JPH076513A - 高性能記録再生装置およびそれを用いたアレイシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の記録再生装置に設けられていた交替エ
リアなどの一部の領域を、より信頼性の高い不揮発記憶
手段の記憶領域に割り当てることにより、高密度で、高
速応答が可能で、製作歩留まりが高く、信頼性の高い高
性能の記録再生装置およびアレイシステムを提供する。 【構成】 磁気ディスク装置等のファイルメモリにおい
て、ディスク上の不良領域に対する交替エリアを、不揮
発性の半導体メモリに割当てて記録再生する。 【効果】 高速応答で、信頼性の高い記録再生装置を歩
留まりよく作製でき、大量の情報を高速に記録再生する
システムに適した記録再生装置が得られる。また、本発
明の記録再生装置を用いたディスク・アレイシステム
は、高信頼、高速応答等を低コストで実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気または光、もしくは
その両方を用いて情報の記録または再生を行う記録再生
装置と、それを用いたディスク・アレイシステムに係
り、特にアクセスが高速で大容量の情報を高速に記録再
生することができ、かつ装置の製作の歩留まりが高く、
信頼性の高い高性能の記録再生装置およびそれを用いた
高性能のディスク・アレイシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の代表的な磁気ディスク装置の構成
について、図１２と図１３を用いて説明する。図におい
て、磁気ディスク装置は、磁気ディスクドライブ３０
と、信号処理回路６とによって構成されている。磁気デ
ィスクドライブ３０は、主に、複数の磁気ディスク１
と、情報の記録再生を行う複数の磁気ヘッド２と、複数
の磁気ヘッド２に対応する記録再生用のアンプ５と、磁
気ヘッド２を所望のシリンダ位置に移動させるアクチュ
エータ３と、磁気ディスク１を回転させるスピンドルモ
ータ４と、等化＋変復調回路１０と、サーボデータ処理
回路１１と、スピンドルモータ４およびアクチュエータ
３のドライバ回路であるアクチュエータドライバ回路７
とスピンドルモータドライバ回路８とにより構成されて
いる。また、信号処理回路６は、データ処理回路１２と
コントロール回路１４とバッファメモリ１３とからな
り、データ処理回路１２は、フォーマット制御回路１６
と、エラー訂正回路１８と、転送制御回路１７と、イン
ターフェイス制御回路１９により主に構成されている。
また、コントロール回路１４には、リード オンリーメ
モリ（以下ＲＯＭという）１５が内蔵され、上記の磁気
ディスクドライブ３０を制御する。記録再生用アンプ５
は、等化＋変復調回路１０に接続され、等化＋変復調回
路１０では、再生時には再生波形を等化して復調し、記
録時には記録情報の変調を行う。アクチュエータ３やス
ピンドルモータ４は、それぞれのドライバ回路７、８に
より駆動され、各ドライバ回路７、８は、サーボデータ
処理回路１１で制御される。アクチュエータ３の制御で
は、等化＋変復調回路１０が、サーボデータ処理回路１
１にサーボに必要な再生波形の情報を送る。従来構成の
記録再生装置では、装置の出荷時にユーザデータの記録
領域に特定のパターンのデータを記録し、このデータが
正常に記録できているかを厳しくチェックする。この
時、図１３に示すように、正常に記録されていない不良
領域（欠陥）３５があれば、この記録領域をあらかじめ
定めた同一ディスク上の領域（交替エリアという）に置
き換え、領域を変えたことをコントロール回路１４のＲ
ＯＭ（リード オンリーメモリ）１５やディスク上の管
理エリア等に記憶しておく。ユーザがこの不良領域３５
に記録再生しようとすると、信号処理回路６は交替エリ
アをアクセスすることをサーボデ−タ処理回路１１に要
求する。交替エリアは、記録再生装置の出荷時の歩留ま
りを向上させる上で極めて重要であるが、磁気ディスク
１上の交替エリアが増加すると、交替エリアの領域分だ
け装置の記録密度を高くする必要がある。また、数セク
タにまたがる記録再生動作を行う場合、その数セクタ内
に交替エリアが含まれると、交替エリアをアクセスする
ためのアクチュエータのシーク時間や回転待ち時間な
ど、通常のアクセスに対する応答時間よりはるかに余分
な時間を必要する。さらに、ディスク一面当りで管理で
きる交替エリアの数は制限されるので、この数を超える
ディスク面が生じた場合は、その装置は装置容量の仕様
を満たしていないため出荷できないことになる。また、
信号処理回路６には、磁気ディスクドライブ３０から再
生したユーザデータが正しく再生されたか否かをエラー
訂正回路１８でチェックし、さらには訂正するためのエ
ラーチェックコードが付加されて記録されるが、このコ
ード自体の増加も装置容量増加の阻害要因となってい
る。さらに、複数の磁気ディスク装置をアレイ状に構成
したディスク・アレイシステムでの交替エリアの使用
は、上記理由でアクセスに対する応答時間の遅延となっ
て現われ、システムとしての性能を著しく劣化させると
いった問題があった。また、動画像を扱うシステムの記
録再生装置においては、リアルタイムに連続した大量の
デ−タを記録再生する必要があり、アクセスに対する応
答時間を遅延させないで交替エリアを使用することは極
めて困難な問題であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来技術における問題点を解消するものであって、
記録再生装置に設けられていた交替エリアなどの一部の
領域を、より信頼性の高い記憶領域に割当てることによ
って、高密度記録で、高速応答が可能で、さらに装置作
製時の歩留まりが良好で信頼性の高い高性能の記録再生
装置およびそれを用いた高性能のディスク・アレイシス
テムを提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、まず第１に、磁気または光、もしくはその
両方を用いて情報の記録または再生を行う記録再生装置
において、該記録再生装置には、少なくとも１種類の第
１の不揮発記憶手段と、該第１の不揮発記憶手段の他
に、少なくとも１種類の他の不揮発記憶手段を備え、上
記第１の不揮発記憶手段に、上記他の不揮発記憶手段の
特定の記憶領域の一部を割り当てる手段を設けた構成と
するものである。また第２に、回転する記録媒体を主な
記録媒体とする記録再生装置において、不揮発性の半導
体メモリ（第１の不揮発記憶手段）を設けて、上記回転
する記録媒体（他の不揮発記憶手段）上の一部の記録領
域を、上記不揮発性の半導体メモリに割り当てる手段を
設けるものである。また第３に、上記不揮発性の半導体
メモリには、上記他の不揮発記憶手段の記憶領域の不良
領域を割り当てる手段を設けるものである。また第４
に、上記記録すべき信号は、上記不揮発性の半導体メモ
リと、上記回転する記録媒体とに記録され、上記回転す
る記録媒体に記録された信号が誤りなく一定回数再生で
きたときに、上記不揮発性の半導体メモリへの割り当て
を解除する手段を設けてもよい。また第５に、上記不揮
発性の半導体メモリには、上記回転する記録媒体上に記
録再生の誤りを検出した領域を割り当てる手段を設けて
もよい。また第６に、上記不揮発性の半導体メモリに
は、記憶すべき信号のみを記録し、冗長度を含めない構
成としてもよい。また第７に、上記不揮発性の半導体メ
モリには、記憶すべき信号に誤り訂正に用いる信号を付
加して記録してもよい。また第８に、上記不揮発性の半
導体メモリには、記憶すべき信号を圧縮して記録しても
よい。また第９に、記録再生すべき信号の記録領域が、
上記回転する記録媒体上にあるか、上記不揮発性の半導
体メモリ内にあるかを判断する手段と、上記不揮発性の
半導体メモリをアクセスする手段と、上記回転する記録
媒体をアクセスする手段を設けることもできる。また第
１０に、上記不揮発性の半導体メモリに記録再生される
信号を一時保存する記憶手段と、上記不揮発性の半導体
メモリと上記一時保存記憶手段とを制御する手段を設け
てもよい。また第１１に、上記不揮発性の半導体メモリ
は、上記不揮発性の半導体メモリに記録再生される信号
が記録再生された時に、記録再生動作が完了したことを
出力する手段を設けるものである。また第１２に、上記
不揮発性の半導体メモリと上記一時保存記憶手段とを制
御する手段は、上記不揮発性の半導体メモリの記録領域
の一部の書換え回数が所定回数以上に達した時に、上記
不揮発性の半導体メモリの記録されていない記録領域に
変更する手段を設けてもよい。また第１３に、上記不揮
発性の半導体メモリには、上記回転する記録媒体を用い
た記録再生装置の制御に関する信号の記憶領域を設けて
もよい。また第１４に、上記不揮発性の半導体メモリに
記録再生される信号を一時保存する手段は、上記回転す
る記録媒体上の、少なくとも最小記録領域の容量を有す
ると共に、電源の遮断時に一定時間記録内容を保持する
手段を設けてもよい。また第１５に、上記不揮発性の半
導体メモリを交換可能とし、上記不揮発性の半導体メモ
リの記録領域の一部の書換え回数が所定回数以上に達し
た時、交換の指示を表示する手段を設けてもよい。また
第１６に、上記不揮発性の半導体メモリには、上記回転
する記録媒体上に記憶すべき信号の一時記録領域を設け
てもよい。また第１７に、上記不揮発性の半導体メモリ
に記憶すべき領域を、上記不揮発性の半導体メモリに記
録する手段を設けてもよい。また第１８に、上記不揮発
の半導体メモリに記憶すべき信号の記録領域を、上記回
転する記録媒体の一部の領域に限定して割り当てる手段
を設けてもよい。第１９に、回転する記録媒体を主な記
録媒体とする記録再生装置において、不揮発性の半導体
メモリを設け、回転する記録媒体上に記録する信号の誤
り訂正に用いる信号を、上記不揮発性の半導体メモリに
記録する手段を設けてもよい。また第２０に、上記誤り
訂正に用いる信号の長さを、任意に変えられる手段を設
けてもよい。第２１に、回転する記録媒体を主な記録媒
体とする記録再生装置をアレイ状に配設して、記憶すべ
き信号を上記記録再生装置間で分散させて記録再生する
記録再生システムにおいて、上記第１ないし第２０のい
ずれかに記載の本発明の記録再生装置を用いるものであ
る。また第２２に、第２１に記載のアレイ状に配設した
記録再生システムにおいて、上記不揮発性の半導体メモ
リに記憶すべき信号の記録領域を、複数の記録再生装置
に割り当てる手段を設けてもよい。また第２３に、第２
１、第２２に記載したアレイ状に配設した記録再生シス
テムにおいて、上記不揮発性の半導体メモリを交換可能
とし、上記不揮発性の半導体メモリの記憶領域の一部の
書換え回数が所定回数以上に達した時、交換の指示を表
示する手段を設けてもよい。また第２４に、回転する記
録媒体を主な記録媒体とする記録再生装置をアレイ状に
配設して、記憶すべき信号を上記記録再生装置間で分散
して記録再生する記録再生システムにおいて、上記各々
記録再生装置の回転する記録媒体上に所定量の交替領域
を設け、上記各々の記録再生装置間で、上記交替領域を
制御する手段を設けてもよい。また第２５に、上記記録
再生装置の不揮発性の半導体メモリは、電池あるいは蓄
電池と、揮発性の半導体メモリとから構成してもよい。
また第２６に、上記アレイ状に配設した記録再生システ
ムにおける不揮発性の半導体メモリは、電池あるいは蓄
電池と、揮発性の半導体メモリとから構成してもよい。
また第２７に、上記回転する記録媒体を主な記録媒体と
する記録再生装置は、磁気ディスク装置、光ディスク装
置または光磁気ディスク装置のいずれか、もしくは複数
の組み合わせでもよい。また第２８に、本発明による記
録再生装置やアレイ状に配設した記録再生システムは、
動画像を処理する装置の高速大容量の記録再生装置とし
て好適に用いられる。また第２９に、上記第１の不揮発
記憶手段に記録再生される信号を一時保存する記憶手段
は、ランダムアクセスメモリで構成してもよい。また第
３０に、上記第１の不揮発記憶手段に記録再生される信
号を一時保存する記憶手段は、不揮発性の半導体メモリ
で構成してもよい。

【０００５】

【作用】（１）本発明の記録再生装置においては、少な
くとも１つ設けた第１の不揮発記憶手段（不揮発性の半
導体メモリ等）に、他の不揮発記憶手段（磁気ディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク等の記録再生装置）の
記憶領域の特定領域を割り当て記録再生する。このた
め、第１の不揮発記憶手段としての性能を特色化させる
ことができ、他の不揮発記憶手段である記録再生装置と
しての性能および機能の向上をはかることができる。 （２）また、回転する記録媒体を主な記録媒体とする記
録再生装置において、不揮発性の半導体メモリに、他の
不揮発記憶手段の特定領域を割り当て記録再生する。上
記不揮発性の半導体メモリは、機構部品を持たないの
で、より信頼性の高い記憶装置を構成することができ
る。 （３）また、不揮発性の半導体メモリに割り当てる特定
領域を、他の不揮発記憶手段の記憶領域の不良領域とす
る。不良領域のアクセスに対する応答時間を短縮するこ
とができるので、より高性能で信頼性の高い記録再生装
置が構成できる。 （４）また、記録すべき信号は、不揮発性の半導体メモ
リと回転する記録媒体とに記録され、回転する記録媒体
に記録された信号が誤りなく所定回数再生することがで
きたときに、不揮発性の半導体メモリへの割り当てを解
除する手段を設ける。このため、不揮発性の半導体メモ
リを有効に利用することができ、記録再生装置のいっそ
うの高信頼化が期待できる。 （５）また、不揮発性の半導体メモリには、回転する記
録媒体上に記録再生誤りを検出した領域を割り当てる手
段を設ける。このため、ユーザサイドでの使用状態にお
ける恒久的な記録再生の誤りが発生するのを未然に防止
することができ、記録再生装置の信頼性が向上する。 （６）また、不揮発性の半導体メモリには、記憶すべき
信号のみを記録し、誤りの訂正のための信号などを含め
ない。このため、不揮発性の半導体メモリをより有効に
利用することができる。 （７）また、不揮発性の半導体メモリには、記憶すべき
信号に誤り訂正のための信号を付加して記録する。この
ため、不揮発性の半導体メモリの書き換え等の増加によ
る性能劣化を小さく抑えることができ、記録再生装置の
信頼性が向上する。 （８）また、不揮発性の半導体メモリには、記憶すべき
信号を圧縮して記録する。このため、さらに不揮発性の
半導体メモリを有効に利用することができ、記録再生装
置の高信頼化、低コスト化がはかられる。 （９）また、記録再生すべき信号の記録領域が、回転す
る記録媒体上にあるか、不揮発性の半導体メモリ内にあ
るかを判断する手段と、不揮発性の半導体メモリをアク
セスする手段と、回転する記録媒体をアクセスする手段
とを設ける。上記不揮発性の半導体メモリのアクセス
と、上記回転する記録媒体のアクセスを並行して実行で
きるので、記録再生装置としての応答時間の遅延を少な
くすることができる。 （１０）また、不揮発性の半導体メモリに記録再生され
る信号を一時保存する記憶手段と、上記不揮発性の半導
体メモリと、上記一時保存記憶手段とを制御する手段を
設ける。不揮発性の半導体メモリと、一時保存記憶手段
とを制御する手段によって、不揮発性の半導体メモリを
記録再生する時間が長くても、応答の早い記録再生装置
を実現することができる。 （１１）また、不揮発性の半導体メモリの記録再生時
に、記録再生動作が完了したことを出力する手段を設け
る。これによって、不揮発性の半導体メモリの記録再生
動作が完了したかどうかを監視する装置の制御手段を簡
易化することができる。 （１２）また、不揮発性の半導体メモリと、一時保存記
憶手段とを制御する手段は、不揮発性の半導体メモリの
記録領域の一部の書換え回数が所定回数以上に達した時
に、不揮発性の半導体メモリの記録されていない記録領
域に変更する手段を設ける。これによって、不揮発性の
半導体メモリの信頼性が向上し、その結果として、記録
再生装置としての信頼性も向上する。 （１３）また、不揮発性の半導体メモリには、記録再生
装置の制御に関する信号の記憶領域を設ける。これによ
って、装置全体の制御に必要なコントロール回路のＲＯ
Ｍ領域には、少なくとも不揮発性の半導体メモリの装置
の制御に関する信号が記録されている記憶領域をコント
ロール回路のランダムアクセスメモリ（以下ＲＡＭとい
う）に移すためのプログラムを記憶すればよい。したが
って、不揮発性の半導体メモリの装置の制御に関する信
号の記憶領域のプログラムを書き換えることによって、
同一の装置構成であっても記録再生装置の制御方法を変
更することができ、装置仕様の多様化に対して低コスト
で対応することができる。 （１４）また、不揮発性の半導体メモリに記録再生され
る信号を一時保存する手段は、回転する記録媒体上に少
なくとも最小容量の記録領域を有すると共に、電源の遮
断時に一定時間記録内容を保持する手段を設ける。電源
が遮断されても記録すべき信号が、上記一時保存記憶手
段に保持されていれば、電源の復帰時に、不揮発性の半
導体メモリへの記録動作を実施すればよい。したがっ
て、不揮発性の半導体メモリに記録する時、ユーザから
の記録要求に対する記録が完了したことを知らせる応答
は、上記一時保存記憶手段に記録が完了した時点で行っ
てよく、記録再生装置の応答速度の向上がはかれる。 （１５）また、不揮発性の半導体メモリを交換可能と
し、上記不揮発性の半導体メモリの記憶領域の一部の書
換回数が所定回数以上に達した時、交換の指示を表示す
る手段を設ける。上記不揮発性の半導体メモリの交換の
指示が出た時点で、不揮発性の半導体メモリの内容を、
装置外部のメモリや、回転する記録媒体上に一時的に退
避させ、装置のユーザあるいは保守員が、不揮発性の半
導体メモリの交換が終了した時点で、上記一時的に退避
させた内容を交換された不揮発性の半導体メモリに記録
する。小容量、かつ低コストの不揮発性の半導体メモリ
を交換するだけで、記録再生装置の信頼性が確保でき
る。 （１６）また、不揮発性の半導体メモリは、回転する記
録媒体上に記憶すべき信号の一時記録領域を設ける。上
記回転する記録媒体上に記憶すべき最新の信号は、上記
不揮発性の半導体メモリの一部の領域にも記録し、不揮
発性の半導体メモリの一部の領域に記録が完了した時点
で、ユーザからの記録要求に対する記録完了の応答を出
力する。記録再生装置のシーク途中で電源が遮断され、
記録ができなかった場合でも、不揮発性の半導体メモリ
の一部の領域に記録すべき信号が残っているので、電源
が復帰次第、記録動作を継続することができる。したが
って、装置の記録完了に関する応答は、不揮発性の半導
体メモリの一部の領域に記録が完了した時点でよく、記
録再生装置への記録に対する応答速度の向上がはかれ
る。 （１７）また、不揮発性の半導体メモリに記憶すべき領
域を、上記不揮発性の半導体メモリに記録する手段を設
ける。回転する記録媒体上の不良領域のアドレスを、不
揮発性の半導体メモリ自体に記憶し、電源投入時に上記
回転する記録媒体上の不良領域のアドレスを装置のコン
トローラ回路のＲＡＭにロードする。上記不良領域のア
ドレスは、比較的容易に追加、修正が可能であり、アド
レスは複数の回転する記録媒体間にまたがってもよい。
したがって、特定の記録媒体面上で多くの不良領域が発
生しても、装置全体で不揮発性の半導体メモリの割り当
て容量内であればよく、記録再生装置の歩留まりが向上
する。 （１８）また、不揮発性の半導体メモリに記憶すべき信
号の記録領域を、回転する記録媒体の一部の領域に限定
して割り当てる手段を設ける。上記回転する記録媒体上
の半径方向で、回転速度と記録再生すべき信号の記録再
生周波数とが一定の場合に記録媒体の内周側の記録密度
が大きくなる。したがって、内周側程不良領域となる可
能性が高い。そこで、内周側に不良領域のアドレスを絞
って割り当てる。これによって、不良領域のアドレスを
記憶するための記憶容量を小さくすることができる。 （１９）本発明では、回転する記録媒体を主な記録媒体
とする記録再生装置において、不揮発性の半導体メモリ
を設け、回転する記録媒体上に記録する信号の誤り訂正
に用いる信号を、上記不揮発性の半導体メモリに記録す
る手段を設けるものである。上記回転する記録媒体に
は、上記誤り訂正に用いる信号を除いて記録するので、
記録媒体の容量を大きくすることができる。また、回転
する記録媒体のアクセスと、不揮発性の半導体メモリの
アクセスとを同じに開始できるため、誤り検出および訂
正に要する時間を短縮することができる。 （２０）さらには、誤り訂正に用いる信号の長さを、任
意に変えられる手段を設ける。これによって、より高い
検出訂正能力が要求される場合は、誤り訂正に用いる信
号の長さを大きくし、そうでない場合には、誤り訂正に
用いる信号の長さを小さくすることができ、不揮発性の
半導体メモリの容量の最適化をはかることができる。 （２１）回転する記録媒体を主な記録媒体とする記録再
生装置をアレイ状に配設して、記憶すべき信号を上記記
録再生装置の間で分散して記録再生する記録再生システ
ムにおいて、上記の本発明による記録再生装置を用い
る。これによって、より信頼性の高いアレイシステムを
構成することができる。 （２２）また、回転する記録媒体を主な記録媒体とする
記録再生装置をアレイ状に配設した記録再生システムに
おいて、不揮発性の半導体メモリに記憶すべき信号の記
録領域を、複数の記録再生装置に割り当てる手段を設け
る。これによって、不揮発性の半導体メモリは、複数の
記録再生装置間で少なくとも１個でよく、不揮発性の半
導体メモリの高効率利用が可能となる。 （２３）またアレイ状に配設した記録再生システムにお
いて、不揮発性の半導体メモリを交換可能とし、不揮発
性の半導体メモリの記憶領域の一部の書換え回数が一定
回数以上に達した時に交換の指示を表示する手段を設け
る。不揮発の半導体メモリの交換の指示が出た時点で、
不揮発性の半導体メモリの内容を、記録再生装置外部の
メモリや回転する記録媒体上に一時的に退避させ、アレ
イシステムのユーザあるいは保守員が、不揮発性の半導
体メモリの交換が終了した時点で、上記一時的に退避さ
せた内容を交換された不揮発性の半導体メモリに記録す
る。小容量、かつ低コストの不揮発性の半導体メモリを
交換するだけで、アレイシステムの高信頼性を確保する
ことができる。 （２４）また、回転する記録媒体を主な記録媒体とする
記録再生装置をアレイ状に配設して、記憶すべき信号を
記録再生装置の間で分散して記録再生する記録再生シス
テムにおいて、各記録再生装置の回転する記録媒体上に
一定量の交替領域を設け、各記録再生装置の間で上記交
替領域を制御する手段を設ける。したがって、特定の記
録再生装置で多くの不良領域が発生しても、アレイシス
テム全体で、上記交替領域が割当てられる容量内であれ
ばよく、記録再生装置の歩留まりが向上する。 （２５）また、記録再生装置の不揮発性の半導体メモリ
は、電池あるいは蓄電池と、揮発性の半導体メモリとか
ら構成してもよい。これによって、高速の記録再生が容
易で、書換え回数の制限のない不揮発性メモリが実現で
き、記録再生装置のより高信頼化が可能となる。 （２６）また、記録再生システムの不揮発性の半導体メ
モリは、電池あるいは蓄電池と、揮発性の半導体メモリ
とから構成することができる。これによって、高速の記
録再生が容易で、書換え回数の制限のない不揮発性メモ
リが実現でき、アレイシステムのより高信頼化が可能と
なる。 （２７）回転する記録媒体を主な記録媒体とする記録再
生装置は、磁気ディスク装置、光ディスク装置または光
磁気ディスク装置のいずれか、あるいはこれらの装置の
複数の組み合せであってもよい。いずれの装置も数十メ
ガから数ギガバイトと大容量の記録再生装置であり、数
十から数ミリ秒でのアクセス応答が可能であり、本発明
の適用によって、さらに高信頼化、高性能化がはかられ
る。なお、光ディスク装置や光磁気ディスク装置等の可
換媒体を用いる記録再生装置では、媒体自身に不良領域
の位置情報と不良領域の交替領域を持たせ、装置にこの
可換媒体を装着した時点で、不良領域の位置情報と不良
領域の交替領域を、不揮発性メモリで読み出す。不揮発
性メモリを交替領域とみなして記録再生すれば、数セク
タにまたがる情報の中に不良セクタが存在しても、各種
の手段によって連続的な記録再生が可能となる。可換媒
体を取り出すときには、その直前に媒体自身の交替領域
に、不揮発性メモリの情報を書き込めばよい。 （２８）また、本発明による記録再生装置や記録再生シ
ステムを動画像を処理する装置の副記憶装置として組み
込む。本発明による高速応答が容易で、かつ連続的に大
量の情報の記録再生に適した記録再生装置やアレイシス
テムを動画像の処理装置に用いることによって、動画像
の処理装置は、リアルタイム処理に必要な動画像の情報
を処理装置内のＲＡＭ等の主要な記憶手段に記憶させて
おけば良く、副記憶装置のための入出力バッファメモリ
は基本的には無くてもよい。したがって動画像処理装置
のメモリサイズが大幅に低減することができ、低消費電
力化、低コスト化がはかれる。 （２９）なお、第１の不揮発記憶手段に不揮発性の半導
体メモリを用いる構成では、上記第１の不揮発性記憶手
段に記録再生される信号を一時保存する記憶手段はＲＡ
Ｍで構成される。これによって、より高速な不揮発性の
半導体メモリへの記録再生が可能となる。 （３０）また、第１の不揮発記憶手段に磁気ディスク装
置を用いる構成では、上記第１の不揮発記憶手段に記録
再生される信号を一時保存する記憶手段は、不揮発性の
半導体メモリで構成される。これによって、磁気ディス
ク装置でのより高速な記録再生が可能となる。

【０００６】

【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。 〈実施例１〉本発明の第１の実施例を図１と図２を用い
て説明する。本実施例では、磁気ディスクを主な記録媒
体とする記録再生装置に、本発明の高性能記録再生装置
を適用した場合の一例を示す。図１に、磁気ディスク１
の記録面の状態を示す。磁気ディスク１の円周方向に
は、複数のセクタ３７が配されている。この磁気ディス
ク１上には、黒点で示す欠陥（不良領域）３５のように
再生誤りを誘引する箇所が存在する可能性があり、これ
がセクタ３７と一部分オーバラップする場合、その部分
のセクタ３７で記録再生すると必ず誤り状態が発生す
る。本実施例の磁気記録再生装置の構成を図２に示す。
本実施例では、磁気ディスク１を記録媒体とする磁気デ
ィスクドライブ３０と、不揮発メモリ９と、信号処理回
路６からなる信頼性の高い高性能磁気ディスク装置であ
る。この磁気記録再生装置の出荷時には、図１に示すよ
うな欠陥３５が存在するセクタ３７を、磁気ディスクド
ライブ３０内の回路と信号処理回路６とで検出して、欠
陥３５の存在する欠陥セクタのアドレスを、あらかじめ
不揮発性メモリ９に記録する。そしてユーザサイドで
は、磁気記録再生装置の起動時に、信号処理回路６が欠
陥セクタのアドレス情報を不揮発性メモリ９から信号処
理回路６内のＲＡＭに読み出す。この状態で、ユーザデ
ータおよび装置制御信号３３で情報の記録が指示される
と、信号処理回路６は記録すべき信号を、磁気ディスク
ドライブ３０上のアドレスに割り当てる。この時、割り
当てたアドレスの一部が、不揮発性メモリ９から読み出
した欠陥セクタのアドレスと一致すると、信号処理回路
６は、この欠陥セクタのアドレスに対応する情報を除い
て磁気ディスクドライブ３０に記録するように制御し、
欠陥セクタのアドレスに対応する情報は、欠陥セクタの
アドレスに対応する不揮発性メモリ９のデ−タ領域に記
録するように制御する。ユーザデータおよび装置制御信
号３３で情報の再生が指示された場合も上記同様の処理
を行なう。この時、不揮発性メモリ９に不揮発性の半導
体メモリを用いれば、機構部品を持たないことから、よ
り信頼性の高い記録再生装置を構成することができる。
この場合の不揮発性半導体メモリの容量は、磁気ディス
クドライブ３０の本体の記録再生信号の品質にもよる
が、通常は、総装置容量の高々数百から数千分の１でよ
く、例えば製作歩留まり約９０％の記録再生装置が、ほ
ぼ１００％の歩留に改善できる。また、欠陥セクタを有
する場合のアクセスに対する応答時間も、従来の技術と
比較して大幅に短縮できる。ここで、数セクタにまたが
るデ−タ中に欠陥セクタを含み、磁気ディスク１の半径
が異なる交替セクタに割り当てられている場合を考え
る。本実施例と比較して従来技術では、信号処理回路６
内のバッファメモリ等を有効に利用しても、少なくとも
交替セクタをアクセスするための回転待ちと、ヘッドシ
ーク時間は多く要することになる。なお、不揮発性の半
導体メモリの低コスト化が進めば、不揮発性の半導体メ
モリの容量比を増加させ、磁気ディスクドライブ本体の
低コスト化をはかることができる。また、不揮発性メモ
リ９は、通常、ユーザデ−タに誤り訂正のための信号を
付加して記憶するが、ユーザデ−タを直接記録し冗長度
を含まないようにしてもよい。これによって不揮発性メ
モリ９がより有効に利用でき、記録再生装置の低コスト
化が期待できる。また、不揮発性メモリ９は、記録すべ
き信号を圧縮して記録してもよい。また、記録すべき信
号は、不揮発性メモリ９と磁気ディスクドライブ３０と
に記録するようにし、磁気ディスクドライブ３０に記録
された信号が誤りなく所定回数再生できた時に、不揮発
性メモリ９への割り当てを解除してもよい。また、図５
に示す磁気ディスク１および図７に示す記録再生信号フ
ォーマットＦ１に示すように、磁気ディスク装置の稼働
中に、新たに記録再生誤りを検出した場合には、この領
域を上記の不揮発性メモリ９に追加して割り当ててもよ
い。これによって、ユーザサイドで恒久的な記録再生の
誤りが発生するのを未然に防止することができ、記録再
生装置の信頼性が向上する。また、記録再生すべき信号
の記録領域が、磁気ディスクドライブ３０上にあるか、
不揮発性メモリ９の中にあるかを判断する手段を信号処
理回路６に設けて、不揮発性メモリ９のアクセスと、磁
気ディスクドライブ３０のアクセスを並行して実行して
もよい。これによって、記録再生装置の応答の高速化が
はかれる。また、不揮発性メモリ９に、記録再生される
信号を一時保存する記憶手段と、不揮発性メモリ９と一
時保存記憶手段とを制御する手段とを設けて、不揮発性
メモリ９の記録再生の時間が大きくても、装置外部への
応答の早い記録再生装置を実現することができる。ま
た、不揮発性メモリ９には、記録再生動作が完了したこ
とを出力する手段を設けてもよい。これによって、不揮
発性メモリ９への記録再生動作が完了したかどうかを監
視する信号処理回路６の制御を簡単化することができ
る。また、不揮発性メモリ９には、電気的に消去可能な
ＲＯＭ（以下、フラッシュＥＥＰＲＯＭという）を用
い、フラッシュＥＥＰＲＯＭと一時保存記憶手段とを制
御する手段に、フラッシュＥＥＰＲＯＭの記録領域の一
部の書換え回数が所定回数以上に達した時に、フラッシ
ュＥＥＰＲＯＭの書換え回数が所定回数以下の記録領域
に変更する手段を設けてもよい。これによって、不揮発
性メモリの信頼性が増し、その結果として磁気記録装置
の信頼性も向上する。また、不揮発性メモリ９には、図
６に示すように、磁気ディスク装置全体の制御に関する
プログラムやデ−タの記憶領域を設けてもよい。これに
よって、装置全体の制御に必要な信号処理回路６内のＲ
ＯＭ領域には、少なくとも不揮発性メモリ９に記憶され
た装置全体の制御に関するプログラムやデ−タを信号処
理回路６のＲＡＭに移すためのプログラムを記憶させれ
ばよい。したがって、不揮発性メモリ９の記録再生装置
の制御に関するプログラムやデ−タの記憶領域を書き換
えることによって、同一の装置構成であっても記録再生
装置の制御方法を変更することができ、装置仕様の多様
化に対して低コストで対応することができる。また、不
揮発性メモリ９内の記録再生される信号を一時保存する
手段は、磁気ディスクドライブ３０の少なくとも最小記
録領域の容量を有すると共に、電源の遮断時に所定時間
記録内容を保持する手段を設けてもよい。これによっ
て、電源が遮断されても記録すべき信号が一時保存記憶
手段に保持され、電源の復帰時に不揮発性メモリ９内の
不揮発記憶領域に記録動作を実施すればよい。したがっ
て、信号処理回路６は、ユーザからの記録要求に対し
て、一時保存記憶手段に記録が完了した時点で記録完了
に関する応答を出してよく、このため記録再生装置の応
答速度の向上がはかられる。また、不揮発性メモリ９を
不揮発性の半導体メモリで構成すると共に、磁気ディス
ク装置から着脱可能とし、不揮発性の半導体メモリの任
意の記録領域の書換え回数が所定回数以上となった時、
不揮発性メモリ９が信号処理回路６に交換の指示を出
し、信号処理回路６はこの指示を受けて、これをユーザ
に表示する手段を設けてもよい。不揮発性メモリ９の交
換の指示が出た時点、あるいはユーザが交換の指示に応
答した時点で、不揮発性メモリ９の内容を、装置外部の
メモリや磁気ディスク上の記録領域に一時的に退避さ
せ、不揮発性メモリ９の交換が終了した時点で、上記の
一時的に退避させた内容を交換された不揮発性の半導体
メモリに記録することにより、小容量の不揮発性の半導
体メモリを交換するだけで、磁気記録装置の高信頼性を
確保することができる。さらに、このような一連の操作
は、磁気ディスク装置へのアクセスが開いている時間に
実施すればよく、記録再生装置の電源を切る必要はな
い。また、不揮発性メモリ９は、磁気ディスクドライブ
３０上に記憶すべき信号の一時記録領域を設けてもよ
い。信号処理回路６は、磁気ディスクドライブ３０上に
記憶すべき最新の信号を、不揮発性メモリ９の一部の領
域にも記録し、不揮発性メモリ９の一部の領域に記録が
完了した時点で、ユーザからの記録要求に対する記録完
了の応答を出力する。記録再生装置のシーク途中で電源
が遮断され、記録ができなかった場合でも、上記不揮発
性の半導体メモリの一部の領域に記録すべき信号が残っ
ているので、電源が復帰し次第に記録動作を継続するこ
とができる。したがって、記録再生装置の記録完了に関
する応答は、上記不揮発性の半導体メモリの一部の領域
に記録が完了した時点でよく、記録再生装置への記録に
対する応答速度の向上がはかられる。また、不揮発性メ
モリ９に記憶すべき領域のアドレスを、不揮発性メモリ
９自体の特定の領域に記録してもよい。この場合、電源
投入時には、信号処理回路６が不揮発性メモリ９の上記
特定の領域をアクセスし、磁気ディスクドライブ３０上
の不良領域のアドレスを信号処理回路６のＲＡＭにロー
ドする。このように不揮発性メモリ９上に不良領域のア
ドレスを記憶させることによって、不良領域の追加、修
正が比較的容易に行える。また、上記不良領域のアドレ
スは複数の磁気ディスク間にまたがってもよい。したが
って、特定の磁気ディスク面上で多くの不良領域が発生
しても、記録再生装置全体で上記不揮発性メモリ９の割
り当て容量内であればよく、作製する記録再生装置の歩
留まりが向上する。また本発明は、基本的には磁気ディ
スクや光ディスク等からなる他の不揮発記憶手段の内部
で、ユーザデ−タがどのような形態で記録されるかにつ
いては規定しない。しかし、磁気ディスクや光ディスク
等の内部の記録形態の違いによって、不良領域が特定の
領域に偏る傾向があることから、図８および図９に示す
ように、不揮発性メモリ９に記憶すべき信号の記録領域
を、磁気ディスク１の一部の領域に限定して割り当てて
もよい。図８は、磁気ディスク１の半径方向で、記録再
生すべき信号の記録再生周波数が一定の場合の記録再生
の不良領域（欠陥）３５を示す図である。磁気ディスク
１の回転数が一定のため、記録媒体の内周側の記録密度
が大きくなり、内周側程不良領域３５となる可能性が高
い。そこで、内周側に不良領域３５のアドレスをしぼっ
て割り当てる。図９は、磁気ディスク１の半径方向で、
記録再生すべき信号の記録密度がほぼ一定で、再生ヘッ
ドに磁気抵抗効果型ヘッドを用いた場合の記録再生の不
良領域（欠陥）３５を示す図である。これは、記録密度
が一定で外周側ほど記録再生速度が大きくなる。磁気抵
抗効果型ヘッドによる再生では、ヘッドの感度が磁気デ
ィスクとの相対速度に依存しないため、外周側ほど信号
周波数帯域が増加することによって再生信号品質が低下
し、不良領域３５となる可能性が高い。そこで、この場
合は外周側に上記不良領域３５のアドレスを絞って割り
当てる。これによって、上記不良領域３５を監視するア
ドレス領域が減り、さらにこのアドレスを記憶するため
の容量も小さくできる。また、本実施例では、第１の不
揮発記憶手段に不揮発性の半導体メモリ、他の記憶手段
に磁気ディスク装置を適用したが、これを、第１の不揮
発記憶手段に磁気ディスク装置、他の不揮発記憶手段に
光ディスク装置や光磁気ディスク装置等を適用してもよ
い。この場合、第１の不揮発記憶手段である磁気ディス
ク装置の一時記憶手段には、不揮発性の半導体メモリが
適することは明らかである。

【０００７】〈実施例２〉本発明の第２の実施例を、図
３および図４を用いて説明する。本実施例は磁気ディス
クを主な記録媒体とする記録再生装置に本発明を適用し
た場合を示す。図３は、本実施例の記録再生装置の構成
を示すもので、実施例１と同様に、磁気ディスク１を記
録媒体とする磁気ディスクドライブ３０と、不揮発性メ
モリ９と、信号処理回路６とからなる。本実施例におい
て、実施例１と異なる点は不揮発性メモリ９に記憶させ
る信号の内容である。本実施例では、図４に示すように
磁気ディスクドライブ３０に記録再生する信号は、従来
の磁気記録装置の記録再生フォーマットＦ1とは異な
り、記録再生フォーマットＦ2に示すように、ユーザデ
−タの誤り訂正に用いる信号（以下、ＥＣＣデータとい
う）３２′を不揮発性メモリ９に記録する。磁気ディス
クドライブ３０の記録再生信号（ＥＣＣデータ含まず）
２４′は、ユーザデ−タのみである。ユーザデ−タおよ
び装置制御信号３３で情報の記録が指示されると、信号
処理回路６はユーザデ−タに対応したＥＣＣデ−タ３
２′を生成する。信号処理回路６は、これらの信号のう
ち、ユーザデ−タを記録再生信号２４′として磁気ディ
スクドライブ３０に記録し、ＥＣＣデ−タ３２′を不揮
発性メモリ９に記録する。ユーザデ−タおよび装置制御
信号３３で、情報の再生が指示された場合、信号処理回
路６は、ユーザデ−タを磁気ディスクドライブ３０から
記録再生信号２４′として再生すると共に、ＥＣＣデ−
タ３２′を不揮発性メモリ９から、記録再生信号２４′
に対応したＥＣＣデ−タ３２′を読み出す。さらには、
ＥＣＣデ−タ３２′で記録再生信号２４′に誤りがない
かを検査し、訂正可能ならば訂正処理を行う。本実施例
によれば、磁気ディスクドライブ３０には、ＥＣＣデ−
タを除いて記録するので、ユーザデ−タをより多く記録
することができ、記録再生装置の容量が増加する。ま
た、磁気ディスクドライブ３０のアクセスと不揮発性メ
モリ９のアクセスとを同時に開始できるため、誤り検出
および訂正に要する時間を短縮することができる。ま
た、信号処理回路６には、ＥＣＣデ−タの長さと種類を
任意に変えられる手段を設けてもよい。これによって、
より高い検出訂正能力が要求される場合は、訂正能力の
高い種類でＥＣＣデ−タの長さを大きくし、そうでない
場合は、より簡単な種類でＥＣＣデ−タの長さを小さく
するなど、不揮発性メモリ９の容量の最適化がはかれ
る。

【０００８】〈実施例３〉本発明の第３の実施例を図１
０を用いて説明する。本実施例では、磁気ディスクドラ
イブ３０および信号処理回路６の内部構成を詳細に示し
ているが、これらの内部構成のそれぞれがいかように動
作をするかについては、ほとんどが上述した従来技術と
して図１２を引用して説明したとおりであり、ここでは
本発明の記録再生装置に関する部分についてのみ説明す
る。本実施例では、不揮発性メモリ９にフラッシュＥＥ
ＰＲＯＭを用い、信号処理回路６内のバッファメモリ１
３に、不揮発性メモリ９の一時記憶領域を兼ねさせてい
る。バッファメモリ１３は、本来、磁気ディスクドライ
ブ３０に記録再生する信号の一時記憶領域であり、アク
セスに対する応答時間を短縮するために一般的に用いら
れる。本実施例では、このバッファメモリ１３の記憶領
域の一部を不揮発性メモリ９の一時記憶領域に割り当て
る。本実施例によれば、従来の磁気ディスク装置に、装
置容量の０．１％から数％の容量のフラッシュＥＥＰＲ
ＯＭ ９を設けて、信号処理回路６の制御シーケンスを
一部変更することで、アクセスに対する応答速度が常に
高速で、信頼性の高い磁気ディスク装置が実現できる。
また、本実施例においても、実施例１および２で示した
数々のバリエーションは同様に実施可能である。

【０００９】〈実施例４〉本発明の第４の実施例を図１
１を用いて説明する。本実施例では、磁気ディスクドラ
イブ３０をアレイ状に配設して、記憶すべき信号を磁気
ディスクドライブ３０間に分散、あるいは重複して記録
再生するアレイ状の記録再生システムに、本発明を適用
した一例を示すものであり、より信頼性の高いディスク
・アレイシステムが構成できる。図１１は、本実施例に
おけるディスク・アレイシステムの構成の一例を示すも
のである。図に示すごとく、複数の磁気ディスクドライ
ブ３０と、複数の磁気ディスクドライブ３０間の記録再
生信号を制御するディスクコントローラ３６とで構成さ
れる。磁気ディスクドライブ３０は、上記の実施例１な
いし３で示した高信頼の高性能磁気ディスク記録再生装
置であり、この磁気ディスクドライブ３０内には不揮発
性メモリ９が内蔵されている。ディスクコントローラ３
６は、ユーザデータおよびディスクアレイ制御信号３
４′から入出力されるユーザデータを複数の磁気ディス
クドライブ３０間に分散、あるいは重複させて記録再生
の制御を行う。動作の詳細は省略するが、磁気ディスク
ドライブ３０は磁気ディスク１の欠陥領域を不揮発性メ
モリ９に置き換えるので、基本的に応答が早く信頼性も
高い。したがって、これを用いたディスク・アレイシス
テムにおいても、より応答性が早く信頼性の高いアレイ
システムを実現することができる。また、図１４に示す
ように、不揮発性メモリ９を、ディスクコントローラ３
６内に設け、複数の磁気ディスクドライブ３０に割り当
ててもよい。これによって、不揮発性メモリ９は、ディ
スク・アレイシステムにおいて少なくとも一つあればよ
く、不揮発性メモリ９の高効率利用がはかられる。さら
に、不揮発性メモリ９を交換可能とし、不揮発性メモリ
９の特定領域の書換え回数が所定値以上になった時に、
交換の指示を表示する手段をディスクコントローラ３６
の内部に設けてもよい。不揮発性メモリ９の交換の指示
が出た時点で、不揮発性メモリ９の内容を、システム外
部のメモリや複数の磁気ディスクドライブ３０上に一時
的に退避させ、システムのユーザあるいは保守員が、不
揮発性メモリ９の交換が終了した時点で、上記一時的に
退避させた内容を交換された不揮発性メモリ９に記録す
る。これによって、小容量の不揮発メモリ９を交換する
だけで、ディスク・アレイシステムの高信頼性を確保す
ることができる。なお、磁気ディスクドライブ３０およ
びディスクコントローラ３６内に不揮発性メモリ９を用
いなくても、磁気ディスクドライブ３０内に一定量の交
替領域を設け、ディスクコントローラ３６内に、各磁気
ディスクドライブ３０間で、上記交替領域を制御する手
段を設ければよく、ディスク・アレイシステム全体で上
記交替領域が割り当てられる容量内であればよく、ディ
スク・アレイシステムの歩留まりを向上させることがで
きる。上記実施例に用いた磁気ディスク装置およびディ
スク・アレイシステムの不揮発性メモリは、電池あるい
は蓄電池と、揮発性の半導体メモリとから構成してもよ
いことは言うまでもない。これによって、高速の記録再
生が容易で、書換え回数の制限のない不揮発性メモリが
実現でき、磁気ディスク装置およびディスク・アレイシ
ステムのより高信頼化が可能となる。また、上記実施例
は主に磁気ディスクを記録媒体とした記録再生装置およ
びディスク・アレイシステムについて述べたが、光ディ
スクや光磁気ディスクを記録媒体としても同様な装置お
よびシステムを構成することが可能である。さらに、上
記の実施例に示した各種の記録再生装置やアレイシステ
ムを、ワークステーション、あるいは各種の動画像機器
等のシステムに組み込み、不揮発性メモリ等をワークス
テーション等のシステムと共用して用いてもよいことは
言うまでもない。特に、連続した大量のデ−タを扱う動
画像機器に、本発明の上記実施例を適用すれば、大量の
連続したデ−タが高速アクセスで得られる高性能大容量
の画像ファイル装置を低コストで実現させることができ
る。

【００１０】

【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の高
性能記録再生装置およびそれを用いたディスク・アレイ
システムは、高速応答が可能で信頼性の高い高性能の記
録再生装置を、歩留まりよく作製することができる。ま
た、本発明の高性能記録再生装置は、大量の情報を高速
に記録再生するシステムに好適であり、さらに本発明の
ディスク・アレイシステムは、信頼性が高く、高速応答
等が可能であり、しかも低コストのアレイシステムを実
現することができる。

【００１１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１で例示した磁気ディスク上の
不良領域の発生状態の一例を示す模式図。

【図２】本発明の実施例１で例示した記録再生装置の構
成の一例を示す模式図。

【図３】本発明の実施例２で例示した記録再生装置の構
成の一例を示す模式図。

【図４】本発明の実施例２で例示した記録再生信号フォ
ーマットを示す説明図。

【図５】本発明の実施例１で例示した磁気ディスク装置
の稼働中に発生したエラー検出領域を示す説明図。

【図６】本発明の実施例１で例示した記録再生装置の構
成の一例を示す模式図。

【図７】本発明の実施例１で例示した記録再生信号フォ
ーマットを示す説明図。

【図８】本発明の実施例１で例示した磁気ディスク上の
不良領域の発生状態の一例を示す模式図。

【図９】本発明の実施例１で例示した磁気ディスク上の
不良領域の発生状態の一例を示す模式図。

【図１０】本発明の実施例３で例示した記録再生装置の
構成の一例を示す模式図。

【図１１】本発明の実施例４で例示した記録再生装置の
構成の一例を示す模式図。

【図１２】従来の記録再生装置の構成の一例を示す模式
図。

【図１３】従来の磁気ディスク上の不良領域の発生状態
の一例を示す模式図。

【図１４】本発明の実施例４で例示した記録再生装置の
構成の一例を示す模式図。

【符号の説明】

１…磁気ディスク ２…磁気ヘッド ３…アクチュエータ ４…スピンドルモータ ５…記録再生用アンプ ６…信号処理回路 ７…アクチュエータドライバ回路 ８…スピンドルモータドライバ回路 ９…不揮発性メモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ） １０…等化＋変復調回路 １１…サーボデータ処理回路 １２…データ処理回路 １３…バッファメモリ １４…コントロール回路 １５…リード オンリーメモリ(ＲＯＭ) １６…フォーマット制御回路 １７…転送制御回路 １８…エラー訂正回路 １９…インターフェイス制御回路 ２０…記録再生用アンプ制御回路 ２１…アクチュエータ制御出力 ２２…スピンドルモータ制御出力 ２３…等化出力信号および変調出力信号 ２４…記録再生信号（ＥＣＣデータ含む） ２４′…記録再生信号（ＥＣＣデータ含まず） ２５…サーボ入力信号 ２６…アクチュエータ制御信号 ２７…スピンドルモータ制御信号 ２８…サーボ制御信号 ２９…不揮発性メモリ制御信号 ３０…磁気ディスクドライブ ３１…データ処理回路制御信号 ３２…不揮発性メモリへの記録再生信号 ３２′…ユーザデ−タの誤り訂正に持ちいる信号(ＥＣ
Ｃデータ) ３３…ユーザデ−タおよび装置制御信号 ３３′…ユーザデ−タおよびディスクアレイ制御信号 ３４…磁気ディスク装置の記録再生信号および制御信号 ３４′…ユーザデ−タおよびディスクアレイ制御信号 ３５…不良領域（欠陥） ３５′…新たな不良領域（装置の使用中に生じた欠陥） ３６…ディスクコントローラ ３７…セクタ Ｆ1…従来技術の記録再生信号フォーマット Ｆ2…本発明の記録再生信号フォーマット

フロントページの続き (72)発明者 小泉 真 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気または光、もしくはその両方を用いて
   情報の記録または再生を行う記録再生装置であって、該
   記録再生装置には、少なくとも１種類の第１の不揮発記
   憶手段と、該第１の不揮発記憶手段の他に、少なくとも
   １種類の他の不揮発記憶手段を備え、上記第１の不揮発
   記憶手段に、上記他の不揮発記憶手段の特定の記憶領域
   の一部を割り当てる手段を設けたことを特徴とする高性
   能記録再生装置。
2. 【請求項２】請求項１において、記録再生装置は、回転
   する記録媒体を主な他の不揮発記憶手段とする情報の記
   録再生装置であって、該記録再生装置に設ける第１の不
   揮発記憶手段を、不揮発性の半導体メモリによって構成
   したことを特徴とする高性能記録再生装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２において、他の不
   揮発記憶手段の記憶領域における記録再生特性が不良な
   記憶領域を、第１の不揮発記憶手段に割り当てる手段を
   設けたことを特徴とする高性能記録再生装置。
4. 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
   おいて、記録すべき信号を第１の不揮発記憶手段と他の
   不揮発記憶手段とに記録し、該他の不揮発記憶手段に記
   録された信号が誤りなく一定回数再生できたときは、上
   記第１の不揮発記憶手段への割り当てを解除する手段を
   設けたことを特徴とする高性能記録再生装置。
5. 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれか１項に
   おいて、第１の不揮発記憶手段には、他の不揮発記憶手
   段における記録再生の誤りを検出した領域を割り当てる
   手段を設けたことを特徴とする高性能記録再生装置。
6. 【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
   おいて、第１の不揮発記憶手段には、記憶すべき信号の
   みを記録し冗長度を含めない手段を設けたことを特徴と
   する高性能記録再生装置。
7. 【請求項７】請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
   おいて、第１の不揮発記憶手段には、記憶すべき信号に
   誤り訂正用の信号を付加して記録する手段を設けたこと
   を特徴とする高性能記録再生装置。
8. 【請求項８】請求項１ないし請求項７のいずれか１項に
   おいて、第１の不揮発記憶手段には、記憶すべき信号を
   圧縮して記録する手段を設けたことを特徴とする高性能
   記録再生装置。
9. 【請求項９】請求項１ないし請求項８のいずれか１項に
   おいて、記録再生すべき信号の記憶領域が、他の不揮発
   記憶手段の中に存在するか、もしくは第１の不揮発記憶
   手段の中に存在するかを判断する手段と、上記第１の不
   揮発記憶手段をアクセスする手段と、上記他の不揮発記
   憶手段をアクセスする手段を設けたことを特徴とする高
   性能記録再生装置。
10. 【請求項１０】請求項１ないし請求項９のいずれか１項
    において、第１の不揮発記憶手段に記録再生される信号
    を一時保存する記憶手段と、上記第１の不揮発記憶手段
    と、上記一時保存記憶手段を制御する手段を設けたこと
    を特徴とする高性能記録再生装置。
11. 【請求項１１】請求項１ないし請求項１０のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段は、該第１の不揮発
    記憶手段に記録再生される信号が記録再生された時に、
    記録再生動作が完了したことを出力する手段を設けたこ
    とを特徴とする高性能記録再生装置。
12. 【請求項１２】請求項１０または請求項１１において、
    第１の不揮発記憶手段と一時保存記憶手段とを制御する
    手段は、上記第１の不揮発記憶手段の記録領域の一部の
    書換え回数が所定回数以上に達した時に、上記第１の不
    揮発記憶手段の書換え回数が所定回数以下の記録領域に
    変更する手段を設けたことを特徴とする高性能記録再生
    装置。
13. 【請求項１３】請求項１ないし請求項１２のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段には、他の不揮発記
    憶手段の制御に関する信号を記憶する領域を設けたこと
    を特徴とする高性能記録再生装置。
14. 【請求項１４】請求項１０ないし請求項１２のいずれか
    １項において、第１の不揮発記憶手段に記録再生される
    信号を一時保存する手段は、他の不揮発記憶手段の少な
    くとも最小記録領域の容量を有すると共に、電源の遮断
    時に所定時間記録内容を保持する手段を設けたことを特
    徴とする高性能記録再生装置。
15. 【請求項１５】請求項１ないし請求項１４のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段を交換可能とし、上
    記第１の不揮発記憶手段の記憶領域の一部の書換回数が
    所定回数以上に達した時に、交換の指示を表示する手段
    を設けたことを特徴とする高性能記録再生装置。
16. 【請求項１６】請求項１ないし請求項１５のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段には、他の不揮発記
    憶手段に記憶すべき信号の一時記録領域を含むことを特
    徴とする高性能記録再生装置。
17. 【請求項１７】請求項１ないし請求項１６のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段に割り当てた他の不
    揮発記憶手段の記憶領域の一部の領域を、上記第１の不
    揮発記憶手段の特定領域に記録する手段を有することを
    特徴とする高性能記録再生装置。
18. 【請求項１８】請求項１ないし請求項１７のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段に割り当てる他の不
    揮発記憶手段の記憶領域を特定の領域に限定することを
    特徴とする高性能記録再生装置。
19. 【請求項１９】請求項１ないし請求項１７のいずれか１
    項において、少なくとも２種類の不揮発記憶手段を有す
    る記録再生装置であって、第１の不揮発記憶手段に、他
    の不揮発記憶手段に記録する信号の誤りの訂正に用いる
    信号を記録する手段を設けたことを特徴とする高性能記
    録再生装置。
20. 【請求項２０】請求項１９において、誤りの訂正に用い
    る符号の種類と長さを、任意に変える手段を有すること
    を特徴とする高性能記録再生装置。
21. 【請求項２１】少なくとも１種類の記録再生装置をアレ
    イ状に配設して、記憶すべき信号を分散して記録再生す
    るシステムであって、上記記録再生装置は、請求項１な
    いし請求項２０のいずれか１項に記載の高性能記録再生
    装置を用いたことを特徴とするアレイシステム。
22. 【請求項２２】請求項２１において、少なくとも１種類
    の第１の不揮発記憶手段を設け、該第１の不揮発記憶手
    段に、他の不揮発記憶手段である複数の記録再生装置の
    一部の記録領域を割り当てる構成としたことを特徴とす
    る高性能アレイシステム。
23. 【請求項２３】請求項２２において、第１の不揮発記憶
    手段を交換可能とし、該第１の不揮発記憶手段の特定領
    域の書換え回数が所定回数以上に達した時に、上記第１
    の不揮発記憶手段の交換を指示する手段を設けたことを
    特徴とする高性能アレイシステム。
24. 【請求項２４】請求項１ないし請求項２０のいずれか１
    項に記載の高性能記録再生装置の少なくとも１種類をア
    レイ状に配設して、記憶すべき信号を分散させて記録再
    生するアレイシステムであって、上記各々の記録再生装
    置に一定量の交替領域を設け、上記各々の記録再生装置
    間で、上記交替領域を制御する手段を設けたことを特徴
    とする高性能アレイシステム。
25. 【請求項２５】請求項１ないし請求項２０のいずれか１
    項において、第１の不揮発記憶手段は、電池あるいは蓄
    電池と、揮発性の半導体メモリによって構成されること
    を特徴とする高性能記録再生装置。
26. 【請求項２６】請求項２１ないし請求項２３のいずれか
    １項において、第１の不揮発記憶手段は、電池あるいは
    蓄電池と、揮発性の半導体メモリによって構成されるこ
    とを特徴とする高性能アレイシステム。
27. 【請求項２７】請求項１ないし請求項２０および請求項
    ２５のいずれか１項記載の高性能記録再生装置、もしく
    は請求項２１ないし請求項２４および請求項２６のいず
    れか１項記載の高性能アレイシステムにおいて、上記記
    録再生装置もしくはアレイシステムを構成する記録再生
    装置の主な不揮発記憶手段は、磁気ディスク、光ディス
    ク、光磁気ディスクのうちから選ばれる少なくとも１種
    類のディスク記録媒体の組み合わせからなることを特徴
    とする高性能記録再生装置もしくは高性能アレイシステ
    ム。
28. 【請求項２８】請求項１ないし請求項２０および請求項
    ２５のいずれか１項記載の高性能記録再生装置、もしく
    は請求項２１ないし請求項２４、および請求項２６ない
    し請求項２７のいずれか１項記載の高性能アレイシステ
    ムのうちから選ばれる少なくとも１種類の上記記録再生
    装置もしくは上記アレイシステムを内蔵してなることを
    特徴とする動画像の信号処理装置。
29. 【請求項２９】請求項１０ないし請求項２０および請求
    項２５のいずれか１項記載の高性能記録再生装置、もし
    くは請求項２１ないし請求項２４、および請求項２６な
    いし請求項２８のいずれか１項記載の高性能アレイシス
    テムにおいて、第１の不揮発記憶手段に記録再生される
    信号を一時保存する記憶手段は、ランダムアクセスメモ
    リで構成されることを特徴とする高性能記録再生装置ま
    たは高性能アレイシステム。
30. 【請求項３０】請求項１０ないし請求項２０および請求
    項２５のいずれか１項記載の高性能記録再生装置、もし
    くは請求項２１ないし請求項２４、および請求項２６な
    いし請求項２８のいずれか１項記載の高性能アレイシス
    テムにおいて、第１の不揮発記憶手段に記録再生される
    信号を一時保存する記憶手段は、不揮発の半導体メモリ
    で構成されることを特徴とする高性能記録再生装置およ
    び高性能アレイシステム。