JPH0773818A - Picture display device - Google Patents
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- JPH0773818A JPH0773818A JP4126791A JP4126791A JPH0773818A JP H0773818 A JPH0773818 A JP H0773818A JP 4126791 A JP4126791 A JP 4126791A JP 4126791 A JP4126791 A JP 4126791A JP H0773818 A JPH0773818 A JP H0773818A
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/62—Electrostatic lenses
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- H01J2229/48—Electron guns
- H01J2229/4824—Constructional arrangements of electrodes
- H01J2229/4827—Electrodes formed on surface of common cylindrical support
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表示スクリーンと当該
スクリーンに対向して配置されている電子銃とを有す
る、電子光学軸に中心を有する陰極と協同して電子ビー
ム発生部を構成する複数の電極とを備えた表示管を有
し、当該電子銃が、更に、集束レンズを構成する高電気
抵抗材料の抵抗構造が設けられている外側表面と内側表
面とを有する管状構造を備えた画像表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of electron beam generators which cooperate with a cathode having a display screen and an electron gun arranged to face the screen and having a center on an electron optical axis. An image having a tubular structure having an outer surface and an inner surface provided with a resistance structure of a high electrical resistance material forming a focusing lens. Regarding display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、低い球面収差を得るために、表示
管に（特に螺旋構造の）高抵抗構造により構成されてい
る主集束レンズを使用する事に関する研究が盛んに行わ
れている。抵抗構造は、静的集束電圧を供給する少なく
とも一個のコンタクトと陽極電圧を供給する少なくとも
一個のコンタクトとを有している。2. Description of the Related Art In recent years, in order to obtain a low spherical aberration, a lot of research has been conducted on the use of a main focusing lens having a high resistance structure (especially a spiral structure) in a display tube. The resistive structure has at least one contact that provides a static focusing voltage and at least one contact that provides an anode voltage.
【０００３】しかしながら、静的集束信号と共に動的補
正信号をも供給する場合には、従来の集束管によるこれ
まで行われてきた実験を根拠に期待できる所望の効果
が、特に16KHzを越える走査周波数では得られない。
（例えば、スクリーン全体に渡って電子ビームを集束状
態に保つために偏向角を大きくしなければならない様な
場合には、動的集束電圧を印加することによる補正が必
要となる事がある。コーナーでは、集束電圧はスクリー
ンの中心におけるそれとは異なる事が必要となる。この
事は、動的集束電圧が、その強度がスクリーン上の電子
ビームスポットの位置の函数である走査周波数で変化す
る信号であることを意味する。）However, when the dynamic correction signal is supplied together with the static focusing signal, the desired effect that can be expected based on the experiments conducted so far with the conventional focusing tube, especially the scanning frequency exceeding 16 KHz, is obtained. Can't get it.
(For example, when the deflection angle must be increased in order to keep the electron beam in a focused state over the entire screen, it may be necessary to correct it by applying a dynamic focusing voltage. Requires that the focusing voltage be different from that at the center of the screen, which is a signal whose dynamic focusing voltage varies with scanning frequency whose intensity is a function of the position of the electron beam spot on the screen. It means that there is.)
【０００４】[0004]
【本発明の概要】本発明の目的は、動的補正信号の使用
に特に適している、螺旋抵抗型の集束レンズの様な静電
界レンズを有する表示管を備えた画像表示装置を提供す
る事である。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an image display device with a display tube having an electrostatic field lens, such as a spiral resistance focusing lens, which is particularly suitable for the use of dynamic correction signals. Is.
【０００５】この目的の達成のために、本発明の画像表
示装置が特徴とする点は、前記抵抗構造が、陽極電圧を
印加する第一電圧供給手段に接続されるように構成され
ていてかつ軸方向に離間されている少なくとも二個の電
気コンタクトを有し、かつ当該電気コンタクトの間に配
置されている低抵抗電極手段に電気的に接続されてい
て、その電極手段が、静的集束電圧と動的補正電圧を印
加する第二電圧供給手段に接続されるように構成されて
いる点である。低抵抗電極手段は、一個又はそれ以上の
個別金属部品又は導電層から構成しても良い。To achieve this object, the image display device of the present invention is characterized in that the resistance structure is connected to a first voltage supply means for applying an anode voltage, and At least two axially spaced electrical contacts are electrically connected to the low resistance electrode means disposed between the electrical contacts, the electrode means having a static focusing voltage. And is connected to the second voltage supply means for applying the dynamic correction voltage. The low resistance electrode means may consist of one or more individual metal parts or conductive layers.
【０００６】本発明は、それ自身、（螺旋）レンズ構造
の高抵抗により、その層が螺旋構造を形成せずに均一で
あるこれらの場所においてすら、抵抗層の固有RC時定数
を長くする事が出来ると言う認識に基づいている。換言
すると、集束信号は抵抗構造に全く進行しないか又は殆
ど進行しない。The present invention, due to the high resistance of the (helical) lens structure itself, lengthens the intrinsic RC time constant of the resistive layer, even at those locations where the layer is uniform without forming a helical structure. It is based on the recognition that In other words, the focused signal makes no or little progress to the resistive structure.
【０００７】本発明の本質的な点は、高抵抗構造を上述
した低抵抗電極手段に接続することにより、動的補正信
号が集束レンズの中央部分の主集束レンズから充分離れ
た所まで広がることが可能となるようにRC時定数が減少
する領域が得られる点である。後に詳細に説明するよう
に、中間電極手段は、例えば、同軸電極リング、ビーム
通過開口を有する一個又はそれ以上の横断金属板、管状
構造の内壁及び／又は抵抗構造の内側表面に設けられて
いる薄い導電層により構成する事が可能である。蒸着、
スパッタリング又はペインティングは、この薄い導電層
を形成するのに適した方法の例である。MHz領域までの
周波数を有する（例えば、動的集束信号の様な）動的補
正信号により所望の効果が得られる事は明らかである。The essence of the invention is that by connecting the high resistance structure to the low resistance electrode means described above, the dynamic correction signal is spread well away from the main focusing lens in the central part of the focusing lens. This is the point where a region where the RC time constant decreases so that As will be explained in more detail below, the intermediate electrode means are provided, for example, on a coaxial electrode ring, one or more transverse metal plates with beam passage openings, the inner wall of the tubular structure and / or the inner surface of the resistive structure. It can be composed of a thin conductive layer. Evaporation,
Sputtering or painting is an example of a suitable method for forming this thin conductive layer. It will be clear that the desired effect can be obtained with a dynamic correction signal having a frequency up to the MHz range (eg, a dynamic focusing signal).
【０００８】低抵抗中間電極を単純な方法で設ける事を
可能とする構成が特徴とする点は、前記管状構造が、協
同して主集束レンズを構成している抵抗構造を各々が有
している少なくとも二本の位置合わせされたサブ管を備
え、かつ前記低抵抗電極手段がビーム通過開口を有する
少なくとも一枚の金属板からなり、その金属板が、前記
サブ管の向き合う端の間に横切って配置されている点で
ある。A feature of the structure that allows the low-resistance intermediate electrode to be provided by a simple method is that the tubular structures each have a resistance structure that cooperatively forms a main focusing lens. Having at least two aligned sub-tubes, the low resistance electrode means comprising at least one metal plate having a beam passage aperture, the metal plate traversing between opposite ends of the sub-tube. It is the point that is arranged.
【０００９】この構成の一実施例が特徴とする点は、前
記ビーム発生部が生じ得る前記サブ管の位置合わせ誤差
を補正する補正手段を備えている点である。A feature of this embodiment is that it is provided with a correction means for correcting a positioning error of the sub-tube that may occur in the beam generator.
【００１０】位置合わせ誤差を発生させないようにする
別の構成が特徴とする点は、前記管状構造が、集束レン
ズを構成するその内側表面に設けられた抵抗構造を有し
ている一本の管を備え、前記抵抗構造と電気的コンタク
トを行う導電物質の、前記低抵抗電極手段を構成する管
状構造が当該管内に配置されていて、かつ前記管状構造
が前記管の壁内の開口を介して電気コンタクトに接続さ
れている点である。Another feature that prevents the occurrence of misalignment is that the tubular structure has a resistive structure on its inner surface that constitutes the focusing lens. Comprising a tubular structure constituting the low resistance electrode means of a conductive material in electrical contact with the resistive structure, the tubular structure being disposed through the opening in the wall of the tube. It is connected to an electrical contact.
【００１１】動的集束に対しては、低抵抗中央電極が電
子ビームに回転対称の効果を与えるように構成されてい
る。For dynamic focusing, the low resistance center electrode is arranged to impart a rotationally symmetric effect to the electron beam.
【００１２】動的かつ非点収差集束に対しては、低抵抗
中央電極が非回転対称の効果を与える様に構成されるべ
きである。For dynamic and astigmatic focusing, the low resistance center electrode should be arranged to provide an asymmetrical effect.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の画像表示装置のいくつかの実施例
を、図面を用いてより詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the image display device of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
【００１４】図1に示されている装置は、表示窓2、円錐
部分3及びネック4からなる、とりわけガラス包囲器1か
ら形成されている陰極線管を備えている。このネックに
は、陰極と共に電子銃の電子発生部43を構成している電
極構造8と9とが収容されている。電子銃の電子光学軸6
は、包囲器の軸でもある。電子ビーム12は、順次形成さ
れかつ陰極7と電極構造8、9とにより加速される。参照
番号10は、その内側表面が、表示窓2の内側の表示スク
リーン14にビームを集束させる集束レンズを形成する非
常に高抵抗の物質の（特に螺旋形状の）抵抗構造11を保
持している管状構造を表す。抵抗構造11は、電気的に、
低抵抗金属入力電極13aと低抵抗金属出力電極13bとに接
続されている。いわゆるユニポテンシャルレンズの場
合、電極に印加される適切な電圧の例は、 −陰極7 数十V（例えば、50V） −電極8 0V −電極9 数百V（例えば、400V） −入力及び出力集束レンズ 数十KV（例えば、30KV） −中央部分集束レンズ 数KV（例えば、5KV） である。電子ビーム12は、表示スクリーン14に渡って軸
6から偏向コイルのシステム5により偏向される。表示ス
クリーン14は、円錐部分3の内側壁の導電被覆を介して
電気的に電極11の端に接続されている薄いアルミニウム
薄膜により被覆されている蛍光体層から構成されてい
る。The device shown in FIG. 1 comprises a cathode ray tube consisting of a display window 2, a conical portion 3 and a neck 4, in particular formed of a glass envelope 1. The neck contains the electrode structures 8 and 9 which together with the cathode constitute the electron generator 43 of the electron gun. Electron optical axis of electron gun 6
Is also the axis of the enclosure. The electron beam 12 is sequentially formed and accelerated by the cathode 7 and the electrode structures 8, 9. The reference numeral 10 carries a resistance structure 11 of very high resistance material (especially in the form of a helix), the inner surface of which forms a focusing lens which focuses the beam on a display screen 14 inside the display window 2. Represents a tubular structure. The resistance structure 11 is electrically
It is connected to the low resistance metal input electrode 13a and the low resistance metal output electrode 13b. In the case of so-called unipotential lenses, examples of suitable voltages applied to the electrodes are: -cathode 7 several tens of volts (eg 50V) -electrode 80V-electrode 9 several hundreds of volts (eg 400V) -input and output focusing Lens tens of KV (for example, 30KV) -central partial focusing lens Number of KV (for example, 5KV). The electron beam 12 is directed across the display screen 14
From 6 is deflected by a system 5 of deflection coils. The display screen 14 is composed of a phosphor layer coated with a thin aluminum thin film which is electrically connected to the end of the electrode 11 via a conductive coating on the inner wall of the conical portion 3.
【００１５】集束レンズの中央部分に集束電圧を印加す
るためには、低抵抗電極が本発明の範囲内では必要とな
る。この電極は、様々な方法で構成することができる。
それらの例が、図5、6、7及び8に示されている。In order to apply the focusing voltage to the central part of the focusing lens, a low resistance electrode is required within the scope of the present invention. This electrode can be configured in various ways.
Examples of these are shown in FIGS. 5, 6, 7 and 8.
【００１６】図1の表示管の電子銃の使用に適している
型の集束レンズの構成のいくつかの詳細を、図2を参照
して説明する。その型は、管状（ガラス）包囲器15を備
えている。中央同軸開口18a、18bを有する横断金属電極
板17a、17bが両端に設けられている包囲器15の内側は、
適切な電圧が印加されると集束レンズ17を構成する螺旋
構造が形成されている高抵抗層16を保持している。平行
な斜めのラインのパターンは、抵抗層16が存在していな
い位置を線図的に表している。従って螺旋構造の部分
は、常にこれらの二本のラインの間に存在している。高
抵抗層16を、例えば、少量（例えば、数重量％）の金属
酸化物（特にルテニウム酸化物）粒子を有するガラスエ
ナメルから構成しても良い。層16の厚さは1〜10μm、例
えば3μmとしても良い。その様な層の単位面積当りの抵
抗は、金属酸化物の濃度とその層に加えられる熱処理に
依存する。実際には、単位面積当り104〜108Ωの抵抗値
が実現された。単位面積当りの所望の抵抗値は、関係す
るパラメータを調整する事によって得られる。単位面積
当り106Ωの抵抗値が、当該応用に特に適している。層1
6内に形成される螺旋構造（この構造は、連続した螺
旋、及び図2の例の様に螺旋構造が存在しないセグメン
トにより接続されている複数の分離された螺旋（六個）
を有していても良い）の全抵抗値は、10GΩのオーダと
する事が出来るが、これは30KVの電圧差で数mAの電流が
両端に流れることを意味している。この図及び他の全て
の図に於いて、（斜めの）ラインパターンは、物質が、
例えば、回転切削ツールによって抵抗層から除去されて
いる抵抗層の位置を示す。Some details of the construction of a focusing lens of the type suitable for use with the display tube electron gun of FIG. 1 are described with reference to FIG. The mold comprises a tubular (glass) enclosure 15. The inside of the envelope 15 having the transverse metal electrode plates 17a, 17b having central coaxial openings 18a, 18b at both ends is
When a suitable voltage is applied, it holds the high resistance layer 16 in which the spiral structure forming the focusing lens 17 is formed. The pattern of parallel diagonal lines diagrammatically represents the position where the resistance layer 16 does not exist. Therefore, the part of the spiral structure is always present between these two lines. The high resistance layer 16 may be composed of, for example, a glass enamel having a small amount (for example, several% by weight) of metal oxide (particularly ruthenium oxide) particles. The thickness of the layer 16 may be 1-10 μm, for example 3 μm. The resistance per unit area of such a layer depends on the concentration of the metal oxide and the heat treatment applied to the layer. Actually, a resistance value of 10 4 to 10 8 Ω per unit area was realized. The desired resistance value per unit area is obtained by adjusting the relevant parameters. A resistance value of 10 6 Ω per unit area is particularly suitable for this application. Tier 1
A spiral structure formed within 6 (this structure is a continuous spiral and multiple separated spirals (six) connected by segments where the spiral structure is absent as in the example of Figure 2)
Can have a total resistance of 10GΩ, which means that a current of several mA flows across the voltage difference of 30KV. In this figure and all other figures, the (diagonal) line pattern is
For example, it shows the location of the resistive layer being removed from the resistive layer by a rotary cutting tool.
【００１７】図1の電子銃は、その前方に集束レンズ17
を有する、一般には陰極7、グリッド電極8及び陽極9を
備えているビーム発生部43を有している。図1の場合、
ビーム発生部43の部品は、例えば、軸方向のガラス−セ
ラミック・マウンティング・ロッドによって表示管内に
別々にマウントされている。これに代えて、それらを集
束レンズの管状包囲器10内にマウントさせても良い。The electron gun of FIG. 1 has a focusing lens 17 in front of it.
In general, it has a beam generator 43 having a cathode 7, a grid electrode 8 and an anode 9. In the case of Figure 1,
The components of the beam generator 43 are separately mounted in the display tube, for example by axial glass-ceramic mounting rods. Alternatively, they may be mounted within the tubular envelope 10 of the focusing lens.
【００１８】発生する画像誤差を動的集束によって補正
することが必要となる場合がある。電子ビームを集束さ
せる電子レンズのパワーは、その時点で電子ビームを支
配している偏向の函数として調整される。この事によ
り、広がっている主画像面が、電子ビームが表示スクリ
ーンに射突する位置で表示スクリーンと交差する事が可
能となる。この補正方法は、集束レンズの電極に補正動
的集束電圧を発生させるために制御装置内に余分な回路
を必要とする。It may be necessary to correct the resulting image error by dynamic focusing. The power of the electron lens that focuses the electron beam is adjusted as a function of the deflection that currently dominates the electron beam. This allows the expanding main image plane to intersect the display screen at the position where the electron beam strikes the display screen. This correction method requires extra circuitry in the controller to generate the corrected dynamic focusing voltage at the electrodes of the focusing lens.
【００１９】螺旋抵抗構造の物質が高電気抵抗（例え
ば、10GΩ）を有している場合には、RC時定数は長く
（例えば、10ms）なる。この結果、電極18aに印加され
る動的集束電圧の効果は殆ど螺旋抵抗構造に到達しない
であろう。本発明はこの点についての解決法を提供す
る。この解決法の原理を、本発明の画像表示装置の電子
銃の使用に適している集束レンズの二個の設計を示す、
図3及び図4を参照して説明する。When the material having the spiral resistance structure has a high electric resistance (for example, 10 GΩ), the RC time constant becomes long (for example, 10 ms). As a result, the effect of the dynamic focusing voltage applied to electrode 18a will rarely reach the helical resistance structure. The present invention provides a solution to this point. The principle of this solution is shown by two designs of focusing lenses suitable for use in the electron gun of the image display device of the present invention,
This will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
【００２０】集束レンズの二個の型に対して、二本の電
気供給リード（陽極リードと集束リード）しか必要とさ
れない。For the two types of focusing lenses, only two electrical supply leads (anode lead and focusing lead) are required.
【００２１】図3は、陽極電圧Vaが両端に印加されかつ
集束電圧が中央部分に印加されている螺旋集束レンズ
（いわゆるユニポテンシャル・レンズ）を線図的に示
す。ユニポテンシャル・レンズ設計の特徴は、バイポテ
ンシャル・レンズ設計の場合とは異なり、対物側のレン
ズ部分と像側のレンズ部分にかかる電圧が等しい事であ
る。これらの二個の部分の抵抗構造を対称的にすること
も可能である。各構造は、例えば、五個の螺旋セグメン
トを有している。（図3の例に於いては、三個の螺旋セ
グメントが各々の部分に設けられている。）FIG. 3 diagrammatically shows a spiral focusing lens (so-called unipotential lens) in which an anode voltage V a is applied across both ends and a focusing voltage is applied in the central part. The feature of the unipotential lens design is that, unlike the case of the bipotential lens design, the voltages applied to the lens part on the objective side and the lens part on the image side are equal. It is also possible to make the resistance structure of these two parts symmetrical. Each structure has, for example, five spiral segments. (In the example of FIG. 3, three spiral segments are provided in each part.)
【００２２】図4は、陽極電圧Vaが一端と両端の中間に
位置している第一部分とに印加されていて、かつ集束電
圧Vfが他端と両端の中間に位置している第二部分とに印
加されている螺旋集束レンズ（いわゆる四極ポテンシャ
ル・レンズ）を線図的に示している。FIG. 4 shows that the anode voltage V a is applied to one end and the first part located between the two ends, and the focusing voltage V f is located between the other end and the second part. Figure 4 diagrammatically shows a spiral focusing lens (so-called quadrupole potential lens) applied to the part and.
【００２３】この様なレンズが、ポテンシャルが陽極に
まで増大しその後そのポテンシャルが集束電圧にまで減
少しかつ最後の経路で再び陽極電圧にまで増大しても良
い経路により従っている、集束電圧で対物側ポテンシャ
ルを有していても良い。An objective at a focusing voltage is followed by such a lens, by means of which the potential may increase to the anode and then the potential may decrease to the focusing voltage and may increase again to the anode voltage in the last pass. It may have a side potential.
【００２４】他の型の「マルチポテンシャル」レンズも
又可能である。Other types of "multipotential" lenses are also possible.
【００２５】電圧は、例えば、その内側表面に抵抗構造
を保持しているガラス管の壁内の各々の所望の位置に開
口を形成し、かつ抵抗層とコンタクトする電気的コンタ
クトを（例えば、インディウム・ペレット）この開口内
に設けることによって、印加させることが出来る。この
型の電気コンタクトに代えて、抵抗層と電気的コンタク
トを為す金属フランジをガラス管の両端に設けることも
出来る。The voltage forms, for example, an electrical contact (eg, an indie) that forms an opening at each desired location within the wall of the glass tube holding the resistive structure on its inner surface and contacts the resistive layer. (Um-pellet) It is possible to apply by providing in this opening. As an alternative to this type of electrical contact, metal flanges may be provided at both ends of the glass tube to make electrical contact with the resistive layer.
【００２６】しかしながら、本発明の範囲内では、動的
補正信号を印加する電極は、抵抗層に常に電気的に接続
されている低抵抗中間電極とすべきである。However, within the scope of the present invention, the electrode to which the dynamic correction signal is applied should be a low resistance intermediate electrode which is always electrically connected to the resistance layer.
【００２７】図3のレンズ設計の一実施例が、図5に示さ
れている。この図に示される抵抗レンズ構成は、サブ管
21とサブ管22とを備えている。同軸開口を各々有してい
る金属フランジ（例えば、CrFeのフランジ）23、24はサ
ブ管21の両端に封止されていて、かつ同軸開口を各々有
している金属フランジ25、26はサブ管22の両端に封止さ
れている。フランジ23、26は陽極電圧Vaを印加する機能
を果たす。図2に関して記載された方法により、螺旋構
造を有する高抵抗層27、28がサブ管21、22に配置されて
いる。ビーム通過開口を各々有するフランジ24、25は、
共に溶接されていてかつ協同して（静的＋動的）集束電
圧Vfを印加する機能を果たす低抵抗中間電極を構成して
いる。An example of the lens design of FIG. 3 is shown in FIG. The resistive lens configuration shown in this figure
21 and a sub pipe 22 are provided. Metal flanges (for example, CrFe flanges) 23 and 24 having coaxial openings are sealed at both ends of the sub-tube 21, and metal flanges 25 and 26 having coaxial openings are the sub-tubes. Sealed at both ends of 22. The flanges 23 and 26 serve to apply the anode voltage V a . High resistance layers 27, 28 having a helical structure are arranged in the sub-tubes 21, 22 by the method described with respect to FIG. The flanges 24 and 25 each having a beam passage opening are
They are welded together and cooperate to form a low resistance intermediate electrode which functions to apply a (static + dynamic) focusing voltage V f .
【００２８】図6は、図5の構造と実質上同一の構造を示
している。しかしながら、この場合には、向かい合って
いるフランジ24、25は共に溶接されておらず、（例え
ば、図示されていないガラス又はセラミック・ロッドに
マウントする事により）相互に電気的に絶縁された状態
に配置されている。この事により、静的かつ動的集束電
圧Vf（静的＋動的）を、例えば、フランジ25に、かつ静
的集束電圧Vf（静的）をフランジ24に印加する事が可能
となる。図5と6に示される構成の場合、同軸中央開口2
9、30を有する金属フランジ24、25は低抵抗電極として
機能する。開口29、30は、図5に示すような回転対称形
状を有していても良い。開口29、30が、例えば、図6の
様に、四角形又は長細い形（楕円又は長方形）の非回転
対称形状を有している場合には、活性化に応じて、非点
収差レンズを形成する四極電界がそれらの間に形成され
る。印加された動的集束電圧は、集束レンズを通過する
電子ビームを水平方向及び垂直方向の両方向に発散させ
る効果を有している。この発散効果を、動的及び静的集
束電圧を印加したときにフランジ24、25の間に形成され
る非点収差レンズにより、水平方向で補償しかつ垂直方
向に増大させることが可能である。これにより、垂直と
水平の集束を独立に行う事が可能となる。この事は、カ
ラー表示管（動的非点収差集束が問題となる）の場合に
特に重要である。FIG. 6 shows a structure which is substantially the same as the structure of FIG. However, in this case, the opposing flanges 24, 25 are not welded together and are electrically isolated from each other (eg, by mounting on a glass or ceramic rod not shown). It is arranged. This makes it possible to apply a static and dynamic focusing voltage V f (static + dynamic) to, for example, flange 25 and a static focusing voltage V f (static) to flange 24. . For the configuration shown in FIGS. 5 and 6, the coaxial central aperture 2
The metal flanges 24, 25 with 9, 30 act as low resistance electrodes. The openings 29, 30 may have a rotationally symmetrical shape as shown in FIG. When the openings 29 and 30 have a non-rotationally symmetric shape such as a quadrangle or an elongated shape (elliptical or rectangular) as shown in FIG. 6, an astigmatic lens is formed depending on activation. A quadrupole field is created between them. The applied dynamic focusing voltage has the effect of diverging the electron beam passing through the focusing lens in both horizontal and vertical directions. This divergence effect can be compensated in the horizontal direction and increased in the vertical direction by means of an astigmatic lens formed between the flanges 24, 25 when a dynamic and static focusing voltage is applied. This allows vertical and horizontal focusing to be performed independently. This is especially important for color display tubes (where dynamic astigmatic focusing is a problem).
【００２９】図7は、図6の集束レンズの構造と実質上同
一の構造を示す。しかしながら、この場合、別の横断電
極31がフランジ24と25の間に配置されている。この様に
して必要な静的かつ動的集束電圧を電極24、25及び31に
印加させることが可能となる。FIG. 7 shows a structure which is substantially the same as the structure of the focusing lens of FIG. However, in this case another transverse electrode 31 is arranged between the flanges 24 and 25. In this way it is possible to apply the required static and dynamic focusing voltage to the electrodes 24, 25 and 31.
【００３０】図9は、各々がビーム通過開口を有し、か
つ突起部54、55、56及び57に係合している二枚の金属フ
ランジ24′と25′を備えた低抵抗電極手段を有し、活性
化に応じて四極フィールドをフランジの間に発生させる
集束レンズ構成の一部を示す。FIG. 9 shows a low resistance electrode means with two metal flanges 24 'and 25' each having a beam passage opening and engaging projections 54, 55, 56 and 57. 2B shows a portion of a focusing lens arrangement having a quadrupole field between the flanges upon activation.
【００３１】図5、6、7と9の場合、集束レンズは、抵抗
構造を有する少なくとも二本のサブ管を常に備えてい
る。このため、サブ管の位置合わせずれが発生すること
がある。この位置合わせずれの発生は集束レンズの特に
前方に配置された補正手段によって補正することが出来
る。所望の補正は、例えば、電子銃のビーム発生部の最
後の電極（図1の電極9）に永久磁石材料のリング42を設
けかつ電子銃を表示管内にマウントした後に外部からこ
のリングを磁性化する事により実現される。図5、6と7
から、金属フランジ24、25（そして31）は、陽極（高）
電圧をフランジ23に印加する貫通接続ワイア32に相対的
に近接していることが明らかである。フランジ24、25
（及び31）は（低）集束電圧に維持されるので、この事
により、特にフランジがラフである（又は突起部を有す
る）場合、フランジ24、25（そして31）が貫通接続ワイ
ア32に対し望ましくない電子を放出する事がある。これ
を防ぐには、異なった電圧に維持される部品が、例え
ば、その物質の表面を酸化させるか又は絶縁層によりそ
れを被覆させることによる接続ワイアの絶縁化により、
決して互いに「会わ」ない様にすべきである。しかしな
がら、電気絶縁保護被覆は最も低い電圧に維持される部
品（例えば、フランジ24、25（そして31））に設けるこ
とが望ましい。セラミック材料又はガラスの薄い層が絶
縁に適している。後者の場合、アルミニウム隣ガラスを
選択するのが良い。これは、薄い層にして設けることが
可能でかつ低温で既に高粘度を有している。従って、使
用される金属とガラスの膨張係数に対し自由度が非常に
大きくなる。層の粘度が高くかつその厚みが薄い（ミク
ロンのオーダ）場合にも、この層は、それが設けられて
いる表面の生じ得る不規則性に容易に追随し、その結果
この表面を満足に被覆する事が出来る。これに代わる例
は、クロムを含む材料からフランジ24、25（そして31）
を製造しかつそれに酸化処理を行う事である。In the case of FIGS. 5, 6, 7 and 9, the focusing lens always comprises at least two subtubes with a resistive structure. For this reason, misalignment of the sub-tube may occur. The occurrence of this misalignment can be corrected by a correction unit arranged particularly in front of the focusing lens. The desired correction is, for example, to provide a ring 42 of permanent magnet material on the last electrode (electrode 9 in FIG. 1) of the beam generator of the electron gun and to magnetize this ring externally after mounting the electron gun in the display tube. It is realized by doing. Figures 5, 6 and 7
From the metal flanges 24, 25 (and 31) are the positive (high)
It is clear that it is relatively close to the feedthrough wire 32 which applies a voltage to the flange 23. Flange 24, 25
Since (and 31) is maintained at the (low) focusing voltage, this makes flanges 24, 25 (and 31) relative to feedthrough wire 32, especially if the flanges are rough (or have protrusions). May emit unwanted electrons. To prevent this, components maintained at different voltages can be insulated by connecting wires, for example by oxidizing the surface of the material or coating it with an insulating layer,
You should never "meet" each other. However, it is desirable to provide an electrical protective coating on the components that maintain the lowest voltage (eg, flanges 24, 25 (and 31)). A thin layer of ceramic material or glass is suitable for insulation. In the latter case, it is better to select the glass next to aluminum. It can be provided in thin layers and already has a high viscosity at low temperatures. Therefore, the degree of freedom becomes very large with respect to the expansion coefficient of the metal and glass used. Even if the layer has a high viscosity and a small thickness (on the order of microns), this layer easily follows the possible irregularities of the surface on which it is provided, so that it covers this surface satisfactorily. You can do it. An alternative example is flanges 24, 25 (and 31) made of chromium-containing material.
And to subject it to an oxidation treatment.
【００３２】不必要なフィールドエミッションの発生を
防ぐ別の方法を、図8を参照して説明する。Another method for preventing the generation of unnecessary field emission will be described with reference to FIG.
【００３３】この場合、二本の（又はそれ以上の）サブ
管（例えば各々35mmの長さを有する二本の管）の代わり
に、集束レンズ33は（例えば、70mmの長さを有する）一
本の管34を備えている。管34の内側面には、例えば、螺
旋パターンを有する高抵抗層35が前述した方法で設けら
れている。その両端には、そこに電気的に接続されてい
てかつ陽極電圧Vaを印加するフランジ36、37を設けても
良い。管34は、抵抗層35の螺旋パターンが設けられてい
ない部分と電気的にコンタクトしかつ（クランピング）
係合している（例えばCrNiからなる）同軸金属リング38
を内蔵している。集束リード40は、管34の壁内の（例え
ば、1.5×3mm）の開口39を介して集束電極として機能す
るクランピング・リング38に（例えば、レーザ溶接によ
り）溶接されている。この開口39は、抵抗層35を設けた
後に（例えば、サンドブラストにより）形成されること
が望ましい。この構成の場合、管34の壁が集束電極38を
陽極貫通接続ワイア41からシールドしているので、前述
したフィールドエミッション問題が防止される。動的集
束が生じる領域は、かなりの程度集束電極（この場合ク
ランピング・リング38）の幅によって決まる。螺旋部分
の間に位置する抵抗層35の中断されていない部分の幅も
この幅が集束電極の幅と異なる場合には機能する。静的
集束は螺旋パターンの長さに渡って発生する。In this case, instead of two (or more) subtubes (eg two tubes each having a length of 35 mm), the focusing lens 33 has a single focusing lens 33 (eg having a length of 70 mm). A book tube 34 is provided. The inner surface of the tube 34 is provided with the high resistance layer 35 having, for example, a spiral pattern by the method described above. At both ends thereof, flanges 36, 37 electrically connected thereto and for applying the anode voltage V a may be provided. The tube 34 electrically contacts and (clamps) the portion of the resistive layer 35 that is not provided with the spiral pattern.
Coaxial metal ring 38 (for example made of CrNi) engaged
Built in. Focusing lead 40 is welded (eg, by laser welding) to clamping ring 38, which functions as a focusing electrode, through an opening 39 (eg, 1.5 × 3 mm) in the wall of tube 34. This opening 39 is preferably formed (for example, by sandblasting) after providing the resistance layer 35. In this configuration, the wall of the tube 34 shields the focusing electrode 38 from the anode feedthrough wire 41, thus avoiding the field emission problem described above. The area where dynamic focusing occurs depends to a large extent on the width of the focusing electrode (in this case clamping ring 38). The width of the uninterrupted part of the resistive layer 35 located between the spirals also works if this width differs from the width of the focusing electrode. Static focusing occurs over the length of the spiral pattern.
【００３４】生じ得る高電圧問題を防止するために、集
束リード40が高電圧貫通接続ワイヤ41に「会わ」ないこ
とが重要である。これを実現するためにワイヤ41の位置
に対し120゜と180゜の角度で回転する位置に、開口39を
設けることが有益である。It is important that the focusing leads 40 do not "see" the high voltage feedthrough wires 41 to prevent possible high voltage problems. In order to achieve this, it is beneficial to provide the openings 39 at positions that rotate at 120 ° and 180 ° with respect to the position of the wire 41.
【００３５】その最も単純な形態の場合、同軸集束リン
グ38は動的集束が可能となるように回転対称である。本
発明の範囲内に於いては、回転対称リングとは、その周
辺が正確に円周に従う（閉じた）リングのみならず、二
個の端が僅かに重なっている、又は二個の端が一面内で
互いに対向して位置していて、小さなギャップを設ける
か又は突合せ接続の何れかにより、実質上（開放されて
いる）円状のリングをも意味するものと理解されるべき
である。In its simplest form, the coaxial focusing ring 38 is rotationally symmetric to allow dynamic focusing. Within the scope of the present invention, a rotationally symmetric ring is not only a ring whose circumference is exactly circumferential (closed) but also has two ends slightly overlapping or two ends. It is to be understood that it also means rings which are located in opposition to one another in one plane and which are substantially (open) by either a small gap or by a butt connection.
【００３６】個別のリング（38）の代わりに導電（低抵
抗）材料の層又はテープを集束電極として使用すること
が可能である。その様な層は、高抵抗構造35を設ける前
に管34の内側壁に設けることが出来る。別の方法は高抵
抗構造35を設けかつ導電材料の層、例えば「Leitsilbe
r」の名称で売られている導電ペイントの層によりそれ
を被覆することである。Instead of individual rings (38) it is possible to use a layer or tape of conductive (low resistance) material as the focusing electrode. Such a layer may be provided on the inner wall of tube 34 prior to providing high resistance structure 35. Another method is to provide a high resistance structure 35 and a layer of conductive material such as "Leitsilbe".
coating it with a layer of conductive paint sold under the name "r".
【００３７】既に前述したように本発明は、集束レンズ
領域に於いて四極電界を発生させる目的で動的非点収差
集束に使用することが出来る。しかしながら、これを集
束レンズ領域に於いて他の動的多重極フィールド、例え
ば（ビーム変位のための）動的二極フィールドを発生さ
せるために使用してもよい。As already mentioned above, the present invention can be used for dynamic astigmatic focusing for the purpose of generating a quadrupole field in the focusing lens area. However, it may also be used to generate other dynamic multipole fields in the focusing lens region, for example dynamic dipole fields (for beam displacement).
【００３８】動的信号をオーミックに抵抗レンズに結合
させるという本発明の原理は、投射型ＴV管に有利に使
用することが可能であるが、この原理はカラー表示管に
使用することも可能である。他の可能性は、高周波偏向
が、例えばオーミックに結合されている信号により動的
集束信号と同様に実行することが可能なオシロスコープ
管に使用することである。The principle of the invention of ohmic coupling of a dynamic signal to a resistive lens can be used to advantage in projection TV tubes, but it can also be used in color display tubes. is there. Another possibility is to use a high-frequency deflection in an oscilloscope tube, which can be performed like a dynamically focused signal, for example with an ohmic coupled signal.
【００３９】動的非点収差集束（Dynamic Astigmatic F
ocusing）は、例えば図10に示される態様で、前述した
事項とは異なった方法で実行することも可能である。こ
の場合集束レンズの抵抗層46は数mmの中間領域47で中断
している。この領域に於いて管状構造50の内側壁は、数
mmの長さの突起部に係合している二個の金属電極48、49
を保持している。各電極48、49は、電気的にコンタクト
するように抵抗層46にわずか重なっている。電極は、例
えばエッチング又はレーザによって指構造が設けられて
いる、非電気プロセスまたは真空蒸着プロセスにより設
けられている低抵抗材料の層から形成することも可能で
ある。支持体を合成材料のホイルとすることも可能であ
る。その代わりに図8に示されるタイプ24′、25′の電
極も可能である。図11はより詳細に領域47とその直接の
周辺を示している。電圧Vf（静的）は電極48に印加さ
れ、電圧Vf（静的＋動的）は電極49に印加される。The dynamic astigmatism focusing (D ynamic A stigmatic F
ocusing) can be performed in a manner different from the above-mentioned matter, for example, in the mode shown in FIG. In this case, the resistance layer 46 of the focusing lens is interrupted at an intermediate region 47 of a few mm. In this area, the inner wall of tubular structure 50
Two metal electrodes 48, 49 engaging the protrusions with a length of mm
Holding Each electrode 48, 49 slightly overlaps the resistive layer 46 to make electrical contact. The electrodes can also be formed from a layer of low resistance material provided by a non-electrical process or a vacuum deposition process, where the finger structure is provided by etching or laser, for example. It is also possible that the support is a foil of synthetic material. Alternatively, the type 24 ', 25' electrodes shown in FIG. 8 are also possible. FIG. 11 shows region 47 and its immediate surroundings in more detail. The voltage V f (static) is applied to the electrode 48 and the voltage V f (static + dynamic) is applied to the electrode 49.
【００４０】図12はより単純な解決法を示す。ここにお
いて螺旋パターンが形成されている抵抗層46は、（図
5、6、7、9、10と11に示されている構成の様に）所定の
（中間）領域に渡って中断されておらず、それは図9に
示される構成のように連続している。指構造は、抵抗層
46におけるスクラッチ51によって形成されている（スク
ラッチ当りの電圧降下を減少させるために複数の平行の
スクラッチが存在していても良い）。二個のテープ形状
の金属電極52、53の形態の管状構造が、このスクラッチ
から短距離（数mm）離れた位置で両側に設けられてい
る。これらの電極は図11に示される電極と同様な方法で
活性化される。これらのテープ形状の電極及び指の間の
距離を小さくすることによりDAF信号が指の間の端に入
り込むことが可能となる。この解決法は、精度が抵抗層
内のスクラッチにより決まり、テープ形状をした電極の
形状又は位置によっては決まらないという利点がある。FIG. 12 shows a simpler solution. Here, the resistance layer 46 in which the spiral pattern is formed is
It is not interrupted over a given (intermediate) area (as in the configurations shown in 5, 6, 7, 9, 10 and 11) and it is continuous as in the configuration shown in Figure 9. . The finger structure is the resistance layer
Formed by scratches 51 at 46 (multiple parallel scratches may be present to reduce the voltage drop per scratch). A tubular structure in the form of two tape-shaped metal electrodes 52, 53 is provided on both sides at a short distance (several mm) from this scratch. These electrodes are activated in a similar manner to the electrodes shown in FIG. Reducing the distance between these tape-shaped electrodes and the fingers allows the DAF signal to enter the edges between the fingers. This solution has the advantage that the accuracy depends on the scratches in the resistance layer and not on the shape or position of the tape-shaped electrode.
【００４１】後者の二例の方法を採用するとライン周波
数及びフィールド周波数でDAFが可能となる。他の有利
な点は指構造を有するDAF電極が非常に効果的である点
である。When the latter two methods are adopted, DAF can be performed at the line frequency and the field frequency. Another advantage is that DAF electrodes with finger structures are very effective.
【００４２】更に改良された例（図13参照）は、直方体
指（又は矩形波）構造をsin2φ函数の様なより緩慢に変
化するプロフィールによって置き換えることである。そ
のようなスクラッチ54は設けることがより容易であって
そしてレンズの誤差をより少なくする結果をもたらすで
あろう。この場合にも、電圧Vf（静的）及びVf（静的＋
動的）が各々印加されるテープ形状の電極52′と53′が
使用される。A further refinement (see FIG. 13) is to replace the rectangular parallelepiped (or square wave) structure with a more slowly varying profile such as the sin 2φ function. Such a scratch 54 would be easier to provide and would result in less lens error. Also in this case, the voltages V f (static) and V f (static +
Tape-shaped electrodes 52 'and 53', to which (dynamic) are respectively applied, are used.
【００４３】本発明は、層が螺旋構造を形成していない
これらの位置に於いてさえ、高抵抗層構造により固有の
RC時定数が長い状態が得られ、その結果動的集束信号の
ようなH.F.補正信号が、抵抗構造に進入せずあるいは殆
ど進入しないと言う認識に基づいている。この事は又集
束レンズ部分の外側の抵抗構造の部分が補正要素を構成
している場合にも成り立つ。これを前述した型の補正要
素としてもよく、又は円周上に配置されている複数の部
品（例えば2、4、又は8）を有する円柱状要素60として
も良い。それらの各々は、補正電圧を印加する電圧発生
手段に接続されるように設計されていて、それらの各々
はその抵抗を減少させる低抵抗電極手段にコンタクトさ
れている（図14参照）。各低抵抗電極手段は少なくとも
電圧コンタクトの領域に於いてそれ自身の補正要素部品
とコンタクトするべきである。必要に応じて、補正要素
部品を、集束レンズを構成する抵抗構造部分に電気的に
接続させることは可能である。The present invention is unique to the high resistance layer structure, even at those locations where the layers do not form a helical structure.
It is based on the recognition that long RC time constants are obtained, so that the HF correction signal, such as the dynamic focusing signal, does not enter or hardly penetrates the resistive structure. This also applies if the part of the resistive structure outside the focusing lens part constitutes the correction element. This may be a correction element of the type described above, or a cylindrical element 60 having a plurality of parts (for example 2, 4, or 8) arranged on the circumference. Each of them is designed to be connected to a voltage generating means for applying a correction voltage and each of them is in contact with a low resistance electrode means which reduces its resistance (see Figure 14). Each low resistance electrode means should contact its own compensating element component, at least in the area of the voltage contact. If necessary, it is possible to electrically connect the correction element component to the resistive structure part constituting the focusing lens.
【００４４】本発明の別の特徴点は、高抵抗補正要素の
各々の個別部分に低抵抗電極手段をコンタクトさせるこ
とにより、有効である補正要素に渡って動的補正信号が
充分速く拡散することが出来る程度にRC時定数が減少す
る領域が得られる点である。低抵抗電極手段は、例えば
管状構造の内側壁に設けられている薄い導電層から形成
することが可能である。真空蒸着、スパッタリング又は
ペインティングが、薄い導電層を設けるための適切な技
術の例である。この場合MHz領域までの周波数を有する
（例えば動的集束信号）の動的補正信号が所望の効果を
提供することも明らかである。Another feature of the present invention is that by contacting the low resistance electrode means to each individual portion of the high resistance correction element, the dynamic correction signal spreads sufficiently fast across the effective correction element. This is the point where an area where the RC time constant decreases to the extent that can be obtained is obtained. The low resistance electrode means can be formed, for example, from a thin conductive layer provided on the inner wall of the tubular structure. Vacuum deposition, sputtering or painting are examples of suitable techniques for providing a thin conductive layer. It is also clear that in this case a dynamic correction signal with a frequency up to the MHz range (eg a dynamic focusing signal) provides the desired effect.
【図１】 本発明の表示管を備えた画像表示装置の断
面図を線図的に示す。FIG. 1 diagrammatically shows a cross-sectional view of an image display device equipped with a display tube of the present invention.
【図２】 図1の装置の使用に適した電子銃の集束レ
ンズの一部についての長手方向の断面図の正面図であ
る。2 is a front view of a longitudinal cross-section of a portion of the focusing lens of an electron gun suitable for use with the apparatus of FIG.
【図３】 電子銃に使用することが出来る集束レンズ
第一実施例の基本ダイグラムを示す。FIG. 3 shows a basic diagram of a first example of a focusing lens that can be used in an electron gun.
【図４】 電子銃に使用することが出来る集束レンズ
第二実施例の基本ダイアグラムを示す。FIG. 4 shows a basic diagram of a second embodiment of a focusing lens that can be used in an electron gun.
【図５】 図3の基本ダイアグラムの具体例を示す。5 shows a specific example of the basic diagram of FIG.
【図６】 図3の基本ダイアグラムの具体例を示す。FIG. 6 shows a specific example of the basic diagram of FIG.
【図７】 図3の基本ダイアグラムの具体例を示す。FIG. 7 shows a specific example of the basic diagram of FIG.
【図８】 図3の基本ダイアグラムの別の具体例を示
す。FIG. 8 shows another specific example of the basic diagram of FIG.
【図９】 aは、非回転対称効果を発生させる電極手
段を有する集束レンズの一部の長手方向の断面図で、b
は、その斜視図である。FIG. 9a is a longitudinal sectional view of a part of a focusing lens having electrode means for generating a non-rotationally symmetric effect, and b
FIG. 4 is a perspective view thereof.
【図１０】 図9の構成の変形例を示す。FIG. 10 shows a modification of the configuration of FIG.
【図１１】 図9の構成の変形例を示す。FIG. 11 shows a modification of the configuration of FIG.
【図１２】 図9の構成の変形例を示す。FIG. 12 shows a modification of the configuration of FIG.
【図１３】 図9の構成の変形例を示す。FIG. 13 shows a modification of the configuration of FIG.
【図１４】 本発明の別の使用例を示す。FIG. 14 illustrates another use of the present invention.
1…ガラス包囲器 2…ディスプレイ窓
3…円錐部分 4…ネック 6…電子光学軸
7…陰極 8…グリッド電極 9…陽極
10…管状構造 11…抵抗構造 12…電子ビーム 13a…低抵抗金属入力電極 13b…低抵抗金属出
力電極 14…表示スクリーン 16…高抵抗層 17a、17b…横断金属電極板 18a、18b…中央同軸
開口 23、24、25、26…金属フランジ 29、30…開口
31…横断電極 32…貫通接続ワイア 33…集束レンズ
34…管 35…高抵抗構造 36、37…フランジ
38…集束電極 39…開口 40…集束リード
41…ワイヤ 42…リング 43…ビーム発生部
46…抵抗層 47…中間領域 48、49…金属電極
50…管状構造 51…スクラッチ 52、52′、53、53′
…金属電極 54、55、56、57…突起部 60…円柱状要素1… Glass enclosure 2… Display window
3… Conical part 4… Neck 6… Electronic optical axis
7 ... Cathode 8 ... Grid electrode 9 ... Anode
10 ... Tubular structure 11 ... Resistive structure 12 ... Electron beam 13a ... Low resistance metal input electrode 13b ... Low resistance metal output electrode 14 ... Display screen 16 ... High resistance layer 17a, 17b ... Transverse metal electrode plate 18a, 18b ... Central coaxial aperture 23, 24, 25, 26 ... Metal flange 29, 30 ... Opening
31 ... Transverse electrode 32 ... Through connection wire 33 ... Focusing lens
34 ... Pipe 35 ... High resistance structure 36, 37 ... Flange
38 ... Focusing electrode 39 ... Opening 40 ... Focusing lead
41 ... Wire 42 ... Ring 43 ... Beam generation part
46 ... Resistive layer 47 ... Intermediate region 48, 49 ... Metal electrode
50 ... Tubular structure 51 ... Scratch 52, 52 ', 53, 53'
… Metal electrodes 54, 55, 56, 57… Projection 60… Cylindrical element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルウィム・ヤン・ゴールフイス オランダ国 アインドーフェン フルーネ ヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ゲラルドゥス・ヤコブス・アルカディウ ス・ヘリングス オランダ国 アインドーフェン フルーネ ヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ゲラルドゥス・アルノルドゥス・ヘルマ ン・マリア・ブレイッセン オランダ国 アインドーフェン フルーネ ヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ティエルク・ゲリット・スパンヤー オランダ国 アインドーフェン フルーネ ヴァウツウェッハ １ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Gerwim Jan Golfisch Indofen Frühne Wautzwech 1 (72) Inventor Geraldus Jacobs Arcadius Herings Indofen Frühne Wautzwach 1 (72) Inventor Geraldus Arnoldus Hermann Maria Breissen Holland Aindorfen Flune Wautzwach 1 (72) Inventor Thierk Gerrit Spanyer Holland Aindorfen Flune Wautzwech 1
Claims (6)
して配置されている電子銃とを有する、電子光学軸に中
心を有する陰極と協同して電子ビーム発生部を構成する
複数の電極とを備えた表示管を有し、当該電子銃が、更
に、集束レンズを構成する高電気抵抗材料の抵抗構造が
設けられている外側表面と内側表面とを有する管状構造
を備えた画像表示装置に於いて、前記抵抗構造が、陽極
電圧を印加する第一電圧供給手段に接続されるように構
成されていてかつ軸方向に離間されている少なくとも二
個の電気コンタクトを有し、かつ当該電気コンタクトの
間に配置されている低抵抗電極手段に電気的に接続され
ていて、その電極手段が、静的集束電圧と動的補正電圧
を印加する第二電圧供給手段に接続されるように構成さ
れている事を特徴とする画像表示装置。1. A plurality of electrodes, which cooperate with a cathode having a center on an electron optical axis and have an electron gun having a display screen and an electron gun arranged to face the screen, are provided. In an image display device having a display tube, the electron gun further comprises a tubular structure having an outer surface and an inner surface provided with a resistance structure of a high electrical resistance material forming a focusing lens, The resistive structure has at least two axially spaced electrical contacts configured to be connected to a first voltage supply means for applying an anode voltage, and between the electrical contacts. It is electrically connected to the arranged low resistance electrode means, which electrode means is arranged to be connected to a second voltage supply means for applying a static focusing voltage and a dynamic correction voltage. Featuring Image display device.
を構成している抵抗構造を各々が有している少なくとも
二本の位置合わせされたサブ管を備え、かつ前記低抵抗
電極手段がビーム通過開口を有する少なくとも一枚の金
属板からなり、その金属板が、前記サブ管の向き合う端
の間に横切って配置されている事を特徴とする請求項１
記載の表示装置。2. The tubular structure comprises at least two aligned subtubes each having a resistive structure cooperatively forming a main focusing lens, and said low resistance electrode means. 2. At least one metal plate having a beam passage opening, the metal plate being disposed across between opposite ends of the sub-tube.
Display device described.
の位置合わせ誤差を補正する補正手段を備えている事を
特徴とする請求項２記載の表示装置。3. The display device according to claim 2, further comprising a correction unit that corrects a positioning error of the sub-tube that may occur in the beam generating unit.
その内側表面に設けられた抵抗構造を有している一本の
管を備え、前記抵抗構造と電気的コンタクトを行う導電
物質の、前記低抵抗電極手段を構成する管状構造が当該
管内に配置されていて、かつ前記管状構造が前記管の壁
内の開口を介して電気コンタクトに接続されている事を
特徴とする請求項１記載の表示装置。4. The tubular structure comprises a tube having a resistive structure provided on an inner surface thereof forming a focusing lens, wherein the conductive material is in electrical contact with the resistive structure. 2. The tubular structure constituting the low resistance electrode means is arranged in the tube, and the tubular structure is connected to an electrical contact through an opening in the wall of the tube. Display device.
前記電子ビームに非回転対称効果を与える事を特徴とす
る請求項１、２又は４記載の表示装置。5. The display device according to claim 1, wherein the low resistance electrode means gives a non-rotationally symmetric effect to the electron beam in response to activation.
して配置されている電子銃とを有する、電子光学軸に中
心を有する陰極と協同して電子ビーム発生部を構成する
複数の電極とを備えた表示管を有し、当該電子銃が、更
に、集束レンズを構成する高電気抵抗材料の抵抗構造が
設けられている内側表面を有する管状構造を備えた画像
表示装置に於いて、前記抵抗構造が、補正要素を構成す
る少なくとも二個の円周上に配置された部品を有し、各
部品が補正電圧を印加する電圧供給手段に接続されるよ
うに構成されていてかつ各々がその抵抗を減少させる低
抵抗電極手段にコンタクトされている事を特徴とする画
像表示装置。6. A display screen and an electron gun arranged to face the screen, and a plurality of electrodes forming an electron beam generating section in cooperation with a cathode centered on an electron optical axis. In an image display device having a display tube, the electron gun further comprising a tubular structure having an inner surface provided with a resistance structure of a high electrical resistance material forming a focusing lens, wherein the resistance structure is , Having at least two circumference-constituting parts constituting a compensating element, each part being configured to be connected to a voltage supply means for applying a compensating voltage and each reducing its resistance An image display device characterized in that it is in contact with a low resistance electrode means.
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