JPH0784375A - フォトレジスト剥離液 - Google Patents
フォトレジスト剥離液Info
- Publication number
- JPH0784375A JPH0784375A JP18718293A JP18718293A JPH0784375A JP H0784375 A JPH0784375 A JP H0784375A JP 18718293 A JP18718293 A JP 18718293A JP 18718293 A JP18718293 A JP 18718293A JP H0784375 A JPH0784375 A JP H0784375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- formula
- alkyl group
- propylene glycol
- stripping solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式化１で表わされるプロピレングリ
コール（誘導体）５〜１００重量％と、下記一般式化２
で表わされるピロリドン類９５〜０重量％との混合物か
らなる。 【化１】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ単独で水素原子、アルキル
基又は−ＣＯ−Ｒ（式中、Ｒはアルキル基を示す）を示
し、またｎは２又は３を示す。〕 【化２】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基、ヒドロキシアル
キル基又はアミノアルキル基を示す。） 【効果】 剥離液自体の温度が常温であっても、短時間
でフォトレジストを完全に剥離することができ、しかも
剥離能力が長時間維持される。また、引火点が比較的高
く、且つ毒性が比較的低く、その上剥離後の工程におい
て水洗浄が可能である。
コール（誘導体）５〜１００重量％と、下記一般式化２
で表わされるピロリドン類９５〜０重量％との混合物か
らなる。 【化１】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ単独で水素原子、アルキル
基又は−ＣＯ−Ｒ（式中、Ｒはアルキル基を示す）を示
し、またｎは２又は３を示す。〕 【化２】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基、ヒドロキシアル
キル基又はアミノアルキル基を示す。） 【効果】 剥離液自体の温度が常温であっても、短時間
でフォトレジストを完全に剥離することができ、しかも
剥離能力が長時間維持される。また、引火点が比較的高
く、且つ毒性が比較的低く、その上剥離後の工程におい
て水洗浄が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトレジストを剥離す
るための剥離液に関する。
るための剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは集積構成部品又は回路
板の製造に際して、また同様の技術分野で、エッチング
又はインプランテーションのような構造化処理用マスク
として使用される。その目的に供した後、フォトレジス
トは一般に除去されるが、この除去には多くの場合、そ
の作用形態に応じて、剥離液として公知の薬剤が使用さ
れる。ただ、従来のフォトレジスト剥離液は、フェノー
ル及び塩素化炭化水素が含有されているため、環境や廃
液処理の点で問題があり、また非水溶性であるため処理
後のプロセスが複雑になるなどの欠点を持っている。
板の製造に際して、また同様の技術分野で、エッチング
又はインプランテーションのような構造化処理用マスク
として使用される。その目的に供した後、フォトレジス
トは一般に除去されるが、この除去には多くの場合、そ
の作用形態に応じて、剥離液として公知の薬剤が使用さ
れる。ただ、従来のフォトレジスト剥離液は、フェノー
ル及び塩素化炭化水素が含有されているため、環境や廃
液処理の点で問題があり、また非水溶性であるため処理
後のプロセスが複雑になるなどの欠点を持っている。
【０００３】最近このような欠点を有しないフォトレジ
スト剥離液として、例えばベンゼンスルホン酸とドデシ
ルベンゼンスルホン酸との混合物（特開昭５４−１５３
５７７号公報）、モルホリンとＮ，Ｎ′−ジメチルホル
ムアミドとの混合物（特開昭５８−８０６３８号公
報）、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドと
テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシドとの混合
物（特開昭５７−４９５３８号公報）、Ｎ−メチル−２
−ピロリドンとＮ−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピ
ロリドンとの混合物（特開昭６０−２６３４０号公
報）、Ｎ−メチル−２−ピロリドンと少量の異種のピロ
リドンとの混合物（特開昭６１−６８２７号公報）、あ
るいは低級アルコキシプロパノール若しくはそれと酢酸
エステルとの混合物（特開平２−２５３２６５号公報）
などが提案されている。
スト剥離液として、例えばベンゼンスルホン酸とドデシ
ルベンゼンスルホン酸との混合物（特開昭５４−１５３
５７７号公報）、モルホリンとＮ，Ｎ′−ジメチルホル
ムアミドとの混合物（特開昭５８−８０６３８号公
報）、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドと
テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシドとの混合
物（特開昭５７−４９５３８号公報）、Ｎ−メチル−２
−ピロリドンとＮ−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピ
ロリドンとの混合物（特開昭６０−２６３４０号公
報）、Ｎ−メチル−２−ピロリドンと少量の異種のピロ
リドンとの混合物（特開昭６１−６８２７号公報）、あ
るいは低級アルコキシプロパノール若しくはそれと酢酸
エステルとの混合物（特開平２−２５３２６５号公報）
などが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの剥
離液は、あるものは引火点が低かったり、あるものは毒
性が高かったり、また有効な剥離能力を発揮させるため
には、剥離液自体の温度を高温にしなければならず、引
火の危険性や吸入による人体への影響等の問題があっ
た。
離液は、あるものは引火点が低かったり、あるものは毒
性が高かったり、また有効な剥離能力を発揮させるため
には、剥離液自体の温度を高温にしなければならず、引
火の危険性や吸入による人体への影響等の問題があっ
た。
【０００５】従って、本発明は上記のような従来技術の
問題点を背景になされたものであって、剥離液自体の温
度が常温であっても、短時間でフォトレジストを完全に
剥離することが可能であり、また引火点が比較的高く、
且つ毒性が比較的低いものであって、更に剥離後の工程
において水洗浄が可能である剥離液を提供することを、
その目的とする。
問題点を背景になされたものであって、剥離液自体の温
度が常温であっても、短時間でフォトレジストを完全に
剥離することが可能であり、また引火点が比較的高く、
且つ毒性が比較的低いものであって、更に剥離後の工程
において水洗浄が可能である剥離液を提供することを、
その目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式化１で表わされる少なくとも一種のプロピレングリ
コール又はその誘導体５〜１００重量％と、下記一般式
化２で表わされる少なくとも一種のピロリドン類９５〜
０重量％とからなることを特徴とするフォトレジスト剥
離液が提供される。
般式化１で表わされる少なくとも一種のプロピレングリ
コール又はその誘導体５〜１００重量％と、下記一般式
化２で表わされる少なくとも一種のピロリドン類９５〜
０重量％とからなることを特徴とするフォトレジスト剥
離液が提供される。
【化１】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ単独で水素原子、アルキル
基又は−ＣＯ−Ｒ（式中、Ｒはアルキル基を示す）を示
し、またｎは２又は３を示す。〕
基又は−ＣＯ−Ｒ（式中、Ｒはアルキル基を示す）を示
し、またｎは２又は３を示す。〕
【化２】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基、ヒドロキシアル
キル基又はアミノアルキル基を示す。）
キル基又はアミノアルキル基を示す。）
【０００７】即ち、本発明のフォトレジスト剥離液は、
上記一般式化１で表わされるプロピレングリコール（誘
導体）５〜１００重量％と、上記一般式化２で表わされ
るピロリドン類９５〜０重量％とからなるものとしたこ
とから、剥離液自体の温度が常温であっても、短時間で
フォトレジストを完全に剥離することができ、しかも引
火点が比較的高く且つ毒性が比較的低く、更に水溶性で
あるため、処理後の工程が水洗浄だけでよいものとな
る。
上記一般式化１で表わされるプロピレングリコール（誘
導体）５〜１００重量％と、上記一般式化２で表わされ
るピロリドン類９５〜０重量％とからなるものとしたこ
とから、剥離液自体の温度が常温であっても、短時間で
フォトレジストを完全に剥離することができ、しかも引
火点が比較的高く且つ毒性が比較的低く、更に水溶性で
あるため、処理後の工程が水洗浄だけでよいものとな
る。
【０００８】以下、本発明のフォトレジスト剥離液につ
いて、詳しく説明する。本発明のフォトレジスト剥離液
は、前記一般式化１で表わされるプロピレングリコール
（誘導体）、又はそれと前記一般式化２で表わされるピ
ロリドン類との混合物からなるものであるが、一般式化
１及び化２中のアルキル部分は、炭素数１〜４が好まし
い。プロピレングリコール誘導体としては、前記一般式
化１において、Ｒ1及びＲ2の一方が水素原子で、もう一
方がアルキル基であるものが好ましい。プロピレングリ
コール誘導体の好ましい具体例としては、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチル
エーテルなどが挙げられるが、特に好ましいのは、ジプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルである。プロピ
レングリコール誘導体は、他のフォトレジスト剥離液に
使用されている有機溶剤に比べて、比較的毒性が低い。
また、プロピレングリコール誘導体の前記一般式化１中
のｎが１の場合は、引火点が低すぎてフォトレジスト剥
離液としては適さない。プロピレングリコール誘導体及
び従来のフォトレジスト剥離液に使用されている有機溶
剤の毒性並びにプロピレングリコール誘導体の引火点を
比較すると、次の表１及び２で示される。
いて、詳しく説明する。本発明のフォトレジスト剥離液
は、前記一般式化１で表わされるプロピレングリコール
（誘導体）、又はそれと前記一般式化２で表わされるピ
ロリドン類との混合物からなるものであるが、一般式化
１及び化２中のアルキル部分は、炭素数１〜４が好まし
い。プロピレングリコール誘導体としては、前記一般式
化１において、Ｒ1及びＲ2の一方が水素原子で、もう一
方がアルキル基であるものが好ましい。プロピレングリ
コール誘導体の好ましい具体例としては、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチル
エーテルなどが挙げられるが、特に好ましいのは、ジプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルである。プロピ
レングリコール誘導体は、他のフォトレジスト剥離液に
使用されている有機溶剤に比べて、比較的毒性が低い。
また、プロピレングリコール誘導体の前記一般式化１中
のｎが１の場合は、引火点が低すぎてフォトレジスト剥
離液としては適さない。プロピレングリコール誘導体及
び従来のフォトレジスト剥離液に使用されている有機溶
剤の毒性並びにプロピレングリコール誘導体の引火点を
比較すると、次の表１及び２で示される。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】また、ピロリドン類の具体例としては、例
えば、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、Ｎ−ジメチル
アミノプロピル−２−ピロリドンなどが挙げられるガ、
好ましくはＮ−メチル−２−ピロリドンである。
えば、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、Ｎ−ジメチル
アミノプロピル−２−ピロリドンなどが挙げられるガ、
好ましくはＮ−メチル−２−ピロリドンである。
【００１２】フォトレジスト剥離液として、前記一般式
化１で表わされるプロピレングリコール誘導体のみで
も、剥離能力を有する。たゞ、これに前記一般式化２で
表わされるピロリドン類を加えると、剥離液のライフが
長くなる、つまりプロピレングリコール誘導体の剥離能
力を長時間維持するという効果が生じる。
化１で表わされるプロピレングリコール誘導体のみで
も、剥離能力を有する。たゞ、これに前記一般式化２で
表わされるピロリドン類を加えると、剥離液のライフが
長くなる、つまりプロピレングリコール誘導体の剥離能
力を長時間維持するという効果が生じる。
【００１３】本発明の剥離液を用いてフォトレジストを
剥離する場合には、剥離液は常温のままでも、充分な剥
離能力を発揮する。従って、本剥離液中に剥離すべきフ
ォトレジストの付いた基板を通常１５秒〜５分間程度浸
漬すればよい。
剥離する場合には、剥離液は常温のままでも、充分な剥
離能力を発揮する。従って、本剥離液中に剥離すべきフ
ォトレジストの付いた基板を通常１５秒〜５分間程度浸
漬すればよい。
【００１４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１５】実施例１〜６及び比較例１〜１２ シリコンウェハー上にポジ型フォトレジストＡＺ１３０
０ＳＦ〔ヘキストジャパン（株）製〕を乾燥膜厚１．５
μｍでスピンコートし、その後通常の方法でプリベー
ク、露光、現像を行なった。次いで、ホットプレート上
で１２０℃、１３０℃、１４０℃の温度で２分間加熱
し、レジスト膜を形成した。
０ＳＦ〔ヘキストジャパン（株）製〕を乾燥膜厚１．５
μｍでスピンコートし、その後通常の方法でプリベー
ク、露光、現像を行なった。次いで、ホットプレート上
で１２０℃、１３０℃、１４０℃の温度で２分間加熱
し、レジスト膜を形成した。
【００１６】次に、得られたレジスト膜を表３に示す組
成の剥離液中に、２５℃の温度で浸漬した。目視により
パターンが見えなくなった時点を溶解時間とした。５分
間浸漬した後、水で洗浄し、乾燥させた後、ウェハー上
の残存レジストの有無を１０〜１００倍の光学顕微鏡で
観察し、レジスト膜の残存度を調べた。その結果を表４
に示す。
成の剥離液中に、２５℃の温度で浸漬した。目視により
パターンが見えなくなった時点を溶解時間とした。５分
間浸漬した後、水で洗浄し、乾燥させた後、ウェハー上
の残存レジストの有無を１０〜１００倍の光学顕微鏡で
観察し、レジスト膜の残存度を調べた。その結果を表４
に示す。
【００１７】なお、表４中の溶解時間及び剥離状態の評
価基準は次の通りである。 （溶解時間） １：３０秒以内 ２：１分以内 ３：３分以内 ４：５分以内 ５：５分以上 （剥離状態） ◎：完全に剥離されている。 △：一部分レジストが残存。 ×：全体的にレジストが残存。
価基準は次の通りである。 （溶解時間） １：３０秒以内 ２：１分以内 ３：３分以内 ４：５分以内 ５：５分以上 （剥離状態） ◎：完全に剥離されている。 △：一部分レジストが残存。 ×：全体的にレジストが残存。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】実施例７〜１０ ４インチシリコンウェハー上にポジ型フォトレジストＡ
Ｚ１３００ＳＦを乾燥膜厚１．５μｍで塗布した後、通
常の方法でプリベーク、露光、現像を行なった。次い
で、ダイレクトホットプレート上で１２０℃、２分間加
熱し、レジスト膜を形成した。また、乾燥させたＡＺ１
３００ＳＦを用意した。
Ｚ１３００ＳＦを乾燥膜厚１．５μｍで塗布した後、通
常の方法でプリベーク、露光、現像を行なった。次い
で、ダイレクトホットプレート上で１２０℃、２分間加
熱し、レジスト膜を形成した。また、乾燥させたＡＺ１
３００ＳＦを用意した。
【００２１】表５に示した組成の剥離液Ａ〜Ｄ各１００
０ｇに対して、乾燥させたＡＺ１３００ＳＦを５ｇずつ
添加し溶解させ、その後形成させたレジスト膜を１分間
浸漬させ、ウェハーを２０秒間水で洗浄した。乾燥させ
たＡＺ１３００ＳＦを５ｇは、４インチウェハーに１．
５μｍで塗布したときの約２８５枚分に相当する。つま
り５ｇ添加した後１分間浸漬したウェハーは、２８６枚
目のウェハーにあたる。このウェハー上のレジスト残り
及び再付着の度合いを、肉眼及び光学顕微鏡で観察し
た。以上の作業を繰り返し行ない、剥離液１０００ｇ当
たりのウェハー処理枚数を求めた。その結果を表６に示
す。表６から本発明の剥離液が、剥離能力を長時間維持
できるものであることが分かる。
０ｇに対して、乾燥させたＡＺ１３００ＳＦを５ｇずつ
添加し溶解させ、その後形成させたレジスト膜を１分間
浸漬させ、ウェハーを２０秒間水で洗浄した。乾燥させ
たＡＺ１３００ＳＦを５ｇは、４インチウェハーに１．
５μｍで塗布したときの約２８５枚分に相当する。つま
り５ｇ添加した後１分間浸漬したウェハーは、２８６枚
目のウェハーにあたる。このウェハー上のレジスト残り
及び再付着の度合いを、肉眼及び光学顕微鏡で観察し
た。以上の作業を繰り返し行ない、剥離液１０００ｇ当
たりのウェハー処理枚数を求めた。その結果を表６に示
す。表６から本発明の剥離液が、剥離能力を長時間維持
できるものであることが分かる。
【００２２】
【表５】
【００２３】
【表６】 注）〇：ウェハー上にレジスト残り及びレジスト再付着
が見られない。 △：わずかにレジスト残り及びレジスト再付着が見られ
る。 ×：明らかにレジスト残り及びレジスト再付着が見られ
る。
が見られない。 △：わずかにレジスト残り及びレジスト再付着が見られ
る。 ×：明らかにレジスト残り及びレジスト再付着が見られ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト剥離液は、前記
一般式化１で表わされるプロピレングリコール（誘導
体）５〜１００重量％と、前記一般式化２で表わされる
ピロリドン類９５〜０重量％の混合物からなるものとし
たことから、次のような卓越した効果を奏する。 イ）剥離液自体の温度が常温であっても、短時間でフォ
トレジストを完全に剥離することができる。 ロ）剥離能力が長時間維持される。 ハ）引火点が比較的高い。 ニ）毒性が比較的低い。 ホ）剥離後の工程において水洗浄が可能である。
一般式化１で表わされるプロピレングリコール（誘導
体）５〜１００重量％と、前記一般式化２で表わされる
ピロリドン類９５〜０重量％の混合物からなるものとし
たことから、次のような卓越した効果を奏する。 イ）剥離液自体の温度が常温であっても、短時間でフォ
トレジストを完全に剥離することができる。 ロ）剥離能力が長時間維持される。 ハ）引火点が比較的高い。 ニ）毒性が比較的低い。 ホ）剥離後の工程において水洗浄が可能である。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式化１で表わされる少なくとも
一種のプロピレングリコール又はその誘導体５〜１００
重量％と、下記一般式化２で表わされる少なくとも一種
のピロリドン類９５〜０重量％とからなることを特徴と
するフォトレジスト剥離液。 【化１】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ単独で水素原子、アルキル
基又は−ＣＯ−Ｒ（式中、Ｒはアルキル基を示す）を示
し、またｎは２又は３を示す。〕 【化２】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基、ヒドロキシアル
キル基又はアミノアルキル基を示す。） - 【請求項２】 前記プロピレングリコールの誘導体がジ
プロピレングリコールモノメチルエーテルであり、且
つ、前記ピロリドン類がＮ−メチル−２−ピロリドンで
ある請求項１記載のフォトレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18718293A JP3279741B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトレジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18718293A JP3279741B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトレジスト剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784375A true JPH0784375A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3279741B2 JP3279741B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16201548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18718293A Expired - Fee Related JP3279741B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | フォトレジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279741B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003228181A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト用剥離液 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18718293A patent/JP3279741B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003228181A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト用剥離液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279741B2 (ja) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4744834A (en) | Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide | |
| TWI353381B (en) | Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleanin | |
| CN101454872B (zh) | 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 | |
| JP2683729B2 (ja) | 架橋又は硬化したレジスト樹脂を有する減少した金属腐食を生じるアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物 | |
| KR940007792B1 (ko) | 감광성 내식막 제거용 용매 | |
| KR880002246B1 (ko) | 제막조성물 및 내식막 제거방법 | |
| EP0103808B1 (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| JP2527268B2 (ja) | レジスト用剥離剤組成物 | |
| KR100744223B1 (ko) | 중합체성 부식 억제제를 함유하는 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 | |
| JPH0721638B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| WO1991017484A1 (en) | Photoresist stripper | |
| EP0102629A1 (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| JP2002540220A (ja) | 非腐食性洗浄組成物およびプラズマエッチング残留物を除去するための方法 | |
| JP2631849B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| IE872341L (en) | Stripping compositions | |
| JP2759462B2 (ja) | 水性剥離剤組成物 | |
| JP2006343604A (ja) | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
| JP3279741B2 (ja) | フォトレジスト剥離液 | |
| EP1048986B1 (fr) | Compositions pour le décapage de photorésists dans la fabrication de circuits intégrés | |
| EP0163202B1 (en) | Photoresist stripper and stripping method | |
| JP4483114B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| US5909744A (en) | Dibasic ester stripping composition | |
| JPH0619576B2 (ja) | 剥離液組成物 | |
| JP3283612B2 (ja) | フォトレジスト剥離液 | |
| JPH0627684A (ja) | リソグラフィー用リンス液及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |