JPH0786149A - X線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
X線露光用マスクの製造方法Info
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- JPH0786149A JPH0786149A JP23271993A JP23271993A JPH0786149A JP H0786149 A JPH0786149 A JP H0786149A JP 23271993 A JP23271993 A JP 23271993A JP 23271993 A JP23271993 A JP 23271993A JP H0786149 A JPH0786149 A JP H0786149A
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- film
- ray
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透過性支持膜の膜厚の如何によらずアライメ
ント光線の出射強度を安定させ確実かつ容易に位置整合
できるX線露光用マスクの製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板1の主面側上に露光用X線とア
ライメント光線を透過させる透過性支持膜2を形成する
と共に基板1の裏面側に保護膜3を形成し、かつ透過性
支持膜2上にアライメント光に対する表面側反射防止膜
4とパターン状のX線吸収体層5を順次形成する。次
に、上記保護膜3の中央部を除去した後、裏面側に露出
した基板1をエッチングしてX線透過窓を有する枠体を
形成すると共に透過性支持膜2の裏面側を露出させた。
そして、露出された透過性支持膜2の裏面側に裏面側反
射防止膜6を形成してX線露光用マスクを製造した。こ
の製造法によれば従来法に較べて枠体形成時の熱アルカ
リにより上記裏面側反射防止膜が侵されなくなり反射防
止膜の特性を維持することが可能となる。
ント光線の出射強度を安定させ確実かつ容易に位置整合
できるX線露光用マスクの製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板1の主面側上に露光用X線とア
ライメント光線を透過させる透過性支持膜2を形成する
と共に基板1の裏面側に保護膜3を形成し、かつ透過性
支持膜2上にアライメント光に対する表面側反射防止膜
4とパターン状のX線吸収体層5を順次形成する。次
に、上記保護膜3の中央部を除去した後、裏面側に露出
した基板1をエッチングしてX線透過窓を有する枠体を
形成すると共に透過性支持膜2の裏面側を露出させた。
そして、露出された透過性支持膜2の裏面側に裏面側反
射防止膜6を形成してX線露光用マスクを製造した。こ
の製造法によれば従来法に較べて枠体形成時の熱アルカ
リにより上記裏面側反射防止膜が侵されなくなり反射防
止膜の特性を維持することが可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線リソグラフィーに
使用されるX線露光用マスクの製造方法に係り、特に、
X線露光用マスクとウェハ等におけるアライメント精度
の向上が図れるX線露光用マスクの製造方法に関するも
のである。
使用されるX線露光用マスクの製造方法に係り、特に、
X線露光用マスクとウェハ等におけるアライメント精度
の向上が図れるX線露光用マスクの製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】この種のX線露光用マスクは、一般に、
図3に示すように中央部にX線透過窓a1を有する枠体
aと、この枠体aにその周縁部を保持され露光用X線と
アライメント光線とを共に透過させる透過性支持膜b
と、この透過性支持膜b表面側の主面上にパターン状に
設けられたX線吸収体層c並びにアライメントマークc
2とでその主要部が構成されている。
図3に示すように中央部にX線透過窓a1を有する枠体
aと、この枠体aにその周縁部を保持され露光用X線と
アライメント光線とを共に透過させる透過性支持膜b
と、この透過性支持膜b表面側の主面上にパターン状に
設けられたX線吸収体層c並びにアライメントマークc
2とでその主要部が構成されている。
【0003】尚、図中、dは上記枠体aを構成する基板
中央部をエッチングしてX線透過窓a1を形成する際に
エッチングレジストとして作用する保護膜を示してい
る。また、位置整合のためのアライメントマークc2は
上記X線吸収体層cの一部で構成されていることが普通
である。
中央部をエッチングしてX線透過窓a1を形成する際に
エッチングレジストとして作用する保護膜を示してい
る。また、位置整合のためのアライメントマークc2は
上記X線吸収体層cの一部で構成されていることが普通
である。
【0004】そして、このX線露光用マスクは以下のよ
うに使用される。すなわち、半導体ウエハー等の上に塗
布されたX線感受性レジスト膜上にこのX線露光用マス
クを重ね、アライメント光線を照射してその反射光線の
強度からX線露光用マスクのアライメントマークc2と
上記半導体ウエハー等に設けられたアライメントマーク
とを光学的に検出して両者を位置整合させ、次に軟X線
を照射して上記X線感受性レジスト膜をパターン状に露
光させる。X線感受性レジスト膜に露光されるパターン
は上記X線吸収体パターンに正確に対応しており、パタ
ーン状に露光されたX線感受性レジスト膜を現像して半
導体ウェハー等をパターン状に露出させることによりこ
の露出部位の半導体ウェハー等を選択的に加工すること
が可能となる。
うに使用される。すなわち、半導体ウエハー等の上に塗
布されたX線感受性レジスト膜上にこのX線露光用マス
クを重ね、アライメント光線を照射してその反射光線の
強度からX線露光用マスクのアライメントマークc2と
上記半導体ウエハー等に設けられたアライメントマーク
とを光学的に検出して両者を位置整合させ、次に軟X線
を照射して上記X線感受性レジスト膜をパターン状に露
光させる。X線感受性レジスト膜に露光されるパターン
は上記X線吸収体パターンに正確に対応しており、パタ
ーン状に露光されたX線感受性レジスト膜を現像して半
導体ウェハー等をパターン状に露出させることによりこ
の露出部位の半導体ウェハー等を選択的に加工すること
が可能となる。
【0005】ところで、透過性支持膜b内部に入射した
上記アライメント光線は多重反射を繰り返しこれ等多重
反射光が互いに干渉しながら透過性支持膜bから出射さ
れる。そして、上記透過性支持膜bの膜厚は1〜2μm
と薄いため膜厚の僅かな変動で出射光強度は大きく変動
する。このように従来においては上記透過性支持膜bの
膜厚によって変動し易い光強度によりアライメントマー
クc2を検出しているため、その正確な検出が困難であ
り、また検出結果が不正確になり易いという問題点を有
していた。これに対し、特開平5−129190号公報
は、図4に示すように、上記透過性支持膜bの表裏両面
にアライメント光線の反射防止膜e及びfを設けてその
多重反射を防止できるX線露光用マスクを提案してい
る。そして、この特開平5−129190号公報記載の
X線露光用マスクによれば、透過性支持膜bの多重反射
が生じることなく出射されるため、上記透過性支持膜b
の膜厚の如何によらずアライメント光線の出射強度が安
定し上記アライメントマークを容易かつ正確に検出する
ことが可能となる。
上記アライメント光線は多重反射を繰り返しこれ等多重
反射光が互いに干渉しながら透過性支持膜bから出射さ
れる。そして、上記透過性支持膜bの膜厚は1〜2μm
と薄いため膜厚の僅かな変動で出射光強度は大きく変動
する。このように従来においては上記透過性支持膜bの
膜厚によって変動し易い光強度によりアライメントマー
クc2を検出しているため、その正確な検出が困難であ
り、また検出結果が不正確になり易いという問題点を有
していた。これに対し、特開平5−129190号公報
は、図4に示すように、上記透過性支持膜bの表裏両面
にアライメント光線の反射防止膜e及びfを設けてその
多重反射を防止できるX線露光用マスクを提案してい
る。そして、この特開平5−129190号公報記載の
X線露光用マスクによれば、透過性支持膜bの多重反射
が生じることなく出射されるため、上記透過性支持膜b
の膜厚の如何によらずアライメント光線の出射強度が安
定し上記アライメントマークを容易かつ正確に検出する
ことが可能となる。
【0006】そして、この特開平5−129190号公
報記載のX線露光用マスクは以下のような方法で製造さ
れていた。すなわち、図5(A)に示すようにシリコン
基板a’の主面側に裏面側反射防止膜eを形成し、か
つ、この裏面側反射防止膜e上に透過性支持膜bを形成
すると共に、この透過性支持膜cと同一材料で基板a’
の裏面並びに側面側に保護膜dを形成する(図5B参
照)。次に、透過性支持膜b上に表面側反射防止膜f並
びにX線吸収体層cを順次成膜する(図5C参照)。そ
して、このX線吸収体層c上にレジストパターンgを形
成し(図5D参照)、このレジストパターンgをマスク
にしてRIE(反応性イオンエッチング)により上記X
線吸収体層cをパターニングしてパターン状のX線吸収
体層cとアライメントマークc2とを形成する(図5E
参照)。次に、裏面側の保護膜d上の周辺部にレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンをマスクにし
てRIEにより保護膜dをエッチングし基板a’の中央
部を露出させる(図5F参照)。そして、最後に、露出
した基板a’の中央部を熱アルカリでエッチング除去し
てX線透過窓a1を有する枠体aを形成し、図4におい
て示した上記X線露光用マスクを製造する。
報記載のX線露光用マスクは以下のような方法で製造さ
れていた。すなわち、図5(A)に示すようにシリコン
基板a’の主面側に裏面側反射防止膜eを形成し、か
つ、この裏面側反射防止膜e上に透過性支持膜bを形成
すると共に、この透過性支持膜cと同一材料で基板a’
の裏面並びに側面側に保護膜dを形成する(図5B参
照)。次に、透過性支持膜b上に表面側反射防止膜f並
びにX線吸収体層cを順次成膜する(図5C参照)。そ
して、このX線吸収体層c上にレジストパターンgを形
成し(図5D参照)、このレジストパターンgをマスク
にしてRIE(反応性イオンエッチング)により上記X
線吸収体層cをパターニングしてパターン状のX線吸収
体層cとアライメントマークc2とを形成する(図5E
参照)。次に、裏面側の保護膜d上の周辺部にレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンをマスクにし
てRIEにより保護膜dをエッチングし基板a’の中央
部を露出させる(図5F参照)。そして、最後に、露出
した基板a’の中央部を熱アルカリでエッチング除去し
てX線透過窓a1を有する枠体aを形成し、図4におい
て示した上記X線露光用マスクを製造する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
製造方法によれば、上記基板a’の中央部を熱アルカリ
でエッチングする際、裏面側反射防止膜eが上記熱アル
カリに接触して侵されその特性が劣化することがあっ
た。そして、裏面側反射防止膜eの特性が劣化するとア
ライメント光線に対する反射防止機能が不十分となるた
め、アライメント光線の強度が透過性支持膜bの僅かな
膜厚の変動で大きく変動し、アライメントマークc2の
正確な検出が困難となり、また、その検出結果が不正確
になり易いという問題点を有していた。
製造方法によれば、上記基板a’の中央部を熱アルカリ
でエッチングする際、裏面側反射防止膜eが上記熱アル
カリに接触して侵されその特性が劣化することがあっ
た。そして、裏面側反射防止膜eの特性が劣化するとア
ライメント光線に対する反射防止機能が不十分となるた
め、アライメント光線の強度が透過性支持膜bの僅かな
膜厚の変動で大きく変動し、アライメントマークc2の
正確な検出が困難となり、また、その検出結果が不正確
になり易いという問題点を有していた。
【0008】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、透過性支持膜b
の膜厚の如何によらずアライメント光線の出射強度を安
定させ、これにより確実かつ容易に位置整合できるX線
露光用マスクの製造方法を提供することにある。
れたもので、その課題とするところは、透過性支持膜b
の膜厚の如何によらずアライメント光線の出射強度を安
定させ、これにより確実かつ容易に位置整合できるX線
露光用マスクの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項1に係
る発明は、中央にX線透過窓を有する枠体と、この枠体
にその周縁部を保持されアライメント光とX線を共に透
過する透過性支持膜と、この透過性支持膜の少なくとも
上記X線透過窓に対応する部位の両面に設けられたアラ
イメント光に対する表面側並びに裏面側反射防止膜と、
上記透過性支持膜表面側の主面上にパターン状に設けら
れたX線吸収体層と、上記枠体の側面並びに裏面側に設
けられた保護膜とを備えるX線露光用マスクの製造方法
の製造方法を前提とし、枠体用基板の表面に透過性支持
膜をまた上記基板の裏面並びに側面に保護膜を構成する
被膜をそれぞれ形成すると共に上記透過性支持膜上に表
面側反射防止膜を形成し、かつ、この表面側反射防止膜
上に上記X線吸収体層を形成した後、上記X線透過窓に
対応する部位の保護膜用被膜をエッチングにより除去し
て枠体用基板の一部を露出させ、次いで、露出部位の枠
体用基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有す
る枠体を形成した後、露出する透過性支持膜の裏面に上
記裏面側反射防止膜を形成することを特徴とするもので
ある。
る発明は、中央にX線透過窓を有する枠体と、この枠体
にその周縁部を保持されアライメント光とX線を共に透
過する透過性支持膜と、この透過性支持膜の少なくとも
上記X線透過窓に対応する部位の両面に設けられたアラ
イメント光に対する表面側並びに裏面側反射防止膜と、
上記透過性支持膜表面側の主面上にパターン状に設けら
れたX線吸収体層と、上記枠体の側面並びに裏面側に設
けられた保護膜とを備えるX線露光用マスクの製造方法
の製造方法を前提とし、枠体用基板の表面に透過性支持
膜をまた上記基板の裏面並びに側面に保護膜を構成する
被膜をそれぞれ形成すると共に上記透過性支持膜上に表
面側反射防止膜を形成し、かつ、この表面側反射防止膜
上に上記X線吸収体層を形成した後、上記X線透過窓に
対応する部位の保護膜用被膜をエッチングにより除去し
て枠体用基板の一部を露出させ、次いで、露出部位の枠
体用基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有す
る枠体を形成した後、露出する透過性支持膜の裏面に上
記裏面側反射防止膜を形成することを特徴とするもので
ある。
【0010】そして、請求項1に係る発明によれば、枠
体用基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有す
る枠体を形成した後に上記裏面側反射防止膜を形成して
いることから、従来の製造方法に較べて基板エッチング
時の熱アルカリにより上記裏面側反射防止膜が侵される
ことがないため、所望の反射防止機能を有する裏面側反
射防止膜を確実に形成することが可能となる。従って、
アライメント光線の出射強度を安定させて確実かつ容易
に位置整合できるX線露光用マスクを確実に製造するこ
とが可能になる。
体用基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有す
る枠体を形成した後に上記裏面側反射防止膜を形成して
いることから、従来の製造方法に較べて基板エッチング
時の熱アルカリにより上記裏面側反射防止膜が侵される
ことがないため、所望の反射防止機能を有する裏面側反
射防止膜を確実に形成することが可能となる。従って、
アライメント光線の出射強度を安定させて確実かつ容易
に位置整合できるX線露光用マスクを確実に製造するこ
とが可能になる。
【0011】また、請求項1に係る発明によれば、従来
の製造方法と同様、上記表面側反射防止膜についてはパ
ターン状のX線吸収体層の形成に先立って形成されてい
るため、形成されたX線吸収体のパターンがその後の工
程で歪むことがなく精度良くそのパターンを維持するこ
とが可能となり、かつ、パターンの検査精度も向上す
る。尚、基板のエッチングの際には、表面側反射防止膜
を治具等で保護したり、あるいは熱アルカリを選択的に
裏面側から供給したりすることにより表面側反射防止膜
の熱アルカリによる浸蝕を防ぐことが可能である。
の製造方法と同様、上記表面側反射防止膜についてはパ
ターン状のX線吸収体層の形成に先立って形成されてい
るため、形成されたX線吸収体のパターンがその後の工
程で歪むことがなく精度良くそのパターンを維持するこ
とが可能となり、かつ、パターンの検査精度も向上す
る。尚、基板のエッチングの際には、表面側反射防止膜
を治具等で保護したり、あるいは熱アルカリを選択的に
裏面側から供給したりすることにより表面側反射防止膜
の熱アルカリによる浸蝕を防ぐことが可能である。
【0012】次に、請求項1に係る発明において、上記
透過性支持膜はX線吸収体層を物理的に支持固定し露光
用X線とアライメント光線を透過させるもので、機械的
強度に優れ、高いX線透過率とアライメント光線透過率
とを有し、かつX線照射耐性に優れたものが使用でき
る。このような透過性支持膜としては、例えば、Si
N、SiC、Si、B等から構成される厚さ1〜2μm
の薄膜が挙げられ、中でもSiNが好ましい。
透過性支持膜はX線吸収体層を物理的に支持固定し露光
用X線とアライメント光線を透過させるもので、機械的
強度に優れ、高いX線透過率とアライメント光線透過率
とを有し、かつX線照射耐性に優れたものが使用でき
る。このような透過性支持膜としては、例えば、Si
N、SiC、Si、B等から構成される厚さ1〜2μm
の薄膜が挙げられ、中でもSiNが好ましい。
【0013】また、表面側反射防止膜と裏面側反射防止
膜とは、それぞれ、透過性支持膜の表裏両面に密着して
設けられ、この透過性支持膜の表裏両面におけるアライ
メント光線の反射を防止または抑制するものであり、透
過性支持膜の屈折率の略平方根に等しい屈折率nを有す
る透明薄膜が適用できる。このような透明薄膜として
は、例えば、SiO2、SiO、MgF、MgO、Al2
O3 、HfO2 、ZrO、TiO2 、CeO2 、ZnS
等の薄膜が利用できる。また、これ等反射防止膜の光学
的膜厚nd(但し、nは反射防止膜の屈折率を表し、d
はその膜厚を表す)は上記アライメント光線の波長λの
略1/4に等しいことが望ましい。
膜とは、それぞれ、透過性支持膜の表裏両面に密着して
設けられ、この透過性支持膜の表裏両面におけるアライ
メント光線の反射を防止または抑制するものであり、透
過性支持膜の屈折率の略平方根に等しい屈折率nを有す
る透明薄膜が適用できる。このような透明薄膜として
は、例えば、SiO2、SiO、MgF、MgO、Al2
O3 、HfO2 、ZrO、TiO2 、CeO2 、ZnS
等の薄膜が利用できる。また、これ等反射防止膜の光学
的膜厚nd(但し、nは反射防止膜の屈折率を表し、d
はその膜厚を表す)は上記アライメント光線の波長λの
略1/4に等しいことが望ましい。
【0014】また、請求項1に係る発明において上記X
線吸収体層は、例えば、半導体ウエハー上に設けられた
X線感受性レジストをパターン状にX線露光させるもの
で、かかるX線吸収体層の存在部位ではX線を遮断して
上記レジストを露光させず、他方X線吸収体の不存在部
位ではX線が透過性支持膜とその表裏の反射防止膜を透
過して上記レジストを露光させる。このようなX線吸収
体層としては、Ta、W、Au等のX線吸収能力に優れ
た金属薄膜が適用でき、周知の反応性イオンエッチング
によりパターニングすることができる。尚、このX線吸
収体層のパターニングの際に、上記X線感受性レジスト
上に露光させるパターンの他にアライメントマークを形
成することが望ましい。
線吸収体層は、例えば、半導体ウエハー上に設けられた
X線感受性レジストをパターン状にX線露光させるもの
で、かかるX線吸収体層の存在部位ではX線を遮断して
上記レジストを露光させず、他方X線吸収体の不存在部
位ではX線が透過性支持膜とその表裏の反射防止膜を透
過して上記レジストを露光させる。このようなX線吸収
体層としては、Ta、W、Au等のX線吸収能力に優れ
た金属薄膜が適用でき、周知の反応性イオンエッチング
によりパターニングすることができる。尚、このX線吸
収体層のパターニングの際に、上記X線感受性レジスト
上に露光させるパターンの他にアライメントマークを形
成することが望ましい。
【0015】また、請求項1に係る発明において上記枠
体用基板としては、例えば、シリコン基板が適用でき、
また、上記保護層としては透過性支持膜と同一材質の薄
膜が適用できる。
体用基板としては、例えば、シリコン基板が適用でき、
また、上記保護層としては透過性支持膜と同一材質の薄
膜が適用できる。
【0016】
【作用】請求項1記載の発明に係るX線露光用マスクの
製造方法によれば、枠体用基板の表面に透過性支持膜を
また上記基板の裏面並びに側面に保護膜を構成する被膜
をそれぞれ形成すると共に上記透過性支持膜上に表面側
反射防止膜を形成し、かつ、この表面側反射防止膜上に
上記X線吸収体層を形成した後、上記X線透過窓に対応
する部位の保護膜用被膜をエッチングにより除去して枠
体用基板の一部を露出させ、次いで、露出部位の枠体用
基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有する枠
体を形成した後、露出する透過性支持膜の裏面に上記裏
面側反射防止膜を形成している。
製造方法によれば、枠体用基板の表面に透過性支持膜を
また上記基板の裏面並びに側面に保護膜を構成する被膜
をそれぞれ形成すると共に上記透過性支持膜上に表面側
反射防止膜を形成し、かつ、この表面側反射防止膜上に
上記X線吸収体層を形成した後、上記X線透過窓に対応
する部位の保護膜用被膜をエッチングにより除去して枠
体用基板の一部を露出させ、次いで、露出部位の枠体用
基板をエッチングにより除去してX線透過窓を有する枠
体を形成した後、露出する透過性支持膜の裏面に上記裏
面側反射防止膜を形成している。
【0017】すなわち、上記枠体用基板をエッチングに
より除去してX線透過窓を有する枠体を形成した後に上
記裏面側反射防止膜を形成していることから、従来の製
造方法に較べて基板エッチング時の熱アルカリにより上
記裏面側反射防止膜が侵されることがなくなるため、所
望の反射防止機能を有する裏面側反射防止膜を確実に形
成することが可能となる。
より除去してX線透過窓を有する枠体を形成した後に上
記裏面側反射防止膜を形成していることから、従来の製
造方法に較べて基板エッチング時の熱アルカリにより上
記裏面側反射防止膜が侵されることがなくなるため、所
望の反射防止機能を有する裏面側反射防止膜を確実に形
成することが可能となる。
【0018】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0019】図1Aに示すように、厚さ2mm、直径3イ
ンチの円盤状シリコン基板1の主面側に、屈折率2.1
8のSiNを2.0μmの厚さに成膜して透過性支持膜
2を形成した。尚、同時に、基板1の裏面側並びに側面
にも同一材質の薄膜を形成して保護膜3とした。
ンチの円盤状シリコン基板1の主面側に、屈折率2.1
8のSiNを2.0μmの厚さに成膜して透過性支持膜
2を形成した。尚、同時に、基板1の裏面側並びに側面
にも同一材質の薄膜を形成して保護膜3とした。
【0020】次に、上記透過性支持膜2上に、屈折率
1.46のSiO2 を105nmの厚さに成膜して表面
側反射防止膜4とした(図1A参照)。尚、上記透過性
支持膜2の屈折率2.18の平方根は約1.47であ
り、表面側反射防止膜4の屈折率はこの数値に略等しい
ことが分かる。
1.46のSiO2 を105nmの厚さに成膜して表面
側反射防止膜4とした(図1A参照)。尚、上記透過性
支持膜2の屈折率2.18の平方根は約1.47であ
り、表面側反射防止膜4の屈折率はこの数値に略等しい
ことが分かる。
【0021】次に、この表面側反射防止膜4上に、厚さ
750nmのTa膜5を成膜した(図1A参照)。続い
てこのTa膜5上にレジストパターンRを形成し(図1
B参照)、このレジストパターンRをマスクにして反応
性イオンエッチングによりTa膜5をエッチングし、上
記Ta膜5をパターニングした(図1C参照)。
750nmのTa膜5を成膜した(図1A参照)。続い
てこのTa膜5上にレジストパターンRを形成し(図1
B参照)、このレジストパターンRをマスクにして反応
性イオンエッチングによりTa膜5をエッチングし、上
記Ta膜5をパターニングした(図1C参照)。
【0022】尚、図1C中、5aはTa膜5のエッチン
グにより形成されTa膜5と同一材質で構成されたアラ
イメントマークを示している。
グにより形成されTa膜5と同一材質で構成されたアラ
イメントマークを示している。
【0023】次に、基板1裏面の保護膜3の周辺部をマ
スクで被覆し、露出した中央部を反応性イオンエッチン
グで除去して上記基板1の一部を露出させた(図1D参
照)。次に、この基板1を治具内に収容して上記表面側
反射防止膜4とTa膜5とを保護し、裏面側から熱アル
カリを供給して裏面中央部に露出した基板1をエッチン
グ除去し、X線透過窓を有する枠体を形成すると共に上
記透過性支持膜2の裏面側を露出させた(図1E参
照)。
スクで被覆し、露出した中央部を反応性イオンエッチン
グで除去して上記基板1の一部を露出させた(図1D参
照)。次に、この基板1を治具内に収容して上記表面側
反射防止膜4とTa膜5とを保護し、裏面側から熱アル
カリを供給して裏面中央部に露出した基板1をエッチン
グ除去し、X線透過窓を有する枠体を形成すると共に上
記透過性支持膜2の裏面側を露出させた(図1E参
照)。
【0024】次いで、露出した透過性支持膜2の裏面側
に、屈折率1.46のSiO2 を105nmの厚さに成
膜し裏面側反射防止膜6を形成してX線露光用マスクを
製造した(図1F参照)。
に、屈折率1.46のSiO2 を105nmの厚さに成
膜し裏面側反射防止膜6を形成してX線露光用マスクを
製造した(図1F参照)。
【0025】こうして製造されたX線露光用マスクの分
光透過率を図2に示す。
光透過率を図2に示す。
【0026】また、比較のため、表面側反射防止膜と裏
面側反射防止膜との双方を持たない従来のX線露光用マ
スクの分光透過率を併せて図2に示す。
面側反射防止膜との双方を持たない従来のX線露光用マ
スクの分光透過率を併せて図2に示す。
【0027】そして、この図から明らかなように、従来
のX線露光用マスクにおいては波長のわずかな変動で透
過率が大きく変動しているのに対し、実施例に係るX線
露光用マスクにおいては波長の多少の変動によっては透
過率は実質的に変動せず一定の透過率を維持している。
のX線露光用マスクにおいては波長のわずかな変動で透
過率が大きく変動しているのに対し、実施例に係るX線
露光用マスクにおいては波長の多少の変動によっては透
過率は実質的に変動せず一定の透過率を維持している。
【0028】この結果、波長が一定で膜厚に多少の変動
がある場合であっても実施例に係るX線露光用マスクは
一定の透過率を維持することが分かる。
がある場合であっても実施例に係るX線露光用マスクは
一定の透過率を維持することが分かる。
【0029】
【発明の効果】請求項1に係る発明によれば、枠体用基
板をエッチングにより除去してX線透過窓を有する枠体
を形成した後に上記裏面側反射防止膜を形成しているこ
とから、従来の製造方法に較べて基板エッチング時の熱
アルカリにより上記裏面側反射防止膜が侵されることが
なくなるため、所望の反射防止機能を有する裏面側反射
防止膜を確実に形成することが可能となる。
板をエッチングにより除去してX線透過窓を有する枠体
を形成した後に上記裏面側反射防止膜を形成しているこ
とから、従来の製造方法に較べて基板エッチング時の熱
アルカリにより上記裏面側反射防止膜が侵されることが
なくなるため、所望の反射防止機能を有する裏面側反射
防止膜を確実に形成することが可能となる。
【0030】従って、アライメント光線の出射強度を安
定させて確実かつ容易に位置整合できるX線露光用マス
クを確実に製造できる効果を有している。
定させて確実かつ容易に位置整合できるX線露光用マス
クを確実に製造できる効果を有している。
【図1】実施例に係るX線露光用マスク製造工程の断面
説明図。
説明図。
【図2】実施例及び比較例に係るX線露光用マスクの分
光透過率を示すグラフ図。
光透過率を示すグラフ図。
【図3】従来のX線露光用マスクの断面説明図。
【図4】従来のX線露光用マスクの断面説明図。
【図5】従来のX線露光用マスク製造工程の断面説明
図。
図。
1 シリコン基板 2 透過性支持膜 3 保護膜 4 表面側反射防止膜 5 X線吸収体層 5a アライメントマーク 6 裏面側反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 正 東京都台東区台東一丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】中央にX線透過窓を有する枠体と、この枠
体にその周縁部を保持されアライメント光とX線を共に
透過する透過性支持膜と、この透過性支持膜の少なくと
も上記X線透過窓に対応する部位の両面に設けられたア
ライメント光に対する表面側並びに裏面側反射防止膜
と、上記透過性支持膜表面側の主面上にパターン状に設
けられたX線吸収体層と、上記枠体の側面並びに裏面側
に設けられた保護膜とを備えるX線露光用マスクの製造
方法において、 枠体用基板の表面に透過性支持膜をまた上記基板の裏面
並びに側面に保護膜を構成する被膜をそれぞれ形成する
と共に上記透過性支持膜上に表面側反射防止膜を形成
し、かつ、この表面側反射防止膜上に上記X線吸収体層
を形成した後、上記X線透過窓に対応する部位の保護膜
用被膜をエッチングにより除去して枠体用基板の一部を
露出させ、次いで、露出部位の枠体用基板をエッチング
により除去してX線透過窓を有する枠体を形成した後、
露出する透過性支持膜の裏面に上記裏面側反射防止膜を
形成することを特徴とするX線露光用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23271993A JPH0786149A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23271993A JPH0786149A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786149A true JPH0786149A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16943719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23271993A Pending JPH0786149A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | X線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0786149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100590442B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2006-06-20 | 한국과학기술원 | 나노 구조물 가공용 엑스선 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23271993A patent/JPH0786149A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100590442B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2006-06-20 | 한국과학기술원 | 나노 구조물 가공용 엑스선 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법 |
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