JPH0786184A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
- Publication number
- JPH0786184A JPH0786184A JP5232669A JP23266993A JPH0786184A JP H0786184 A JPH0786184 A JP H0786184A JP 5232669 A JP5232669 A JP 5232669A JP 23266993 A JP23266993 A JP 23266993A JP H0786184 A JPH0786184 A JP H0786184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- crystal
- type
- gaas
- type gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶欠陥の少ない高信頼度の半導体レーザの
製造を目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1上に成長するn型GaA
sバッファ層2のGa原料とさらにその上に形成された
(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P(0≦x≦1)系の
結晶上に成長するn型GaAsブロック層9及びP型G
aAsコンタクト層11のGa原料をTMG(トリメチ
ルガリウム)にすることによってIn原料として使用さ
れるTMI(トリメチルインジウム)TEI(トリメチ
ルインジウム)との結晶成長装置内のメモリー効果によ
る中間生成物の形成をなくし、格子不整のない高品質の
結晶構造物を形成する。
製造を目的とする。 【構成】 n型GaAs基板1上に成長するn型GaA
sバッファ層2のGa原料とさらにその上に形成された
(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P(0≦x≦1)系の
結晶上に成長するn型GaAsブロック層9及びP型G
aAsコンタクト層11のGa原料をTMG(トリメチ
ルガリウム)にすることによってIn原料として使用さ
れるTMI(トリメチルインジウム)TEI(トリメチ
ルインジウム)との結晶成長装置内のメモリー効果によ
る中間生成物の形成をなくし、格子不整のない高品質の
結晶構造物を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置、例
えば、可視光半導体レーザの結晶の高品質化を可能とす
る製造方法に関するものである。
えば、可視光半導体レーザの結晶の高品質化を可能とす
る製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の結晶の製造方法は、図3
に示すように有機金属熱分解を用いた気相成長エピタキ
シャル法(MO−VPE)等によってn型GaAs基板
上1の上にn型GaAsバッファ層3,n型(Alx G
a1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0<x≦1)4,
Ga0.5 In0.5 P活性層5,P型(Alx Ga1-x )
0.5 In0.5 Pクラッド層(0<x≦1)6,P型Ga
0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8,n型GaAsブロ
ック層10,P型GaAsコンタクト層12を順次成長
せしめていた。(例えば、特開平3−53577号公
報)
に示すように有機金属熱分解を用いた気相成長エピタキ
シャル法(MO−VPE)等によってn型GaAs基板
上1の上にn型GaAsバッファ層3,n型(Alx G
a1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0<x≦1)4,
Ga0.5 In0.5 P活性層5,P型(Alx Ga1-x )
0.5 In0.5 Pクラッド層(0<x≦1)6,P型Ga
0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8,n型GaAsブロ
ック層10,P型GaAsコンタクト層12を順次成長
せしめていた。(例えば、特開平3−53577号公
報)
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の結晶の製造方法においてn型GaAsバッファ
層3やP型GaAsIn0.5 Pヘテロバッファ層7以降
のn型GaAsブロック層10,P型コンタクト層12
を成長する際、Ga原料にTEG(トリエチルガリウ
ム)等を使用すると(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P
(0≦X≦1)系の結晶成長にIn原料として使用され
るトリメチルインジユーム(以下TMI)やエチルイン
ジウム(以下TEI)等の結晶成長装置内のメモリー効
果によって中間生成物を形成し、GaAs層内にIn
(インジウム)を取り込んで、InGaAs層となる。
た従来の結晶の製造方法においてn型GaAsバッファ
層3やP型GaAsIn0.5 Pヘテロバッファ層7以降
のn型GaAsブロック層10,P型コンタクト層12
を成長する際、Ga原料にTEG(トリエチルガリウ
ム)等を使用すると(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P
(0≦X≦1)系の結晶成長にIn原料として使用され
るトリメチルインジユーム(以下TMI)やエチルイン
ジウム(以下TEI)等の結晶成長装置内のメモリー効
果によって中間生成物を形成し、GaAs層内にIn
(インジウム)を取り込んで、InGaAs層となる。
【0003】形成されたInGaAs層は、図5(a)
に示すように、GaAs基板の格子定数(i)より、格
子定数(j)となり、GaAs基板及びGaAs基板に
格子定数を一致させて成長した(Alx Ga1-x )0.5
In0.5 P(0≦X≦)系結晶との間に格子不整を生じ
させる。
に示すように、GaAs基板の格子定数(i)より、格
子定数(j)となり、GaAs基板及びGaAs基板に
格子定数を一致させて成長した(Alx Ga1-x )0.5
In0.5 P(0≦X≦)系結晶との間に格子不整を生じ
させる。
【0004】そしてこの格子不整を生じた結晶により作
製された半導体レーザに電源を注入しつづけると<11
0>暗線欠陥を増殖するため、図5(b)に示すように
動作電流が増加し、終には、劣化して発振しなくなると
いう問題点があった。
製された半導体レーザに電源を注入しつづけると<11
0>暗線欠陥を増殖するため、図5(b)に示すように
動作電流が増加し、終には、劣化して発振しなくなると
いう問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶の成長方法
はその成長工程の前にInを含む結晶の成長を行った設
備によるものであって、Gaの原料としてトリメチルガ
リウム(以下TMG)を使用する有機金属熱分解法であ
ることを特徴とするGaAs結晶の成長法である。
はその成長工程の前にInを含む結晶の成長を行った設
備によるものであって、Gaの原料としてトリメチルガ
リウム(以下TMG)を使用する有機金属熱分解法であ
ることを特徴とするGaAs結晶の成長法である。
【0006】さらに具体的にはn型GaAs基板上に成
長するn型GaAsバッファ層、さらにその上に形成さ
れた(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)
系の結晶上に成長するn型GaAsブロック層及びP型
GaAsコンタクト層の内の少なくともどれかのGaA
s層に適用することができ、好ましくはブロック層、コ
ンタクト層のInを含む層の後の成長工程に適用する方
が効果がある。
長するn型GaAsバッファ層、さらにその上に形成さ
れた(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)
系の結晶上に成長するn型GaAsブロック層及びP型
GaAsコンタクト層の内の少なくともどれかのGaA
s層に適用することができ、好ましくはブロック層、コ
ンタクト層のInを含む層の後の成長工程に適用する方
が効果がある。
【0007】さらに上記n型GaAsブロック素の下地
としてP型Aly Ga1-y Asヘテロバッファ層を使用
する場合はその成長のGa原料を同様にTMGとすると
同様な効果がある。
としてP型Aly Ga1-y Asヘテロバッファ層を使用
する場合はその成長のGa原料を同様にTMGとすると
同様な効果がある。
【0008】
【作用】上記の構成によるとn型GaAsバッファ層、
n型GaAsブロック層及びP型GaAsコンタクト層
成長時に、TMGを使用すると、(Alx Ga1-x )
0.5 In0.5 P(0≦X≦1)系の結晶成長に使用され
るTMI(トリメチルインジウム)又はTEI(トリエ
チルインジウム)等との結晶成長装置内のメモリー効果
による中間生成物を形成しないため、n型GaAsバッ
ファ層、n型GaAsブロック層及びP型GaAsコン
タクト層の格子定数は、GaAs基板に一致し、格子不
整を生じない。このため、この結晶により作製された半
導体レーザに電流を注入しつづけても<110>暗線欠
陥を生じない、高信頼性の半導体レーザを提供すること
ができる。
n型GaAsブロック層及びP型GaAsコンタクト層
成長時に、TMGを使用すると、(Alx Ga1-x )
0.5 In0.5 P(0≦X≦1)系の結晶成長に使用され
るTMI(トリメチルインジウム)又はTEI(トリエ
チルインジウム)等との結晶成長装置内のメモリー効果
による中間生成物を形成しないため、n型GaAsバッ
ファ層、n型GaAsブロック層及びP型GaAsコン
タクト層の格子定数は、GaAs基板に一致し、格子不
整を生じない。このため、この結晶により作製された半
導体レーザに電流を注入しつづけても<110>暗線欠
陥を生じない、高信頼性の半導体レーザを提供すること
ができる。
【0009】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【0010】説明に先立ち、従来例を示したものと同一
符号は、同一呼称であり、説明を省く。
符号は、同一呼称であり、説明を省く。
【0011】図1は、本発明の実施例1の結晶構造の断
面図を示したものである。n型GaAs基板1上に形成
するn型GaAsバッファ層2のGa原料をTMG(ト
リメチルガリウム)にて成長を行い、さらにその上にn
型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0≦
X≦1)4,Ga0.5 In0.5 P活性層5,P型(Al
x Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0≦X≦1)
6,P型Ga0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8を順次
成長する。そして、その上に成長するn型GaAsブロ
ック層9,P型GaAsコンタクト層11のGa原料を
TMGにすることにより、各GaAs層はTMI,TE
I等との装置内のメモリ効果による中間生成物を形成し
ないため、n型GaAsバッファ層2とn型GaAsブ
ロック層9及びn型GaAsコンタクト層11の格子定
数(j)は、図4(a)に示すようにGaAs基板の格
子定数(i)に一致する。
面図を示したものである。n型GaAs基板1上に形成
するn型GaAsバッファ層2のGa原料をTMG(ト
リメチルガリウム)にて成長を行い、さらにその上にn
型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0≦
X≦1)4,Ga0.5 In0.5 P活性層5,P型(Al
x Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層(0≦X≦1)
6,P型Ga0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8を順次
成長する。そして、その上に成長するn型GaAsブロ
ック層9,P型GaAsコンタクト層11のGa原料を
TMGにすることにより、各GaAs層はTMI,TE
I等との装置内のメモリ効果による中間生成物を形成し
ないため、n型GaAsバッファ層2とn型GaAsブ
ロック層9及びn型GaAsコンタクト層11の格子定
数(j)は、図4(a)に示すようにGaAs基板の格
子定数(i)に一致する。
【0012】このため、この結晶により作成された半導
体レーザに電流を注入しつづけても<110>暗線欠陥
を生じず、図5(b)に示す半導体レーザの自動光出力
制御動作電流において、安定した動作電流を示し、究発
的な劣化は生じない。
体レーザに電流を注入しつづけても<110>暗線欠陥
を生じず、図5(b)に示す半導体レーザの自動光出力
制御動作電流において、安定した動作電流を示し、究発
的な劣化は生じない。
【0013】
【実施例2】図2は、本発明の実施例2の結晶構造の断
面図を示したものである。
面図を示したものである。
【0014】この実施例は、前記実施例1のP型Ga
0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8の代わりにP型Al
y Ga1-y Asヘテロバッファ層(0.3<y<0.
7)7をもうけてP型(Alx Ga1-y )Pクラッド層
(0<X≦1)6とn型GaAsブロック層9または、
P型GaAsコンタクト層11とヘテロ界面で生じるい
わゆるヘテロ界面のバンド不連続であるバレソスバンド
スパイクの低減を行う。
0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層8の代わりにP型Al
y Ga1-y Asヘテロバッファ層(0.3<y<0.
7)7をもうけてP型(Alx Ga1-y )Pクラッド層
(0<X≦1)6とn型GaAsブロック層9または、
P型GaAsコンタクト層11とヘテロ界面で生じるい
わゆるヘテロ界面のバンド不連続であるバレソスバンド
スパイクの低減を行う。
【0015】P型Aly Ga1-y Asヘテロバッファ層
(0.3<y<0.7)7のGa原料は、TMGを使用
し、さらに実施例1と同様にn型GaAsブロック層
9,P型GaAsコンタクト層11のGa原料をTMG
(トリメチルガリウム)とすることにより、Aly Ga
1-y Asヘテロバッファ層(0.3<y<0.7)7,
n型GaAs層ブロック層9,n型GaAsコンタクト
層11の格子定数(j)は、図4(a)に示すようにG
aAs基板に一致する。
(0.3<y<0.7)7のGa原料は、TMGを使用
し、さらに実施例1と同様にn型GaAsブロック層
9,P型GaAsコンタクト層11のGa原料をTMG
(トリメチルガリウム)とすることにより、Aly Ga
1-y Asヘテロバッファ層(0.3<y<0.7)7,
n型GaAs層ブロック層9,n型GaAsコンタクト
層11の格子定数(j)は、図4(a)に示すようにG
aAs基板に一致する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
を採用することによって格子不整を生じない結晶が作製
できるため、この結晶にて作製された半導体レーザは、
電流を注入しつづけても<110>暗線欠陥による劣化
を生じない高信頼度の半導体レーザを製作することがで
きる。
を採用することによって格子不整を生じない結晶が作製
できるため、この結晶にて作製された半導体レーザは、
電流を注入しつづけても<110>暗線欠陥による劣化
を生じない高信頼度の半導体レーザを製作することがで
きる。
【図1】 本発明に係る実施例1の結晶構造の断面図
【図2】 本発明に係る実施例2の結晶構造の断面図
【図3】 従来の結晶構造の断面図
【図4】 aは、本発明に係る実施例1,実施例2の結
晶構造のX線回析強度曲線図 bは、aにて作製した半導体レーザの自動光出力制御動
作電流一時間の図
晶構造のX線回析強度曲線図 bは、aにて作製した半導体レーザの自動光出力制御動
作電流一時間の図
【図5】 aは、従来の結晶構造のX線回析強度曲線図 bは、aにて作製した半導体レーザの自動光出力制御動
作電流一時間の図
作電流一時間の図
1 n型GaAs基板 2 n型GaAsバッファ層 3 n型In混入GaAsバッファ層(InGaAs
層) 4 n型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層
(0<x≦1) 5 Ga0.5 In0.5 P活性層 6 P型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層
(0<x≦1) 7 P型Aly Ga1-y Asヘテロバッファ層(0.3
<y<0.7) 8 P型Ga0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層 9 n型GaAsブロック層 10 n型In混入GaAs層ブロック層(InGaA
s層) 11 P型GaAsコンタクト層 12 P型In混入GaAsコンタクト層(InGaA
s層)
層) 4 n型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層
(0<x≦1) 5 Ga0.5 In0.5 P活性層 6 P型(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 Pクラッド層
(0<x≦1) 7 P型Aly Ga1-y Asヘテロバッファ層(0.3
<y<0.7) 8 P型Ga0.5 In0.5 Pヘテロバッファ層 9 n型GaAsブロック層 10 n型In混入GaAs層ブロック層(InGaA
s層) 11 P型GaAsコンタクト層 12 P型In混入GaAsコンタクト層(InGaA
s層)
Claims (6)
- 【請求項1】その成長工程の前にInを含む結晶の成長
を行った設備による結晶成長であって、Gaの原料とし
てトリメチルガリウムを使用する有機金属熱分解法によ
ることを特徴とするGaAsの結晶成長方法。 - 【請求項2】有機金属熱分解によりGaAs基板上にG
aAs層を成長し、その上層にInを含む結晶を成長す
る結晶成長工程を基板をとりかえて繰り返し行う結晶成
長方法において、前記GaAs層の成長におけるGaの
原料として、トリメチルガリウムを使用することを特徴
とする結晶成長方法。 - 【請求項3】有機金属熱分解法によりGaAsを基板と
し、Inを含む結晶層を含む結晶成長を行い、その上層
にGaAs層の成長を行う結晶成長方法において、前記
GaAs層の成長におけるGaの原料としてトリメチル
ガリウムを使用することを特徴とする結晶成長方法。 - 【請求項4】有機金属熱分解法によりGaAsを基板と
し、Inを含む結晶層を含む結晶成長を行い、その上層
にAly Ga 1-y As(0.3<y<0.7)層の
成長を行う結晶成長方法において、前記Aly Ga
1-y As層の成長におけるGaの原料としてトリメチル
ガリウムを使用することを特徴とする結晶成長方法。 - 【請求項5】前記Inを含む結晶はGaAs基板に格子
整合するAl Ga In P系の結晶である請求項
1,請求項2,請求項3又は請求項4の結晶成長方法。 - 【請求項6】前記Al Ga In P系の結晶は(A
lX Ga1-x )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)系の結晶
である請求項5の結晶成長方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5232669A JPH0786184A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 結晶成長方法 |
US08/302,009 US5591260A (en) | 1993-09-20 | 1994-09-09 | Method for crystal growth |
KR1019940023737A KR0152678B1 (ko) | 1993-09-20 | 1994-09-16 | 결정성장 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5232669A JPH0786184A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786184A true JPH0786184A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16942944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5232669A Pending JPH0786184A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 結晶成長方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5591260A (ja) |
JP (1) | JPH0786184A (ja) |
KR (1) | KR0152678B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6225945B2 (ja) | 2015-05-26 | 2017-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175143A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JPH0697076A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | 薄膜の気相成長法 |
JPH0714785A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61210679A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5232669A patent/JPH0786184A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-09 US US08/302,009 patent/US5591260A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-16 KR KR1019940023737A patent/KR0152678B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175143A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JPH0697076A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | 薄膜の気相成長法 |
JPH0714785A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950010254A (ko) | 1995-04-26 |
KR0152678B1 (ko) | 1998-12-01 |
US5591260A (en) | 1997-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0803916B1 (en) | Manufacturing method of a light emitting device | |
JP3728332B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
JP3114809B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100319300B1 (ko) | 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자 | |
KR930004239B1 (ko) | 웨이퍼기판 및 화합물 반도체층으로 구성된 반도체기판 | |
US20070120142A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same | |
US5107317A (en) | Semiconductor device with first and second buffer layers | |
JPH02170413A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP3458625B2 (ja) | 半導体の成長方法 | |
JPH0786184A (ja) | 結晶成長方法 | |
JP2642404B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPH07120838B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4199835B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2702819B2 (ja) | 半導体レーザを含む装置 | |
JP2002075880A (ja) | 窒化物系半導体層の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JPH0684805A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
JP2728672B2 (ja) | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 | |
JPH07335988A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
US5606180A (en) | III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency | |
JP3242571B2 (ja) | 気相成長方法 | |
JPH01202880A (ja) | ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 | |
JP4157903B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JPH0817739A (ja) | 結晶成長方法 | |
JPH0936494A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JPH057054A (ja) | 歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法 |