JPH0774787A - Cmosドライバ回路 - Google Patents
Cmosドライバ回路Info
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- JPH0774787A JPH0774787A JP5192290A JP19229093A JPH0774787A JP H0774787 A JPH0774787 A JP H0774787A JP 5192290 A JP5192290 A JP 5192290A JP 19229093 A JP19229093 A JP 19229093A JP H0774787 A JPH0774787 A JP H0774787A
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- driver circuit
- drain
- transistors
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/15—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors
- H03K5/151—Arrangements in which pulses are delivered at different times at several outputs, i.e. pulse distributors with two complementary outputs
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 CMOSドライバ回路の入力端子10上の信
号に応答して第1の端子で1対の伝送線を差動的に駆動
し第2の端子で前記信号を受取るためのCMOSドライ
バ回路を提供する。 【構成】 ドライバ回路は2対のドライブトランジスタ
41・43、42・44を有する。各々のドライブトラ
ンジスタは第1および第2のソース/ドレインおよびゲ
ートを有する。各ドライブトランジスタ対は前記伝送線
対の1つに接続され、かつNMOSトランジスタ41、
42およびPMOSトランジスタ43、44を有する。
号に応答して第1の端子で1対の伝送線を差動的に駆動
し第2の端子で前記信号を受取るためのCMOSドライ
バ回路を提供する。 【構成】 ドライバ回路は2対のドライブトランジスタ
41・43、42・44を有する。各々のドライブトラ
ンジスタは第1および第2のソース/ドレインおよびゲ
ートを有する。各ドライブトランジスタ対は前記伝送線
対の1つに接続され、かつNMOSトランジスタ41、
42およびPMOSトランジスタ43、44を有する。
Description
【0001】
【発明の背景】この発明は伝送線の上へ信号を駆動する
電子回路に関し、より特定的には伝送線の上へ差動ディ
ジタル信号を駆動するCMOS回路に関する。
電子回路に関し、より特定的には伝送線の上へ差動ディ
ジタル信号を駆動するCMOS回路に関する。
【0002】電気信号の送信においては、1つの端子で
伝送線の上へ信号が駆動され、第2の遠隔端子で受信す
る。信号が1対の線を介して送信される差動信号が用い
られる。2つの線上での電圧差は受信端子での送信され
た信号を表わす。干渉する雑音は信号の差動的性質によ
り相殺されるので、大抵の電気雑音は問題ではない。
伝送線の上へ信号が駆動され、第2の遠隔端子で受信す
る。信号が1対の線を介して送信される差動信号が用い
られる。2つの線上での電圧差は受信端子での送信され
た信号を表わす。干渉する雑音は信号の差動的性質によ
り相殺されるので、大抵の電気雑音は問題ではない。
【0003】しかしながら、電気信号送信において頻発
する問題は基準電圧、すなわち接地が2つの端子で同じ
ではないかもしれないという可能性である。この接地の
オフセットはより高い接地電位で端子において回路のラ
ッチアップ状態を引き起こすことがある。この問題を回
避するために、NTL(NMOSトランシーバ論理?:
NMOS Transceiver Logic?)お
よびGTL(ガニングトランシーバ論理?:Gunni
ng Transceiver Logic?)のよう
なディジタル信号ドライバ回路は接地からの電圧切換の
範囲をオフセットする。
する問題は基準電圧、すなわち接地が2つの端子で同じ
ではないかもしれないという可能性である。この接地の
オフセットはより高い接地電位で端子において回路のラ
ッチアップ状態を引き起こすことがある。この問題を回
避するために、NTL(NMOSトランシーバ論理?:
NMOS Transceiver Logic?)お
よびGTL(ガニングトランシーバ論理?:Gunni
ng Transceiver Logic?)のよう
なディジタル信号ドライバ回路は接地からの電圧切換の
範囲をオフセットする。
【0004】それにもかかわらず、これらのディジタル
信号ドライバ回路は制限されたオフセットを有する。接
地基準の差が1ボルトを越えるなら、さらにラッチアッ
プ状態が生じるだろう。
信号ドライバ回路は制限されたオフセットを有する。接
地基準の差が1ボルトを越えるなら、さらにラッチアッ
プ状態が生じるだろう。
【0005】これらの問題を回避するために、この発明
は、伝送線の1端子で高いオフセット接地があっても、
CMOS回路を使用してディジタル差動信号を駆動する
ための効果的でしかも安価な解決法を提供する。
は、伝送線の1端子で高いオフセット接地があっても、
CMOS回路を使用してディジタル差動信号を駆動する
ための効果的でしかも安価な解決法を提供する。
【0006】
【発明の概要】この発明は、CMOSドライバ回路の入
力端子上の信号に応答して第1の端子で1対の伝送線を
差動的に駆動し、第2の端子で前記信号を受取るCMO
Sドライバ回路を提供する。ドライバ回路は2対のドラ
イブトランジスタを有する。各々のドライブトランジス
タは第1および第2のソース/ドレインならびにゲート
を有する。各ドライブトランジスタ対は前記伝送線対の
1つに接続され、かつNMOSトランジスタおよびPM
OSトランジスタを有する。
力端子上の信号に応答して第1の端子で1対の伝送線を
差動的に駆動し、第2の端子で前記信号を受取るCMO
Sドライバ回路を提供する。ドライバ回路は2対のドラ
イブトランジスタを有する。各々のドライブトランジス
タは第1および第2のソース/ドレインならびにゲート
を有する。各ドライブトランジスタ対は前記伝送線対の
1つに接続され、かつNMOSトランジスタおよびPM
OSトランジスタを有する。
【0007】NMOSトランジスタの第1のソース/ド
レインは第1の電圧源に接続されかつ第2のソース/ド
レインは伝送線の1つに接続される出力端子に接続され
る。PMOSトランジスタの第1のソース/ドレインは
第2の電圧源に接続され、第2の電圧源は接地され、か
つ第2のソース/ドレインは出力端子および伝送線に接
続される。
レインは第1の電圧源に接続されかつ第2のソース/ド
レインは伝送線の1つに接続される出力端子に接続され
る。PMOSトランジスタの第1のソース/ドレインは
第2の電圧源に接続され、第2の電圧源は接地され、か
つ第2のソース/ドレインは出力端子および伝送線に接
続される。
【0008】入力端子および前記ドライブトランジスタ
のゲートに接続されるディジタル論理は、2対のドライ
ブトランジスタの差動動作のための相補信号を生成し、
それは各ドライブトランジスタ対であるNMOSトラン
ジスタおよびPMOSトランジスタが入力端子上の信号
に応答して交互にオフに切換えられるようにするためで
ある。この態様において、各々の伝送線上の信号は第2
の端子で第2の電圧源のオフセットを補償する電圧範囲
内で動作する。
のゲートに接続されるディジタル論理は、2対のドライ
ブトランジスタの差動動作のための相補信号を生成し、
それは各ドライブトランジスタ対であるNMOSトラン
ジスタおよびPMOSトランジスタが入力端子上の信号
に応答して交互にオフに切換えられるようにするためで
ある。この態様において、各々の伝送線上の信号は第2
の端子で第2の電圧源のオフセットを補償する電圧範囲
内で動作する。
【0009】CMOSドライバ回路のディジタル論理は
さらにドライブトランジスタの切換を同期化するための
遅延要素を有する。遅延要素の幾つかは特別に接続され
たトランジスタの形態をとるコンデンサである。他の遅
延要素はディジタル論理の一部であるインバータの余分
なトランジスタである。余分なトランジスタはインバー
タの切換を遅らせる。
さらにドライブトランジスタの切換を同期化するための
遅延要素を有する。遅延要素の幾つかは特別に接続され
たトランジスタの形態をとるコンデンサである。他の遅
延要素はディジタル論理の一部であるインバータの余分
なトランジスタである。余分なトランジスタはインバー
タの切換を遅らせる。
【0010】図面を参照してこの発明の好ましい実施例
についての以下の詳細な記述を熟読することによってこ
の発明がより詳しく理解される。
についての以下の詳細な記述を熟読することによってこ
の発明がより詳しく理解される。
【0011】
【実施例の詳細な説明】図1はこの発明によるCMOS
ドライバ回路の回路ブロック図である。ドライバ回路は
ディジタル信号を受取る入力端子10を有する。インバ
ータおよび遅延要素により形成される論理エレメントは
4つのドライバトランジスタ41ないし44のゲート端
子に対し信号を生成する。相補的なこれらのトランジス
タ対は差動ディジタル信号を運ぶ2つの伝送線に接続さ
れる出力端子11および12に接続される。出力端子1
1、12上の信号の論理状態がお互いに相補的であるよ
うに論理エレメントは動作する。
ドライバ回路の回路ブロック図である。ドライバ回路は
ディジタル信号を受取る入力端子10を有する。インバ
ータおよび遅延要素により形成される論理エレメントは
4つのドライバトランジスタ41ないし44のゲート端
子に対し信号を生成する。相補的なこれらのトランジス
タ対は差動ディジタル信号を運ぶ2つの伝送線に接続さ
れる出力端子11および12に接続される。出力端子1
1、12上の信号の論理状態がお互いに相補的であるよ
うに論理エレメントは動作する。
【0012】入力端子10は第1のインバータ20の入
力端子に接続される。インバータ20の出力端子はイン
バータ21、23、および22の入力端子に接続され
る。2つのインバータ21、23は端子10に現われる
真の論理信号をNMOSドライバトランジスタ41およ
びPMOSドライバトランジスタ43へと、それぞれ駆
動する。遅延要素31および33は、それぞれインバー
タ21および23の出力端子からトランジスタ41およ
び43のゲートへ信号を遅らせる。
力端子に接続される。インバータ20の出力端子はイン
バータ21、23、および22の入力端子に接続され
る。2つのインバータ21、23は端子10に現われる
真の論理信号をNMOSドライバトランジスタ41およ
びPMOSドライバトランジスタ43へと、それぞれ駆
動する。遅延要素31および33は、それぞれインバー
タ21および23の出力端子からトランジスタ41およ
び43のゲートへ信号を遅らせる。
【0013】インバータ20の出力端子もまた、その出
力端子がインバータ24および26の入力端子に接続さ
れるインバータ22の入力端子に接続される。インバー
タ24および26はそれぞれNMOSドライバトランジ
スタ42およびPMOSドライバトランジスタ44のゲ
ート端子に接続される。入力端子10でのディジタル信
号は3つのインバータを介して通るので、ドライバトラ
ンジスタ42および44のゲート上の信号の論理状態は
変換される。
力端子がインバータ24および26の入力端子に接続さ
れるインバータ22の入力端子に接続される。インバー
タ24および26はそれぞれNMOSドライバトランジ
スタ42およびPMOSドライバトランジスタ44のゲ
ート端子に接続される。入力端子10でのディジタル信
号は3つのインバータを介して通るので、ドライバトラ
ンジスタ42および44のゲート上の信号の論理状態は
変換される。
【0014】出力端子11および12を駆動する相補ト
ランジスタの対の各々はインバータを形成する。しかし
ながら、大抵のCMOSインバータ回路とは異なり、こ
の発明は各対のNMOSトランジスタ、正の電源に接続
されるトランジスタ41および42、ならびに各対のP
MOSトランジスタ、接地に接続されるトランジスタ4
3および44を有する。こうして、各々のNMOSトラ
ンジスタ41および42のドレインはVDDに接続されか
つそのソースは出力端子11または12に接続される。
端子11または12はさらにそれぞれPMOSトランジ
スタ43および44のソースに接続され、そのドレイン
は接地に接続される。
ランジスタの対の各々はインバータを形成する。しかし
ながら、大抵のCMOSインバータ回路とは異なり、こ
の発明は各対のNMOSトランジスタ、正の電源に接続
されるトランジスタ41および42、ならびに各対のP
MOSトランジスタ、接地に接続されるトランジスタ4
3および44を有する。こうして、各々のNMOSトラ
ンジスタ41および42のドレインはVDDに接続されか
つそのソースは出力端子11または12に接続される。
端子11または12はさらにそれぞれPMOSトランジ
スタ43および44のソースに接続され、そのドレイン
は接地に接続される。
【0015】この発明により熟考されるように、上述の
論理エレメントおよびドライバトランジスタは集積回路
の一部である。NMOSおよびPMOSトランジスタを
有する集積回路においては、NMOSトランジスタは典
型的に最も低い電圧、この場合は接地で保たれた半導体
基板のPドープされた領域に位置する。同様に、PMO
Sトランジスタは最も高い電圧、この場合は+5ボルト
でVDDに保たれる基板のNドープされた領域に位置す
る。
論理エレメントおよびドライバトランジスタは集積回路
の一部である。NMOSおよびPMOSトランジスタを
有する集積回路においては、NMOSトランジスタは典
型的に最も低い電圧、この場合は接地で保たれた半導体
基板のPドープされた領域に位置する。同様に、PMO
Sトランジスタは最も高い電圧、この場合は+5ボルト
でVDDに保たれる基板のNドープされた領域に位置す
る。
【0016】したがって、トランジスタ41ないし44
の各々のチャネル領域は強くバックバイアスされる。こ
の強いバックバイアスはドライバトランジスタ41ない
し44のしきい値電圧を増す。その結果、オンのときN
MOSトランジスタ41、42のソース電圧はVDD−V
T だけ減り、オンのときPMOSトランジスタ43、4
4のソース電圧は接地+VT だけ増える。したがって、
出力端子11および12上の電圧の揺れはPMOSトラ
ンジスタが正の電圧源に接続されかつNMOSトランジ
スタが接地に接続される「標準(standard)」
インバータの場合ほど広範囲にわたって揺れない。
の各々のチャネル領域は強くバックバイアスされる。こ
の強いバックバイアスはドライバトランジスタ41ない
し44のしきい値電圧を増す。その結果、オンのときN
MOSトランジスタ41、42のソース電圧はVDD−V
T だけ減り、オンのときPMOSトランジスタ43、4
4のソース電圧は接地+VT だけ増える。したがって、
出力端子11および12上の電圧の揺れはPMOSトラ
ンジスタが正の電圧源に接続されかつNMOSトランジ
スタが接地に接続される「標準(standard)」
インバータの場合ほど広範囲にわたって揺れない。
【0017】図4は図1に示されるドライバ回路の端子
11および12の各々での結果として生じる電圧の揺れ
を示す。電圧の揺れは出力端子の各々で+2ないし+3
ボルトの間である。したがって、ディジタル信号は接地
より遙か上の電圧範囲において伝送線上で駆動される。
11および12の各々での結果として生じる電圧の揺れ
を示す。電圧の揺れは出力端子の各々で+2ないし+3
ボルトの間である。したがって、ディジタル信号は接地
より遙か上の電圧範囲において伝送線上で駆動される。
【0018】端子10の入来信号の送信と出力端子11
および12上の差動信号の生成との間のスキューを減じ
るため、この発明は遅延要素31および33を与える。
図1に示されるように、出力端子12上に現われる入力
端子10からの信号は、出力端子11上に現われる端子
10からの信号が通るよりも1つ多くインバータを介し
て通る。遅延要素31および33は、ドライバトランジ
スタ41および43がトランジスタ42および44とだ
いたい同時に動作するようにより短い経路上の信号が遅
延されることを保証する。
および12上の差動信号の生成との間のスキューを減じ
るため、この発明は遅延要素31および33を与える。
図1に示されるように、出力端子12上に現われる入力
端子10からの信号は、出力端子11上に現われる端子
10からの信号が通るよりも1つ多くインバータを介し
て通る。遅延要素31および33は、ドライバトランジ
スタ41および43がトランジスタ42および44とだ
いたい同時に動作するようにより短い経路上の信号が遅
延されることを保証する。
【0019】図2は遅延要素31および33の各々の構
造を示す、例示的な回路図である。遅延要素31および
33はそれぞれインバータ21および23の出力端子と
トランジスタ41および43のゲートとの間にキャパシ
タンスを加える。キャパシタンスはPMOSトランジス
タ35として示されるトランジスタ構造を加えることに
より与えられる。トランジスタのすべての端子、すなわ
ちソースドレインおよびゲートはインバータ21および
23の出力端子に接続される。付加されるトランジスタ
の大きさを適当に決めて、遅延要素31および33はト
ランジスタ42および44のゲート上に現われる信号と
一致するようにインバータ21、23からの出力信号を
十分遅らせる。
造を示す、例示的な回路図である。遅延要素31および
33はそれぞれインバータ21および23の出力端子と
トランジスタ41および43のゲートとの間にキャパシ
タンスを加える。キャパシタンスはPMOSトランジス
タ35として示されるトランジスタ構造を加えることに
より与えられる。トランジスタのすべての端子、すなわ
ちソースドレインおよびゲートはインバータ21および
23の出力端子に接続される。付加されるトランジスタ
の大きさを適当に決めて、遅延要素31および33はト
ランジスタ42および44のゲート上に現われる信号と
一致するようにインバータ21、23からの出力信号を
十分遅らせる。
【0020】インバータ21および23はさらに端子1
1および12上の出力信号の歪みをより良く減じるため
に幾分修正される。インバータ21は図3(A)に示さ
れる。相補的なトランジスタの対、VDDに接続されるP
MOSトランジスタ24、およびNMOSトランジスタ
25の他にも、インバータ21はNMOSトランジスタ
25のソースを接地に接続するNMOSトランジスタ2
6をさらに有する。NMOSトランジスタ26のゲート
はトランジスタ24および25のゲートに共通接続され
る。論理ハイの信号がインバータ21の入力端子に現わ
れると、NMOSトランジスタ25および26は両方と
もオンになる。トランジスタ26の存在で、NMOSト
ランジスタ41のゲートは加えられた抵抗のために引き
下げられるのにより時間がかかる。したがって、トラン
ジスタはオフする際に遅らせられる。
1および12上の出力信号の歪みをより良く減じるため
に幾分修正される。インバータ21は図3(A)に示さ
れる。相補的なトランジスタの対、VDDに接続されるP
MOSトランジスタ24、およびNMOSトランジスタ
25の他にも、インバータ21はNMOSトランジスタ
25のソースを接地に接続するNMOSトランジスタ2
6をさらに有する。NMOSトランジスタ26のゲート
はトランジスタ24および25のゲートに共通接続され
る。論理ハイの信号がインバータ21の入力端子に現わ
れると、NMOSトランジスタ25および26は両方と
もオンになる。トランジスタ26の存在で、NMOSト
ランジスタ41のゲートは加えられた抵抗のために引き
下げられるのにより時間がかかる。したがって、トラン
ジスタはオフする際に遅らせられる。
【0021】同様に、図3(B)に示されるように、イ
ンバータ43は相補トランジスタ対28および29と直
列に接続されるPMOSトランジスタ27を有する。P
MOSトランジスタ27の端子はPMOSトランジスタ
28およびNMOSトランジスタ29のゲートに共通接
続される。トランジスタ27に抵抗が加えられた状態
で、PMOSトランジスタ43のゲートはよりゆっくり
とVDDに引き上げられる。したがって、PMOSトラン
ジスタ43はさらにオフする際に遅らせられる。この態
様において、この発明は2つの出力端子11および12
の動作速度を同期化して歪みを回避する。
ンバータ43は相補トランジスタ対28および29と直
列に接続されるPMOSトランジスタ27を有する。P
MOSトランジスタ27の端子はPMOSトランジスタ
28およびNMOSトランジスタ29のゲートに共通接
続される。トランジスタ27に抵抗が加えられた状態
で、PMOSトランジスタ43のゲートはよりゆっくり
とVDDに引き上げられる。したがって、PMOSトラン
ジスタ43はさらにオフする際に遅らせられる。この態
様において、この発明は2つの出力端子11および12
の動作速度を同期化して歪みを回避する。
【0022】上述の文はこの発明の好ましい実施例につ
いての完全な記述であるが、様々な変更、修正および均
等物が用いられてもよい。この発明は上述の実施例に対
し適当な修正を行なうことにより等しく適用できるとい
うことが明白であるはずである。したがって、上の記述
は前掲の特許請求の範囲の境界によって定義される発明
の範囲を制限するものとして理解されるべきではない。
いての完全な記述であるが、様々な変更、修正および均
等物が用いられてもよい。この発明は上述の実施例に対
し適当な修正を行なうことにより等しく適用できるとい
うことが明白であるはずである。したがって、上の記述
は前掲の特許請求の範囲の境界によって定義される発明
の範囲を制限するものとして理解されるべきではない。
【図1】この発明のある実施例についてのブロック図で
ある。
ある。
【図2】図1の遅延要素の回路図である。
【図3】(A)は、図1のインバータの1つの回路図で
あり、(B)は、図1の別のインバータの回路図であ
る。
あり、(B)は、図1の別のインバータの回路図であ
る。
【図4】図1のCMOSドライバ回路の出力信号を示す
図である。
図である。
41 NMOSドライバトランジスタ 42 NMOSドライバトランジスタ 43 PMOSドライバトランジスタ 44 PMOSドライバトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 17/693 Z 9473−5J 19/0175 (72)発明者 エリック・チャン アメリカ合衆国、94536 カリフォルニア 州、フレモント、ターンストーン・レー ン、3248 (72)発明者 ブライアン・チュン アメリカ合衆国、95133 カリフォルニア 州、サン・ホーゼイ、メイグレン・ウェ イ、2944 (72)発明者 ダニエル・ウォン アメリカ合衆国、95120 カリフォルニア 州、サン・ホーゼイ、ブレット−ハート・ ドライブ、7055
Claims (11)
- 【請求項1】 入力端子上の信号に応答して第1の端子
で1対の伝送線を差動的に駆動し第2の端子で前記信号
を受取るためのCMOSドライバ回路であって、 2対のドライブトランジスタを含み、各々のドライブト
ランジスタは第1および第2のソース/ドレインおよび
ゲートを有し、各ドライブトランジスタ対は前記伝送線
対の1つに接続されかつ、 第1のソース/ドレインが第1の電圧源に接続され、第
2のソース/ドレインが前記1つの伝送線に接続される
出力端子に接続されるNMOSドライブトランジスタ
と、 第1のソース/ドレインが第2の電圧源に接続され、前
記第2の電圧源は接地であり、かつ第2のソース/ドレ
インが前記出力端子および前記1つの伝送線に接続され
るPMOSドライブトランジスタとを有し、 前記ドライバ回路はさらに、 前記入力端子および前記ドライブトランジスタのゲート
に接続されるディジタル論理手段を含み、前記ディジタ
ル論理手段は、各ドライバトランジスタ対の前記NMO
Sトランジスタまたは前記PMOSトランジスタが前記
入力端子上の信号に応答して交互にオンとなるように、
前記2対のドライブトランジスタの差動動作のための相
補信号を生成し、 それにより各伝送線上の信号は前記第2の端子での前記
電圧源の1つのレベルにおけるオフセットから免れるよ
うに前記第1および第2の電圧源に対してせばめられた
電圧範囲内で動作する、CMOSドライバ回路。 - 【請求項2】 前記ドライバ回路が半導体基板上の集積
回路を含み、各々のNMOSドライバトランジスタは前
記第2の電圧源に結合される前記基板の一部に形成さ
れ、かつ各々のPMOSドライバトランジスタは前記第
1の電圧源に結合される前記基板の一部に形成される、
請求項1に記載のCMOSドライバ回路。 - 【請求項3】 前記第2の電圧源が接地である、請求項
1に記載のCMOSドライバ回路。 - 【請求項4】 前記せばめられた電圧範囲が実質的に2
ないし3ボルトである、請求項3に記載のCMOSドラ
イバ回路。 - 【請求項5】 前記ディジタル論理手段が前記ドライバ
トランジスタのゲート上の前記相補信号を同期化するた
めの手段を含む、請求項1に記載のCMOSドライバ回
路。 - 【請求項6】 前記ディジタル論理手段が前記ドライブ
トランジスタの各々のゲートを前記入力端子に接続する
複数の経路を含み、各々の経路が複数の直列接続された
インバータを有する、請求項5に記載のCMOSドライ
バ回路。 - 【請求項7】 前記同期化手段が、別の経路よりも少な
い数の直列接続されたインバータを有する前記複数の経
路の各1つに遅延要素を含み、それにより前記1つの経
路のインバータおよび遅延要素の総数が前記別の経路の
インバータの総数に等しい、請求項6に記載のCMOS
ドライバ回路。 - 【請求項8】 前記遅延要素がコンデンサを含む、請求
項7に記載のCMOSドライバ回路。 - 【請求項9】 前記同期化手段は前記ドライブトランジ
スタの1つのゲートに接続された出力ノードを有する少
なくとも1つのインバータにあり前記出力ノードを介す
る電流を遅らせるための手段をさらに含み、それにより
前記1つのドライブトランジスタの切換は遅らせられ
る、請求項8に記載のCMOSドライバ回路。 - 【請求項10】 前記少なくとも1つのインバータが入
力ノードおよび1対の相補トランジスタを含み、各々の
トランジスタは第1および第2のソース/ドレインおよ
びゲートを有し、前記トランジスタは前記ソース/ドレ
インにより前記第1および第2の電圧源の間に接続さ
れ、かつ前記電流を遅らせる手段は第1および第2のソ
ース/ドレインおよびゲートを有する第3のトランジス
タを含み、前記第3のトランジスタは前記第1および第
2の電圧源の間で前記相補トランジスタ対に直列に接続
され、前記3つのトランジスタの前記ゲートは前記入力
ノードに接続される、請求項9に記載のCMOSドライ
バ回路。 - 【請求項11】 入力端子上の信号に応答して前記第1
の端子で1対の伝送線を差動的に駆動し第2の端子で前
記信号を受取るためのCMOSドライバ回路であって、 2対のドライブトランジスタを含み、各々のドライブト
ランジスタは第1および第2のソース/ドレインおよび
ゲートを有し、各対の第1のドライブトランジスタの第
1のソース/ドレインは第1の電圧源にかつ第2のソー
ス/ドレインは前記伝送線の1つにそれぞれ接続され、
各対の第2のドライブトランジスタの第1のソース/ド
レインは第2の電圧源に接続されかつ第2のソース/ド
レインは前記伝送線の前記1つに接続され、 前記入力端子と前記ドライブトランジスタの各々のゲー
トとの間で電気経路を形成する複数のインバータを含
み、前記2対のドライブトランジスタが差動動作のため
に相補的に動作するように、各々の電気経路は予め定め
られた数のインバータを有し、 前記電気経路の選択されたものにおいて前記入力端子か
ら前記ドライブトランジスタの1つのゲートへ信号を遅
延するための手段を含み、 それにより前記入力端子からの伝送線の前記対上の差動
信号が実質的に同期化される、CMOSドライバ回路。
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