JP2003315014A - Inspection method and inspection device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection method capable of effectively inspecting a plurality of measurement and characteristics to be inspected, and to provide an inspection device. <P>SOLUTION: The bump inspection device is provided with a 1st and a 2nd frame memories (image buffer 1, 2) for storing images taken by a CCD. An image inputting circuit inputs taken image data to the 1st frame memory or the 2nd frame memory alternately. While one memory is taking the image data, another memory is subjected to processing taken image data for measurement and inspection. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は検査方法及び検査装
置に係り、詳しくはバンプが実装された半導体ウェハを
検査する検査方法及び検査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus, and more particularly to an inspection method and an inspection apparatus for inspecting a semiconductor wafer on which bumps are mounted.

【０００２】近年、半導体デバイスにおいては、半導体
チップと実装用基板とを接合電極であるバンプを介して
接続する方法が採用されている。その際、バンプの形
状，高さ，寸法，位置等の不揃いやバンプ実装面におけ
る塵・バンプカス等の異物は半導体チップと実装用基板
との接合不良の原因の１つとなる。このため、バンプに
関する種々の計測・検査のみならず、バンプが実装され
た半導体ウェハの検査を短時間でかつ効率的に行うこと
が求められている。In recent years, in semiconductor devices, a method of connecting a semiconductor chip and a mounting substrate via bumps which are bonding electrodes has been adopted. At this time, irregularities in the shape, height, size, position, etc. of the bumps and foreign matter such as dust and bump residue on the bump mounting surface are one of the causes of defective bonding between the semiconductor chip and the mounting substrate. Therefore, it is required to efficiently perform not only various measurements and inspections on bumps but also inspections of semiconductor wafers on which the bumps are mounted.

【０００３】[0003]

【従来の技術】従来、バンプの計測・検査を行う検査装
置は、一般に２次元計測・検査装置及び３次元計測・検
査装置（以下、２次元系装置，３次元系装置）を含み、
それらは互いに干渉しない位置に設置されている。2. Description of the Related Art Conventionally, inspection devices for measuring and inspecting bumps generally include two-dimensional measurement / inspection devices and three-dimensional measurement / inspection devices (hereinafter, two-dimensional system devices, three-dimensional system devices).
They are installed in positions that do not interfere with each other.

【０００４】２次元系装置は、ステージに吸着固定され
る半導体ウェハの上方にＣＣＤカメラを備え、このＣＣ
Ｄカメラにより撮像したバンプの画像データに基づいて
バンプの寸法計測及び位置ずれ検査を行う。一方、３次
元系装置は、半導体ウェハの斜め上方に配置されるレー
ザ及び音響光学偏向器（ＡＯＤ）と、そのレーザと対称
位置となる半導体ウェハの斜め上方に配置される位置検
出器（ＰＳＤ）とを備え、それらによりバンプの高さ計
測を三角測量法を用いて行う。具体的には、３次元系装
置は、レーザから発射されるレーザ光をＡＯＤにより偏
向させてバンプに斜め上方から照射し、バンプ頂点から
の反射光及びそのバンプ近傍におけるウェハ表面からの
反射光をＰＳＤにより受光する。そして、３次元系装置
は、そのＰＳＤにより受光したバンプ頂点からの反射光
とウェハ表面からの反射光との差を検出することで、バ
ンプの高さを測定する。The two-dimensional system device is equipped with a CCD camera above a semiconductor wafer that is suction-fixed to a stage,
Based on the image data of the bump imaged by the D camera, the bump dimension measurement and displacement inspection are performed. On the other hand, the three-dimensional system device includes a laser and an acousto-optic deflector (AOD) arranged obliquely above the semiconductor wafer, and a position detector (PSD) arranged obliquely above the semiconductor wafer at a position symmetrical to the laser. And the height of the bump is measured by using the triangulation method. Specifically, the three-dimensional device deflects the laser light emitted from the laser by the AOD and irradiates the bump from diagonally above, and reflects the reflected light from the bump apex and the reflected light from the wafer surface in the vicinity of the bump. Light is received by PSD. Then, the three-dimensional system measures the height of the bump by detecting the difference between the reflected light from the bump apex received by the PSD and the reflected light from the wafer surface.

【０００５】検査装置は、このような２次元系装置と３
次元系装置による計測・検査処理を同時に且つ並列して
行う。これにより、従来では、バンプの寸法計測及び位
置ずれ検査に加えてバンプの高さ計測を１回の処理で行
うことが可能である。The inspection device is composed of such a two-dimensional system device and a three-dimensional system.
Simultaneous and parallel measurement / inspection processing by a dimensional system device. As a result, conventionally, it is possible to perform bump height measurement in a single process in addition to bump dimension measurement and displacement inspection.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
ウェハ上の塵やバンプカス等の異物を検出するための検
査は、上述した検査装置とは別の装置、例えばウェハに
形成されたパターンを検査するパターニング検査用のＣ
ＣＤカメラ等を併設してバンプの寸法・高さ計測や位置
ずれ検査と異なる別の検査工程で行われる。即ち、バン
プを計測・検査の対象とする従来の２次元系装置では、
ウェハに存在する異物を検出することができなかった。By the way, in the prior art,
An inspection for detecting foreign matter such as dust or bump residue on the wafer is performed by a device different from the above-mentioned inspection device, for example, C for patterning inspection for inspecting a pattern formed on the wafer.
It is carried out in a separate inspection process that is different from the bump dimension / height measurement and position shift inspection with a CD camera installed. That is, in the conventional two-dimensional system device in which the bump is the object of measurement / inspection,
The foreign matter present on the wafer could not be detected.

【０００７】これにより、検査装置の設備コストが増加
するという問題があった。また、異物の検出検査がバン
プの計測・検査に対して別途行われるため、結果として
全体の検査時間が長くなるという問題があった。こうし
たことから、従来の検査装置では、他の検査項目を追加
して行う場合は、その検査に適した装置を用いる必要が
あるため、検査コストが上昇し、様々な検査を効率的に
行うことができなかった。As a result, there is a problem that the equipment cost of the inspection device increases. Further, since the foreign matter detection inspection is separately performed for the bump measurement / inspection, there is a problem that the entire inspection time becomes long as a result. For this reason, in the conventional inspection device, when additional inspection items are added, it is necessary to use a device suitable for the inspection, which increases the inspection cost and efficiently performs various inspections. I couldn't.

【０００８】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は複数の計測・検査項目を
効率的に行うことのできる検査方法及び検査装置を提供
することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an inspection method and an inspection apparatus capable of efficiently performing a plurality of measurement / inspection items.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明によれば、検査装置は、所定
強度の測定光を半導体ウェハに照射し該半導体ウェハ上
で前記測定光を走査させる走査装置と、半導体ウェハか
らの反射光及び該半導体ウェハに形成されたバンプから
の反射光を検出する検出装置と、半導体ウェハの所定領
域を撮像する撮像装置とを備え、バンプの高さ計測、寸
法計測、位置ずれ検査、ブリッジ検査、ミッシング検査
及び異物検出検査を１回の処理工程で行う。このような
検査装置では、別途新たに検査装置を追加せずに、複数
の検査項目を効率的に行うことができる。In order to achieve the above object, according to the invention of claim 1, an inspection apparatus irradiates a semiconductor wafer with a measuring light having a predetermined intensity, and the measuring light is irradiated on the semiconductor wafer. A scanning device that scans the semiconductor wafer, a detection device that detects reflected light from the semiconductor wafer and reflected light from the bumps formed on the semiconductor wafer, and an imaging device that images a predetermined region of the semiconductor wafer. Measurement, dimension measurement, position shift inspection, bridge inspection, missing inspection, and foreign matter detection inspection are performed in one processing step. In such an inspection device, it is possible to efficiently perform a plurality of inspection items without adding a new inspection device separately.

【００１０】請求項２に記載の発明によれば、検査装置
は、撮像装置からの画像データを２値化処理し、その２
値化処理により抽出されるブロッブの重心位置と理論座
標位置にあるバンプの中心位置とが一致するか否かを判
断する。そして、一致するブロッブについてバンプの寸
法計測を行う。この方法では、バンプの寸法計測を高精
度かつ効率的に行うことが可能であり、その結果、バン
プの位置ずれ検査、ブリッジ検査、ミッシング検査に加
えて、ウェハＷ表面の異物検出検査を高精度かつ効率的
に行うことが可能である。According to the second aspect of the present invention, the inspection device binarizes the image data from the image pickup device, and
It is determined whether or not the position of the center of gravity of the blob extracted by the binarization process and the center position of the bump at the theoretical coordinate position match. Then, the bump dimensions are measured for the matching blobs. With this method, it is possible to measure the dimensions of the bumps with high accuracy and efficiency, and as a result, in addition to the displacement inspection of the bumps, the bridge inspection, the missing inspection, the foreign matter detection inspection of the surface of the wafer W can be performed with high accuracy. And can be done efficiently.

【００１１】請求項３に記載の発明によれば、前記位置
ずれ検査では、半導体ウェハをマトリクス状に区画して
複数の統計領域に分割し、該統計領域毎に算出した位置
ずれ値の平均値と個々の位置ずれ値との差を算出するよ
うにした。これにより、機械的誤差の影響を小さくして
位置ずれ検査を精度良く行うことができる。According to the third aspect of the present invention, in the positional shift inspection, the semiconductor wafer is divided into a plurality of statistical regions and divided into a plurality of statistical regions, and the average value of the positional shift values calculated for each of the statistical regions is calculated. And the difference between each positional deviation value is calculated. As a result, the influence of mechanical error can be reduced and the positional deviation inspection can be performed accurately.

【００１２】請求項４に記載の発明によれば、前記位置
ずれ検査では、半導体ウェハを吸着固定するステージの
回転軸を中心として該半導体ウェハを２以上の領域に分
割し、各領域内で算出した前記ステージのθ方向の誤差
補正値に従って位置ずれ値を補正する。これにより、位
置ずれ検査をより高精度に行うことができる。According to the fourth aspect of the present invention, in the position shift inspection, the semiconductor wafer is divided into two or more regions around the rotation axis of the stage for sucking and fixing the semiconductor wafer, and calculation is performed within each region. The positional deviation value is corrected according to the error correction value in the θ direction of the stage. Thereby, the displacement inspection can be performed with higher accuracy.

【００１３】請求項５に記載の発明によれば、半導体ウ
ェハを吸着固定するステージの等速移動中に前記画像デ
ータを取り込み、位置ずれ検査及び異物検出検査をステ
ージの加減速期間中に行う。これにより、さらに効率的
に計測・検査処理を行うことが可能である。According to the fifth aspect of the invention, the image data is taken in during the constant speed movement of the stage for sucking and fixing the semiconductor wafer, and the positional deviation inspection and the foreign matter detection inspection are performed during the acceleration / deceleration period of the stage. As a result, it is possible to perform the measurement / inspection processing more efficiently.

【００１４】請求項６に記載の発明によれば、所定強度
の測定光を半導体ウェハに照射し該半導体ウェハ上で前
記測定光を走査させる走査装置と、前記半導体ウェハか
らの反射光及び該半導体ウェハに形成されたバンプから
の反射光を検出する検出装置と、前記半導体ウェハの所
定領域を撮像する撮像装置とを備え、前記半導体ウェハ
に形成されたバンプの検査を行う検査装置は、前記撮像
装置から取り込まれた画像データを格納するための記憶
手段を少なくとも２つ備える。これにより、一方のメモ
リに画像データの取り込みが行われる期間中に、他方の
メモリに取り込まれている画像データの計測・検査処理
が行うことが可能であるため、計測・検査処理を効率的
に行うことが可能である。According to the invention described in claim 6, a scanning device for irradiating a semiconductor wafer with a measuring light of a predetermined intensity and scanning the measuring light on the semiconductor wafer, a reflected light from the semiconductor wafer and the semiconductor. The inspection device that includes a detection device that detects reflected light from the bumps formed on the wafer and an image pickup device that picks up an image of a predetermined region of the semiconductor wafer, and is an inspection device that inspects the bumps formed on the semiconductor wafer is the image pickup device. At least two storage means for storing the image data captured from the apparatus are provided. As a result, the measurement / inspection processing of the image data captured in the other memory can be performed during the period in which the image data is captured in one memory, so that the measurement / inspection processing can be performed efficiently. It is possible to do.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態を図１〜図１７に従って説明する。図１は、バンプ
検査装置の測定光学系を示す概略図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic diagram showing a measurement optical system of a bump inspection apparatus.

【００１６】バンプ検査装置１１は、バンプが形成され
た半導体ウェハＷを吸着固定するためのＸＹＺθステー
ジ（以下、ステージ）１２と、そのステージ１２に載置
されたウェハＷの上方にて配置される撮像装置１３と、
ウェハＷの斜め上方にて配置される走査装置１４及び検
出装置１５とを備える。走査装置１４と検出装置１５は
互いに対象となる位置に配置されている。The bump inspection apparatus 11 is arranged above an XYZθ stage (hereinafter referred to as a stage) 12 for sucking and fixing a semiconductor wafer W on which bumps are formed, and above the wafer W placed on the stage 12. The imaging device 13;
The scanning device 14 and the detection device 15 are provided diagonally above the wafer W. The scanning device 14 and the detection device 15 are arranged at positions that are in symmetry with each other.

【００１７】ステージ１２は、図示しない駆動機構によ
り、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動可能且つθ方向（図
示略）に回転可能に設けられている。また、このステー
ジ１２には、該ステージ１２に吸着固定されたウェハＷ
に対する撮像装置１３、走査装置１４及び検出装置１５
の各配置位置を補正して、撮像装置１３によるウェハＷ
の撮像位置を調整するための認識マークＡＭが設置され
ている。The stage 12 is provided so as to be movable in the X, Y, and Z directions and rotatable in the θ direction (not shown) by a driving mechanism (not shown). In addition, the wafer W that is attracted and fixed to the stage 12 is attached to the stage 12.
Device 13, scanning device 14 and detection device 15 for
Of the wafer W by the image pickup device 13 by correcting each arrangement position of
A recognition mark AM for adjusting the imaging position of is installed.

【００１８】撮像装置１３は、光源１６、ＣＣＤ１７、
光学フィルタ１８を含む。詳述すると、光源１６から放
射された光は、図示しないレンズ（コリメータレンズ
等）により略平行化されて、光透過性を有するハーフミ
ラ１９によりその一部が９０度に屈折された後、図示し
ない対物レンズを介してウェハＷに照射される。このウ
ェハＷからの反射光は、前記対物レンズを介して略平行
化されて、その一部がハーフミラ１９を透過した後、図
示しない結像レンズを介してＣＣＤ１７上に拡大結像さ
れる。光学フィルタ１８は、特定波長の光を遮断するた
めのフィルタであり、後述する走査装置１４からのレー
ザ光がＣＣＤ１７へ写り込むことを防止する。The image pickup device 13 includes a light source 16, a CCD 17,
An optical filter 18 is included. More specifically, the light emitted from the light source 16 is substantially collimated by a lens (collimator lens or the like) not shown, and a part thereof is refracted at 90 degrees by the half mirror 19 having optical transparency, and then not shown. The wafer W is irradiated through the objective lens. The reflected light from the wafer W is substantially collimated via the objective lens, and a part of the light is transmitted through the half mirror 19, and thereafter, an enlarged image is formed on the CCD 17 via an image forming lens (not shown). The optical filter 18 is a filter for blocking light of a specific wavelength, and prevents laser light from the scanning device 14 described later from being reflected on the CCD 17.

【００１９】走査装置１４は、レーザ２０、音響光学偏
向器（Acousto-Optical Deflector:以下、ＡＯＤ）２１
を含み、検出装置１５は、位置検出器（Position Sensi
tiveDefrector: 以下、ＰＳＤ）２２を含む。詳述する
と、レーザ２０から放射されたレーザ光（平行光束）
は、ＡＯＤ２１により図中Ｘ方向に所定の走査幅で偏向
され、図示しないレンズを介してウェハＷに照射され
る。このウェハＷに斜め上方から照射されたレーザ光
は、バンプの頂点及びその近傍におけるウェハＷの表面
で反射され、それらの反射光は、図示しないレンズを介
してＰＳＤ２２に受光される。The scanning device 14 includes a laser 20 and an acousto-optical deflector (AOD) 21.
The detection device 15 includes a position detector (Position Sensi
tiveDefrector: hereinafter, PSD) 22 is included. More specifically, laser light (parallel light flux) emitted from the laser 20.
Is deflected by the AOD 21 in the X direction in the drawing with a predetermined scanning width, and is irradiated onto the wafer W through a lens (not shown). The laser light radiated onto the wafer W from diagonally above is reflected by the surface of the wafer W at the apex of the bump and its vicinity, and the reflected light is received by the PSD 22 via a lens (not shown).

【００２０】このように構成されたバンプ検査装置１１
は、撮像装置１３によりウェハＷの２次元的な画像を撮
像し、その画像データに基づいて各バンプ及びウェハＷ
の表面に関する２次元系の検査を行う。尚、本実施形態
では、２次元系の検査は、バンプの寸法計測、位置ずれ
検査、バンプがショートしていないか否かの検査（ブリ
ッジ検査）、バンプが全て形成されているか否かの検査
（ミッシング検査）及びウェハＷの面上における塵やバ
ンプカス等の異物検出検査を含む。また、バンプ検査装
置１１は、ＰＳＤ２２で受光したバンプ頂点及びウェハ
Ｗ表面からの反射光に基づいてバンプに関する３次元系
の検査を行う。尚、本実施形態では、３次元系の検査
は、バンプの高さ計測を含み、この計測結果に基づいて
バンプ間の平坦度（コプラナリティ）を検査する。The bump inspection device 11 having the above-mentioned structure
Captures a two-dimensional image of the wafer W by the imaging device 13, and based on the image data, the bumps and the wafer W.
Perform a two-dimensional inspection of the surface of the. In the present embodiment, the inspection of the two-dimensional system includes the dimension measurement of the bumps, the position shift inspection, the inspection whether the bumps are not short-circuited (bridge inspection), and the inspection whether all the bumps are formed. (Missing inspection) and foreign matter detection inspection such as dust and bump debris on the surface of the wafer W are included. The bump inspection device 11 also performs a three-dimensional inspection of the bumps based on the bump vertices received by the PSD 22 and the reflected light from the surface of the wafer W. In this embodiment, the three-dimensional inspection includes bump height measurement, and the flatness (coplanarity) between the bumps is inspected based on the measurement result.

【００２１】図２は、バンプ検査装置の回路構成を示す
ブロック図である。バンプ検査装置１１は、制御用端末
としてのコンソール２３と、そのコンソール２３に入力
されるユーザからの指示に基づいて各種の検査に対応し
た制御データを生成する第１〜第３制御装置２４〜２６
とを備える。具体的には、第１制御装置２４は、コンソ
ール２３からの指示に対応した制御データを第２及び第
３制御装置２５，２６に出力する。第２制御装置２５
は、第１制御装置２４から出力される制御データに応答
してステージ１２、ＡＯＤ２１及びＰＳＤ２２を駆動制
御する。また、第３制御装置２６は、第１制御装置２４
から出力される制御データに応答してＣＣＤ１７を駆動
制御する。FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of the bump inspection apparatus. The bump inspection apparatus 11 includes a console 23 as a control terminal, and first to third control apparatuses 24 to 26 that generate control data corresponding to various inspections based on a user's instruction input to the console 23.
With. Specifically, the first control device 24 outputs control data corresponding to the instruction from the console 23 to the second and third control devices 25 and 26. Second control device 25
Drives and controls the stage 12, the AOD 21, and the PSD 22 in response to the control data output from the first controller 24. In addition, the third control device 26 is the first control device 24.
The CCD 17 is driven and controlled in response to the control data output from.

【００２２】以下、第１〜第３制御装置２４〜２６の構
成を図３〜図５に従って詳述する。図３は、第１制御装
置２４のブロック図である。第１制御装置２４は、ユー
ザインタフェース３１、データメモリ３２及びデータ通
信部３３を含む。The configurations of the first to third control devices 24 to 26 will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram of the first control device 24. The first control device 24 includes a user interface 31, a data memory 32, and a data communication unit 33.

【００２３】ユーザインタフェース３１は、コンソール
２３を介して入力されるユーザからの指示に基づいて制
御データを作成する機能や各種の検査結果の表示を行う
ための機能等を備える。データメモリ３２には、アライ
メント情報、ウェハ情報、バンプ種類等を記憶した品種
データ３４及び後述する第２及び第３制御装置２５，２
６での各計測／検査の結果を記憶した計測結果データ３
５が格納される。The user interface 31 has a function of creating control data based on a user's instruction input via the console 23, a function of displaying various inspection results, and the like. The data memory 32 stores product type data 34 in which alignment information, wafer information, bump types, etc. are stored, and second and third control devices 25, 2 described later.
Measurement result data 3 that stores the results of each measurement / inspection in 6
5 is stored.

【００２４】このような第１制御装置２４は、ユーザイ
ンタフェース３１からの制御データに基づいて検査対象
となるウェハＷの品種データ３４をデータメモリ３２か
ら抽出し、それをデータ通信部３３から第２及び第３制
御装置２５，２６へ送信する。また、第１制御装置２４
は、第２及び第３制御装置２５，２６からの各計測結果
をデータ通信部３３にて受信し、それをデータメモリ３
２に格納する。The first control device 24 as described above extracts the type data 34 of the wafer W to be inspected from the data memory 32 based on the control data from the user interface 31, and the second data from the data communication unit 33 to the second type. And the third control device 25, 26. In addition, the first control device 24
Receives the measurement results from the second and third control devices 25 and 26 at the data communication unit 33, and receives them from the data memory 3
Store in 2.

【００２５】図４は、第２制御装置２５のブロック図で
ある。第２制御装置２５は、高さ演算回路４１、高さメ
モリ４２、ＡＯＤ駆動回路４３、ステージ駆動回路４
４、アドレス計算回路４５、計測部４６及びデータ通信
部４７を含む。FIG. 4 is a block diagram of the second controller 25. The second control device 25 includes a height calculation circuit 41, a height memory 42, an AOD drive circuit 43, and a stage drive circuit 4.
4, an address calculation circuit 45, a measurement unit 46, and a data communication unit 47.

【００２６】高さ演算回路４１は、ＰＳＤ２２の両電極
から入力される電流値Ｉ１，Ｉ２に基づいてウェハＷの
バンプに照射される光点の高さを算出し、それをデジタ
ル化した高さデータＨをメモリ４２に格納する。ＡＯＤ
駆動回路４３は、ＡＯＤ２１を駆動し、その駆動信号に
含まれる走査位置情報をアドレス計算回路４５に出力す
る。ステージ駆動回路４４は、ステージ１２を駆動し、
それにより駆動したステージ１２の位置情報を検出して
アドレス計算回路４５に出力する。アドレス計算回路４
５は、ＡＯＤ駆動回路４３及びステージ駆動回路４４か
らそれぞれ出力される位置情報に基づいて、高さメモリ
４２に格納されている高さデータＨの格納アドレスを指
定する。計測部４６は、その格納アドレスに基づいて高
さメモリ４２内から高さデータＨを抽出し、該高さデー
タＨに基づいてバンプ高さを計測する。また、計測部４
６は、高さ演算回路４１から高さデータＨを必要に応じ
て受け取り、その高さデータＨに応じてＡＯＤ駆動回路
４３及びステージ駆動回路４４を駆動制御する。The height calculation circuit 41 calculates the height of the light spot irradiated on the bump of the wafer W based on the current values I1 and I2 input from both electrodes of the PSD 22, and digitizes the height. The data H is stored in the memory 42. AOD
The drive circuit 43 drives the AOD 21, and outputs the scanning position information included in the drive signal to the address calculation circuit 45. The stage drive circuit 44 drives the stage 12,
The position information of the driven stage 12 is detected and output to the address calculation circuit 45. Address calculation circuit 4
Reference numeral 5 designates the storage address of the height data H stored in the height memory 42 based on the position information output from the AOD drive circuit 43 and the stage drive circuit 44. The measuring unit 46 extracts the height data H from the height memory 42 based on the storage address, and measures the bump height based on the height data H. Also, the measuring unit 4
6 receives the height data H from the height calculation circuit 41 as needed, and drives and controls the AOD drive circuit 43 and the stage drive circuit 44 according to the height data H.

【００２７】このような第２制御装置２５は、計測部４
６により測定されたバンプ高さ（つまり図３に示す計測
結果データ３５）をデータ通信部４７を介して第１制御
装置２４に送信する。また、第２制御装置２５は、第１
制御装置２４から受信した品種データ３４をデータ通信
部４７を介して第３制御装置２６に送信する。The second control device 25 as described above includes the measuring unit 4
The bump height measured by 6 (that is, the measurement result data 35 shown in FIG. 3) is transmitted to the first controller 24 via the data communication unit 47. In addition, the second control device 25, the first
The product type data 34 received from the control device 24 is transmitted to the third control device 26 via the data communication unit 47.

【００２８】図５は、第３制御装置２６のブロック図で
ある。第３制御装置２６は、画像入力回路５１、第１及
び第２フレームメモリ５２，５３（図ではフレームメモ
リ１，２）、パラメータメモリ５４、計測部５５及びデ
ータ通信部５６を含む。FIG. 5 is a block diagram of the third controller 26. The third control device 26 includes an image input circuit 51, first and second frame memories 52 and 53 (frame memories 1 and 2 in the figure), a parameter memory 54, a measuring unit 55, and a data communication unit 56.

【００２９】画像入力回路５１は、ＣＣＤ１７からの出
力信号を増幅して映像信号と同期信号とに分離し、映像
信号をデジタル化して生成した画像データを第１フレー
ムメモリ５２又は第２フレームメモリ５３に交互に格納
する。また、画像入力回路５１は、上記同期信号に基づ
いて画像データが格納された第１フレームメモリ５２又
は第２フレームメモリ５３の格納アドレスを算出する。
パラメータメモリ５４には、上記第１及び第２制御装置
２４，２５の各データ通信部３３，４７を介してデータ
通信部５６により受信した品種データ３４が格納され
る。計測部５５は、その品種データ３４を参照し、第１
フレームメモリ５２又は第２フレームメモリ５３に格納
されている画像データに基づいて各種の計測処理及び後
述する統計処理を行う。The image input circuit 51 amplifies the output signal from the CCD 17 to separate it into a video signal and a synchronization signal, and digitizes the video signal to generate image data, which is generated by the first frame memory 52 or the second frame memory 53. Alternately stored in. The image input circuit 51 also calculates the storage address of the first frame memory 52 or the second frame memory 53 in which the image data is stored, based on the synchronization signal.
The parameter memory 54 stores the product type data 34 received by the data communication unit 56 via the data communication units 33, 47 of the first and second control devices 24, 25. The measuring unit 55 refers to the product type data 34 and
Based on the image data stored in the frame memory 52 or the second frame memory 53, various measurement processes and statistical processes described later are performed.

【００３０】このような第３制御装置２６は、計測部５
５により実行された計測処理及び統計処理の結果（つま
り図３に示す計測結果データ３５）を、データ通信部５
６から第２制御装置２５（データ通信部４７）を介して
第１制御装置２４（データ通信部３３）に送信する。The third control device 26 as described above includes the measuring unit 5
The result of the measurement process and the statistical process executed by the data communication unit 5 (that is, the measurement result data 35 shown in FIG. 3) is transferred to the data communication unit 5
6 to the first control device 24 (data communication unit 33) via the second control device 25 (data communication unit 47).

【００３１】図６は、ステージ１２に設置される認識マ
ークＡＭの説明図である。通常、認識マークＡＭは、シ
リコン基板上にアルミニウムにてなる所定のパターン形
状で形成され、本実施形態では、それぞれ異なるパター
ン形状を有した第１〜第６のマーク領域ＡＭ１〜ＡＭ６
から構成されている。尚、各マーク領域ＡＭ１〜ＡＭ６
はＣＣＤ１７による撮像範囲と同領域で形成されてい
る。FIG. 6 is an explanatory view of the recognition mark AM installed on the stage 12. Normally, the recognition mark AM is formed in a predetermined pattern shape made of aluminum on a silicon substrate, and in the present embodiment, the first to sixth mark areas AM1 to AM6 each having a different pattern shape.
It consists of The mark areas AM1 to AM6
Are formed in the same area as the imaging range of the CCD 17.

【００３２】このような認識マークＡＭにおいて、ＣＣ
Ｄ１７、ＡＯＤ２１及びＰＳＤ２２の各配置位置の調整
は、例えば第１のマーク領域ＡＭ１に形成された孤立点
パターンを用いてステージ１２を移動させることにより
行われる。また、ＡＯＤ２１によるレーザ光の焦点位置
（走査方向）の調整は、例えば第３〜第６のマーク領域
ＡＭ３〜ＡＭ６に形成されたストライプ形状のパターン
を用いてステージ１２を移動させることにより行われ
る。In such a recognition mark AM, CC
The adjustment of the respective arrangement positions of D17, AOD21, and PSD22 is performed by moving the stage 12 using, for example, the isolated point pattern formed in the first mark area AM1. Further, the adjustment of the focus position (scanning direction) of the laser light by the AOD 21 is performed by moving the stage 12 using, for example, a stripe-shaped pattern formed in the third to sixth mark areas AM3 to AM6.

【００３３】以下、第１のマーク領域ＡＭ１に形成され
た孤立点パターンＰを使用して位置調整を行う場合の例
として、ＣＣＤ１７による撮像位置の調整を行う場合に
ついて詳述する。As an example of adjusting the position using the isolated point pattern P formed in the first mark area AM1, the case of adjusting the image pickup position by the CCD 17 will be described in detail below.

【００３４】図７に示すように、第１のマーク領域ＡＭ
１内にて、孤立点パターンＰは、ＡＯＤ２１によるレー
ザ走査幅（図中、（ｘ２−ｘ１）で示す）の中央に形成
されている。ＡＯＤ２１は、孤立点パターンＰに対して
レーザ光を走査させ、ＰＳＤ２２は、そのときの孤立点
パターンＰからの反射光の輝度Ｂ１を検出する。そし
て、ＰＳＤ２２により検出される輝度Ｂ１の立上がり及
び立下がりがレーザ走査幅の中央位置になるようにステ
ージ１２の位置を調整する。これにより、レーザ走査方
向におけるＣＣＤ１７の撮像位置が調整される。As shown in FIG. 7, the first mark area AM
In FIG. 1, the isolated point pattern P is formed at the center of the laser scanning width (indicated by (x2-x1) in the figure) by the AOD 21. The AOD 21 scans the isolated point pattern P with laser light, and the PSD 22 detects the brightness B1 of the reflected light from the isolated point pattern P at that time. Then, the position of the stage 12 is adjusted so that the rise and fall of the brightness B1 detected by the PSD 22 are at the center position of the laser scanning width. As a result, the image pickup position of the CCD 17 in the laser scanning direction is adjusted.

【００３５】また、ＡＯＤ２１は、孤立点パターンＰに
対してレーザ光を走査させ、その状態でステージ１２を
レーザ走査方向と直交方向に移動させる。ＰＳＤ２２
は、そのときの孤立点パターンＰからの反射光の輝度Ｂ
２を検出する。そして、ＰＳＤ２２により検出される輝
度Ｂ２の立上がり及び立下がりがレーザ走査方向と直交
方向における画像の中央位置（図ではｘ３で示す）にな
るようにステージ１２の位置を調整する。これにより、
レーザ走査方向と直交方向におけるＣＣＤ１７の撮像位
置が調整される。The AOD 21 scans the isolated point pattern P with laser light, and in that state moves the stage 12 in a direction orthogonal to the laser scanning direction. PSD22
Is the brightness B of the reflected light from the isolated point pattern P at that time.
2 is detected. Then, the position of the stage 12 is adjusted so that the rise and fall of the brightness B2 detected by the PSD 22 are at the center position (indicated by x3 in the figure) of the image in the direction orthogonal to the laser scanning direction. This allows
The imaging position of the CCD 17 in the direction orthogonal to the laser scanning direction is adjusted.

【００３６】次に、バンプ検査装置１１の２次元系の検
査処理について詳述する。図８は、２次元測定系の処理
を示すフローチャートである。第２制御装置２５におい
て、計測部４６は、品種データ３４を受信すると（ステ
ップ６１）、予め品種毎に登録された位置決め用画像デ
ータ（パラメータメモリ５４に展開されたデータ）に基
づいてステージ駆動回路４４を駆動制御し、吸着された
ウェハＷのステージ１２上の位置調整を行う（ステップ
６２）。これにより、ＡＯＤ２１及びＣＣＤ１７による
撮像位置が調整される。Next, the two-dimensional inspection process of the bump inspection device 11 will be described in detail. FIG. 8 is a flowchart showing the processing of the two-dimensional measurement system. In the second control device 25, when the measuring unit 46 receives the product type data 34 (step 61), the stage drive circuit based on the positioning image data (data developed in the parameter memory 54) registered in advance for each product type. The position of the attracted wafer W is adjusted on the stage 12 by controlling the drive of 44 (step 62). As a result, the image pickup position by the AOD 21 and the CCD 17 is adjusted.

【００３７】第３制御装置２６において、データ通信部
５６は、ＣＣＤ１７により撮像する画像枚数やウェハＷ
に形成されているバンプ数等の情報を記憶したエリアデ
ータを受信し（ステップ６３）、そのエリアデータをパ
ラメータメモリ５４に格納する。In the third control device 26, the data communication unit 56 uses the number of images to be picked up by the CCD 17 and the wafer W.
Area data in which information such as the number of bumps formed on the substrate is stored is received (step 63), and the area data is stored in the parameter memory 54.

【００３８】今、エリアデータに設定されたＣＣＤ１７
により撮像する画像枚数がｎ枚であるとする。まず、画
像入力回路５１は、ＣＣＤ１７により撮像された１枚目
の画像データを取り込み（ステップ６４）、該取り込ん
だ画像データを第１フレームメモリ５２に格納する。Now, the CCD 17 set in the area data
It is assumed that the number of images to be captured is n. First, the image input circuit 51 captures the first image data captured by the CCD 17 (step 64), and stores the captured image data in the first frame memory 52.

【００３９】計測部５５は、その第１フレームメモリ５
２に格納された画像データに基づいて所定の計測・検査
処理（寸法計測、ブリッジ検査、ミッシング検査）を行
う（ステップ６５ａ）。そして、このステップ６５ａに
おける計測・検査処理の期間中に、画像入力回路５１
は、ＣＣＤ１７により撮像された２枚目の画像データを
取り込み第２フレームメモリ５３に格納する（ステップ
６５ｂ）。The measuring section 55 has the first frame memory 5
Predetermined measurement / inspection processing (dimension measurement, bridge inspection, missing inspection) is performed based on the image data stored in 2 (step 65a). Then, during the measurement / inspection processing in step 65a, the image input circuit 51
Captures the second image data captured by the CCD 17 and stores it in the second frame memory 53 (step 65b).

【００４０】計測部５５は、画像データの計測・検査処
理を（ｎ−１）回行ったか、つまりＣＣＤ１７により撮
像される画像枚数ｎ枚のうち、第１フレームメモリ５２
又は第２フレームメモリ５３に格納された（ｎ−１）枚
目の画像データについて計測・検査処理を行ったか否か
を判断する（ステップ６６）。このとき、まだ終了して
いない場合は、第１フレームメモリ５２又は第２フレー
ムメモリ５３にｎ枚目の画像データが取り込まれるま
で、言い換えれば、計測部５５が（ｎ−１）枚目の画像
データについての計測・検査処理が終了するまでステッ
プ６５，６６を繰り返す。The measuring unit 55 has measured (n-1) times the image data, that is, the first frame memory 52 among the n images captured by the CCD 17.
Alternatively, it is determined whether or not the measurement / inspection processing has been performed on the (n-1) th image data stored in the second frame memory 53 (step 66). At this time, if it is not finished yet, until the image data of the n-th sheet is loaded into the first frame memory 52 or the second frame memory 53, in other words, the measuring unit 55 displays the (n-1) -th image image. Steps 65 and 66 are repeated until the measurement / inspection processing for the data is completed.

【００４１】そして、計測部５５は、ｎ枚目の画像デー
タが取り込まれると、そのｎ枚目の画像データについて
の計測・検査処理を行い（ステップ６７）、次いでエリ
ア統計処理（位置ずれ検査、異物検出検査）を行う（ス
テップ６８）。When the nth image data is taken in, the measuring section 55 performs measurement / inspection processing on the nth image data (step 67), and then area statistical processing (position shift inspection, Foreign matter detection inspection) is performed (step 68).

【００４２】計測部５５は、このエリア統計処理が終了
すると、該エリア統計処理による計測結果データ及び上
記計測・検査処理による計測結果データをデータ通信部
５６から第２制御装置２５（具体的にはデータ通信部４
７）に送信する（ステップ６９）。その後、計測部５５
は、次候補のエリアデータが有るか否かを判断し（ステ
ップ７０）、このとき存在する場合には、該ステップ７
０において次候補となるエリアデータが無くなるまで、
上記ステップ６３〜７０を再度繰り返し実行する。When the area statistical processing is completed, the measuring section 55 sends the measurement result data obtained by the area statistical processing and the measurement result data obtained by the measurement / inspection processing from the data communication section 56 to the second controller 25 (specifically, Data communication unit 4
7) (step 69). Then, the measuring unit 55
Determines whether there is area data for the next candidate (step 70), and if it exists at this time, the step 7
Until there is no area data that is the next candidate at 0,
The above steps 63 to 70 are repeated again.

【００４３】図９は、１画面あたりの計測処理を示すフ
ローチャートであり、図８のステップ６５ａ或いはステ
ップ６７での処理を具体化して示したものである。尚、
理論座標位置に形成されるバンプの１画面あたりの画像
データ内に含まれる個数をＮ個とする。FIG. 9 is a flow chart showing the measurement process for one screen, and shows the process in step 65a or 67 in FIG. 8 in concrete form. still,
The number of bumps formed at the theoretical coordinate position in the image data per screen is N.

【００４４】計測部５５は、まず、取り込んだ画像デー
タ全体（１画面）に対して２値化ブロッブ処理を行う
（ステップ７１）。この２値化ブロッブ処理について詳
述すると、ＣＣＤ１７により撮像された画像データにお
いて、ウェハＷに形成された各バンプはウェハＷの垂直
方向へは光を反射しないため黒色で写される。特に、こ
のときバンプのエッジは、その周囲（ウェハＷの表面）
と比較して画素の濃度差が一番大きい個所になる。従っ
て、各バンプは、ウェハＷの表面に対して黒色の塊（ブ
ロッブ）として表される。これにより、各画素２５６階
調で表示されるグレースケール画像の１画面全体を白／
黒に２値化する。尚、グレースケール画像を白／黒に２
値化するスライスレベルは、ウェハＷの個々の品種に対
してそれぞれ設定されて保存される。The measuring section 55 first performs binarization blob processing on the entire captured image data (one screen) (step 71). This binarization blob processing will be described in detail. In the image data picked up by the CCD 17, each bump formed on the wafer W does not reflect light in the vertical direction of the wafer W and is thus copied in black. In particular, at this time, the edge of the bump has its periphery (the surface of the wafer W).
Compared with, the pixel density difference is the largest. Therefore, each bump is represented as a black block (blob) with respect to the surface of the wafer W. As a result, the entire screen of a grayscale image displayed with 256 gradations for each pixel is displayed in white /
Binarize to black. In addition, the grayscale image is white / black 2
The slice level to be digitized is set and stored for each type of wafer W.

【００４５】今、このようにして２値化された画像につ
いて、黒色で表されるブロッブの面積がバンプの面積
（期待値）に対して±５０％程度であるブロッブを抽出
し、そのブロッブ数をＭ個とする。Now, for the binarized image in this way, a blob whose black blob area is about ± 50% of the bump area (expected value) is extracted, and the number of blobs is extracted. Be M.

【００４６】ここで、抽出したＭ個のブロッブについ
て、それらの重心位置を検出し、所定個所にあるブロッ
ブｍ（０,１,…Ｍ）の重心位置がバンプの理論座標位置
と微小誤差内であるものについては、そのブロッブｍを
バンプｎ（０,１,…Ｎ）として抽出する。Here, the centroid positions of the extracted M blobs are detected, and the centroid position of the blob m (0, 1, ... M) at a predetermined location is within a minute error from the theoretical coordinate position of the bump. For some, the blob m is extracted as bump n (0,1, ... N).

【００４７】詳述すると、まず計測部５５は、ブロッブ
ｍ（ｍ＝０；初期値）とバンプｎ（ｎ＝０；初期値）の
座標値が一致するか否かを判断する（ステップ７２〜７
４）。このとき、互いの座標値が一致する場合、計測部
５５は、そのブロッブがバンプであると判断して寸法計
測を行う（ステップ７５）。逆に、一致しない場合、計
測部５５は「ｎ＝Ｎ」であるか否かを判断する（ステッ
プ７６）。More specifically, the measuring unit 55 first determines whether or not the coordinate values of the blob m (m = 0; initial value) and the bump n (n = 0; initial value) match (steps 72-). 7
4). At this time, if the coordinate values match each other, the measuring unit 55 determines that the blob is a bump and measures the dimension (step 75). On the contrary, if they do not match, the measuring unit 55 determines whether or not “n = N” (step 76).

【００４８】このとき、「ｎ＝Ｎ」である場合、計測部
５５はそのブロッブがバンプではないと判断し、該ブロ
ッブをエキストラとしてその座標値を保存する（ステッ
プ７７）。ちなみに、ここで、座標値を保存するエキス
トラは、例えばウェハＷ上の塵やバンプカス等の異物、
或いはバンプのブリッジ状態及びミッシング状態の可能
性を有するブロッブを含む。つまり、このときエキスト
ラとして保存されたブロッブに基づいて異物検出検査、
ブリッジ検査、ミッシング検査が行われる。逆に、「ｎ
≠Ｎ」である場合、計測部５５はバンプｎの値をカウン
トアップし、該カウントアップしたバンプｎとブロッブ
ｍとの座標値が一致するか否かを前記同様にして判断す
る（ステップ７２〜７４）。At this time, if "n = N", the measuring unit 55 determines that the blob is not a bump, and stores the coordinate value of the blob as an extra (step 77). By the way, here, the extra for storing the coordinate values is, for example, a foreign substance such as dust or bump residue on the wafer W,
Alternatively, it includes blobs with the potential of bridged and missing bumps. In other words, foreign matter detection inspection based on the blob saved as an extra at this time,
Bridge inspection and missing inspection are performed. Conversely, "n
If "≠ N", the measuring unit 55 counts up the value of the bump n, and determines in the same manner as above whether or not the coordinate values of the counted bump n and the blob m match. 74).

【００４９】一方、上記ステップ７５において、計測部
５５は、寸法計測が終了すると、寸法計測回数ｃ（ｃ＝
０；初期値）の値をカウントアップし、「ｃ＝ｎ」であ
るか否かを判断する（ステップ７８）。On the other hand, in the above step 75, the measuring unit 55, when the dimension measurement is completed, the number of times of dimension measurement c (c = c =
The value of 0; initial value) is counted up, and it is determined whether or not "c = n" (step 78).

【００５０】このとき、「ｃ≠ｎ」である場合、計測部
５５はブロッブｍの値をカウントアップし、該カウント
アップしたブロッブｍの値とバンプｎとの座標値が一致
するか否かを前記同様にして判断する（ステップ７２〜
７４）。逆に、「ｃ＝ｎ」である場合、計測部５５は
「ｍ＝Ｍ」であるか否かを判断する（ステップ７９）。At this time, if "c ≠ n", the measuring unit 55 counts up the value of the blob m, and determines whether or not the counted value of the blob m and the coordinate value of the bump n match. Judgment is performed in the same manner as described above (step 72-).
74). On the contrary, when "c = n", the measuring unit 55 determines whether "m = M" (step 79).

【００５１】このとき、「ｍ＝Ｍ」である場合、計測部
５５は、当該１画面あたりの画像データについての計測
処理を終了する。つまり、図８に示すステップ６５ａに
おいて、１回の計測処理を終了する。逆に、「ｍ≠Ｍ」
である場合、計測部５５は、そのブロッブがバンプでは
ないと判断し、該ブロッブを前記と同様、エキストラと
してその座標値を保存する（ステップ７７）。At this time, if "m = M", the measuring unit 55 ends the measuring process for the image data per one screen. That is, one measurement process is completed in step 65a shown in FIG. Conversely, "m ≠ M"
If it is, the measuring unit 55 determines that the blob is not a bump, and stores the coordinate value of the blob as an extra as in the above (step 77).

【００５２】計測部５５は、エキストラを保存すると、
その保存回数ｅ（ｅ＝０；初期値）の値をカウントアッ
プし、「ｍ＝Ｍ」であるか否か又は「ｃ＝Ｎ」であるか
否かを判断する（ステップ８０）。When the measuring section 55 stores the extra,
The value of the number of times of storage e (e = 0; initial value) is counted up, and it is determined whether "m = M" or "c = N" (step 80).

【００５３】このとき、「ｍ＝Ｍ」又は「ｃ＝Ｎ」であ
る場合には、計測部５５は、当該１画面あたりの画像デ
ータについての計測処理を終了する。逆に、「ｍ≠Ｍ」
であり「ｃ≠Ｎ」である場合には、ブロッブｍの値をカ
ウントアップし、該カウントアップしたブロッブｍの値
とバンプｎとの座標値が一致するか否かを前記同様にし
て判断する（ステップ７２〜７４）。At this time, if “m = M” or “c = N”, the measuring section 55 ends the measuring process for the image data per one screen. Conversely, "m ≠ M"
If “c ≠ N”, the value of the blob m is counted up, and it is determined in the same manner as above whether the value of the counted blob m and the coordinate value of the bump n match. (Steps 72-74).

【００５４】次に、バンプ検査装置１１による画像取り
込みについて詳述する。図１０は、画像取り込みのタイ
ミングチャートである。２次元系の検査においては、ま
ず、タイミングｔ１で、ＣＣＤ１７により撮像された１
枚目の画像データが取り込まれ、第１の画像バッファ
（図中、画像バッファ１）としての第１フレームメモリ
５２に格納される。Next, the image capturing by the bump inspection device 11 will be described in detail. FIG. 10 is a timing chart of image capturing. In the inspection of the two-dimensional system, first, at the timing t1, the image captured by the CCD 17
The image data of the first sheet is fetched and stored in the first frame memory 52 as the first image buffer (image buffer 1 in the figure).

【００５５】次いで、タイミングｔ２で、上記第１フレ
ームメモリ５２に格納されている１枚目の画像データの
計測・検査処理が行われる。この計測・検査処理の期間
中において、ＣＣＤ１７により撮像された２枚目の画像
データが取り込まれ、第２の画像バッファ（図中、画像
バッファ２）としての第２フレームメモリ５３に格納さ
れる。Next, at timing t2, measurement / inspection processing of the first image data stored in the first frame memory 52 is performed. During the measurement / inspection process, the second image data captured by the CCD 17 is captured and stored in the second frame memory 53 as the second image buffer (image buffer 2 in the figure).

【００５６】同様に、タイミングｔ３で、上記第２フレ
ームメモリ５３に格納されている２枚目の画像データの
計測・検査処理が行われる。この計測・検査処理の期間
中において、ＣＣＤ１７により撮像された３枚目の画像
データが取り込まれ、第１の画像バッファである第１フ
レームメモリ５２に格納される。Similarly, at timing t3, the measurement / inspection processing of the second image data stored in the second frame memory 53 is performed. During the measurement / inspection process, the image data of the third image captured by the CCD 17 is captured and stored in the first frame memory 52 which is the first image buffer.

【００５７】このように、ＣＣＤ１７により順次撮像さ
れた画像データは第１及び第２フレームメモリ５２，５
３に交互に格納され、それらの取り込み期間中には、そ
の直前のタイミングで取り込まれた画像データの計測・
検査処理が平行して行われる。そして、最後の画像デー
タの計測・検査処理が終了すると、続いてエリア統計処
理が実行される。As described above, the image data sequentially picked up by the CCD 17 is stored in the first and second frame memories 52 and 5.
3 are stored alternately, and during those acquisition periods, measurement / measurement of the image data acquired at the timing immediately before that is performed.
The inspection process is performed in parallel. Then, when the measurement / inspection processing of the final image data is completed, the area statistical processing is subsequently executed.

【００５８】３次元系の検査においては、２次元系の検
査の開始タイミングと同時に、即ち上記タイミングｔ１
で、ＰＳＤ２２による検出値（電流値）に基づいて算出
された高さデータＨが３Ｄ高さバッファとしての高さメ
モリ４２に格納される。そして、タイミングｔ４で、画
像取り込みが終了すると、続いて計測処理が実行され
る。In the inspection of the three-dimensional system, at the same time as the start timing of the inspection of the two-dimensional system, that is, the timing t1.
Then, the height data H calculated based on the detection value (current value) by the PSD 22 is stored in the height memory 42 as a 3D height buffer. Then, at the timing t4, when the image acquisition is completed, the measurement process is subsequently executed.

【００５９】このような２次元系及び３次元系の検査に
おける画像の取り込みは、ステージ１２の移動速度が等
速度である期間中に行われる。即ち、図１１に示すよう
に、ステージ１２がレーザ走査方向の直交方向（図中、
ワークスキャン方向）に沿って等速移動しているときに
画像が撮像されて取り込まれる。そして、２次元系の検
査におけるエリア統計処理や３次元系の検査における計
測処理は、ステージ１２が加減速している期間中に行わ
れる。具体的には、ワークスキャン方向における画像取
り込みが終了した後、ステージ１２がワークスキャン方
向の直交方向に所定ピッチで移動し、該ワークスキャン
方向に沿って再度等速度になるまでの期間中に行われ
る。The image acquisition in the inspection of the two-dimensional system and the three-dimensional system is performed during the period when the moving speed of the stage 12 is constant. That is, as shown in FIG. 11, the stage 12 moves in a direction orthogonal to the laser scanning direction (in the figure,
An image is captured and captured while moving at a constant speed along the work scan direction). Then, the area statistical processing in the inspection of the two-dimensional system and the measurement processing in the inspection of the three-dimensional system are performed while the stage 12 is accelerating and decelerating. Specifically, after the image capturing in the work scan direction is completed, the stage 12 moves in a direction perpendicular to the work scan direction at a predetermined pitch, and the stage 12 moves during the period until the speed becomes constant again along the work scan direction. Be seen.

【００６０】図１１は、画像オーバーラップの説明図で
ある。尚、図は、画像取り込み処理の一部分を示したも
のである。今、ステージ１２は、ワークスキャン方向Ｘ
ａに向かって等速移動しており、ＣＣＤ１７は撮像領域
Ｐ１内におけるバンプＢＭＰ及びウェハＷ表面を撮像す
る。その際、ＡＯＤ２１によるレーザ走査は撮像領域Ｐ
１内にて行われる。即ち、ＣＣＤ１７による画像の取り
込みに際して上記認識マークＡＭを用いたアライメント
（位置調整）では、ＡＯＤ２１によるレーザ走査がＣＣ
Ｄ１７の撮像領域にて行われるように設定される。これ
により、２次元系の検査と３次元系の検査が同時に且つ
並行して行われる。尚、同図では、例えば撮像領域Ｐ１
内にて計測対象となるバンプＢＭＰについては、斜線の
向きを変えて示している。FIG. 11 is an explanatory diagram of image overlap. The figure shows a part of the image capturing process. Now, the stage 12 is in the work scan direction X.
The CCD 17 is moving at a constant velocity toward a, and the CCD 17 images the bump BMP and the surface of the wafer W in the image pickup region P1. At that time, the laser scanning by the AOD 21 is performed in the imaging area P.
It is done within 1. That is, in the alignment (position adjustment) using the recognition mark AM when the image is captured by the CCD 17, the laser scanning by the AOD 21 is CC.
It is set to be performed in the imaging area of D17. Accordingly, the inspection of the two-dimensional system and the inspection of the three-dimensional system are performed simultaneously and in parallel. In the figure, for example, the imaging area P1
The bumps BMP to be measured in the figure are shown by changing the direction of the diagonal lines.

【００６１】次いで、ＣＣＤ１７は、撮像領域Ｐ２内に
おけるバンプＢＭＰ及びウェハＷ表面を撮像する。この
場合、ＣＣＤ１７は、ワークスキャン方向に沿って撮像
領域Ｐ２内の画像の切れ目でバンプＢＭＰが遮断されな
いように、撮像領域Ｐ１に対し撮像領域Ｐ２を所定間隔
でオーバーラップ（図中、スキャン方向オーバーラッ
プ）させる。このオーバーラップ量は、ウェハＷの品種
やＢＭＰの種類に応じてステージ１２の速度等により予
め設定される。その後は、前記同様にＣＣＤ１７は、撮
像領域Ｐ２に対し撮像領域Ｐ３をオーバーラップさせ、
撮像領域Ｐ３に対し撮像領域Ｐ４をオーバーラップさせ
る。Next, the CCD 17 images the bump BMP and the surface of the wafer W in the image pickup area P2. In this case, the CCD 17 overlaps the image pickup area P2 at a predetermined interval with the image pickup area P1 at predetermined intervals so that the bumps BMP are not blocked by the breaks in the image in the image pickup area P2 along the work scan direction (in the figure, the scan direction overlaps). Wrap) This overlap amount is set in advance by the speed of the stage 12 or the like according to the type of wafer W or the type of BMP. Thereafter, similarly to the above, the CCD 17 causes the image pickup area P3 to overlap the image pickup area P2,
The imaging area P4 overlaps the imaging area P3.

【００６２】ＣＣＤ１７が撮像領域Ｐ４内を撮像する
と、ステージ１２は徐々に減速して停止する。そして、
ステージ１２は、レーザ走査幅（図中、レーザスキャン
幅）方向に沿って同図の左方向に移動した後、ワークス
キャン方向Ｘｂに向かって徐々に加速し、その後、前記
と同様に等速移動する。When the CCD 17 images the inside of the image pickup area P4, the stage 12 gradually decelerates and stops. And
The stage 12 moves leftward in the figure along the laser scanning width (laser scanning width in the figure) direction, then gradually accelerates in the work scanning direction Xb, and then moves at a constant speed as described above. To do.

【００６３】この状態で、ＣＣＤ１７は撮像領域Ｐ５内
を撮像する。この場合、ＣＣＤ１７は、前記と同様にし
て、ワークスキャン幅方向に沿って撮像領域Ｐ５内の画
像の切れ目でバンプＢＭＰが遮断されないように、撮像
領域Ｐ３，Ｐ４に対し撮像領域Ｐ５を所定間隔でオーバ
ーラップ（図中、ピッチ方向オーバーラップ）させる。
このオーバーラップ量は、前記と同様に、ウェハＷの品
種やＢＭＰの種類に応じてステージ１２の速度等により
予め設定される。その後は、前記同様にＣＣＤ１７は、
撮像領域Ｐ５に対し撮像領域Ｐ６をオーバーラップさ
せ、撮像領域Ｐ６に対し撮像領域Ｐ７をオーバーラップ
させ、撮像領域Ｐ７に対し撮像領域Ｐ８をオーバーラッ
プさせる。そして、ＣＣＤ１７が撮像領域Ｐ８内を撮像
すると、ステージ１２は徐々に減速して停止する。In this state, the CCD 17 images the inside of the image pickup area P5. In this case, in the same manner as described above, the CCD 17 sets the image pickup area P5 at predetermined intervals with respect to the image pickup areas P3 and P4 so that the bump BMP is not blocked by the break of the image in the image pickup area P5 along the work scan width direction. Overlap (pitch direction in the figure).
This overlap amount is set in advance by the speed of the stage 12 and the like according to the type of the wafer W and the type of BMP, as described above. After that, the CCD 17 is
The imaging area P6 overlaps the imaging area P5, the imaging area P7 overlaps the imaging area P6, and the imaging area P8 overlaps the imaging area P7. Then, when the CCD 17 images the inside of the imaging region P8, the stage 12 gradually decelerates and stops.

【００６４】図１２は、２次元系の測定における計測時
間の比較図である。尚、図は、バンプの寸法計測時間に
ついての比較を示すものである。１画面あたりの画像デ
ータについての計測時間は、図１１に示す画像間距離
（例えば撮像領域Ｐ１，Ｐ２間）とステージ１２の等速
度区間における移動速度とに基づいて算出される。本実
施形態のＣＣＤ１７には、光感度の高いレンズが接続さ
れている。これにより、ＣＣＤ１７のシャッタスピード
を向上して、撮像される画像の歪みを低減することがで
きるため、単位画面あたりの計測時間を従来に比して約
１５ｍｓ短縮させることが可能である。また、このよう
な光感度の高いレンズを備えるＣＣＤ１７では、画像取
り込み時間を従来と比して約半分の時間に短縮させるこ
とができる。これにより、ステージ１２の移動速度を向
上させることができるため、全体の検査時間を短縮させ
ることが可能である。FIG. 12 is a comparison diagram of measurement times in two-dimensional system measurement. The figure shows a comparison of the bump dimension measurement time. The measurement time for image data per screen is calculated based on the inter-image distance (for example, between the imaging regions P1 and P2) and the moving speed of the stage 12 in the constant speed section shown in FIG. A lens having high photosensitivity is connected to the CCD 17 of this embodiment. As a result, the shutter speed of the CCD 17 can be improved and the distortion of the captured image can be reduced, so that the measurement time per unit screen can be shortened by about 15 ms as compared with the conventional case. Further, in the CCD 17 including such a lens having high photosensitivity, the image capturing time can be shortened to about half the time of the conventional one. As a result, the moving speed of the stage 12 can be improved, and the entire inspection time can be shortened.

【００６５】次に、位置ずれ検査について詳述する。位
置ずれ検査は、寸法計測時に求められたブロッブの重心
位置と理論座標位置にあるバンプの中心位置との差を算
出することで行われる。そして、本実施形態において、
この位置ずれ検査は、ウェハＷに形成される各チップの
うち、１又は複数のチップで構成されるエリアを統計取
得エリア（統計領域）として予め設定し、各統計取得エ
リア内にて、ずれ値の平均と個々のずれ値との差をそれ
ぞれ算出することで行われる。Next, the positional deviation inspection will be described in detail. The position shift inspection is performed by calculating the difference between the center of gravity of the blob obtained at the time of dimension measurement and the center position of the bump at the theoretical coordinate position. And in this embodiment,
In this positional deviation inspection, an area composed of one or a plurality of chips among the respective chips formed on the wafer W is preset as a statistical acquisition area (statistical area), and the deviation value is set in each statistical acquisition area. It is performed by calculating the difference between the average of the above and each deviation value.

【００６６】詳述すると、位置ずれ検査では、ウェハＷ
を吸着固定するステージ１２の位置ばらつき等の機械的
誤差に起因して、精度良く位置ずれ値を計測できない場
合がある。このため、こうした機械的誤差が比較的同じ
である微小なエリア内にて統計的なずれ値（平均ずれ
値）を計測し、その平均ずれ値に対して突出したずれ値
を持つブロッブを位置ずれのあるバンプとして検出す
る。More specifically, in the displacement inspection, the wafer W is
There may be a case where the position shift value cannot be measured accurately due to a mechanical error such as a position variation of the stage 12 that sucks and fixes the position. For this reason, a statistical deviation value (average deviation value) is measured in a small area where such mechanical errors are relatively the same, and a blob having a deviation value protruding from the average deviation value is displaced. It is detected as a bump.

【００６７】図１３は、統計取得エリアの説明図であ
る。統計取得エリアは、ウェハＷに形成される各チップ
を、１又は複数で構成されるチップ単位でマトリクス状
に区画することで構成される。同図は、例えば２×２の
４チップ分に相当する領域で構成される統計取得エリア
を示す。尚、各統計取得エリアのうち、ウェハＷからチ
ップを取得できないエリアについては、１〜３チップ分
に相当する領域で構成される。FIG. 13 is an explanatory diagram of the statistics acquisition area. The statistics acquisition area is configured by partitioning each chip formed on the wafer W into a matrix in units of one or a plurality of chips. This figure shows a statistic acquisition area composed of areas corresponding to, for example, 2 × 2 4 chips. Incidentally, of the respective statistics acquisition areas, the area in which no chip can be acquired from the wafer W is composed of areas corresponding to 1 to 3 chips.

【００６８】また、本実施形態では、さらにステージ１
２のθ方向における位置ばらつきに起因する測定誤差の
補正を、予め取得したステージ１２の移動誤差に基づい
て算出した撮像範囲毎の補正値に従って行う。また、こ
うしたステージ１２のθ方向における位置ばらつきに起
因する測定誤差を補正するための他の方法としては、ス
テージ１２の回転軸を中心としてウェハＷを４分割し、
該分割した４つの領域のうちいずれかの領域における平
均的な誤差補正値に従って補正を行うようにしてもよ
い。即ち、前述した補正方法では、補正を高精度に行う
ことができるが、補正計算が複雑であるため、補正を行
う時間が長くなる。一方、後述した補正方法では、補正
値を取得する面積が大きいため、補正の精度は低くなる
が、補正計算が簡易であるため、短時間で補正を行うこ
とができる。従って、こうした補正方法は、位置ずれ検
査に要求される精度に応じて用いられる。尚、ここで、
本実施形態では、ステージ１２の回転軸を中心としてウ
ェハＷを４分割したが、ウェハＷの品種やバンプの種類
等に応じて、ウェハＷをステージ１２の回転軸を中心と
して２以上の領域に分割するようにしてもよい。Further, in this embodiment, the stage 1 is further added.
The correction of the measurement error due to the position variation of 2 in the θ direction is performed according to the correction value for each imaging range calculated based on the movement error of the stage 12 acquired in advance. Further, as another method for correcting the measurement error due to the position variation of the stage 12 in the θ direction, the wafer W is divided into four with the rotation axis of the stage 12 as the center,
The correction may be performed according to an average error correction value in any one of the four divided areas. That is, in the above-described correction method, the correction can be performed with high accuracy, but since the correction calculation is complicated, it takes a long time to perform the correction. On the other hand, in the correction method described later, the accuracy of the correction is low because the area for obtaining the correction value is large, but the correction calculation is simple, and therefore the correction can be performed in a short time. Therefore, such a correction method is used according to the accuracy required for the displacement inspection. In addition, here
In the present embodiment, the wafer W is divided into four around the rotation axis of the stage 12, but the wafer W is divided into two or more areas around the rotation axis of the stage 12 depending on the type of the wafer W, the type of bumps, and the like. It may be divided.

【００６９】次に、異物検出検査の確認機能を図１４〜
図１７を参照しながら詳述する。図１４は、検査後のウ
ェハのマップ画面を示す説明図である。尚、図では、説
明の簡略化のため、９チップについて検査した場合を示
す。Next, the confirmation function of the foreign matter detection inspection is shown in FIG.
This will be described in detail with reference to FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram showing a map screen of the wafer after the inspection. In the figure, for simplification of description, a case where 9 chips are inspected is shown.

【００７０】このウェハのマップ画面において、異物検
出検査の結果、エキストラが検出されたチップ８１は、
その他のチップ８２（エキストラが検出されないチッ
プ）と異なる色で表示される。このエキストラが検出さ
れたチップ８１を選択すると、図１５に示すように、チ
ップ８１のマップ画面が表示される。On the map screen of this wafer, the chip 81 in which the extra is detected as a result of the foreign matter detection inspection is
It is displayed in a color different from that of the other chips 82 (chips in which no extra is detected). When the chip 81 in which this extra is detected is selected, the map screen of the chip 81 is displayed as shown in FIG.

【００７１】このチップ８１のマップ画面中に表示され
たエキストラＥＸを選択すると、図１７に示すように、
ＣＣＤ１７により撮像された画像が表示され、この画像
によりエキストラＥＸを確認することが可能である。
尚、この画像データの表示後には、図１６に示すメッセ
ージが表示され、そのメッセージ画面の指示に従って画
像データを保存することができる（図では、例えばメッ
セージ画面の中央のキーを選択する）。When Extra EX displayed on the map screen of this chip 81 is selected, as shown in FIG.
The image captured by the CCD 17 is displayed, and the extra EX can be confirmed by this image.
After the image data is displayed, the message shown in FIG. 16 is displayed, and the image data can be saved according to the instruction on the message screen (in the figure, for example, the key at the center of the message screen is selected).

【００７２】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）バンプ検査装置１１は、ＣＣＤ１７が撮像した画
像を格納するための第１及び第２フレームメモリ５２，
５３を備え、画像入力回路５１は、取り込んだ画像デー
タを第１フレームメモリ５２又は第２フレームメモリ５
３に交互に格納する。このような構成では、一方のメモ
リに画像データの取り込みが行われる期間中に、他方の
メモリに取り込まれている画像データの計測・検査処理
が行われる。これにより、計測・検査処理を効率的に行
うことが可能である。このように検査効率を向上させる
ことで、結果として、その他の複数の計測・検査をも効
率良く行うことが可能である。As described above, this embodiment has the following effects. (1) The bump inspection device 11 includes a first and second frame memory 52 for storing an image captured by the CCD 17.
The image input circuit 51 includes the image data 53 and the image data captured by the first frame memory 52 or the second frame memory 5.
Alternately stored in 3. In such a configuration, the measurement / inspection processing of the image data captured in the other memory is performed during the period in which the image data is captured in the one memory. As a result, the measurement / inspection processing can be efficiently performed. By improving the inspection efficiency in this way, as a result, it is possible to efficiently perform other plural measurements and inspections.

【００７３】（２）位置ずれ検査及び異物検出処理をス
テージ１２の加減速期間中に行うようにした。これによ
り、さらに効率的に計測・検査処理を行うことが可能で
ある。(2) The positional deviation inspection and foreign matter detection processing are performed during the acceleration / deceleration period of the stage 12. As a result, it is possible to perform the measurement / inspection processing more efficiently.

【００７４】（３）ＣＣＤ１７により撮像された画像デ
ータを２値化ブロッブ処理し、それにより取得したブロ
ッブに基づいて、２次元系の計測・検査を行うようにし
た。この方法では、バンプの寸法計測、バンプの位置ず
れ検査、ブリッジ検査、ミッシング検査に加えて、ウェ
ハＷ表面の異物検出検査を行うことが可能であり、各計
測・検査を高精度かつ効率的に行うことが可能である。(3) The image data picked up by the CCD 17 is binarized and blob-processed, and the two-dimensional system is measured and inspected based on the blob thus obtained. With this method, in addition to the dimension measurement of bumps, bump displacement inspection, bridge inspection, and missing inspection, it is possible to perform foreign matter detection inspection on the surface of the wafer W, and each measurement / inspection can be performed with high accuracy and efficiency. It is possible to do.

【００７５】（４）位置ずれ検査は、１又は複数のチッ
プ分で構成される統計取得エリアにウェハＷをマトリク
ス状に区画し、各統計取得エリアにて、ずれ値の平均値
と個々のずれ値を算出した結果に基づいて行うようにし
た。これにより、位置ずれ検査を高精度に行うことがで
きる。(4) In the positional deviation inspection, the wafer W is divided into a matrix in a statistical acquisition area composed of one or a plurality of chips, and in each statistical acquisition area, the average deviation value and individual deviations are calculated. The value was calculated based on the result. As a result, the displacement inspection can be performed with high accuracy.

【００７６】（５）本実施形態では、別途新たな検査装
置が不要であるため、コストの上昇も抑えられる。尚、
上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。(5) In the present embodiment, since a new inspection device is not required separately, cost increase can be suppressed. still,
The above embodiment may be implemented in the following modes.

【００７７】・本実施形態では、２つの第１及び第２フ
レームメモリ５２，５３を備えたが３以上備えてもよ
い。 ・認識マークＡＭは本実施形態のパターン形状に限定さ
れない。In the present embodiment, two first and second frame memories 52 and 53 are provided, but three or more may be provided. The recognition mark AM is not limited to the pattern shape of this embodiment.

【００７８】・統計取得エリアは、１又は複数のチップ
分に相当する領域としたが、これに限定されない。The statistic acquisition area is an area corresponding to one or a plurality of chips, but is not limited to this.

【００７９】[0079]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
複数の計測・検査項目を効率的に行うことのできる検査
方法及び検査装置を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention,
It is possible to provide an inspection method and an inspection device capable of efficiently performing a plurality of measurement / inspection items.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 バンプ検査装置の測定光学系の概略図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a measurement optical system of a bump inspection apparatus.

【図２】 バンプ検査装置の回路構成を示すブロック図
である。FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of a bump inspection device.

【図３】 第１制御装置のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a first control device.

【図４】 第２制御装置のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a second control device.

【図５】 第３制御装置のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a third control device.

【図６】 認識マークの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a recognition mark.

【図７】 認識マークによるアライメントの説明図であ
る。FIG. 7 is an explanatory diagram of alignment using recognition marks.

【図８】 ２次元測定系の処理フローチャートである。FIG. 8 is a processing flowchart of a two-dimensional measurement system.

【図９】 １画面あたりの計測処理のフローチャートで
ある。FIG. 9 is a flowchart of a measurement process for one screen.

【図１０】 画像取り込みのタイミングチャートであ
る。FIG. 10 is a timing chart of image capturing.

【図１１】 画像オーバーラップの説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of image overlap.

【図１２】 ２次元測定系の計測時間の比較図である。FIG. 12 is a comparison diagram of measurement times of two-dimensional measurement systems.

【図１３】 統計取得エリアの説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a statistics acquisition area.

【図１４】 ウェハのマップ画面の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of a wafer map screen.

【図１５】 チップのマップ画面の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a chip map screen.

【図１６】 メッセージ画面の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of a message screen.

【図１７】 保存した画像のデータの説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of stored image data.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ ウェハ ＢＭＰ バンプ １１ 検査装置としてのバンプ検査装置 １２ ステージ １３ 撮像装置 １４ 走査装置 １５ 検出装置 ５２，５３ 記憶手段としての第１及び第２フレームメ
モリW Wafer BMP Bump 11 Bump inspection device 12 as inspection device Stage 13 Imaging device 14 Scanning device 15 Detection devices 52, 53 First and second frame memories as storage means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA07 AA14 AA17 AA20 AA24 AA49 AA54 BB02 BB03 BB18 BB25 BB27 CC19 DD06 FF04 FF23 FF41 FF67 GG04 HH04 HH12 HH13 JJ02 JJ03 JJ05 JJ08 JJ09 JJ16 JJ26 LL00 LL21 LL57 LL61 MM16 PP12 QQ24 QQ25 QQ31 RR05 2G051 AA51 AB01 BB02 CA04 CB01 EA08 EA11 EA14 EC03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2F065 AA07 AA14 AA17 AA20 AA24                       AA49 AA54 BB02 BB03 BB18                       BB25 BB27 CC19 DD06 FF04                       FF23 FF41 FF67 GG04 HH04                       HH12 HH13 JJ02 JJ03 JJ05                       JJ08 JJ09 JJ16 JJ26 LL00                       LL21 LL57 LL61 MM16 PP12                       QQ24 QQ25 QQ31 RR05                 2G051 AA51 AB01 BB02 CA04 CB01                       EA08 EA11 EA14 EC03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 所定強度の測定光を半導体ウェハに照射
し該半導体ウェハ上で前記測定光を走査させる走査装置
と、前記半導体ウェハからの反射光及び該半導体ウェハ
に形成されたバンプからの反射光を検出する検出装置
と、前記半導体ウェハの所定領域を撮像する撮像装置と
を備え、 前記検出装置にて検出した反射光に基づいて行うバンプ
の高さ計測と、 前記撮像装置からの画像データに基づいて行うバンプの
寸法計測と共に、位置ずれ検査、ブリッジ検査、ミッシ
ング検査及び異物検出検査の少なくとも１つを行うよう
にしたことを特徴とする検査方法。1. A scanning device which irradiates a semiconductor wafer with a predetermined intensity of measuring light and scans the semiconductor wafer with the measuring light, and a reflected light from the semiconductor wafer and a reflection from a bump formed on the semiconductor wafer. A detection device that detects light and an imaging device that images a predetermined region of the semiconductor wafer are provided, and bump height measurement performed based on the reflected light detected by the detection device, and image data from the imaging device In addition to the bump dimension measurement based on the above, at least one of a displacement inspection, a bridge inspection, a missing inspection, and a foreign matter detection inspection is performed. 【請求項２】 前記撮像装置からの画像データを２値化
処理し、その２値化処理により抽出されるブロッブの重
心位置と理論座標位置にあるバンプの中心位置とが一致
するか否かを判断して、該一致するブロッブについて前
記バンプの寸法計測を行うようにしたことを特徴とする
請求項１記載の検査方法。2. The image data from the image pickup device is binarized, and it is determined whether or not the centroid position of the blob extracted by the binarization process coincides with the center position of the bump at the theoretical coordinate position. The inspection method according to claim 1, wherein the bump dimension is measured for the matching blob. 【請求項３】 前記位置ずれ検査では、前記半導体ウェ
ハをマトリクス状に区画して複数の統計領域に分割し、
該統計領域毎に算出した位置ずれ値の平均値と個々の位
置ずれ値との差を算出するようにしたことを特徴とする
請求項１記載の検査方法。3. In the displacement inspection, the semiconductor wafer is divided into a matrix and divided into a plurality of statistical regions,
The inspection method according to claim 1, wherein the difference between the average value of the misregistration values calculated for each of the statistical areas and each misregistration value is calculated. 【請求項４】 前記位置ずれ検査では、前記半導体ウェ
ハを吸着固定するステージの回転軸を中心として該半導
体ウェハを２以上の領域に分割し、各領域内で算出した
前記ステージのθ方向の誤差補正値に従って前記位置ず
れ値を補正することを特徴とする請求項１又は３記載の
検査方法。4. In the positional deviation inspection, the semiconductor wafer is divided into two or more areas around a rotation axis of the stage that adsorbs and fixes the semiconductor wafer, and an error in the θ direction of the stage calculated in each area is calculated. The inspection method according to claim 1, wherein the positional deviation value is corrected according to the correction value. 【請求項５】 前記半導体ウェハを吸着固定するステー
ジの等速移動中に前記画像データを取り込み、前記位置
ずれ検査及び前記異物検出検査を前記ステージの加減速
期間中に行うようにしたことを特徴とする請求項１乃至
４の何れか一項記載の検査方法。5. The image data is taken in during constant speed movement of a stage for fixing the semiconductor wafer by suction, and the positional deviation inspection and the foreign matter detection inspection are performed during an acceleration / deceleration period of the stage. The inspection method according to any one of claims 1 to 4. 【請求項６】 所定強度の測定光を半導体ウェハに照射
し該半導体ウェハ上で前記測定光を走査させる走査装置
と、前記半導体ウェハからの反射光及び該半導体ウェハ
に形成されたバンプからの反射光を検出する検出装置
と、前記半導体ウェハの所定領域を撮像する撮像装置と
を備え、前記半導体ウェハに形成されたバンプの検査を
行う検査装置であって、 前記撮像装置から取り込まれた画像データを格納するた
めの記憶手段を少なくとも２つ備えたことを特徴とする
検査装置。6. A scanning device which irradiates a semiconductor wafer with measuring light of a predetermined intensity and scans the measuring light on the semiconductor wafer, and a reflected light from the semiconductor wafer and a reflection from a bump formed on the semiconductor wafer. An inspection device that includes a detection device that detects light and an imaging device that images a predetermined region of the semiconductor wafer, and that inspects bumps formed on the semiconductor wafer. Image data captured from the imaging device An inspection apparatus comprising at least two storage means for storing the.