JPH0765649A - Wiring structure and image forming device using the structure - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a wiring structure capable of preventing separation of a wiring member from a board. CONSTITUTION:On an insulative board 10 a wiring structure is formed in which an electrically conductive wiring member 11 is formed with a gap 12 with respect to the board 10 for every specified length. With the arrangement, stress generating at the boundary between the board 10 and the member 11 can be alleviated by thermal expansion so that dislocation in the wiring and separation can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置、プラズマ
ディスプレイ等の平面型表示装置に広く用いられ、特に
大面積の表示装置に好適に使用できる表示素子の電気配
線技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric wiring technique for a display element, which is widely used in flat panel display devices such as liquid crystal display devices and plasma displays, and is particularly suitable for large-area display devices.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、画像形成装置のうち、平面型表示
装置を実現する表示技術としては、単純マトリックス液
晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示装置
（ＴＦＴ／ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、低速電子線蛍光表示管（ＶＦＤ）、マルチ電子源
フラットＣＲＴ等の平面型表示装置技術がある。また、
上記の表示装置技術を用いてアレイ状の発光素子を作製
し感光性ドラム上に配置することにより電子写真記録装
置を構成することができる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a display technology for realizing a flat display device among image forming devices, a simple matrix liquid crystal display device (LCD), a thin film transistor liquid crystal display device (TFT / LCD), a plasma display (PD).
P), low-speed electron beam fluorescent display (VFD), multi-electron source flat CRT, and other flat panel display technologies. Also,
An electrophotographic recording device can be constructed by producing an array of light emitting elements using the above display device technology and arranging them on a photosensitive drum.

【０００３】これらの画像形成装置技術の例として、マ
ルチ電子源を用い蛍光体を発光させる発光素子及びこれ
を用いた平面型表示装置について説明する。As an example of these image forming apparatus technologies, a light emitting element for emitting a phosphor using a multi electron source and a flat panel display using the same will be described.

【０００４】従来、簡単な構造で電子の放出が得られる
素子として、Ｍ． Ｉ． Ｅｌｉｎｓｏｎ， Ｒａｄｉ
ｏ Ｅｎｇ． Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．， １
０，（１９６５）等によって発表された表面伝導型電子
放出素子が知られている。Conventionally, as a device which can emit electrons with a simple structure, M. I. Elinson, Radi
o Eng. Electron Phys. , 1
0, (1965) and the like, a surface conduction electron-emitting device is known.

【０００５】これは基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するものである。This utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current is passed through a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface.

【０００６】この表面伝導型電子放出素子としては、前
記エリンソン等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ
薄膜によるもの［Ｇ． Ｄｉｔｔｍｅｒ： ”Ｔｈｉｎ
Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”， ９，３１７（１９７
２）］、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの［Ｍ． Ｈ
ａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ． Ｇ． Ｆｏｎｓｔａ
ｄ： ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ＥＤ Ｃｏｎ
ｆ．”， ５１９，（１９７５）］、カーボン薄膜によ
るもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１号、２２頁
（１９８３）］等が報告されている。As this surface conduction electron-emitting device, a device using the SnO ₂ thin film by Erinson et al.
Thin film [G. Dittmer: "Thin
Solid Films ", 9, 317 (197)
2)], by In ₂ O ₃ / SnO ₂ thin film [M. H
artwell and C.I. G. Fonsta
d: "IEEE Trans. ED Con
f. , 519, (1975)], carbon thin films [Hiraki Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, page 22 (1983)] and the like.

【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ． Ｈａｒｔｗｅｌｌの素子
構成を図１１に示す。同図において１０１は絶縁性基
板、１０２は電子放出部形成用薄膜で、スパッタで形成
されたＨ型形状金属酸化物薄膜等からなり、後述のフォ
ーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部１０３が
形成される。As a typical element structure of these surface conduction electron-emitting devices, the above-mentioned M. FIG. 11 shows the Hartwell device configuration. In the figure, 101 is an insulating substrate, 102 is an electron emission portion forming thin film, which is composed of an H-shaped metal oxide thin film formed by sputtering and the like, and the electron emission portion 103 is formed by an energization process called forming described later. It

【０００８】従来、このような表面伝導型電子放出素子
においては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜
１０２に予めフォーミングと呼ばれる通電処理により電
子放出部１０３を形成するのが一般的である。即ち、フ
ォーミングとは前記電子放出部形成用薄膜１０２の両端
に電圧を印加通電し、電子放出部形成用薄膜を局所的に
破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態
にした電子放出部１０３を形成する工程である。尚、電
子放出部１０３は電子放出部形成用薄膜１０２の一部に
発生した亀裂付近から電子放出が行われる場合もある。Conventionally, in such a surface conduction electron-emitting device, the electron-emitting portion 103 is generally formed in advance on the electron-emitting portion forming thin film 102 by an energization process called forming before the electron emission. is there. That is, forming means that a voltage is applied to both ends of the electron emitting portion forming thin film 102 to locally destroy, deform or alter the electron emitting portion forming thin film so that the electron emitting state becomes an electrically high resistance state. This is a step of forming the portion 103. The electron emitting portion 103 may emit electrons from the vicinity of a crack generated in a part of the electron emitting portion forming thin film 102.

【０００９】また、本出願人は、特開平２−５６８２２
号等において新規な表面伝導型電子放出素子を技術開示
した。この電子放出素子は上記従来の表面伝導型電子放
出素子と比較して、電子放出位置をより精密に制御で
き、より高精密に電子放出素子を配列する事ができる。
この表面伝導型電子放出素子の典型的な素子構成を図１
２（ａ），（ｂ）に示す。本図において、２０１は絶縁
性基板、２０２，２０３は電気的接続を得るための素子
電極、２０４は電子放出部を含む薄膜、２０５は電子放
出部である。電子放出部を含む薄膜２０４のうち電子放
出部２０５は導電性微粒子からなり、電子放出部２０５
以外の電子放出部を含む薄膜２０４は微粒子膜からな
る。なお、ここで述られている微粒子膜とは、複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさ
す。更には、あらかじめ導電性微粒子を分散して構成し
た表面導電型電子放出素子においては、基本的な素子構
成のうち一部を変更しても構成できるものである。[0009] The applicant of the present invention has also filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-56822.
No. 1 and the like disclosed the technology of a novel surface conduction electron-emitting device. In this electron-emitting device, the electron-emitting position can be controlled more precisely and the electron-emitting devices can be arranged with higher precision as compared with the conventional surface conduction electron-emitting device.
A typical device configuration of this surface conduction electron-emitting device is shown in FIG.
2 (a) and (b). In this figure, 201 is an insulating substrate, 202 and 203 are element electrodes for obtaining electrical connection, 204 is a thin film including an electron emitting portion, and 205 is an electron emitting portion. The electron emitting portion 205 of the thin film 204 including the electron emitting portion is made of conductive fine particles.
The thin film 204 including the electron emitting portion other than the above is a fine particle film. Note that the fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and not only a state in which fine particles are individually dispersed and arranged as a fine structure but also a state in which fine particles are adjacent to each other or overlap each other (island (Including the shape). Furthermore, a surface-conduction type electron-emitting device having conductive fine particles dispersed therein can be constructed by partially changing the basic device configuration.

【００１０】以上説明してきた表面伝導型電子放出素子
を電子源として用いる際には、電子ビームを飛翔させる
ため真空容器内に配置する必要がある。真空容器内の本
素子の鉛直上に蛍光体を有するフェースプレートを設け
て電子放出装置とし、素子電極間に電圧を印加すること
により電子放出部から得られる電子線を、蛍光体に照射
させて該蛍光体を発光させることで、発光素子や平面型
表示装置として用いることができる。When the surface conduction electron-emitting device described above is used as an electron source, it must be placed in a vacuum container in order to fly an electron beam. A face plate having a phosphor is provided vertically above the device in a vacuum container to form an electron-emitting device, and a voltage is applied between the device electrodes to irradiate the phosphor with an electron beam obtained from the electron-emitting portion. By causing the phosphor to emit light, it can be used as a light emitting element or a flat panel display device.

【００１１】近年、４０ｃｍ□以上の大画面のディスプ
レイにおいては、従来のＣＲＴ装置では大型となり製造
も困難になることから、上記のマルチ電子源を用いた平
面型表示装置の大型化が強く望まれていた。In recent years, in a large-screen display of 40 cm square or more, a conventional CRT device becomes large in size and difficult to manufacture. Therefore, it is strongly desired to increase the size of the flat display device using the above-mentioned multiple electron sources. Was there.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したような平
面型表示装置の画面を大面積化するには以下の様な問題
点がある。There are the following problems in increasing the area of the screen of the flat panel display device as described above.

【００１３】通常、表示装置はガラス等の絶縁材料の基
板上に所定のパターン形状で金属等の電気導伝性材料よ
りなる配線部材を密着形成した配線構造を有する。一般
にガラス等の絶縁材料と金属材料の熱膨張率には差があ
り、配線が長くなるとこれらの密着界面での熱膨張によ
る応力の発生が無視できなくなる。Usually, a display device has a wiring structure in which a wiring member made of an electrically conductive material such as metal is closely formed in a predetermined pattern on a substrate made of an insulating material such as glass. In general, there is a difference in the coefficient of thermal expansion between an insulating material such as glass and a metal material, and if the wiring becomes long, the generation of stress due to thermal expansion at the contact interface between them cannot be ignored.

【００１４】さらに、平面型画像表示装置を大面積化す
ることにより画面内の素子駆動配線が長くなり配線抵抗
が大きくなる。このような装置を電気的に駆動する場
合、配線抵抗により生ずる素子印加電圧降下と駆動信号
遅延が生じ、良好な画像が得られない。これを防止する
ために配線抵抗を小さくする方法としては、配線の厚み
を厚くする方法がある。配線を厚くするには配線の幅に
対する高さの比、すなわちアスペクト比を大きくする必
要がある。しかし、高アスペクト比配線は膜厚が厚い
程、表示装置製作プロセス中の加熱や表示装置駆動中の
配線部発熱により基板材質と配線材質の熱膨張に大きな
差が生じ、配線の剥離や位置ずれを生じやすい。Further, by enlarging the area of the flat image display device, the element drive wiring in the screen becomes long and the wiring resistance becomes large. When such a device is electrically driven, an element applied voltage drop and a drive signal delay caused by wiring resistance occur, and a good image cannot be obtained. As a method of reducing the wiring resistance in order to prevent this, there is a method of increasing the thickness of the wiring. In order to thicken the wiring, it is necessary to increase the ratio of the height to the width of the wiring, that is, the aspect ratio. However, the thicker the high aspect ratio wiring, the greater the difference in thermal expansion between the substrate material and the wiring material due to the heating during the display device manufacturing process and the heat generation of the wiring portion during driving of the display device. Prone to

【００１５】従って、本発明の目的は、配線部材の基板
からの剥離を防止し得る配線構造及びこの配線構造を用
い大面積化を可能とし得る画像形成装置を提供すること
にある。Therefore, an object of the present invention is to provide a wiring structure capable of preventing the wiring member from being separated from the substrate and an image forming apparatus capable of increasing the area by using this wiring structure.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
すべく成された本発明は、絶縁性基板上に電気導伝性の
配線部材を所定のパターン形状で密着形成した配線構造
において、配線の所定の長さごとに基板との非密着部も
しくは密着不良部を設けたことを特徴とする配線構造で
あり、また、前記非密着部もしくは密着不良部におい
て、配線を屈曲した形状に形成したことを特徴とする配
線構造である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention, which has been made to achieve the above object, provides a wiring structure in which an electrically conductive wiring member is closely formed in a predetermined pattern on an insulating substrate. Is a wiring structure characterized in that a non-adhesion portion or a poor adhesion portion with the substrate is provided for each predetermined length, and the wiring is formed in a bent shape in the non-adhesion portion or the poor adhesion portion. This is a wiring structure characterized by the above.

【００１７】本発明の配線構造によれば、配線の所定の
長さごとに設けられた基板との非密着部または密着不良
部が、熱膨張により基板と配線部材との界面に生ずる応
力を緩和し、配線の位置ずれや剥離を防止できるもので
ある。According to the wiring structure of the present invention, the non-adhesion portion or the poor adhesion portion with the substrate provided for each predetermined length of the wiring relieves the stress generated at the interface between the substrate and the wiring member due to thermal expansion. However, it is possible to prevent the positional deviation and peeling of the wiring.

【００１８】さらに、上記非密着部もしくは密着不良部
における配線を、例えば直線状から屈曲した形状に形成
することで、該配線のフレキシビリティが増し、より効
果的に上記応力を緩和できるものである。Further, by forming the wiring in the non-adhered portion or the poorly adhered portion, for example, from a straight line shape to a bent shape, the flexibility of the wiring line is increased and the stress can be alleviated more effectively. .

【００１９】前記配線の非密着部は半導体デバイス等の
作製に用いられる微細加工技術を使って形成できる。そ
の方法として例えばエッチング等により除去可能な中間
部材をあらかじめ非密着部のパターンに従って基板上ま
たは基板に埋め込むように形成し、その上に配線を形成
する方法がある。配線形成後、該中間部材をエッチング
法等で除去することにより、基板と配線部材界面に空隙
を形成し、非密着部とする。The non-contact portion of the wiring can be formed by using a fine processing technique used for manufacturing a semiconductor device or the like. As a method therefor, for example, there is a method in which an intermediate member that can be removed by etching or the like is formed in advance on the substrate or so as to be embedded in the substrate according to the pattern of the non-adhered portion, and the wiring is formed thereon. After the wiring is formed, the intermediate member is removed by an etching method or the like to form a void at the interface between the substrate and the wiring member to form a non-adhesive portion.

【００２０】また、前記配線の密着不良部の形成とし
て、基板または配線部材との密着力の小さい材料による
中間層を密着不良部のパターンに従って基板と配線部材
との界面に形成する方法がある。Further, there is a method for forming the poor adhesion portion of the wiring by forming an intermediate layer made of a material having a small adhesion to the substrate or the wiring member at the interface between the substrate and the wiring member according to the pattern of the poor adhesion portion.

【００２１】また、配線部材に、基板との密着力の小さ
い材料を用い、さらに基板と該配線部材との界面に密着
性を向上させるための中間層を形成し、非密着部もしく
は密着不良部のパターンに従って該中間層を部分的に形
成しないことにより前記配線の非密着部もしくは密着不
良部とすることもできる。Further, the wiring member is made of a material having a small adhesion to the substrate, and an intermediate layer for improving the adhesion is formed at the interface between the substrate and the wiring member. By not forming the intermediate layer partially according to the pattern, it is possible to form a non-adhesion portion or a poor adhesion portion of the wiring.

【００２２】以上の本発明の配線構造を例えば先述した
表面伝導型電子放出素子を複数個並べてなる平面型表示
装置に用いることにより、小面積のものはもちろんのこ
と、４０ｃｍ□以上の大面積においても配線部材の基板
からの剥離を防止でき、安定性、信頼性の高い表示装置
を実現できる。By using the above-described wiring structure of the present invention in, for example, a flat-panel display device in which a plurality of the surface conduction electron-emitting devices described above are arranged, not only in a small area but also in a large area of 40 cm square or more. In addition, the wiring member can be prevented from peeling off from the substrate, and a stable and reliable display device can be realized.

【００２３】[0023]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【００２４】実施例１ 図１は、本発明の配線構造の第一の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中１０は絶縁性基板、１
１は配線部材、１２は基板と配線部材との間に形成した
空隙からなる非密着部である。図１では簡単のため、一
般に下配線と呼ばれている基板のすぐ上に形成される配
線について示したが、基板の上に種々の素子構造を作製
したあとに形成される上配線と呼ばれる配線の場合も同
様の構造である。その場合、１０は例えば形成した素子
との絶縁を保つための層間絶縁層である。 Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view in the wiring length direction of a main part according to a first embodiment of the wiring structure of the present invention. In the figure, 10 is an insulating substrate, 1
Reference numeral 1 is a wiring member, and 12 is a non-adhesive portion formed of a gap formed between the substrate and the wiring member. For the sake of simplicity, FIG. 1 shows a wiring which is generally called a lower wiring and which is formed immediately above the substrate. However, a wiring which is formed after various element structures are formed on the substrate is called an upper wiring. In the case of, the structure is similar. In that case, 10 is, for example, an interlayer insulating layer for maintaining insulation with the formed element.

【００２５】図２は実施例の配線構造を形成するための
工程図である。以下、図２を用いて本実施例の配線構造
の作成工程を説明する 基板１０として平坦性を確保するために表面研磨された
青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設計された非密
着部のパターンに従ってアルミニウムの凸起２１を形成
した（図２（ａ））。該凸起の形成法としてはマスク蒸
着法，エッチング法，リフトオフ法等を用いることがで
きる。形成される凸起２１の端の急俊さはおよそ上記の
順に強くなるが、パターンの大きさ等に応じて適当な形
成法を選択する。尚、凸起２１の高さは数百ｎｍ程度が
適当である。FIG. 2 is a process drawing for forming the wiring structure of the embodiment. The process of forming the wiring structure of this embodiment will be described below with reference to FIG. 2. As the substrate 10, soda lime glass whose surface is polished to ensure flatness is used, and a pattern of a non-adhesive portion designed in advance on the soda lime glass is used. Then, the aluminum protrusion 21 was formed (FIG. 2A). As a method of forming the protrusion, a mask vapor deposition method, an etching method, a lift-off method, or the like can be used. The steepness of the edge of the formed protrusion 21 becomes stronger in the above order, but an appropriate forming method is selected according to the size of the pattern and the like. The height of the protrusion 21 is preferably about several hundred nm.

【００２６】次に上記基板に下びき層としてクロムを約
５ｎｍの厚みで形成した後、目的の配線パターンに従っ
て配線部材１１として金を約１μｍの厚みで形成した
（図２（ｂ））。尚、上記下びき層は、配線部材である
金がガラスとの密着力が小さいため、形成したものであ
り、その形成法は上記アルミニウム凸起と同様の方法を
用いることができる。Next, chromium was formed as a subbing layer on the above substrate to a thickness of about 5 nm, and then gold was formed to a thickness of about 1 μm as the wiring member 11 according to the intended wiring pattern (FIG. 2 (b)). The subbing layer is formed because gold, which is a wiring member, has a small adhesion to the glass, and the forming method thereof can be the same as that of the aluminum protrusion.

【００２７】最後に選択性のエッチング法を用いてアル
ミニウム凸起２１のみを除去して、空隙１２を形成した
（図２（ｃ））。本実施例では選択性のエッチング液と
して、燐酸−酢酸−硝酸系のエッチャントを用いてお
り、ガラス基板や金配線へのダメージはほとんどなかっ
た。Finally, only the aluminum protrusions 21 were removed by using a selective etching method to form the voids 12 (FIG. 2 (c)). In this example, a phosphoric acid-acetic acid-nitric acid-based etchant was used as the selective etching solution, and there was almost no damage to the glass substrate or the gold wiring.

【００２８】本実施例では非密着部を形成する凸起パタ
ーンをアルミニウムで形成したが、これは他の選択エッ
チング可能な金属材料やレジストを用いることもでき
る。レジストを用いた場合には最後の工程でレジスト材
を溶解すればよい。In the present embodiment, the raised pattern for forming the non-adhered portion is formed of aluminum, but other metal material or resist capable of selective etching may be used. When a resist is used, the resist material may be dissolved in the last step.

【００２９】実施例２ 図３は、本発明の配線構造の第二の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中、１０は絶縁性基板、
１１は配線部材、１２は基板と配線部材との間に形成し
た空隙からなる非密着部、３１は基板と配線部材との間
に形成した中間層である。本配線構造では、中間層３１
は基板１０及び配線部材１１との密着性の高い材料から
なり、該中間層３１が部分的に形成されていないギャッ
プ部分に架橋するように配線部材が形成されている。図
３では、図１と同様に下配線の場合について示してい
る。 Embodiment 2 FIG. 3 is a cross-sectional view in the wiring length direction of the essential parts of a second embodiment of the wiring structure of the present invention. In the figure, 10 is an insulating substrate,
Reference numeral 11 is a wiring member, 12 is a non-adhesive portion formed of a gap formed between the substrate and the wiring member, and 31 is an intermediate layer formed between the substrate and the wiring member. In this wiring structure, the intermediate layer 31
Is made of a material having high adhesion to the substrate 10 and the wiring member 11, and the wiring member is formed so as to bridge the gap portion where the intermediate layer 31 is not partially formed. In FIG. 3, the case of the lower wiring is shown as in FIG.

【００３０】図４は本実施例の配線構造を形成するため
の工程図である。以下、図４を用いて本実施例の配線構
造の作成工程を説明する。FIG. 4 is a process drawing for forming the wiring structure of this embodiment. The process of forming the wiring structure of this embodiment will be described below with reference to FIG.

【００３１】先ず、図４（ａ）の非密着部付近の上面図
に示されるように、ガラス基板１０上にアルミニウムよ
りなる中間層３１と白金よりなる配線部材１１とを所定
のパターンに従って堆積形成した。図４（ｂ），
（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図４（ａ）に示した直線Ｂ−
Ｂ’，Ｃ−Ｃ’，Ｄ−Ｄ’の位置での断面図である。
尚、アルミニウムと白金の厚みはそれぞれ数百ｎｍと数
μｍ程度が適当である。通常の配線構造である図４
（ａ）のＤ−Ｄ’位置では、図４（ｄ）に示されるよう
に中間層３１の幅よりも配線部材１１の幅が広く、中間
層を完全に覆っている。一方、非密着部に対応する図４
（ａ）のＣ−Ｃ’位置では、図４（ｃ）に示されるよう
に逆に配線部材１１の幅が狭くなって中間層３１が露出
している。First, as shown in the top view of the vicinity of the non-adhesive portion in FIG. 4A, an intermediate layer 31 made of aluminum and a wiring member 11 made of platinum are deposited and formed on a glass substrate 10 in a predetermined pattern. did. 4 (b),
(C) and (d) are straight lines B- shown in FIG. 4 (a), respectively.
It is sectional drawing in the position of B ', CC', and DD '.
It is suitable that the thicknesses of aluminum and platinum are about several hundreds nm and several μm, respectively. The normal wiring structure shown in FIG.
At the position D-D 'in (a), the width of the wiring member 11 is wider than the width of the intermediate layer 31 and completely covers the intermediate layer, as shown in FIG. 4 (d). On the other hand, FIG. 4 corresponding to the non-contact portion
At the position CC ′ in FIG. 4A, the width of the wiring member 11 is narrowed and the intermediate layer 31 is exposed, as shown in FIG. 4C.

【００３２】次に選択性エッチング法を用いてアルミニ
ウムの中間層をエッチアウトし、図４（ｅ）及び（ｆ）
に示す構造を得た。尚、図４（ｅ）は非密着部付近の上
面図であり、図４（ｆ）は図４（ｅ）に示した直線Ｂ−
Ｂ’の位置での断面図である。ここで中間層は配線部材
から露出した部分でのみエッチングされ、配線部材で覆
われた部分ではエッチングが進行しない。本実施例にお
いても選択性のエッチング液として、燐酸−酢酸−硝酸
系のエッチャントを用いており、ガラス基板や白金配線
へのダメージはほとんどなかった。Next, the intermediate layer of aluminum is etched out by using the selective etching method, and then, as shown in FIGS. 4 (e) and 4 (f).
The structure shown in was obtained. 4 (e) is a top view of the vicinity of the non-adhesive portion, and FIG. 4 (f) is a straight line B- shown in FIG. 4 (e).
It is sectional drawing in the position of B '. Here, the intermediate layer is etched only in the portion exposed from the wiring member, and the etching does not proceed in the portion covered with the wiring member. Also in this example, a phosphoric acid-acetic acid-nitric acid-based etchant was used as the selective etching solution, and the glass substrate and the platinum wiring were hardly damaged.

【００３３】実施例３ 図５は、本発明の配線構造の第三の実施例に係る要部の
配線長方向の上面図（図５（ａ））および断面図（図５
（ｂ））である。図中、１０は絶縁性基板、１１は配線
部材、５１は基板と配線部材との界面に形成した中間層
である。ここで中間層５１は基板１０または配線部材１
１との密着力の低い材料で形成される。図５（ａ）の上
面図に示したように、配線は中間層５１が形成された上
の領域で直線状から屈曲したパターンに形成されてい
る。本実施例の配線構造は、密着力の低い材料からなる
中間層上の配線のフレキシビリティが増すため、より効
果的に基板と配線部材との間に生ずる応力を緩和するこ
とができる。 Embodiment 3 FIGS. 5A and 5B are a top view (FIG. 5A) and a sectional view (FIG. 5A) in the wiring length direction of a main part according to a third embodiment of the wiring structure of the present invention.
(B)). In the figure, 10 is an insulating substrate, 11 is a wiring member, and 51 is an intermediate layer formed at the interface between the substrate and the wiring member. Here, the intermediate layer 51 is the substrate 10 or the wiring member 1.
It is formed of a material having low adhesion with 1. As shown in the top view of FIG. 5A, the wiring is formed in a linearly bent pattern in the upper region where the intermediate layer 51 is formed. Since the wiring structure of the present embodiment increases the flexibility of the wiring on the intermediate layer made of a material having a low adhesion, it is possible to more effectively relieve the stress generated between the substrate and the wiring member.

【００３４】次に、本実施例の配線構造の形成法につい
て説明する。基板１０として平坦性を確保するために表
面研磨された青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設
計された密着不良部のパターンに従って中間層５１を金
を用いて形成した。中間層５１の形成法としてはマスク
蒸着法，エッチング法，リフトオフ法等を用いることが
できる。尚、中間層の厚みは数百ｎｍ程度が適当であ
る。Next, a method of forming the wiring structure of this embodiment will be described. A soda-lime glass whose surface was polished to ensure flatness was used as the substrate 10, and an intermediate layer 51 was formed using gold in accordance with a pattern of a poor adhesion portion designed in advance. As a method of forming the intermediate layer 51, a mask vapor deposition method, an etching method, a lift-off method or the like can be used. The thickness of the intermediate layer is preferably about several hundreds of nm.

【００３５】次に目的の配線パターンに従って、上記基
板に配線部材１１としてアルミニウムを約１μｍの厚み
で形成した。中間層に用いた金はガラス基板との密着力
が非常に小さいため、中間層５１部分では配線部材１１
とガラス基板１０との密着性が不良となり、目的の配線
構造が得られた。Next, in accordance with the intended wiring pattern, aluminum was formed as the wiring member 11 on the above substrate to a thickness of about 1 μm. Since the gold used for the intermediate layer has a very small adhesion to the glass substrate, the wiring member 11 is not formed on the intermediate layer 51.
The adhesion between the substrate and the glass substrate 10 was poor, and the intended wiring structure was obtained.

【００３６】実施例４ 図６は、本発明の配線構造の第四の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。図中、１０は絶縁性基板、
１１は配線部材、６１は基板と配線部材との界面に形成
した中間層である。ここで配線部材１１は基板１０との
密着力の低い材料で形成され、また中間層６１は基板１
０と配線部材１１との密着性を向上させる材料で形成さ
れる。 Embodiment 4 FIG. 6 is a cross-sectional view in the wiring length direction of the essential parts of a fourth embodiment of the wiring structure of the present invention. In the figure, 10 is an insulating substrate,
Reference numeral 11 is a wiring member, and 61 is an intermediate layer formed at the interface between the substrate and the wiring member. Here, the wiring member 11 is formed of a material having a low adhesion to the substrate 10, and the intermediate layer 61 is the substrate 1.
0 and the wiring member 11 are formed of a material that improves the adhesion.

【００３７】図７は本実施例の配線構造を形成するため
の工程図である。以下、図７を用いて本実施例の配線構
造の作成工程を説明する。FIG. 7 is a process drawing for forming the wiring structure of this embodiment. The process of forming the wiring structure of this embodiment will be described below with reference to FIGS.

【００３８】基板１０として平坦性を確保するために表
面研磨された青板ガラスを用い、その上にあらかじめ設
計された配線パターンに従ってチタンよりなる中間層６
１を形成した（図７（ａ））。図７（ａ）に示すように
密着不良部を形成しようとする部分には中間層が形成さ
れていない。尚、中間層６１の厚みは数百ｎｍ程度が適
当である。As the substrate 10, soda lime glass whose surface is polished to ensure flatness is used, and an intermediate layer 6 made of titanium is formed on the soda lime glass in accordance with a wiring pattern previously designed.
1 was formed (FIG. 7A). As shown in FIG. 7A, the intermediate layer is not formed in the portion where the poor adhesion portion is to be formed. Incidentally, it is suitable that the thickness of the intermediate layer 61 is about several hundred nm.

【００３９】次に図７（ｂ）の上面図に示すように、配
線パターンを残して、その周辺にメッキレジストのパタ
ーン７１を形成した。図７（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図
７（ｂ）の上面図に示した直線Ｂ−Ｂ’，Ｃ−Ｃ’の位
置での断面図である。尚、メッキレジストの厚みは数μ
ｍ程度が適当である。Next, as shown in the top view of FIG. 7B, a wiring pattern was left and a plating resist pattern 71 was formed around the wiring pattern. 7C and 7D are cross-sectional views at the positions of the straight lines BB 'and CC' shown in the top view of FIG. 7B, respectively. The thickness of the plating resist is several μ
m is suitable.

【００４０】次に上記のチタン薄膜からなる中間層６１
を電極として、電解メッキ法により該中間層上に金より
なる配線部材１１を堆積し、配線パターンを形成した。
このとき金は基板面に垂直方向に成長すると同時に、ほ
ぼ同じ速度で上記レジストパターンで限られた領域内の
基板面内方向へも成長する。その結果、図７（ｅ）の配
線方向の断面図に示すように、左右の電極（中間層６
１）から成長した金が接して一体となり、中間層が形成
されていない部分においても配線が形成される。最後に
メッキレジスト７１を剥離することにより目的の配線パ
ターンを得た。Next, the intermediate layer 61 made of the above titanium thin film.
Using as the electrode, a wiring member 11 made of gold was deposited on the intermediate layer by electrolytic plating to form a wiring pattern.
At this time, gold grows in the direction perpendicular to the substrate surface, and at the same time, gold also grows in the in-plane direction of the substrate in the region limited by the resist pattern. As a result, as shown in the cross-sectional view in the wiring direction of FIG.
Gold grown from 1) comes into contact with and is integrated, and wiring is formed even in a portion where the intermediate layer is not formed. Finally, the plating resist 71 was peeled off to obtain an intended wiring pattern.

【００４１】上記方法で作製した配線構造においては、
チタン薄膜からなる中間層が形成された部分は配線部材
の金とガラス基板との密着力が強いが、中間層が形成さ
れていない部分は配線部材の金とガラス基板との密着力
が弱く、この部分で応力の緩和ができる。In the wiring structure produced by the above method,
The portion where the intermediate layer made of the titanium thin film is formed has strong adhesion between the gold of the wiring member and the glass substrate, but the portion where the intermediate layer is not formed has weak adhesion between the gold of the wiring member and the glass substrate, Stress can be relaxed at this portion.

【００４２】実施例５ 図８〜図１０に本発明の配線構造を用いた表示装置の実
施例を示す。 Embodiment 5 FIGS. 8 to 10 show an embodiment of a display device using the wiring structure of the present invention.

【００４３】図８は本発明の配線構造を有する複数の電
子放出素子を用いて構成した画像表示装置の概略的な断
面図である。同図において８０は絶縁性基板であるとこ
ろの青板ガラス、８１は基板８０上に薄膜技術によって
形成した表面伝導型電子放出素子であり、２μｍのギャ
ップを有する素子電極８２，８２’間に電子放出材８３
が配置されて構成されている。８４は基板８０上に形成
された絶縁層であり、電子放出材８３上では開口を有し
ている。８５は絶縁層８４および基板８０の上に薄膜で
形成された変調電極であるところのグリッドであり、電
子放出材８３上で開口を有している。８９は青板ガラス
８６の表面に蛍光体８７とメタルバック８８が形成され
たフェイスプレートである。上記基板８０とフェイスプ
レート８９はスペーサ９０を介してフリットガラス９１
により封着されパネルを構成する。また、電子放出素子
８１、グリッド８５、メタルバック８８においては、封
着パネルの外側へ、電気的な配線が取り出されている。FIG. 8 is a schematic sectional view of an image display device constructed by using a plurality of electron-emitting devices having the wiring structure of the present invention. In the figure, 80 is soda lime glass which is an insulating substrate, 81 is a surface conduction electron-emitting device formed on the substrate 80 by a thin film technique, and electron emission is performed between device electrodes 82 and 82 ′ having a gap of 2 μm. Material 83
Are arranged and configured. Reference numeral 84 is an insulating layer formed on the substrate 80, and has an opening on the electron emitting material 83. Reference numeral 85 denotes a grid, which is a modulation electrode formed of a thin film on the insulating layer 84 and the substrate 80, and has an opening on the electron emitting material 83. Reference numeral 89 is a face plate in which the phosphor 87 and the metal back 88 are formed on the surface of the blue plate glass 86. The substrate 80 and the face plate 89 are provided with a frit glass 91 via a spacer 90.
Is sealed by and forms a panel. Further, in the electron-emitting device 81, the grid 85, and the metal back 88, electrical wiring is taken out to the outside of the sealing panel.

【００４４】上記封着パネル内を真空排気して、素子電
極８２，８２’間に電圧を印加すると、電子放出材８３
から電子が放出される。ここでメタルバック８８にプラ
スの高電圧を印加すると、放出電子は蛍光体８７へ照射
され、輝点が生じる。さらにグリッド８５に適当な電圧
を印加し、これをオン・オフすることによって、放出電
子が蛍光体８７に照射するか、または、電子放出素子８
１側に吸い込まれることによって、蛍光体８７での輝点
を制御することができる。When the inside of the sealing panel is evacuated and a voltage is applied between the device electrodes 82 and 82 ', the electron emitting material 83
Emits electrons. When a positive high voltage is applied to the metal back 88 here, the emitted electrons are irradiated to the phosphor 87, and a bright spot is generated. Further, by applying an appropriate voltage to the grid 85 and turning it on and off, the emitted electrons irradiate the phosphor 87, or the electron emitting device 8
By being sucked into the first side, the bright spot in the phosphor 87 can be controlled.

【００４５】図９は、図８で示した画像表示装置の斜視
図である。なお、説明上、グリッド８５、フェイスプレ
ート８６、スペーサ９０は部分的に切り取って示してあ
る。FIG. 9 is a perspective view of the image display device shown in FIG. For the sake of explanation, the grid 85, face plate 86, and spacer 90 are partially cut away.

【００４６】図９において９２は基板８０上に平行に配
置された表面伝導型電子放出素子の素子電極を接続する
配線（図８には示していない）であり、図中の部分拡大
断面図”Ａ”に示されるように本発明の配線構造を有
し、実施例１ないし４に示した形成法を用いて形成され
る。配線９２には電子放出素子が並列に配置接続されて
おり、各素子電極８２，８２’間に対しラインごとに順
次電圧を印加することができる（図中の部分拡大平面
図”Ｂ”参照）。また、表面伝導型電子放出素子８１の
列とグリッド８５の列とは、おのおの直角に交差したマ
トリクス構造となるように構成されている。本装置にお
いて、図９には不図示のメタルバックに高電圧を印加し
ておき、配線９２の各列に順次電圧を印加掃引すること
で、各列の電子放出素子８１から順次電子放出させるこ
とができる。更に、グリッド８５の各列に、外部端子Ｇ
₁〜Ｇ_Nより任意の信号電圧を順次印加することによっ
て、蛍光面８７へ照射される放出電子が変調され、蛍光
面発光による任意の画像を表示できる。なお本実施例の
画像表示装置の表示領域は６０ｃｍ×４０ｃｍである。In FIG. 9, reference numeral 92 is a wiring (not shown in FIG. 8) for connecting the device electrodes of the surface conduction electron-emitting devices arranged in parallel on the substrate 80, and a partial enlarged cross-sectional view in the drawing. As shown by A ″, it has the wiring structure of the present invention and is formed by using the forming method shown in the first to fourth embodiments. Electron emission devices are arranged and connected in parallel to the wiring 92, and a voltage can be sequentially applied line by line between the device electrodes 82 and 82 '(see a partially enlarged plan view "B" in the drawing). . Further, the rows of the surface conduction electron-emitting devices 81 and the rows of the grid 85 are configured to have a matrix structure in which they intersect each other at right angles. In this device, a high voltage is applied to a metal back (not shown in FIG. 9), and a voltage is sequentially applied to each column of the wiring 92 to sweep the electrons, so that electrons are sequentially emitted from the electron-emitting devices 81 in each column. You can Further, the external terminal G is provided on each row of the grid 85.
By sequentially applying an arbitrary signal voltages from ₁ ~G _N, emitted electrons to be irradiated to the phosphor screen 87 is modulated, can display an arbitrary image by fluorescence-emitting. The display area of the image display device of this embodiment is 60 cm × 40 cm.

【００４７】次に本発明の配線構造を用いた本実施例の
画像表示装置の製造方法を図１０および図９によって具
体的に説明する。図１０は本実施例における表面伝導型
電子放出素子８１およびグリッド８５の製造工程を示す
図であり、同図（ａ）〜（ｈ）の工程順に説明する。Next, a method of manufacturing the image display device of this embodiment using the wiring structure of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. FIG. 10 is a diagram showing a manufacturing process of the surface conduction electron-emitting device 81 and the grid 85 in this embodiment, which will be described in the order of the processes of FIGS.

【００４８】（ａ）まず洗浄した青板ガラスからなる基
板８０上に本発明の配線構造を持つ配線９２を形成し
た。形成方法は実施例１に示した方法で、まずマスク蒸
着法で配線の非密着部となるべきパターンに従ってアル
ミニウムの凸起を形成し、その上にリフトオフ法を用い
て配線パターンに従って金を約２μｍの厚みで形成し配
線９２とした。配線パターンは図９に示されるような平
行線のパターンである。次にアルミニウム凸起をエッチ
ング法で除去することにより、配線９２と基板との非密
着部を形成した。図９およびその部分拡大図”Ａ”に示
したように、非密着部は表面伝導型電子放出素子が形成
される位置の間に形成するのが適当である。図１０
（ａ）においては電子放出素子が形成される位置での断
面を示したため、非密着部は図示されていないが、紙面
に垂直方向に複数の非密着部が形成されている。(A) First, the wiring 92 having the wiring structure of the present invention was formed on the washed substrate 80 made of soda-lime glass. The formation method is the same as that of the first embodiment. First, a mask evaporation method is used to form aluminum protrusions according to a pattern to be a non-adhesive portion of wiring, and then a lift-off method is used to form gold protrusions of about 2 μm in accordance with the wiring pattern. The wiring 92 is formed to have a thickness of. The wiring pattern is a pattern of parallel lines as shown in FIG. Next, the aluminum protrusion was removed by an etching method to form a non-adhesive portion between the wiring 92 and the substrate. As shown in FIG. 9 and a partial enlarged view “A” thereof, it is appropriate to form the non-contact portion between the positions where the surface conduction electron-emitting device is formed. Figure 10
Since the cross section at the position where the electron-emitting device is formed is shown in (a), the non-contact portion is not shown, but a plurality of non-contact portions are formed in the direction perpendicular to the paper surface.

【００４９】（ｂ）次にフォトリソグラフィー法により
配線９２の中間に電子放出部の電極ギャップとなるべき
約２μｍの幅のフォトレジストパターン９５を形成し、
さらに真空蒸着法により、厚さ５０Åのチタン／厚さ１
０００Åのニッケルを表面伝導型電子放出素子の両素子
電極８２，８２’用として堆積した。(B) Next, a photoresist pattern 95 having a width of about 2 μm to be an electrode gap of the electron emitting portion is formed in the middle of the wiring 92 by photolithography.
Further, by vacuum evaporation method, titanium with a thickness of 50Å / thickness 1
000 Å nickel was deposited for both device electrodes 82 and 82 'of the surface conduction electron-emitting device.

【００５０】（ｃ）その後、フォトレジストパターン９
５を有機溶剤で溶解し、Ｔｉ／Ｎｉ堆積膜をリフトオフ
して、電極ギャップ９６を有する素子電極８２，８２’
を形成した。(C) Then, the photoresist pattern 9
5 is dissolved in an organic solvent, the Ti / Ni deposited film is lifted off, and device electrodes 82 and 82 ′ having an electrode gap 96 are formed.
Was formed.

【００５１】（ｄ）次に電極ギャップ９６およびこの近
傍に開口を有するように、膜厚１０００Åのクロム堆積
膜９７をパターニングし、その上に有機パラジウムをス
ピンナーにより回転塗布、焼成して、パラジウム微粒子
からなる電子放出材８３を配置した。(D) Next, a chromium deposition film 97 having a film thickness of 1000 Å is patterned so as to have an electrode gap 96 and an opening in the vicinity thereof, and organopalladium is spin-coated on the film with a spinner and baked to form fine palladium particles. The electron emission material 83 consisting of is arranged.

【００５２】（ｅ）その後、クロム堆積膜９７を酸エッ
チャントによりウエットエッチして取り除き、電子放出
材８３をパターニングした。(E) Then, the chromium deposited film 97 was removed by wet etching with an acid etchant, and the electron emitting material 83 was patterned.

【００５３】（ｆ）さらにこの上に厚さ８．５μｍのＳ
ｉＯ₂からなる絶縁層８４と、厚さ１００ｎｍのクロム
／厚さ２μｍのニッケル／厚さ１００ｎｍのクロム／厚
さ１μｍのアルミニウムからなるグリッド８５を順次真
空堆積した。(F) Further, an S layer having a thickness of 8.5 μm
An insulating layer 84 made of iO ₂ and a grid 85 made of 100 nm thick chromium / 2 μm thick nickel / 100 nm thick chromium / 1 μm aluminum were sequentially vacuum deposited.

【００５４】（ｇ）次に、フォトリソグラフィー及びエ
ッチングにより、電子放出材８３上に１９０μｍ×３４
μｍの長方形の開口を設けるようにＣｒ／Ｎｉ／Ｃｒ／
Ａｌ堆積層８５およびＳｉＯ₂層８４をパターニングし
て、絶縁層８４およびグリッド８５を形成した。(G) Next, by photolithography and etching, 190 μm × 34 on the electron-emitting material 83.
Cr / Ni / Cr /
The Al deposition layer 85 and the SiO ₂ layer 84 were patterned to form the insulating layer 84 and the grid 85.

【００５５】以上の工程では、同一基板上に表面伝導型
電子放出素子８１、絶縁層８４、グリッド８５を順次形
成するため、薄膜，フォトリソグラフィー，エッチング
等の技術を用いることができ、各部材の材料選択に自由
度があり、寸法精度も半導体製造程度の高精度を得るこ
とができる。また、フォトリソグラフィーにおいては、
ステップアンドスキャンタイプのような大面積基板用の
マスクアライナーを用いることで、容易に大面積化する
ことができる。In the above steps, since the surface conduction electron-emitting device 81, the insulating layer 84 and the grid 85 are sequentially formed on the same substrate, techniques such as thin film, photolithography and etching can be used. There is flexibility in material selection, and dimensional accuracy as high as semiconductor manufacturing can be obtained. In photolithography,
By using a mask aligner for a large area substrate such as a step-and-scan type, the area can be easily increased.

【００５６】以上のようにして作製した電子放出素子基
板を図９に示すように、別途作製したフェイスプレート
８９とスペーサ９０と共にフリットガラスにより封着
し、封着パネルとした。ここでフリットガラスによる封
着は４３０℃にて１時間の焼成により実施したが、配線
９２の基板からの剥離や位置ずれは全く発生しなかっ
た。As shown in FIG. 9, the electron-emitting device substrate manufactured as described above was sealed together with a face plate 89 and a spacer 90, which were separately manufactured, with frit glass to form a sealed panel. Here, the sealing with the frit glass was carried out by firing at 430 ° C. for 1 hour, but no peeling of the wiring 92 from the substrate or misalignment occurred.

【００５７】なお実施例２〜４に示したいずれの配線構
造を用いても、フリットガラスによる封着工程の際に配
線の基板からの剥離や位置ずれは全く発生しなかった。In any of the wiring structures shown in Examples 2 to 4, neither peeling of the wiring from the substrate nor displacement of the wiring occurred during the sealing process with frit glass.

【００５８】また、上記の表示装置を用いて長さ４０ｃ
ｍのアレイ状発光素子を作製し、感光性ドラム上に配置
することにより、電子写真記録装置を構成することがで
きた。Further, using the above display device, a length of 40c
An electrophotographic recording device could be constructed by producing an array-shaped light emitting element of m and disposing it on a photosensitive drum.

【００５９】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線構造
によれば、所定の長さごとに設けられた非密着部または
密着不良部が、熱膨張により基板と配線部材との界面に
生ずる応力を緩和し、配線の位置ずれや剥離を防止でき
る。これにより、特に大面積の平面型画像表示装置の様
に、配線を厚くして配線抵抗を小さくする必要がある場
合においても、装置作製工程中における加熱や表示装置
駆動中の発熱による配線部材の基板からの剥離や位置ず
れを防止でき、安定性，信頼性の高い表示装置を実現で
きる。As described above, according to the wiring structure of the present invention, the non-adhesion portion or the poor adhesion portion provided for each predetermined length is generated at the interface between the substrate and the wiring member due to thermal expansion. It is possible to relieve stress and prevent wiring displacement and peeling. As a result, even in the case where it is necessary to thicken the wiring and reduce the wiring resistance, as in the case of a large-area flat-panel image display device, the wiring member due to the heat generated during the device manufacturing process or the heat generated while the display device is driven is formed. A display device with high stability and reliability can be realized by preventing peeling from the substrate and displacement.

【００６０】更には、画像表示装置に限らず、アレイ状
発光素子を構成し電子写真記録装置のような画像形成装
置に応用した場合においても同様の効果を得ることがで
きる。Further, the same effect can be obtained not only in the image display device but also in the case where the arrayed light emitting element is formed and applied to an image forming device such as an electrophotographic recording device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の配線構造の第一の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view in the wiring length direction of a main part according to a first embodiment of a wiring structure of the present invention.

【図２】本発明の第一の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。FIG. 2 is a process drawing for forming the wiring structure of the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の配線構造の第二の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view in the wiring length direction of a main part according to a second embodiment of the wiring structure of the present invention.

【図４】本発明の第二の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。FIG. 4 is a process drawing for forming a wiring structure according to a second embodiment of the present invention.

【図５】本発明の配線構造の第三の実施例に係る要部の
配線長方向の上面図および断面図である。5A and 5B are a top view and a cross-sectional view in the wiring length direction of a main part according to a third embodiment of the wiring structure of the invention.

【図６】本発明の配線構造の第四の実施例に係る要部の
配線長方向の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view in the wiring length direction of a main part according to a fourth embodiment of the wiring structure of the present invention.

【図７】本発明の第四の実施例の配線構造を形成するた
めの工程図である。FIG. 7 is a process drawing for forming a wiring structure according to a fourth embodiment of the present invention.

【図８】本発明の配線構造を有する複数の電子放出素子
を用いて構成した画像表示装置の概略的な断面図であ
る。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an image display device configured by using a plurality of electron-emitting devices having a wiring structure of the present invention.

【図９】図８で示した画像表示装置の一部切り欠き斜視
図である。9 is a partially cutaway perspective view of the image display device shown in FIG. 8. FIG.

【図１０】図８及び図９で示した画像表示装置に用いた
表面伝導型電子放出素子及びグリッドの製造工程を示す
図である。FIG. 10 is a diagram showing a manufacturing process of the surface conduction electron-emitting device and the grid used in the image display device shown in FIGS. 8 and 9.

【図１１】従来の表面伝導型電子放出素子の典型的な素
子構成を示す上面図である。FIG. 11 is a top view showing a typical device configuration of a conventional surface conduction electron-emitting device.

【図１２】本出願人が先に開示した表面伝導型電子放出
素子の典型的な素子構成を示す上面図及び断面図であ
る。12A and 12B are a top view and a cross-sectional view showing a typical device configuration of the surface conduction electron-emitting device previously disclosed by the applicant.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 絶縁性基板 １１ 配線部材 １２ 空隙 ２１ 凸起 ３１，５１，６１ 中間層 ７１ メッキレジスト ８０ 絶縁性基板 ８１ 表面伝導型電子放出素子 ８２，８２’ 素子電極 ８３ 電子放出材 ８４ 絶縁層 ８５ グリッド（変調電極） ８６ ガラス基板 ８７ 蛍光体 ８８ メタルバック ８９ フェイスプレート ９０ スペーサ ９１ フリットガラス ９２ 配線 ９５ フォトレジストパターン ９６ 素子電極ギャップ ９７ クロムパターン １０１ 絶縁性基板 １０２ 電子放出部形成用薄膜 １０３ 電子放出部 ２０１ 絶縁性基板 ２０２，２０３ 素子電極 ２０４ 電子放出部を含む薄膜 ２０５ 電子放出部 10 Insulating Substrate 11 Wiring Member 12 Void 21 Projection 31, 51, 61 Intermediate Layer 71 Plating Resist 80 Insulating Substrate 81 Surface Conduction Electron Emitting Element 82, 82 'Element Electrode 83 Electron Emitting Material 84 Insulating Layer 85 Grid (Modulation) Electrode) 86 Glass substrate 87 Phosphor 88 Metal back 89 Face plate 90 Spacer 91 Frit glass 92 Wiring 95 Photoresist pattern 96 Element electrode gap 97 Chrome pattern 101 Insulating substrate 102 Thin film for forming electron emitting portion 103 Electron emitting portion 201 Insulation Substrate 202, 203 Device electrode 204 Thin film including electron emission portion 205 Electron emission portion

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 征四郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Seishiro Yoshioka 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 絶縁性基板上に電気導伝性の配線部材を
所定のパターン形状で密着形成した配線構造において、
配線の所定の長さごとに基板との非密着部もしくは密着
不良部を設けたことを特徴とする配線構造。1. A wiring structure in which an electrically conductive wiring member is closely formed in a predetermined pattern on an insulating substrate,
A wiring structure in which a non-adhesion portion or a poor adhesion portion with a substrate is provided for each predetermined length of wiring. 【請求項２】 前記非密着部もしくは密着不良部におい
て、配線を屈曲した形状に形成したことを特徴とする請
求項１に記載の配線構造。2. The wiring structure according to claim 1, wherein the wiring is formed in a bent shape in the non-adhesion portion or the adhesion failure portion. 【請求項３】 前記非密着部が、基板と配線部材との界
面に空隙を形成してなることを特徴とする請求項１又は
２に記載の配線構造。3. The wiring structure according to claim 1, wherein the non-adhesive portion forms a void at an interface between the substrate and the wiring member. 【請求項４】 前記密着不良部が、基板と配線部材との
界面に基板または配線部材との密着性の低い材料からな
る中間層を形成してなることを特徴とする請求項１又は
２に記載の配線構造。4. The poor adhesion portion is formed by forming an intermediate layer made of a material having low adhesion to the substrate or the wiring member at an interface between the substrate and the wiring member. The wiring structure shown. 【請求項５】 請求項１又は２に記載の配線構造におい
て、前記配線材料は前記基板に対する密着性が低く、基
板と配線部材との界面に基板及び配線部材との密着性の
高い材料からなる中間層が形成されており、前記密着不
良部が該中間層を一部形成しない部分であることを特徴
とする配線構造。5. The wiring structure according to claim 1, wherein the wiring material has low adhesion to the substrate and is highly adhesive to the substrate and the wiring member at an interface between the substrate and the wiring member. A wiring structure, wherein an intermediate layer is formed, and the poor adhesion portion is a portion where the intermediate layer is not partially formed. 【請求項６】 請求項１〜５いずれかに記載の配線構造
を用いた画像形成装置。6. An image forming apparatus using the wiring structure according to claim 1.