JPH0776126B2 - マグネシア焼結体の製造方法 - Google Patents
マグネシア焼結体の製造方法Info
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- JPH0776126B2 JPH0776126B2 JP61127373A JP12737386A JPH0776126B2 JP H0776126 B2 JPH0776126 B2 JP H0776126B2 JP 61127373 A JP61127373 A JP 61127373A JP 12737386 A JP12737386 A JP 12737386A JP H0776126 B2 JPH0776126 B2 JP H0776126B2
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Classifications
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
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- C09C1/02—Compounds of alkaline earth metals or magnesium
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はマグネシアの粒子界面に均一なフォルステライ
トの薄層を有するために、著しく耐水和性が高く、かつ
理論密度にほぼ近い嵩密度を持ったマグネシア焼結体の
簡便な製造方法に関するものである。
トの薄層を有するために、著しく耐水和性が高く、かつ
理論密度にほぼ近い嵩密度を持ったマグネシア焼結体の
簡便な製造方法に関するものである。
[従来の技術] マグネシアは融点が2800℃と高く、優れた電気絶縁性、
高い熱伝導性を有し、また高密度焼結体は赤外および可
視光の透過率が高いなどの特性を有している。そのた
め、マグネシア焼結体は高温絶縁材料、高温照明材料、
IC基板材料などへの用途が検討されているが、実際に実
用化に至っているのは坩堝、熱電対保護管などの一部の
用途に限られている。これはマグネシアが耐水和性に劣
り、空気中でも容易に水和されて水酸化マグネシウムに
変化し、特性が著しく劣化するためである。この耐水和
性を向上させるためには従来以下の方法が検討されてき
た。
高い熱伝導性を有し、また高密度焼結体は赤外および可
視光の透過率が高いなどの特性を有している。そのた
め、マグネシア焼結体は高温絶縁材料、高温照明材料、
IC基板材料などへの用途が検討されているが、実際に実
用化に至っているのは坩堝、熱電対保護管などの一部の
用途に限られている。これはマグネシアが耐水和性に劣
り、空気中でも容易に水和されて水酸化マグネシウムに
変化し、特性が著しく劣化するためである。この耐水和
性を向上させるためには従来以下の方法が検討されてき
た。
(1)リン酸カルシウムマグネシウム、リン酸マグネシ
ウム、シリカ等をマグネシア粉末に添加し、乾式、ある
いは適当な溶媒中で機械的に混合し、成形、焼結する方
法。
ウム、シリカ等をマグネシア粉末に添加し、乾式、ある
いは適当な溶媒中で機械的に混合し、成形、焼結する方
法。
(2)マグネシア成形体をあらかじめ900℃〜1100℃程
度の低温度で予備焼成して得た多孔質の予備焼結体を有
機シリケート化合物液に含浸後、焼成し、さらに1400℃
前後の高温度で焼結することによって焼結体表面をシリ
カとマグネシアの反応で生成したフォルステライトで被
覆する方法(特開昭58−217480号)。
度の低温度で予備焼成して得た多孔質の予備焼結体を有
機シリケート化合物液に含浸後、焼成し、さらに1400℃
前後の高温度で焼結することによって焼結体表面をシリ
カとマグネシアの反応で生成したフォルステライトで被
覆する方法(特開昭58−217480号)。
(3)マグネシア粉末を有機シリケート化合物の溶液と
混合した後、成形、焼結し、有機シリケート化合物中の
シリカ成分とマグネシアの反応によって生成したフォル
ステライトを焼結体粒子界面に析出させる方法(特開昭
60−166260号)。
混合した後、成形、焼結し、有機シリケート化合物中の
シリカ成分とマグネシアの反応によって生成したフォル
ステライトを焼結体粒子界面に析出させる方法(特開昭
60−166260号)。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら上記(1)の方法では十分な耐水和性が得
られず、かつ添加した物質を均一に混合することは非常
に困難であり、不均一な混合粉末は焼結時の異常粒成長
の原因となり、焼結体の熱的、機械的性質が劣る。
られず、かつ添加した物質を均一に混合することは非常
に困難であり、不均一な混合粉末は焼結時の異常粒成長
の原因となり、焼結体の熱的、機械的性質が劣る。
また、上記(2)の方法は極めて操作が複雑であり、か
つ、生成させるフォルステライトの量を任意に決定する
ことはできない。さらに、この方法では均一なフォルス
テライトの被覆層を得ることが難しいため、焼結体を完
全に被覆するためには必要以上のフォルステライトを生
成させる必要がある。このため熱伝導率の低下をきた
す。
つ、生成させるフォルステライトの量を任意に決定する
ことはできない。さらに、この方法では均一なフォルス
テライトの被覆層を得ることが難しいため、焼結体を完
全に被覆するためには必要以上のフォルステライトを生
成させる必要がある。このため熱伝導率の低下をきた
す。
上記(3)の方法もマグネシア粉末を有機シリケート化
合物の溶液と混合した後に濾過、乾燥、粗砕等の複雑な
工程が必要で、不純物の混入が避けられず、かつマグネ
シア粉末上には多量の有機物が付着しているため、焼結
の際の緻密化の妨げとなり、高密度焼結体を得るのが困
難である。また(2)の方法と同様に任意な量のフォル
ステライトを生成させることができない。
合物の溶液と混合した後に濾過、乾燥、粗砕等の複雑な
工程が必要で、不純物の混入が避けられず、かつマグネ
シア粉末上には多量の有機物が付着しているため、焼結
の際の緻密化の妨げとなり、高密度焼結体を得るのが困
難である。また(2)の方法と同様に任意な量のフォル
ステライトを生成させることができない。
本発明は上記困難を克服するため、耐水和性の高い高密
度焼結体の簡便な製造方法を提供することを目的として
いる。
度焼結体の簡便な製造方法を提供することを目的として
いる。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を解決するための本発明の構成は、流動層反
応器中で、マグネシア粉末と有機シリケート化合物の蒸
気とを気固相反応させて、表面にシリカの被膜を有する
マグネシア粉末を製造し、このマグネシア粉末を成形、
焼結することを特徴とするマグネシア焼結体の製造方法
である。
応器中で、マグネシア粉末と有機シリケート化合物の蒸
気とを気固相反応させて、表面にシリカの被膜を有する
マグネシア粉末を製造し、このマグネシア粉末を成形、
焼結することを特徴とするマグネシア焼結体の製造方法
である。
具体的に説明すると、マグネシア粉末粒子上に0.1〜10
モル%のシリカ[ただしSiO2/(MgO+SiO2)のモル比]
の均一な被膜を有する粉末を成形、焼結することによ
り、非常に簡便に、焼結体の粒子界面に均一なフォルス
テライトの薄層が析出した微細構造を有する耐水和性の
高い高密度マグネシア焼結体を得る方法である。
モル%のシリカ[ただしSiO2/(MgO+SiO2)のモル比]
の均一な被膜を有する粉末を成形、焼結することによ
り、非常に簡便に、焼結体の粒子界面に均一なフォルス
テライトの薄層が析出した微細構造を有する耐水和性の
高い高密度マグネシア焼結体を得る方法である。
本発明では例えば下記方法により生成したシリカの被膜
を有するマグネシア粉末を成形、焼結することが好まし
い。まず300℃〜600℃好ましくは350℃〜450℃に加熱さ
れた流動層反応器中で気相酸化反応によって合成された
マグネシア粉末を流動させる。
を有するマグネシア粉末を成形、焼結することが好まし
い。まず300℃〜600℃好ましくは350℃〜450℃に加熱さ
れた流動層反応器中で気相酸化反応によって合成された
マグネシア粉末を流動させる。
次いでその流動層反応器中にガス濃度が1〜20モル%、
好ましくは4〜8モル%の有機シリケート化合物の加熱
蒸気を供給する。その際、有機シリケート化合物の量に
対して0.1〜20モル倍量の水蒸気を同時に供給すること
が好ましい。
好ましくは4〜8モル%の有機シリケート化合物の加熱
蒸気を供給する。その際、有機シリケート化合物の量に
対して0.1〜20モル倍量の水蒸気を同時に供給すること
が好ましい。
上記工程によりマグネシア粉末粒子表面の活性点と有機
シリケート化合物の分解によって生成したラジカル錯体
との化学吸着あるいは粒子表面に残存するOH基と有機シ
リケート化合物との縮合反応を進行させ、マグネシア粒
子表面に有機物を含むシリカ重合体が析出する。このシ
リカ重合体はマグネシア粒子表面でさらに分解が進み、
最終的には被膜中に残存する有機物量が炭素/ケイ素の
モル比で0.01%以下の均一で緻密なシリカの被膜が析出
する。シリカ被膜の量は流動層反応器に供給する有機シ
リケート化合物のガス濃度および/または反応時間によ
って任意に制御できる。気相酸化反応によって合成され
たマグネシア粉末は粒子同士の凝集が少ない非常に分散
度の高い一次粒子から成っているために、上記方法によ
りシリカの被膜を有するマグネシア粉末を得るのに適し
ている。つまり、水酸化マグネシウムや塩基性炭酸マグ
ネシウム、炭酸マグネシウム等の熱分解によって得られ
たマグネシア粉末は粒子間の凝集が強く、凝集体を1つ
の粒子としてシリカ薄膜で被覆するため、焼結性の低下
をもたらすが、気相酸化反応によって得られたマグネシ
ア粉末では個々の一次粒子を被覆できるために焼結性が
低下することはない。
シリケート化合物の分解によって生成したラジカル錯体
との化学吸着あるいは粒子表面に残存するOH基と有機シ
リケート化合物との縮合反応を進行させ、マグネシア粒
子表面に有機物を含むシリカ重合体が析出する。このシ
リカ重合体はマグネシア粒子表面でさらに分解が進み、
最終的には被膜中に残存する有機物量が炭素/ケイ素の
モル比で0.01%以下の均一で緻密なシリカの被膜が析出
する。シリカ被膜の量は流動層反応器に供給する有機シ
リケート化合物のガス濃度および/または反応時間によ
って任意に制御できる。気相酸化反応によって合成され
たマグネシア粉末は粒子同士の凝集が少ない非常に分散
度の高い一次粒子から成っているために、上記方法によ
りシリカの被膜を有するマグネシア粉末を得るのに適し
ている。つまり、水酸化マグネシウムや塩基性炭酸マグ
ネシウム、炭酸マグネシウム等の熱分解によって得られ
たマグネシア粉末は粒子間の凝集が強く、凝集体を1つ
の粒子としてシリカ薄膜で被覆するため、焼結性の低下
をもたらすが、気相酸化反応によって得られたマグネシ
ア粉末では個々の一次粒子を被覆できるために焼結性が
低下することはない。
このようにして得られたマグネシア粉末は単にシリカの
粉末をマグネシア粉末に添加し、混合したものに比較し
て著しく均質なので公知の方法によって成形、焼結して
も異常粒成長の原因となることはない。
粉末をマグネシア粉末に添加し、混合したものに比較し
て著しく均質なので公知の方法によって成形、焼結して
も異常粒成長の原因となることはない。
成形方法、焼結方法については特に限定されないが、望
ましくは成形圧1ton/cm2以上で等方加圧成形し、1300〜
1700℃で1時間以上焼結する。尚、もとのマグネシア粉
末の粒径は焼結性に影響を与えるが、平均粒径0.1μm
以下の粉末であれば上記焼結条件によって、ほぼ理論密
度に近い焼結体が得られる。
ましくは成形圧1ton/cm2以上で等方加圧成形し、1300〜
1700℃で1時間以上焼結する。尚、もとのマグネシア粉
末の粒径は焼結性に影響を与えるが、平均粒径0.1μm
以下の粉末であれば上記焼結条件によって、ほぼ理論密
度に近い焼結体が得られる。
シリカの被膜は焼結によってマグネシアと反応し、フォ
ルステライトが生成する。Mg2SiO4の分子式で表わされ
る、このフォルステライトはマグネシアに比較して耐水
和性の高い物質であり、焼結に伴なう粒成長の際に焼結
体中のマグネシア粒子表面をフォルステライトが被覆す
るように粒子表面に偏析するため、マグネシア粒子の水
和を防ぐことができる。
ルステライトが生成する。Mg2SiO4の分子式で表わされ
る、このフォルステライトはマグネシアに比較して耐水
和性の高い物質であり、焼結に伴なう粒成長の際に焼結
体中のマグネシア粒子表面をフォルステライトが被覆す
るように粒子表面に偏析するため、マグネシア粒子の水
和を防ぐことができる。
マグネシア焼結体の粒子をフォルステライトの薄層で被
覆することにより、耐水和性の高いマグネシア焼結体を
得る方法は前述のように既に報告されているが、マグネ
シア粉末粒子にエトキシ基等、多量の有機物を含むケイ
素化合物を吸着させた後に、成形、焼結しているため、
有機物の分解によって発生する炭素化合物のガスが緻密
化を妨げる。
覆することにより、耐水和性の高いマグネシア焼結体を
得る方法は前述のように既に報告されているが、マグネ
シア粉末粒子にエトキシ基等、多量の有機物を含むケイ
素化合物を吸着させた後に、成形、焼結しているため、
有機物の分解によって発生する炭素化合物のガスが緻密
化を妨げる。
これに対して、本発明による方法ではマグネシア粉末粒
子表面を被覆するシリカ膜中に存在する有機物量は炭素
/ケイ素のモル比で0.01%以下と極めて少ないため、こ
の有機物が緻密化を妨げることはなく、逆に粉末粒子表
面にシリカ被膜を析出させていない純粋なマグネシア粉
末に比較して高密度で高強度な焼結体を得ることができ
る。これは焼結の初期においてマグネシア粒子表面にシ
リカの多い表面層が存在するために、粒子再配列による
緻密化が促進され、また焼結の中期以降では、粒子表面
のシリカとマグネシアが相互拡散によってフォルステラ
イトが生成するために、粒子間の結合がより強固になっ
たためと推定される。
子表面を被覆するシリカ膜中に存在する有機物量は炭素
/ケイ素のモル比で0.01%以下と極めて少ないため、こ
の有機物が緻密化を妨げることはなく、逆に粉末粒子表
面にシリカ被膜を析出させていない純粋なマグネシア粉
末に比較して高密度で高強度な焼結体を得ることができ
る。これは焼結の初期においてマグネシア粒子表面にシ
リカの多い表面層が存在するために、粒子再配列による
緻密化が促進され、また焼結の中期以降では、粒子表面
のシリカとマグネシアが相互拡散によってフォルステラ
イトが生成するために、粒子間の結合がより強固になっ
たためと推定される。
なお、本発明による方法で製造したマグネシア焼結体の
鉱物組成はマグネシアとフォルステライトからなってい
ることがX線回折計により、また焼結体の粒子界面にフ
ォルステライト層が均一に偏析していることがX線マイ
クロアナライザーでSi、Mgの分布状態を観察することに
より、それぞれ確認された。
鉱物組成はマグネシアとフォルステライトからなってい
ることがX線回折計により、また焼結体の粒子界面にフ
ォルステライト層が均一に偏析していることがX線マイ
クロアナライザーでSi、Mgの分布状態を観察することに
より、それぞれ確認された。
フォルステライトはマグネシアに比べて熱伝導率が約1/
10と低いがシリカの量を10モル%以下におさえれば、従
来のマグネシア磁器と同程度の熱伝導率を保持できる。
逆に耐水和性を向上させるためにはシリカの量は多い方
が望ましいが、マグネシアに対して0.1モル%以上、好
ましくは1モル%以上であれば十分な耐水和性が得られ
る。
10と低いがシリカの量を10モル%以下におさえれば、従
来のマグネシア磁器と同程度の熱伝導率を保持できる。
逆に耐水和性を向上させるためにはシリカの量は多い方
が望ましいが、マグネシアに対して0.1モル%以上、好
ましくは1モル%以上であれば十分な耐水和性が得られ
る。
[実施例] 次に実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例 金属マグネシウムの加熱蒸気を気相酸化させることによ
り製造された平均粒径0.055μmのマグネシア粉末100g
を400℃に加熱された流動層反応器中でテトラエトキシ
シランを含有するガスにより流動させ、均一なシリカ被
膜を有するマグネシア粉末を得た。
り製造された平均粒径0.055μmのマグネシア粉末100g
を400℃に加熱された流動層反応器中でテトラエトキシ
シランを含有するガスにより流動させ、均一なシリカ被
膜を有するマグネシア粉末を得た。
マグネシア粒子上に析出したシリカは5.9モル%であっ
た。この際テトラエトキシシランのガス濃度は7モル
%、全ガス供給速度は3.7/min、反応時間15分であっ
た。
た。この際テトラエトキシシランのガス濃度は7モル
%、全ガス供給速度は3.7/min、反応時間15分であっ
た。
得られた粉末約5gを3.0ton/cm2の圧力で直径20mm、厚さ
3〜4mmの円板状に等方加圧成形し、空気中1400℃で1
時間焼成することにより、マグネシア焼結体を得た。
3〜4mmの円板状に等方加圧成形し、空気中1400℃で1
時間焼成することにより、マグネシア焼結体を得た。
この焼結体について相対密度、抗折強度、熱伝導率、耐
水和性を測定した。その結果を表1に示す。なお耐水和
性は焼結体を180℃、約10気圧の水蒸気圧のオートクレ
ーブ中に1時間静置後の酸化マグネシウムが水酸化マグ
ネシウムに変化することによる重量増加率で表わした。
水和性を測定した。その結果を表1に示す。なお耐水和
性は焼結体を180℃、約10気圧の水蒸気圧のオートクレ
ーブ中に1時間静置後の酸化マグネシウムが水酸化マグ
ネシウムに変化することによる重量増加率で表わした。
比較例1 気相酸化反応による平均粒径0.055μmのマグネシア粉
末約5gを実施例と同様な方法により、成形、焼結し、マ
グネシア焼結体を得た。焼結体の測定結果を表1に示
す。
末約5gを実施例と同様な方法により、成形、焼結し、マ
グネシア焼結体を得た。焼結体の測定結果を表1に示
す。
比較例2 気相酸化反応による平均粒径0.055μmのマグネシア粉
末に平均粒径0.03μmのシリカ粉末5.9モル%を添加
し、めのう乳鉢でよく混合後その5gを実施例と同様な方
法により、成形、焼結し、マグネシア焼結体を得た。そ
の焼結体の測定結果を表1に示す。
末に平均粒径0.03μmのシリカ粉末5.9モル%を添加
し、めのう乳鉢でよく混合後その5gを実施例と同様な方
法により、成形、焼結し、マグネシア焼結体を得た。そ
の焼結体の測定結果を表1に示す。
比較例3 気相酸化反応による平均粒径0.055μmのマグネシア粉
末約5gを実施例と同様な方法で成形後1100℃で6時間予
備焼結する。この予備焼結体の開気孔率は26%であっ
た。これをテトラエトキシシラン液中に浸漬した後、表
面のテトラエトキシシランを燃焼させ、1400℃で1時間
焼結した。この焼結体の測定結果を表1に示す。
末約5gを実施例と同様な方法で成形後1100℃で6時間予
備焼結する。この予備焼結体の開気孔率は26%であっ
た。これをテトラエトキシシラン液中に浸漬した後、表
面のテトラエトキシシランを燃焼させ、1400℃で1時間
焼結した。この焼結体の測定結果を表1に示す。
比較例4 気相酸化反応による平均粒径0.055μmのマグネシア粉
末100gをテトラエトキシシラン40cc、エタノール100cc
を混合した溶液中で3時間混合後、濾過、乾燥し(105
℃×48時間)、めのう乳鉢で粗砕し、その5gを実施例と
同様にして成形、焼結した。測定結果を表1に示す。
末100gをテトラエトキシシラン40cc、エタノール100cc
を混合した溶液中で3時間混合後、濾過、乾燥し(105
℃×48時間)、めのう乳鉢で粗砕し、その5gを実施例と
同様にして成形、焼結した。測定結果を表1に示す。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明におけるマグネシア焼結体
の製造方法は簡便でかつ従来の成形、焼結技術をそのま
ま応用することによって耐水和性が高く、高密度で高強
度な焼結体を得ることが可能となった。
の製造方法は簡便でかつ従来の成形、焼結技術をそのま
ま応用することによって耐水和性が高く、高密度で高強
度な焼結体を得ることが可能となった。
Claims (2)
- 【請求項1】流動層反応器中で、マグネシア粉末と有機
シリケート化合物の蒸気とを気固相反応させて、表面に
シリカの被膜を有するマグネシア粉末を製造し、このマ
グネシア粉末を成形、焼結することを特徴とするマグネ
シア焼結体の製造方法。 - 【請求項2】マグネシア粉末が、金属マグネシウムの蒸
気を気相酸化することによって製造されたものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲(1)記載のマグネシア
焼結体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61127373A JPH0776126B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マグネシア焼結体の製造方法 |
US07/055,169 US4789510A (en) | 1986-06-03 | 1987-05-28 | Process for producing a shaped, sintered magnesia article having an enhanced resistance to hydration and an improved mechanical strength |
GB8712596A GB2191771B (en) | 1986-06-03 | 1987-05-28 | Process for producing a shaped, sintered magnesia article having an enhanced resistance to hydration and an improved mechanical strength |
DE19873718482 DE3718482A1 (de) | 1986-06-03 | 1987-06-02 | Verfahren zur herstellung eines gesinterten magnesia-formkoerpers mit verbessertem hydratisierungswiderstand und mit verbesserter mechanischer festigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61127373A JPH0776126B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マグネシア焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62288156A JPS62288156A (ja) | 1987-12-15 |
JPH0776126B2 true JPH0776126B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=14958375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61127373A Expired - Lifetime JPH0776126B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | マグネシア焼結体の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4789510A (ja) |
JP (1) | JPH0776126B2 (ja) |
DE (1) | DE3718482A1 (ja) |
GB (1) | GB2191771B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4677026A (en) * | 1985-07-17 | 1987-06-30 | Ube Industries, Ltd. | Resin composition for sealing electronic parts, and hydration-resistant magnesia powder and process for preparation thereof |
JPS63315515A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Ube Ind Ltd | マグネシア造粒体およびその製造方法 |
AT392464B (de) * | 1988-08-10 | 1991-04-10 | Veitscher Magnesitwerke Ag | Magnesiumoxid in form eines feinen pulvers und seine verwendung |
JPH05246786A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-09-24 | L'air Liquide | コア粉体の存在下で化学蒸着法により珪素ベース超微粒子をコア粉に均一に塗布する方法 |
DE19518468C2 (de) * | 1995-05-19 | 1998-07-16 | Veitsch Radex Ag | Verwendung einer wasserhaltigen, feuerfesten keramischen Gießmasse |
WO1998048648A1 (en) | 1995-10-27 | 1998-11-05 | The Procter & Gamble Company | Color stable iron fortified dry drink mixes, ready-to-drink beverages and foods other than beverages that optionally contain zinc |
US6322850B1 (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-27 | Tse Industries, Inc. | Mold release reaction product and method of coating of a mold core |
US7090878B2 (en) * | 2001-05-31 | 2006-08-15 | The Procter & Gamble Company | Mineral fortified water |
JP4176013B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2008-11-05 | 水澤化学工業株式会社 | アルカリ土類金属塩基性ケイ酸塩粒子 |
US7279187B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-10-09 | The Procter & Gamble Company | Mineral fortification systems |
DE102006007781B4 (de) * | 2006-02-20 | 2008-09-25 | Refratechnik Holding Gmbh | Grobkeramischer feuerfester Versatz sowie feuerfestes Erzeugnis daraus |
CN101478889A (zh) * | 2006-06-23 | 2009-07-08 | 宝洁公司 | 浓缩型ω-3脂肪酸以及包含它们的混合物 |
CN106495665B (zh) * | 2016-11-03 | 2019-03-19 | 武汉科技大学 | 一种抗水化镁钙砂及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB579098A (en) * | 1943-06-14 | 1946-07-23 | Permanente Cement Company | Refractories |
GB639581A (en) * | 1946-06-28 | 1950-06-28 | Permanente Metals Corp | Improvements in or relating to a method of making a refractory article and a productresulting therefrom |
FR1481370A (fr) * | 1964-02-10 | 1967-05-19 | Dolomitwerke Gmbh | Procédé de fabrication d'agglomérés à conductibilité calorifique restreinte enpartant de magnésite fritté et agglomérés ainsi obtenus |
GB1576730A (en) * | 1976-08-11 | 1980-10-15 | Stein Refractories | Dolomite refractories |
JPS598002B2 (ja) * | 1976-11-24 | 1984-02-22 | 三菱電機株式会社 | 防湿皮膜を有するMgO絶縁充填物の製造方法 |
JPS58120567A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-18 | 川崎製鉄株式会社 | 高温下、高耐用性マグネシア・カ−ボン質耐火物 |
JPS58181764A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高緻密質マグネシア焼結体の製造法 |
JPS59213619A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-03 | Ube Ind Ltd | 高純度マグネシア微粉末の製造方法 |
JPS60151273A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | セラミツク被膜付き金属化合物の微粉末の製造方法 |
JPS60166260A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-29 | 旭硝子株式会社 | 絶縁基材用MgO焼結体及びその製造法 |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61127373A patent/JPH0776126B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-05-28 GB GB8712596A patent/GB2191771B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-28 US US07/055,169 patent/US4789510A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-02 DE DE19873718482 patent/DE3718482A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3718482A1 (de) | 1987-12-10 |
JPS62288156A (ja) | 1987-12-15 |
DE3718482C2 (ja) | 1989-12-21 |
GB2191771B (en) | 1990-04-18 |
US4789510A (en) | 1988-12-06 |
GB2191771A (en) | 1987-12-23 |
GB8712596D0 (en) | 1987-07-01 |
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