JPH076349A - 磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体Info
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- JPH076349A JPH076349A JP5147174A JP14717493A JPH076349A JP H076349 A JPH076349 A JP H076349A JP 5147174 A JP5147174 A JP 5147174A JP 14717493 A JP14717493 A JP 14717493A JP H076349 A JPH076349 A JP H076349A
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- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドの低浮上量化や摺動耐久性の向上
に好適な表面特性を有する磁気記録媒体を提供すること
である。 【構成】 導電性の基板からなる磁気記録媒体用基板で
あって、電解質溶液中で電解エッチングされてなる磁気
記録媒体用基板。
に好適な表面特性を有する磁気記録媒体を提供すること
である。 【構成】 導電性の基板からなる磁気記録媒体用基板で
あって、電解質溶液中で電解エッチングされてなる磁気
記録媒体用基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体用基板及
びその製造方法並びに磁気記録媒体に関するものであ
る。
びその製造方法並びに磁気記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【発明の背景】磁気記録・再生システムにおいて、再生
出力を考慮した場合、記録媒体と磁気ヘッドとの間隔
（浮上量）が狭い、すなわちスペーシングロスは少ない
方が有利であることは周知のとおりである。言い換える
と、記録媒体表面は平滑であることが望ましい。しかし
ながら、平滑であり過ぎると、水などの吸着分子による
界面張力が作用し、記録媒体と磁気ヘッドとの間で吸着
現象が生じ、摺動耐久性に低下が起き、又、記録媒体に
損傷が発生する等の問題が有る。
出力を考慮した場合、記録媒体と磁気ヘッドとの間隔
（浮上量）が狭い、すなわちスペーシングロスは少ない
方が有利であることは周知のとおりである。言い換える
と、記録媒体表面は平滑であることが望ましい。しかし
ながら、平滑であり過ぎると、水などの吸着分子による
界面張力が作用し、記録媒体と磁気ヘッドとの間で吸着
現象が生じ、摺動耐久性に低下が起き、又、記録媒体に
損傷が発生する等の問題が有る。
【０００３】このような問題を解決する為、記録媒体の
表面に微細な凹凸を形成するテクスチャー処理が施され
る。特に、最近の記録密度の向上に伴い、磁気ヘッドの
低浮上量化や摺動耐久性の向上が大きな課題となってい
る昨今では、このテクスチャー処理技術に益々高度なレ
ベルが要求されている。そして、このテクスチャー技術
の開発が磁気ディスク開発の重要なポイントの一つとな
っている。
表面に微細な凹凸を形成するテクスチャー処理が施され
る。特に、最近の記録密度の向上に伴い、磁気ヘッドの
低浮上量化や摺動耐久性の向上が大きな課題となってい
る昨今では、このテクスチャー処理技術に益々高度なレ
ベルが要求されている。そして、このテクスチャー技術
の開発が磁気ディスク開発の重要なポイントの一つとな
っている。
【０００４】一方、記録密度の向上ニーズに対応する
為、ディスク基板の材質の面から見直しが進んでいる。
その結果の一例として、ガラス状炭素からなるカーボン
基板が提案（神戸製鋼技報、Ｖｏ１３９，Ｎｏ４，ｐｐ
３５〜３８，１９８９、特公昭６３−４６００４号公
報）されており、これら提案のガラス状炭素からなるカ
ーボン基板は軽量性、平滑性、耐熱性、導電性などの優
れた特長を有することから、高密度記録対応基板として
注目されている。
為、ディスク基板の材質の面から見直しが進んでいる。
その結果の一例として、ガラス状炭素からなるカーボン
基板が提案（神戸製鋼技報、Ｖｏ１３９，Ｎｏ４，ｐｐ
３５〜３８，１９８９、特公昭６３−４６００４号公
報）されており、これら提案のガラス状炭素からなるカ
ーボン基板は軽量性、平滑性、耐熱性、導電性などの優
れた特長を有することから、高密度記録対応基板として
注目されている。
【０００５】しかしながら、上記したテクスチャー加工
技術の開発が遅れており、その確立が求められている。
技術の開発が遅れており、その確立が求められている。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、磁気ヘッドの低浮上量
化や摺動耐久性の向上に好適な表面特性を有する磁気記
録媒体を提供することである。この本発明の目的は、導
電性の基板からなる磁気記録媒体用基板であって、電解
質溶液中で電解エッチングされてなることを特徴とする
磁気記録媒体用基板によって達成される。
化や摺動耐久性の向上に好適な表面特性を有する磁気記
録媒体を提供することである。この本発明の目的は、導
電性の基板からなる磁気記録媒体用基板であって、電解
質溶液中で電解エッチングされてなることを特徴とする
磁気記録媒体用基板によって達成される。
【０００７】又、導電性の基板からなる磁気記録媒体用
基板の製造方法であって、前記基板を電解質溶液中で電
解エッチングすることを特徴とする磁気記録媒体用基板
の製造方法によって達成される。又、電解質溶液中で電
解エッチングされてなる導電性の基板上に、磁性膜が設
けられてなることを特徴とする磁気記録媒体によって達
成される。
基板の製造方法であって、前記基板を電解質溶液中で電
解エッチングすることを特徴とする磁気記録媒体用基板
の製造方法によって達成される。又、電解質溶液中で電
解エッチングされてなる導電性の基板上に、磁性膜が設
けられてなることを特徴とする磁気記録媒体によって達
成される。
【０００８】以下、本発明について詳しく説明する。基
板は固有抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以下のものであれば
良く、例えばＡｌ合金、ガラスやセラミックスの表面に
Ｎｉ−Ｐめっき等の非磁性の金属層がコートされた基
板、ガラス状カーボン等のカーボン基板などが用いられ
る。中でも表面研磨を施したカーボン基板、特にガラス
状カーボンの基板が好ましい。尚、カーボン基板とは
「ガラス状カーボン材料集合体」及び／又は「複合材料
集合体」から構成される。これらは、注型、圧縮、押し
出し等の広く知られた各種成形法により成形された成形
体、又は基体表面にスパッタリングや蒸着法等で直接ガ
ラス状カーボンを析出させた形態をなす集合体である。
板は固有抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以下のものであれば
良く、例えばＡｌ合金、ガラスやセラミックスの表面に
Ｎｉ−Ｐめっき等の非磁性の金属層がコートされた基
板、ガラス状カーボン等のカーボン基板などが用いられ
る。中でも表面研磨を施したカーボン基板、特にガラス
状カーボンの基板が好ましい。尚、カーボン基板とは
「ガラス状カーボン材料集合体」及び／又は「複合材料
集合体」から構成される。これらは、注型、圧縮、押し
出し等の広く知られた各種成形法により成形された成形
体、又は基体表面にスパッタリングや蒸着法等で直接ガ
ラス状カーボンを析出させた形態をなす集合体である。
【０００９】このガラス状カーボン材料は、熱硬化性樹
脂を炭素化して得られるガラス状カーボン材料、共重合
や共縮合などにより熱硬化するよう変性された樹脂を炭
素化して得られるガラス状カーボン材料、硬化あるいは
炭素化の過程で化学処理によって結晶化を著しく妨げる
ことにより得られるガラス状カーボン材料等がある。用
いられる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エステル樹脂、フ
ラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹
脂、キシレン樹脂等を挙げることが出来る。これらの樹
脂をそのまま、あるいはブレンド、又は変性することに
より用いられる。
脂を炭素化して得られるガラス状カーボン材料、共重合
や共縮合などにより熱硬化するよう変性された樹脂を炭
素化して得られるガラス状カーボン材料、硬化あるいは
炭素化の過程で化学処理によって結晶化を著しく妨げる
ことにより得られるガラス状カーボン材料等がある。用
いられる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エステル樹脂、フ
ラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹
脂、キシレン樹脂等を挙げることが出来る。これらの樹
脂をそのまま、あるいはブレンド、又は変性することに
より用いられる。
【００１０】好ましくは、硬化前の初期縮合物の状態で
２０重量％以上の水を含有することができる熱硬化性樹
脂である。「初期縮合物」とは、硬化前の樹脂を意味
し、原料モノマーを相当量含む場合もあるが、ある程度
付加及び／又は縮合反応が起こり、粘度が高くなった樹
脂組成物をいう。本発明で言う熱硬化性樹脂の初期縮合
物は、原料樹脂の種類、ブレンド比率、重合度制御、変
性等により適宜設計できる。例えば、変性フェノール樹
脂をベースにした樹脂で、特開昭６０−１７２０８号、
特開昭６０−１７１２０９号、特開昭６０−１７１２１
０号公報で開示された熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬
化性樹脂に変性し得るものとしては、上述のフェノール
樹脂、フラン樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはアスファ
ルト、ピッチ類等の天然に産出する高い炭素化収率を有
する材料、リグニン、セルロース、タラガカンガム、ア
ラビアガム、フミン類、各種糖類などの比較的高い炭素
収率を有する親水性物質が挙げられる。
２０重量％以上の水を含有することができる熱硬化性樹
脂である。「初期縮合物」とは、硬化前の樹脂を意味
し、原料モノマーを相当量含む場合もあるが、ある程度
付加及び／又は縮合反応が起こり、粘度が高くなった樹
脂組成物をいう。本発明で言う熱硬化性樹脂の初期縮合
物は、原料樹脂の種類、ブレンド比率、重合度制御、変
性等により適宜設計できる。例えば、変性フェノール樹
脂をベースにした樹脂で、特開昭６０−１７２０８号、
特開昭６０−１７１２０９号、特開昭６０−１７１２１
０号公報で開示された熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬
化性樹脂に変性し得るものとしては、上述のフェノール
樹脂、フラン樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはアスファ
ルト、ピッチ類等の天然に産出する高い炭素化収率を有
する材料、リグニン、セルロース、タラガカンガム、ア
ラビアガム、フミン類、各種糖類などの比較的高い炭素
収率を有する親水性物質が挙げられる。
【００１１】又、本発明でいうガラス状カーボン材料を
含む複合材料集合体とは、前述のガラス状カーボン材料
と合成樹脂及び／又は炭素質フィラーとを含有する複合
材料の集合体を意味する。合成樹脂としては、塩化ビニ
ル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱
可塑性樹脂、又はフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹
脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂などの熱硬化性樹脂
が挙げられる。炭素フィラーは、一般的な炭素材料を意
味するものであり、例えば残炭素率の高いリグニンやピ
ッチ等が挙げられる。
含む複合材料集合体とは、前述のガラス状カーボン材料
と合成樹脂及び／又は炭素質フィラーとを含有する複合
材料の集合体を意味する。合成樹脂としては、塩化ビニ
ル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱
可塑性樹脂、又はフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹
脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂などの熱硬化性樹脂
が挙げられる。炭素フィラーは、一般的な炭素材料を意
味するものであり、例えば残炭素率の高いリグニンやピ
ッチ等が挙げられる。
【００１２】ところで、一般に、電解質溶液中で導電性
の基板をアノードとして電解を行うと、電解質の種類や
電解条件に応じて電解エッチング、電解研磨、陽極酸化
などの現象が生じる。すなわち、導電性の基板を電解液
中でアノード分極すると、図１に示す如く、一般に、以
下の三つの領域に分類される（金属電気化学、沖猛雄、
共立出版、１９６９年、ｐ１７０）。 の領域（Ａ−Ｃ）：アノード分極（Ｖ）を行うと、オ
ームの法則にしたがってアノード電流（Ｉ）は放物線的
に増加する。 の領域（Ｃ−Ｄ）：電位を増加しても、電流増加せ
ず、飽和する領域。 の領域（Ｄ−Ｅ）：さらにアノード分極を増加する
と、再び電流が放物線的に増加する。
の基板をアノードとして電解を行うと、電解質の種類や
電解条件に応じて電解エッチング、電解研磨、陽極酸化
などの現象が生じる。すなわち、導電性の基板を電解液
中でアノード分極すると、図１に示す如く、一般に、以
下の三つの領域に分類される（金属電気化学、沖猛雄、
共立出版、１９６９年、ｐ１７０）。 の領域（Ａ−Ｃ）：アノード分極（Ｖ）を行うと、オ
ームの法則にしたがってアノード電流（Ｉ）は放物線的
に増加する。 の領域（Ｃ−Ｄ）：電位を増加しても、電流増加せ
ず、飽和する領域。 の領域（Ｄ−Ｅ）：さらにアノード分極を増加する
と、再び電流が放物線的に増加する。
【００１３】各々の領域で行われている現象は次の通り
である。 ：電解エッチング領域。初期のアノード溶解が生じて
おり、金属イオンがアノード電場に促進されて直接電解
液中に溶出する。アノード表面の溶けやすい部分から自
由に溶け去って行くので、金属表面はエッチング（腐
食）面が形成される。 ：電解研磨領域。金属の溶解／表面近傍での蓄積、陽
極酸化皮膜の形成が混在し、金属表面の凸部が優先的に
溶解し、結果的に鏡面化する領域。 ：ガス発生／放電領域：陽極より酸素ガスの発生、皮
膜の破壊や皮膜を通しての放電等が生じる領域。
である。 ：電解エッチング領域。初期のアノード溶解が生じて
おり、金属イオンがアノード電場に促進されて直接電解
液中に溶出する。アノード表面の溶けやすい部分から自
由に溶け去って行くので、金属表面はエッチング（腐
食）面が形成される。 ：電解研磨領域。金属の溶解／表面近傍での蓄積、陽
極酸化皮膜の形成が混在し、金属表面の凸部が優先的に
溶解し、結果的に鏡面化する領域。 ：ガス発生／放電領域：陽極より酸素ガスの発生、皮
膜の破壊や皮膜を通しての放電等が生じる領域。
【００１４】本発明の電解エッチングはの領域を限定
して利用するものである。の領域の絶対値は特定でき
ず、被処理材の種類、電解液の種類、電解条件（温度、
電極間距離、電極材料等）により異なってくるが、各々
のケースに応じてＩ−Ｖカーブより選択すれば良い。そ
して、カーボンを対象とした場合には、金属を対象とし
た場合に比べて判っていない部分が多いものの、現象論
として、電解条件により上述の電解エッチング、電解研
磨、放電／絶縁破壊領域が認められる。但し、カーボン
を対象とした場合の電解エッチングは、金属を対象とし
た場合に比べて極めて難しい。すなわち、電解エッチン
グ現象は溶け易い部分、電気抵抗が低い部分に電流が集
中し、選択的に溶け易い特徴を持っており、本来ピット
を形成し易い特徴を持っている。つまり、材料中のボイ
ド、組成のゆらぎ、局部電位のバラツキ、又、電解中の
生成した吸着ガスの離脱ムラがある場合には、基板表面
全体にかかる電流分布が不均一となり、電解エッチング
が不均一に進行してしまう。そして、一旦、電流が集中
すると、ジュール熱により電解液の電気抵抗が低下し、
一層電流集中を促進することになる。従って、目的とす
るテクスチャー表面を得るにはこれらの制御が極めて重
要である。
して利用するものである。の領域の絶対値は特定でき
ず、被処理材の種類、電解液の種類、電解条件（温度、
電極間距離、電極材料等）により異なってくるが、各々
のケースに応じてＩ−Ｖカーブより選択すれば良い。そ
して、カーボンを対象とした場合には、金属を対象とし
た場合に比べて判っていない部分が多いものの、現象論
として、電解条件により上述の電解エッチング、電解研
磨、放電／絶縁破壊領域が認められる。但し、カーボン
を対象とした場合の電解エッチングは、金属を対象とし
た場合に比べて極めて難しい。すなわち、電解エッチン
グ現象は溶け易い部分、電気抵抗が低い部分に電流が集
中し、選択的に溶け易い特徴を持っており、本来ピット
を形成し易い特徴を持っている。つまり、材料中のボイ
ド、組成のゆらぎ、局部電位のバラツキ、又、電解中の
生成した吸着ガスの離脱ムラがある場合には、基板表面
全体にかかる電流分布が不均一となり、電解エッチング
が不均一に進行してしまう。そして、一旦、電流が集中
すると、ジュール熱により電解液の電気抵抗が低下し、
一層電流集中を促進することになる。従って、目的とす
るテクスチャー表面を得るにはこれらの制御が極めて重
要である。
【００１５】ところで、カーボン材料に上記のような問
題があると、マクロ的には電解エッチングが進行するも
のの、ミクロ的にみると目的とする基板全面に均一な表
面粗さを形成することが困難になる。よって、カーボン
基板の電解エッチング法によるテクスチャーの成否のカ
ギは基板材料の均質化、無欠陥化あるいは欠陥サイズの
極小化、ミニマム化にあるとも言える。
題があると、マクロ的には電解エッチングが進行するも
のの、ミクロ的にみると目的とする基板全面に均一な表
面粗さを形成することが困難になる。よって、カーボン
基板の電解エッチング法によるテクスチャーの成否のカ
ギは基板材料の均質化、無欠陥化あるいは欠陥サイズの
極小化、ミニマム化にあるとも言える。
【００１６】そして、この点についての研究が鋭意推し
進められた結果、カーボン材料は下記の条件を満たした
ものであることが好ましいと判明したのである。 密度が１．４〜１．６の範囲にあるカーボン、特に
ガラス状カーボン エックス線回折により２θ＝２０〜３０°付近に表
れる（００２）面の回折ピークの半値幅が３°以上、好
ましくは４°以上であるカーボン、特にガラス状カーボ
ン 偏光顕微鏡、若しくは微分顕微鏡で観察して３ミク
ロン以上の欠陥（ボイドやクラック）が１個／ｃｍ2 未
満であるカーボン、特にガラス状カーボン すなわち、これらの条件は電解エッチング時のカーボン
溶解性に影響を与える為、所望のテクスチャーを得る為
に極めて望ましい要件であった。尚、上記の要件一つが
満たされる場合であっても、例えばの要件、の要
件、あるいはの要件が満たされる場合のみでも良い
が、更に好ましくは＋、＋あるいは＋の場
合が、もっと好ましくは，，全ての要件が満たさ
れる場合である。
進められた結果、カーボン材料は下記の条件を満たした
ものであることが好ましいと判明したのである。 密度が１．４〜１．６の範囲にあるカーボン、特に
ガラス状カーボン エックス線回折により２θ＝２０〜３０°付近に表
れる（００２）面の回折ピークの半値幅が３°以上、好
ましくは４°以上であるカーボン、特にガラス状カーボ
ン 偏光顕微鏡、若しくは微分顕微鏡で観察して３ミク
ロン以上の欠陥（ボイドやクラック）が１個／ｃｍ2 未
満であるカーボン、特にガラス状カーボン すなわち、これらの条件は電解エッチング時のカーボン
溶解性に影響を与える為、所望のテクスチャーを得る為
に極めて望ましい要件であった。尚、上記の要件一つが
満たされる場合であっても、例えばの要件、の要
件、あるいはの要件が満たされる場合のみでも良い
が、更に好ましくは＋、＋あるいは＋の場
合が、もっと好ましくは，，全ての要件が満たさ
れる場合である。
【００１７】本発明の大きな特徴であるテクスチャー処
理は、基板を電解質溶液（エッチング液）中でエッチン
グすることにより達成される。電解質溶液は酸あるいは
アルカリの水溶液であれば良く、０．１〜１００ｗｔ
％、好ましくは１〜６０ｗｔ％の濃度のものが用いられ
る。用いられる酸は硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、フッ
酸、過塩素酸などの無機酸、あるいは蓚酸、蟻酸などの
有機酸が挙げられる。アルカリはＮａＯＨ、ＫＯＨ等が
挙げられる。これらは二種以上のものをブレンドして使
用しても構わない。尚、テクスチャー効率やハウジング
の腐食を考慮すると、アルカリ系水溶液を用いることが
好ましい。又、テクスチャー効率、防錆性付与の為の添
加剤を配合してもよい。
理は、基板を電解質溶液（エッチング液）中でエッチン
グすることにより達成される。電解質溶液は酸あるいは
アルカリの水溶液であれば良く、０．１〜１００ｗｔ
％、好ましくは１〜６０ｗｔ％の濃度のものが用いられ
る。用いられる酸は硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、フッ
酸、過塩素酸などの無機酸、あるいは蓚酸、蟻酸などの
有機酸が挙げられる。アルカリはＮａＯＨ、ＫＯＨ等が
挙げられる。これらは二種以上のものをブレンドして使
用しても構わない。尚、テクスチャー効率やハウジング
の腐食を考慮すると、アルカリ系水溶液を用いることが
好ましい。又、テクスチャー効率、防錆性付与の為の添
加剤を配合してもよい。
【００１８】アノード（陽極）やカソード（陰極）材と
しては通常の電極、例えばＰｔ，Ａｕ，Ｐｂ，カーボン
電極を使用できる。カーボン基板のテクスチャー処理の
際には、コンタミネーションを考慮すると同じ系統の材
質であるカーボン電極を用いるのが好ましい。用いる電
流波形は、例えば直流、単相交流や３相交流などの交
流、矩形波、三角波などのパルス波、単相半波、２相半
波、３相半波、６相半波、単相全波、３相全波などの特
殊波形が用いられる。これらの波形を組み合わせて用い
てもよい。生産性の点から考慮すると３相交流が望まし
い。電解波形を変えると得られるテクスチャー形状も変
化することから、所望のテクスチャー形状に合わせて電
流波形の選択／組み合わせを行うことが望ましい。
しては通常の電極、例えばＰｔ，Ａｕ，Ｐｂ，カーボン
電極を使用できる。カーボン基板のテクスチャー処理の
際には、コンタミネーションを考慮すると同じ系統の材
質であるカーボン電極を用いるのが好ましい。用いる電
流波形は、例えば直流、単相交流や３相交流などの交
流、矩形波、三角波などのパルス波、単相半波、２相半
波、３相半波、６相半波、単相全波、３相全波などの特
殊波形が用いられる。これらの波形を組み合わせて用い
てもよい。生産性の点から考慮すると３相交流が望まし
い。電解波形を変えると得られるテクスチャー形状も変
化することから、所望のテクスチャー形状に合わせて電
流波形の選択／組み合わせを行うことが望ましい。
【００１９】電解エッチング時の電流密度に関しては、
テクスチャーの均一性、生産性、設備負荷を考慮する
と、１〜２００ｍＡ／ｃｍ2 が好ましい。更に好ましく
は５〜１００ｍＡ／ｃｍ2 である。すなわち、電流密度
が低すぎると、生産性が低下し、逆に、２００Ａ／ｃｍ
2 を越えて高すぎる場合には、テクスチャーの均一性が
低下する傾向がある。
テクスチャーの均一性、生産性、設備負荷を考慮する
と、１〜２００ｍＡ／ｃｍ2 が好ましい。更に好ましく
は５〜１００ｍＡ／ｃｍ2 である。すなわち、電流密度
が低すぎると、生産性が低下し、逆に、２００Ａ／ｃｍ
2 を越えて高すぎる場合には、テクスチャーの均一性が
低下する傾向がある。
【００２０】電解エッチング時の電圧に関しては、テク
スチャーの均一性、生産性、設備負荷を考慮すると、１
〜１００Ｖが好ましい。更に好ましくは２〜５０Ｖであ
る。すなわち、電圧が低すぎると、必要な電流密度が得
られず、生産性が低下し、逆に、高すぎる場合には、電
場の偏りが生じ易く、均一なエッチングが得られ難い傾
向がある。
スチャーの均一性、生産性、設備負荷を考慮すると、１
〜１００Ｖが好ましい。更に好ましくは２〜５０Ｖであ
る。すなわち、電圧が低すぎると、必要な電流密度が得
られず、生産性が低下し、逆に、高すぎる場合には、電
場の偏りが生じ易く、均一なエッチングが得られ難い傾
向がある。
【００２１】尚、電解エッチング時の電流や電圧は、処
理時、常に一定であるように設定していても良く、ある
いは第１段階では低い電圧で、第２段階では高い電圧で
といったように変化させるようにしても良い。電解エッ
チング時の処理時間に関しては、テクスチャーの程度や
均一性を考慮すると、１秒〜１時間程度が好ましい。更
に好ましくは約５秒〜２０分程度である。すなわち、時
間が短すぎると、所望のテクスチャーのものが得られ難
く、逆に、長すぎる場合にも、所望のテクスチャーのも
のが得られ難くい傾向がある。
理時、常に一定であるように設定していても良く、ある
いは第１段階では低い電圧で、第２段階では高い電圧で
といったように変化させるようにしても良い。電解エッ
チング時の処理時間に関しては、テクスチャーの程度や
均一性を考慮すると、１秒〜１時間程度が好ましい。更
に好ましくは約５秒〜２０分程度である。すなわち、時
間が短すぎると、所望のテクスチャーのものが得られ難
く、逆に、長すぎる場合にも、所望のテクスチャーのも
のが得られ難くい傾向がある。
【００２２】電解温度は１〜１００℃であれば良い。
尚、一般的には室温付近で良いが、電解液の種類により
適宜選択すれば良い。本発明では、特に、基板に適切な
電位でアノード電解（アノード溶解）を行うことによ
り、基板表面が電気化学的に溶解し、粗面化（電解エッ
チング）が進行する結果、所望のテクスチャー表面が得
られる。
尚、一般的には室温付近で良いが、電解液の種類により
適宜選択すれば良い。本発明では、特に、基板に適切な
電位でアノード電解（アノード溶解）を行うことによ
り、基板表面が電気化学的に溶解し、粗面化（電解エッ
チング）が進行する結果、所望のテクスチャー表面が得
られる。
【００２３】カソード電解を行った場合には、粗面化は
進行しないが、表面の化学的変質が進み、ぬれ性等が改
良され、下地のＣｒ層との密着性が増加するなどのメリ
ットが生まれる。従って、磁気記録媒体の基板の表面特
性を改善できることから、アノード電解であってもカソ
ード電解であっても良いが、テクスチャー処理の点から
考慮するとアノード電解を採用することが好ましい。勿
論、カソード電解を行った後、アノード電解を行うよう
にしても良い。
進行しないが、表面の化学的変質が進み、ぬれ性等が改
良され、下地のＣｒ層との密着性が増加するなどのメリ
ットが生まれる。従って、磁気記録媒体の基板の表面特
性を改善できることから、アノード電解であってもカソ
ード電解であっても良いが、テクスチャー処理の点から
考慮するとアノード電解を採用することが好ましい。勿
論、カソード電解を行った後、アノード電解を行うよう
にしても良い。
【００２４】上記のような電解エッチングによりＲａが
約２５〜３００Å、Ｒｐ／Ｒａ（Ｒａ＝中心線平均粗
さ、Ｒｐ＝中心線高さ）が約２．０〜６．０のような特
徴を備えたガラス状カーボンからなる基板面上に、Ｃｒ
膜などの下地膜が５００〜３０００Å設けられる。この
下地膜面上に磁性膜が設けられる。磁性膜としては、Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ，Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ系合金磁性膜
が挙げられる。ここでＸとしては、Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃａ，Ａｓ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。好ましくはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系
合金である。磁性膜の膜厚は通常３００〜１０００Å程
度である。
約２５〜３００Å、Ｒｐ／Ｒａ（Ｒａ＝中心線平均粗
さ、Ｒｐ＝中心線高さ）が約２．０〜６．０のような特
徴を備えたガラス状カーボンからなる基板面上に、Ｃｒ
膜などの下地膜が５００〜３０００Å設けられる。この
下地膜面上に磁性膜が設けられる。磁性膜としては、Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ，Ｃｏ−Ｗ
−Ｘ等で表されるＣｏを主成分とするＣｏ系合金磁性膜
が挙げられる。ここでＸとしては、Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃａ，Ａｓ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。好ましくはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系
合金である。磁性膜の膜厚は通常３００〜１０００Å程
度である。
【００２５】磁性膜面の上には保護膜が設けられる。保
護膜の材料としては、耐摩耗性の点から硬度の高いもの
が望ましい。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化
物などがある。又、カーボン、あるいはボロンナイトラ
イド等も挙げられる。中でも、カーボンやボロンナイト
ライドは好ましいものである。保護膜は上記した材料を
１層に形成してもよいが、２種以上を積層したものでも
よい。
護膜の材料としては、耐摩耗性の点から硬度の高いもの
が望ましい。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化
物などがある。又、カーボン、あるいはボロンナイトラ
イド等も挙げられる。中でも、カーボンやボロンナイト
ライドは好ましいものである。保護膜は上記した材料を
１層に形成してもよいが、２種以上を積層したものでも
よい。
【００２６】以下、具体的な実施例により本発明を説明
する。
する。
【００２７】
〔基板材料１〕板厚０．６３５ｍｍで２．５インチ径の
ガラス状カーボン基板を用意した。ガラス状カーボン基
板は次のようにして得られたものである。フルフリルア
ルコール５００重量部、９２％パラホルムアルデヒド４
００重量部および水３０重量部を８５℃で攪拌して溶解
する。次いで、攪拌下でフェノール５２０重量部、水酸
化カルシウム９．５重量部および水４５重量部の混合液
を滴下し、７５℃で３時間反応させた。その後フェノー
ル８０重量部、上記フェノール／水酸化カルシウム／水
混合液をさらに滴下し、８５℃で２．０時間反応させ
た。３０℃に冷却後、３０％パラトルエンスルホン酸水
溶液で中和した。この中和物を減圧化で脱水し、１７０
重量部の水を除去し、フルフリルアルコール５００重量
部を添加混合し、樹脂中の不溶分をメンブランフィルタ
ーで濾過した。この樹脂が含むことの出来る水量を測定
した処、３５重量％であった。
ガラス状カーボン基板を用意した。ガラス状カーボン基
板は次のようにして得られたものである。フルフリルア
ルコール５００重量部、９２％パラホルムアルデヒド４
００重量部および水３０重量部を８５℃で攪拌して溶解
する。次いで、攪拌下でフェノール５２０重量部、水酸
化カルシウム９．５重量部および水４５重量部の混合液
を滴下し、７５℃で３時間反応させた。その後フェノー
ル８０重量部、上記フェノール／水酸化カルシウム／水
混合液をさらに滴下し、８５℃で２．０時間反応させ
た。３０℃に冷却後、３０％パラトルエンスルホン酸水
溶液で中和した。この中和物を減圧化で脱水し、１７０
重量部の水を除去し、フルフリルアルコール５００重量
部を添加混合し、樹脂中の不溶分をメンブランフィルタ
ーで濾過した。この樹脂が含むことの出来る水量を測定
した処、３５重量％であった。
【００２８】この熱硬化性樹脂１００重量部に対し、パ
ラトルエンスルホン酸７０重量％、水２０重量％、セル
ソルブ１０重量％の混合液３．５重量部を添加し、十分
攪拌後、厚さ２ｍｍの円盤状の型に注入し、減圧脱泡し
た。次いで、５００℃で３時間、８０℃で２日間加熱硬
化した。この熱硬化物を所定のドーナツ形状に加工し、
このあと有機物焼成炉で窒素雰囲気下で２〜５℃／時の
昇温速度で７００℃まで加熱し、さらに０．５ｍＴｏｒ
ｒ程度の真空中にて５〜２０℃／時の昇温速度で１２０
０℃まで加熱焼成し、この温度で２時間保持した後、冷
却し、ガラス状カーボン基板を得た。
ラトルエンスルホン酸７０重量％、水２０重量％、セル
ソルブ１０重量％の混合液３．５重量部を添加し、十分
攪拌後、厚さ２ｍｍの円盤状の型に注入し、減圧脱泡し
た。次いで、５００℃で３時間、８０℃で２日間加熱硬
化した。この熱硬化物を所定のドーナツ形状に加工し、
このあと有機物焼成炉で窒素雰囲気下で２〜５℃／時の
昇温速度で７００℃まで加熱し、さらに０．５ｍＴｏｒ
ｒ程度の真空中にて５〜２０℃／時の昇温速度で１２０
０℃まで加熱焼成し、この温度で２時間保持した後、冷
却し、ガラス状カーボン基板を得た。
【００２９】このガラス状カーボン基板を♯５００〜♯
８０００の砥粒で鏡面研磨し、中心線平均粗さＲａ＝１
８Åのものを得た。尚、このガラス状カーボン基板の密
度は１．５であり、又、エックス線回折により２θ＝２
０〜３０°付近に表れる（００２）面の回折ピークの半
値幅は３．９°であり、又、偏光顕微鏡および微分顕微
鏡で観察して３ミクロン以上の欠陥（ボイドやクラッ
ク）は０個／ｃｍ2 であった。
８０００の砥粒で鏡面研磨し、中心線平均粗さＲａ＝１
８Åのものを得た。尚、このガラス状カーボン基板の密
度は１．５であり、又、エックス線回折により２θ＝２
０〜３０°付近に表れる（００２）面の回折ピークの半
値幅は３．９°であり、又、偏光顕微鏡および微分顕微
鏡で観察して３ミクロン以上の欠陥（ボイドやクラッ
ク）は０個／ｃｍ2 であった。
【００３０】〔基板材料２〕板厚０．６３５ｍｍで２．
５インチ径の厚さ９μのＮｉ−Ｐメッキを施したＡｌ基
板（日本軽金属製）を用意した。尚、この基板のＲａは
１８Å、Ｒｐは４２Åである。 〔電解エッチング〕各種電解液中に電流密度１０〜１０
０ｍＡ／ｃｍ2 、電圧２〜３０Ｖ、液温２５〜３０℃、
電極にガラス状カーボン基板を用いて３０〜３００秒間
かけて電解処理し、下記の表−１に示すような表面プロ
フィールの基板を得た。
５インチ径の厚さ９μのＮｉ−Ｐメッキを施したＡｌ基
板（日本軽金属製）を用意した。尚、この基板のＲａは
１８Å、Ｒｐは４２Åである。 〔電解エッチング〕各種電解液中に電流密度１０〜１０
０ｍＡ／ｃｍ2 、電圧２〜３０Ｖ、液温２５〜３０℃、
電極にガラス状カーボン基板を用いて３０〜３００秒間
かけて電解処理し、下記の表−１に示すような表面プロ
フィールの基板を得た。
【００３１】〔成膜〕Ａｒガス圧２ｍＴｏｒｒ、基板温
度２００℃の条件下でＤＣマグネトロンスパッタ装置を
用いて、下地Ｃｒ膜を５０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性
膜を７０ｎｍ順に成膜した。そして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
磁性膜上に炭素保護膜を２０ｎｍ成膜し、そしてパーフ
ルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布し、乾燥した。
度２００℃の条件下でＤＣマグネトロンスパッタ装置を
用いて、下地Ｃｒ膜を５０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性
膜を７０ｎｍ順に成膜した。そして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
磁性膜上に炭素保護膜を２０ｎｍ成膜し、そしてパーフ
ルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布し、乾燥した。
【００３２】〔特性〕電解エッチング後の表面をＴｅａ
ｃｏｒ社製−Ｐ２表面粗さ計、原子間力顕微鏡、走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて調べたので、その結果を表−
１に示す。 表−１ Ｎｏ 電解液 電流波形 電流密度 電解時間 電解エッチング後の表面特性 (mA/cm2) （秒） Ｒa(Å) Ｒp(Å) 均一性 １ 硫酸10% 直流 ２５ １２０ ３５ １５５ ○ ２ 硫酸10% 直流 ５０ ９０ ５０ １７０ ○ ３ 硫酸10% 交流 ５０ ９０ ５５ １６０ ○ ４ 硝酸10% 直流 ２５ １２０ ３３ １４０ ○ ５ 硝酸10% 交流 ５０ ９０ ４５ １７２ ○ ６ クロム酸10% 直流 ２５ １２０ ２８ １２０ ○ ７ クロム酸10% 直流 ５０ ９０ ３５ １４３ ○ ８ NaOH10% 直流 ５ ２４０ ２７ １１０ ○ ９ NaOH10% 直流 ２５ １２０ ４０ １６０ ○ １０ NaOH10% 直流 ５０ ６０ ３８ １４３ ○ １１ NaOH10% 直流 ５０ １２０ ４５ １６５ ○ １２ NaOH10% 直流 ５０ ３００ ６５ ２２６ ○ １３ NaOH10% 直流 １００ ３０ ７４ ２４７ ○ １４ NaOH10% 交流 ５０ ３０ ３７ １５０ ○ １５ NaOH10% ３相半波 ２５ ６０ ３５ １４２ ○ １６ KOH10% 直流 １０ ９０ ２８ １１５ ○ １７ KOH10% 直流 ２５ ９０ ３３ １３６ ○ １８ KOH10% 直流 ５０ ９０ ４６ １４５ ○ １９ KOH10% 直流 ５０ ９０ ５４ １７０ ○ ２０ HCl10% 直流 ２５ １２０ ３５ １６１ ○ ＊Ｎｏ１〜１８は基板材料がガラス状カーボン Ｎｏ１９，２０のものはＮｉ−ＰメッキのＡｌ 又、得られた磁気ディスクについて、耐久性試験（ＣＳ
Ｓ試験、加重６ｇ、摩擦係数＝０．６に至るまでの回
数）、グライドハイト（ＧＨＴ）特性（日立電子エンジ
ニアリング（株）、ＲＧ−５５０、浮上量０．５μｍ設
定）、エラー特性（ｍｉｓｓｉｎｇ Ｅｒｒｏｒ、書込
周波数；５ＭＨz 、浮上高さ０．０７５、日立電子エン
ジニアリング社製、ＲＣ−５６０）を調べたので、その
結果を表−２に示す。
ｃｏｒ社製−Ｐ２表面粗さ計、原子間力顕微鏡、走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて調べたので、その結果を表−
１に示す。 表−１ Ｎｏ 電解液 電流波形 電流密度 電解時間 電解エッチング後の表面特性 (mA/cm2) （秒） Ｒa(Å) Ｒp(Å) 均一性 １ 硫酸10% 直流 ２５ １２０ ３５ １５５ ○ ２ 硫酸10% 直流 ５０ ９０ ５０ １７０ ○ ３ 硫酸10% 交流 ５０ ９０ ５５ １６０ ○ ４ 硝酸10% 直流 ２５ １２０ ３３ １４０ ○ ５ 硝酸10% 交流 ５０ ９０ ４５ １７２ ○ ６ クロム酸10% 直流 ２５ １２０ ２８ １２０ ○ ７ クロム酸10% 直流 ５０ ９０ ３５ １４３ ○ ８ NaOH10% 直流 ５ ２４０ ２７ １１０ ○ ９ NaOH10% 直流 ２５ １２０ ４０ １６０ ○ １０ NaOH10% 直流 ５０ ６０ ３８ １４３ ○ １１ NaOH10% 直流 ５０ １２０ ４５ １６５ ○ １２ NaOH10% 直流 ５０ ３００ ６５ ２２６ ○ １３ NaOH10% 直流 １００ ３０ ７４ ２４７ ○ １４ NaOH10% 交流 ５０ ３０ ３７ １５０ ○ １５ NaOH10% ３相半波 ２５ ６０ ３５ １４２ ○ １６ KOH10% 直流 １０ ９０ ２８ １１５ ○ １７ KOH10% 直流 ２５ ９０ ３３ １３６ ○ １８ KOH10% 直流 ５０ ９０ ４６ １４５ ○ １９ KOH10% 直流 ５０ ９０ ５４ １７０ ○ ２０ HCl10% 直流 ２５ １２０ ３５ １６１ ○ ＊Ｎｏ１〜１８は基板材料がガラス状カーボン Ｎｏ１９，２０のものはＮｉ−ＰメッキのＡｌ 又、得られた磁気ディスクについて、耐久性試験（ＣＳ
Ｓ試験、加重６ｇ、摩擦係数＝０．６に至るまでの回
数）、グライドハイト（ＧＨＴ）特性（日立電子エンジ
ニアリング（株）、ＲＧ−５５０、浮上量０．５μｍ設
定）、エラー特性（ｍｉｓｓｉｎｇ Ｅｒｒｏｒ、書込
周波数；５ＭＨz 、浮上高さ０．０７５、日立電子エン
ジニアリング社製、ＲＣ−５６０）を調べたので、その
結果を表−２に示す。
【００３３】 表−２ Ｎｏ ＣＳＳテスト GHTヒット数 エラー特性 １ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ２ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ３ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ４ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー30〜100 個／片面 ５ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー30〜100 個／片面 ６ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ７ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ８ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ９ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １０ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １１ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １２ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １３ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １４ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １５ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １６ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １７ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １８ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 １９ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 ２０ ２万回以上 ０個／面 ２０ビット以内のエラー３０個未満／片面 これによれば、本発明の電解エッチングを施した基板
は、図２（ａ），（ｂ）（ｃ）〔（ａ）は電解エッチン
グ前のもの、（ｂ）は５０ｍＡ／ｃｍ2 、１分の条件下
での電解エッチング後のもの、（ｃ）は５０ｍＡ／ｃｍ
2 、５分の条件下での電解エッチング後のもの〕にも示
される通り、適切な表面粗さを有しており、基板全面に
わたり均質で、磁気ディスクとして優れた特性を有して
いることが判る。
は、図２（ａ），（ｂ）（ｃ）〔（ａ）は電解エッチン
グ前のもの、（ｂ）は５０ｍＡ／ｃｍ2 、１分の条件下
での電解エッチング後のもの、（ｃ）は５０ｍＡ／ｃｍ
2 、５分の条件下での電解エッチング後のもの〕にも示
される通り、適切な表面粗さを有しており、基板全面に
わたり均質で、磁気ディスクとして優れた特性を有して
いることが判る。
【００３４】
【効果】電解液中で基板を電解エッチングすることによ
り、生産性、表面性に優れたテクスチャーにすることが
可能で、高密度記録対応型のディスク基板、引いては高
密度記録型磁気ディスクを提供できる。
り、生産性、表面性に優れたテクスチャーにすることが
可能で、高密度記録対応型のディスク基板、引いては高
密度記録型磁気ディスクを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電解電流特性を説明するグラフである。
【図２】電解エッチングされた基板の表面粗さの説明図
である。
である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (19)
- 【請求項１】 導電性の基板からなる磁気記録媒体用基
板であって、電解質溶液中で電解エッチングされてなる
ことを特徴とする磁気記録媒体用基板。 - 【請求項２】 カーボン基板であることを特徴とする請
求項１の磁気記録媒体用基板。 - 【請求項３】 密度が１．４〜１．６のカーボン基板で
あることを特徴とする請求項１または請求項２の磁気記
録媒体用基板。 - 【請求項４】 Ｘ線回折による（００２）面の回折ピー
クの半値幅が３°以上のカーボン基板であることを特徴
とする請求項１〜請求項３の磁気記録媒体用基板。 - 【請求項５】 ３ミクロン以上の欠陥が１個／ｃｍ2 未
満のカーボン基板であることを特徴とする請求項１〜請
求項４の磁気記録媒体用基板。 - 【請求項６】 少なくとも表層が金属材料であることを
特徴とする請求項１の磁気記録媒体用基板。 - 【請求項７】 導電性の基板からなる磁気記録媒体用基
板の製造方法であって、前記基板を電解質溶液中で電解
エッチングすることを特徴とする磁気記録媒体用基板の
製造方法。 - 【請求項８】 カーボン基板を電解質溶液中で電解エッ
チングすることを特徴とする請求項７の磁気記録媒体用
基板の製造方法。 - 【請求項９】 密度が１．４〜１．６のカーボン基板を
電解質溶液中で電解エッチングすることを特徴とする請
求項７または請求項８の磁気記録媒体用基板の製造方
法。 - 【請求項１０】 Ｘ線回折による（００２）面の回折ピ
ークの半値幅が３°以上のカーボン基板を電解質溶液中
で電解エッチングすることを特徴とする請求項７〜請求
項９の磁気記録媒体用基板の製造方法。 - 【請求項１１】 ３ミクロン以上の欠陥が１個／ｃｍ2
未満のカーボン基板を電解質溶液中で電解エッチングす
ることを特徴とする請求項７〜請求項１０の磁気記録媒
体用基板の製造方法。 - 【請求項１２】 少なくとも表層が金属材料である基板
を電解質溶液中で電解エッチングすることを特徴とする
請求項７の磁気記録媒体用基板の製造方法。 - 【請求項１３】 電解エッチング時の電流密度が１〜２
００ｍＡ／ｃｍ2 であることを特徴とする請求項７〜請
求項１２の磁気記録媒体用基板の製造方法。 - 【請求項１４】 電解質溶液中で電解エッチングされて
なる導電性の基板上に、磁性膜が設けられてなることを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 基板はカーボン基板であることを特徴
とする請求項１４の磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 基板は密度が１．４〜１．６のカーボ
ン基板であることを特徴とする請求項１４または請求項
１５の磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 基板はＸ線回折による（００２）面の
回折ピークの半値幅が３度以上のカーボン基板であるこ
とを特徴とする請求項１４〜請求項１６の磁気記録媒
体。 - 【請求項１８】 基板は３ミクロン以上の欠陥が１個／
ｃｍ2 未満のカーボン基板であることを特徴とする請求
項１４〜請求項１７の磁気記録媒体。 - 【請求項１９】 基板は少なくとも表層が金属材料であ
ることを特徴とする請求項１４の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147174A JPH076349A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
| US08/259,994 US5560977A (en) | 1993-06-18 | 1994-06-17 | Magnetic recording medium and manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147174A JPH076349A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076349A true JPH076349A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15424260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5147174A Pending JPH076349A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5560977A (ja) |
| JP (1) | JPH076349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0853528A4 (en) * | 1995-08-22 | 2002-01-30 | Seagate Technology Llc | SURFACE TREATMENT BY LASER RADIATION OF RECEIVING CARRIERS |
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