの仕上げ研磨には使用されない
ものであった。
【０００５】また、ポーラスセラミックス保持板の外周
には吸引孔を閉じる目的とポーラスセラミックスの割れ
の防止のため、金属リングが配置されているが、リーク
の発生が多いことから保持板の外周にゴム製のシール材
を配設した構成が提案されている。しかし、保持板の外
周にゴム製シール材を配設することにより、半導体基板
を吸着保持して鏡面研磨する研磨装置としての剛性が不
足する可能性があり、研磨精度への悪影響が懸念され
る。さらに、保持板の直径は加工する半導体基板の直径
とほぼ同等となしてリークが発生しないようにするが、
半導体基板にはオリエンテーションフラットなどの切り
欠き部が設けてあるため、同部よりリークが発生し吸着
力が低下する問題があった。
には吸引孔を閉じる目的とポーラスセラミックスの割れ
の防止のため、金属リングが配置されているが、リーク
の発生が多いことから保持板の外周にゴム製のシール材
を配設した構成が提案されている。しかし、保持板の外
周にゴム製シール材を配設することにより、半導体基板
を吸着保持して鏡面研磨する研磨装置としての剛性が不
足する可能性があり、研磨精度への悪影響が懸念され
る。さらに、保持板の直径は加工する半導体基板の直径
とほぼ同等となしてリークが発生しないようにするが、
半導体基板にはオリエンテーションフラットなどの切り
欠き部が設けてあるため、同部よりリークが発生し吸着
力が低下する問題があった。
【０００６】この発明は、シリコンウェーハ等の半導体
基板を鏡面研磨する研磨装置において、被研磨基板を変
形させることなく保持しかつ吸着面に付着する異物に伴
う基板表面の凹部の発生を防止した半導体基板の研磨用
保持板の提供を目的とし、さらに、安定した吸着力を発
揮できる構成からなる半導体基板の研磨用保持板の提供
を目的としている。
基板を鏡面研磨する研磨装置において、被研磨基板を変
形させることなく保持しかつ吸着面に付着する異物に伴
う基板表面の凹部の発生を防止した半導体基板の研磨用
保持板の提供を目的とし、さらに、安定した吸着力を発
揮できる構成からなる半導体基板の研磨用保持板の提供
を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、研磨用回転
キャリアに半導体基板を吸着支持するための研磨用保持
板を着設し、かつキャリア本体に基板を真空吸着するた
めの吸着孔を有する半導体基板の研磨装置に用いる研磨
用保持板において、保持板がポーラスセラミックスから
なり、該保持板の基板吸着側に幅寸法が０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍ、深さ寸法が０．５ｍｍ以上の複数の細溝を
配設したことを特徴とする半導体基板の研磨用保持板で
ある。また、この発明は、上記の構成において、細溝が
同心円状に配置されていることを特徴とする半導体基板
の研磨用保持板を合わせて提案する。さらに、この発明
は、上記の構成において、ポーラスセラミックスの平均
細孔径が１０μｍを超え５０μｍ以下であり、気孔率が
３０％〜５０％であること、保持板の外周端から３ｍｍ
〜１０ｍｍの範囲にあるポーラスセラミックスの平均細
孔径を１０μｍ以下となし、これ以外のポーラスセラミ
ックスの平均細孔径を２０μｍ〜５０μｍとしたことを
特徴とする半導体基板の研磨用保持板を合わせて提案す
る。
キャリアに半導体基板を吸着支持するための研磨用保持
板を着設し、かつキャリア本体に基板を真空吸着するた
めの吸着孔を有する半導体基板の研磨装置に用いる研磨
用保持板において、保持板がポーラスセラミックスから
なり、該保持板の基板吸着側に幅寸法が０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍ、深さ寸法が０．５ｍｍ以上の複数の細溝を
配設したことを特徴とする半導体基板の研磨用保持板で
ある。また、この発明は、上記の構成において、細溝が
同心円状に配置されていることを特徴とする半導体基板
の研磨用保持板を合わせて提案する。さらに、この発明
は、上記の構成において、ポーラスセラミックスの平均
細孔径が１０μｍを超え５０μｍ以下であり、気孔率が
３０％〜５０％であること、保持板の外周端から３ｍｍ
〜１０ｍｍの範囲にあるポーラスセラミックスの平均細
孔径を１０μｍ以下となし、これ以外のポーラスセラミ
ックスの平均細孔径を２０μｍ〜５０μｍとしたことを
特徴とする半導体基板の研磨用保持板を合わせて提案す
る。
【０００８】この発明において、ポーラスセラミックス
からなる保持板は、被加工基板の外形寸法よりわずかに
大きな外形寸法を有し、その表面に複数の細溝を例えば
同心円状に刻設することを特徴とするが、吸着面に付着
する異物を溝内に収納するためには、溝寸法は少なくと
も幅と深さが共に０．５ｍｍ以上が必要であるが、幅が
１．０ｍｍを超えると被加工基板表面の極部的平坦度の
精度が劣化する恐れがあるため、溝幅は０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍに限定する。なお、溝深さの上限は特に限定
しないが、あまり深くする必要はない。さらに、隣接す
る細溝間の距離も特に限定しないが、溝の幅と深さ寸法
におうじて、保持板の強度を低下させないようかつ被加
工基板表面の極部的平坦度の精度を劣化させない範囲で
細溝ピッチを選定し、例えば溝幅が０．５ｍｍの場合は
溝ピッチを最小限０．５ｍｍの細溝ピッチを選定し、多
数の細溝を配置することが好ましい。
からなる保持板は、被加工基板の外形寸法よりわずかに
大きな外形寸法を有し、その表面に複数の細溝を例えば
同心円状に刻設することを特徴とするが、吸着面に付着
する異物を溝内に収納するためには、溝寸法は少なくと
も幅と深さが共に０．５ｍｍ以上が必要であるが、幅が
１．０ｍｍを超えると被加工基板表面の極部的平坦度の
精度が劣化する恐れがあるため、溝幅は０．５ｍｍ〜
１．０ｍｍに限定する。なお、溝深さの上限は特に限定
しないが、あまり深くする必要はない。さらに、隣接す
る細溝間の距離も特に限定しないが、溝の幅と深さ寸法
におうじて、保持板の強度を低下させないようかつ被加
工基板表面の極部的平坦度の精度を劣化させない範囲で
細溝ピッチを選定し、例えば溝幅が０．５ｍｍの場合は
溝ピッチを最小限０．５ｍｍの細溝ピッチを選定し、多
数の細溝を配置することが好ましい。
【０００９】また、この発明において、保持板のポーラ
スセラミックス自体の特性は、その平均細孔径が１０μ
ｍを超え５０μｍ以下であり、気孔率が３０％〜５０％
であることが望ましく、平均細孔径が１０μｍ以下、気
孔率が３０％未満であると真空吸着効率が悪く、平均細
孔径が５０μｍを超え、気孔率が５０％を超えると真空
吸着が困難になるとともに、細溝ピッチを小さくできな
いため好ましくない。より好ましくは平均細孔径が１５
μｍ〜２５μｍであり、気孔率が４０％程度である。
スセラミックス自体の特性は、その平均細孔径が１０μ
ｍを超え５０μｍ以下であり、気孔率が３０％〜５０％
であることが望ましく、平均細孔径が１０μｍ以下、気
孔率が３０％未満であると真空吸着効率が悪く、平均細
孔径が５０μｍを超え、気孔率が５０％を超えると真空
吸着が困難になるとともに、細溝ピッチを小さくできな
いため好ましくない。より好ましくは平均細孔径が１５
μｍ〜２５μｍであり、気孔率が４０％程度である。
【００１０】この発明において、安定した吸着力を発揮
できる構成として、保持板の外周端から３ｍｍ〜１０ｍ
ｍの範囲にあるポーラスセラミックスの平均細孔径を１
０μｍ以下となし、これ以外のポーラスセラミックスの
平均細孔径を２０μｍ〜５０μｍとするが、保持板の外
周部に平均細孔径が１０μｍ以下のポーラスセラミック
スを用いるのは、平均細孔径が１０μｍを超えると吸着
時のリークを発生するためであり、保持板の外周端から
３ｍｍ未満の幅ではリーク防止効果がなく、１０ｍｍを
超えると吸着力が低下し好ましくなく、４〜５ｍｍ幅が
最も好ましい。
できる構成として、保持板の外周端から３ｍｍ〜１０ｍ
ｍの範囲にあるポーラスセラミックスの平均細孔径を１
０μｍ以下となし、これ以外のポーラスセラミックスの
平均細孔径を２０μｍ〜５０μｍとするが、保持板の外
周部に平均細孔径が１０μｍ以下のポーラスセラミック
スを用いるのは、平均細孔径が１０μｍを超えると吸着
時のリークを発生するためであり、保持板の外周端から
３ｍｍ未満の幅ではリーク防止効果がなく、１０ｍｍを
超えると吸着力が低下し好ましくなく、４〜５ｍｍ幅が
最も好ましい。
【００１１】
【作用】この発明による半導体基板の研磨用保持板は、
被加工基板の外形寸法よりわずかに大きな外形寸法を有
し、その表面に特定寸法からなる複数の細溝を例えば同
心円状に刻設することにより、鏡面研磨において、微妙
なうねりの発生がなく、研磨基板の平面度、平行度とも
に１μｍ以下に加工できるとともに、吸着面に付着する
異物に伴う基板表面の凹部の発生が防止され、基板の加
工精度の向上効果がある。さらに、保持板の外周部に平
均細孔径を１０μｍ以下となしたポーラスセラミックス
をリング状に配置することにより、オリエンテーション
フラット部よりリークが発生し吸着力が低下することが
なく、安定した吸着力を発揮できる。
被加工基板の外形寸法よりわずかに大きな外形寸法を有
し、その表面に特定寸法からなる複数の細溝を例えば同
心円状に刻設することにより、鏡面研磨において、微妙
なうねりの発生がなく、研磨基板の平面度、平行度とも
に１μｍ以下に加工できるとともに、吸着面に付着する
異物に伴う基板表面の凹部の発生が防止され、基板の加
工精度の向上効果がある。さらに、保持板の外周部に平
均細孔径を１０μｍ以下となしたポーラスセラミックス
をリング状に配置することにより、オリエンテーション
フラット部よりリークが発生し吸着力が低下することが
なく、安定した吸着力を発揮できる。
【００１２】
実施例１ 図１に示すこの発明による保持板１０は、表面に吸引孔
路４を設けて内部の吸引孔３と連通させてある回転キャ
リア２上に配置されて、金属リング８にて固着される。
保持板１０には、平均細孔径が２０μｍ、気孔率が４０
％のポーラスセラミックスを用い、基板吸着側に幅１．
０ｍｍ、深さ０．５ｍｍの細溝１１を同心円状に多数刻
設している。基板１を保持板１０に当接させ、バキュー
ムポンプを作動させると基板１の裏面はポーラスセラミ
ックスの保持板１０表面に密着する。保持板１０表面に
同心円状の細溝１１を多数入れることにより、基板１上
に付着した異物は細溝１１内へ入り込み、また、保持板
１０の表面状に付着した異物はブラシング等により細溝
１１内へ排出されるため、吸着した基板は研磨後に異物
等による部分的なくぼみは全く発生しなかった。
路４を設けて内部の吸引孔３と連通させてある回転キャ
リア２上に配置されて、金属リング８にて固着される。
保持板１０には、平均細孔径が２０μｍ、気孔率が４０
％のポーラスセラミックスを用い、基板吸着側に幅１．
０ｍｍ、深さ０．５ｍｍの細溝１１を同心円状に多数刻
設している。基板１を保持板１０に当接させ、バキュー
ムポンプを作動させると基板１の裏面はポーラスセラミ
ックスの保持板１０表面に密着する。保持板１０表面に
同心円状の細溝１１を多数入れることにより、基板１上
に付着した異物は細溝１１内へ入り込み、また、保持板
１０の表面状に付着した異物はブラシング等により細溝
１１内へ排出されるため、吸着した基板は研磨後に異物
等による部分的なくぼみは全く発生しなかった。
【００１３】実施例２ 図２に示すこの発明による保持板２０は、回転キャリア
２上に配置されて、金属リング８にて固着されるが、保
持板２０の外周部に平均細孔径１０μｍのポーラスセラ
ミックスからなる５ｍｍ幅のリング部２１を嵌着し、そ
の他の吸着部２２には平均細孔径３８μｍ、気孔率４０
％のポーラスセラミックス材を用いてある。さらに保持
板２０の表面には図示しないが、実施例１と同様の細溝
が配設してある。保持板２０に基板を載置して吸着させ
ると、基板のオリエンテーションフラット部はリング部
２１上に位置して同部からのリークがなく、吸引力の低
下は全くみられなかった。
２上に配置されて、金属リング８にて固着されるが、保
持板２０の外周部に平均細孔径１０μｍのポーラスセラ
ミックスからなる５ｍｍ幅のリング部２１を嵌着し、そ
の他の吸着部２２には平均細孔径３８μｍ、気孔率４０
％のポーラスセラミックス材を用いてある。さらに保持
板２０の表面には図示しないが、実施例１と同様の細溝
が配設してある。保持板２０に基板を載置して吸着させ
ると、基板のオリエンテーションフラット部はリング部
２１上に位置して同部からのリークがなく、吸引力の低
下は全くみられなかった。
【００１４】
【発明の効果】この発明による半導体基板の研磨用保持
板は、ポーラスセラミックスを使用することで不均一吸
着による微妙なうねりの発生を防止し、ポーラスセラミ
ックスの表面に特定寸法の細溝を刻設することで異物等
による基板のくぼみの発生を防ぐことができ、さらに安
定した吸引力を発揮して、研磨基板の平面度、平行度と
もに１μｍ以下に加工でき、基板の加工精度の向上を図
ることができる。
板は、ポーラスセラミックスを使用することで不均一吸
着による微妙なうねりの発生を防止し、ポーラスセラミ
ックスの表面に特定寸法の細溝を刻設することで異物等
による基板のくぼみの発生を防ぐことができ、さらに安
定した吸引力を発揮して、研磨基板の平面度、平行度と
もに１μｍ以下に加工でき、基板の加工精度の向上を図
ることができる。
【図１】Ａはこの発明による保持板の構成を研磨用回転
ホルダーと共に示す縦断説明図であり、Ｂは保持板の細
溝の構成を示す縦断説明図である。
ホルダーと共に示す縦断説明図であり、Ｂは保持板の細
溝の構成を示す縦断説明図である。
【図２】この発明による保持板の他の構成を研磨用回転
ホルダーと共に示す縦断説明図である。
ホルダーと共に示す縦断説明図である。
【図３】従来の厚板の金属保持板を用いた基板研磨用保
持板を示す縦断説明図である。
持板を示す縦断説明図である。
【図４】従来のポーラスセラミックスを用いた基板研磨
用保持板を示す縦断説明図である。
用保持板を示す縦断説明図である。
【図５】図３の金属保持板を用いた場合の基板の状態を
示す模式図であり、Ａは吸着時、Ｂは研磨後を示す。
示す模式図であり、Ａは吸着時、Ｂは研磨後を示す。
【図６】図４のポーラスセラミックスを用いた場合の基
板の状態を示す模式図であり、Ａは吸着時、Ｂは研磨後
を示す。
板の状態を示す模式図であり、Ａは吸着時、Ｂは研磨後
を示す。
１ 基板 ２ 回転キャリア ３ 吸引孔 ４ 吸引孔路 ５ 金属保持板 ６ 吸引用細孔 ７ ポーラスセラミックス保持板 ８ 金属リング ９ 異物 １０，２０ 保持板 １１ 細溝 ２１ リング部 ２２ 吸着部
Claims (4)
- 【請求項１】 研磨用回転キャリアに半導体基板を吸着
支持するための研磨用保持板を着設し、かつキャリア本
体に基板を真空吸着するための吸着孔を有する半導体基
板の研磨装置に用いる研磨用保持板において、保持板が
ポーラスセラミックスからなり、該保持板の基板吸着側
に幅寸法が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ、深さ寸法が０．５
ｍｍ以上の複数の細溝を配設したことを特徴とする半導
体基板の研磨用保持板。 - 【請求項２】 細溝が同心円状に配置されていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体基板の研磨用保持
板。 - 【請求項３】 ポーラスセラミックスの平均細孔径が１
０μｍを超え５０μｍ以下であり、気孔率が３０％〜５
０％であることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の半導体基板の研磨用保持板。 - 【請求項４】 保持板の外周端から３ｍｍ〜１０ｍｍの
範囲にあるポーラスセラミックスの平均細孔径を１０μ
ｍ以下となし、これ以外のポーラスセラミックスの平均
細孔径を２０μｍ〜５０μｍとしたことを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の半導体基板の研磨用保持
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25928293A JP2538511B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の研磨用保持板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25928293A JP2538511B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の研磨用保持板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0788761A true JPH0788761A (ja) | 1995-04-04 |
| JP2538511B2 JP2538511B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=17331927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25928293A Expired - Lifetime JP2538511B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の研磨用保持板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538511B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0950975A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
| JPH10193260A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ保持治具 |
| JP2003103455A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法 |
| JP2011044474A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削装置 |
| JP2018142631A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 日化精工株式会社 | ウェーハの仮止め用サポート基板及びウェーハの仮止め処理方法 |
| JP2019111594A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
| CN112847101A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-28 | 上海菲利华石创科技有限公司 | 用于半导体用石英板的抛光上盘装置及抛光上盘方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60142036U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-20 | オムロン株式会社 | ウエハチヤツクプレ−ト |
| JPS62297063A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 薄片状部材研磨用真空チヤツク装置 |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP25928293A patent/JP2538511B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60142036U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-20 | オムロン株式会社 | ウエハチヤツクプレ−ト |
| JPS62297063A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-12-24 | Hitachi Ltd | 薄片状部材研磨用真空チヤツク装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0950975A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Samsung Electron Co Ltd | ウェーハ研磨装置 |
| JPH10193260A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ保持治具 |
| JP2003103455A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法 |
| JP2011044474A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削装置 |
| JP2018142631A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 日化精工株式会社 | ウェーハの仮止め用サポート基板及びウェーハの仮止め処理方法 |
| JP2019111594A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル |
| CN112847101A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-28 | 上海菲利华石创科技有限公司 | 用于半导体用石英板的抛光上盘装置及抛光上盘方法 |
| CN112847101B (zh) * | 2021-01-05 | 2021-11-19 | 上海菲利华石创科技有限公司 | 用于半导体用石英板的抛光上盘装置及抛光上盘方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538511B2 (ja) | 1996-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4597228A (en) | Vacuum suction device | |
| JP3287761B2 (ja) | 真空吸着装置および加工装置 | |
| TW520317B (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
| US5893755A (en) | Method of polishing a semiconductor wafer | |
| JPH10135316A (ja) | 薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置 | |
| JP2538511B2 (ja) | 半導体基板の研磨用保持板 | |
| JP3732060B2 (ja) | 吸着プレート及び真空吸引装置 | |
| JP2004009165A (ja) | 吸着用チャック | |
| JP3252074B2 (ja) | 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 | |
| CN110605636B (zh) | 卡盘台、磨削装置及磨削品的制造方法 | |
| JPH08330401A (ja) | ウエハチャック | |
| JPH06132387A (ja) | 真空吸着ステージ | |
| JP2007180102A (ja) | 吸着体の製造方法及び吸着体 | |
| JPH07290355A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2004209633A (ja) | 加工用基板固定装置およびその製造方法 | |
| JP2004114184A (ja) | チャック | |
| JP2006035369A (ja) | 平面研磨機 | |
| JP2004322218A (ja) | 真空吸着装置 | |
| JPH03173129A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2007019317A (ja) | スピンチャック及びその製造方法 | |
| JP2615317B2 (ja) | スピンナーチャック | |
| JPS634937B2 (ja) | ||
| KR20190096093A (ko) | 웨이퍼 연마 장치용 템플릿 어셈블리 부착장치 | |
| JP4169432B2 (ja) | 被加工物の保持具、研磨装置及び研磨方法 | |
| JPH04206930A (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック |