JP3231510B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JP3231510B2 JP3231510B2 JP23965193A JP23965193A JP3231510B2 JP 3231510 B2 JP3231510 B2 JP 3231510B2 JP 23965193 A JP23965193 A JP 23965193A JP 23965193 A JP23965193 A JP 23965193A JP 3231510 B2 JP3231510 B2 JP 3231510B2
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- Japan
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- lead
- thin
- lead wire
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録装置である
ハードディスクに用いられる薄膜磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものである。
ハードディスクに用いられる薄膜磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの高性能化に伴いハ
ードディスクの小型化、高容量化が要求されており、特
に小型化に伴い、記録媒体の速度が低下してきている。
従って磁気ディスクからデータを読み出す際に、信号出
力が記録媒体との速度に依存しない薄膜磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲ型ヘッドという）の必要性が
高くなっている。この薄膜ＭＲ型ヘッドは従来の誘導型
の薄膜ヘッドを記録専用ヘッドとし、薄膜磁気抵抗素子
を再生専用ヘッドとして使用した、いわゆる複合型薄膜
磁気ヘッドである。薄膜ＭＲ型ヘッドでは、薄膜磁気抵
抗素子を再生専用ヘッドとして使用しているため、読み
出し出力が記録媒体との相対速度に依存せず、原理的に
は記録媒体が低速でもデータを読み取ることができる。
ードディスクの小型化、高容量化が要求されており、特
に小型化に伴い、記録媒体の速度が低下してきている。
従って磁気ディスクからデータを読み出す際に、信号出
力が記録媒体との速度に依存しない薄膜磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲ型ヘッドという）の必要性が
高くなっている。この薄膜ＭＲ型ヘッドは従来の誘導型
の薄膜ヘッドを記録専用ヘッドとし、薄膜磁気抵抗素子
を再生専用ヘッドとして使用した、いわゆる複合型薄膜
磁気ヘッドである。薄膜ＭＲ型ヘッドでは、薄膜磁気抵
抗素子を再生専用ヘッドとして使用しているため、読み
出し出力が記録媒体との相対速度に依存せず、原理的に
は記録媒体が低速でもデータを読み取ることができる。
【０００３】ところで、上述した薄膜ＭＲ型ヘッドの構
造には、薄膜磁気抵抗素子の位置により３種類のタイプ
が提案されている。その１つは、記録専用ヘッドの磁気
回路の一部に薄膜磁気抵抗素子を形成したヨーク型、そ
の２は記録専用ヘッドのエアーギャップの間に薄膜磁気
抵抗素子を形成したインギャップ型、さらにその３は薄
膜磁気抵抗素子を形成後、その上に記録専用ヘッドを形
成したピギーバック型がある。近年、固定ディスク用薄
膜ＭＲ型ヘッドの主流になっているのはその３のピギー
バック型である。また、ヘッド全体をスライダーの中央
に配置したセンターエレメント型とヘッド全体をスライ
ダーの端に配置したサイドエレメント型がある。センタ
ーエレメント型のヘッドは浮上特性が安定しているとい
う特徴がある。しかし、ハードディスクの小型化に伴い
メディアの記録面に、より効率良く記録するためにはサ
イドエレメント型が有利という考えから、近年はサイド
エレメント型が主流になりつつある。更に、高容量化を
図るためにスライダーのサイズを小さくする傾向にあ
る。元々、ハードディスク用の標準的な寸法は、幅３．
１８ｍｍ×高さ０．８６ｍｍ×長さ４．０４ｍｍである
が、高容量化に伴い標準寸法の７０％のものや５０％の
ものが出てきている。
造には、薄膜磁気抵抗素子の位置により３種類のタイプ
が提案されている。その１つは、記録専用ヘッドの磁気
回路の一部に薄膜磁気抵抗素子を形成したヨーク型、そ
の２は記録専用ヘッドのエアーギャップの間に薄膜磁気
抵抗素子を形成したインギャップ型、さらにその３は薄
膜磁気抵抗素子を形成後、その上に記録専用ヘッドを形
成したピギーバック型がある。近年、固定ディスク用薄
膜ＭＲ型ヘッドの主流になっているのはその３のピギー
バック型である。また、ヘッド全体をスライダーの中央
に配置したセンターエレメント型とヘッド全体をスライ
ダーの端に配置したサイドエレメント型がある。センタ
ーエレメント型のヘッドは浮上特性が安定しているとい
う特徴がある。しかし、ハードディスクの小型化に伴い
メディアの記録面に、より効率良く記録するためにはサ
イドエレメント型が有利という考えから、近年はサイド
エレメント型が主流になりつつある。更に、高容量化を
図るためにスライダーのサイズを小さくする傾向にあ
る。元々、ハードディスク用の標準的な寸法は、幅３．
１８ｍｍ×高さ０．８６ｍｍ×長さ４．０４ｍｍである
が、高容量化に伴い標準寸法の７０％のものや５０％の
ものが出てきている。
【０００４】図３は従来の薄膜ＭＲ型ヘッドのパターン
図である。図中、１はセラミック基板、３は磁気抵抗素
子、４はＭＲリード、５はＭＲコンタクトホール、６は
引出し電極部のリード線であるＭＲリード引き回し線、
１０はコイル、１２はコイルリード引き回し線である。
図である。図中、１はセラミック基板、３は磁気抵抗素
子、４はＭＲリード、５はＭＲコンタクトホール、６は
引出し電極部のリード線であるＭＲリード引き回し線、
１０はコイル、１２はコイルリード引き回し線である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜ＭＲ型ヘッドで、
薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部のリード線と記録専
用ヘッドのコイルのリード線を形成するため、スライダ
ーのサイズが小さくなるに伴いリードの引き回しが問題
となる。例えば、薄膜磁気抵抗素子のリード線と記録専
用ヘッドのリード線を重なりなしに引き回すためには、
リード線の幅を狭くしたり、引き回し線の長さを長くす
ることが必要となる。しかし、リード線の幅を狭くした
り、引き回し線の長さを長くすると全体の抵抗が大きく
なりＤＣＲノイズの原因となる。すなわち図３におい
て、リード線であるＭＲリード引き回し線６やコイルリ
ード引き回し線１２を限られたスペース内に配線するた
めには、リード線の幅は小さくなり、抵抗は大きくなっ
てＤＣＲノイズの原因となる訳である。
薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部のリード線と記録専
用ヘッドのコイルのリード線を形成するため、スライダ
ーのサイズが小さくなるに伴いリードの引き回しが問題
となる。例えば、薄膜磁気抵抗素子のリード線と記録専
用ヘッドのリード線を重なりなしに引き回すためには、
リード線の幅を狭くしたり、引き回し線の長さを長くす
ることが必要となる。しかし、リード線の幅を狭くした
り、引き回し線の長さを長くすると全体の抵抗が大きく
なりＤＣＲノイズの原因となる。すなわち図３におい
て、リード線であるＭＲリード引き回し線６やコイルリ
ード引き回し線１２を限られたスペース内に配線するた
めには、リード線の幅は小さくなり、抵抗は大きくなっ
てＤＣＲノイズの原因となる訳である。
【０００６】これらの問題を解決するために、従来から
リード線の厚さを厚くする試みもなされているが、リー
ド線を厚く形成するためのプロセスが複雑になるという
問題点が生じる。また、リード線の幅を狭くしたり、引
き回し線の長さを長くするにも限界があり、スライダー
寸法が標準寸法の５０％未満になると実質的にリードの
引き回しが困難になってくる。
リード線の厚さを厚くする試みもなされているが、リー
ド線を厚く形成するためのプロセスが複雑になるという
問題点が生じる。また、リード線の幅を狭くしたり、引
き回し線の長さを長くするにも限界があり、スライダー
寸法が標準寸法の５０％未満になると実質的にリードの
引き回しが困難になってくる。
【０００７】本発明は上述した従来の問題点を解決し、
簡単な工程により、再生ノイズの少ない信頼性の高い薄
膜ＭＲ型ヘッドを提供することを目的とする。
簡単な工程により、再生ノイズの少ない信頼性の高い薄
膜ＭＲ型ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の薄膜ＭＲ
型ヘッドは、少なくとも記録専用ヘッドのコイルのリー
ド線の一部を重ね合わせた構造、薄膜磁気抵抗素子部の
引出し電極部のリード線と記録専用ヘッドのコイルのリ
ード線の一部を重ね合わせた構造、また薄膜磁気抵抗素
子部の引出し電極部のリード線の一部を重ね合わせた構
造としたものである。
型ヘッドは、少なくとも記録専用ヘッドのコイルのリー
ド線の一部を重ね合わせた構造、薄膜磁気抵抗素子部の
引出し電極部のリード線と記録専用ヘッドのコイルのリ
ード線の一部を重ね合わせた構造、また薄膜磁気抵抗素
子部の引出し電極部のリード線の一部を重ね合わせた構
造としたものである。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、リード線を重ね合わせるこ
とにより、限られたスペース内で、リード線の幅を極力
広くして抵抗を小さくでき、ノイズの少ない信頼性の高
い薄膜ＭＲ型ヘッドを得ることができる。
とにより、限られたスペース内で、リード線の幅を極力
広くして抵抗を小さくでき、ノイズの少ない信頼性の高
い薄膜ＭＲ型ヘッドを得ることができる。
【００１０】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、それぞ
れ本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパターン図で
ある。図中、１はセラミック基板、２は下部シールド、
３は磁気抵抗素子、４はＭＲリード、５はＭＲコンタク
トホール、６はＭＲリード引き回し線、７は上部シール
ド、８は下部磁性層としての下部コア、９はバックギャ
ップスルホール、１０はコイル、１１は上部磁性層とし
ての上部コア、１２はコイルリード引き回し線、１３は
パッドである。図示するように、各実施例のＭＲリード
引き回し線６もしくはコイルリード引き回し線１２は何
れも複数本を重ね合わせて形成されており、このように
することにより、限られたスペース内でコイルリード引
き回し線１２の幅を極力大きくし、その抵抗を小さくし
ている。下部シールド２、磁気抵抗素子３、ＭＲリード
４、ＭＲコンタクトホール５、ＭＲリード引き回し線
６、上部シールド７より再生専用ヘッドが構成される。
また下部コア８、バックギャップスルホール９、コイル
１０、上部コア１１、コイルリード引き回し線１２によ
り記録専用ヘッドが形成される。
を説明する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、それぞ
れ本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパターン図で
ある。図中、１はセラミック基板、２は下部シールド、
３は磁気抵抗素子、４はＭＲリード、５はＭＲコンタク
トホール、６はＭＲリード引き回し線、７は上部シール
ド、８は下部磁性層としての下部コア、９はバックギャ
ップスルホール、１０はコイル、１１は上部磁性層とし
ての上部コア、１２はコイルリード引き回し線、１３は
パッドである。図示するように、各実施例のＭＲリード
引き回し線６もしくはコイルリード引き回し線１２は何
れも複数本を重ね合わせて形成されており、このように
することにより、限られたスペース内でコイルリード引
き回し線１２の幅を極力大きくし、その抵抗を小さくし
ている。下部シールド２、磁気抵抗素子３、ＭＲリード
４、ＭＲコンタクトホール５、ＭＲリード引き回し線
６、上部シールド７より再生専用ヘッドが構成される。
また下部コア８、バックギャップスルホール９、コイル
１０、上部コア１１、コイルリード引き回し線１２によ
り記録専用ヘッドが形成される。
【００１１】次に図１（ａ）に示す薄膜ＭＲ型ヘッドを
例にとり、その形成工程を説明する。図２は本発明の一
実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工程図である。図２
（ａ）において基板として、従来、薄膜インダクティブ
ヘッドに使用されているＡｌ2Ｏ3 とＴｉＣより形成さ
れたアルチックというセラミック基板１を用いる。最初
に、この基板１の表面を仕上研磨した後、アルミナ等の
絶縁材料をスパッタまたは物理蒸着等の方法により例え
ば４μｍ形成した後、下部シールド２をセンダストまた
はＮｉＦｅにより約２μｍ形成し、パターニングする。
次に、読み込みヘッドの下部リードギャップをアルミナ
等により２０００Ａ形成後、軟磁性バイアス補助層を例
えば５００Ａ形成し、その上に非磁性層Ｔａ等を例えば
１００Ａ形成し、パーマロイのＭＲ３を４５０Ａ形成す
る。次に、フォトレジストを全体に塗布し、磁気抵抗素
子３の矩形形状をパターニングする。これをイオンミリ
ングにより矩形形状に形成する。この上にバルクハウゼ
ンノイズ等をコントロールするための交換バイアス層を
形成する。
例にとり、その形成工程を説明する。図２は本発明の一
実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工程図である。図２
（ａ）において基板として、従来、薄膜インダクティブ
ヘッドに使用されているＡｌ2Ｏ3 とＴｉＣより形成さ
れたアルチックというセラミック基板１を用いる。最初
に、この基板１の表面を仕上研磨した後、アルミナ等の
絶縁材料をスパッタまたは物理蒸着等の方法により例え
ば４μｍ形成した後、下部シールド２をセンダストまた
はＮｉＦｅにより約２μｍ形成し、パターニングする。
次に、読み込みヘッドの下部リードギャップをアルミナ
等により２０００Ａ形成後、軟磁性バイアス補助層を例
えば５００Ａ形成し、その上に非磁性層Ｔａ等を例えば
１００Ａ形成し、パーマロイのＭＲ３を４５０Ａ形成す
る。次に、フォトレジストを全体に塗布し、磁気抵抗素
子３の矩形形状をパターニングする。これをイオンミリ
ングにより矩形形状に形成する。この上にバルクハウゼ
ンノイズ等をコントロールするための交換バイアス層を
形成する。
【００１２】その上にＭＲリード４をフォトレジストに
よりパターニング（図２（ｂ））し、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｕ
またはＣｕ合金，Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ等の材料をスパ
ッタリング又は蒸着法により１２００Ａ形成した後、リ
フトオフし、ＭＲリード４の形状を形成する。
よりパターニング（図２（ｂ））し、Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｕ
またはＣｕ合金，Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ等の材料をスパ
ッタリング又は蒸着法により１２００Ａ形成した後、リ
フトオフし、ＭＲリード４の形状を形成する。
【００１３】次に上部リードギャップ層のアルミナ膜を
適当なバイアスを印加しながら、例えば２０００Ａ形成
する。バイアススパッタはコンベンショナル型のスパッ
タ装置でＲＦバイアスをセラミック基板１に印加しなが
ら行う。基板印加バイアス電圧は−１００Ｖ未満では平
坦化効果が少なく、−１００Ｖ以上だとアルミナ膜の内
部応力が大きくなり、磁気抵抗素子３の磁化を乱す原因
となるので−１００Ｖを選択する。次に、この上部リー
ドギャップ層にＭＲコンタクトホール５を形成しＭＲリ
ード引き回し線６とのコンタクトを取る（図２
（ｃ））。この上に上部シールド７をＮｉＦｅメッキに
より形成することにより、再生専用ヘッドが構成され
る。次に下部コア８を同じくＮｉＦｅメッキにより形成
する（図２（ｄ））。次に、コンベンショナル型のバイ
アススパッタリング装置により磁気ギャップの材料であ
るアルミナ膜を例えば０．６μｍ形成する。これに、バ
ックコンタクトの穴を開けるためレジストによりバック
コンタクトパターンを形成しミリングにより磁気ギャッ
プ層に穴を開ける。この後、第一絶縁層としてレジスト
を塗布しこれをパターニングしベーキングする。この上
に銅のコイル１０を銅の下地電極により化学メッキ法で
形成する（図２（ｅ））。このコイルは、下部コア８と
上部コア１１の両磁性層間を通り磁気回路を旋回する所
定巻数形成される。そして再びレジストで第二絶縁層を
形成する。その後、第一絶縁層と同様な方法で第二絶縁
層を形成し、この上に上部コア１１をＮｉＦｅメッキに
より形成する（図２（ｆ））。以上のようにして記録専
用ヘッドが形成される。この時、コイルリード引き回し
線１２も同時に形成するが、薄膜磁気抵抗素子部の引出
し電極部のＭＲリード引き回し線６と記録専用ヘッドの
コイルリード引き出し線１２の一部は重ね合ったパター
ンとする。その後、Ｃｕパッド１３を形成し、保護層を
アルミナにより形成し薄膜磁気ヘッドとする。図１
（ｂ）（ｃ）に示す記録専用ヘッドのコイルリード引き
回し線１２の一部を重ね合わせた構造のパターン、およ
び図１（ｄ）に示す薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部
のＭＲリード引き回し線６の一部を重ね合わせた構造の
パターンの場合も図２に示す手法と同様の手法により形
成できる。
適当なバイアスを印加しながら、例えば２０００Ａ形成
する。バイアススパッタはコンベンショナル型のスパッ
タ装置でＲＦバイアスをセラミック基板１に印加しなが
ら行う。基板印加バイアス電圧は−１００Ｖ未満では平
坦化効果が少なく、−１００Ｖ以上だとアルミナ膜の内
部応力が大きくなり、磁気抵抗素子３の磁化を乱す原因
となるので−１００Ｖを選択する。次に、この上部リー
ドギャップ層にＭＲコンタクトホール５を形成しＭＲリ
ード引き回し線６とのコンタクトを取る（図２
（ｃ））。この上に上部シールド７をＮｉＦｅメッキに
より形成することにより、再生専用ヘッドが構成され
る。次に下部コア８を同じくＮｉＦｅメッキにより形成
する（図２（ｄ））。次に、コンベンショナル型のバイ
アススパッタリング装置により磁気ギャップの材料であ
るアルミナ膜を例えば０．６μｍ形成する。これに、バ
ックコンタクトの穴を開けるためレジストによりバック
コンタクトパターンを形成しミリングにより磁気ギャッ
プ層に穴を開ける。この後、第一絶縁層としてレジスト
を塗布しこれをパターニングしベーキングする。この上
に銅のコイル１０を銅の下地電極により化学メッキ法で
形成する（図２（ｅ））。このコイルは、下部コア８と
上部コア１１の両磁性層間を通り磁気回路を旋回する所
定巻数形成される。そして再びレジストで第二絶縁層を
形成する。その後、第一絶縁層と同様な方法で第二絶縁
層を形成し、この上に上部コア１１をＮｉＦｅメッキに
より形成する（図２（ｆ））。以上のようにして記録専
用ヘッドが形成される。この時、コイルリード引き回し
線１２も同時に形成するが、薄膜磁気抵抗素子部の引出
し電極部のＭＲリード引き回し線６と記録専用ヘッドの
コイルリード引き出し線１２の一部は重ね合ったパター
ンとする。その後、Ｃｕパッド１３を形成し、保護層を
アルミナにより形成し薄膜磁気ヘッドとする。図１
（ｂ）（ｃ）に示す記録専用ヘッドのコイルリード引き
回し線１２の一部を重ね合わせた構造のパターン、およ
び図１（ｄ）に示す薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部
のＭＲリード引き回し線６の一部を重ね合わせた構造の
パターンの場合も図２に示す手法と同様の手法により形
成できる。
【００１４】図１の各図に示す本発明の各実施例に係る
各パターンと図３に示す従来例のパターンを比較する
と、前者はリード線であるＭＲリード引き回し線６やコ
イルリード引き回し線１２を重ね合わせているので、限
られたスペース内で従来例よりもその幅を極力大きくす
ることができ、また引き回しを延長する必要もなくな
る。これに対し後者は、リード線は重なっていないた
め、リード線の幅を狭くする必要があり、抵抗が大きく
なってしまうのである。
各パターンと図３に示す従来例のパターンを比較する
と、前者はリード線であるＭＲリード引き回し線６やコ
イルリード引き回し線１２を重ね合わせているので、限
られたスペース内で従来例よりもその幅を極力大きくす
ることができ、また引き回しを延長する必要もなくな
る。これに対し後者は、リード線は重なっていないた
め、リード線の幅を狭くする必要があり、抵抗が大きく
なってしまうのである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、少なくとも
記録専用ヘッドのコイルのリード線の一部を重ね合わせ
た構造、膜磁気抵抗素子部の引出し電極のリード線と記
録専用ヘッドのコイルのリード線の一部を重ね合わせた
構造、または薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部のリー
ド線の一部を重ね合わせた構造とすることにより、リー
ド線の幅を狭くすることなく抵抗を小さくでき、再生ノ
イズの少ない信頼性の高い薄膜ＭＲ型ヘッドを従来の方
法に較べ簡便な工程により得ることができる。
記録専用ヘッドのコイルのリード線の一部を重ね合わせ
た構造、膜磁気抵抗素子部の引出し電極のリード線と記
録専用ヘッドのコイルのリード線の一部を重ね合わせた
構造、または薄膜磁気抵抗素子部の引出し電極部のリー
ド線の一部を重ね合わせた構造とすることにより、リー
ド線の幅を狭くすることなく抵抗を小さくでき、再生ノ
イズの少ない信頼性の高い薄膜ＭＲ型ヘッドを従来の方
法に較べ簡便な工程により得ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッド
のパターン図 （ｂ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図 （ｃ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図 （ｄ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図
のパターン図 （ｂ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図 （ｃ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図 （ｄ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドのパター
ン図
【図２】（ａ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッド
の形成工程図 （ｂ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｃ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｄ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｅ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｆ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図
の形成工程図 （ｂ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｃ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｄ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｅ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図 （ｆ）は本発明の一実施例の薄膜ＭＲ型ヘッドの形成工
程図
【図３】従来の薄膜ＭＲ型ヘッドのパターン図
１ セラミック基板 ２ 下部シールド ３ 磁気抵抗素子 ４ ＭＲリード ５ ＭＲコンタクトホール ６ ＭＲリード引き回し線 ７ 上部シールド ８ 下部コア ９ バックギャップスルホール １０ コイル １１ 上部コア １２ コイルリード引き回し線 １３ パッド
Claims (1)
- 【請求項１】 薄膜で構成され、リード部及びパッド部を
２つ有する記録ヘッドと、薄膜磁気抵抗素子で形成さ
れ、リード部及びパッド部を２つ有する再生専用ヘッド
とが複合してスライダー上に一つに形成され、４つのリ
ード部とパッド部を有する磁気ヘッドであって、少なく
とも前記再生専用ヘッドのリード線と前記記録ヘッドの
リード線の一部を重ね合わせた構造とするとともに、そ
れぞれのリード線に配置される４つのパッド部が前記ス
ライダーの幅方向に沿って配置されていることを特徴と
する磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965193A JP3231510B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965193A JP3231510B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793718A JPH0793718A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3231510B2 true JP3231510B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=17047877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965193A Expired - Lifetime JP3231510B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231510B2 (ja) |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23965193A patent/JP3231510B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793718A (ja) | 1995-04-07 |
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