JPH0760490B2 - 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0760490B2 JPH0760490B2 JP58157650A JP15765083A JPH0760490B2 JP H0760490 B2 JPH0760490 B2 JP H0760490B2 JP 58157650 A JP58157650 A JP 58157650A JP 15765083 A JP15765083 A JP 15765083A JP H0760490 B2 JPH0760490 B2 JP H0760490B2
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
背景技術とその問題点 多素子薄膜磁気ヘッド例えば電磁誘導型の多素子薄膜磁
気ヘッドとして、例えば第１図、第２図、第３図及び第
４図に示すように磁性フェライト例えばMn−Zn系フェラ
イト、Ni−Zn系フェライト等よりなる磁性基板（１）の
一主面上に、例えば厚さ１μｍのSiO2、Si3N4等の絶縁
膜（２）を介してヘッド巻線となるコイル導体（３）が
形成されているものが提案されている。このコイル導体
（３）は、Al、Cu、Au等の例えばコ字状の導電層によっ
て形成されている。ここで、図示の例では１ターン構成
とした場合であるが、渦巻状に数ターン構成することも
できるし、多層構造による数ターン構成とすることもで
きる。このコイル導体（３）上には、全面的に例えば厚
さ１μｍのSiO2、Si3N4等の絶縁膜（５）が形成され、
この絶縁膜（５）を介してコイル導体（３）上を横切
り、その前方端部が磁気記録媒体対向面Ｓに延在して、
薄膜磁気コア（４）が形成されている。この薄膜磁気コ
ア（４）は、例えば幅60μｍ厚さ10μｍのセンダスト、
パーマロイ等よりなる磁性薄膜よりなる。また、この薄
膜磁気コア（４）の後端部は、絶縁膜（２）及び（５）
に穿設した窓（６）を通じて磁性基板（１）と例えば直
接的に接合されて磁気的に密に結合されている。また、
薄膜磁気コア（４）の前方端部と磁性基板（１）との間
には磁気ギャップｇを形成する、例えば厚さ0.5μｍの
非磁性ギャップスペーサ層（７）が形成されている。こ
のようにして、ギャップスペーサ層（７）の厚さによっ
てギャップ長が規定された磁気ギャップｇを含み薄膜磁
気コア（４）と磁性基板（１）との共働によって閉磁路
を形成する磁気回路が構成され、この磁気回路と交叉し
てコイル導体（３）が設けられた磁気ヘッド素子ｈが構
成されている。そして、このような構成による複数の磁
気ヘッド素子ｈが磁性基板（１）を共通として所定個配
列され、共通の磁気記録媒体対向面Ｓに各磁気ギャップ
ｇが、所定のトラック間隔をもって臨むようにして配列
される。
気ヘッドとして、例えば第１図、第２図、第３図及び第
４図に示すように磁性フェライト例えばMn−Zn系フェラ
イト、Ni−Zn系フェライト等よりなる磁性基板（１）の
一主面上に、例えば厚さ１μｍのSiO2、Si3N4等の絶縁
膜（２）を介してヘッド巻線となるコイル導体（３）が
形成されているものが提案されている。このコイル導体
（３）は、Al、Cu、Au等の例えばコ字状の導電層によっ
て形成されている。ここで、図示の例では１ターン構成
とした場合であるが、渦巻状に数ターン構成することも
できるし、多層構造による数ターン構成とすることもで
きる。このコイル導体（３）上には、全面的に例えば厚
さ１μｍのSiO2、Si3N4等の絶縁膜（５）が形成され、
この絶縁膜（５）を介してコイル導体（３）上を横切
り、その前方端部が磁気記録媒体対向面Ｓに延在して、
薄膜磁気コア（４）が形成されている。この薄膜磁気コ
ア（４）は、例えば幅60μｍ厚さ10μｍのセンダスト、
パーマロイ等よりなる磁性薄膜よりなる。また、この薄
膜磁気コア（４）の後端部は、絶縁膜（２）及び（５）
に穿設した窓（６）を通じて磁性基板（１）と例えば直
接的に接合されて磁気的に密に結合されている。また、
薄膜磁気コア（４）の前方端部と磁性基板（１）との間
には磁気ギャップｇを形成する、例えば厚さ0.5μｍの
非磁性ギャップスペーサ層（７）が形成されている。こ
のようにして、ギャップスペーサ層（７）の厚さによっ
てギャップ長が規定された磁気ギャップｇを含み薄膜磁
気コア（４）と磁性基板（１）との共働によって閉磁路
を形成する磁気回路が構成され、この磁気回路と交叉し
てコイル導体（３）が設けられた磁気ヘッド素子ｈが構
成されている。そして、このような構成による複数の磁
気ヘッド素子ｈが磁性基板（１）を共通として所定個配
列され、共通の磁気記録媒体対向面Ｓに各磁気ギャップ
ｇが、所定のトラック間隔をもって臨むようにして配列
される。
このような多素子薄膜磁気ヘッドを得るには、先ず第５
図に示すように磁性基板（１）上に絶縁膜（２）を被着
し、これの上に第６図にしめすように、コイル導体
（３）を所定位置に配し、コイル導体（３）上を含む全
面に絶縁膜（５）を被着する。次に、第７図に断面図を
示し、第８図に平面図を示すように、前述したギャップ
スペーサ層（７）を形成する部分の絶縁膜（２）及び
（５）を基板（１）の前方側縁に沿って所定の幅、すな
わち最終的に形成する磁気ギャップｇのギャップデプス
に相当する幅ｄをもってフォトエッチング等によって選
択的に除去する。次に、第９図に示すように絶縁膜
（２）及び（５）の除去部に、所要の厚さ、すなわち磁
気ギャップｇのギャップ長に対応する例えば0.5μｍの
厚さの非磁性ギャップスペーサ層（７）を被着する。そ
の後、第10図に示すように絶縁膜（２）及び（５）に窓
（６）を穿設し、全面的に磁気コアを構成するセンダス
ト、パーマロイ等の磁性薄膜（４′）を例えばスパッタ
リングによって形成する。そして、第11図に示し、第１
図〜第４図で説明したようにこの薄膜（４′）にフォト
エッチング等を施して不要部分を除去して所定のパター
ンの薄膜磁気コア（４）を形成する。このようにして、
各トラックに関する各薄膜磁気コア（４）を同時に形成
するものであるが、この場合、磁気コア（４）、したが
って磁性薄膜（４′）は磁気回路としての磁気抵抗をで
きるだけ小さくする必要があることから、その厚さはで
きるだけ厚い、例えば10μｍに選定される。これがた
め、この磁性薄膜（４′）のパターニングすなわちフォ
トエッチングに際しては、磁性薄膜（４′）の厚さ方向
のエッチングの進行と共に、その面方向への進行、いわ
ゆるサイドエッチングを生じ、これがためそのパターン
の縁は、裾を引いた形状となり、第３図に示すように、
磁気ギャップｇのトラック幅方向に関する両側に裾部ａ
及びｂが生じ、磁気ギャップｇのトラック幅が正確に規
定されずにばらつきが生じる。また、マルチトラックの
場合には、エッチングしきれず各トラックの薄膜磁気コ
ア（４）間が薄い磁性膜の層で磁気的につながってしま
うことも生じる。特に、トラックの間隔としてのガイド
バンド幅が狭くなる程この問題は助長され、トラック幅
を正確に得られないと高密度記録を行なうという薄膜磁
気ヘッド本来の目的は達成されず特性上大きな問題を生
じ、良好な磁気記録ができないという問題があった。
図に示すように磁性基板（１）上に絶縁膜（２）を被着
し、これの上に第６図にしめすように、コイル導体
（３）を所定位置に配し、コイル導体（３）上を含む全
面に絶縁膜（５）を被着する。次に、第７図に断面図を
示し、第８図に平面図を示すように、前述したギャップ
スペーサ層（７）を形成する部分の絶縁膜（２）及び
（５）を基板（１）の前方側縁に沿って所定の幅、すな
わち最終的に形成する磁気ギャップｇのギャップデプス
に相当する幅ｄをもってフォトエッチング等によって選
択的に除去する。次に、第９図に示すように絶縁膜
（２）及び（５）の除去部に、所要の厚さ、すなわち磁
気ギャップｇのギャップ長に対応する例えば0.5μｍの
厚さの非磁性ギャップスペーサ層（７）を被着する。そ
の後、第10図に示すように絶縁膜（２）及び（５）に窓
（６）を穿設し、全面的に磁気コアを構成するセンダス
ト、パーマロイ等の磁性薄膜（４′）を例えばスパッタ
リングによって形成する。そして、第11図に示し、第１
図〜第４図で説明したようにこの薄膜（４′）にフォト
エッチング等を施して不要部分を除去して所定のパター
ンの薄膜磁気コア（４）を形成する。このようにして、
各トラックに関する各薄膜磁気コア（４）を同時に形成
するものであるが、この場合、磁気コア（４）、したが
って磁性薄膜（４′）は磁気回路としての磁気抵抗をで
きるだけ小さくする必要があることから、その厚さはで
きるだけ厚い、例えば10μｍに選定される。これがた
め、この磁性薄膜（４′）のパターニングすなわちフォ
トエッチングに際しては、磁性薄膜（４′）の厚さ方向
のエッチングの進行と共に、その面方向への進行、いわ
ゆるサイドエッチングを生じ、これがためそのパターン
の縁は、裾を引いた形状となり、第３図に示すように、
磁気ギャップｇのトラック幅方向に関する両側に裾部ａ
及びｂが生じ、磁気ギャップｇのトラック幅が正確に規
定されずにばらつきが生じる。また、マルチトラックの
場合には、エッチングしきれず各トラックの薄膜磁気コ
ア（４）間が薄い磁性膜の層で磁気的につながってしま
うことも生じる。特に、トラックの間隔としてのガイド
バンド幅が狭くなる程この問題は助長され、トラック幅
を正確に得られないと高密度記録を行なうという薄膜磁
気ヘッド本来の目的は達成されず特性上大きな問題を生
じ、良好な磁気記録ができないという問題があった。
発明の目的 本発明は、上述の諸欠点を解消して良好な磁気記録ので
きるような多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ること
を目的とする。
きるような多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ること
を目的とする。
発明の概要 本発明多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法は、共通の磁性
基板上に複数の薄膜磁気ヘッド素子が配置されてなる多
素子薄膜磁気ヘッドにおいて、この磁性基板上に絶縁膜
を形成し、この絶縁膜上の所定位置にコイル導体を形成
し、このコイル導体上を含む全面に絶縁膜を形成するこ
とにより、この絶縁膜とこの絶縁膜との厚さの合計が、
ギャップ長より十分大なる厚さとなるようにし、この二
層の絶縁膜の各トラックに対応する部分を、幅がトラッ
ク幅と等しく、奥行きがギャップデプスと等しくなるよ
うに除去し、この除去部内にギャップ長に相当する非磁
性ギャップスペーサ層を形成し、この除去部内のギャッ
プスペーサ層を含んで全面に磁性薄膜を形成し、この磁
性薄膜をエッチングすることにより、少なくともこの除
去部上を含む磁気コアを形成する方法である。
基板上に複数の薄膜磁気ヘッド素子が配置されてなる多
素子薄膜磁気ヘッドにおいて、この磁性基板上に絶縁膜
を形成し、この絶縁膜上の所定位置にコイル導体を形成
し、このコイル導体上を含む全面に絶縁膜を形成するこ
とにより、この絶縁膜とこの絶縁膜との厚さの合計が、
ギャップ長より十分大なる厚さとなるようにし、この二
層の絶縁膜の各トラックに対応する部分を、幅がトラッ
ク幅と等しく、奥行きがギャップデプスと等しくなるよ
うに除去し、この除去部内にギャップ長に相当する非磁
性ギャップスペーサ層を形成し、この除去部内のギャッ
プスペーサ層を含んで全面に磁性薄膜を形成し、この磁
性薄膜をエッチングすることにより、少なくともこの除
去部上を含む磁気コアを形成する方法である。
実施例 第12図、第13図、第14図及び第15図は、夫々本発明の一
実施例の拡大平面図、拡大側面図、第12図のXIV−XIV線
上の断面図、XV−XV線上の断面図で、これらの図面にお
いて、第１図、第２図、第３図及び第４図に対応する部
分には同一符号を付しそれらの詳細な説明は省略する。
実施例の拡大平面図、拡大側面図、第12図のXIV−XIV線
上の断面図、XV−XV線上の断面図で、これらの図面にお
いて、第１図、第２図、第３図及び第４図に対応する部
分には同一符号を付しそれらの詳細な説明は省略する。
この実施例は、第５図ないし第11図で説明したとほぼ同
様の手順をとって得た多素子薄膜磁気ヘッドであるが、
本発明による場合、ギャップスペーサ層（７）の形成の
ための絶縁膜（２）及び（５）の選択的除去のパターン
を、従来の場合、すなわち前述の第７図及び第８図と、
第９図で説明した場合とは異るパターンとする。すなわ
ちこの例においては、第16図に平面図を示し、第17図で
第16図のXVII−XVII線上断面図として示すように、絶縁
膜（２）及び（５）に対し、例えばフォトエッチングに
よって、ギャップスペーサ層（７）を形成する部分の除
去を行って除去部（８）を形成するものであるが、特に
この除去部（８）を各トラック毎に形成する。そしてそ
の幅Ｗを最終的に得る磁気ギャップｇのトラック幅に選
定し、奥行ｄをギャップデプスに選定する。また、各除
去部（８）間の間隔Ｄをトラック間間隔に設定する。そ
して、少くともこの除去部（８）内に所要の厚さ、すな
わち磁気ギャップｇのギャップ長に相当する厚さのギャ
ップスペーサ層（７）を形成する。そして、この除去部
（８）の内のギャップスペーサ層（７）上を含んで、全
面的に磁性薄膜（４′）を形成し、その後フォトエッチ
ングによってパターン化して第12図ないし第15図に示す
ように薄膜磁気コア（４）を形成するものであるが、こ
の場合特にこの薄膜磁気コア（４）の幅Ｗ′を第14図に
示すように除去部（８）の幅Ｗより大に選定してこの磁
気コア（４）が少くとも除去部（８）上を含んで形成さ
れ、この磁気コア（４）が除去部（８）外の絶縁膜
（２）及び（５）が積層されてギャップスペーサ層
（７）に比して充分大なる厚さを有する非磁性層上に跨
って形成されるようにする。この場合、絶縁膜（２）及
び（５）は全体としてその厚さがギャップスペーサ層
（７）に比しては充分大であるものの薄膜磁気コア
（４）を構成する磁性薄膜（４′）に比しては充分薄い
ので、これに対する選択的エッチングにおいてほとんど
サイドエッチングが生じることがなく高精度に形成され
ることは注目すべき点である。
様の手順をとって得た多素子薄膜磁気ヘッドであるが、
本発明による場合、ギャップスペーサ層（７）の形成の
ための絶縁膜（２）及び（５）の選択的除去のパターン
を、従来の場合、すなわち前述の第７図及び第８図と、
第９図で説明した場合とは異るパターンとする。すなわ
ちこの例においては、第16図に平面図を示し、第17図で
第16図のXVII−XVII線上断面図として示すように、絶縁
膜（２）及び（５）に対し、例えばフォトエッチングに
よって、ギャップスペーサ層（７）を形成する部分の除
去を行って除去部（８）を形成するものであるが、特に
この除去部（８）を各トラック毎に形成する。そしてそ
の幅Ｗを最終的に得る磁気ギャップｇのトラック幅に選
定し、奥行ｄをギャップデプスに選定する。また、各除
去部（８）間の間隔Ｄをトラック間間隔に設定する。そ
して、少くともこの除去部（８）内に所要の厚さ、すな
わち磁気ギャップｇのギャップ長に相当する厚さのギャ
ップスペーサ層（７）を形成する。そして、この除去部
（８）の内のギャップスペーサ層（７）上を含んで、全
面的に磁性薄膜（４′）を形成し、その後フォトエッチ
ングによってパターン化して第12図ないし第15図に示す
ように薄膜磁気コア（４）を形成するものであるが、こ
の場合特にこの薄膜磁気コア（４）の幅Ｗ′を第14図に
示すように除去部（８）の幅Ｗより大に選定してこの磁
気コア（４）が少くとも除去部（８）上を含んで形成さ
れ、この磁気コア（４）が除去部（８）外の絶縁膜
（２）及び（５）が積層されてギャップスペーサ層
（７）に比して充分大なる厚さを有する非磁性層上に跨
って形成されるようにする。この場合、絶縁膜（２）及
び（５）は全体としてその厚さがギャップスペーサ層
（７）に比しては充分大であるものの薄膜磁気コア
（４）を構成する磁性薄膜（４′）に比しては充分薄い
ので、これに対する選択的エッチングにおいてほとんど
サイドエッチングが生じることがなく高精度に形成され
ることは注目すべき点である。
このような構成による多トラック薄膜磁気ヘッドは、絶
縁膜（２）及び（５）の除去部（８）において限定的に
所要の薄い厚さのギャップスペーサ層（７）が形成され
るので、これの上に形成された薄膜磁気コア（４）と磁
性基板（１）との間に形成される磁気ギャップｇのトラ
ック幅は除去部（８）の幅Ｗによって正確に規定され
る。すなわち、薄膜磁気コア（４）の、除去部（８）外
に延在する部分においては絶縁膜（２）及び（５）の積
層による実質的に厚い非磁性層が介在されることになる
ので、ここにおいてほとんど磁気媒体に対する磁気ギャ
ップとして動作しない。したがって、磁性薄膜（４′）
のパターン化に際してサイドエッチングが生じて磁気コ
ア（４）に裾部ａ及びｂが存在する場合においても、こ
れによって磁気ギャップｇのトラック幅が不確定化され
たりばらつきが生じたりすることがない。
縁膜（２）及び（５）の除去部（８）において限定的に
所要の薄い厚さのギャップスペーサ層（７）が形成され
るので、これの上に形成された薄膜磁気コア（４）と磁
性基板（１）との間に形成される磁気ギャップｇのトラ
ック幅は除去部（８）の幅Ｗによって正確に規定され
る。すなわち、薄膜磁気コア（４）の、除去部（８）外
に延在する部分においては絶縁膜（２）及び（５）の積
層による実質的に厚い非磁性層が介在されることになる
ので、ここにおいてほとんど磁気媒体に対する磁気ギャ
ップとして動作しない。したがって、磁性薄膜（４′）
のパターン化に際してサイドエッチングが生じて磁気コ
ア（４）に裾部ａ及びｂが存在する場合においても、こ
れによって磁気ギャップｇのトラック幅が不確定化され
たりばらつきが生じたりすることがない。
また、上述した例においては絶縁膜（２）及び（５）を
除去して除去部（８）を形成し、これに改めてギャップ
スペーサ層（７）を形成した場合であるが、或る場合
は、絶縁膜（２）及び（５）の積層厚さの一部の厚さ分
除去して残りの厚さによってギャップスペーサ層（７）
を形成するようにすることもできる。
除去して除去部（８）を形成し、これに改めてギャップ
スペーサ層（７）を形成した場合であるが、或る場合
は、絶縁膜（２）及び（５）の積層厚さの一部の厚さ分
除去して残りの厚さによってギャップスペーサ層（７）
を形成するようにすることもできる。
また、上述実施例において薄膜磁気コア（４）を所定形
状とする製造工程において用いたエッチング法の代わり
にリフトオフ法を用いることもできる。
状とする製造工程において用いたエッチング法の代わり
にリフトオフ法を用いることもできる。
また、上述例においては、電磁誘導型の磁気ヘッドに適
用した例につい述べたが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
に適用することも可能である。
用した例につい述べたが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
に適用することも可能である。
発明の効果 上述したように本発明においては多素子薄膜磁気ヘッド
を構成する共通の磁性基板上の磁気記録媒体との対向面
側にトラック幅部においては磁気ギャップのギャップ長
を規定する所要の薄い厚さの非磁性ギャップスペーサ層
を形成し、トラック間隔部分においてはギャップスペー
サ層に比して充分その厚さが大きい非磁性層が存在する
ようにしたことによって薄膜磁気コアの両側に裾部等の
その幅を不確定化する部分が存在しても実質的磁気ギャ
ップのトラック幅を薄いギャップスペーサ層の幅Ｗによ
って規定するのでトラック幅が正確に設定された安定し
た良好な磁気記録のできる多素子磁気ヘッドを得ること
ができるものである。
を構成する共通の磁性基板上の磁気記録媒体との対向面
側にトラック幅部においては磁気ギャップのギャップ長
を規定する所要の薄い厚さの非磁性ギャップスペーサ層
を形成し、トラック間隔部分においてはギャップスペー
サ層に比して充分その厚さが大きい非磁性層が存在する
ようにしたことによって薄膜磁気コアの両側に裾部等の
その幅を不確定化する部分が存在しても実質的磁気ギャ
ップのトラック幅を薄いギャップスペーサ層の幅Ｗによ
って規定するのでトラック幅が正確に設定された安定し
た良好な磁気記録のできる多素子磁気ヘッドを得ること
ができるものである。
第１図は多素子薄膜磁気ヘッドの従来例を示す平面図、
第２図は、その側面図、第３図は第１図のIII−III線断
面図、第４図は第１図のIV−IV線断面図、第５図、第６
図、第７図、第９図、第10図、第11図は第１図例の製造
工程の例を示す断面図、第８図は第１図例の製造工程の
例を示す平面図、第12図は本発明による多素子薄膜磁気
ヘッドの一実施例を示す平面図、第13図はその側面図、
第14図は第12図のXIV−XIV線断面図、第15図は第12図例
のXV−XV線断面図、第16図は第12図例の製造工程の例を
示す平面図、第17図は第12図例の製造工程の例を示す断
面図である。 （１）は磁性基板、（２）及び（５）は絶縁膜、（３）
はコイル導体、（４）は薄膜磁気コア、（７）はギャッ
プスペーサ層、ｈは磁気ヘッド素子、ｇは磁気ギャップ
である。
第２図は、その側面図、第３図は第１図のIII−III線断
面図、第４図は第１図のIV−IV線断面図、第５図、第６
図、第７図、第９図、第10図、第11図は第１図例の製造
工程の例を示す断面図、第８図は第１図例の製造工程の
例を示す平面図、第12図は本発明による多素子薄膜磁気
ヘッドの一実施例を示す平面図、第13図はその側面図、
第14図は第12図のXIV−XIV線断面図、第15図は第12図例
のXV−XV線断面図、第16図は第12図例の製造工程の例を
示す平面図、第17図は第12図例の製造工程の例を示す断
面図である。 （１）は磁性基板、（２）及び（５）は絶縁膜、（３）
はコイル導体、（４）は薄膜磁気コア、（７）はギャッ
プスペーサ層、ｈは磁気ヘッド素子、ｇは磁気ギャップ
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早田 裕 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 布施 剛之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 阿部 岩男 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 若林 登 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−84016（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】共通の磁性基板上に複数の薄膜磁気ヘッド
素子が配置されてなる多素子薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁性基板上に絶縁膜を形成し、 上記絶縁膜上の所定位置にコイル導体を形成し、 上記コイル導体上を含む全面に絶縁膜を形成することに
より、該絶縁膜と上記絶縁膜との厚さの合計が、ギャッ
プ長より十分大なる厚さとなるようにし、 上記二層の絶縁膜の各トラックに対応する部分を、幅が
トラック幅と等しく、奥行きがギャップデプスと等しく
なるように除去し、 上記除去部内にギャップ長に相当する非磁性ギャップス
ペーサ層を形成し、 上記除去部内のギャップスペーサ層を含んで全面に磁性
薄膜を形成し、 上記磁性薄膜をエッチングすることにより、少なくとも
上記除去部上を含む磁気コアを形成することを特徴とす
る多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP58157650A JPH0760490B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP58157650A JPH0760490B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
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