JPH0784356A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0784356A JPH0784356A JP23060193A JP23060193A JPH0784356A JP H0784356 A JPH0784356 A JP H0784356A JP 23060193 A JP23060193 A JP 23060193A JP 23060193 A JP23060193 A JP 23060193A JP H0784356 A JPH0784356 A JP H0784356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- opening
- exposure
- phase shifter
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト構造を有する露光用マスクとその
製造方法に関し、複数種類の微細パターンを効率良く露
光することを目的とする。 【構成】 遮光膜12の開口部分で透明基板11に段差を設
けてメインパターンと位相シフタを形成する位相シフト
マスクの製造方法において、先ず遮光膜12に二種類の開
口1AA, 2AAを形成した後、開口1AA, 2AA部分の透明基板
11の厚さをエッチングで減らしてメインパターン1A, 2A
を形成し、次に遮光膜12の開口1AA 周辺の所定の幅をエ
ッチングで除去して第一の幅の位相シフタ1Bを形成し、
更に遮光膜12の開口2AA 周辺の所定の幅をエッチングで
除去して第二の幅の位相シフタ2Bを形成して、幅の異な
る二種類の位相シフタが混在する位相シフトマスクを製
造する。二種類の微細パターンを同時に露光することが
出来る。
製造方法に関し、複数種類の微細パターンを効率良く露
光することを目的とする。 【構成】 遮光膜12の開口部分で透明基板11に段差を設
けてメインパターンと位相シフタを形成する位相シフト
マスクの製造方法において、先ず遮光膜12に二種類の開
口1AA, 2AAを形成した後、開口1AA, 2AA部分の透明基板
11の厚さをエッチングで減らしてメインパターン1A, 2A
を形成し、次に遮光膜12の開口1AA 周辺の所定の幅をエ
ッチングで除去して第一の幅の位相シフタ1Bを形成し、
更に遮光膜12の開口2AA 周辺の所定の幅をエッチングで
除去して第二の幅の位相シフタ2Bを形成して、幅の異な
る二種類の位相シフタが混在する位相シフトマスクを製
造する。二種類の微細パターンを同時に露光することが
出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフト構造を有する
露光用マスクとその製造方法に関する。近年、半導体デ
バイスは高集積・高密度化の要求に対応してパターンの
微細化が続けられている。紫外線露光法でのパターン微
細化の限界を突破する技術として、フォトマスクを透過
する露光光線に位相差を与えることにより露光光線相互
の干渉を利用して解像度を向上させる「位相シフト法」
が注目されており、位相シフト構造を有するマスク（以
下、位相シフトマスクと記す）を使用する露光方法の実
用化が進められている。
露光用マスクとその製造方法に関する。近年、半導体デ
バイスは高集積・高密度化の要求に対応してパターンの
微細化が続けられている。紫外線露光法でのパターン微
細化の限界を突破する技術として、フォトマスクを透過
する露光光線に位相差を与えることにより露光光線相互
の干渉を利用して解像度を向上させる「位相シフト法」
が注目されており、位相シフト構造を有するマスク（以
下、位相シフトマスクと記す）を使用する露光方法の実
用化が進められている。
【０００２】
【従来の技術】位相シフト法としては、マスクの位相シ
フト構造が異なる種々の方式が提案されている（例え
ば、日経マイクロデバイス誌1991年５月号52〜58頁参
照）。
フト構造が異なる種々の方式が提案されている（例え
ば、日経マイクロデバイス誌1991年５月号52〜58頁参
照）。
【０００３】このうち、エッジ強調方式は、遮光膜の開
口内にその周縁に沿って一定幅の位相シフタを設け、こ
の位相シフタを透過する光と、この位相シフタに囲まれ
たメインパターンを透過する光との間に位相差を与える
ものであり、比較的適用範囲が広い、位相シフタのパタ
ーンをメインパターンとの自己整合で形成出来るからマ
スク製造が容易である、等の特徴がある。
口内にその周縁に沿って一定幅の位相シフタを設け、こ
の位相シフタを透過する光と、この位相シフタに囲まれ
たメインパターンを透過する光との間に位相差を与える
ものであり、比較的適用範囲が広い、位相シフタのパタ
ーンをメインパターンとの自己整合で形成出来るからマ
スク製造が容易である、等の特徴がある。
【０００４】この方式の位相シフトマスクを製造するに
は、先ず透明基板上の遮光膜にメインパターンに相当す
る開口を設け、次にこの開口部の透明基板の厚さをエッ
チングにより薄くし、その後遮光膜を開口部周辺の一定
幅の範囲だけエッチングにより除去する。この透明基板
をエッチングにより薄くした部分がメインパターンとな
り、遮光膜を後で除去した部分（透明基板の厚さは元の
まま）が位相シフタとなる。
は、先ず透明基板上の遮光膜にメインパターンに相当す
る開口を設け、次にこの開口部の透明基板の厚さをエッ
チングにより薄くし、その後遮光膜を開口部周辺の一定
幅の範囲だけエッチングにより除去する。この透明基板
をエッチングにより薄くした部分がメインパターンとな
り、遮光膜を後で除去した部分（透明基板の厚さは元の
まま）が位相シフタとなる。
【０００５】ところで、位相シフタの幅の最適値は、露
光すべきパターンの寸法等により変化する。位相シフタ
を上述のようにメインパターンとの自己整合で形成する
場合、この位相シフタの幅は遮光膜の開口を拡大する工
程の処理条件で決まるものであるから、異なる幅の位相
シフタを同一の製造工程で同一のマスク内に作り込むこ
とは困難である。
光すべきパターンの寸法等により変化する。位相シフタ
を上述のようにメインパターンとの自己整合で形成する
場合、この位相シフタの幅は遮光膜の開口を拡大する工
程の処理条件で決まるものであるから、異なる幅の位相
シフタを同一の製造工程で同一のマスク内に作り込むこ
とは困難である。
【０００６】そのため、従来は様々な形状・寸法のパタ
ーンを組み合わせてなるデバイス・パターンを露光する
際には、露光用マスクを位相シフタの幅寸法で分けた複
数の分割マスクで構成し、それぞれを同一の製造工程で
製造していた。
ーンを組み合わせてなるデバイス・パターンを露光する
際には、露光用マスクを位相シフタの幅寸法で分けた複
数の分割マスクで構成し、それぞれを同一の製造工程で
製造していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
露光用マスクを複数の分割マスクで構成すると、この分
割マスクを順次使用して同一フォトレジスト膜を順次露
光しなければならないから、露光工程が煩雑となり、長
時間を要する、という問題があった。
露光用マスクを複数の分割マスクで構成すると、この分
割マスクを順次使用して同一フォトレジスト膜を順次露
光しなければならないから、露光工程が煩雑となり、長
時間を要する、という問題があった。
【０００８】本発明はこのような問題を解決して、複数
種類の微細パターンを効率良く露光することが可能な位
相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的
とする。
種類の微細パターンを効率良く露光することが可能な位
相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕透明基板表面上に被着された遮光膜に第一の
パターン露光用の開口と、第二のパターン露光用の開口
とを含む複数種類のパターン露光用の開口を有し、該第
一のパターン露光用の開口部において該透明基板は第一
の幅を有する第一の位相シフタと該第一の位相シフタに
囲まれ且つ該第一の位相シフタより厚さが薄い第一のメ
インパターンからなり、該第二のパターン露光用の開口
部において該透明基板は第二の幅を有する第二の位相シ
フタと該第二の位相シフタに囲まれ且つ該第二の位相シ
フタより厚さが薄い第二のメインパターンからなること
を特徴とする位相シフトマスク。〔２〕前記〔１〕記載
の位相シフトマスクの製造方法であって、前記遮光膜
に、前記第一のパターン露光用の開口と第二種類のパタ
ーン露光用の開口とを含む複数種類のパターン露光用の
開口をそれぞれ後工程で形成する前記第一のメインパタ
ーンと第二のメインパターンとを含む各メインパターン
と同寸に形成する工程と、該複数種類の開口とそれぞれ
自己整合で前記透明基板に該第一のメインパターンと第
二のメインパターンを含む複数種類のメインパターンと
なる凹所を形成する工程と、該透明基板の表面側全面に
フォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を該透
明基板の裏面側から第一のパターン露光用の開口部のみ
を選択的に露光した後、これを現像する工程と、該遮光
膜の該第一のパターン露光用の開口周辺を前記第一の幅
の範囲で除去して該開口を拡大することにより前記第一
の位相シフタを形成する工程と、該透明基板の表面側全
面にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を
該透明基板の裏面側から第二のパターン露光用の開口部
のみを選択的に露光した後、これを現像する工程と、該
遮光膜の該第二のパターン露光用の開口周辺を前記第二
の幅の範囲で除去して該開口を拡大することにより前記
第二の位相シフタを形成する工程と、を含むことを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法とすることで、達成
される。
ば、〔１〕透明基板表面上に被着された遮光膜に第一の
パターン露光用の開口と、第二のパターン露光用の開口
とを含む複数種類のパターン露光用の開口を有し、該第
一のパターン露光用の開口部において該透明基板は第一
の幅を有する第一の位相シフタと該第一の位相シフタに
囲まれ且つ該第一の位相シフタより厚さが薄い第一のメ
インパターンからなり、該第二のパターン露光用の開口
部において該透明基板は第二の幅を有する第二の位相シ
フタと該第二の位相シフタに囲まれ且つ該第二の位相シ
フタより厚さが薄い第二のメインパターンからなること
を特徴とする位相シフトマスク。〔２〕前記〔１〕記載
の位相シフトマスクの製造方法であって、前記遮光膜
に、前記第一のパターン露光用の開口と第二種類のパタ
ーン露光用の開口とを含む複数種類のパターン露光用の
開口をそれぞれ後工程で形成する前記第一のメインパタ
ーンと第二のメインパターンとを含む各メインパターン
と同寸に形成する工程と、該複数種類の開口とそれぞれ
自己整合で前記透明基板に該第一のメインパターンと第
二のメインパターンを含む複数種類のメインパターンと
なる凹所を形成する工程と、該透明基板の表面側全面に
フォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を該透
明基板の裏面側から第一のパターン露光用の開口部のみ
を選択的に露光した後、これを現像する工程と、該遮光
膜の該第一のパターン露光用の開口周辺を前記第一の幅
の範囲で除去して該開口を拡大することにより前記第一
の位相シフタを形成する工程と、該透明基板の表面側全
面にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を
該透明基板の裏面側から第二のパターン露光用の開口部
のみを選択的に露光した後、これを現像する工程と、該
遮光膜の該第二のパターン露光用の開口周辺を前記第二
の幅の範囲で除去して該開口を拡大することにより前記
第二の位相シフタを形成する工程と、を含むことを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法とすることで、達成
される。
【００１０】
【作用】本発明では位相シフタの幅を決定付ける工程の
み、同一の幅の位相シフタの領域だけを逐次選択的に処
理する製造方法としたから、幅の異なる複数種類の位相
シフタをそれぞれ自己整合プロセスで一枚のマスクに作
り込むことが可能となった。その結果、一枚の位相シフ
トマスクで、形状・寸法の異なる複数種類の微細パター
ンを一度に露光し、しかもその複数種類のパターン総て
に対して所望の解像度を得ることが可能となった。
み、同一の幅の位相シフタの領域だけを逐次選択的に処
理する製造方法としたから、幅の異なる複数種類の位相
シフタをそれぞれ自己整合プロセスで一枚のマスクに作
り込むことが可能となった。その結果、一枚の位相シフ
トマスクで、形状・寸法の異なる複数種類の微細パター
ンを一度に露光し、しかもその複数種類のパターン総て
に対して所望の解像度を得ることが可能となった。
【００１１】
【実施例】本発明に係る位相シフトマスクの実施例を図
１を参照しながら説明する。図１は本発明の位相シフト
マスクの実施例を示す模式図である。この例は、寸法の
異なる二種類のホールパターン（即ち、図１(A) におけ
る第一のパターン１と第二のパターン２）を露光するた
めのエッジ強調型位相シフトマスクである。尚、このマ
スクは縮小投影露光用であり、実際にフォトレジスト膜
に転写すべきパターンの５倍に拡大されている。
１を参照しながら説明する。図１は本発明の位相シフト
マスクの実施例を示す模式図である。この例は、寸法の
異なる二種類のホールパターン（即ち、図１(A) におけ
る第一のパターン１と第二のパターン２）を露光するた
めのエッジ強調型位相シフトマスクである。尚、このマ
スクは縮小投影露光用であり、実際にフォトレジスト膜
に転写すべきパターンの５倍に拡大されている。
【００１２】この位相シフトマスクは、石英ガラス等か
らなる透明基板11の表面に被着されたクロム等からなる
遮光膜12に、第一のパターン１を露光するための開口と
第二のパターン２を露光するための開口が設けられてい
る。これらの開口部分で透明基板11はその周縁部を一定
幅で残して厚さが薄くなっている。この薄くなっている
部分（凹部）がメインパターン1A, 2A、周縁部が位相シ
フタ1B, 2Bである。位相シフタ1Bの幅は総て等しく、位
相シフタ2Bの幅も総て等しいが、1Bの幅と2Bの幅は異な
っている。
らなる透明基板11の表面に被着されたクロム等からなる
遮光膜12に、第一のパターン１を露光するための開口と
第二のパターン２を露光するための開口が設けられてい
る。これらの開口部分で透明基板11はその周縁部を一定
幅で残して厚さが薄くなっている。この薄くなっている
部分（凹部）がメインパターン1A, 2A、周縁部が位相シ
フタ1B, 2Bである。位相シフタ1Bの幅は総て等しく、位
相シフタ2Bの幅も総て等しいが、1Bの幅と2Bの幅は異な
っている。
【００１３】位相シフタ1Bとメインパターン1A、及び位
相シフタ2Bとメインパターン2Aとの厚さの差（段差）は
等しく、いずれも位相シフタを透過する光線とメインパ
ターンを透過する光線の間に 180°の位相差が生じる値
となっている。
相シフタ2Bとメインパターン2Aとの厚さの差（段差）は
等しく、いずれも位相シフタを透過する光線とメインパ
ターンを透過する光線の間に 180°の位相差が生じる値
となっている。
【００１４】次に、この位相シフトマスクの製造方法を
図２及び図３を参照しながら説明する。図２は本発明の
位相シフトマスク製造方法を示す模式図、図３は本発明
の位相シフトマスク製造に使用するマスクを示す図であ
る。
図２及び図３を参照しながら説明する。図２は本発明の
位相シフトマスク製造方法を示す模式図、図３は本発明
の位相シフトマスク製造に使用するマスクを示す図であ
る。
【００１５】先ず、石英ガラス等からなる透明基板11の
表面にクロム等からなる遮光膜12を被着し、この遮光膜
12にメインパターン1Aと同寸の開口1AA とメインパター
ン2Aと同寸の開口2AA とを電子ビーム露光法等で形成し
た後、透明基板11の表面側にフォトレジスト13を塗布
し、更に裏面側から紫外線を照射して遮光膜12をマスク
としてフォトレジスト13を選択的に露光する（図２(a)
参照）。次に、フォトレジスト13を現像し、このフォト
レジスト13をマスクとして透明基板11をドライエッチン
グし、透明基板11に所望の深さの凹所からなるメインパ
ターン1A, 2Aを形成する（図２(b) 参照）。
表面にクロム等からなる遮光膜12を被着し、この遮光膜
12にメインパターン1Aと同寸の開口1AA とメインパター
ン2Aと同寸の開口2AA とを電子ビーム露光法等で形成し
た後、透明基板11の表面側にフォトレジスト13を塗布
し、更に裏面側から紫外線を照射して遮光膜12をマスク
としてフォトレジスト13を選択的に露光する（図２(a)
参照）。次に、フォトレジスト13を現像し、このフォト
レジスト13をマスクとして透明基板11をドライエッチン
グし、透明基板11に所望の深さの凹所からなるメインパ
ターン1A, 2Aを形成する（図２(b) 参照）。
【００１６】次に、フォトレジスト13を剥離した後、透
明基板11の表面側に新たにフォトレジスト14を塗布し、
次に、メインパターン1Aが配置されている領域以外を遮
光する第一のマスク15（図３(A) 参照）を介して透明基
板11の裏面側から紫外線を照射してフォトレジスト14を
選択的に露光する（図２(c) 参照）。次に、フォトレジ
スト14を現像する（図２(d) 参照）。その後、フォトレ
ジスト14を酸素プラズマによりアッシングを行い、メイ
ンパターン1Aの周囲（位相シフタ1B形成領域）の遮光膜
12を露出させる（図２(e) 参照）。次に、この遮光膜12
の露出部分をドライエッチング法により除去する。
明基板11の表面側に新たにフォトレジスト14を塗布し、
次に、メインパターン1Aが配置されている領域以外を遮
光する第一のマスク15（図３(A) 参照）を介して透明基
板11の裏面側から紫外線を照射してフォトレジスト14を
選択的に露光する（図２(c) 参照）。次に、フォトレジ
スト14を現像する（図２(d) 参照）。その後、フォトレ
ジスト14を酸素プラズマによりアッシングを行い、メイ
ンパターン1Aの周囲（位相シフタ1B形成領域）の遮光膜
12を露出させる（図２(e) 参照）。次に、この遮光膜12
の露出部分をドライエッチング法により除去する。
【００１７】次に、フォトレジスト14を剥離した後、透
明基板11の表面側に新たにフォトレジスト16を塗布し、
次に、メインパターン2Aが配置されている領域以外を遮
光する第二のマスク17（図３(B) 参照）を介して透明基
板11の裏面側から紫外線を照射してフォトレジスト16を
選択的に露光する（図２(f) 参照）。次に、フォトレジ
スト16を現像する（図２(g) 参照）。その後、フォトレ
ジスト16を酸素プラズマによりアッシングを行い、メイ
ンパターン2Aの周囲（位相シフタ2B形成領域）の遮光膜
12を露出させる（図２(h) 参照）。次に、この遮光膜12
の露出部分をドライエッチング法により除去する。
明基板11の表面側に新たにフォトレジスト16を塗布し、
次に、メインパターン2Aが配置されている領域以外を遮
光する第二のマスク17（図３(B) 参照）を介して透明基
板11の裏面側から紫外線を照射してフォトレジスト16を
選択的に露光する（図２(f) 参照）。次に、フォトレジ
スト16を現像する（図２(g) 参照）。その後、フォトレ
ジスト16を酸素プラズマによりアッシングを行い、メイ
ンパターン2Aの周囲（位相シフタ2B形成領域）の遮光膜
12を露出させる（図２(h) 参照）。次に、この遮光膜12
の露出部分をドライエッチング法により除去する。
【００１８】その後、フォトレジスト16を剥離すると、
メインパターン1A, 2Aと幅の異なるシフタパターン1B,
2Bと遮光膜12からなるエッジ強調型位相シフトマスクが
完成する（図２(i) 参照）。
メインパターン1A, 2Aと幅の異なるシフタパターン1B,
2Bと遮光膜12からなるエッジ強調型位相シフトマスクが
完成する（図２(i) 参照）。
【００１９】以上の方法により作成した位相シフトマス
クを用いて、二種類の微細なホールパターンを同時に同
一のフォトレジスト膜に露光し、その後現像した結果、
得られたレジストパターンの解像度は総て良好であっ
た。
クを用いて、二種類の微細なホールパターンを同時に同
一のフォトレジスト膜に露光し、その後現像した結果、
得られたレジストパターンの解像度は総て良好であっ
た。
【００２０】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば三
種類以上の幅の位相シフタを同一マスクに作り込む場合
であっても、本発明は有効である。又、本発明を応用し
て、同一マスク内で異なる位相シフト構造を混在させる
ことも、位相シフト構造を持たない領域を混在させるこ
とも可能である。
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば三
種類以上の幅の位相シフタを同一マスクに作り込む場合
であっても、本発明は有効である。又、本発明を応用し
て、同一マスク内で異なる位相シフト構造を混在させる
ことも、位相シフト構造を持たない領域を混在させるこ
とも可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数種類の微細パターンを一度に露光することが可能な
位相シフトマスク及びその製造方法を提供することが出
来、半導体デバイスの高集積・高密度化等に寄与する。
複数種類の微細パターンを一度に露光することが可能な
位相シフトマスク及びその製造方法を提供することが出
来、半導体デバイスの高集積・高密度化等に寄与する。
【図１】 本発明の位相シフトマスクの実施例を示す図
である。
である。
【図２】 本発明の位相シフトマスク製造方法の実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 本発明の位相シフトマスク製造に使用するマ
スクを示す図である。
スクを示す図である。
１ 第一のパターン 1A メインパターン（第一のメインパターン） 1AA,2AA 開口 1B 位相シフタ（第一の位相シフタ） ２ 第二のパターン 2A メインパターン（第二のメインパターン） 2B 位相シフタ（第二の位相シフタ） 11 透明基板 12 遮光膜 13, 14, 16 フォトレジスト（フォトレジスト膜） 15 第一のマスク 17 第二のマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板(11)表面上に被着された遮光膜
(12)に第一のパターン露光用(1) 開口と、第二のパター
ン(2) 露光用の開口とを含む複数種類のパターン露光用
の開口を有し、 該第一のパターン(1) 露光用の開口部において該透明基
板(11)は第一の幅を有する第一の位相シフタ(1B)と該第
一の位相シフタ(1B)に囲まれ且つ該第一の位相シフタ(1
B)より厚さが薄い第一のメインパターン(1A)からなり、 該第二のパターン(2) 露光用の開口部において該透明基
板(11)は第二の幅を有する第二の位相シフタ(2B)と該第
二の位相シフタ(2B)に囲まれ且つ該第二の位相シフタ(2
B)より厚さが薄い第二のメインパターン(2A)からなるこ
とを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトマスクの製造
方法であって、 前記遮光膜(12)に、前記第一のパターン(1) 露光用の開
口(1AA) と第二のパターン(2) 露光用の開口(2AA) とを
含む複数種類のパターン露光用の開口をそれぞれ後工程
で形成する前記第一のメインパターン(1A)と第二のメイ
ンパターン(2A)とを含む各メインパターンと同寸に形成
する工程と、 該複数種類の開口とそれぞれ自己整合で前記透明基板(1
1)に該第一のメインパターン(1A)と第二のメインパター
ン(2A)を含む複数種類のメインパターンとなる凹所を形
成する工程と、 該透明基板(11)の表面側全面にフォトレジスト膜(14)を
形成し、該フォトレジスト膜(14)を該透明基板(11)の裏
面側から第一のパターン(1) 露光用の開口(1AA) 領域の
みを選択的に露光した後、これを現像する工程と、 該遮光膜(12)の該第一のパターン(1) 露光用の開口(1A
A) 周辺を前記第一の幅の範囲で除去して該開口(1AA)
を拡大することにより前記第一の位相シフタ(1B)を形成
する工程と、 該透明基板(11)の表面側全面にフォトレジスト膜(16)を
形成し、該フォトレジスト膜(16)を該透明基板(11)の裏
面側から第二のパターン(2) 露光用の開口(2AA) 領域の
みを選択的に露光した後、これを現像する工程と、 該遮光膜(12)の該第二のパターン(2) 露光用の開口(2A
A) 周辺を前記第二の幅の範囲で除去して該開口(2AA)
を拡大することにより前記第二の位相シフタ(2B)を形成
する工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23060193A JPH0784356A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23060193A JPH0784356A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784356A true JPH0784356A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16910306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23060193A Withdrawn JPH0784356A (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532382B1 (ko) * | 1998-05-26 | 2006-01-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 림형 위상 반전 마스크 및그 제조방법 |
| JP2006189749A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Hynix Semiconductor Inc | 多重透過位相マスクおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23060193A patent/JPH0784356A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100532382B1 (ko) * | 1998-05-26 | 2006-01-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 림형 위상 반전 마스크 및그 제조방법 |
| JP2006189749A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Hynix Semiconductor Inc | 多重透過位相マスクおよびその製造方法 |
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