JPH0786184A - 結晶成長方法 - Google Patents

結晶成長方法

Info

Publication number
JPH0786184A
JPH0786184A JP5232669A JP23266993A JPH0786184A JP H0786184 A JPH0786184 A JP H0786184A JP 5232669 A JP5232669 A JP 5232669A JP 23266993 A JP23266993 A JP 23266993A JP H0786184 A JPH0786184 A JP H0786184A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
crystal
type
gaas
type gaas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5232669A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadahiko Kishi
忠彦 岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5232669A priority Critical patent/JPH0786184A/ja
Priority to US08/302,009 priority patent/US5591260A/en
Priority to KR1019940023737A priority patent/KR0152678B1/ko
Publication of JPH0786184A publication Critical patent/JPH0786184A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/42—Gallium arsenide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02543—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 結晶欠陥の少ない高信頼度の半導体レーザの
製造を目的とする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上に成長するｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２のＧａ原料とさらにその上に形成された
（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（０≦ｘ≦１）系の
結晶上に成長するｎ型ＧａＡｓブロック層９及びＰ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層１１のＧａ原料をＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）にすることによってＩｎ原料として使用さ
れるＴＭＩ（トリメチルインジウム）ＴＥＩ（トリメチ
ルインジウム）との結晶成長装置内のメモリー効果によ
る中間生成物の形成をなくし、格子不整のない高品質の
結晶構造物を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置、例
えば、可視光半導体レーザの結晶の高品質化を可能とす
る製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の結晶の製造方法は、図３
に示すように有機金属熱分解を用いた気相成長エピタキ
シャル法（ＭＯ−ＶＰＥ）等によってｎ型ＧａＡｓ基板
上１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３，ｎ型（Ａｌx Ｇ
ａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）４，
Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５，Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０＜ｘ≦１）６，Ｐ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層８，ｎ型ＧａＡｓブロ
ック層１０，Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１２を順次成長
せしめていた。（例えば、特開平３−５３５７７号公
報）
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の結晶の製造方法においてｎ型ＧａＡｓバッファ
層３やＰ型ＧａＡｓＩｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層７以降
のｎ型ＧａＡｓブロック層１０，Ｐ型コンタクト層１２
を成長する際、Ｇａ原料にＴＥＧ（トリエチルガリウ
ム）等を使用すると（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
（０≦Ｘ≦１）系の結晶成長にＩｎ原料として使用され
るトリメチルインジユーム（以下ＴＭＩ）やエチルイン
ジウム（以下ＴＥＩ）等の結晶成長装置内のメモリー効
果によって中間生成物を形成し、ＧａＡｓ層内にＩｎ
（インジウム）を取り込んで、ＩｎＧａＡｓ層となる。
【０００３】形成されたＩｎＧａＡｓ層は、図５（ａ）
に示すように、ＧａＡｓ基板の格子定数（ｉ）より、格
子定数（ｊ）となり、ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板に
格子定数を一致させて成長した（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐ（０≦Ｘ≦）系結晶との間に格子不整を生じ
させる。
【０００４】そしてこの格子不整を生じた結晶により作
製された半導体レーザに電源を注入しつづけると＜１１
０＞暗線欠陥を増殖するため、図５（ｂ）に示すように
動作電流が増加し、終には、劣化して発振しなくなると
いう問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶の成長方法
はその成長工程の前にＩｎを含む結晶の成長を行った設
備によるものであって、Ｇａの原料としてトリメチルガ
リウム（以下ＴＭＧ）を使用する有機金属熱分解法であ
ることを特徴とするＧａＡｓ結晶の成長法である。
【０００６】さらに具体的にはｎ型ＧａＡｓ基板上に成
長するｎ型ＧａＡｓバッファ層、さらにその上に形成さ
れた（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（０≦Ｘ≦１）
系の結晶上に成長するｎ型ＧａＡｓブロック層及びＰ型
ＧａＡｓコンタクト層の内の少なくともどれかのＧａＡ
ｓ層に適用することができ、好ましくはブロック層、コ
ンタクト層のＩｎを含む層の後の成長工程に適用する方
が効果がある。
【０００７】さらに上記ｎ型ＧａＡｓブロック素の下地
としてＰ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓヘテロバッファ層を使用
する場合はその成長のＧａ原料を同様にＴＭＧとすると
同様な効果がある。
【０００８】
【作用】上記の構成によるとｎ型ＧａＡｓバッファ層、
ｎ型ＧａＡｓブロック層及びＰ型ＧａＡｓコンタクト層
成長時に、ＴＭＧを使用すると、（Ａｌx Ｇａ1-x ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（０≦Ｘ≦１）系の結晶成長に使用され
るＴＭＩ（トリメチルインジウム）又はＴＥＩ（トリエ
チルインジウム）等との結晶成長装置内のメモリー効果
による中間生成物を形成しないため、ｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層、ｎ型ＧａＡｓブロック層及びＰ型ＧａＡｓコン
タクト層の格子定数は、ＧａＡｓ基板に一致し、格子不
整を生じない。このため、この結晶により作製された半
導体レーザに電流を注入しつづけても＜１１０＞暗線欠
陥を生じない、高信頼性の半導体レーザを提供すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
【００１０】説明に先立ち、従来例を示したものと同一
符号は、同一呼称であり、説明を省く。
【００１１】図１は、本発明の実施例１の結晶構造の断
面図を示したものである。ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成
するｎ型ＧａＡｓバッファ層２のＧａ原料をＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）にて成長を行い、さらにその上にｎ
型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０≦
Ｘ≦１）４，Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層５，Ｐ型（Ａｌ
x Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（０≦Ｘ≦１）
６，Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層８を順次
成長する。そして、その上に成長するｎ型ＧａＡｓブロ
ック層９，Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１のＧａ原料を
ＴＭＧにすることにより、各ＧａＡｓ層はＴＭＩ，ＴＥ
Ｉ等との装置内のメモリ効果による中間生成物を形成し
ないため、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２とｎ型ＧａＡｓブ
ロック層９及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１の格子定
数（ｊ）は、図４（ａ）に示すようにＧａＡｓ基板の格
子定数（ｉ）に一致する。
【００１２】このため、この結晶により作成された半導
体レーザに電流を注入しつづけても＜１１０＞暗線欠陥
を生じず、図５（ｂ）に示す半導体レーザの自動光出力
制御動作電流において、安定した動作電流を示し、究発
的な劣化は生じない。
【００１３】
【実施例２】図２は、本発明の実施例２の結晶構造の断
面図を示したものである。
【００１４】この実施例は、前記実施例１のＰ型Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層８の代わりにＰ型Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓヘテロバッファ層（０．３＜ｙ＜０．
７）７をもうけてＰ型（Ａｌx Ｇａ1-y ）Ｐクラッド層
（０＜Ｘ≦１）６とｎ型ＧａＡｓブロック層９または、
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１とヘテロ界面で生じるい
わゆるヘテロ界面のバンド不連続であるバレソスバンド
スパイクの低減を行う。
【００１５】Ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓヘテロバッファ層
（０．３＜ｙ＜０．７）７のＧａ原料は、ＴＭＧを使用
し、さらに実施例１と同様にｎ型ＧａＡｓブロック層
９，Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１のＧａ原料をＴＭＧ
（トリメチルガリウム）とすることにより、Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓヘテロバッファ層（０．３＜ｙ＜０．７）７，
ｎ型ＧａＡｓ層ブロック層９，ｎ型ＧａＡｓコンタクト
層１１の格子定数（ｊ）は、図４（ａ）に示すようにＧ
ａＡｓ基板に一致する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
を採用することによって格子不整を生じない結晶が作製
できるため、この結晶にて作製された半導体レーザは、
電流を注入しつづけても＜１１０＞暗線欠陥による劣化
を生じない高信頼度の半導体レーザを製作することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る実施例１の結晶構造の断面図
【図２】 本発明に係る実施例２の結晶構造の断面図
【図３】 従来の結晶構造の断面図
【図４】 ａは、本発明に係る実施例１，実施例２の結
晶構造のＸ線回析強度曲線図 ｂは、ａにて作製した半導体レーザの自動光出力制御動
作電流一時間の図
【図５】 ａは、従来の結晶構造のＸ線回析強度曲線図 ｂは、ａにて作製した半導体レーザの自動光出力制御動
作電流一時間の図
【符号の説明】
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型Ｉｎ混入ＧａＡｓバッファ層（ＩｎＧａＡｓ
層） ４ ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ５ Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ６ Ｐ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
（０＜ｘ≦１） ７ Ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓヘテロバッファ層（０．３
＜ｙ＜０．７） ８ Ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐヘテロバッファ層 ９ ｎ型ＧａＡｓブロック層 １０ ｎ型Ｉｎ混入ＧａＡｓ層ブロック層（ＩｎＧａＡ
ｓ層） １１ Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １２ Ｐ型Ｉｎ混入ＧａＡｓコンタクト層（ＩｎＧａＡ
ｓ層）

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】その成長工程の前にＩｎを含む結晶の成長
    を行った設備による結晶成長であって、Ｇａの原料とし
    てトリメチルガリウムを使用する有機金属熱分解法によ
    ることを特徴とするＧａＡｓの結晶成長方法。
  2. 【請求項２】有機金属熱分解によりＧａＡｓ基板上にＧ
    ａＡｓ層を成長し、その上層にＩｎを含む結晶を成長す
    る結晶成長工程を基板をとりかえて繰り返し行う結晶成
    長方法において、前記ＧａＡｓ層の成長におけるＧａの
    原料として、トリメチルガリウムを使用することを特徴
    とする結晶成長方法。
  3. 【請求項３】有機金属熱分解法によりＧａＡｓを基板と
    し、Ｉｎを含む結晶層を含む結晶成長を行い、その上層
    にＧａＡｓ層の成長を行う結晶成長方法において、前記
    ＧａＡｓ層の成長におけるＧａの原料としてトリメチル
    ガリウムを使用することを特徴とする結晶成長方法。
  4. 【請求項４】有機金属熱分解法によりＧａＡｓを基板と
    し、Ｉｎを含む結晶層を含む結晶成長を行い、その上層
    にＡｌｙ Ｇａ 1-y Ａｓ（０．３＜ｙ＜０．７）層の
    成長を行う結晶成長方法において、前記Ａｌｙ Ｇａ
    1-y Ａｓ層の成長におけるＧａの原料としてトリメチル
    ガリウムを使用することを特徴とする結晶成長方法。
  5. 【請求項５】前記Ｉｎを含む結晶はＧａＡｓ基板に格子
    整合するＡｌ Ｇａ Ｉｎ Ｐ系の結晶である請求項
    １，請求項２，請求項３又は請求項４の結晶成長方法。
  6. 【請求項６】前記Ａｌ Ｇａ Ｉｎ Ｐ系の結晶は（Ａ
    ｌX Ｇａ1-x ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（０≦Ｘ≦１）系の結晶
    である請求項５の結晶成長方法。
JP5232669A 1993-09-20 1993-09-20 結晶成長方法 Pending JPH0786184A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5232669A JPH0786184A (ja) 1993-09-20 1993-09-20 結晶成長方法
US08/302,009 US5591260A (en) 1993-09-20 1994-09-09 Method for crystal growth
KR1019940023737A KR0152678B1 (ko) 1993-09-20 1994-09-16 결정성장 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5232669A JPH0786184A (ja) 1993-09-20 1993-09-20 結晶成長方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0786184A true JPH0786184A (ja) 1995-03-31

Family

ID=16942944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5232669A Pending JPH0786184A (ja) 1993-09-20 1993-09-20 結晶成長方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5591260A (ja)
JP (1) JPH0786184A (ja)
KR (1) KR0152678B1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6225945B2 (ja) 2015-05-26 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175143A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置の製造方法
JPH0697076A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Toshiba Corp 薄膜の気相成長法
JPH0714785A (ja) * 1993-06-28 1995-01-17 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210679A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Sony Corp 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175143A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置の製造方法
JPH0697076A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Toshiba Corp 薄膜の気相成長法
JPH0714785A (ja) * 1993-06-28 1995-01-17 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体エピタキシャル基板およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR950010254A (ko) 1995-04-26
KR0152678B1 (ko) 1998-12-01
US5591260A (en) 1997-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0803916B1 (en) Manufacturing method of a light emitting device
JP3728332B2 (ja) 化合物半導体発光素子
JP3114809B2 (ja) 半導体装置
KR100319300B1 (ko) 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자
KR930004239B1 (ko) 웨이퍼기판 및 화합물 반도체층으로 구성된 반도체기판
US20070120142A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
US5107317A (en) Semiconductor device with first and second buffer layers
JPH02170413A (ja) 化合物半導体装置
JP3458625B2 (ja) 半導体の成長方法
JPH0786184A (ja) 結晶成長方法
JP2642404B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
JPH07120838B2 (ja) 半導体発光装置
JP4199835B2 (ja) 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2702819B2 (ja) 半導体レーザを含む装置
JP2002075880A (ja) 窒化物系半導体層の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法
JPH0684805A (ja) 化合物半導体結晶成長方法
JP2728672B2 (ja) 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法
JPH07335988A (ja) 化合物半導体装置及びその製造方法
US5606180A (en) III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency
JP3242571B2 (ja) 気相成長方法
JPH01202880A (ja) ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置
JP4157903B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JPH0817739A (ja) 結晶成長方法
JPH0936494A (ja) 化合物半導体装置の製造方法
JPH057054A (ja) 歪量子井戸半導体レーザ素子および歪量子井戸構造の作製方法