JPH0785972A - Organic el element - Google Patents
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- JPH0785972A JPH0785972A JP23382793A JP23382793A JPH0785972A JP H0785972 A JPH0785972 A JP H0785972A JP 23382793 A JP23382793 A JP 23382793A JP 23382793 A JP23382793 A JP 23382793A JP H0785972 A JPH0785972 A JP H0785972A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 167
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 167
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 147
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 147
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 abstract description 20
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 223
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 34
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 21
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 21
- 206010012812 Diffuse cutaneous mastocytosis Diseases 0.000 description 18
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 12
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butyl-2-[5-(5-tert-butyl-1,3-benzoxazol-2-yl)thiophen-2-yl]-1,3-benzoxazole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C2OC(C3=CC=C(S3)C=3OC4=CC=C(C=C4N=3)C(C)(C)C)=NC2=C1 AIXZBGVLNVRQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- -1 piperonal vinyl cyanoalkyl ester Chemical class 0.000 description 10
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical group C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 7
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(phenylethynyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C#CC1=CC=CC=C1 ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenyl-1,3-oxazole Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 CNRNYORZJGVOSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VUPDHIIPAKIKAB-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenylfuran Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 VUPDHIIPAKIKAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAUGRYOERYOXHX-UHFFFAOYSA-N Alloxazine Chemical compound C1=CC=C2N=C(C(=O)NC(=O)N3)C3=NC2=C1 HAUGRYOERYOXHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N POPOP Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2OC(=CN=2)C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- QBHWPVJPWQGYDS-UHFFFAOYSA-N hexaphenylbenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 QBHWPVJPWQGYDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLZUZNKTTIRERF-UHFFFAOYSA-N tetraphenylethylene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JLZUZNKTTIRERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- YKLXRDPEJIWHMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(3-methyl-1-phenylbut-1-en-2-yl)benzene Chemical compound C=1C=CC=C(C(=CC=2C=CC=CC=2)C(C)C)C=1C(C(C)C)=CC1=CC=CC=C1 YKLXRDPEJIWHMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNVZNEACQAUNGE-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 ZNVZNEACQAUNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-4-[4-[4-(4-cyclohexylcyclohexyl)cyclohexyl]cyclohexyl]cyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCC(C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCC(CC2)C2CCCCC2)CC1 OGNSDRMLWYNUED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUPXKQHLZATXTR-UHFFFAOYSA-N 2,4-diphenyl-1,3-oxazole Chemical compound C=1OC(C=2C=CC=CC=2)=NC=1C1=CC=CC=C1 VUPXKQHLZATXTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVVYVRLKDGGUEL-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 IVVYVRLKDGGUEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDZJGFHXUOWOSL-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-phenylphenyl)-1,3-oxazole Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)OC=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DDZJGFHXUOWOSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQDGITXYARLRTF-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-2-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=NN=C(O3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 NQDGITXYARLRTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCJKUXYSYJBBRD-UHFFFAOYSA-N 2,5-diphenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC=CC=2)O1 DCJKUXYSYJBBRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USHLGGSMIQPPKA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-phenylphenyl)-1,3-oxazole Chemical compound C1=COC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=N1 USHLGGSMIQPPKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical group C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)O1 PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWVFJJKBBZXWFV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-5-phenyl-1,3-oxazole Chemical compound C=1N=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 WWVFJJKBBZXWFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFFNHKOLVBEBJN-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-2-yl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)O1 PFFNHKOLVBEBJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyloxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=2C=CC=CC=2)ON=N1 YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDFXDUAENINOO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-[4-(4-methyl-5-phenyl-1,3-oxazol-2-yl)phenyl]-5-phenyl-1,3-oxazole Chemical compound CC=1N=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2OC(=C(C)N=2)C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 VLDFXDUAENINOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTGMTYWYUZDRBK-UHFFFAOYSA-N 9,10-dimethylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=C(C)C2=C1 JTGMTYWYUZDRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N Acridone Natural products C1=C(O)C=C2N(C)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1O GDALETGZDYOOGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100004280 Caenorhabditis elegans best-2 gene Proteins 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N MGK 264 Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(CC(CC)CCCC)C1=O WLLGXSLBOPFWQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N acridone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3NC2=C1 FZEYVTFCMJSGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001541 differential confocal microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- YERRTOUSFSZICJ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-2-(4-bromophenyl)acetate Chemical compound COC(=O)C(N)C1=CC=C(Br)C=C1 YERRTOUSFSZICJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004001 molecular interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- VBXNPZZQSDEMTB-UHFFFAOYSA-N pentacene-1,2,3,4-tetrone Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C4C(C(C(=O)C(=O)C4=C3)=O)=O)=C3)C3=CC2=C1 VBXNPZZQSDEMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphenyl group Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=C3C=C12 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229940081310 piperonal Drugs 0.000 description 1
- SATCULPHIDQDRE-UHFFFAOYSA-N piperonal Natural products O=CC1=CC=C2OCOC2=C1 SATCULPHIDQDRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNNRQIKKDKDFRV-UHFFFAOYSA-N quinazolin-8-ol Chemical group N1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 LNNRQIKKDKDFRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical group C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004322 quinolinols Chemical group 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えばラップトップコ
ンピュータ、テレビジョン、移動通信用のディスプレイ
などに利用できる有機薄膜を用いた発光素子（有機ＥＬ
素子）に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting element (organic EL) using an organic thin film which can be used in, for example, a laptop computer, a television, a display for mobile communication and the like.
Element).
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子は有機薄膜の積層構造を有
し、高輝度面発光が可能であり、かつ豊富な有機材料を
利用することによってＲＧＢ発光も得られるため、次世
代フラットパネルディスプレイの有力候補として注目さ
れている。この注目のきっかけとなった素子はコダック
社のＴａｎｇらが発表したものであり、１０Ｖ以下の低
電圧で駆動し、１０００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を実現して
いる（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５１，９１３（１９
８７））。2. Description of the Related Art An organic EL element has a laminated structure of organic thin films, is capable of high-luminance surface emission, and is capable of RGB emission by utilizing abundant organic materials. It is attracting attention as a strong candidate. The element that triggered this attention was announced by Tang et al. Of Kodak Co., Ltd., and it was driven at a low voltage of 10 V or less to realize a high brightness of 1000 cd / m 2 (J. Appl. Phys., 51,913 (19
87)).
【０００３】有機ＥＬ素子を実用化するにあたっての課
題は、発光効率と素子寿命の向上である。発光効率は、
現状では良くて２％であり通常０．１％程度である。発
光効率が低いということは、電極間に発光に関与しない
電流が流れ、ジュール熱が発生することを意味する。有
機薄膜は、半導体ＬＥＤや無機ＥＬ素子に使用される材
料に比べて熱に弱いため、熱の発生は素子寿命を低下さ
せる大きな原因となる。したがって、有機ＥＬ素子を実
用化するためには、発光効率を少なくとも１０％程度ま
で高めることが必要である。The problems in putting an organic EL device into practical use are improvement of luminous efficiency and device life. The luminous efficiency is
At present, it is at best 2% and usually about 0.1%. The low luminous efficiency means that a current not involved in light emission flows between the electrodes to generate Joule heat. Since the organic thin film is weaker to heat than the material used for the semiconductor LED or the inorganic EL element, the generation of heat is a major cause of shortening the life of the element. Therefore, in order to put the organic EL device into practical use, it is necessary to increase the luminous efficiency to at least about 10%.
【０００４】有機ＥＬ素子の発光効率を高めるために
は、素子構造の最適化と、用いる材料の電気的・光学的
性質の最適化が必要である。しかし、これまでのところ
有機ＥＬ素子の素子構造の設計指針およびそれに用いる
材料の選択基準は確立されていないため電気的・光学的
性質が最適とはいえず、十分な発光効率が得られていな
かった。以下、従来の有機ＥＬ素子において高い発光効
率が達成できない原因について具体的に説明する。In order to increase the luminous efficiency of the organic EL device, it is necessary to optimize the device structure and the electrical and optical properties of the material used. However, so far the design guideline of the element structure of the organic EL element and the selection criteria of the material used for it have not been established, so the electrical and optical properties cannot be said to be optimum, and sufficient luminous efficiency has not been obtained. It was Hereinafter, the reason why high luminous efficiency cannot be achieved in the conventional organic EL element will be specifically described.
【０００５】まず、図１０を参照してＴａｎｇらが発表
した素子の動作機構とその発光効率が低い理由を説明す
る。この素子は、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極１
０１、（Ｃ１）で示されるトリフェニルアミン誘導体か
らなる有機薄膜（以下ジアミン層という）１０２、（Ｃ
２）で示されるアルミキノリン錯体からなる有機薄膜
（以下Ａｌｑ3 層という）１０３、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ジアミン層１０
２はホール注入・輸送性であり、Ａｌｑ3 層１０３はホ
ール・電子の両キャリヤー注入・輸送性かつ発光性であ
る。First, the operating mechanism of the device disclosed by Tang et al. And the reason for its low luminous efficiency will be described with reference to FIG. This device has an ITO electrode 1 for injecting holes on a substrate.
01, an organic thin film (hereinafter referred to as a diamine layer) 102 composed of a triphenylamine derivative represented by (C1) 102, (C
2) An organic thin film (hereinafter referred to as Alq 3 layer) 103 made of an aluminum quinoline complex 103, Mg- for electron injection
This is a stack of Ag electrodes 104. Diamine layer 10
2 has hole injection / transport properties, and the Alq 3 layer 103 has both hole / electron carrier injection / transport properties and light emission properties.
【０００６】いま、Ｍｇ−Ａｇ電極１０４がマイナス、
ＩＴＯ電極１０１がプラスになるようにバイアス電圧を
印加する。この結果、Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＡｌｑ
3 層１０３へ電子が注入される。一方、ＩＴＯ電極１０
１からジアミン層１０２へホールが注入されてジアミン
層１０２中を輸送され、シアミン／Ａｌｑ3 界面まで達
し、さらにジアミン／Ａｌｑ3 界面を越えてＡｌｑ3 層
１０３に注入される。そして、Ａｌｑ3 層１０３中を輸
送されたホールと電子とが再結合して励起状態のＡｌｑ
3 が生成し、この励起状態が基底状態に緩和するときに
発光が生じる。この素子におけるＡｌｑ3 層１０３は、
キャリヤーの輸送・再結合・発光の全ての機能を担って
いる。Ａｌｑ3 は両キャリヤー注入・輸送性に関しては
十分な物性を示す。そして、励起状態からの発光効率は
光励起による発光効率で評価できるが、Ａｌｑ3 の光励
起による発光効率は５％程度と低いためＥＬ発光効率を
制限する原因となっていた。Now, the Mg-Ag electrode 104 is minus,
A bias voltage is applied so that the ITO electrode 101 becomes positive. As a result, from the Mg-Ag electrode 104, Alq
Electrons are injected into the third layer 103. On the other hand, the ITO electrode 10
Holes are injected from 1 to the diamine layer 102, are transported in the diamine layer 102, reach the cyamine / Alq 3 interface, and further are injected into the Alq 3 layer 103 across the diamine / Alq 3 interface. Then, the holes and the electrons transported in the Alq 3 layer 103 are recombined to generate Alq 3 in the excited state.
3 is generated, light emission occurs when this excited state relaxes to the ground state. The Alq 3 layer 103 in this device is
It has all the functions of carrier transport, recombination, and light emission. Alq 3 has sufficient physical properties for injection and transport of both carriers. The luminous efficiency from the excited state can be evaluated by the luminous efficiency by photoexcitation, but the luminous efficiency of Alq 3 by photoexcitation is as low as about 5%, which is a cause of limiting the EL luminous efficiency.
【０００７】[0007]
【化１】 [Chemical 1]
【０００８】次に、九州大学の安達らが試作した２つの
素子（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５６（９），
７９９（１９９０））について、動作機構およびその発
光効率が低い理由を説明する。Next, two devices (Appl. Phys. Lett., 56 (9), which were prototyped by Adachi et al. Of Kyushu University,
799 (1990)), the operating mechanism and the reason why the luminous efficiency thereof is low will be described.
【０００９】１例めの素子は、図１１に示すように、基
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、（Ｃ３）で示
されるＴＡＤからなる有機薄膜（以下ＴＡＤ層という）
１０５、（Ｃ４）で示されるＰＰＣＰからなる有機薄膜
（以下ＰＰＣＰ層という）１０６、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５
はホール注入・輸送性であり、ＰＰＣＰ層１０６はキャ
リヤーの輸送・再結合・発光を担っている。ＰＰＣＰの
光励起による発光効率は１０％以上であり、Ｔａｎｇら
のＡｌｑ3 に比べると優れている。しかし、ＰＰＣＰ層
１０６はホール注入・輸送性であり、電子注入・輸送に
ついては不利である。このためＭｇ−Ａｇ電極１０４か
らＰＰＣＰ層１０６へ注入される電子は少数であり、余
分に存在するホールが発光に関与しない電流として素子
に流れる結果、この素子の発光効率は０．１％程度と低
い。As shown in FIG. 11, the device of the first example is an organic thin film made of TAD represented by ITO electrodes 101 (C3) for injecting holes on a substrate (hereinafter referred to as TAD layer).
105, an organic thin film made of PPCP (CPP) (hereinafter referred to as PPCP layer) 106, Mg- for electron injection
This is a stack of Ag electrodes 104. TAD layer 105
Has a hole injection / transport property, and the PPCP layer 106 is responsible for carrier transport / recombination / light emission. The luminous efficiency of PPCP by photoexcitation is 10% or more, which is superior to Alq 3 of Tang et al. However, the PPCP layer 106 has hole injection / transport properties, and is disadvantageous for electron injection / transport. Therefore, the number of electrons injected from the Mg-Ag electrode 104 into the PPCP layer 106 is small, and as a result of the extra holes flowing into the element as a current that does not contribute to light emission, the luminous efficiency of this element is about 0.1%. Low.
【００１０】２例めの素子は、図１２に示すように、基
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、ＴＡＤ層１０
５、（Ｃ５）で示されるＢＢＯＴからなる有機薄膜（以
下ＢＢＯＴ層という）１０７、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５はホ
ール注入・輸送性であり、ＢＢＯＴ層１０７は電子注入
・輸送性である。Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＢＢＯＴ層
１０７へ注入された電子はＢＢＯＴ層１０７中を輸送さ
れ、ＢＢＯＴ／ＴＡＤ界面のＢＢＯＴ側に蓄積する。Ｉ
ＴＯ電極１０１からＴＡＤ層１０５へ注入されたホール
はＴＡＤ層１０５中を輸送され、ＴＡＤ／ＢＢＯＴ界面
のＴＡＤ側に蓄積する。蓄積したホールも電子もこの界
面を越えることはできず、界面においてＢＢＯＴとＴＡ
Ｄとの間で分子間再結合が起こる。この分子間再結合発
光（ｅｘｃｉｐｌｅｘ発光）の発光効率は数％以下と低
いため、結果的にこの素子の発光効率は０．１％程度と
低い。As shown in FIG. 12, the device of the second example has an ITO electrode 101 for hole injection and a TAD layer 10 on a substrate.
5, an organic thin film (hereinafter referred to as a BBOT layer) 107 made of BBOT represented by (C5), Mg-Ag for electron injection
The electrode 104 is laminated. The TAD layer 105 has a hole injecting / transporting property, and the BBOT layer 107 has an electron injecting / transporting property. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 104 to the BBOT layer 107 are transported in the BBOT layer 107 and accumulated on the BBOT side of the BBOT / TAD interface. I
The holes injected from the TO electrode 101 to the TAD layer 105 are transported in the TAD layer 105 and accumulated on the TAD side of the TAD / BBOT interface. Neither accumulated holes nor electrons can cross this interface, and at the interface BBOT and TA
Intermolecular recombination occurs with D. The emission efficiency of this intermolecular recombination emission (exciplex emission) is as low as several% or less, and as a result, the emission efficiency of this device is as low as about 0.1%.
【００１１】[0011]
【化２】 [Chemical 2]
【００１２】以上のような従来の有機ＥＬ素子における
発光効率（量子収率）は、ＥＬ量子収率をηEL、電子お
よびホールの注入効率をηinj 、電子とホールの再結合
効率をηrec 、再結合により生成する励起状態からの光
子変換効率をηPL（これは光励起による発光量子収率で
評価できる）とすると、以下のように表される。 Regarding the luminous efficiency (quantum yield) in the conventional organic EL device as described above, the EL quantum yield is η EL , the injection efficiency of electrons and holes is η inj , and the recombination efficiency of electrons and holes is η rec. Letting η PL be the photon conversion efficiency from the excited state generated by recombination (which can be evaluated by the emission quantum yield due to photoexcitation), it is expressed as follows.
【００１３】ηEL〜ηinj ×ηrec ×ηPL …（１） したがって、発光効率を向上させるためには、キャリヤ
ーの注入・輸送・再結合（ηinj ×ηrec ）および発光
性（ηPL）の両方の性質に優れた材料が要求される。し
かし、現状ではこれらを満足する材料は見いだされてお
らず、その発光効率は低いレベルに止まっていた。Η EL to η inj × η rec × η PL (1) Therefore, in order to improve the luminous efficiency, carrier injection / transport / recombination (η inj × η rec ) and luminous property (η PL ) A material excellent in both properties is required. However, at present, no material satisfying these requirements has been found, and the luminous efficiency thereof has been at a low level.
【００１４】そこで、両キャリヤー注入・輸送性の分子
からなる層に、より高い発光効率を持つ分子をドーピン
グした素子を作製することが試みられている。例えば、
ＴａｎｇらはＡｌｑ3 層に発光性色素のＤＣＭをドーピ
ングした素子を発表している（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，６５，３６１０（１９８９））。この素子は、図
１３に示すように、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極
１０１、ジアミン層１０２、Ａｌｑ3 に（Ｃ６）で示さ
れるＤＣＭをドーピングした有機薄膜（以下（Ａｌｑ3
＋ＤＣＭ）層という）１０８、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。しかし、この素子の
ηELは２％程度（ＤＣＭをドーピングしない場合の２
倍）にすぎない。以下、この素子において、ηELを制限
している原因について具体的に説明する。Therefore, it has been attempted to manufacture a device in which a layer composed of molecules capable of injecting / transporting both carriers is doped with a molecule having higher luminous efficiency. For example,
Tang et al. Have announced a device in which an Alq 3 layer is doped with DCM as a luminescent dye (J. Appl. Phy.
s. , 65, 3610 (1989)). As shown in FIG. 13, this device has an organic thin film (hereinafter referred to as (Alq 3 ) in which ITO electrode 101 for hole injection, diamine layer 102, and Alq 3 are doped with DCM represented by (C6) as shown in FIG.
+ DCM layer) 108, Mg-Ag for electron injection
The electrode 104 is laminated. However, η EL of this device is about 2% (2% when DCM is not doped).
It is only twice. The cause of limiting η EL in this element will be specifically described below.
【００１５】[0015]
【化３】 [Chemical 3]
【００１６】（Ａｌｑ3 ＋ＤＣＭ）層１０８のηPLはＤ
ＣＭ濃度に依存して変化し、これを最適値に設定すれば
２０％程度すなわちドーピングしないときの４倍になる
が、この値はＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）中での
ＤＣＭのηPLが５０％以上であることから期待されるほ
ど大きいものではない。この原因としてＡｌｑ3 とＤＣ
Ｍとの極性の相違が考えられる。ＤＣＭのηPLは極性の
低い溶媒中では低いことが知られている。これは非極性
溶媒中では極性分子であるＤＣＭ同士の会合が促進さ
れ、ＤＣＭが孤立できないからである。同様にＡｌｑ3
は非極性分子であるため、ＤＣＭをドーピングしてもそ
れほど発光効率が上がらないと考えられる。また、（Ａ
ｌｑ3 ＋ＤＣＭ）層１０８のηPLがＡｌｑ3 単独層に比
べて４倍になっているにもかかわらず、ηELが２倍にし
かならない原因としてＥＬ動作の影響が考えられる。す
なわち、ＥＬ動作時においては、高濃度の電子とホール
が存在する再結合領域に強電界がかかり、しかも発光に
関与しない再結合過程により温度が上昇する。このよう
な強電界条件・温度上昇によりηPLが低下すると考えら
れる。さらに、ＤＣＭのドーピングにより、Ａｌｑ3 の
両キャリヤー注入性が失われるなどηinj ×ηrec が低
下した可能性もある。Η PL of the (Alq 3 + DCM) layer 108 is D
It changes depending on the CM concentration, and if it is set to the optimum value, it will be about 20%, that is, four times that when it is not doped, but this value is 50% or more of η PL of DCM in DMSO (dimethyl sulfoxide). Is not as big as one would expect. This is caused by Alq 3 and DC
A difference in polarity from M is considered. The η PL of DCM is known to be low in low polarity solvents. This is because the association between DCMs, which are polar molecules, is promoted in a non-polar solvent, and DCM cannot be isolated. Similarly, Alq 3
Since is a non-polar molecule, it is considered that the emission efficiency does not increase so much even when doping with DCM. In addition, (A
Although the η PL of the ( lq 3 + DCM) layer 108 is four times as large as that of the Alq 3 single layer, the effect of the EL operation is considered as the reason why the η EL is only doubled. That is, during EL operation, a strong electric field is applied to the recombination region where high-concentration electrons and holes exist, and the temperature rises due to the recombination process that does not participate in light emission. It is considered that η PL decreases due to such strong electric field conditions and temperature rise. Furthermore, there is a possibility that η inj × η rec may be lowered due to the loss of both carrier injection properties of Alq 3 due to the doping of DCM.
【００１７】次に、従来の有機ＥＬ素子の素子寿命に関
しては、全く発光が生じなくなるまでの時間が数百時間
程度である。寿命を制限する最も大きな原因は、有機薄
膜の結晶化により素子が短絡することであるといわれて
いる。従来の有機ＥＬ素子に用いられている材料のガラ
ス転移点は全て１８０℃以下で、ほとんどが１００℃以
下であり、この温度以上になると瞬時にアモルファスか
ら結晶へ変化することが知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．
Ｃｈｅｍ．，９７（２３），６２４０（１９９３））。
すなわち、上述したように素子の発光効率が低く発光に
関与しない電流によって熱が発生すると、有機薄膜の結
晶化が促進されて素子の寿命が制限される。したがっ
て、素子寿命を向上させるためには、有機薄膜の熱安定
性も重要な要素となる。Next, regarding the life of the conventional organic EL device, it takes about several hundred hours until no light emission occurs. It is said that the largest cause of life limitation is the short circuit of the element due to the crystallization of the organic thin film. The glass transition points of materials used for conventional organic EL devices are all 180 ° C. or lower, and most are 100 ° C. or lower, and it is known that when the temperature is higher than this temperature, it instantly changes from amorphous to crystalline ( J. Phys.
Chem. , 97 (23), 6240 (1993)).
That is, as described above, when heat is generated by a current whose emission efficiency of the device is low and which is not involved in light emission, crystallization of the organic thin film is promoted and the life of the device is limited. Therefore, in order to improve the device life, the thermal stability of the organic thin film is also an important factor.
【００１８】[0018]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように有
機ＥＬ素子においては、キャリヤーの注入・輸送・再結
合が効率よくなされかつ励起状態からの発光効率が高い
という２つの条件を同時に満たす材料選択などが要求さ
れるが、従来このような最適な材料が選択されていない
ため発光効率の向上を達成することは困難であった。さ
らに、発光効率が低いことから発光に関与しない電流が
ジュール熱として消費され、この熱により有機薄膜の構
造変化が生じ、素子の寿命を制限していた。本発明はこ
のような問題を解決して、発光効率が高く、寿命が長い
有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。As described above, in the organic EL device, material selection that simultaneously satisfies the two conditions of efficient carrier injection / transport / recombination and high emission efficiency from the excited state. However, it has been difficult to achieve improvement in luminous efficiency because such an optimum material has not been selected conventionally. Furthermore, since the luminous efficiency is low, a current not involved in light emission is consumed as Joule heat, and this heat causes a structural change in the organic thin film, thus limiting the life of the device. An object of the present invention is to solve such a problem and to provide an organic EL element having high luminous efficiency and long life.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本願第１の発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、電子注入用電極とホール注入用電極との間に
有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記電子
注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注入用
電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設けら
れた電子注入性分子とホール注入性分子との分子対を含
む再結合領域と、再結合領域で生成した励起状態からの
エネルギー移動により発光する発光サイトとを具備した
ことを特徴とするものである。Means for Solving the Problems Organic E of the first invention of the present application
The L element has a structure in which an organic thin film is sandwiched between an electron injecting electrode and a hole injecting electrode, the organic thin film being an electron injecting layer adjacent to the electron injecting electrode, and the hole injecting electrode. Emits light by the energy transfer from the excited state generated in the recombination region and the hole injection layer adjacent to each other, the recombination region containing the molecule pair of the electron injection molecule and the hole injection molecule provided between these And a light emitting site.
【００２０】本願第２の発明の有機ＥＬ素子は、電子注
入用電極とホール注入用電極との間に有機薄膜を挟んだ
構造を有し、該有機薄膜が、前記電子注入用電極に隣接
する電子注入層と、前記ホール注入用電極に隣接するホ
ール注入層と、これらの中間に設けられた再結合領域
と、前記電子注入層またはホール注入層中に含有され、
再結合領域で生成した励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとを具備したことを特徴とする
ものである。The organic EL element of the second invention of the present application has a structure in which an organic thin film is sandwiched between an electron injecting electrode and a hole injecting electrode, and the organic thin film is adjacent to the electron injecting electrode. An electron injection layer, a hole injection layer adjacent to the hole injection electrode, a recombination region provided in the middle thereof, contained in the electron injection layer or the hole injection layer,
A light emitting site that emits light by energy transfer from an excited state generated in the recombination region.
【００２１】以下、本発明をさらに詳細に説明する。電
子注入用電極とは、マイナスバイアスを印加した際に有
機薄膜に電子を注入するための電極であり、仕事関数の
小さい電極または合金が選ばれる。さらに電子注入用電
極には光を反射させる機能を併せ持たせるため、Ａｌ、
Ｍｇ−Ａｇなどが用いられることが好ましい。ホール注
入用電極とは、プラスバイアスを印加した際に有機薄膜
にホールを注入するための電極であり、仕事関数が大き
い金属または合金が選ばれる。ホール注入用電極には、
例えば可視光を透過する性質を有するＩＴＯ、ＳｎＯ2
などが用いられる。The present invention will be described in more detail below. The electron injection electrode is an electrode for injecting electrons into the organic thin film when a negative bias is applied, and an electrode or alloy having a small work function is selected. Furthermore, in order to make the electron injecting electrode also have a function of reflecting light, Al,
It is preferable to use Mg-Ag or the like. The hole injecting electrode is an electrode for injecting holes into the organic thin film when a positive bias is applied, and a metal or alloy having a large work function is selected. For the hole injection electrode,
For example, ITO or SnO 2 having a property of transmitting visible light
Are used.
【００２２】電子注入用電極とホール注入用電極との間
に挟まれる有機薄膜としては、厚さ１μｍ以下の電気的
な欠陥のないものが用いられる。有機薄膜の各層は、１
種類の分子で構成されていてもよいし、２種類以上の分
子の積層膜または混合膜でもよい。このうち、電子注入
層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に電
子を注入・輸送する役割を果たしている領域であり、電
子注入性分子からなる。電子注入性分子とは、その分子
を主な構成成分として薄膜を形成し、電子注入用の電極
を接合したときに電子を注入し得る分子のことである。
これは、電子注入用電極の仕事関数をＥMe、有機分子が
薄膜において形成するバンド構造における伝導帯レベル
をＥC としたとき、およその目安として、ＥC −ＥMe＜
１．０ｅＶの関係を満たす材料である。また、ホール注
入層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に
ホールを注入・輸送する役割を果たしている領域であ
り、ホール注入性分子からなる。ホール注入性分子と
は、その分子を主な構成成分として薄膜を形成し、ホー
ル注入用電極を接合したときにホールを注入し得る分子
のことである。これは、ホール注入用電極の仕事関数を
ＥMh、有機分子が薄膜において形成するバンド構造にお
ける価電子帯レベルをＥV としたとき、およその目安と
して、ＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係を満たす材料であ
る。以上のような関係を満たしているかどうかは、変位
電流法を用いて確かめることができる。As the organic thin film sandwiched between the electron injecting electrode and the hole injecting electrode, one having a thickness of 1 μm or less and having no electrical defect is used. Each layer of organic thin film is 1
It may be composed of different kinds of molecules, or may be a laminated film or a mixed film of two or more kinds of molecules. Of these, the electron injection layer is a region of the organic thin film sandwiched between the two electrodes, which mainly plays a role of injecting and transporting electrons, and is composed of electron injecting molecules. The electron-injecting molecule is a molecule that can inject electrons when a thin film is formed by using the molecule as a main constituent and an electrode for electron injection is joined.
Assuming that the work function of the electron injecting electrode is E Me and the conduction band level in the band structure formed by the organic molecule in the thin film is E C , E C −E Me <
It is a material that satisfies the relationship of 1.0 eV. The hole injection layer is a region of the organic thin film sandwiched between the two electrodes, which mainly plays a role of injecting and transporting holes, and is composed of hole injecting molecules. The hole-injecting molecule is a molecule capable of injecting holes when a thin film is formed by using the molecule as a main constituent and a hole-injecting electrode is joined. Assuming that the work function of the hole injecting electrode is E Mh and the valence band level in the band structure formed by the organic molecule in the thin film is E V , E Mh −E V <1.0 eV It is a material that satisfies the relationship. Whether or not the above relationship is satisfied can be confirmed using the displacement current method.
【００２３】再結合領域とは、電子とホールとが再結合
する領域であり、この領域に存在する分子または分子対
（再結合サイト）が電子とホールとの再結合により励起
状態になる。励起状態とは、可視光領域のエネルギーに
対応する電子励起状態を意味する。再結合領域は、電子
注入層とホール注入層との間で明確な界面を持った区別
できる再結合層として構成されていてもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面において電子注入性分
子とホール注入性分子との分子対の形態で形成されてい
てもよい。The recombination region is a region where electrons and holes are recombined, and a molecule or a molecule pair (recombination site) existing in this region is excited by recombination of electrons and holes. The excited state means an electronic excited state corresponding to energy in the visible light region. The recombination region may be formed as a distinguishable recombination layer having a clear interface between the electron injection layer and the hole injection layer, or may be formed at the junction interface between the electron injection layer and the hole injection layer. It may be formed in the form of a molecule pair of the organic molecule and the hole injecting molecule.
【００２４】発光サイトとは、再結合領域における電子
とホールとの再結合により励起した再結合サイトからエ
ネルギー移動を受けて発光する分子または分子対を意味
する（以下発光サイトを単に発光性分子という場合があ
る）。ある分子が発光サイトとなるかどうかを判断する
には、ＥＬスペクトルとその分子の光励起による発光ス
ペクトルを比較することが有効であり、両者が一致すれ
ば発光サイトであるということができる。The luminescent site means a molecule or a molecule pair that emits light by receiving energy transfer from the recombination site excited by recombination of electrons and holes in the recombination region (hereinafter, the luminescent site is simply referred to as a luminescent molecule). Sometimes). In order to determine whether or not a molecule serves as a light emission site, it is effective to compare the EL spectrum with the light emission spectrum of the molecule by photoexcitation, and if both match, it can be said that the molecule is a light emission site.
【００２５】エネルギー移動とは、励起状態にある分子
または分子集合体（エネルギードナー）と他の基底状態
にある分子または分子集合体（エネルギーアクセプタ
ー）との間に働く双極子−双極子相互作用または多重極
子相互作用によって、励起エネルギーがドナーからアク
セプターへ移動する現象をいう。これらの相互作用は比
較的遠距離まで働き、ドナーとアクセプターとの重なり
（電子雲の重なり）を必要としない。その移動距離は、
相互作用半径Ｒによって定義され、一般にＲは１０ｎｍ
以下の範囲にある。Energy transfer is a dipole-dipole interaction that acts between a molecule or molecular assembly in an excited state (energy donor) and a molecule or molecular assembly in another ground state (energy acceptor). Alternatively, it refers to a phenomenon in which excitation energy moves from a donor to an acceptor due to multipole interaction. These interactions work over relatively long distances and do not require overlap between donors and acceptors (electron cloud overlap). The distance traveled is
Defined by the interaction radius R, where R is typically 10 nm
It is in the following range.
【００２６】本発明に係る有機ＥＬ素子は、２つの電極
間に電圧が印加されて有機薄膜中へ電子とホールとが注
入され、再結合領域において電子とホールとが再結合す
ることによって再結合サイトが励起状態となり、その励
起エネルギーが発光サイトへエネルギー移動して発光す
るという機構で動作する。換言すれば、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は再結合までの過程を担う分子と発光の過程を担
う分子とが分離され、これらの２つ過程の間にエネルギ
ー移動が介在する、いわゆる機能分離型素子である。こ
のような機能分離型の有機ＥＬ素子の発光効率を上述し
た（１）式にならって表すと（２）式のようになる。こ
こで、励起状態の再結合サイトから発光サイトへのエネ
ルギー移動の効率をηETとする。In the organic EL device according to the present invention, a voltage is applied between the two electrodes to inject electrons and holes into the organic thin film, and the electrons and holes are recombined in the recombination region to recombine. The site operates in the excited state, and the excitation energy transfers to the light emitting site to emit light. In other words, the organic E of the present invention
The L element is a so-called function-separated element in which a molecule responsible for the process of recombination and a molecule responsible for the process of light emission are separated, and energy transfer is interposed between these two processes. The light emission efficiency of such a function-separated type organic EL element is represented by the equation (2) following the equation (1). Here, the efficiency of energy transfer from the recombination site in the excited state to the emission site is η ET .
【００２７】 ηEL〜ηinj ×ηrec ×ηET×ηPL …（２） 本発明の有機ＥＬ素子は機能分離型であるため、２つの
過程の効率を向上させる手段に関しても分離して考える
ことができる。以下、本発明の有機ＥＬ素子において、
それぞれの過程の効率を向上させる方法について原理的
に説明する。Η EL to η inj × η rec × η ET × η PL (2) Since the organic EL element of the present invention is of the function separation type, the means for improving the efficiency of the two processes should be considered separately. be able to. Hereinafter, in the organic EL device of the present invention,
A method for improving the efficiency of each process will be described in principle.
【００２８】まず、再結合までの過程、すなわち（η
inj ×ηrec ）を向上させるためには、電子およびホー
ルが再結合領域へ効率よく注入され（ηinj が高い）、
再結合サイトが存在する層にバランスよく電子とホール
が存在し、電子とホールとが再結合サイトまで輸送され
て効率よく再結合する（ηrec が高い）ことが要求され
る。これらの条件は、再結合領域が両キャリヤー注入・
輸送性の点で十分な性質を示すことを意味する。First, the process until recombination, that is, (η
inj × η rec ), electrons and holes are efficiently injected into the recombination region (high η inj ),
It is required that electrons and holes are well-balanced in the layer in which the recombination sites are present, and that the electrons and holes are transported to the recombination sites and efficiently recombine (high rec ). Under these conditions, the recombination region is filled with both carriers.
It is meant to show sufficient properties in terms of transportability.
【００２９】また、発光の過程の効率を向上させるため
には、エネルギー移動の効率ηETおよび発光サイトの発
光効率ηPLを向上させることが必要である。以下、ηET
を考慮しつつηPLを向上させる方法について説明する。
有機分子のηPLは、孤立状態すなわち気体状態や希薄溶
液では９０％を超えるものも珍しくないが、アモルファ
ス薄膜にするとほとんどが３０％未満に低下する。この
低下の原因としては、隣接する分子の相互作用が考えら
れる。分子の相互作用はそのエネルギーレベルが近いほ
ど大きい。すなわち、同種の分子同士の相互作用は大き
いが、異種の分子同士の相互作用であれば小さくするこ
とができる。したがって、周囲の分子に対して発光性分
子が疑似的な孤立状態となるようにドーピングすれば、
ηPLを向上させることができる。ドーピングの方法とし
ては、発光サイトを孤立分子として分散させてもよい
し、微結晶として分散させてもよい。微結晶として分散
させる場合には、その最大粒径を１０ｎｍ以下とし、か
つ電気的な欠陥をなくすために周囲の領域がアモルファ
ス構造であることが好ましい。なお、再結合サイトと発
光サイトとの距離は、１０ｎｍ以下であることが好まし
い。これは、再結合サイトと発光サイトとの距離が大き
くなると、エネルギー移動の効率ηETが指数関数的に減
少するからである。また、発光サイトを含有する層の再
結合領域からの距離が１０ｎｍ以内の範囲内での発光性
分子の濃度は０．５〜５ｍｏｌ％であることが望まし
い。これよりも濃度が低いと、再結合サイトから発光サ
イトへのエネルギー移動の効率が下がるためηETが低下
する。また、これよりも濃度が高いと、発光サイトを孤
立させることができないためηPLが低下する。上記の範
囲の濃度であれば、（ηET×ηPL）ひいてはこれに比例
するηELが極大値をもつので好ましい。Further, in order to improve the efficiency of the light emission process, it is necessary to improve the energy transfer efficiency η ET and the light emission efficiency η PL of the light emitting site. Below, η ET
A method for improving η PL will be described with consideration given to.
It is not uncommon for the η PL of organic molecules to exceed 90% in an isolated state, that is, in a gas state or a dilute solution, but most of the η PL drops to less than 30% when an amorphous thin film is formed. The cause of this decrease is considered to be the interaction between adjacent molecules. The closer the energy level, the greater the molecular interaction. That is, the interaction between molecules of the same type is large, but the interaction between molecules of different types can be reduced. Therefore, if doping is performed so that the luminescent molecules are in a pseudo isolated state with respect to the surrounding molecules,
η PL can be improved. As a doping method, the light emitting sites may be dispersed as isolated molecules or may be dispersed as fine crystals. When dispersed as fine crystals, it is preferable that the maximum grain size is 10 nm or less and that the surrounding region has an amorphous structure in order to eliminate electrical defects. The distance between the recombination site and the light emitting site is preferably 10 nm or less. This is because the energy transfer efficiency η ET exponentially decreases as the distance between the recombination site and the light emission site increases. Further, it is desirable that the concentration of the luminescent molecule is 0.5 to 5 mol% within a range of 10 nm or less from the recombination region of the layer containing the luminescent site. If the concentration is lower than this, the efficiency of energy transfer from the recombination site to the light emission site is lowered, so that η ET is lowered. Further, if the concentration is higher than this, η PL decreases because the light emitting site cannot be isolated. When the concentration is within the above range, (η ET × η PL ) and, therefore, η EL proportional thereto have a maximum value, which is preferable.
【００３０】以下、本発明において採用された、有機Ｅ
Ｌ素子の発光効率を向上させるための具体的な手段につ
いてより詳細に説明する。まず、本願第１の発明の有機
ＥＬ素子について説明する。本願第１の発明は、再結合
領域を電子注入性分子とホール注入性分子との分子対で
構成することにより両キャリヤー注入・輸送・再結合の
効率を高め、一方発光性分子をドーピングすることによ
り光励起による発光効率を高めて、有機ＥＬ素子の発光
効率を全体的に向上させるものである。この場合、再結
合領域は電子注入性分子とホール性注入分子との混合物
からなる明確に区別できる再結合層でもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面における分子対の形態
でもよい。なお、再結合領域において、電子注入性分子
は電子注入層を構成する分子と同じ分子であってもよい
し異なる分子であってもよく、同様にホール注入性分子
はホール注入層を構成する分子と同じ分子であってもよ
いし異なる分子であってもよい。The organic E used in the present invention is as follows.
Specific means for improving the luminous efficiency of the L element will be described in more detail. First, the organic EL element of the first invention of the present application will be described. The first invention of the present application is to enhance the efficiency of carrier injection / transport / recombination by forming a recombination region with a molecule pair of an electron injecting molecule and a hole injecting molecule, while doping a light emitting molecule. Thus, the light emission efficiency by photoexcitation is increased, and the light emission efficiency of the organic EL element is improved as a whole. In this case, the recombination region may be a clearly distinguishable recombination layer composed of a mixture of electron-injecting molecules and hole-injecting molecules, or may be in the form of a molecule pair at the junction interface between the electron-injecting layer and the hole-injecting layer. . In the recombination region, the electron injecting molecule may be the same molecule as the molecule forming the electron injecting layer or may be a different molecule. Similarly, the hole injecting molecule is the molecule forming the hole injecting layer. It may be the same molecule or different molecule.
【００３１】このような再結合領域キャリヤー注入特性
に関しては、電子注入性の強さは電子注入性分子の単独
膜の伝導帯レベルＥC （Ａ）、ホール注入性の強さはホ
ール注入性分子の単独膜の価電子帯レベルＥV （Ｄ）を
反映する。Regarding the recombination region carrier injection characteristic, the electron injection strength is the conduction band level E C (A) of a single film of the electron injection molecule, and the hole injection strength is the hole injection molecule. Reflects the valence band level E V (D) of the single film of.
【００３２】本願第１の発明において、電子とホールが
再結合して生成される励起状態は、電子注入性分子とホ
ール注入性分子との分子対からなるエキサイプレックス
である。エキサイプレックスとは、基底状態では電子的
な相互作用を持たず解離性である２種類の分子が、電子
注入性の強い分子がマイナスの電荷を帯び、ホール注入
性の強い分子がプラスの電荷を帯びてゆるく結合した錯
体である。エキサイプレックスは、光励起によっても、
またＥＬ素子のように電流を注入した結果としても生成
し得る。光励起によって生成する場合には、電子注入性
分子（Ａ）を選択的に光励起した場合にはＡの励起状態
からの電子移動の結果として、ホール注入性分子（Ｄ）
を選択的に光励起した場合にはＤの励起状態からのホー
ル移動の結果として、エキサイプレックスが生成する。
ＥＬ素子においては、電子注入性分子（Ａ）とホール注
入性分子（Ｄ）との界面において、Ａのマイナスイオン
とＤのプラスイオンが衝突した結果としてエキサイプレ
ックスが生成する。このとき、電子注入性分子（Ａ）と
ホール注入性分子（Ｄ）とのキャリヤーに対しブロッキ
ング性を持つ接合が形成されて接合界面にキャリヤーが
蓄積されるので、キャリヤーの再結合効率が高められ
る。In the first invention of the present application, the excited state produced by the recombination of electrons and holes is an exciplex composed of a molecule pair of an electron injecting molecule and a hole injecting molecule. An exciplex is two types of molecules that have no electronic interaction in the ground state and are dissociative. A molecule with a strong electron injection has a negative charge, and a molecule with a strong hole injection has a positive charge. It is a tinged and loosely bound complex. Exciplex can also be excited by light
It can also be generated as a result of injecting a current like an EL element. When generated by photoexcitation, when the electron injecting molecule (A) is selectively photoexcited, as a result of electron transfer from the excited state of A, the hole injecting molecule (D)
When P is selectively photoexcited, exciplexes are generated as a result of hole migration from the excited state of D.
In the EL element, an exciplex is generated as a result of collision of negative ions of A and positive ions of D at the interface between the electron injecting molecule (A) and the hole injecting molecule (D). At this time, a bond having a blocking property is formed with respect to the carrier of the electron injecting molecule (A) and the hole injecting molecule (D), and the carrier is accumulated at the bonding interface, so that the recombination efficiency of the carrier is enhanced. .
【００３３】エキサイプレックスの発光波長は、ＥV
（Ｄ）とＥC （Ａ）のエネルギー差を反映する。すなわ
ち、エキサイプレックスからの発光波長のエネルギーを
ｈνとすると、ｈν〜ＥV −ＥC −δ（ここで、δはス
トークスシフト）となる。よって、所望の発光波長が決
まれば、所望の電子注入性、ホール注入性を加味するこ
とにより、分子の組み合わせがある程度決まる。The emission wavelength of the exciplex is E V
It reflects the energy difference between (D) and E C (A). That is, if the energy of the emission wavelength from the exciplex is hν, then hν to E V −E C −δ (where δ is the Stokes shift). Therefore, once the desired emission wavelength is determined, the combination of molecules is determined to some extent by adding the desired electron injecting property and hole injecting property.
【００３４】本願第１の発明においては、エキサイプレ
ックスから発光サイトへのエネルギー移動により発光を
取り出す。エネルギー移動は、常にエネルギーの大きい
状態から小さい状態へ向かうので、エネルギー移動の結
果得られる発光のエネルギーは、常にエキサイプレック
スからの発光のエネルギーより小さくなる。したがっ
て、本願第１の発明の有機ＥＬ素子について発光波長を
設計しようとする場合、所望の発光のエネルギーよりも
大きなエネルギーのエキサイプレックスを生成するよう
なＡとＤを選択する。In the first invention of the present application, light emission is extracted by energy transfer from the exciplex to the light emission site. Since energy transfer is always from a high energy state to a low energy state, the energy of light emission obtained as a result of energy transfer is always smaller than the energy of light emission from the exciplex. Therefore, when designing the emission wavelength for the organic EL device of the first invention of the present application, A and D are selected so as to generate an exciplex having an energy larger than the desired emission energy.
【００３５】以下、本願第１の発明の有機ＥＬ素子に用
いられる具体的な材料について説明する。まず、適当な
電子注入性分子（Ａ）およびホール注入性分子（Ｄ）を
選択することによって、両キャリヤー注入特性すなわち
再結合領域の価電子帯レベル（ＥV ）および伝導帯レベ
ル（ＥC ）、ならびにエキサイプレックスの発光波長を
最適に設計することができる。また、両者の混合比率に
よって、両キャリヤー輸送特性、すなわち電子移動度μ
e とホール移動度μh を最適化することができる。以
下、本発明に用いられる電子注入性分子（Ａ）とホール
注入性分子（Ｄ）をより具体的に例示する。Specific materials used for the organic EL device of the first invention of the present application will be described below. First, by selecting the appropriate electron injection molecule (A) and a hole injecting molecules (D), both carrier injection characteristics or the recombination region valence band level (E V) and conduction band levels (E C) , As well as the emission wavelength of the exciplex can be optimally designed. Also, depending on the mixture ratio of both, the carrier transport characteristics of both, that is, the electron mobility μ
e and the Hall mobility μ h can be optimized. Hereinafter, the electron injecting molecule (A) and the hole injecting molecule (D) used in the present invention will be described more specifically.
【００３６】電子注入性分子を、電子注入性の強い順す
なわち薄膜状態において形成されるバンド構造における
伝導帯レベルの真空準位からの差（ＥC ）が大きい順に
以下に示す。これらは、ペンタセンテトロン（Ａ１）、
ジフェニルナフタレンテトラカルボキシイミド（Ａ
２）、アロキサジン（Ａ３）、ペリレンテトラカルボキ
シイミド（Ａ４）、ｐ−ビニルシアノアルキルエステル
（Ａ５）、シアヌイック酸トリフェニルイミド（Ａ
６）、Ｎ−フェニルナフタレンジカルボキシイミド（Ａ
７）、ピペロナールビニルシアノアルキルエステル（Ａ
８）、ＰＹ（Ａ９）、ジフェニルオキサジアゾール（Ａ
１０）、ベンズオキサゾール（Ａ１１）、ジフェニルオ
キサゾール（Ａ１２）、ヘキサフェニルベンゼン（Ａ１
３）である。The electron-injecting molecules are shown below in the order of strong electron-injecting property, that is, in the order of large difference (E C ) from the vacuum level of the conduction band level in the band structure formed in the thin film state. These are pentacentetron (A1),
Diphenylnaphthalene tetracarboximide (A
2), alloxazine (A3), perylene tetracarboximide (A4), p-vinyl cyanoalkyl ester (A5), cyanuic acid triphenylimide (A
6), N-phenylnaphthalene dicarboximide (A
7), piperonal vinyl cyanoalkyl ester (A
8), PY (A9), diphenyloxadiazole (A
10), benzoxazole (A11), diphenyloxazole (A12), hexaphenylbenzene (A1)
3).
【００３７】[0037]
【化４】 [Chemical 4]
【００３８】[0038]
【化５】 [Chemical 5]
【００３９】[0039]
【化６】 [Chemical 6]
【００４０】ホール注入性分子を、ホール注入性の弱い
順すなわち薄膜状態において形成されるバンド構造にお
ける価電子帯レベルの真空準位からの差（ＥV ）が大き
い順に以下に示す。これらは、ＴＰＣＰ（Ｄ１）、トリ
フェニルメタン（Ｄ２）、テトラフェニルエチレン（Ｄ
３）、トリフェニルアミン（Ｄ４）、ジアルキルフェニ
ルアミン（Ｄ５）、キナクリドン（Ｄ６）である。[0040] The hole injecting molecules, shown below in order difference (E V) is greater from the vacuum level of the valence band levels in the band structure formed in a weak order i.e. a thin film state hole-injecting property. These are TPCP (D1), triphenylmethane (D2), tetraphenylethylene (D
3), triphenylamine (D4), dialkylphenylamine (D5) and quinacridone (D6).
【００４１】[0041]
【化７】 [Chemical 7]
【００４２】[0042]
【化８】 [Chemical 8]
【００４３】以上では基本的な骨格のみを例示したが、
これらの基本骨格の２量体や３量体、またはこれらの基
本骨格から選択される２種以上の基本骨格を組み合わせ
たものを用いることもできる。Although only the basic skeleton is exemplified above,
It is also possible to use a dimer or trimer of these basic skeletons, or a combination of two or more basic skeletons selected from these basic skeletons.
【００４４】次に、電子注入性分子（Ａ）とホール注入
性分子（Ｄ）との混合物からなる再結合層におけるＡと
Ｄとの混合比について説明する。この混合比により、電
子移動度μe およびホール移動度μh を制御でき、ひい
てはηrec を向上できる。一般的には、再結合層の電子
移動度、ホール移動度は桁として同程度となるように設
計される。しかし、ホール移動度の大きい材料は多い
が、電子移動度の大きい材料は少ない。このため、Ａと
Ｄとを等量ずつ混合した場合、μh はμe に比べ１〜２
桁大きい値となる場合がある。この場合、μh とμe を
同程度にするためには、Ｄのモル濃度を少なくする、具
体的にはＤのモル濃度を５〜３０％にすることが有効で
ある。Next, the mixing ratio of A and D in the recombination layer made of a mixture of the electron injecting molecule (A) and the hole injecting molecule (D) will be described. With this mixing ratio, the electron mobility μ e and the hole mobility μ h can be controlled, and thus η rec can be improved. In general, the electron mobility and the hole mobility of the recombination layer are designed to have the same order of magnitude. However, many materials have high hole mobility, but few materials have high electron mobility. Therefore, when A and D are mixed in equal amounts, μ h is 1 to 2 as compared with μ e.
It may be a digit larger. In this case, in order to make μ h and μ e comparable, it is effective to reduce the molar concentration of D, specifically, the molar concentration of D is 5 to 30%.
【００４５】また、効率を向上させるために、ＤとＡと
の組み合わせや素子構造を適宜設計することにより、桁
としては同じ範囲を保ちつつ、μh ＞μe やμh ＜μe
となるよう微調整することもできる。例えば、再結合層
の電子注入性の強さがホール注入性の強さに比べて弱い
とき、すなわちＥMe−ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）の
とき、再結合層へのホール注入量が電子注入量に比べて
多くなる。この場合、μh ＜μe に設定して素子動作時
における再結合層でのホールの滞在時間を長くすること
が有効である。同様に、再結合層のホール注入性の強さ
が電子注入性の強さに比べて弱いとき、すなわちＥMe−
ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）のとき、再結合層におけ
る電子注入量がホール注入量に比べて多くなる。この場
合、μh＞μe として、素子動作時における再結合層で
の電子の滞在時間を長くすることが有効である。Further, in order to improve the efficiency, by appropriately designing the combination of D and A and the device structure, while maintaining the same range as a digit, μ h > μ e and μ h <μ e
It can also be fine-tuned so that For example, when the strength of the electron injection property of the recombination layer is weaker than the strength of the hole injection property, that is, when E Me −E C (A)> E Mh −E V (D), the recombination layer enters the recombination layer. The amount of injected holes is larger than the amount of injected electrons. In this case, it is effective to set μ h <μ e to lengthen the residence time of holes in the recombination layer during device operation. Similarly, when the hole injection property of the recombination layer is weaker than the electron injection property, that is, E Me −
When E C (A)> E Mh −E V (D), the electron injection amount in the recombination layer becomes larger than the hole injection amount. In this case, it is effective to set μ h > μ e to prolong the residence time of electrons in the recombination layer during device operation.
【００４６】また、有機薄膜間の接合状態がキャリヤー
の閉じ込めにとっては不利である場合にも、μe および
μh を調節することによりキャリヤーの閉じ込めを実現
できる。具体的には、ポリマー中にＤとＡとを分散させ
て、μh およびμe の両方を小さくする。このようにし
て、キャリヤー注入層におけるμe 、μh に比べて、再
結合層のμe 、μh を小さくすることができる。ただ
し、この場合、ポリマーに対するＤとＡの含有量の和は
１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。使用できるポ
リマーとしては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−ｔ−ブチル
スチレン）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（ビニ
ルトルエン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ
（アクリロニトリル）共重合体、ポリ（酢酸ビニル）、
および縮合重合体、例えばポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリイミドおよびポリスルホンなどがある。ま
た、キャリヤー注入層において所定の分散量でＤやＡを
ポリマー中へ分散させれば、電子注入層とホール注入層
との接合界面で分子対が形成されて再結合領域となる場
合についても、上述したように再結合層でＡとＤとの混
合比を調整したときと同様の制御を行うことができる。Even when the bonding state between the organic thin films is unfavorable for carrier confinement, carrier confinement can be realized by adjusting μ e and μ h . Specifically, D and A are dispersed in the polymer to reduce both μ h and μ e . In this way, mu e in the carrier injection layer, as compared to the mu h, the recombination layer mu e, it is possible to reduce the mu h. However, in this case, the sum of the contents of D and A with respect to the polymer is preferably 10 mol% or more. Polymers that can be used include polystyrene, poly (pt-butylstyrene), poly (vinylcarbazole), poly (vinyltoluene), poly (methylmethacrylate), poly (acrylonitrile) copolymer, poly (vinyl acetate),
And condensation polymers such as polyesters, polycarbonates, polyimides and polysulfones. Also, when D or A is dispersed in the polymer in a predetermined amount in the carrier injection layer, a molecule pair is formed at the junction interface between the electron injection layer and the hole injection layer to form a recombination region. As described above, the same control as when the mixing ratio of A and D is adjusted in the recombination layer can be performed.
【００４７】本願第１の発明においては、エキサイプレ
ックス発光が仮に生じた場合、所望の発光波長より短波
長の発光波長が得られるようなＡとＤの組み合わせを選
択する。以下、電子注入性分子（Ａ）とホール注入性分
子（Ｄ）との組み合わせで得られるエキサイプレックス
発光波長を表１に例示する。In the first invention of the present application, the combination of A and D is selected so that when exciplex emission is generated, an emission wavelength shorter than a desired emission wavelength is obtained. Table 1 shows the exciplex emission wavelengths obtained by combining the electron injecting molecule (A) and the hole injecting molecule (D).
【００４８】[0048]
【表１】 [Table 1]
【００４９】[0049]
【化９】 [Chemical 9]
【００５０】[0050]
【化１０】 [Chemical 10]
【００５１】本願第１の発明において、発光サイトとな
る分子としては、孤立状態（希薄状態）または微結晶状
態でηPLが高いものが選ばれる。具体的には、再結合領
域で生成するエキサイプレックスのηPLよりも高いηPL
を有する発光性分子が用いられ、孤立状態または微結晶
状態でのηPLが２０％以上、さらには５０％以上である
ことが好ましい。このような分子としては、「化１１」
〜「化１６」に示すような芳香族系の分子、シンチレー
タ用分子、レーザー色素などがある。すなわち、ルブレ
ン（Ｌ１）、フルオレン誘導体（Ｌ２）、ペリレン（Ｌ
３）、９，１０−ジメチルアントラセン（Ｌ４）、９，
１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン（Ｌ
５）、２，５−ジフェニルフラン（ＰＰＦ，Ｌ６）、
２，５−ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ，Ｌ７）、２
−（１−ナフチル）−５−フェニルオキサゾール（α−
ＮＰＯ，Ｌ８）、２−（４−ビフェニリル）オキサゾー
ル（ＢＰＯ，Ｌ９）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）オキサゾール（ＢＢＯ，Ｌ１０）、２，５−ジフェ
ニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＰＤ，Ｌ１
１）、２−（１−ナフチル）−５−フェニル−１，３，
４−オキサジアゾール（α−ＮＰＤ，Ｌ１２）、２−
（２−ナフチル）−５−フェニル−１，３，４−オキサ
ジアゾール（β−ＮＰＤ，Ｌ１３）、２−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル（ＰＢＤ，Ｌ１４）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ，Ｌ１
５）、２，５−ジ−（１−ナフチル）−１，３，４−オ
キサジアゾール（α−ＮＮＤ，Ｌ１６）、２，５−ジ−
（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（β
−ＮＮＤ，Ｌ１７）、１，４−ビス−［２−（５−フェ
ニルオキサゾリル）］ベンゼン（ＰＯＰＯＰ，Ｌ１
８）、１，４−ビス−［２−（４−メチル−５−フェニ
ルオキサゾリル）］ベンゼン（ジメチルＰＯＰＯＰ，Ｌ
１９）、ビス−（イソプロピルスチリル）ベンゼン（Ｂ
ＰＳＢ，Ｌ２０）、２，５−ビス−［５−ｔ−ブチルベ
ンゾオキサゾリル（２）］チオフェン（ＢＢＯＴ，Ｌ２
１）、ジフェニルスチルベン（ＤＰＳ，Ｌ２２）、ｐ−
ターフェニル（Ｌ２３）、ヘキサフェニル（Ｌ２４）、
ペンタフェニル（Ｌ２５）、ジアルコキシポリフェニル
（Ｌ２６）、９−アミノアクリドン（Ｌ２７）、ローダ
ミンＢ（Ｌ２８）、９，１０−ジフェニルアントラセン
（Ｌ２９）、アクリドン（Ｌ３０）、オキサジン（Ｌ３
１）、ＤＣＭ（Ｌ３２）などが挙げられる。In the first invention of the present application, a molecule having a high η PL in an isolated state (diluted state) or a microcrystalline state is selected as a molecule serving as a light emitting site. Specifically, η PL higher than η PL of the exciplex produced in the recombination region
It is preferable that η PL in an isolated state or a microcrystalline state is 20% or more, and further 50% or more. As such a molecule,
To aromatic molecules, scintillator molecules, laser dyes and the like. That is, rubrene (L1), fluorene derivative (L2), perylene (L
3), 9,10-dimethylanthracene (L4), 9,
10-bis (phenylethynyl) anthracene (L
5), 2,5-diphenylfuran (PPF, L6),
2,5-diphenyloxazole (PPO, L7), 2
-(1-Naphthyl) -5-phenyloxazole (α-
NPO, L8), 2- (4-biphenylyl) oxazole (BPO, L9), 2,5-di- (4-biphenylyl) oxazole (BBO, L10), 2,5-diphenyl-1,3,4-oxa Diazole (PPD, L1
1), 2- (1-naphthyl) -5-phenyl-1,3,
4-oxadiazole (α-NPD, L12), 2-
(2-naphthyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (β-NPD, L13), 2-phenyl-5
-(4-biphenylyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD, L14), 2,5-di- (4-biphenylyl) -1,3,4-oxadiazole (BBD, L1
5), 2,5-di- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (α-NND, L16), 2,5-di-
(2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (β
-NND, L17), 1,4-bis- [2- (5-phenyloxazolyl)] benzene (POPOP, L1
8), 1,4-bis- [2- (4-methyl-5-phenyloxazolyl)] benzene (dimethyl POPOP, L
19), bis- (isopropylstyryl) benzene (B
PSB, L20), 2,5-bis- [5-t-butylbenzoxazolyl (2)] thiophene (BBOT, L2
1), diphenylstilbene (DPS, L22), p-
Terphenyl (L23), hexaphenyl (L24),
Pentaphenyl (L25), dialkoxypolyphenyl (L26), 9-aminoacridone (L27), rhodamine B (L28), 9,10-diphenylanthracene (L29), acridone (L30), oxazine (L3).
1), DCM (L32) and the like.
【００５２】[0052]
【化１１】 [Chemical 11]
【００５３】[0053]
【化１２】 [Chemical 12]
【００５４】[0054]
【化１３】 [Chemical 13]
【００５５】[0055]
【化１４】 [Chemical 14]
【００５６】[0056]
【化１５】 [Chemical 15]
【００５７】[0057]
【化１６】 [Chemical 16]
【００５８】発光性分子は発光波長、キャリヤー注入特
性、極性に留意して選択することが好ましい。所望の発
光波長を得るには、再結合領域におけるエキサイプレッ
クスのエネルギーよりも小さい光学バンドギャップを有
する発光性分子を選択する。注入特性に関しては、周囲
の分子（以下、ホストという）と発光サイトとで性質が
大きく異なると、ホストと発光サイトとの間のエキサイ
プレックス発光が生じ、発光サイトが本来有する高いη
PLを生かすことができなくなるおそれがある。これを避
けるためには、ホストおよび発光サイト（ドーパント）
の価電子帯レベルをそれぞれＥV(Host) 、ＥV(dop)、ホ
ストおよび発光サイト（ドーパント）の伝導帯レベルを
それぞれＥC(Host) 、ＥC(dop)とするとき、 ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。また、発光サイトを含有する層と隣接する層との間
でのエキサイプレックス発光を避けるため、これらの界
面より０．５ｎｍ以内には発光性分子がドーピングされ
ないことが望ましい。さらに、ホストと発光サイトとの
極性に関しては、互いに近似している場合ほどηPLは高
くなるので好ましい。これは、ホストと発光サイトの極
性が大きく異なると、発光サイト同士の会合が促進され
るからである。The luminescent molecule is preferably selected in consideration of the emission wavelength, carrier injection characteristics and polarity. To obtain the desired emission wavelength, a luminescent molecule is selected that has an optical bandgap that is less than the energy of the exciplex in the recombination region. Regarding the injection characteristics, if the properties of the surrounding molecules (hereinafter referred to as the host) and the light emitting site differ greatly, exciplex light emission occurs between the host and the light emitting site, and the high η originally possessed by the light emitting site occurs.
It may not be possible to utilize PL . To avoid this, the host and the emissive site (dopant)
The valence band level of each E V (Host), E V (dop), the host and the light emitting sites (dopant) of the conduction band level E each C (Host), when the E C (dop), E V ( It is preferable that at least one of the relationship of dop) −EV (Host) <0.6 eV EC (Host) −EC (dop) <0.6 eV is satisfied. Further, in order to avoid exciplex light emission between the layer containing the light emitting site and the adjacent layer, it is desirable that the light emitting molecule is not doped within 0.5 nm from the interface between these layers. Further, regarding the polarities of the host and the light emitting site, η PL becomes higher as the polarities are closer to each other, which is preferable. This is because when the polarities of the host and the light emitting site are significantly different, the association between the light emitting sites is promoted.
【００５９】次に、本願第２の発明の有機ＥＬ素子につ
いて説明する。本願第２の発明は、再結合領域とは別の
電子注入層またはホール注入層中に、再結合領域で生成
した励起状態からのエネルギー移動により発光する発光
サイトを含有させたものである。このような構造の有機
ＥＬ素子では、以下に述べるように素子駆動の結果とし
て生じるおそれのある悪影響を回避できる。すなわち、
有機ＥＬ素子の動作時において、再結合領域では電子と
ホールとの再結合により、トリプレット励起状態（Ｔ）
とシングレット励起状態（Ｓ）とが、Ｔ：Ｓ＝３：１の
割合で生成する。Ｔはスピン禁制のため、数μｓ〜数ｍ
ｓの長い自然寿命を持ち、これより圧倒的に早い無輻射
失活過程によりほとんどが熱に変化する。この発熱によ
り、再結合領域の温度が上昇し、さらに無輻射過程の速
度を増大させるためηPLが低下する傾向がある。また、
再結合領域においては、電子およびホールが狭い領域に
多数存在するため、局所的に１０6 Ｖ／ｃｍ以上の大き
な電界強度が印加される結果、分子構造に歪みが生じ、
ηPLが減少する。本願第２の発明においては、発光サイ
トを再結合領域とは異なる層であるキャリヤー注入層に
含有させているので、局所的な温度上昇、大きな電場印
加を避けることができ、素子駆動時のηPLの低下を防ぐ
ことができる。Next, the organic EL device of the second invention of the present application will be described. In the second invention of the present application, a light emitting site that emits light by energy transfer from an excited state generated in the recombination region is contained in an electron injection layer or a hole injection layer different from the recombination region. In the organic EL element having such a structure, it is possible to avoid adverse effects that may occur as a result of driving the element, as described below. That is,
During operation of the organic EL device, triplet excited state (T) is generated in the recombination region due to recombination of electrons and holes.
And the singlet excited state (S) are generated at a ratio of T: S = 3: 1. Since T is spin-forbidden, it is several μs to several m
It has a long natural life of s, and most of it is converted to heat by a radiationless deactivation process that is overwhelmingly faster than this. Due to this heat generation, the temperature of the recombination region rises, and since the speed of the non-radiative process increases, η PL tends to decrease. Also,
In the recombination region, a large number of electrons and holes exist in a narrow region, so that a large electric field intensity of 10 6 V / cm or more is locally applied, resulting in distortion of the molecular structure,
η PL decreases. In the second invention of the present application, since the light emitting site is contained in the carrier injection layer which is a layer different from the recombination region, it is possible to avoid a local temperature increase and a large electric field application, and it is possible to avoid It is possible to prevent a decrease in PL .
【００６０】本願第２の発明においては、電子注入層に
用いられる電子注入性分子（Ａ）、ホール注入層に用い
られるホール注入性分子（Ｄ）、および発光サイトとし
て用いられる発光性分子は、基本的には本願第１の発明
と同様のものが用いられる。一方、再結合領域を構成す
る分子または分子対としては特に限定されないが、ＥC
−ＥMe＜１．０ｅＶかつＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係
を満足する両キャリヤー注入性分子を用いることが好ま
しく、さらには（ηinj ×ηrec ）の高いものを用いる
ことがより好ましい。ただし、発光性分子を電子注入
層、ホール注入層のいずれに含有させる場合にも、発光
サイトと周囲の分子（電子注入性分子またはホール注入
性分子）との間のエキサイプレックス発光が生じない材
料を選択することが好ましい。この場合にも、上述した
ように ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。In the second aspect of the present invention, the electron injecting molecule (A) used in the electron injecting layer, the hole injecting molecule (D) used in the hole injecting layer, and the light emitting molecule used as the light emitting site are: Basically, the same one as the first invention of the present application is used. On the other hand, the molecule or molecule pair constituting the recombination region is not particularly limited, but E C
It is preferable to use both carrier-injecting molecules satisfying the relations of −E Me <1.0 eV and E Mh −E V <1.0 eV, and it is more preferable to use one having a high (η inj × η rec ). preferable. However, no matter whether the light-emitting molecule is contained in the electron-injection layer or the hole-injection layer, exciplex light emission between the light-emitting site and surrounding molecules (electron-injection molecule or hole-injection molecule) does not occur. Is preferably selected. In this case, it satisfies at least one relationship of E V (dop) -E V as described above (Host) <0.6eV E C ( Host) -E C (dop) <0.6eV preferable.
【００６１】また、再結合領域を構成する分子と発光性
分子とは、励起エネルギー移動が効率よく起こるような
組み合わせであることが好ましい。その程度は相互作用
半径Ｒで定義され、Ｒが大きいほど好ましい。この場
合、再結合領域を構成する分子（エネルギードナー）の
バンドギャップをＥg （ＥＤ）、発光性分子（エネルギ
ーアクセプター）のバンドギャップをＥg （ＥＡ）とす
るとき、 Ｅg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ） の関係が満足される必要がある。実際に材料を選定する
にあたっては、エネルギードナーのＰＬ発光スペクトル
とエネルギーアクセプターの吸収スペクトルとが波長的
に重なっていることが条件となる。Ｒを大きくするため
には、その重なりの度合いが大きいこと、エネルギード
ナーのＰＬ発光スペクトルの量子効率が高いこと、エネ
ルギーアクセプターの吸収スペクトルの吸光係数が大き
いことが望ましい。このような条件を満たせば、Ｒは
２．５〜１０ｎｍの十分な値となる。Further, it is preferable that the molecule forming the recombination region and the light-emitting molecule are combined so that the excitation energy transfer occurs efficiently. The degree is defined by the interaction radius R, and the larger R is, the more preferable. In this case, when the band gap of the molecule (energy donor) that constitutes the recombination region is E g (ED) and the band gap of the light emitting molecule (energy acceptor) is E g (EA), E g (ED) The relation of ≧ E g (EA) needs to be satisfied. In actually selecting the material, it is a condition that the PL emission spectrum of the energy donor and the absorption spectrum of the energy acceptor overlap in wavelength. In order to increase R, it is desirable that the degree of overlap be large, the quantum efficiency of the PL emission spectrum of the energy donor be high, and the absorption coefficient of the absorption spectrum of the energy acceptor be large. If such conditions are satisfied, R will be a sufficient value of 2.5 to 10 nm.
【００６２】本願第２の発明においては、発光性分子を
キャリヤー注入層にドーピングするので、再結合領域の
厚さを１０ｎｍ以下とし、発光性分子を再結合領域から
１０ｎｍ以内の範囲の界面近傍のキャリヤー注入層内に
ドーピングすることが好ましい。すなわち、全ての発光
性分子に対して１０ｎｍ以内に再結合サイトが存在する
ことが好ましい。発光性分子の濃度は、本願第１の発明
と同様な理由により、再結合領域からの距離が１０ｎｍ
以内の範囲内で０．５〜５ｍｏｌ％とすることが好まし
い。In the second invention of the present application, since the luminescent molecules are doped in the carrier injection layer, the thickness of the recombination region is set to 10 nm or less, and the luminescent molecules are formed in the vicinity of the interface within the range of 10 nm from the recombination region. Doping into the carrier injection layer is preferred. That is, it is preferable that recombination sites exist within 10 nm for all the light-emitting molecules. The concentration of the luminescent molecule is 10 nm from the recombination region for the same reason as in the first invention of the present application.
Within the range, it is preferably 0.5 to 5 mol%.
【００６３】なお、以上ではキャリヤー注入層に発光性
分子をドーピングする場合について説明したが、キャリ
ヤー注入層に高い発光性能を有する分子を用いれば、キ
ャリヤー注入層を構成する分子を発光サイトとして用い
ることができる。この場合も、発光サイトと再結合領域
の分子とは上述したようにＥg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ）
の関係を満たす必要があるが、光学的な意味でのバンド
ギャップの条件を満たせばよいので、キャリヤー注入条
件も同時に満たすことは可能である。例えば、ホール注
入層を発光層としても用いる場合、ホール注入層のバン
ドギャップを再結合層より小さくするが、ホール注入層
が電子ブロッキング性を持つ程度にバンドギャップを設
定すれば、素子の性能を損なうことはない。また、キャ
リヤー注入層全体が発光サイトとなるので、再結合層の
厚さを１０ｎｍ程度に設定すれば、相互作用半径内に存
在する分子数が多くなり、エネルギー移動効率を高める
ことができる。また、発光層を兼ねるキャリヤー注入層
を結晶構造とすれば、光子変換効率を向上させることが
でき、素子効率を向上させることができる。Although the case where the carrier injection layer is doped with a light-emitting molecule has been described above, if a molecule having a high light emitting property is used for the carrier injection layer, the molecule forming the carrier injection layer is used as a light emitting site. You can Also in this case, the emission site and the molecule in the recombination region have E g (ED) ≧ E g (EA) as described above.
However, the carrier injection condition can be satisfied at the same time because the band gap condition in the optical sense is satisfied. For example, when the hole injection layer is also used as the light emitting layer, the band gap of the hole injection layer is made smaller than that of the recombination layer, but if the band gap is set to an extent that the hole injection layer has an electron blocking property, the device performance will be improved. There is no loss. Moreover, since the entire carrier injection layer serves as a light emitting site, if the thickness of the recombination layer is set to about 10 nm, the number of molecules existing within the interaction radius increases, and the energy transfer efficiency can be improved. Further, if the carrier injection layer also serving as the light emitting layer has a crystal structure, the photon conversion efficiency can be improved and the device efficiency can be improved.
【００６４】さらに、本発明においては、再結合領域な
どを構成する分子として、８−キノリノール骨格が連結
基を介して２個以上結合した４座以上の多座配位子と、
１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正イオン、３
族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正イオン、１
３族原子の３価正イオンおよび１４族原子の４価正イオ
ンからなる群より選択される金属正イオンとの有機金属
錯体を用いることが好ましい。以下に示すように、この
ような有機金属錯体からなるアモルファス薄膜は、両キ
ャリヤー注入性を満足し、しかも高いηPLと良好な熱的
安定性を有する。Further, in the present invention, a tetradentate or higher polydentate ligand in which two or more 8-quinolinol skeletons are bound to each other through a linking group is used as a molecule constituting the recombination region and the like.
Monovalent positive ion of group 1 atom, divalent positive ion of group 2 atom, 3
Trivalent positive ion of group atom, divalent positive ion of group 12 atom, 1
It is preferable to use an organometallic complex with a metal cation selected from the group consisting of trivalent cations of Group 3 atoms and tetravalent cations of Group 14 atoms. As shown below, an amorphous thin film made of such an organometallic complex satisfies both carrier injection properties and has high η PL and good thermal stability.
【００６５】以下、上記の有機金属錯体についてより詳
細に説明する。８−キノリノールとは狭義には（Ｉ）式
で示される分子を指す。この分子はアルカリ性の溶媒に
おいては−ＯＨ基からプロトンが解離して（ＩＩ）式に
示される構造となり、溶媒に金属のカチオンが存在する
とクーロン相互作用によりＯ- とＮ：とが配位して錯体
を形成する。The above organometallic complex will be described in more detail below. 8-quinolinol refers to a molecule represented by the formula (I) in a narrow sense. In an alkaline solvent, this molecule has a structure represented by the formula (II) in which the proton is dissociated from the —OH group. When a metal cation is present in the solvent, O − and N: are coordinated by Coulomb interaction. Form a complex.
【００６６】[0066]
【化１７】 [Chemical 17]
【００６７】８−キノリノール骨格とは、前記（Ｉ），
（ＩＩ）で示される８−キノリノール分子そのものに限
らず、その誘導体も含む。このような誘導体としては、
例えば３，４，５，６，７位のいずれかの炭素原子が窒
素原子に置換された８−ハイドロキシキナゾリン骨格；
（３，４），（４，５），（５，６），（６，７）位に
縮合環が結合した８−ハイドロキシキナルジン骨格など
も含まれる。また、３，４，５，６，７位の水素原子が
メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原
子、−ＣＦ3 基などで置換されたものも含まれる。これ
らの誘導体はいずれも２座配位子である。The 8-quinolinol skeleton means the above (I),
It is not limited to the 8-quinolinol molecule itself represented by (II), but includes its derivatives. Such derivatives include:
For example, an 8-hydroxyquinazoline skeleton in which any of the carbon atoms at the 3,4,5,6,7 positions is substituted with a nitrogen atom;
An 8-hydroxyquinaldine skeleton in which a condensed ring is bonded to the (3,4), (4,5), (5,6) and (6,7) positions is also included. Further, 5, 6, 7-position of the hydrogen atom is a methyl group, an ethyl group, n- butyl group, iso- butyl group, t- butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a fluorine atom, -CF 3 group It also includes the ones replaced with. All of these derivatives are bidentate ligands.
【００６８】本発明に係る有機金属錯体を構成する配位
子は、上記の８−キノリノール骨格が連結基を介して２
個以上結合したものである。この場合、２個以上の８−
キノリノール骨格は同一であってもよいし互いに異なっ
ていてもよい（以下、８−キノリノール骨格をｑと略し
て表示する）。連結基としては、ｑに直接化学結合して
もｑの発光性が失われないようなものが選ばれる。ｑが
２個の場合に用いられる連結基を「化１８」に、ｑが３
個の場合に用いられる連結基を「化１９」にそれぞれ示
す。なお、ｑが２個の場合には４座配位子となり、ｑが
３個の場合には６座配位子となる。また、適当な連結基
を用いることにより４個以上のｑが結合した８座以上の
配位子も形成できる。The ligand which constitutes the organometallic complex according to the present invention has the above-mentioned 8-quinolinol skeleton 2 via the connecting group.
It is a combination of more than one. In this case, two or more 8-
The quinolinol skeletons may be the same or different from each other (hereinafter, 8-quinolinol skeleton is abbreviated as q). The linking group is selected such that the luminescent property of q is not lost even if it is chemically bonded directly to q. The linking group used when q is 2 is “Chemical Formula 18”, and q is 3
The linking groups used in each case are shown in "Chemical Formula 19". In addition, when q is two, it becomes a tetradentate ligand, and when q is three, it becomes a hexadentate ligand. Further, by using an appropriate linking group, an octadentate or higher ligand having 4 or more q's bonded thereto can be formed.
【００６９】[0069]
【化１８】 [Chemical 18]
【００７０】[0070]
【化１９】 [Chemical 19]
【００７１】８−キノリノール骨格において連結基を結
合させる位置について述べる。１個のｑあたり１個の連
結基を導入する場合、その導入位置は（Ｉ）または（Ｉ
Ｉ）式の２位または７位のいずれかであることが望まし
い。１個のｑあたり２個以上の連結基を導入する場合、
そのうちの１個は（Ｉ）または（ＩＩ）式における２位
または７位のいずれかであることが望ましい。The position at which the linking group is bonded in the 8-quinolinol skeleton will be described. When one linking group is introduced per q, the introduction position is (I) or (I
It is preferably at either the 2-position or the 7-position of the formula I). When two or more linking groups are introduced per q,
It is desirable that one of them is either the 2-position or the 7-position in the formula (I) or (II).
【００７２】本発明における有機金属錯体を構成する中
心金属は、１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正
イオン、３族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正
イオン、１３族原子の３価正イオン、１４族原子の４価
正イオンからなる群より選択される金属正イオンであ
る。これらのうちでも、Ｌｉ+ ，Ｂｅ2+，Ｍｇ2+，Ａｌ
3+，Ｃａ2+，Ｓｃ2+，Ｃｏ2+，Ｚｎ2+，Ｇａ3+，Ｓ
ｒ2+，Ｙ3+，Ｚｒ4+，Ｃｄ2+，Ｉｎ3+，Ｓｎ2+，Ｂ
ａ2+，Ｌａ3+が望ましい。The central metal constituting the organometallic complex in the present invention is a monovalent positive ion of a Group 1 atom, a divalent positive ion of a Group 2 atom, a trivalent positive ion of a Group 3 atom, and a divalent positive ion of a Group 12 atom. It is a metal positive ion selected from the group consisting of an ion, a trivalent positive ion of a group 13 atom, and a tetravalent positive ion of a group 14 atom. Among these, Li + , Be 2+ , Mg 2+ , Al
3+ , Ca 2+ , Sc 2+ , Co 2+ , Zn 2+ , Ga 3+ , S
r 2+ , Y 3+ , Zr 4+ , Cd 2+ , In 3+ , Sn 2+ , B
a 2+ and La 3+ are desirable.
【００７３】以上のようなｑが２個以上結合した配位子
と中心金属とで構成される有機金属錯体において、１個
の中心金属あたりに配位するｑの数は中心金属の価数に
よって決まる。すなわち、２価の正イオンであれば２
個、３価の正イオンであれば３個となり、いずれもｑは
（ＩＩ）の形で配位して電荷の中性が保たれる。１価の
正イオンに対しては２個のｑが配位し、そのうち１つは
（Ｉ）、残りは（ＩＩ）の形となる。In an organometallic complex composed of a ligand having two or more bonded qs and a central metal as described above, the number of qs coordinated per one central metal depends on the valence of the central metal. Decided. That is, if the divalent positive ion is 2
If the number of positive ions is three, the number of positive ions is three, and in each case, q is coordinated in the form of (II) to keep the charge neutrality. Two qs are coordinated to a monovalent positive ion, one of which has the form (I) and the other has the form (II).
【００７４】１個の配位子により電荷中性が保たれる錯
体では、２価の正イオンに対してｑが２個結合した配位
子、３価の正イオンに対してｑが３個結合した配位子、
４価の正イオンに対してｑが４個結合した配位子を用い
る。この場合、おのおののｑの酸素原子間の距離がすべ
て０．５ｎｍ未満となるように、連結基の種類、連結基
を導入する位置を選択する。In a complex in which charge neutrality is maintained by one ligand, a ligand in which two q's are bound to a divalent positive ion and three q's are bound to a trivalent positive ion Bound ligand,
A ligand in which four q's are bonded to a tetravalent positive ion is used. In this case, the type of linking group and the position at which the linking group is introduced are selected so that the distances between the oxygen atoms of q are all less than 0.5 nm.
【００７５】２個以上の配位子により電荷中性が保たれ
る錯体では、少なくとも１個の配位子が本発明に係るも
のであればよい。例えば、中心金属の原子価が３価の場
合、中心金属に対してｑが２個結合された配位子と単独
のｑからなる配位子（またはキノリノール骨格を持たな
い他の配位子）とが１個ずつ配位したものが挙げられ
る。この場合にも、ｑが２個結合したものは、おのおの
のｑの酸素原子間の距離がすべて０．５ｎｍ未満となる
ように、連結基の種類、連結基を導入する位置を選択す
る。In the complex in which the charge neutrality is maintained by the two or more ligands, at least one ligand may be the one according to the present invention. For example, when the valence of the central metal is trivalent, a ligand consisting of a ligand in which two q's are bonded to the central metal and a single q (or another ligand having no quinolinol skeleton) An example is one in which and are coordinated one by one. Also in this case, in the case where two q's are bonded, the type of the linking group and the position at which the linking group is introduced are selected so that the distances between the oxygen atoms of each q are all less than 0.5 nm.
【００７６】金属イオンの価数より配位子を構成するｑ
の数が大きく場合、１個の配位子が２個以上の金属に配
位するブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属に対してｑが３個以上結合した配
位子を用いればブリッジ構造の錯体が得られる。また、
３価の中心金属に対してｑが４個以上結合した配位子を
用いる場合も同様である。逆に、金属イオンの価数と配
位子を構成するｑの数とが等しいかまたはｑの数が少な
い場合にも、連結基の種類、連結基を導入する位置によ
ってはブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属とｑが２個結合した配位子とを用
いる場合、２個のｑの酸素原子間の距離が０．５ｎｍよ
り大きい場合には、ブリッジ構造の分子となる。中心金
属の原子価が３価以上のときも同様である。Q constituting the ligand from the valence of the metal ion
When the number of is large, one ligand can form a complex having a bridge structure in which two or more metals are coordinated. For example, a complex having a bridge structure can be obtained by using a ligand in which three or more q's are bonded to a divalent central metal. Also,
The same applies when a ligand in which four or more q's are bonded to a trivalent central metal is used. Conversely, even when the valence of the metal ion is equal to the number of q constituting the ligand or the number of q is small, depending on the type of the linking group and the position at which the linking group is introduced, a bridge structure complex may be formed. Can be formed. For example, when a divalent central metal and a ligand in which two q's are bonded are used and the distance between two q's oxygen atoms is larger than 0.5 nm, the molecule has a bridge structure. The same applies when the valence of the central metal is three or more.
【００７７】本発明に係る有機金属錯体は、後述するよ
うに両キャリヤー注入性を満足し、励起状態からの発光
効率も高いので、有機ＥＬ素子において発光サイトへ励
起エネルギーを移動させる再結合層や、再結合発光層ま
たは再結合層における励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとしても用いることができる。
例えば、再結合発光層または発光サイトとして好ましく
用いられる錯体としては、「化２０」に示すようなもの
がある。Since the organometallic complex according to the present invention satisfies both carrier injecting properties and has high emission efficiency from an excited state, as will be described later, a recombination layer for transferring excitation energy to a light emitting site in an organic EL device, It can also be used as a recombination emission layer or as an emission site that emits light by energy transfer from an excited state in the recombination layer.
For example, as a complex preferably used as the recombination light emitting layer or the light emitting site, there is a complex shown in "Chemical Formula 20".
【００７８】[0078]
【化２０】 また、再結合層に好ましく用いられる錯体としては、
「化２１」に示すようなものがある。[Chemical 20] Further, as the complex preferably used for the recombination layer,
There is something like that shown in "Chemical 21".
【００７９】[0079]
【化２１】 [Chemical 21]
【００８０】本発明に係る有機金属錯体は、８−キノリ
ノールが有する良好な両キャリヤー注入性を維持しなが
ら、励起状態からの発光効率が向上し、熱的安定性にも
優れている。The organometallic complex according to the present invention has improved emission efficiency from an excited state and excellent thermal stability while maintaining good carrier injection properties of 8-quinolinol.
【００８１】まず、本発明に係る有機金属錯体からなる
有機薄膜において、励起状態からの発光効率ηPLが高い
理由について説明する。有機分子のηPLは、その発光再
結合過程の速度をｋf 、非発光再結合過程の速度をｋi
とするとき、ηPL＝ｋf ／（ｋf ＋ｋi ）で表される。
ここで、ｋi は分子の振動によって促進される。本発明
に係る有機金属錯体では、８−キノリノール骨格が連結
基を介して結合されているので、配位子の動きの自由度
が減少し分子振動が少ないので、ｋi が小さくなってη
PLが向上する。First, the reason for the high luminous efficiency η PL from the excited state in the organic thin film made of the organometallic complex according to the present invention will be described. The η PL of the organic molecule is k f for the speed of the radiative recombination process and k i for the speed of the non-radiative recombination process.
Where η PL = k f / (k f + k i ).
Here, k i is promoted by the vibration of the molecule. In the organometallic complex according to the present invention, since the 8-quinolinol skeleton is bound via the linking group, the freedom of movement of the ligand is reduced and the molecular vibration is small, so that k i becomes small and η
PL is improved.
【００８２】また、８−キノリノールが３個配位した錯
体には、２つの幾何異性体（ｍｅｒ，ｆａｃ）が存在す
ることが知られている。これらの異性体は相互に変換が
可能である（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，
２（７），７６７）。本発明者らは、幾何異性体のうち
ｆａｃの方がｍｅｒに比べてηPLが高いことを見いだし
た。しかし、従来の有機ＥＬ素子においては両者の異性
体の混合物が用いられていたため、ηPLを十分に向上さ
せることはできなかった。一方、本発明では、配位子を
連結基を介して結合させることにより、ｆａｃのみから
なりｍｅｒへ変化できない有機金属錯体を実現できるの
で、ηPLを著しく向上できる。例えば、（ＩＩＩ）の構
造で中心金属がＡｌである有機金属錯体のηPLは、従来
のＡｌｑ3 で得られているηPLの最高値よりもさらに高
い値を示した。これは、配位子を連結基で結合すること
により、無輻射遷移の原因となっていた配位子の相対的
な配置の振動、またはＡｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎの振動が抑制
されたためであると考えられる。Further, it is known that two geometric isomers (mer, fac) exist in a complex in which three 8-quinolinols are coordinated. These isomers can be converted into each other (J. Mater. Chem., 1992,
2 (7), 767). The present inventors have found that among geometric isomers, fac has a higher η PL than mer. However, since a mixture of both isomers was used in the conventional organic EL device, η PL could not be sufficiently improved. On the other hand, in the present invention, by binding a ligand through a linking group, an organometallic complex that is composed only of fac and cannot be converted into a mer can be realized, so that η PL can be significantly improved. For example, η PL of the organometallic complex having the structure (III) and the central metal being Al was higher than the maximum value of η PL obtained by conventional Alq 3 . This is because the coupling of the ligands with each other suppresses the vibration of the relative arrangement of the ligands or the vibrations of Al-O and Al-N, which are the cause of the non-radiative transition. It is believed that there is.
【００８３】また、従来のＡｌｑ3 と本発明に係る（Ｉ
ＩＩ）の構造の有機金属錯体とで発光ピーク波長および
半値幅を比較したところ、発光ピーク波長は５３０ｎｍ
から４７０ｎｍへ短波長化し、半値幅も４０００ｃｍ-1
から２７００ｃｍ-1へ減少した。ピーク波長が短波長化
した原因は、分子内の振動が抑制され励起状態から基底
状態へ電子遷移するときに振動として消費されるエネル
ギーが少なくなったため、ストークスシフトが小さくな
ったことによると考えられる。半値幅が減少した原因
は、本発明の有機金属錯体では配位子の相対位置が揃っ
ているため、発光波長が狭い波長領域に収まるためであ
ると考えられる。Further, according to the conventional Alq 3 and the present invention (I
When the emission peak wavelength and the half bandwidth were compared with the organometallic complex having the structure of II), the emission peak wavelength was 530 nm.
Wavelength to 470 nm, full width at half maximum is 4000 cm -1
To 2700 cm -1 . It is considered that the reason why the peak wavelength was shortened is that the Stokes shift became smaller because the energy consumed as vibrations when the electronic transition from the excited state to the ground state was suppressed due to the suppression of intramolecular vibrations. . It is considered that the reason why the full width at half maximum is decreased is that the organometallic complex of the present invention has the relative positions of the ligands aligned, and thus the emission wavelength falls within a narrow wavelength region.
【００８４】さらに、（Ｖ）のＡｌ錯体に対して（ＩＩ
Ｉ）のＡｌ錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は
（ＩＩＩ）のＡｌ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上
し、同様に（ＶＩ）のＺｎ錯体に対して（ＩＶ）のＺｎ
錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は（ＩＶ）のＺ
ｎ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上することが見い
だされた。このような現象は、ドーピングされた錯体が
疑似的な孤立状態になるため、錯体同士の相互作用に基
づく無輻射遷移が抑制されたためであると考えられる。Further, for the Al complex of (V), (II
The organic thin film doped with 1 to 5% of the Al complex of (I) has a higher η PL than the organic thin film of the Al complex of (III) alone.
The organic thin film doped with 1 to 5% of the complex is (IV) Z
It has been found that η PL is improved as compared to the organic thin film of n complex alone. It is considered that such a phenomenon is because the doped complex is in a pseudo isolated state, and the non-radiative transition due to the interaction between the complexes is suppressed.
【００８５】次に、本発明に係る有機金属錯体からなる
有機薄膜の熱的安定性が向上する理由について説明す
る。有機薄膜の熱的安定性は、その材料のガラス転移点
Ｔｇ、すなわちガラス状態から結晶へと変化する温度で
評価される。ガラス転移点は、融解およびガラス転移に
伴うエントロピーの変化量が小さいほど高くなることが
知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，９７（２
３），６２４０（１９９３））。融解およびガラス転移
に伴うエントロピーの変化量は、分子量が大きく、分子
の回転や振動の自由度が小さいほど、小さくなることが
知られている。本発明に係る有機金属錯体は、配位子を
連結基を介して結合することにより、分子量が大きくな
り、配位子の動きの自由度が減少したために、ガラス転
移点が上昇したと考えられる。例えば、従来のＡｌｑ3
のＴｇは１７５℃であるが、（ＩＩＩ）のＡｌ錯体、
（Ｖ）のＡｌ錯体、（ＩＶ）のＺｎ錯体、（ＶＩ）のＺ
ｎ錯体のガラス転移点はいずれも１９０℃以上である。
さらに、これらの錯体の５位の炭素原子を結合した構造
の錯体のガラス転移点は２５０℃以上である。Next, the reason why the thermal stability of the organic thin film made of the organometallic complex according to the present invention is improved will be described. The thermal stability of an organic thin film is evaluated by the glass transition point Tg of the material, that is, the temperature at which the glass state changes to a crystal. It is known that the glass transition point becomes higher as the amount of change in entropy associated with melting and glass transition becomes smaller (J. Phys. Chem., 97 (2.
3), 6240 (1993)). It is known that the amount of change in entropy due to melting and glass transition decreases as the molecular weight increases and the degree of freedom of rotation and vibration of the molecule decreases. In the organometallic complex according to the present invention, it is considered that the glass transition point is increased because the molecular weight is increased and the freedom of movement of the ligand is decreased by binding the ligand through the linking group. . For example, conventional Alq 3
Has a Tg of 175 ° C., but the Al complex of (III),
(V) Al complex, (IV) Zn complex, (VI) Z
The glass transition point of each n complex is 190 ° C. or higher.
Furthermore, the glass transition point of the complex having a structure in which the carbon atom at the 5-position of these complexes is bonded is 250 ° C. or higher.
【００８６】また、（Ｖ）のＡｌ錯体および（ＶＩ）の
Ｚｎ錯体のηPLは従来のＡｌｑ3 およびＺｎｑ3 のそれ
と同等であるが、これらの錯体を用いて作製した素子に
おいて１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流すのに要する電圧は
従来の錯体を用いて作製した素子に比べ３Ｖ程度低いこ
とがわかった。以下、この原因について説明する。ま
ず、タイム・オブ・フライト（ＴＯＦ）法によりこれら
の錯体からなる有機薄膜の電気伝導度を測定したとこ
ろ、Ａｌｑ3 に比べて１桁程度高かった。また、変位電
流測定法によりこれらの錯体からなる有機薄膜の電子お
よびホールの注入しきい値電圧を測定したところ、Ａｌ
ｑ3 に比べて電子注入電圧、ホール注入電圧ともに２割
程度の減少がみられた。これは従来のＡｌｑ3 が種々の
異性体の混合物であるのに対し、本発明に係る有機金属
錯体を用いた場合には、最も電気伝導度が高くかつ両キ
ャリヤーの注入しきい値電圧が低い異性体からなる有機
薄膜が形成された結果であると考えられる。Further, the η PL of the Al complex of (V) and the Zn complex of (VI) is the same as that of conventional Alq 3 and Znq 3 , but in the device manufactured using these complexes, 10 mA / cm 2 It was found that the voltage required to pass the current was about 3 V lower than that of the device manufactured using the conventional complex. The cause will be described below. First, when the electrical conductivity of the organic thin film made of these complexes was measured by the time of flight (TOF) method, it was higher than that of Alq 3 by about one digit. In addition, the injection threshold voltage of electrons and holes in the organic thin film made of these complexes was measured by the displacement current measurement method.
Both the electron injection voltage and the hole injection voltage were reduced by about 20% compared with q 3 . This is because conventional Alq 3 is a mixture of various isomers, whereas when the organometallic complex according to the present invention is used, the electric conductivity is highest and the injection threshold voltage of both carriers is low. It is considered that this is a result of the formation of an organic thin film composed of isomers.
【００８７】さらに、ＥＬ素子の寿命を、低電圧駆動に
おける注入電流量および素子効率（ηEL）の変化として
測定した。従来のＡｌｑ3 を用いて作製した素子では、
駆動初期の数分の間に注入電流が急激に減少し、ηPLも
減少した。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を
用いて作製した素子では、いずれの錯体の場合でもこの
ような初期劣化は認められなかった。これは以下のよう
な理由によると考えられる。すなわち、従来の有機ＥＬ
素子においては、素子駆動時の熱の発生および有機薄膜
に１０5 Ｖ／ｃｍ以上の電界が印加されることにより大
きなダイポールを持つ異性体へ変化し、それらが印加さ
れる電圧の方向と反対方向に配向する。この結果、有機
薄膜に有効な電圧が印加されなくなって電流の注入量が
減少する。しかも、より大きなダイポールを持つ錯体か
らなる有機薄膜のηPLの値は低い。したがって、従来の
錯体を用いた有機薄膜では上述したような初期劣化が生
じる。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を用い
た有機薄膜では、従来の有機薄膜のような異性化が生じ
ないため、初期劣化が生じないと考えられる。Further, the life of the EL device was measured as a change in injection current amount and device efficiency (η EL ) in low voltage driving. In the element manufactured using the conventional Alq 3 ,
The injection current drastically decreased during the first few minutes of driving, and η PL also decreased. On the other hand, in the element produced using the organometallic complex according to the present invention, such initial deterioration was not observed in any of the complexes. It is considered that this is due to the following reasons. That is, conventional organic EL
In the device, heat is generated when the device is driven and an electric field of 10 5 V / cm or more is applied to the organic thin film to change into an isomer having a large dipole, which is in the direction opposite to the applied voltage direction. Orient to. As a result, the effective voltage is not applied to the organic thin film, and the amount of current injection is reduced. Moreover, the value of η PL of the organic thin film made of a complex having a larger dipole is low. Therefore, the above-described initial deterioration occurs in the organic thin film using the conventional complex. On the other hand, it is considered that the organic thin film using the organometallic complex according to the present invention does not cause isomerization as in the conventional organic thin film, and thus does not cause initial deterioration.
【００８８】なお、本発明に係る有機金属錯体は再結合
発光機能に加えて電子注入機能をも兼ね備えているの
で、上記の有機金属錯体からなる有機薄膜とホール注入
用の有機薄膜との積層体を構成要素とする有機ＥＬ素子
を作製することもできる。Since the organometallic complex according to the present invention has an electron injecting function in addition to the recombination emission function, it is a laminate of the organic thin film comprising the above organometallic complex and the organic thin film for hole injecting. It is also possible to fabricate an organic EL device having as a constituent element.
【００８９】[0089]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 以下のような方法により図１に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）１上に、スパッタ法によりシート
抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層３を形成した。次に、（Ｄ７）で示されるジア
ミン（ホール注入性分子）、（Ａ１７）で示されるＯＸ
Ｄ−７（電子注入性分子）および（Ｌ５）で示されるビ
ス（フェニルエチニル）アントラセン（発光性分子）を
１：１：０．０１の割合で５０ｎｍ蒸着して発光性分子
を含有する再結合層４を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ａ１
７）で示されるＯＸＤ−７（電子注入性分子）を０．１
〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層
５を形成した。これらの有機薄膜はいずれもアモルファ
ス構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００
ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）６を形成し
た。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Example 1 The organic EL device shown in FIG. 1 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
An ITO electrode (hole injection electrode) having a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on the YA NA40) 1 by the sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -6 Torr and the substrate temperature to room temperature,
Diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7) was evaporated at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 nm to form the hole-injecting layer 3. Next, the diamine (hole injecting molecule) represented by (D7) and the OX represented by (A17)
D-7 (electron-injecting molecule) and bis (phenylethynyl) anthracene (light-emitting molecule) represented by (L5) are vapor-deposited at a ratio of 1: 1: 0.01 to 50 nm to recombine containing the light-emitting molecule. Layer 4 was formed. The above-mentioned ratio was set by independently setting the temperature of each vapor deposition boat and controlling the vapor deposition rate. Next, (A1
OXD-7 (electron-injecting molecule) represented by 7) is added to 0.1
An electron injection layer 5 was formed by depositing 50 nm at a rate of ˜0.2 nm / s. Each of these organic thin films had an amorphous structure. A film thickness of 100 is formed on this by EB vapor deposition.
nm Mg-Ag electrode (electron injection electrode) 6 was formed.
【００９０】図２を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６がマイナス、ＩＴＯ電
極２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加する。Ｍ
ｇ−Ａｇ電極６から注入された電子は電子注入層５中を
輸送され、さらに再結合層４中を輸送されるが、ホール
注入層３へは達しない。一方、ＩＴＯ電極２から注入さ
れたホールはホール注入層３中を輸送され、さらに再結
合層４中を輸送されるが、電子注入層５へは達しない。
そして、再結合層４中においてＯＸＤ−７／ジアミン分
子間で電子とホールとの再結合が起こり、ＯＸＤ−７／
ジアミンのエキサイプレックスが生成する。さらに、こ
のエキサイプレックスから発光性分子であるビス（フェ
ニルエチニル）アントラセンへエネルギー移動が起きる
結果、発光が生じる。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. A bias voltage is applied so that the Mg-Ag electrode 6 becomes negative and the ITO electrode 2 becomes positive. M
The electrons injected from the g-Ag electrode 6 are transported in the electron injection layer 5 and further in the recombination layer 4, but do not reach the hole injection layer 3. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 2 are transported in the hole injection layer 3 and further in the recombination layer 4, but do not reach the electron injection layer 5.
Then, in the recombination layer 4, recombination of electrons and holes occurs between OXD-7 / diamine molecules, and OXD-7 /
A diamine exciplex is formed. Furthermore, energy is transferred from this exciplex to bis (phenylethynyl) anthracene, which is a light-emitting molecule, and as a result, light emission occurs.
【００９１】この素子について、ＩＴＯ電極２がプラス
になるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／
ｃｍ2 の電流が流れ、青緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセンのＰＬピーク波長に一致した。このと
き発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2 であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 2 was positive, 100 mA / 10 V was applied at 10 V.
A current of cm 2 flowed, and blue-green light emission occurred. Its emission peak wavelength was 480 nm, which coincided with the PL peak wavelength of bis (phenylethynyl) anthracene. At this time, the emission luminance was 5000 cd / m 2 .
【００９２】実施例２〜５ 表１に示す発光性分子を用い、実施例１と同様にして実
施例２〜５の有機ＥＬ素子を作製した。これらの素子に
ついて、ＩＴＯ電極がプラスとなるように電圧を印加す
ると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色
〜赤色発光が得られた。発光ピーク波長は、それぞれの
発光性分子のＰＬピーク波長に一致した。また、４００
０〜６０００ｃｄ／ｍ2 の発光輝度が得られた。これら
の結果を表２にまとめて示す。Examples 2 to 5 Organic EL devices of Examples 2 to 5 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the luminescent molecules shown in Table 1 were used. When a voltage was applied to these elements so that the ITO electrode became positive, a current of 100 mA / cm 2 was applied at 10 V, and green to red light emission was obtained. The emission peak wavelength coincided with the PL peak wavelength of each luminescent molecule. Also, 400
An emission luminance of 0 to 6000 cd / m 2 was obtained. The results are summarized in Table 2.
【００９３】[0093]
【表２】 [Table 2]
【００９４】[0094]
【化２２】 [Chemical formula 22]
【００９５】比較例１ 発光性分子をドーピングしなかった以外は実施例１〜５
と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この素子につ
いて、ＩＴＯ電極がプラスになるように電圧を印加する
と、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発
光が得られた。この発光のピーク波長は４６０ｎｍであ
り、ＯＸＤ−７／ジアミンのエキサイプレックス発光の
ピーク波長に一致した。また、発光輝度は５００ｃｄ／
ｍ2 と低い値であった。Comparative Example 1 Examples 1 to 5 except that the light emitting molecule was not doped.
An organic EL device was produced under the same conditions as above. When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode became positive, a current of 100 mA / cm 2 was passed at 10 V, and blue light emission was obtained. The peak wavelength of this emission was 460 nm, which coincided with the peak wavelength of the exciplex emission of OXD-7 / diamine. Also, the emission brightness is 500 cd /
It was a low value of m 2 .
【００９６】比較例２〜６ 実施例１〜５と同様の条件で、電子注入層とホール注入
層との間に表２に示す発光性分子のみからなる発光層を
設けた有機ＥＬ素子を作製した。Comparative Examples 2 to 6 Under the same conditions as in Examples 1 to 5, organic EL devices having a light emitting layer consisting of only the light emitting molecules shown in Table 2 between the electron injecting layer and the hole injecting layer were prepared. did.
【００９７】これらの素子について、ＩＴＯ電極がプラ
スになるように電圧を印加すると、２０〜４０Ｖで１０
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色〜赤色発光が得られ
た。このときの発光ピーク波長は、各発光性分子のＰＬ
発光のピーク波長に一致した。しかし、発光輝度は８〜
１０００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。これらの結果を
表３にまとめて示す。When a voltage is applied to these devices so that the ITO electrode becomes positive, the voltage is 10 to 20V.
A current of 0 mA / cm 2 flowed, and green to red light emission was obtained. The emission peak wavelength at this time is PL of each luminescent molecule.
It coincided with the peak wavelength of emission. However, the emission brightness is 8 ~
It was a low value of 1000 cd / m 2 . These results are summarized in Table 3.
【００９８】[0098]
【表３】 [Table 3]
【００９９】実施例６ 以下のような方法により図３に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）１
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着し、引き
続きジアミンと（Ｌ１）で示されるルブレン（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着して、次工程
で形成される再結合層との界面近傍に発光性分子を含有
するホール注入層１３を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ｃ
２）で示されるＡｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合
層１４を形成した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸ
Ｄ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓ
の速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層１５を形成した。
これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であっ
た。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−
Ａｇ電極（電子注入用電極）１６を形成した。Example 6 The organic EL device shown in FIG. 3 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 1 with a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on a NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -6 Torr and the substrate temperature to room temperature,
Diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7) is vapor-deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 nm, and then diamine and rubrene (luminescent molecule) represented by (L1) are 1: 0. 5 nm was vapor-deposited at a ratio of 0.01 to form a hole injection layer 13 containing a luminescent molecule in the vicinity of the interface with the recombination layer formed in the next step. The above-mentioned ratio was set by independently setting the temperature of each vapor deposition boat and controlling the vapor deposition rate. Next, (C
The recombination layer 14 was formed by vapor-depositing Alq 3 (both carrier injectable molecules) represented by 2) at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 5 nm. Furthermore, the OX represented by (A16)
D-S1 (electron-injecting molecule) is 0.1 to 0.2 nm / s
The electron injection layer 15 was formed by vapor deposition at a rate of 50 nm.
Each of these organic thin films had an amorphous structure. On top of this, a 100 nm-thick Mg- film was formed by EB evaporation.
An Ag electrode (electron injection electrode) 16 was formed.
【０１００】図３を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極１６がマイナス、ＩＴＯ
電極１２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極１６から注入された電子は電子注入
層１５中を輸送され、さらに電子注入層１５／再結合層
１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極１２から注入されたホールはホー
ル注入層１３へ注入され、さらにホール注入層１３／再
結合層１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層１４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層１４／ホール注
入層１３界面近傍のホール注入層１３中に存在するルブ
レンへエネルギー移動が起き、発光が生じる。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 16 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 12 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 16 are transported in the electron injection layer 15, and further injected and transported to the recombination layer 14 across the interface of the electron injection layer 15 / recombination layer 14. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 12 are injected into the hole injection layer 13, and further injected over the interface of the hole injection layer 13 / recombination layer 14 into the recombination layer 14 to be transported. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination layer 14, and excited Alq 3 is generated. Further, energy is transferred from the excited Alq 3 to the rubrene existing in the hole injection layer 13 near the interface of the recombination layer 14 / hole injection layer 13 to generate light emission.
【０１０１】この素子について、ＩＴＯ電極１２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2
であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 12 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and orange light emission occurred. Its emission peak wavelength was 560 nm, which coincided with the PL peak wavelength of rubrene. At this time, the emission brightness is 5000 cd / m 2.
Met.
【０１０２】実施例７ 発光性分子として（Ｌ３４）で示されるフェノキサジン
を用いた以外は実施例６と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極１２がプラスに
なるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク
波長は６２０ｎｍであり、フェノキサジンのＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ
2 であった。Example 7 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 6 except that phenoxazine represented by (L34) was used as the light emitting molecule. When a voltage is applied to this element so that the ITO electrode 12 becomes positive, 100 mA / c at 10 V
A current of m 2 flowed and red light emission occurred. Its emission peak wavelength was 620 nm, which coincided with the PL peak wavelength of phenoxazine. At this time, the emission brightness is 5000 cd / m
Was 2 .
【０１０３】[0103]
【化２３】 [Chemical formula 23]
【０１０４】実施例８ 以下のような方法により図４に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）２
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層２３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層２４を形成し
た。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子
注入性分子）と（Ｌ３２）で示されるＤＣＭ（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着し、引き続き
ＯＸＤ−Ｓ１を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎ
ｍ蒸着して再結合層２４との界面近傍に発光性分子を含
有する電子注入層２５を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。これらの有機
薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上にＥ
Ｂ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子
注入用電極）２６を形成した。Example 8 The organic EL device shown in FIG. 4 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 2 with a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on a NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -6 Torr and the substrate temperature to room temperature,
Diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7) was deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s by 50 nm to form the hole-injecting layer 23. Next, A shown by (C2)
lq 3 (both carrier injectable molecules) 0.1 to 0.2n
A recombination layer 24 was formed by depositing 5 nm at a speed of m / s. Further, OXD-S1 (electron-injecting molecule) represented by (A16) and DCM (light-emitting molecule) represented by (L32) are vapor-deposited at a ratio of 1: 0.01 for 5 nm, and then OXD-S1 is reduced to 0. 50n at a speed of 1 to 0.2 nm / s
m was vapor-deposited to form an electron injection layer 25 containing a light emitting molecule near the interface with the recombination layer 24. The above-mentioned ratio was set by independently setting the temperature of each vapor deposition boat and controlling the vapor deposition rate. Each of these organic thin films had an amorphous structure. E on this
A Mg-Ag electrode (electron injection electrode) 26 having a film thickness of 100 nm was formed by the B vapor deposition method.
【０１０５】図４を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極２６がマイナス、ＩＴＯ
電極２２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極２６から注入された電子は電子注入
層２５中を輸送され、さらに電子注入層２５／再結合層
２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極２２から注入されたホールはホー
ル注入層２３へ注入され、さらにホール注入層２３／再
結合層２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層２４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層２４／電子注入
層２５界面近傍の電子注入層２５中に存在するＤＣＭへ
エネルギー移動が起き、発光が生じる。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 26 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 22 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 26 are transported in the electron injection layer 25, and further injected and transported to the recombination layer 24 across the interface of the electron injection layer 25 / recombination layer 24. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 22 are injected into the hole injection layer 23, and further injected into the recombination layer 24 across the hole injection layer 23 / recombination layer 24 interface and transported. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination layer 24, and excited Alq 3 is generated. Further, energy transfer occurs from excited Alq 3 to DCM existing in the electron injection layer 25 in the vicinity of the recombination layer 24 / electron injection layer 25 interface, and light emission occurs.
【０１０６】この素子について、ＩＴＯ電極２２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は６２０ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長
に一致した。このとき発光輝度は３０００ｃｄ／ｍ2 で
あった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 22 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and red light emission occurred. Its emission peak wavelength was 620 nm, which was in agreement with the PL peak wavelength of DCM. At this time, the emission luminance was 3000 cd / m 2 .
【０１０７】実施例９ 以下のような方法により図５に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）３
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を５０℃に設定し、
（Ｌ３３）で示されるＳ１５０を０．０１〜０．０２ｎ
ｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホール注入層３３を形
成した。この条件下ではＳ１５０の結晶膜が形成され
た。次に、基板温度を室温に戻し、（Ｄ８）で示される
ＯＸＤ−８（両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．
２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層３４を形成
した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電
子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して電子注入層３５を形成した。上記の条件下
ではＯＸＤ−８、ＯＸＤ−Ｓ１はアモルファス薄膜とな
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）３６を形成した。Example 9 The organic EL device shown in FIG. 5 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 3 with a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on the NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the vacuum degree to 10 -8 Torr and the substrate temperature to 50 ° C,
(L33) S150 is 0.01 to 0.02n
The hole injection layer 33 was formed by vapor deposition of 50 nm at a speed of m / s. Under this condition, the crystalline film of S150 was formed. Next, the substrate temperature is returned to room temperature, and OXD-8 (both carrier injecting molecules) represented by (D8) is added to 0.1 to 0.
A recombination layer 34 was formed by depositing 5 nm at a rate of 2 nm / s. Furthermore, OXD-S1 (electron-injecting molecule) represented by (A16) is added at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 minutes.
nm to form an electron injection layer 35. Under the above conditions, OXD-8 and OXD-S1 became amorphous thin films. On top of this, Mg with a thickness of 100 nm was formed by EB vapor deposition.
-Ag electrode (electron injection electrode) 36 was formed.
【０１０８】図５を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極３６がマイナス、ＩＴＯ
電極３２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極３６から注入された電子は電子注入
層３５中を輸送され、さらに電子注入層３５／再結合層
３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極３２から注入されたホールはホー
ル注入層３３へ注入され、さらにホール注入層３３／再
結合層３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層３４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＯＸＤ−８が生成する。
さらに、励起したＯＸＤ−８から、ホール注入層３３を
構成するＳ１５０結晶へエネルギー移動が起き、発光が
生じる。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 36 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 32 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 36 are transported in the electron injection layer 35, and further injected and transported to the recombination layer 34 beyond the interface of the electron injection layer 35 / recombination layer 34. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 32 are injected into the hole injection layer 33, further cross the interface of the hole injection layer 33 / recombination layer 34, and are injected into the recombination layer 34 to be transported. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination layer 34, and excited OXD-8 is generated.
Further, energy is transferred from the excited OXD-8 to the S150 crystal forming the hole injection layer 33, and light emission is generated.
【０１０９】この素子について、ＩＴＯ電極３２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５１０ｎｍであり、結晶構造のＳ１５０のＰ
Ｌピーク波長に一致した。このとき発光輝度は７０００
ｃｄ／ｍ2 であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 32 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and green light emission occurred. Its emission peak wavelength is 510 nm, and P of S150 of the crystal structure
It coincided with the L peak wavelength. At this time, the emission brightness is 7,000
It was cd / m 2 .
【０１１０】実施例１０ 以下のような方法により図６に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）４
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層４３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層４４を形成し
た。上記の条件下ではジアミン、Ａｌｑ3 はアモルファ
ス薄膜となった。次に、基板温度を４０℃に設定し、
（Ａ１８）で示されるジエチルアミノスチリルベンズオ
キサゾール（電子注入性分子）を０．０１〜０．０２２
ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層４５を形
成した。この条件下ではジエチルアミノスチリルベンズ
オキサゾールの結晶膜が形成された。この上にＥＢ蒸着
法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用
電極）４６を形成した。Example 10 An organic EL device shown in FIG. 6 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 4 with a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on a NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -8 Torr and the substrate temperature to room temperature,
Diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7) was deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s by 50 nm to form a hole-injecting layer 43. Next, A shown by (C2)
lq 3 (both carrier injectable molecules) 0.1 to 0.2n
A recombination layer 44 was formed by depositing 5 nm at a speed of m / s. Under the above conditions, diamine and Alq 3 became an amorphous thin film. Next, set the substrate temperature to 40 ° C,
Diethylaminostyrylbenzoxazole (electron-injecting molecule) represented by (A18) is added in an amount of 0.01 to 0.022.
An electron injection layer 45 was formed by depositing 50 nm at a rate of nm / s. Under this condition, a crystalline film of diethylaminostyrylbenzoxazole was formed. On this, a Mg-Ag electrode (electron injection electrode) 46 having a film thickness of 100 nm was formed by the EB vapor deposition method.
【０１１１】[0111]
【化２４】 [Chemical formula 24]
【０１１２】図６を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極４６がマイナス、ＩＴＯ
電極４２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極４６から注入された電子は電子注入
層４５中を輸送され、さらに電子注入層４５／再結合層
４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極４２から注入されたホールはホー
ル注入層４３へ注入され、さらにホール注入層４３／再
結合層４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層４４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、電子注入層４５を構成す
るジエチルアミノスチリルベンズオキサゾール結晶へエ
ネルギー移動が起き、発光が生じる。The operating mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 46 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 42 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 46 are transported in the electron injection layer 45, and further injected and transported to the recombination layer 44 across the interface of the electron injection layer 45 / recombination layer 44. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 42 are injected into the hole injection layer 43, further cross the interface of the hole injection layer 43 / recombination layer 44, and are injected into the recombination layer 44 to be transported. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination layer 44, and excited Alq 3 is generated. Further, energy transfer occurs from the excited Alq 3 to the diethylaminostyrylbenzoxazole crystal that constitutes the electron injection layer 45, and light emission occurs.
【０１１３】この素子について、ＩＴＯ電極４２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５５０ｎｍであり、結晶構造のジエチルアミ
ノスチリルベンズオキサゾールのＰＬピーク波長に一致
した。このとき発光輝度は６０００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 42 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and green light emission occurred. Its emission peak wavelength was 550 nm, which coincided with the PL peak wavelength of diethylaminostyrylbenzoxazole having a crystal structure. At this time, the emission luminance was 6000 cd / m 2 .
【０１１４】比較例７ 以下のような方法により図７に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）５
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層５３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）と（Ｌ１）で示され
るルブレン（発光性分子）を１：０．０１の割合で１０
ｎｍ蒸着し、発光性分子を含有する再結合層５４を形成
した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸着ボートを独
立に温度設定して蒸着速度をコントロールすることによ
り行った。次に、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１
（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で
５０ｎｍ蒸着して電子注入層５５を形成した。これらの
有機薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上
にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極
（電子注入用電極）５６を形成した。Comparative Example 7 The organic EL device shown in FIG. 7 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 5 having a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on the NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -6 Torr and the substrate temperature to room temperature,
The hole injection layer 53 was formed by vapor-depositing a diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7) at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 nm. Next, A shown by (C2)
lq 3 (both carrier injectable molecules) and rubrene (luminescent molecule) represented by (L1) at a ratio of 1: 0.01 of 10
nm to form a recombination layer 54 containing a light emitting molecule. The above-mentioned ratio was set by independently setting the temperature of each vapor deposition boat and controlling the vapor deposition rate. Next, OXD-S1 represented by (A16)
(Electron-injecting molecule) was vapor-deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 nm to form an electron-injecting layer 55. Each of these organic thin films had an amorphous structure. On this, a Mg-Ag electrode (electron injection electrode) 56 having a film thickness of 100 nm was formed by the EB vapor deposition method.
【０１１５】図７を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極５６がマイナス、ＩＴＯ
電極５２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極５６から注入された電子は電子注入
層５５中を輸送され、さらに電子注入層５５／再結合層
５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極５２から注入されたホールはホー
ル注入層５３へ注入され、さらにホール注入層５３／再
結合層５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層５４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から再結合層５４にドープされ
ているルブレンへエネルギー移動が起き、発光が生じ
る。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 56 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 52 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 56 are transported in the electron injection layer 55, and further injected and transported to the recombination layer 54 beyond the interface of the electron injection layer 55 / recombination layer 54. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 52 are injected into the hole injection layer 53, and further injected into the recombination layer 54 across the hole injection layer 53 / recombination layer 54 interface and transported. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination layer 54, and excited Alq 3 is generated. Further, energy transfer occurs from the excited Alq 3 to the rubrene doped in the recombination layer 54, and light emission occurs.
【０１１６】この素子について、ＩＴＯ電極５２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。しかし、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2
であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 52 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and orange light emission occurred. Its emission peak wavelength was 560 nm, which coincided with the PL peak wavelength of rubrene. However, the emission brightness is 1500 cd / m 2.
Met.
【０１１７】比較例８ 発光性分子として（Ｌ３４）で示されるフェノキサジン
を用いた以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになる
ように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れた。しかし、発光色は明確ではなく、しか
も発光輝度は１０ｃｄ／ｍ2 以下であった。この素子で
ほとんど発光が生じなかった原因としては、発光性分子
であるフェノキサジンとその周囲に存在する両キャリヤ
ー注入性分子であるＡｌｑ3 とが分子間再結合を起こ
し、この分子間再結合が非発光性であったためであると
考えられる。Comparative Example 8 An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 7 except that phenoxazine represented by (L34) was used as the light emitting molecule. When a voltage is applied to this element so that the ITO electrode becomes positive, 100 mA / cm 2 at 10 V is applied.
Current flowed. However, the emission color was not clear, and the emission luminance was 10 cd / m 2 or less. The reason why almost no light emission occurs in this device is that intermolecular recombination occurs between phenoxazine, which is a light emitting molecule, and Alq 3 , which is a carrier injecting molecule present around it, and this intermolecular recombination is caused. It is considered that this is because it was non-luminous.
【０１１８】比較例９ 発光性分子として（Ｌ３２）で示されるＤＣＭを用いた
以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになるように電
圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が
流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク波長は６２０
ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長に一致した。しか
し、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。Comparative Example 9 An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 7 except that DCM represented by (L32) was used as the light emitting molecule.
When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode became positive, a current of 100 mA / cm 2 was passed at 10 V, and red light emission was generated. Its emission peak wavelength is 620
nm and matched the PL peak wavelength of DCM. However, the emission brightness was a low value of 1500 cd / m 2 .
【０１１９】比較例１０ 以下のような方法により図８に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）６
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層６３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を５ｎｍ蒸着し再結
合発光層６４を形成した。次に、（Ａ１６）で示される
ＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ
／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層６５を形成し
た。これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であ
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）６６を形成した。Comparative Example 10 The organic EL device shown in FIG. 8 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
ITO electrode (hole injection electrode) 6 with a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 on the NA40 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method.
2 was formed to 200 nm. Next, using a vacuum vapor deposition device,
Set the degree of vacuum to 10 -6 Torr and the substrate temperature to room temperature,
A diamine (hole injecting molecule) represented by (D7) was vapor-deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s for 50 nm to form a hole injecting layer 63. Next, A shown by (C2)
A recombination light emitting layer 64 was formed by depositing lq 3 (both carrier injectable molecules) to a thickness of 5 nm. Next, OXD-S1 (electron-injecting molecule) represented by (A16) is added to 0.1 to 0.2 nm.
An electron injection layer 65 was formed by depositing 50 nm at a rate of / s. Each of these organic thin films had an amorphous structure. On top of this, Mg of 100 nm thickness was formed by EB evaporation
-Ag electrode (electron injection electrode) 66 was formed.
【０１２０】図８を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６６がマイナス、ＩＴＯ
電極６２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極６６から注入された電子は電子注入
層６５中を輸送され、さらに電子注入層６５／再結合発
光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ注入されて輸
送される。一方、ＩＴＯ電極６２から注入されたホール
はホール注入層６３へ注入され、さらにホール注入層６
３／再結合発光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ
注入されて輸送される。そして、再結合発光層６４中に
おいて電子とホールとの再結合が起こり、励起したＡｌ
ｑ3 が生成し、励起状態のＡｌｑ3 から発光が生じる。The operation mechanism of this organic EL element will be described with reference to FIG. Mg-Ag electrode 66 is negative, ITO
A bias voltage is applied so that the electrode 62 becomes positive. The electrons injected from the Mg-Ag electrode 66 are transported in the electron injection layer 65, and further injected over the interface of the electron injection layer 65 / recombination emission layer 64 and injected into the recombination emission layer 64 to be transported. On the other hand, the holes injected from the ITO electrode 62 are injected into the hole injection layer 63, and the hole injection layer 6 is further injected.
It is injected and transported to the recombination light emitting layer 64 beyond the 3 / recombination light emitting layer 64 interface. Then, recombination of electrons and holes occurs in the recombination light emitting layer 64, and the excited Al
q 3 is generated, and light is emitted from Alq 3 in an excited state.
【０１２１】この素子について、ＩＴＯ電極６２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、黄緑色発光が生じた。その発光
ピーク波長は５４０ｎｍであり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は２０００ｃｄ／ｍ
2 であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 62 became positive, 100 mA at 10 V was obtained.
A current of / cm 2 flowed and yellow-green light emission occurred. Its emission peak wavelength was 540 nm, which coincided with the PL peak wavelength of Alq 3 . At this time, the emission brightness is 2000 cd / m
Was 2 .
【０１２２】参照例１ 以下のような方法により図９に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）７１上に、スパッタ法によりシー
ト抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電
極）７２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を
用い、真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定
し、（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）
を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホ
ール注入層７３を形成した。次に、「化２５」で示され
るＡｌＣＨｑ3 を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して発光層７４を形成した。次に、（Ａ１６）
で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜
０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層７
５を形成した。これらの有機膜はいずれもアモルファス
構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎ
ｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）７６を形成し
た。Reference Example 1 An organic EL device shown in FIG. 9 was produced by the following method. First, a glass substrate containing no alkaline component (HO
An ITO electrode (hole injection electrode) 72 having a sheet resistance of 10 Ω / cm 2 was formed to 200 nm on a NA40) 71 manufactured by YA Co., Ltd. by a sputtering method. Next, using a vacuum vapor deposition apparatus, the degree of vacuum was set to 10 −8 Torr, the substrate temperature was set to room temperature, and the diamine (hole-injecting molecule) represented by (D7)
50 nm was vapor-deposited at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s to form the hole injection layer 73. Next, AlCHq 3 represented by “Chemical Formula 25” is added at a rate of 0.1 to 0.2 nm / s to 50
nm to form a light emitting layer 74. Next, (A16)
OXD-S1 (electron-injecting molecule) represented by
The electron injection layer 7 is formed by depositing 50 nm at a rate of 0.2 nm / s.
5 was formed. All of these organic films had an amorphous structure. A film thickness of 100 n is formed on this by EB vapor deposition.
m Mg-Ag electrode (electron injection electrode) 76 was formed.
【０１２３】[0123]
【化２５】 [Chemical 25]
【０１２４】この素子について、ＩＴＯ電極７２がプラ
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ／ｃｍ
2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク波
長は４７０ｎｍであり、ＡｌＣＨｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。When a voltage was applied to this element so that the ITO electrode 72 became positive, it was 1 mA / cm at 5V.
A current of 2 flowed and blue light emission occurred. Its emission peak wavelength was 470 nm, which coincided with the PL peak wavelength of AlCHq 3 . Moreover, the emission luminance was 200 cd / m 2 . When this element is driven at a constant voltage of 5 V, the time until the luminance becomes 100 cd / m 2 , which is ½ of the initial value, is 1000 hours, and the luminance is 1/20 of the initial value, 10 cd
The time required to reach / m 2 was 2000 hours or more.
【０１２５】次に、「化２６」で示されるＡｌｓｑ3 を
用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラ
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク
波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。Next, an organic EL device was manufactured in exactly the same manner except that the light emitting layer was formed by using Alsq 3 shown in "Chemical formula 26".
A device was produced. When a voltage is applied to this element so that the ITO electrode becomes positive, it is 10 mA / c at 5V.
A current of m 2 flowed, and blue light emission occurred. Its emission peak wavelength was 480 nm, which coincided with the PL peak wavelength of Alsq 3 . Moreover, the emission luminance was 200 cd / m 2 . When this element is driven at a constant voltage of 5 V, the time until the luminance becomes 100 cd / m 2 , which is ½ of the initial value, is 1000 hours, and the luminance is 1/20 of the initial value, 10 cd
The time required to reach / m 2 was 2000 hours or more.
【０１２６】[0126]
【化２６】 [Chemical formula 26]
【０１２７】また、「化２６」で示されるＡｌｓｑ3 に
「化２５」で示されるＡｌＣＨｑ3を５ｍｏｌ％ドーピ
ングした発光層を形成した以外は全く同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸
着ボートを独立に温度設定して蒸着速度をコントロール
することにより行った。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、３Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 で
あった。この素子を３Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が
初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2になるまでの時
間は２０００時間以上であった。[0127] Also, the organic in the same manner except that a light-emitting layer was formed to a AlCHq 3 was 5 mol% doping represented by "Formula 25" to Alsq 3 shown by "Formula 26" E
An L element was produced. The above-mentioned ratio was set by independently setting the temperature of each vapor deposition boat and controlling the vapor deposition rate. When a voltage is applied to this element so that the ITO electrode becomes positive, it is 1 mA at 3V.
A current of / cm 2 flowed, and blue light emission occurred. Its emission peak wavelength was 480 nm, which coincided with the PL peak wavelength of Alsq 3 . Moreover, the emission luminance was 200 cd / m 2 . When this element was driven at a constant voltage of 3 V, the time required for the luminance to reach 100 cd / m 2 , which is ½ of the initial value, was 2000 hours or more.
【０１２８】さらに、「化２７」で示されるＡｌ2 ｓｑ
6 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機
ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極が
プラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌ2 ｓｑ6 のＰＬピー
ク波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2
であった。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度
が初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの
時間は１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１
０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であ
った。Further, Al 2 sq represented by "Chemical formula 27"
An organic EL device was produced in exactly the same manner except that 6 was used to form the light emitting layer. When a voltage is applied to this element so that the ITO electrode becomes positive, it is 10 mA at 5V.
A current of / cm 2 flowed, and blue light emission occurred. Its emission peak wavelength was 480 nm, which coincided with the PL peak wavelength of Al 2 sq 6 . The emission brightness is 200 cd / m 2.
Met. When this element is driven at a constant voltage of 5 V, the time until the brightness reaches 100 cd / m 2 , which is ½ of the initial value, is 1000 hours, and the brightness is 1/20 of the initial value.
The time required to reach 0 cd / m 2 was 2000 hours or more.
【０１２９】[0129]
【化２７】 [Chemical 27]
【０１３０】一方比較のため、（Ｃ２）で示されるＡｌ
ｑ3 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有
機ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れたが、輝度は２０ｃｄ／ｍ2 にす
ぎなかった。８Ｖでは１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、
緑色発光が生じた。その発光ピーク波長は５３０ｎｍで
あり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク波長に一致した。また、輝
度は２００ｃｄ／ｍ2 であった。この素子を８Ｖで定電
圧駆動したとき、輝度が初期値の１／２である１００ｃ
ｄ／ｍ2 になるまでの時間は１０００時間、輝度が初期
値の１／２０である１０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
２０００時間以上であった。On the other hand, for comparison, Al represented by (C2)
An organic EL device was produced in exactly the same manner except that the light emitting layer was formed using q 3 . When voltage is applied to this element so that the ITO electrode becomes positive, 1 mA at 5 V
A current of / cm 2 was applied, but the brightness was only 20 cd / m 2 . At 8V, a current of 10mA / cm 2 flows,
Green light emission occurred. Its emission peak wavelength was 530 nm, which coincided with the PL peak wavelength of Alq 3 . The brightness was 200 cd / m 2 . When this element is driven at a constant voltage of 8 V, the brightness is 100 c, which is half the initial value
The time required to reach d / m 2 was 1000 hours, and the time required for the luminance to reach 10 cd / m 2 which was 1/20 of the initial value was 2000 hours or more.
【０１３１】[0131]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば発
光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を提供すること
ができる。As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL device having high luminous efficiency and long life.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の実施例１における有機ＥＬ素子の断面
図。FIG. 1 is a sectional view of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。FIG. 2 is an energy band diagram of the organic EL element in Example 1 of the present invention.
【図３】本発明の実施例６における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。FIG. 3 is an energy band diagram of an organic EL element in Example 6 of the present invention.
【図４】本発明の実施例８における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。FIG. 4 is an energy band diagram of an organic EL element in Example 8 of the present invention.
【図５】本発明の実施例９における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。FIG. 5 is an energy band diagram of an organic EL element in Example 9 of the present invention.
【図６】本発明の実施例１０における有機ＥＬ素子のエ
ネルギーバンド図。FIG. 6 is an energy band diagram of an organic EL element in Example 10 of the present invention.
【図７】本発明の比較例７における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。FIG. 7 is an energy band diagram of an organic EL element in Comparative Example 7 of the present invention.
【図８】本発明の比較例１０における有機ＥＬ素子のエ
ネルギーバンド図。FIG. 8 is an energy band diagram of an organic EL element in Comparative Example 10 of the present invention.
【図９】本発明の参照例における有機ＥＬ素子の断面
図。FIG. 9 is a sectional view of an organic EL element in a reference example of the present invention.
【図１０】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。FIG. 10 is an energy band diagram of a conventional organic EL element.
【図１１】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。FIG. 11 is an energy band diagram of a conventional organic EL element.
【図１２】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。FIG. 12 is an energy band diagram of a conventional organic EL element.
【図１３】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。FIG. 13 is an energy band diagram of a conventional organic EL element.
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ電極（ホール注入用電
極）、３…ホール注入層、４…発光性分子を含有する再
結合層、５…電子注入層、６…Ｍｇ−Ａｇ電極（電子注
入用電極）、１２…ＩＴＯ電極、１３…発光性分子を含
有するホール注入層、１４…再結合層、１５…電子注入
層、１６…Ｍｇ−Ａｇ電極、２２…ＩＴＯ電極、２３…
ホール注入層、２４…再結合層、２５…発光性分子を含
有する電子注入層、２６…Ｍｇ−Ａｇ電極、３２…ＩＴ
Ｏ電極、３３…ホール注入層、３４…再結合層、３５…
電子注入層、３６…Ｍｇ−Ａｇ電極、４２…ＩＴＯ電
極、４３…ホール注入層、４４…再結合層、４５…電子
注入層、４６…Ｍｇ−Ａｇ電極、５２…ＩＴＯ電極、５
３…ホール注入層、５４…発光性分子を含有する再結合
層、５５…電子注入層、５６…Ｍｇ−Ａｇ電極、６２…
ＩＴＯ電極、６３…ホール注入層、６４…再結合発光
層、６５…電子注入層、６６…Ｍｇ−Ａｇ電極、７１…
ガラス基板、７２…ＩＴＯ電極、７３…ホール注入層、
７４…発光層、７５…電子注入層、７６…Ｍｇ−Ａｇ電
極。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... ITO electrode (hole injection electrode), 3 ... Hole injection layer, 4 ... Recombination layer containing a light emitting molecule, 5 ... Electron injection layer, 6 ... Mg-Ag electrode (for electron injection) Electrodes), 12 ... ITO electrodes, 13 ... Hole injection layer containing luminescent molecule, 14 ... Recombination layer, 15 ... Electron injection layer, 16 ... Mg-Ag electrode, 22 ... ITO electrode, 23 ...
Hole injection layer, 24 ... Recombination layer, 25 ... Electron injection layer containing luminescent molecule, 26 ... Mg-Ag electrode, 32 ... IT
O electrode, 33 ... Hole injection layer, 34 ... Recombination layer, 35 ...
Electron injection layer, 36 ... Mg-Ag electrode, 42 ... ITO electrode, 43 ... Hole injection layer, 44 ... Recombination layer, 45 ... Electron injection layer, 46 ... Mg-Ag electrode, 52 ... ITO electrode, 5
3 ... Hole injection layer, 54 ... Recombination layer containing luminescent molecules, 55 ... Electron injection layer, 56 ... Mg-Ag electrode, 62 ...
ITO electrode, 63 ... Hole injection layer, 64 ... Recombination emission layer, 65 ... Electron injection layer, 66 ... Mg-Ag electrode, 71 ...
Glass substrate, 72 ... ITO electrode, 73 ... Hole injection layer,
74 ... Emitting layer, 75 ... Electron injection layer, 76 ... Mg-Ag electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 隆 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takashi Sasaki 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Ltd. Inside Toshiba Research and Development Center
Claims (2)
間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記
電子注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注
入用電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設
けられた電子注入性分子とホール注入性分子との分子対
を含む再結合領域と、再結合領域で生成した励起状態か
らのエネルギー移動により発光する発光サイトとを具備
したことを特徴とする有機ＥＬ素子。1. A structure in which an organic thin film is sandwiched between an electron injecting electrode and a hole injecting electrode, the organic thin film being an electron injecting layer adjacent to the electron injecting electrode, and the hole injecting layer. Light is emitted by a hole injection layer adjacent to the electrode, a recombination region containing a molecule pair of an electron injection molecule and a hole injection molecule provided between these layers, and energy transfer from an excited state generated in the recombination region. An organic EL device comprising:
間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記
電子注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注
入用電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設
けられた再結合領域と、前記電子注入層またはホール注
入層中に含有され、再結合領域で生成した励起状態から
のエネルギー移動により発光する発光サイトとを具備し
たことを特徴とする有機ＥＬ素子。2. A structure in which an organic thin film is sandwiched between an electron injecting electrode and a hole injecting electrode, the organic thin film being an electron injecting layer adjacent to the electron injecting electrode, and the hole injecting layer. A hole injection layer adjacent to an electrode, a recombination region provided in the middle thereof, and light emission contained in the electron injection layer or the hole injection layer and emitting light by energy transfer from an excited state generated in the recombination region. An organic EL device having a site.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23382793A JPH0785972A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Organic el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23382793A JPH0785972A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Organic el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785972A true JPH0785972A (en) | 1995-03-31 |
Family
ID=16961189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23382793A Pending JPH0785972A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Organic el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785972A (en) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036079A1 (en) * | 1995-05-09 | 1996-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Electroluminescent stratified system made of light-emitting organic material |
| JPH08311442A (en) * | 1995-05-17 | 1996-11-26 | Tdk Corp | Organic el element |
| EP0831676A2 (en) * | 1996-09-21 | 1998-03-25 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organic electroluminescent element with exciplex |
| JPH1167453A (en) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsui Chem Inc | Organic electroluminescent element |
| JP2000133453A (en) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacture |
| JP2000164359A (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
| JP2000315580A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JP2000315581A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JP2002043063A (en) * | 2000-06-30 | 2002-02-08 | Xerox Corp | Organic light-emitting element |
| WO2002052904A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JP2002222697A (en) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Toray Ind Inc | Luminescent element |
| JP2004047493A (en) * | 2003-10-22 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic light emitting element |
| JP2004247313A (en) * | 1998-03-13 | 2004-09-02 | Cambridge Display Technol Ltd | Electroluminescent element and its manufacturing method |
| JP2005276748A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
| WO2006022194A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electron injecting composition, and light emitting element and light emitting device using the electron injecting composition |
| WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2010520507A (en) * | 2007-03-06 | 2010-06-10 | サン ルーウェン | Display device, and mobile phone, computer, and television including display device |
| WO2012127990A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| WO2012132809A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014033236A (en) * | 2011-02-16 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, luminaire, and electronic apparatus |
| JP2014045176A (en) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, lighting device, and heterocyclic compound |
| JP2014044941A (en) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus and light device |
| JP2014056814A (en) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus and light device |
| US8736157B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014225661A (en) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus, and lighting device |
| US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US8994263B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2015065448A (en) * | 2012-08-03 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic equipment |
| US9059430B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9065066B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2015134797A (en) * | 2008-12-10 | 2015-07-27 | ウィスタ ラボラトリーズ リミテッド | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| US9299944B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9391289B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| JP2017063217A (en) * | 2011-02-28 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
| JP2017139476A (en) * | 2011-04-29 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and luminaire |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2018117159A (en) * | 2012-10-03 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| JP2020188286A (en) * | 2011-08-25 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2022060381A (en) * | 2012-04-20 | 2022-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting apparatus |
| US11508926B2 (en) | 2014-10-10 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212286A (en) * | 1990-03-16 | 1992-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Distributed type electric field luminous element |
| JPH04334894A (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Ricoh Co Ltd | Organic thin film type electroluminescence element |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23382793A patent/JPH0785972A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212286A (en) * | 1990-03-16 | 1992-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Distributed type electric field luminous element |
| JPH04334894A (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Ricoh Co Ltd | Organic thin film type electroluminescence element |
Cited By (142)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036079A1 (en) * | 1995-05-09 | 1996-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Electroluminescent stratified system made of light-emitting organic material |
| JPH08311442A (en) * | 1995-05-17 | 1996-11-26 | Tdk Corp | Organic el element |
| EP0831676A2 (en) * | 1996-09-21 | 1998-03-25 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organic electroluminescent element with exciplex |
| EP0831676A3 (en) * | 1996-09-21 | 1998-07-15 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organic electroluminescent element with exciplex |
| US5955836A (en) * | 1996-09-21 | 1999-09-21 | U.S. Philips Corporation | Organic electroluminescent component with exciplex formed from a mixed layer of a mixture of hole transporting and electron transporting organic material |
| JPH1167453A (en) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsui Chem Inc | Organic electroluminescent element |
| US7449714B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-11-11 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US8115199B2 (en) | 1998-03-13 | 2012-02-14 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US7078251B2 (en) | 1998-03-13 | 2006-07-18 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US7393704B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-07-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| JP2004247313A (en) * | 1998-03-13 | 2004-09-02 | Cambridge Display Technol Ltd | Electroluminescent element and its manufacturing method |
| US6897473B1 (en) | 1998-03-13 | 2005-05-24 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| JP2005174947A (en) * | 1998-03-13 | 2005-06-30 | Cambridge Display Technol Ltd | Electroluminescent element |
| US7227180B2 (en) | 1998-03-13 | 2007-06-05 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| JP2000133453A (en) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element and its manufacture |
| JP2000164359A (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
| JP2000315580A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JP2000315581A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence element and manufacture thereof |
| JP2002043063A (en) * | 2000-06-30 | 2002-02-08 | Xerox Corp | Organic light-emitting element |
| JP2002222697A (en) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Toray Ind Inc | Luminescent element |
| WO2002052904A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
| JP2004047493A (en) * | 2003-10-22 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic light emitting element |
| JP2005276748A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof |
| WO2006022194A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electron injecting composition, and light emitting element and light emitting device using the electron injecting composition |
| JP2008166745A (en) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic instrument |
| US7732811B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US8916857B2 (en) | 2006-12-04 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US8319210B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2010520507A (en) * | 2007-03-06 | 2010-06-10 | サン ルーウェン | Display device, and mobile phone, computer, and television including display device |
| US9549933B2 (en) | 2008-12-10 | 2017-01-24 | Wista Laboratories Ltd. | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| US10399955B2 (en) | 2008-12-10 | 2019-09-03 | Wista Laboratories Ltd. | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| JP2015134797A (en) * | 2008-12-10 | 2015-07-27 | ウィスタ ラボラトリーズ リミテッド | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| JP2014033236A (en) * | 2011-02-16 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, luminaire, and electronic apparatus |
| US11038135B2 (en) | 2011-02-16 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10586934B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10573829B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11812626B2 (en) | 2011-02-16 | 2023-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2019186582A (en) * | 2011-02-16 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Mixed material for light emitting layer |
| US10403839B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10593895B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9604928B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8994263B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9538607B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10930852B2 (en) | 2011-02-28 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9929350B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-03-27 | Semiconducor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2017063217A (en) * | 2011-02-28 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
| JP2018137459A (en) * | 2011-02-28 | 2018-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
| US10505120B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US11508912B2 (en) | 2011-02-28 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9634279B2 (en) | 2011-03-23 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2020077863A (en) * | 2011-03-23 | 2020-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Material and light emitting device |
| US9175213B2 (en) | 2011-03-23 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11871592B2 (en) | 2011-03-23 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR101457838B1 (en) * | 2011-03-23 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic device |
| US10367160B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| WO2012127990A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014064026A (en) * | 2011-03-23 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element, light emitting device, illuminating device, and electronic apparatus |
| CN103443950B (en) * | 2011-03-23 | 2016-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component |
| JP2023134668A (en) * | 2011-03-23 | 2023-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light emitting device, lighting device and electronic device |
| CN103443950A (en) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting element |
| JP2021005731A (en) * | 2011-03-23 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, luminaire and electronic apparatus |
| US10978661B2 (en) | 2011-03-23 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2012212879A (en) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element |
| US8853680B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2017038079A (en) * | 2011-03-30 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element and light emitting device |
| US9269920B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| WO2012132809A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2022020818A (en) * | 2011-03-30 | 2022-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitter |
| JP2012216829A (en) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element |
| US9123907B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8736157B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2016213512A (en) * | 2011-04-07 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element |
| JP2018014525A (en) * | 2011-04-07 | 2018-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
| JP2017139476A (en) * | 2011-04-29 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and luminaire |
| JP2020188286A (en) * | 2011-08-25 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11773321B2 (en) | 2011-08-25 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US9059430B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10062867B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9590208B2 (en) | 2012-03-14 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9263693B2 (en) | 2012-03-14 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9698365B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| US9391289B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| US10424755B2 (en) | 2012-04-06 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming exciplex |
| US9299944B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9065066B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11393997B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9595686B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10818861B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2022060381A (en) * | 2012-04-20 | 2022-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, and lighting apparatus |
| JP2018067716A (en) * | 2012-05-18 | 2018-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, illuminating device, light-emitting device, display device, and electronic equipment |
| JP2022122966A (en) * | 2012-05-18 | 2022-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, illumination device, light-emitting device, display device, and electronic apparatus |
| JP2021182628A (en) * | 2012-05-18 | 2021-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, display device, or electronic apparatus |
| US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10734594B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11730007B2 (en) | 2012-08-03 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9947885B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2016006905A (en) * | 2012-08-03 | 2016-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light emitting device, lighting device and electronic apparatus |
| JP2019054258A (en) * | 2012-08-03 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
| US9276228B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20180121852A (en) * | 2012-08-03 | 2018-11-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element |
| US10505132B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9559313B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014044941A (en) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus and light device |
| JP2014045176A (en) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, electronic apparatus, lighting device, and heterocyclic compound |
| JP2022009808A (en) * | 2012-08-03 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, lighting device, light-emitting device and electronic device |
| US10020451B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and heterocyclic compound |
| US10644254B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20180133352A (en) * | 2012-08-03 | 2018-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element |
| JP2018160468A (en) * | 2012-08-03 | 2018-10-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, illuminating device, light-emitting device, display device, and electronic equipment |
| JP2020115560A (en) * | 2012-08-03 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, lighting device, light-emitting device and electronic device |
| US11355722B2 (en) | 2012-08-03 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10181571B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| JP2019054257A (en) * | 2012-08-03 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device and light emitting method |
| JP2018152589A (en) * | 2012-08-03 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emission method, light-emitting element, illuminating device, light-emitting device and electronic equipment |
| JP2019041114A (en) * | 2012-08-03 | 2019-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| KR20220124673A (en) * | 2012-08-03 | 2022-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element |
| US9627640B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| JP2021022744A (en) * | 2012-08-03 | 2021-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, lighting device, light-emitting device and electronic device |
| JP2015065448A (en) * | 2012-08-03 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic equipment |
| US11690239B2 (en) | 2012-08-10 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10665808B2 (en) | 2012-08-10 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11018313B2 (en) | 2012-08-10 | 2021-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US9559324B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US9142710B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| CN107359260A (en) * | 2012-08-10 | 2017-11-17 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component, light-emitting device, display device, electronic equipment and lighting device |
| CN107359260B (en) * | 2012-08-10 | 2019-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2014056814A (en) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus and light device |
| US10121984B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| KR20200035481A (en) * | 2012-10-03 | 2020-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2021061423A (en) * | 2012-10-03 | 2021-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| JP2018117159A (en) * | 2012-10-03 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
| TWI712194B (en) * | 2013-04-26 | 2020-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10833279B2 (en) | 2013-04-26 | 2020-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2014225661A (en) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus, and lighting device |
| JP2019149550A (en) * | 2013-04-26 | 2019-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting element, light-emitting device, display device, electronic apparatus, and lighting apparatus |
| US11508926B2 (en) | 2014-10-10 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11322689B2 (en) | 2015-03-09 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10811611B2 (en) | 2015-03-09 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11895908B2 (en) | 2015-03-09 | 2024-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
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