JPH0772092A - Method and apparatus for detecting crystal defect - Google Patents
Method and apparatus for detecting crystal defectInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レーザービームによる
結晶内部欠陥を検出するための方法と装置であって、全
反射を利用して結晶表面近傍に存在する結晶欠陥を検出
するようにした結晶欠陥検出方法とその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for detecting a crystal internal defect by a laser beam, wherein the crystal defect existing in the vicinity of the crystal surface is detected by utilizing total reflection. The present invention relates to a defect detection method and apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体結晶は赤外線を透過する性質を有
する。従来、この性質を利用して、図７に示すような方
法で結晶内に存在する結晶欠陥の検出が行なわれてい
た。すなわち、図７において、７１は欠陥検出対象たる
半導体結晶などのウェハ、７２は対物レンズ、７３はＣ
ＣＤセンサあるいはフォトダイオードアレイなどのセン
サであって、ウェハ７１の側壁面７５から赤外線レーザ
ービームＢを入射し、この入射された赤外線レーザービ
ームＢの通過経路上に存在する結晶欠陥ｄからの散乱光
を対物レンズ７２で集光してセンサ７３上に結像するこ
とにより、結晶中に存在する結晶欠陥を検出するように
していた。2. Description of the Related Art Semiconductor crystals have a property of transmitting infrared rays. Conventionally, by utilizing this property, crystal defects existing in the crystal have been detected by the method shown in FIG. That is, in FIG. 7, 71 is a wafer such as a semiconductor crystal as a defect detection target, 72 is an objective lens, and 73 is C.
A sensor such as a CD sensor or a photodiode array, which receives an infrared laser beam B from a side wall surface 75 of a wafer 71 and scatters light from a crystal defect d existing on a passing path of the incident infrared laser beam B. Was collected by the objective lens 72 and focused on the sensor 73 to detect crystal defects existing in the crystal.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】結晶欠陥は結晶中のど
の部分にも存在する。しかしながら、一般的にＶＬＳＩ
などを製造する際に問題となるのは、結晶表面７４から
数ミクロン程度の深さ範囲に存在する結晶欠陥である。
特に、ＭＯＳ系ディバイスの製造においては、極表面近
傍の欠陥の存在が問題となる。したがって、この範囲内
に存在する結晶欠陥を可能な限り精度良く検出できるこ
とが望ましいが、上記した従来方法によるときはこれが
困難であった。The crystal defects are present in every part of the crystal. However, in general, VLSI
A problem in manufacturing such as is a crystal defect existing in a depth range of several microns from the crystal surface 74.
In particular, the presence of defects near the pole surface is a problem in the manufacture of MOS devices. Therefore, it is desirable to be able to detect the crystal defects existing within this range as accurately as possible, but this is difficult when the above-mentioned conventional method is used.
【０００４】すなわち、結晶欠陥の検出対象となるウェ
ハ７１は、赤外線レーザービームＢを効率良く入射する
ために、その側壁面７５を平らな面としなければならな
い。実際の欠陥検査においては、結晶の劈開性を利用し
てウェハ７１を劈開し、平らな側壁面７５を得ている。
しかしながら、この劈開された側壁面７５の中心部は平
らであっても、周辺の稜線７６部分は凹凸のギザギザが
残ったり、角が潰れたり、あるいは角が欠けたりし、完
全な平面を得ることは困難であった。したがって、結晶
表面７４の近傍数ミクロン以下の浅い箇所の結晶欠陥を
調べるために、稜線７６付近から赤外線レーザービーム
Ｂを照射しても稜線部分で乱反射を起こしてしまい、赤
外線レーザービームＢを結晶中にビーム状に入射させる
ことが困難であった。That is, in order to efficiently enter the infrared laser beam B, the wafer 71, which is a target for detecting crystal defects, must have a flat side wall surface 75. In the actual defect inspection, the wafer 71 is cleaved by utilizing the cleaving property of the crystal, and the flat side wall surface 75 is obtained.
However, even if the central portion of the cleaved side wall surface 75 is flat, the peripheral ridge line 76 has uneven jagged edges, crushed corners, or lacked corners to obtain a perfect plane. Was difficult. Therefore, even if the infrared laser beam B is irradiated from the vicinity of the ridge line 76 in order to investigate a crystal defect at a shallow position near the crystal surface 74, which is a few microns or less, irregular reflection occurs at the ridge line portion, and the infrared laser beam B is generated in the crystal. It was difficult to make the beam incident on the beam.
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、ＶＬＳＩなどの
製造上最も重要である結晶表面近傍の欠陥の深さ方向の
位置検出精度を高め、結晶表面近傍の結晶欠陥を確実か
つ精度良く検出することのできる結晶欠陥検出方法とそ
の装置を提供することである。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to improve the accuracy of detecting the position in the depth direction of defects near the crystal surface, which is the most important in manufacturing VLSI and the like. It is an object of the present invention to provide a crystal defect detection method and apparatus capable of reliably and accurately detecting crystal defects near the crystal surface.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る結晶欠陥検出方法は、結晶表面で全反
射するように赤外線レーザービームを結晶側壁面から結
晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面の全反射
点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザービーム
の散乱光を当該赤外線レーザービームの走査面と直交す
る側に配置した観測光学系で検出することにより結晶表
面近傍の結晶欠陥を検出するようにしたものである。In order to achieve the above object, a crystal defect detecting method according to the present invention is designed such that an infrared laser beam is directed from a crystal side wall surface into a crystal so as to be totally reflected on the crystal surface. Crystals that are incident at an incident angle and are detected by an observation optical system arranged on the side orthogonal to the scanning surface of the infrared laser beam to detect the scattered light of the infrared laser beam from the crystal defect existing at the position of total reflection on the crystal surface. This is to detect crystal defects near the surface.
【０００７】また、本発明に係る結晶欠陥検出装置は、
結晶表面で全反射するように赤外線レーザービームを結
晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射角で入射する赤
外線レーザー光源と、入射された赤外線レーザービーム
の走査面と直交する側に配置した観測光学系とを備え、
全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザー
ビームの散乱光を前記観測光学系で検出することによ
り、結晶表面近傍の結晶欠陥を検出するようにしたもの
である。Further, the crystal defect detecting apparatus according to the present invention is
Observation that the infrared laser beam is incident from the side wall of the crystal toward the inside of the crystal at a predetermined incident angle so as to be totally reflected on the crystal surface, and the infrared laser beam is placed on the side orthogonal to the scanning surface of the incident infrared laser beam. Equipped with an optical system,
By detecting the scattered light of the infrared laser beam from the crystal defect existing at the position of the total reflection point with the observation optical system, the crystal defect near the crystal surface is detected.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の検出原理を図１〜図３を参照して説明
する。なお、図１は本発明の原理説明図、図２は赤外線
レーザービームの結晶への入射経路を説明するための結
晶部分の平面図、図３はセンサ上に結像された結晶欠陥
像である。The principle of detection according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is an explanatory view of the principle of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a crystal portion for explaining an incident path of an infrared laser beam to a crystal, and FIG. 3 is a crystal defect image formed on a sensor. .
【０００９】図１および図２において、１は半導体結晶
などのウェハ、２は結晶表面、３は対物レンズ、４はＣ
ＣＤセンサやフォトダイオードアレイなどのセンサであ
る。本発明の場合、赤外線レーザービームＢは、結晶表
面２において全反射するように、所定の入射角を与えて
結晶側壁面５から結晶表面２に向けて入射される。In FIGS. 1 and 2, 1 is a wafer such as a semiconductor crystal, 2 is a crystal surface, 3 is an objective lens, and 4 is C.
It is a sensor such as a CD sensor or a photodiode array. In the case of the present invention, the infrared laser beam B is incident from the crystal side wall surface 5 toward the crystal surface 2 with a predetermined incident angle so as to be totally reflected on the crystal surface 2.
【００１０】入射された赤外線レーザービームＢは、図
示するように結晶表面２において全反射するが、このと
き、この全反射点位置に結晶欠陥ｄが存在すれば、赤外
線レーザービームＢの一部はこの結晶欠陥ｄによって散
乱される。そこで、この全反射点の直上に位置して対物
レンズ３とセンサ４を設け、対物レンズ３によって結晶
欠陥ｄからの散乱光を集光し、図３に示すように、セン
サ４上にその結晶欠陥像ｄを結像させるようにしたもの
である。The incident infrared laser beam B is totally reflected on the crystal surface 2 as shown in the figure. At this time, if a crystal defect d exists at the position of this total reflection point, a part of the infrared laser beam B will be generated. It is scattered by this crystal defect d. Therefore, the objective lens 3 and the sensor 4 are provided directly above the total reflection point, the scattered light from the crystal defect d is condensed by the objective lens 3, and the crystal is formed on the sensor 4 as shown in FIG. The defect image d is formed.
【００１１】本発明の場合、従来の検出方法のように赤
外線レーザービームＢが結晶側壁面５の稜線に当たって
散乱されるようなことがなくなり、しかも、赤外線レー
ザービームＢはそのビーム径を自在に絞ることができる
ので、ビーム径を調整することにより結晶表面２からの
検出深さ範囲を調整することができる。したがって、従
来方法では困難であった結晶表面近傍の結晶欠陥を確実
かつ精度良く検出することが可能となる。In the case of the present invention, the infrared laser beam B does not hit the edge line of the crystal side wall surface 5 and is scattered unlike the conventional detection method, and the infrared laser beam B has its beam diameter narrowed freely. Therefore, the detection depth range from the crystal surface 2 can be adjusted by adjusting the beam diameter. Therefore, it becomes possible to reliably and accurately detect a crystal defect near the crystal surface, which was difficult with the conventional method.
【００１２】なお、図１において、赤外線レーザービー
ムＢの入射位置をＺ（上下）方向に走査すれば、結晶表
面２における全反射点をＺ方向に移動することができ
る。また、赤外線レーザービームＢの入射位置をＸ方向
に移動するかあるいは側壁面５への入射角度を変えれ
ば、結晶表面２における全反射点の位置をＹ方向に走査
することができる。したがって、赤外線レーザービーム
Ｂの入射位置とその入射角度を制御することにより、結
晶表面２の全面について結晶欠陥を検出することができ
る。In FIG. 1, if the incident position of the infrared laser beam B is scanned in the Z (vertical) direction, the total reflection point on the crystal surface 2 can be moved in the Z direction. Further, the position of the total reflection point on the crystal surface 2 can be scanned in the Y direction by moving the incident position of the infrared laser beam B in the X direction or changing the incident angle on the side wall surface 5. Therefore, by controlling the incident position and the incident angle of the infrared laser beam B, the crystal defect can be detected on the entire surface of the crystal surface 2.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図４は、本発明の結晶欠陥検出装置の１実施例の
ブロック図、図５はウエハと赤外線レーザー光源部分の
平面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a block diagram of one embodiment of the crystal defect detecting apparatus of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of a wafer and an infrared laser light source portion.
【００１４】図４および図５において、１は検出対象た
る半導体結晶のウェハ、２は結晶表面、３は対物レン
ズ、４は赤外線ＴＶカメラ６のＣＣＤセンサ、５は赤外
線レーザービームＢの入射される結晶側壁面、７はウェ
ハ１を載置して位置決めするための移動ステージ、８は
赤外線レーザー光源、９は赤外線レーザー光源８から放
射される赤外線レーザー光を所定のビーム径まで絞ると
ともに、所定の入射角を与えるためのレーザー光絞りレ
ンズである。例えば、図５に示すように、赤外線レーザ
ービームＢをレーザー光絞りレンズ９の周辺部を通すこ
とにより、赤外線レーザービームＢのウェハ１に対する
入射角を自在に変えることができる。なお、図１と同一
または同等部分には同一の符号を付して示した。4 and 5, 1 is a semiconductor crystal wafer to be detected, 2 is a crystal surface, 3 is an objective lens, 4 is a CCD sensor of an infrared TV camera 6, and 5 is an infrared laser beam B. Crystal side wall surface, 7 is a moving stage for mounting and positioning the wafer 1, 8 is an infrared laser light source, 9 is an infrared laser light radiated from the infrared laser light source 8 and a predetermined beam diameter It is a laser beam diaphragm lens for giving an incident angle. For example, as shown in FIG. 5, the incident angle of the infrared laser beam B on the wafer 1 can be freely changed by passing the infrared laser beam B through the peripheral portion of the laser beam diaphragm lens 9. In addition, the same or equivalent portions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００１５】１０は移動ステージ７をＺ（上下）方向に
移動するためのＺ軸移動モータ、１１は移動ステージ７
をＸ方向（図５参照）に移動するためのＸ軸移動モー
タ、１２は移動ステージ７をＹ方向（図５参照）に移動
するためのＹ軸移動モータである。ウェハ１を載せた移
動ステージ７は、これら３つのモータによってＸ，Ｙ，
Ｚの三軸方向に自在に移動できるようになされている。Reference numeral 10 is a Z-axis moving motor for moving the moving stage 7 in the Z (vertical) direction, and 11 is a moving stage 7.
Is an X-axis moving motor for moving the moving stage 7 in the X direction (see FIG. 5), and 12 is a Y-axis moving motor for moving the moving stage 7 in the Y direction (see FIG. 5). The moving stage 7 on which the wafer 1 is placed is moved by X, Y, and
It is designed so that it can move freely in the three Z directions.
【００１６】１３は対物レンズ３のピントをＣＣＤセン
サ４に合わせるための鏡筒長微調用モータ、１４は対物
レンズ３のピントを赤外線レーザービームＢの全反射点
１５位置に合わせるための焦点合わせ用モータであり、
これらモータを制御することにより対物レンズ３のピン
トを希望の位置に合わせることができる。Reference numeral 13 is a lens barrel length fine adjustment motor for adjusting the focus of the objective lens 3 to the CCD sensor 4, and 14 is focus for adjusting the focus of the objective lens 3 to the position 15 of the total reflection point of the infrared laser beam B. A motor,
The focus of the objective lens 3 can be adjusted to a desired position by controlling these motors.
【００１７】１６は赤外線ＴＶカメラ６のＣＣＤセンサ
４から読み出された画像信号をディジタルデータに変換
するためのＡ／Ｄコンバータ、１７は結晶欠陥の検出処
理を行なうコンピュータ、１８はコンピュータ１７に種
々の操作指令を入力するためのキーボード、１９は得ら
れた１画面分の結晶欠陥の画像データを格納するための
フレームメモリ、２０はフレームメモリ１９に格納され
た結晶欠陥の画像データに基づいて結晶欠陥画像を表示
するモニタ装置、２１はコンピュータ１７の制御の下に
各モータを駆動制御するモータコントローラである。Reference numeral 16 is an A / D converter for converting the image signal read from the CCD sensor 4 of the infrared TV camera 6 into digital data, 17 is a computer for detecting crystal defects, and 18 is a computer 17 for various purposes. A keyboard for inputting the operation command of No. 1, a frame memory 19 for storing the obtained image data of the crystal defect of one screen, and a crystal 20 based on the image data of the crystal defect stored in the frame memory 19. A monitor device 21 displays a defect image, and a motor controller 21 drives and controls each motor under the control of the computer 17.
【００１８】次に、前記実施例の動作について説明す
る。まず、結晶欠陥の検出対象となるウェハ１を移動ス
テージ７上に載置する。そして、赤外線レーザー光源８
の電源を入れるとともに、キーボード１８からコンピュ
ータ１７に検出開始位置を入力する。モータコントロー
ラ２１は、コンピュータ１７の制御の下に、モータ１
０，１１，１２を駆動し、移動ステージ２をＸ，Ｙ，Ｚ
の三軸方向に指定された量だけ移動し、赤外線レーザー
光源７から入射される赤外線レーザービームＢが結晶表
面２の指定された座標位置において全反射するように位
置制御する。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, the wafer 1 which is the target of crystal defect detection is placed on the moving stage 7. And the infrared laser light source 8
The power of is turned on and the detection start position is input from the keyboard 18 to the computer 17. The motor controller 21, under the control of the computer 17,
0, 11, 12 are driven to move the moving stage 2 to X, Y, Z
The position is controlled so that the infrared laser beam B incident from the infrared laser light source 7 is totally reflected at the specified coordinate position on the crystal surface 2 by moving by a specified amount in the three axis directions.
【００１９】この状態で、焦点合わせ用モータ１４を駆
動し、対物レンズ３のピントが赤外線レーザービームＢ
の全反射点１５位置に合うように調整した後、鏡筒長微
調用モータ１３を駆動し、対物レンズ３の結像位置がＣ
ＣＤセンサ４上に一致するように調整する。In this state, the focusing motor 14 is driven so that the objective lens 3 is focused on the infrared laser beam B.
After adjusting so as to match the position of the total reflection point 15 of C, the lens barrel length fine adjustment motor 13 is driven, and the image forming position of the objective lens 3 is changed to C.
Adjustment is made so as to match on the CD sensor 4.
【００２０】上記位置合わせとピント合わせを完了した
後、キーボード１８から検出動作の開始指令を与える
と、コンピュータ１７は次のようにして結晶表面２の近
傍に存在する結晶欠陥の検出動作を開始する。After completion of the above-mentioned alignment and focusing, when a command for starting the detecting operation is given from the keyboard 18, the computer 17 starts the detecting operation of the crystal defects existing in the vicinity of the crystal surface 2 as follows. .
【００２１】すなわち、ウェハ１の側壁面５から所定の
角度で入射された赤外線レーザービームＢは結晶表面２
に当たって全反射されるが、この赤外線レーザービーム
Ｂの全反射点１５位置に結晶欠陥があると、赤外線レー
ザービームＢの一部がこの結晶欠陥で散乱される。そし
て、この結晶欠陥からの散乱光は、対物レンズ３によっ
て集光され、ＣＣＤセンサ４上に図３のように結像され
る。That is, the infrared laser beam B incident from the side wall surface 5 of the wafer 1 at a predetermined angle is applied to the crystal surface 2
However, if there is a crystal defect at the total reflection point 15 position of the infrared laser beam B, a part of the infrared laser beam B is scattered by the crystal defect. Then, the scattered light from the crystal defect is condensed by the objective lens 3 and imaged on the CCD sensor 4 as shown in FIG.
【００２２】ＣＣＤセンサ４上に結像された結晶欠陥像
ｄの画像データは、図示を略したＣＣＤセンサ読出回路
によって画素単位で順次読み出され、Ａ／Ｄコンバータ
１６においてディジタルデータに変換された後、コンピ
ュータ１７に入力される。コンピュータ１７は、このＣ
ＣＤセンサ４から送られてくる結晶欠陥像の画像データ
をフレームメモリ１９の対応するアドレス位置に書き込
む。The image data of the crystal defect image d formed on the CCD sensor 4 is sequentially read out pixel by pixel by a CCD sensor readout circuit (not shown) and converted into digital data by the A / D converter 16. Then, it is input to the computer 17. The computer 17 uses this C
The image data of the crystal defect image sent from the CD sensor 4 is written in the corresponding address position of the frame memory 19.
【００２３】次いで、例えばＺ軸移動モータ１１を駆動
し、移動ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセン
サ４の画素単位でＺ（上下）方向に順次移動し、それぞ
れの位置において前記したと同様の結晶欠陥の検出動作
を行ない、それぞれの位置に存在する結晶欠陥の画像デ
ータをフレームメモリ１９に格納していく。このように
してウェハ１のＺ方向全幅に亘って赤外線レーザービー
ムＢを走査終了すると、結晶表面２近傍のＺ方向に沿っ
た結晶欠陥像を得ることができる。Then, for example, the Z-axis moving motor 11 is driven to move the moving stage 7 in a predetermined pitch, for example, in the Z (vertical) direction in units of pixels of the CCD sensor 4, sequentially, and at each position, the same as described above. The crystal defect detection operation is performed, and the image data of the crystal defect existing at each position is stored in the frame memory 19. When the scanning of the infrared laser beam B over the entire width of the wafer 1 in the Z direction is completed in this way, a crystal defect image along the Z direction near the crystal surface 2 can be obtained.
【００２４】次に、Ｘ軸移動モータ１１を駆動し、移動
ステージ７を所定のピッチ、例えばＣＣＤセンサ４の画
素単位でＸ方向（図５参照）に順次移動することによ
り、全反射点１５のＹ方向位置を順次変え、それぞれの
Ｙ方向位置において、前記したと同様のＺ方向に沿った
結晶欠陥の検出動作を行なう。Next, the X-axis moving motor 11 is driven to move the moving stage 7 in a predetermined pitch, for example, in the X direction (see FIG. 5) in units of pixels of the CCD sensor 4 to sequentially move the total reflection point 15. The Y-direction position is sequentially changed, and at each Y-direction position, the same crystal defect detection operation along the Z-direction is performed as described above.
【００２５】このようにして、結晶表面２の全面につい
て走査することにより、フレームメモリ１９には結晶表
面２の全面についての結晶欠陥の画像データが格納され
る。したがって、フレームメモリ１９に格納された画像
データをモニタ装置２１に表示すれば、例えば図６に示
すように、結晶表面から所定の深さ範囲内に存在するす
べての結晶欠陥の像を得ることができる。By scanning the entire crystal surface 2 in this manner, image data of crystal defects on the entire crystal surface 2 is stored in the frame memory 19. Therefore, if the image data stored in the frame memory 19 is displayed on the monitor device 21, for example, as shown in FIG. 6, an image of all crystal defects existing within a predetermined depth range from the crystal surface can be obtained. it can.
【００２６】なお、前記実施例は、移動ステージ２の移
動やレンズのピント合わせを各モータ１１〜１４，１６
によって自動的に行なうようにしたが、手動で行なって
もよいことは勿論である。また、半導体結晶を例に採っ
たが、レーザーに対して透明な結晶であれば、半導体結
晶に限らず他の結晶でも適用可能である。In the above embodiment, the motors 11 to 14 and 16 are used to move the moving stage 2 and focus the lens.
Although it is automatically performed by the above method, it may be manually performed. Further, although the semiconductor crystal is taken as an example, any crystal other than the semiconductor crystal can be applied as long as it is a crystal transparent to the laser.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法および
装置によるときは、結晶表面で全反射するように赤外線
レーザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の
入射角し、全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外
線レーザービームの散乱光を観測光学系で検出すること
により結晶表面近傍の結晶欠陥を検出するようにしたの
で、ＶＬＳＩなどの製造上最も重要である結晶表面近傍
の欠陥の深さ方向の位置検出精度を高めることができ、
結晶表面近傍の結晶欠陥を確実かつ精度良く検出するこ
とができる。As described above, according to the method and apparatus of the present invention, the infrared laser beam is directed to the inside of the crystal from the side wall surface of the crystal so as to be totally reflected on the crystal surface, and the total reflection point is obtained. Since the observation optical system detects the scattered light of the infrared laser beam from the crystal defect existing at the position, the crystal defect near the crystal surface is detected. It is possible to improve the position detection accuracy in the depth direction of the defect,
Crystal defects near the crystal surface can be detected reliably and accurately.
【図１】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図２】本発明における赤外線レーザービームの結晶へ
の入射経路を説明するための結晶部分の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a crystal portion for explaining an incident path of an infrared laser beam on a crystal according to the present invention.
【図３】センサ上に結像された結晶欠陥像を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a crystal defect image formed on a sensor.
【図４】本発明の結晶欠陥検出装置の１実施例のブロッ
ク図である。FIG. 4 is a block diagram of an embodiment of a crystal defect detection device of the present invention.
【図５】図４中のウェハと赤外線レーザー光源部分の平
面図である。5 is a plan view of the wafer and the infrared laser light source portion in FIG.
【図６】本発明方法で得られた結晶表面近傍の欠陥画像
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a defect image near the crystal surface obtained by the method of the present invention.
【図７】従来方法の原理説明図である。FIG. 7 is a diagram illustrating the principle of a conventional method.
１ ウェハ ２ 結晶表面 ３ 対物レンズ ４ センサ ５ 結晶側壁面 Ｂ 赤外線レーザービーム ｄ 結晶欠陥 1 Wafer 2 Crystal Surface 3 Objective Lens 4 Sensor 5 Crystal Sidewall Surface B Infrared Laser Beam d Crystal Defect
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 智哉 東京都豊島区目白１丁目５番１号 学習院 大学内 (72)発明者 南郷 脩史 東京都新宿区早稲田鶴巻町540番 キリン １ｓｔビル ラトックシステムエンジニア リング株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tomoya Ogawa 1-5-1, Mejiro, Toshima-ku, Tokyo Gakuin-in University (72) Inventor Nanshi 540, Kirin 1st Building, Tsurumaki-cho, Waseda, Shinjuku-ku, Tokyo Ratok System Engineer Ring Co., Ltd.
Claims (2)
ザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射
角で入射し、 結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外
線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザービーム
の走査面と直交する側に配置した観測光学系で検出する
ことにより結晶表面近傍の結晶欠陥を検出することを特
徴とする結晶欠陥検出方法。1. An infrared laser from a crystal defect existing at a position of total reflection on the crystal surface, which is an infrared laser beam incident from the side wall of the crystal toward the inside of the crystal so as to be totally reflected on the crystal surface. A crystal defect detecting method, characterized in that a crystal defect near a crystal surface is detected by detecting scattered light of the beam with an observation optical system arranged on a side orthogonal to a scanning surface of the infrared laser beam.
ザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射
角で入射する赤外線レーザー光源と、 入射された赤外線レーザービームの走査面と直交する側
に配置した観測光学系とを備え、 結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外
線レーザービームの散乱光を前記観測光学系で検出する
ことにより結晶表面近傍の結晶欠陥を検出するようにし
たことを特徴とする結晶欠陥検出装置。2. An infrared laser light source which makes an infrared laser beam incident at a predetermined incident angle from the side wall surface of the crystal into the crystal so as to be totally reflected on the crystal surface, and is orthogonal to a scanning surface of the incident infrared laser beam. With the observation optical system arranged on the side, the crystal defect near the crystal surface is detected by detecting the scattered light of the infrared laser beam from the crystal defect existing at the position of the total reflection point on the crystal surface by the observation optical system. A crystal defect detection device characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000293A JP3348168B2 (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Crystal defect detection method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000293A JP3348168B2 (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Crystal defect detection method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772092A true JPH0772092A (en) | 1995-03-17 |
| JP3348168B2 JP3348168B2 (en) | 2002-11-20 |
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ID=16744397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22000293A Expired - Lifetime JP3348168B2 (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Crystal defect detection method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348168B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2321964A (en) * | 1997-02-05 | 1998-08-12 | Advantest Corp | Detecting the surface condition of a semiconductor wafer |
| EP3926330A1 (en) * | 2014-12-05 | 2021-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for defect detection in work pieces |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP22000293A patent/JP3348168B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US6172749B1 (en) | 1997-02-05 | 2001-01-09 | Advantest Corporation | Method of and apparatus for detecting a surface condition of a wafer |
| DE19804370C2 (en) * | 1997-02-05 | 2001-03-01 | Advantest Corp | Device for detecting the surface condition of a wafer |
| EP3926330A1 (en) * | 2014-12-05 | 2021-12-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for defect detection in work pieces |
| US11726126B2 (en) | 2014-12-05 | 2023-08-15 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
| US11892493B2 (en) | 2014-12-05 | 2024-02-06 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3348168B2 (en) | 2002-11-20 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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