JPH0778817A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0778817A JPH0778817A JP22152693A JP22152693A JPH0778817A JP H0778817 A JPH0778817 A JP H0778817A JP 22152693 A JP22152693 A JP 22152693A JP 22152693 A JP22152693 A JP 22152693A JP H0778817 A JPH0778817 A JP H0778817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- insulating
- conductive
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線構造及びその形成方法に関し、配線
のコンタクト不良及び段切れを防止し、ＬＳＩ等の信頼
性を向上することを目的とする。 【構成】 突出した複数の導電膜パターン2A、2Bを有す
る基体１上に、該基体１の表面及び該導電膜パターン2
A、2Bの表面を該表面に沿って覆う第１の絶縁膜３と、
該導電膜パターン2A、2B間の凹部4A、4B、4Cを該導電膜
パターン2A、2B上の該第１の絶縁膜３の表面が露出する
ように平坦に埋める該第１の絶縁膜３と異質な第２の絶
縁膜５と、該第１の絶縁膜３と該第２の絶縁膜５上を一
括して覆う該第１の絶縁膜３と異質な第３の絶縁膜６を
有し、該導電膜パターン2A、2Bの上部に、該第３の絶縁
膜６と該第１の絶縁膜３を貫通し、該第３の絶縁膜６の
開口９縁部が該第１の絶縁膜３の開口10縁部より後退し
たコンタクトホール7A、7Bが設けられていることを特徴
とする半導体装置、及びその製造方法。
のコンタクト不良及び段切れを防止し、ＬＳＩ等の信頼
性を向上することを目的とする。 【構成】 突出した複数の導電膜パターン2A、2Bを有す
る基体１上に、該基体１の表面及び該導電膜パターン2
A、2Bの表面を該表面に沿って覆う第１の絶縁膜３と、
該導電膜パターン2A、2B間の凹部4A、4B、4Cを該導電膜
パターン2A、2B上の該第１の絶縁膜３の表面が露出する
ように平坦に埋める該第１の絶縁膜３と異質な第２の絶
縁膜５と、該第１の絶縁膜３と該第２の絶縁膜５上を一
括して覆う該第１の絶縁膜３と異質な第３の絶縁膜６を
有し、該導電膜パターン2A、2Bの上部に、該第３の絶縁
膜６と該第１の絶縁膜３を貫通し、該第３の絶縁膜６の
開口９縁部が該第１の絶縁膜３の開口10縁部より後退し
たコンタクトホール7A、7Bが設けられていることを特徴
とする半導体装置、及びその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法、特に、薄膜金属配線のカバレッジ性を向上させる
多層配線構造及びその形成方法に関する。
方法、特に、薄膜金属配線のカバレッジ性を向上させる
多層配線構造及びその形成方法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩにおいては、高集積化に伴う
金属配線の微細化によって、層間絶縁膜の段差部やコン
タクトホール段差部でのカバレッジ性が低下し、それに
よって生ずる金属配線の段切れや抵抗増大により当該Ｌ
ＳＩの信頼性が著しく損なわれるという問題が生じてお
り、改善が望まれている。
金属配線の微細化によって、層間絶縁膜の段差部やコン
タクトホール段差部でのカバレッジ性が低下し、それに
よって生ずる金属配線の段切れや抵抗増大により当該Ｌ
ＳＩの信頼性が著しく損なわれるという問題が生じてお
り、改善が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】ＬＳＩ等に用いられる多層配線構造にお
いては、配線品質を維持して半導体装置の信頼性を確保
するために、上層配線の下地となる層間絶縁膜の表面を
平坦化する工程を含んだ形成方法が用いられる。
いては、配線品質を維持して半導体装置の信頼性を確保
するために、上層配線の下地となる層間絶縁膜の表面を
平坦化する工程を含んだ形成方法が用いられる。
【０００４】その際、従来は、以下に図５の工程断面図
を参照して述べるような方法が主として用いられてい
た。 図５(a) 参照 即ち、先ず、種々の幅を有する突出した複数の下層金属
配線（厚さ 7000 Å〜１μｍ程度）52A 、52B 、52C 、
52D 、52E 等が種々の間隔で配設された基体（表面が絶
縁膜からなる）51上に、この基体51上を基体51の表面及
び上記下層金属配線の表面に沿って覆う厚さ5000Å程度
の例えば燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）からなる第１の絶縁膜
53を、ＣＶＤ手段により形成する。
を参照して述べるような方法が主として用いられてい
た。 図５(a) 参照 即ち、先ず、種々の幅を有する突出した複数の下層金属
配線（厚さ 7000 Å〜１μｍ程度）52A 、52B 、52C 、
52D 、52E 等が種々の間隔で配設された基体（表面が絶
縁膜からなる）51上に、この基体51上を基体51の表面及
び上記下層金属配線の表面に沿って覆う厚さ5000Å程度
の例えば燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）からなる第１の絶縁膜
53を、ＣＶＤ手段により形成する。
【０００５】図５(b) 参照 次いで、上記基体上に、前記下層金属配線間に形成され
た凹部54A 、54B 、54C 、54D 等を十分に埋める厚さの
スピンオングラス（ＳＯＧ）膜55を、スピンコート法を
用いて形成する。
た凹部54A 、54B 、54C 、54D 等を十分に埋める厚さの
スピンオングラス（ＳＯＧ）膜55を、スピンコート法を
用いて形成する。
【０００６】図５(c) 参照 次いで、ＳＯＧのエッチングが可能なエッチングガス
（例えば CF4＋CHF3）を用いた異方性ドライエッチング
手段により、総ての下層金属配線52A 、52B 、52C 、52
D 、52E 等上のＳＯＧ膜55が完全に除去されるまでエッ
チバックを行い、前記凹部54A 、54B 、54C 、54D 等内
にＳＯＧ膜55を埋込んだ状態で残し、表面を平坦化す
る。
（例えば CF4＋CHF3）を用いた異方性ドライエッチング
手段により、総ての下層金属配線52A 、52B 、52C 、52
D 、52E 等上のＳＯＧ膜55が完全に除去されるまでエッ
チバックを行い、前記凹部54A 、54B 、54C 、54D 等内
にＳＯＧ膜55を埋込んだ状態で残し、表面を平坦化す
る。
【０００７】図５(d) 参照 次いで、ＣＶＤ法により、例えばＰＳＧからなる厚さ50
00Å程度の第３の絶縁膜56を形成し、次いで下層配線52
A 、52B 、52C 、52D 、52E 等上の層間絶縁膜即ち第３
の絶縁膜56と第１の絶縁膜53を貫通するコンタクトホー
ル57A 、57B 、57C 、57D 、57E 等を、通常のフォトリ
ソグラフィ手段を用いて形成する。
00Å程度の第３の絶縁膜56を形成し、次いで下層配線52
A 、52B 、52C 、52D 、52E 等上の層間絶縁膜即ち第３
の絶縁膜56と第１の絶縁膜53を貫通するコンタクトホー
ル57A 、57B 、57C 、57D 、57E 等を、通常のフォトリ
ソグラフィ手段を用いて形成する。
【０００８】図５(e) 参照 次いで、通常通りスパッタ法を用い上記基体上に、例え
ばアルミニウム（Ａｌ）合金等からなる厚さ7000Å〜１
μｍ程度の配線用金属膜を形成し、次いで該金属膜を通
常のフォトリソグラフィ手段を用いてパターニングし、
前記第３の絶縁膜56上に、例えば、コンタクトホール57
A 、57B 、57C 、57D 、57E 等を介して下層金属配線52
A 、52B 、52C 、52D 、52E 等を並列に接続する上層金
属配線58を形成する。
ばアルミニウム（Ａｌ）合金等からなる厚さ7000Å〜１
μｍ程度の配線用金属膜を形成し、次いで該金属膜を通
常のフォトリソグラフィ手段を用いてパターニングし、
前記第３の絶縁膜56上に、例えば、コンタクトホール57
A 、57B 、57C 、57D 、57E 等を介して下層金属配線52
A 、52B 、52C 、52D 、52E 等を並列に接続する上層金
属配線58を形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記のような従
来の方法では、図５(b) に示すように、スピンコートさ
れたＳＯＧ膜55の膜厚が、下層金属配線が52A 、52B 、
52C 等のように狭い間隔で密に配設される部分の上部領
域A1や、幅の広い配線52E の上部領域A3では厚く形成さ
れるが、金属配線52D のように他の配線から離れて形成
される下層配線の上部領域A2では薄く形成される傾向が
ある。
来の方法では、図５(b) に示すように、スピンコートさ
れたＳＯＧ膜55の膜厚が、下層金属配線が52A 、52B 、
52C 等のように狭い間隔で密に配設される部分の上部領
域A1や、幅の広い配線52E の上部領域A3では厚く形成さ
れるが、金属配線52D のように他の配線から離れて形成
される下層配線の上部領域A2では薄く形成される傾向が
ある。
【００１０】また、上記従来の方法では埋込み用の絶縁
膜にＳＯＧを使用しているために、ＳＯＧ膜55下部の第
１の絶縁膜（ＰＳＧ）53がＳＯＧと同じエッチャントで
エッチングされる。
膜にＳＯＧを使用しているために、ＳＯＧ膜55下部の第
１の絶縁膜（ＰＳＧ）53がＳＯＧと同じエッチャントで
エッチングされる。
【００１１】そのために、従来の方法では、ＳＯＧ膜55
のエッチバックに際して、前記ＳＯＧ膜55が薄く形成さ
れる領域A2では、下部の第１の絶縁膜（ＰＳＧ膜）53ま
でエッチングされてその部分例えば離れて配設される下
層金属配線52D 上の第１の絶縁膜53の膜厚は部分的に薄
く形成される。
のエッチバックに際して、前記ＳＯＧ膜55が薄く形成さ
れる領域A2では、下部の第１の絶縁膜（ＰＳＧ膜）53ま
でエッチングされてその部分例えば離れて配設される下
層金属配線52D 上の第１の絶縁膜53の膜厚は部分的に薄
く形成される。
【００１２】そこで、上記従来の方法では、下層金属配
線面にエッチングダメージを与えないように、上記エッ
チバックにおいて下層金属配線上に必ず第１の絶縁膜を
残そうとする場合、前記のように第１の絶縁膜53の厚さ
は5000Å程度に厚く形成しなければならず、従って、図
５(d) に示すように、第１の絶縁膜53が形成時の厚さの
儘で残る例えば下層金属配線52A 、52B 、52C 、52E 等
の上部では、第１の絶縁膜53とその上に形成される第３
の絶縁膜56とで構成される層間絶縁膜の厚さが必要以上
に厚くなり、そこに形成されるコンタクトホール52A 、
52B 、52C 、52E 等の側壁の段差が大きくなる。そのた
めに、これらコンタクトホール上に延在する上層金属配
線58のこれらコンタクトホール部におけるカバレッジ性
は、図５(e) 中にC1、C2、C3、C4等で矢視するように非
常に悪くなり、該上層金属配線58に配線抵抗の増大や段
切れによる断線を生じ、ＬＳＩの信頼性が低下するとい
う問題が生じていた。（なお、第１の絶縁膜53が薄くな
る下層金属配線52D 上のコンタクトホール57D における
カバレッジ性はＢで矢視するように良好になる。）また
別に、図示しないが、第１の絶縁膜に窒化シリコン(Si3
N4) 膜を用い、第２の絶縁膜にポリイミドを用い、第３
の絶縁膜を用いない方法も試みられているが、この方法
では、上層の金属配線を形成する際に、ポリイミドから
の脱ガスによってコンタクトホール内に表出する下層配
線面にポリイミドの再付着が起こり、コンタクト不良が
発生するという問題があった。
線面にエッチングダメージを与えないように、上記エッ
チバックにおいて下層金属配線上に必ず第１の絶縁膜を
残そうとする場合、前記のように第１の絶縁膜53の厚さ
は5000Å程度に厚く形成しなければならず、従って、図
５(d) に示すように、第１の絶縁膜53が形成時の厚さの
儘で残る例えば下層金属配線52A 、52B 、52C 、52E 等
の上部では、第１の絶縁膜53とその上に形成される第３
の絶縁膜56とで構成される層間絶縁膜の厚さが必要以上
に厚くなり、そこに形成されるコンタクトホール52A 、
52B 、52C 、52E 等の側壁の段差が大きくなる。そのた
めに、これらコンタクトホール上に延在する上層金属配
線58のこれらコンタクトホール部におけるカバレッジ性
は、図５(e) 中にC1、C2、C3、C4等で矢視するように非
常に悪くなり、該上層金属配線58に配線抵抗の増大や段
切れによる断線を生じ、ＬＳＩの信頼性が低下するとい
う問題が生じていた。（なお、第１の絶縁膜53が薄くな
る下層金属配線52D 上のコンタクトホール57D における
カバレッジ性はＢで矢視するように良好になる。）また
別に、図示しないが、第１の絶縁膜に窒化シリコン(Si3
N4) 膜を用い、第２の絶縁膜にポリイミドを用い、第３
の絶縁膜を用いない方法も試みられているが、この方法
では、上層の金属配線を形成する際に、ポリイミドから
の脱ガスによってコンタクトホール内に表出する下層配
線面にポリイミドの再付着が起こり、コンタクト不良が
発生するという問題があった。
【００１３】そこで本発明は、コンタクトホールの側壁
段差のばらつきをなくし適性段差を維持して配線金属の
カバレッジ性を向上することによって、上層の金属配線
の抵抗の増大や段切れを防止し、更にコンタクトホール
内への異物の再付着による配線コンタクト不良の発生を
も防止する多層配線構造の半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
段差のばらつきをなくし適性段差を維持して配線金属の
カバレッジ性を向上することによって、上層の金属配線
の抵抗の増大や段切れを防止し、更にコンタクトホール
内への異物の再付着による配線コンタクト不良の発生を
も防止する多層配線構造の半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、突出
した複数の導電膜パターンを有する基体上に、該基体の
表面及び該導電膜パターンの表面を該表面に沿って覆う
第１の絶縁膜（望ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜、燐珪酸ガラス膜の何れかからなる）と、該導電
膜パターン間の凹部を該導電膜パターン上の該第１の絶
縁膜の表面が露出するように平坦に埋める該第１の絶縁
膜と異質な第２の絶縁膜（望ましくは、ポリイミドから
なる）と、該第１の絶縁膜と該第２の絶縁膜上を一括し
て覆う該第１の絶縁膜と異質な第３の絶縁膜（望ましく
は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐珪酸ガラス膜
の中の前記第１の絶縁膜と異質なもの、若しくはポリイ
ミドの何れかからなる）とを有し、該導電膜パターンの
上部に、該第３の絶縁膜と該第１の絶縁膜を貫通し、該
第３の絶縁膜の開口縁部が該第１の絶縁膜の開口縁部よ
り後退したコンタクトホールが設けられている本発明に
よる半導体装置、若しくは、突出した複数の導電膜パタ
ーンを有する基体上に、該基体上を該基体の表出面及び
該導電膜パターンの表面に沿って覆う第１の絶縁膜（望
ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐珪酸ガ
ラス膜の何れか）を形成する工程と、該第１の絶縁膜に
覆われた基体上に、該第１の絶縁膜とエッチングの選択
性を有する第２の絶縁膜（望ましくは、非シリコン含有
系ポリイミド膜）を表面がほぼ平坦化される厚さに形成
する工程と、該第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜よりも
該第２の絶縁膜に対して優勢なエッチング手段を用い、
該導電膜パターン上の該第１の絶縁膜が表出するまでエ
ッチバックすることにより、該導電膜パターン間の凹部
を該第２の絶縁膜で平坦に埋める工程と、該凹部に埋め
込まれた第２の絶縁膜上、及び該導電膜パターン上の第
１の絶縁膜の表出面上を一括して覆うように第３の絶縁
膜（望ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐
珪酸ガラス膜、ポリイミド膜の何れか）を形成する工程
と、該導電膜パターン上に、該第３の絶縁膜と該第１の
絶縁膜を貫通して該導電膜パターンを表出するコンタク
トホールを、望ましくは前記第１の絶縁膜と第３の絶縁
膜にエッチングの選択性を有するものを用い、前記コン
タクトホールにおける該第３の絶縁膜の開口端部を該第
１の絶縁膜の開口端部より後退させる選択エッチング工
程を含んで形成する工程、とを有する本発明による半導
体装置の製造方法、若しくは、上記方法において、前記
第２の絶縁膜に、感光性ポリイミド膜を用い、前記第２
の絶縁膜のエッチバックの工程が、該感光性ポリイミド
膜に前記導電膜パターン上の前記第１の絶縁膜の表面に
達する露光を行った後に該感光性ポリイミド膜の該露光
領域を現像除去する工程よりなる本発明による半導体装
置の製造方法によって達成される。
した複数の導電膜パターンを有する基体上に、該基体の
表面及び該導電膜パターンの表面を該表面に沿って覆う
第１の絶縁膜（望ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜、燐珪酸ガラス膜の何れかからなる）と、該導電
膜パターン間の凹部を該導電膜パターン上の該第１の絶
縁膜の表面が露出するように平坦に埋める該第１の絶縁
膜と異質な第２の絶縁膜（望ましくは、ポリイミドから
なる）と、該第１の絶縁膜と該第２の絶縁膜上を一括し
て覆う該第１の絶縁膜と異質な第３の絶縁膜（望ましく
は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐珪酸ガラス膜
の中の前記第１の絶縁膜と異質なもの、若しくはポリイ
ミドの何れかからなる）とを有し、該導電膜パターンの
上部に、該第３の絶縁膜と該第１の絶縁膜を貫通し、該
第３の絶縁膜の開口縁部が該第１の絶縁膜の開口縁部よ
り後退したコンタクトホールが設けられている本発明に
よる半導体装置、若しくは、突出した複数の導電膜パタ
ーンを有する基体上に、該基体上を該基体の表出面及び
該導電膜パターンの表面に沿って覆う第１の絶縁膜（望
ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐珪酸ガ
ラス膜の何れか）を形成する工程と、該第１の絶縁膜に
覆われた基体上に、該第１の絶縁膜とエッチングの選択
性を有する第２の絶縁膜（望ましくは、非シリコン含有
系ポリイミド膜）を表面がほぼ平坦化される厚さに形成
する工程と、該第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜よりも
該第２の絶縁膜に対して優勢なエッチング手段を用い、
該導電膜パターン上の該第１の絶縁膜が表出するまでエ
ッチバックすることにより、該導電膜パターン間の凹部
を該第２の絶縁膜で平坦に埋める工程と、該凹部に埋め
込まれた第２の絶縁膜上、及び該導電膜パターン上の第
１の絶縁膜の表出面上を一括して覆うように第３の絶縁
膜（望ましくは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐
珪酸ガラス膜、ポリイミド膜の何れか）を形成する工程
と、該導電膜パターン上に、該第３の絶縁膜と該第１の
絶縁膜を貫通して該導電膜パターンを表出するコンタク
トホールを、望ましくは前記第１の絶縁膜と第３の絶縁
膜にエッチングの選択性を有するものを用い、前記コン
タクトホールにおける該第３の絶縁膜の開口端部を該第
１の絶縁膜の開口端部より後退させる選択エッチング工
程を含んで形成する工程、とを有する本発明による半導
体装置の製造方法、若しくは、上記方法において、前記
第２の絶縁膜に、感光性ポリイミド膜を用い、前記第２
の絶縁膜のエッチバックの工程が、該感光性ポリイミド
膜に前記導電膜パターン上の前記第１の絶縁膜の表面に
達する露光を行った後に該感光性ポリイミド膜の該露光
領域を現像除去する工程よりなる本発明による半導体装
置の製造方法によって達成される。
【００１５】
【作用】図１は本発明の原理説明用の模式断面図で、図
中の、１は基体で、表面が図示しない絶縁膜で覆われて
いる。2A、2Bは導電膜パターンで、基体上に突出して配
設されたアルミニウム合金配線等からなる。３は第１の
絶縁膜で、例えば窒化シリコン（Si3N4 ）からなる。4
A、4B、4Cは凹部で導電性パターン間に形成される。５
は第２の絶縁膜で、第１の絶縁膜とエッチングの選択性
を有する例えば非シリコン（Ｓｉ）含有系ポリイミドか
らからなる。６は第３の絶縁膜で、例えば第１の絶縁膜
とエッチングの選択性を有する酸化シリコン（SiO2）か
らなる。7A、7Bはコンタクトホールである。また、８は
上層金属配線でアルミニウム合金等からなる。
中の、１は基体で、表面が図示しない絶縁膜で覆われて
いる。2A、2Bは導電膜パターンで、基体上に突出して配
設されたアルミニウム合金配線等からなる。３は第１の
絶縁膜で、例えば窒化シリコン（Si3N4 ）からなる。4
A、4B、4Cは凹部で導電性パターン間に形成される。５
は第２の絶縁膜で、第１の絶縁膜とエッチングの選択性
を有する例えば非シリコン（Ｓｉ）含有系ポリイミドか
らからなる。６は第３の絶縁膜で、例えば第１の絶縁膜
とエッチングの選択性を有する酸化シリコン（SiO2）か
らなる。7A、7Bはコンタクトホールである。また、８は
上層金属配線でアルミニウム合金等からなる。
【００１６】本発明においては、導電膜パターン2A、2
B、その他、等の表面をその表面に沿って覆う第１の絶
縁膜３と、導電膜パターン2A、2B、その他、の間の凹部
4A、4B、4C等にエッチバック手段を用いて埋め込まれる
上記第２の絶縁膜５との間にエッチングの選択性を持た
せ、前記導電膜パターン2A、2B、その他、が完全に埋没
するように塗布形成された第２の絶縁膜５を、第２の絶
縁膜５が優先的にエッチングされるエッチャントを用い
て、前記導電膜パターン2A、2B、その他、等上の第１の
絶縁膜３が表出するまでエッチバックを行うことによっ
て、前記凹部4A、4B、4C、等に第２の絶縁膜５が埋め込
まれる。上記のように第１の絶縁膜３と第２の絶縁膜５
との間にエッチングの選択性を持たせたことにより、導
電膜パターン2A、2B、その他、等上に塗布形成されてい
る第２の絶縁膜５の厚さが場所によって異なった場合で
も、上記エッチバック完了の時点で、総ての導電膜パタ
ーン2A、2B、その他、等上に表出する第１の絶縁膜３
は、殆どエッチングされることがなく、成膜時の均一な
所定厚さをほぼその儘維持して残留する。
B、その他、等の表面をその表面に沿って覆う第１の絶
縁膜３と、導電膜パターン2A、2B、その他、の間の凹部
4A、4B、4C等にエッチバック手段を用いて埋め込まれる
上記第２の絶縁膜５との間にエッチングの選択性を持た
せ、前記導電膜パターン2A、2B、その他、が完全に埋没
するように塗布形成された第２の絶縁膜５を、第２の絶
縁膜５が優先的にエッチングされるエッチャントを用い
て、前記導電膜パターン2A、2B、その他、等上の第１の
絶縁膜３が表出するまでエッチバックを行うことによっ
て、前記凹部4A、4B、4C、等に第２の絶縁膜５が埋め込
まれる。上記のように第１の絶縁膜３と第２の絶縁膜５
との間にエッチングの選択性を持たせたことにより、導
電膜パターン2A、2B、その他、等上に塗布形成されてい
る第２の絶縁膜５の厚さが場所によって異なった場合で
も、上記エッチバック完了の時点で、総ての導電膜パタ
ーン2A、2B、その他、等上に表出する第１の絶縁膜３
は、殆どエッチングされることがなく、成膜時の均一な
所定厚さをほぼその儘維持して残留する。
【００１７】そのために、本発明においては、導電膜パ
ターン2A、2B、その他、等のエッチングダメージ防止の
ために第１の絶縁膜３を特に厚く形成する必要はなく、
その厚さは1000〜2000Å程度でよい。
ターン2A、2B、その他、等のエッチングダメージ防止の
ために第１の絶縁膜３を特に厚く形成する必要はなく、
その厚さは1000〜2000Å程度でよい。
【００１８】また、本発明においては、第２の絶縁膜５
のエッチバックが、前記のように総ての導電膜パターン
2A、2B、その他、等上の第１の絶縁膜３が表出するまで
なされ、その部分の第１の絶縁膜３上に第２の絶縁膜５
が存在しない状態でこの第１の絶縁膜３上に所要の絶縁
性を確保するための層間絶縁膜の残部である一定の厚さ
の第３の絶縁膜６が直に積層される。
のエッチバックが、前記のように総ての導電膜パターン
2A、2B、その他、等上の第１の絶縁膜３が表出するまで
なされ、その部分の第１の絶縁膜３上に第２の絶縁膜５
が存在しない状態でこの第１の絶縁膜３上に所要の絶縁
性を確保するための層間絶縁膜の残部である一定の厚さ
の第３の絶縁膜６が直に積層される。
【００１９】従って、本発明においては、前記第１の絶
縁膜３を薄く形成することが可能な分だけ層間絶縁膜
（第１の絶縁膜３＋第３の絶縁膜６）の厚さが薄くな
り、この層間絶縁膜に形成するコンタクトホール7A、7
B、等の段差も軽減されるので、これらコンタクトホー
ルの段差部における上層金属配線８のカバレッジ性は向
上し、段切れ等の障害が防止される。
縁膜３を薄く形成することが可能な分だけ層間絶縁膜
（第１の絶縁膜３＋第３の絶縁膜６）の厚さが薄くな
り、この層間絶縁膜に形成するコンタクトホール7A、7
B、等の段差も軽減されるので、これらコンタクトホー
ルの段差部における上層金属配線８のカバレッジ性は向
上し、段切れ等の障害が防止される。
【００２０】また、本発明においては、上記のように、
コンタクトホール7A、7B等の形成される導電膜パターン
2A、2B等上の層間絶縁膜は第１の絶縁膜３と第３の絶縁
膜６のみで構成され、ポリイミド等の有機絶縁膜が用い
られる第２の絶縁膜５は含まれない。従って、コンタク
トホール7A、7B等の形成に際して、有機質の汚染物質が
導電膜パターン2A、2B等上に再付着することがなく、上
層金属配線８とのコンタクト不良の発生は防止される。
コンタクトホール7A、7B等の形成される導電膜パターン
2A、2B等上の層間絶縁膜は第１の絶縁膜３と第３の絶縁
膜６のみで構成され、ポリイミド等の有機絶縁膜が用い
られる第２の絶縁膜５は含まれない。従って、コンタク
トホール7A、7B等の形成に際して、有機質の汚染物質が
導電膜パターン2A、2B等上に再付着することがなく、上
層金属配線８とのコンタクト不良の発生は防止される。
【００２１】また、本発明において望ましくは、第３の
絶縁膜６に、第１の絶縁膜３に対してエッチングの選択
性を有する材料を用いる（第１の絶縁膜３にSi3N4 膜を
用い第３の絶縁膜にSiO2膜を用いる等）。そして、マス
クの窓を介し、異方性エッチング手段により、第３の絶
縁膜６と第１の絶縁膜３を貫通するほぼ垂直な第１の開
口９を形成し、第３の絶縁膜６を優先的にエッチングす
る等方性エッチング手段により第３の絶縁膜６に、横方
向に拡がるテーパ状の第２の開口10を形成することによ
り、第３の絶縁膜６の開口10の縁部が第１の絶縁膜３の
開口９の縁部より後退したコンタクトホール7A、7B等を
形成し、コンタクトホール段差部における上層配線８の
カバレッジ性を一層向上させる。
絶縁膜６に、第１の絶縁膜３に対してエッチングの選択
性を有する材料を用いる（第１の絶縁膜３にSi3N4 膜を
用い第３の絶縁膜にSiO2膜を用いる等）。そして、マス
クの窓を介し、異方性エッチング手段により、第３の絶
縁膜６と第１の絶縁膜３を貫通するほぼ垂直な第１の開
口９を形成し、第３の絶縁膜６を優先的にエッチングす
る等方性エッチング手段により第３の絶縁膜６に、横方
向に拡がるテーパ状の第２の開口10を形成することによ
り、第３の絶縁膜６の開口10の縁部が第１の絶縁膜３の
開口９の縁部より後退したコンタクトホール7A、7B等を
形成し、コンタクトホール段差部における上層配線８の
カバレッジ性を一層向上させる。
【００２２】以上により、上層配線の品質は向上し、Ｌ
ＳＩ等の信頼性向上が図れる。
ＳＩ等の信頼性向上が図れる。
【００２３】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図２は本発明の方法の一実施例の工程断面図
（その１）、図３は本発明の方法の一実施例の工程断面
図（その２）、図４は本発明の方法の他の実施例の工程
断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符合で示
す。
明する。図２は本発明の方法の一実施例の工程断面図
（その１）、図３は本発明の方法の一実施例の工程断面
図（その２）、図４は本発明の方法の他の実施例の工程
断面図である。全図を通じ同一対象物は同一符合で示
す。
【００２４】本発明に係る半導体装置は、例えば、以下
に説明する製造方法により形成される。 図２(a) 参照 即ち、表面が絶縁膜（図示せず）により覆われ、該表面
上に、例えば7000Å〜１μｍ程度の厚さを有し、配設間
隔或いは幅の異なる導電膜パターン即ち下層アルミニウ
ム（Ａｌ）配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等が形成
された半導体基板等の基体11上に、通常のＣＶＤ法を用
い、第１の絶縁膜として例えば厚さ2000Å程度のSi3N4
膜３を形成し、次いで、上記基体上に、平坦化用の第２
の絶縁膜として、例えば厚さ１〜1.5 μｍ程度の非Ｓｉ
含有系のポリイミド膜15をスピンコートする。ここで、
ポリイミドに非Ｓｉ含有系のポリイミドを用いるのは、
後の工程で、下層のＳｉ系絶縁膜例えばSi3N4 膜上のポ
リイミドを酸素プラズマを用いて、下層にダメージを与
えず完全に除去し得るようにするためである。
に説明する製造方法により形成される。 図２(a) 参照 即ち、表面が絶縁膜（図示せず）により覆われ、該表面
上に、例えば7000Å〜１μｍ程度の厚さを有し、配設間
隔或いは幅の異なる導電膜パターン即ち下層アルミニウ
ム（Ａｌ）配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等が形成
された半導体基板等の基体11上に、通常のＣＶＤ法を用
い、第１の絶縁膜として例えば厚さ2000Å程度のSi3N4
膜３を形成し、次いで、上記基体上に、平坦化用の第２
の絶縁膜として、例えば厚さ１〜1.5 μｍ程度の非Ｓｉ
含有系のポリイミド膜15をスピンコートする。ここで、
ポリイミドに非Ｓｉ含有系のポリイミドを用いるのは、
後の工程で、下層のＳｉ系絶縁膜例えばSi3N4 膜上のポ
リイミドを酸素プラズマを用いて、下層にダメージを与
えず完全に除去し得るようにするためである。
【００２５】図２(b) 参照 次いで、ポリイミドに対し優勢な例えば酸素（Ｏ2)プラ
ズマによるドライエッチング手段を用い、上記ポリイミ
ド膜15を、総ての下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D
、12E 等上の前記Si3N4 膜３が表出し、且つそれらの
表面のポリイミド膜15が完全に除去されるまでエッチバ
ックし、上記配線間の凹部14A 、14B 、14C 、14D 等
に、それらの凹部を平坦に埋めるポリイミド膜15を残留
せしめる。このエッチバックにおいて、Si3N4 膜３は高
いエッチング耐性を有し、殆どエッチングされることは
なく、従って初期の厚さがその儘維持される。
ズマによるドライエッチング手段を用い、上記ポリイミ
ド膜15を、総ての下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D
、12E 等上の前記Si3N4 膜３が表出し、且つそれらの
表面のポリイミド膜15が完全に除去されるまでエッチバ
ックし、上記配線間の凹部14A 、14B 、14C 、14D 等
に、それらの凹部を平坦に埋めるポリイミド膜15を残留
せしめる。このエッチバックにおいて、Si3N4 膜３は高
いエッチング耐性を有し、殆どエッチングされることは
なく、従って初期の厚さがその儘維持される。
【００２６】図２(c) 参照 次いで、ＣＶＤ法を用い上記基体上に、第１の絶縁膜の
前記Si3N4 膜13に対してエッチングの選択性を有する第
３の絶縁膜例えば厚さ5000Å程度のＰＳＧ膜16を形成す
る。なおここで、下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D
、12E 等上の層間絶縁膜は、第１の絶縁膜の前記Si3N
4 膜13と第３の絶縁膜の前記ＰＳＧ膜16のみにより構成
されるので、その部分の厚さは、従来より第１の絶縁膜
を薄く形成した分だけ薄く形成され、且つ下層Ａｌ配線
の幅や配設ピッチに関係なく各下層Ａｌ配線上が均一な
厚さに形成される。
前記Si3N4 膜13に対してエッチングの選択性を有する第
３の絶縁膜例えば厚さ5000Å程度のＰＳＧ膜16を形成す
る。なおここで、下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D
、12E 等上の層間絶縁膜は、第１の絶縁膜の前記Si3N
4 膜13と第３の絶縁膜の前記ＰＳＧ膜16のみにより構成
されるので、その部分の厚さは、従来より第１の絶縁膜
を薄く形成した分だけ薄く形成され、且つ下層Ａｌ配線
の幅や配設ピッチに関係なく各下層Ａｌ配線上が均一な
厚さに形成される。
【００２７】図２(d) 参照 次いで、上記基体上にコンタクトホールエッチング用の
開孔21A 、21B 、21C、21D 、21E 等を有するレジスト
マスク22を形成した後、先ず、例えばCF4 等の弗素系の
ガスを主成分とし、ＰＳＧに対して優勢なエッチングガ
スを用いた等方性のドライエッチング手段により上記エ
ッチング用の開孔21A 、21B 、21C 、21D 、21E 等を介
してＰＳＧ膜16を選択的にエッチングし、該ＰＳＧ膜16
に該ＰＳＧ膜16を貫通し、開口縁部がレジストマスク22
のエッチング用開孔21A 、21B 、21C 、21D 、21E 等の
縁部から後退して側壁がテーパ状を有する第１の開口19
A、19B 、19C 、19D 、19E 等を形成する。
開孔21A 、21B 、21C、21D 、21E 等を有するレジスト
マスク22を形成した後、先ず、例えばCF4 等の弗素系の
ガスを主成分とし、ＰＳＧに対して優勢なエッチングガ
スを用いた等方性のドライエッチング手段により上記エ
ッチング用の開孔21A 、21B 、21C 、21D 、21E 等を介
してＰＳＧ膜16を選択的にエッチングし、該ＰＳＧ膜16
に該ＰＳＧ膜16を貫通し、開口縁部がレジストマスク22
のエッチング用開孔21A 、21B 、21C 、21D 、21E 等の
縁部から後退して側壁がテーパ状を有する第１の開口19
A、19B 、19C 、19D 、19E 等を形成する。
【００２８】図２(e) 参照 次いで、上記レジストマスク22をその儘用い、例えばCF
4 ガスによる異方性ドライエッチング手段（例えばリア
クティブイオンエッチング法による）により、前記第１
の開口19A 、19B 、19C 、19D 、19E 等の底部に表出す
るSi3N4 膜13に、レジストマスクのエッチング用開孔21
A 、21B 、21C 、21D 、21E 等に整合するほぼ垂直な側
壁を有する第２の開口20A 、20B 、20C 、20D 、20E 等
を形成する。
4 ガスによる異方性ドライエッチング手段（例えばリア
クティブイオンエッチング法による）により、前記第１
の開口19A 、19B 、19C 、19D 、19E 等の底部に表出す
るSi3N4 膜13に、レジストマスクのエッチング用開孔21
A 、21B 、21C 、21D 、21E 等に整合するほぼ垂直な側
壁を有する第２の開口20A 、20B 、20C 、20D 、20E 等
を形成する。
【００２９】図２(f) 参照 次いで、前記レジストマスク22を除去することにより、
下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等を有する
基体上に、前記第１の開口19A 、19B 、19C 、19D 、19
E 等及び第２の開口20A 、20B 、20C 、20D 、20E 等か
らなってテーパ状側壁を有し、下層Ａｌ配線12A 、12B
、12C 、12D 、12E 等をそれぞれ表出するコンタクト
ホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等を有する、層間
絶縁膜が形成される。なおこの層間絶縁膜は、第１、第
２、第３の絶縁膜13、15、16により構成されるが、前記
コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等が形
成される下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等
の上部には、ポリイミド等の有機材料を用いる第２の絶
縁膜15は存在せず、前記Si3N4 やＰＳＧ等の無機材料を
用いる第１の絶縁膜13と第３の絶縁膜15のみしか存在し
ないので、コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、
17E 等内に表出する下層配線面が有機物の付着により汚
染されることはない。
下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等を有する
基体上に、前記第１の開口19A 、19B 、19C 、19D 、19
E 等及び第２の開口20A 、20B 、20C 、20D 、20E 等か
らなってテーパ状側壁を有し、下層Ａｌ配線12A 、12B
、12C 、12D 、12E 等をそれぞれ表出するコンタクト
ホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等を有する、層間
絶縁膜が形成される。なおこの層間絶縁膜は、第１、第
２、第３の絶縁膜13、15、16により構成されるが、前記
コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等が形
成される下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等
の上部には、ポリイミド等の有機材料を用いる第２の絶
縁膜15は存在せず、前記Si3N4 やＰＳＧ等の無機材料を
用いる第１の絶縁膜13と第３の絶縁膜15のみしか存在し
ないので、コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、
17E 等内に表出する下層配線面が有機物の付着により汚
染されることはない。
【００３０】図３参照 次いで、通常通りスパッタ法等により上記基体上に、厚
さ１μｍ程度のＡｌ膜（Ａｌ合金を含む）を形成し、通
常のフォトリソグラフィ手段を用いてパターニングし、
例えば、前記コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D
、17E 等で下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E
等に接続する上層Ａｌ配線18を形成し、本発明に係る
多層Ａｌ配線構造が完成する。
さ１μｍ程度のＡｌ膜（Ａｌ合金を含む）を形成し、通
常のフォトリソグラフィ手段を用いてパターニングし、
例えば、前記コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D
、17E 等で下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E
等に接続する上層Ａｌ配線18を形成し、本発明に係る
多層Ａｌ配線構造が完成する。
【００３１】上記実施例に示すような本発明の方法によ
れば、下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の
上部の層間絶縁膜は、第１の絶縁膜を薄く形成できる分
だけ従来より薄くできるので、コンタクトホールの側壁
の段差は低減し、且つ望ましい本発明の一方法によれ
ば、コンタクトホールの側壁がテーパ状に形成されるの
で、コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等
上に形成される上層金属配線例えば上層Ａｌ配線18のこ
れらコンタクトホール上でのカバレッジ性は良好にな
り、上層金属配線の上記コンタクトホール部における段
切れや抵抗の増大は防止される。
れば、下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の
上部の層間絶縁膜は、第１の絶縁膜を薄く形成できる分
だけ従来より薄くできるので、コンタクトホールの側壁
の段差は低減し、且つ望ましい本発明の一方法によれ
ば、コンタクトホールの側壁がテーパ状に形成されるの
で、コンタクトホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等
上に形成される上層金属配線例えば上層Ａｌ配線18のこ
れらコンタクトホール上でのカバレッジ性は良好にな
り、上層金属配線の上記コンタクトホール部における段
切れや抵抗の増大は防止される。
【００３２】また、本発明に係る他の方法においては、
第２の絶縁膜に感光性ポリイミドを用い、第２の絶縁膜
のエッチバックの工程が、図４を参照して以下にのべる
ような方法に置き換えられる。
第２の絶縁膜に感光性ポリイミドを用い、第２の絶縁膜
のエッチバックの工程が、図４を参照して以下にのべる
ような方法に置き換えられる。
【００３３】図４(a) 参照 即ち、例えば、表面上に前記実施例同様の導電膜パター
ン即ち下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等が
形成された基体11上に、ＣＶＤ法で第１の絶縁膜として
厚さ2000Å程度のSi3N4 膜３を形成した後、この基体上
に、平坦化用の第２の絶縁膜として、例えば厚さ１〜1.
5 μｍ程度の感光性ポリイミド膜23をスピンコート法に
より形成し、次いでこの感光性ポリイミド膜23の全面
に、前記下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等
上のSi3N4 膜３に達する照射エネルギーで紫外線(UV)露
光を行う。23′は露光領域を示す。この際、上記配線12
A 、12B 、12C 、12D 、12E 等間の凹部14A 、14B 、14
C 、14D 内のポリイミド膜23は感光しない。
ン即ち下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等が
形成された基体11上に、ＣＶＤ法で第１の絶縁膜として
厚さ2000Å程度のSi3N4 膜３を形成した後、この基体上
に、平坦化用の第２の絶縁膜として、例えば厚さ１〜1.
5 μｍ程度の感光性ポリイミド膜23をスピンコート法に
より形成し、次いでこの感光性ポリイミド膜23の全面
に、前記下層Ａｌ配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等
上のSi3N4 膜３に達する照射エネルギーで紫外線(UV)露
光を行う。23′は露光領域を示す。この際、上記配線12
A 、12B 、12C 、12D 、12E 等間の凹部14A 、14B 、14
C 、14D 内のポリイミド膜23は感光しない。
【００３４】図４(b) 参照 次いで所定の現像液を用いて現像を行い、上記ポリイミ
ド膜23の感光領域23′を溶解除去し、上記配線12A 、12
B 、12C 、12D 、12E 等間の凹部14A 、14B 、14C 、14
D 内にそれらの凹部を平坦に埋めるポリイミド膜23を残
留形成させる。なお、この際、上記配線12A 、12B 、12
C 、12D 、12E 等上のSi3N4 膜３上にはポリイミド膜23
を残留させないようにする。次いで所定の熱処理により
このポリイミド膜23の固化を行う。そして以後、前記実
施例において図２(c) 〜(f) に説明した工程を経て、図
３に示したのと同様な多層配線構造が形成される。
ド膜23の感光領域23′を溶解除去し、上記配線12A 、12
B 、12C 、12D 、12E 等間の凹部14A 、14B 、14C 、14
D 内にそれらの凹部を平坦に埋めるポリイミド膜23を残
留形成させる。なお、この際、上記配線12A 、12B 、12
C 、12D 、12E 等上のSi3N4 膜３上にはポリイミド膜23
を残留させないようにする。次いで所定の熱処理により
このポリイミド膜23の固化を行う。そして以後、前記実
施例において図２(c) 〜(f) に説明した工程を経て、図
３に示したのと同様な多層配線構造が形成される。
【００３５】本発明に係る半導体装置の具備する多層配
線は、前記二つの実施例に示すような本発明に係る製造
方法で形成され、例えば図３に示すような構造を有す
る。そして、前述のように、層間絶縁膜の下層（Ａｌ）
配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の上部領域は、無
機質の第１の絶縁膜13と第３の絶縁膜16のみが積層され
た構造になり、平坦化用に塗布形成されるポリイミド膜
14等の有機系絶縁膜を含まないのが特徴である。そのた
めに、上記下層配線の上部に形成されるコンタクトホー
ル17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等内に表出する下層
（Ａｌ）配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の表面が
有機物質により汚染されることがなく、上層配線18との
間のコンタクト不良は防止される。
線は、前記二つの実施例に示すような本発明に係る製造
方法で形成され、例えば図３に示すような構造を有す
る。そして、前述のように、層間絶縁膜の下層（Ａｌ）
配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の上部領域は、無
機質の第１の絶縁膜13と第３の絶縁膜16のみが積層され
た構造になり、平坦化用に塗布形成されるポリイミド膜
14等の有機系絶縁膜を含まないのが特徴である。そのた
めに、上記下層配線の上部に形成されるコンタクトホー
ル17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等内に表出する下層
（Ａｌ）配線12A 、12B 、12C 、12D 、12E 等の表面が
有機物質により汚染されることがなく、上層配線18との
間のコンタクト不良は防止される。
【００３６】また、下層配線12A 、12B 、12C 、12D 、
12E 等の上部の層間絶縁膜が、上記のように第１の絶縁
膜13と第３の絶縁膜16のみから構成され、且つ第１の絶
縁膜13と第２の絶縁膜15の間にエッチングの選択性を持
たせることによって第１の絶縁膜13の厚さ自体も従来に
比べ大幅に縮小でき且つ均一化されるので、コンタクト
ホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等が従来に比べ浅
く、且つ均一な形状に形成でき、更には、第１の絶縁膜
13と第３の絶縁膜16とをエッチングの選択性を有する異
質なものに選定することによって、コンタクトホール17
A 、17B 、17C、17D 、17E 等の上部にテーパ状に拡が
った開口部19A 、19B 、19C 、19D 、19E 等を有してお
り、そのために、上記コンタクトホール部における上層
配線18の段切れや、抵抗増大は、従来に比べ大幅に減少
される。
12E 等の上部の層間絶縁膜が、上記のように第１の絶縁
膜13と第３の絶縁膜16のみから構成され、且つ第１の絶
縁膜13と第２の絶縁膜15の間にエッチングの選択性を持
たせることによって第１の絶縁膜13の厚さ自体も従来に
比べ大幅に縮小でき且つ均一化されるので、コンタクト
ホール17A 、17B 、17C 、17D 、17E 等が従来に比べ浅
く、且つ均一な形状に形成でき、更には、第１の絶縁膜
13と第３の絶縁膜16とをエッチングの選択性を有する異
質なものに選定することによって、コンタクトホール17
A 、17B 、17C、17D 、17E 等の上部にテーパ状に拡が
った開口部19A 、19B 、19C 、19D 、19E 等を有してお
り、そのために、上記コンタクトホール部における上層
配線18の段切れや、抵抗増大は、従来に比べ大幅に減少
される。
【００３７】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば、層
間絶縁膜の平坦化が図られる多層配線構造において、配
線層間のコンタクト不良や、上層配線の段切れ、抵抗の
増大等が防止される。従って本発明は、ＬＳＩ等の多層
化される半導体装置の信頼性向上に寄与するところが大
きい。
間絶縁膜の平坦化が図られる多層配線構造において、配
線層間のコンタクト不良や、上層配線の段切れ、抵抗の
増大等が防止される。従って本発明は、ＬＳＩ等の多層
化される半導体装置の信頼性向上に寄与するところが大
きい。
【図１】 本発明の原理説明用模式断面図
【図２】 本発明の方法の一実施例の工程断面図（その
１）
１）
【図３】 本発明の方法の一実施例の工程断面図（その
２）
２）
【図４】 本発明の方法の他の実施例の工程断面図
【図５】 従来の方法の工程断面図
１ 基体 2A、2B 導電膜パターン ３ 第１の絶縁膜 4A、4B、4C 凹部 ５ 第２の絶縁膜 ６ 第３の絶縁膜 7A、7B コンタクトホール ８ 上層金属配線 ９ 第１の絶縁膜の開口 10 第３の絶縁膜の開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ
Claims (7)
- 【請求項１】 突出した複数の導電膜パターン（2A、2
B）を有する基体（１）上に、該基体（１）の表面及び
該導電膜パターン（2A、2B）の表面を該表面に沿って覆
う第１の絶縁膜（３）と、該導電膜パターン（2A、2B）
間の凹部を該導電膜パターン（2A、2B）上の該第１の絶
縁膜（３）の表面が露出するように平坦に埋める該第１
の絶縁膜（３）と異質な第２の絶縁膜（５）と、該第１
の絶縁膜（３）と該第２の絶縁膜（５）上を一括して覆
う該第１の絶縁膜（３）と異質な第３の絶縁膜（６）と
を有し、該導電膜パターン（2A、2B）の上部に、該第３
の絶縁膜（６）と該第１の絶縁膜（３）を貫通し、該第
３の絶縁膜（６）の開口（９）縁部が該第１の絶縁膜
（３）の開口（10）縁部より後退したコンタクトホール
（7A、7B）が設けられていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁膜（３）に、酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、燐珪酸ガラス膜の何れかが用い
られ、前記第２の絶縁膜（５）に、ポリイミドが用いら
れ、前記第３の絶縁膜（６）に、酸化シリコン膜、窒化
シリコン膜、燐珪酸ガラス膜の中の前記第１の絶縁膜と
異質なもの、若しくはポリイミド膜が用いられることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 突出した複数の導電膜パターンを有する
基体上に、該基体上を該基体の表出面及び該導電膜パタ
ーンの表面に沿って覆う第１の絶縁膜を形成する工程
と、 該第１の絶縁膜に覆われた基体上に、該第１の絶縁膜と
エッチングの選択性を有する第２の絶縁膜を、表面がほ
ぼ平坦化される厚さに形成する工程と、 該第２の絶縁膜を、該第１の絶縁膜よりも該第２の絶縁
膜に対して優位なエッチング手段を用い、該導電膜パタ
ーン上の該第１の絶縁膜が表出するまでエッチバックす
ることにより、該導電膜パターン間の凹部を該第２の絶
縁膜で平坦に埋める工程と、 該凹部に埋め込まれた第２の絶縁膜上、及び該導電膜パ
ターン上の第１の絶縁膜の表出面上を一括して覆うよう
に第３の絶縁膜を形成する工程と、 該導電膜パターン上に、該第３の絶縁膜と該第１の絶縁
膜を貫通して該導電膜パターンを表出するコンタクトホ
ールを形成する工程と、を有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の絶縁膜に、酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜、燐珪酸ガラス膜の何れかを用い、前記
第３の絶縁膜に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、燐
珪酸ガラス膜の何れか、若しくはポリイミド膜を用いる
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記第２の絶縁膜に非シリコン含有系ポ
リイミドを用いることを特徴とする請求項３または４記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２の絶縁膜に、感光性ポリイミド
膜を用い、前記エッチバックの工程が、該感光性ポリイ
ミド膜に前記導電膜パターン上の前記第１の絶縁膜の表
面に達する露光を行った後に、該感光性ポリイミド膜の
該露光領域を選択的に現像除去する工程よりなることを
特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記コンタクトホールの形成に際して、
前記第１の絶縁膜と第３の絶縁膜にエッチングの選択性
を有するものを用い、前記コンタクトホールにおける前
記第３の絶縁膜の開口縁部を前記第１の絶縁膜の開口縁
部より後退させる選択エッチング工程を含むことを特徴
とする請求項３または４または５または６記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22152693A JPH0778817A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22152693A JPH0778817A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778817A true JPH0778817A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16768101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22152693A Withdrawn JPH0778817A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11387807B2 (en) | 2016-09-27 | 2022-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device, high-frequency front end circuit, and communication device |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22152693A patent/JPH0778817A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11387807B2 (en) | 2016-09-27 | 2022-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device, high-frequency front end circuit, and communication device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0645274A (ja) | 集積回路においてコンタクトビアを製造する方法 | |
| JP3156765B2 (ja) | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 | |
| JPH06318578A (ja) | 半導体素子のコンタクトホール形成方法 | |
| JP2561602B2 (ja) | 多層金属配線構造のコンタクトの製造方法 | |
| JPH0778817A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2628339B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10150103A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2590711B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3225289B2 (ja) | 半導体素子の金属配線形成方法 | |
| JPH07335757A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100248809B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH05347360A (ja) | 多層配線構造およびその製造方法 | |
| JPS5833854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05109719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10178091A (ja) | 半導体装置の多層配線及び半導体装置の多層配線の形成方法 | |
| JPH0851111A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0936222A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100193889B1 (ko) | 반도체 소자의 비아홀 형성방법 | |
| JP2005243978A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0621240A (ja) | 半導体装置の配線接続構造及びその製造方法 | |
| JP3285147B2 (ja) | 微細コンタクト及びビアホールの形成方法 | |
| JPH08316310A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005303140A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08316309A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0555164A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |