JPH0758819B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH0758819B2 JPH0758819B2 JP62241410A JP24141087A JPH0758819B2 JP H0758819 B2 JPH0758819 B2 JP H0758819B2 JP 62241410 A JP62241410 A JP 62241410A JP 24141087 A JP24141087 A JP 24141087A JP H0758819 B2 JPH0758819 B2 JP H0758819B2
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- comparator
- monitor signal
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、フィードバック制御により半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動装置に係わり、特に過大電流の
防止をはかった半導体レーザ駆動装置に関する。
動する半導体レーザ駆動装置に係わり、特に過大電流の
防止をはかった半導体レーザ駆動装置に関する。
（従来の技術） 近年、気体レーザや固体レーザ等に代るものとして半導
体レーザが実用化されているが、この半導体レーザは周
囲温度等の変化により光出力が大きく変動する特性を持
っている。このため、半導体レーザを光送信器等の光源
として使用する場合には、光出力の安定化が必要とな
る。光出力を安定化するための半導体レーザ駆動装置の
従来例を第７図に示す。
体レーザが実用化されているが、この半導体レーザは周
囲温度等の変化により光出力が大きく変動する特性を持
っている。このため、半導体レーザを光送信器等の光源
として使用する場合には、光出力の安定化が必要とな
る。光出力を安定化するための半導体レーザ駆動装置の
従来例を第７図に示す。
第７図の装置においては、半導体レーザ71の光出力の一
部をフォトダイオード72でモニタし、このモニタ信号と
基準値発生回路73で発生した基準値とを比較器74で比較
し、その比較結果をローパスフィルタ75を介して駆動回
路76に入力することにより、半導体レーザ71の駆動電流
を制御している。このようなフィードバック制御を採用
すれば、常にモニタ信号の大きさが基準値と等しくなる
ように半導体レーザ71の駆動電流が制御されるため、温
度変動や電源電圧変動の影響を受けない安定な光出力を
得ることができる。
部をフォトダイオード72でモニタし、このモニタ信号と
基準値発生回路73で発生した基準値とを比較器74で比較
し、その比較結果をローパスフィルタ75を介して駆動回
路76に入力することにより、半導体レーザ71の駆動電流
を制御している。このようなフィードバック制御を採用
すれば、常にモニタ信号の大きさが基準値と等しくなる
ように半導体レーザ71の駆動電流が制御されるため、温
度変動や電源電圧変動の影響を受けない安定な光出力を
得ることができる。
ところで、第７図に示したような駆動電流をフィードバ
ック制御する半導体レーザ駆動装置では、駆動回路76へ
の電源投入或いは発光待機時では、フォトダイオード72
のモニタ信号が零となり、或いは暗電流のみであるため
比較器74の出力が大となって、駆動回路76に駆動電流が
供給された場合には半導体レーザ71に大きな駆動電流を
供給せよという指示がなされ、その結果、電源投入時或
いは待機状態から発光状態へと動作モードを切換える際
に、半導体レーザに過大電流が流れると云う問題があ
る。過大電流は半導体レーザの特性劣化や破壊につなが
るため、これを防止する対策が必要となる。
ック制御する半導体レーザ駆動装置では、駆動回路76へ
の電源投入或いは発光待機時では、フォトダイオード72
のモニタ信号が零となり、或いは暗電流のみであるため
比較器74の出力が大となって、駆動回路76に駆動電流が
供給された場合には半導体レーザ71に大きな駆動電流を
供給せよという指示がなされ、その結果、電源投入時或
いは待機状態から発光状態へと動作モードを切換える際
に、半導体レーザに過大電流が流れると云う問題があ
る。過大電流は半導体レーザの特性劣化や破壊につなが
るため、これを防止する対策が必要となる。
半導体レーザの過大電流防止の対策としては、特開昭59
−145587号公報に記載されているように、駆動回路の一
部にツェナーダイオードを挿入し、半導体レーザの駆動
電流の最大値を制限する方法がある。この方法は、構成
が簡単な利点はあるが、駆動電流の最大値がツェナー電
圧で一義的に決まるため、次のような問題を生じる。即
ち、半導体レーザの特性のバラツキによって、制御する
電流が大き過ぎて十分な保護機能が果せない場合、或い
は逆に小さ過ぎて負帰還制御の動作範囲を狭めてしまう
場合が生じる。つまり、確実な過大電流防止動作を得難
いと云う問題があった。
−145587号公報に記載されているように、駆動回路の一
部にツェナーダイオードを挿入し、半導体レーザの駆動
電流の最大値を制限する方法がある。この方法は、構成
が簡単な利点はあるが、駆動電流の最大値がツェナー電
圧で一義的に決まるため、次のような問題を生じる。即
ち、半導体レーザの特性のバラツキによって、制御する
電流が大き過ぎて十分な保護機能が果せない場合、或い
は逆に小さ過ぎて負帰還制御の動作範囲を狭めてしまう
場合が生じる。つまり、確実な過大電流防止動作を得難
いと云う問題があった。
（発明が解決しようとする問題点） このように従来、駆動電流をフィードバック制御する半
導体レーザ駆動装置では、電源投入時や動作モード切換
え時に半導体レーザに過大電流が流れ易く、この過大電
流を確実に防止するのが難しいと云う問題があった。ま
た、ツェナーダイオード等を用いた場合、フィ−ドバッ
ク制御の動作範囲が狭くなる等の問題があった。
導体レーザ駆動装置では、電源投入時や動作モード切換
え時に半導体レーザに過大電流が流れ易く、この過大電
流を確実に防止するのが難しいと云う問題があった。ま
た、ツェナーダイオード等を用いた場合、フィ−ドバッ
ク制御の動作範囲が狭くなる等の問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、フィードバック制御の動作範囲を狭め
ることなく、半導体レーザの特性のバラツキに対しても
確実に過大電流を防止することができ、レーザの特性劣
化や破壊を未然に防止し得る半導体レーザ駆動装置を提
供することにある。
とするところは、フィードバック制御の動作範囲を狭め
ることなく、半導体レーザの特性のバラツキに対しても
確実に過大電流を防止することができ、レーザの特性劣
化や破壊を未然に防止し得る半導体レーザ駆動装置を提
供することにある。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の骨子は、半導体レーザの出力光をモニタして基
準値と比較し、この比較出力により半導体レーザの駆動
電流を制御する半導体レーザ駆動装置において、発光待
機時の比較出力が、発光時の比較出力が小さくなるよう
に制御する半導体レーザ駆動装置を得ることにある。
準値と比較し、この比較出力により半導体レーザの駆動
電流を制御する半導体レーザ駆動装置において、発光待
機時の比較出力が、発光時の比較出力が小さくなるよう
に制御する半導体レーザ駆動装置を得ることにある。
より具体的には、半導体レーザの出力光をモニタして基
準値と比較し、その比較結果で半導体レーザの駆動電流
を制御する半導体レーザ駆動装置において、所定の光出
力に相当する基準値を発生する基準値発生回路と、基準
値より大きな値の疑似モニタ信号を発生する疑似モニタ
信号発生器と、半導体レーザのモニタ信号と疑似モニタ
信号との一方を選択する切換器と、この切換器で選択さ
れた信号と基準値とを比較する比較器と、この比較器の
出力に基づいてレーザ駆動電流を制御する駆動回路とを
設け、前記切換器により、電源投入直後及び発光待機時
には疑似モニタ信号を選択し、且つ発光時には半導体レ
ーザのモニタ信号を選択するようにしたものである。
準値と比較し、その比較結果で半導体レーザの駆動電流
を制御する半導体レーザ駆動装置において、所定の光出
力に相当する基準値を発生する基準値発生回路と、基準
値より大きな値の疑似モニタ信号を発生する疑似モニタ
信号発生器と、半導体レーザのモニタ信号と疑似モニタ
信号との一方を選択する切換器と、この切換器で選択さ
れた信号と基準値とを比較する比較器と、この比較器の
出力に基づいてレーザ駆動電流を制御する駆動回路とを
設け、前記切換器により、電源投入直後及び発光待機時
には疑似モニタ信号を選択し、且つ発光時には半導体レ
ーザのモニタ信号を選択するようにしたものである。
また、上記半導体レーザ駆動装置において、所定の光出
力に相当する第１の基準値を発生する第１の基準値発生
回路と、第１の基準値より小さな値の第２の基準値を発
生する第２の基準値発生回路と、第１及び第２の基準値
の一方を選択する切換器と、この切換器で選択された基
準値と半導体レーザのモニタ信号とを比較する比較器
と、この比較器の出力に基づいてレーザ駆動電流を制御
する駆動回路とを設け、前記切換器により、電源投入直
後及び発光待機時には第２の基準値を選択し、且つ発光
時には第１の基準値を選択するようにしたものである。
力に相当する第１の基準値を発生する第１の基準値発生
回路と、第１の基準値より小さな値の第２の基準値を発
生する第２の基準値発生回路と、第１及び第２の基準値
の一方を選択する切換器と、この切換器で選択された基
準値と半導体レーザのモニタ信号とを比較する比較器
と、この比較器の出力に基づいてレーザ駆動電流を制御
する駆動回路とを設け、前記切換器により、電源投入直
後及び発光待機時には第２の基準値を選択し、且つ発光
時には第１の基準値を選択するようにしたものである。
（作用） 本発明によれば、過大電流を生じ易かった電源投入時や
動作モード切換え時において、駆動電流を小さな値から
徐々に増加するように制御することができる。このた
め、半導体レーザに過大電流が流れるのを防止すること
ができ、レーザ特性の劣化や破壊等を防止することが可
能となる。さらに、ツェナーダイオードを用いるものと
異なり、フィードバック制御の動作範囲が狭くなる等の
不都合はない。
動作モード切換え時において、駆動電流を小さな値から
徐々に増加するように制御することができる。このた
め、半導体レーザに過大電流が流れるのを防止すること
ができ、レーザ特性の劣化や破壊等を防止することが可
能となる。さらに、ツェナーダイオードを用いるものと
異なり、フィードバック制御の動作範囲が狭くなる等の
不都合はない。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ駆動装
置の概略構成を示すブロック図である。図中11は半導体
レーザ、12はフォトダイオード、13は基準値発生回路、
14は差動増幅器構成の比較器、15はローパスフィルタ
（LPF）、16は駆動回路、17は切換器、18は疑似モニタ
信号発生器である。
置の概略構成を示すブロック図である。図中11は半導体
レーザ、12はフォトダイオード、13は基準値発生回路、
14は差動増幅器構成の比較器、15はローパスフィルタ
（LPF）、16は駆動回路、17は切換器、18は疑似モニタ
信号発生器である。
フォトダイオード12は、半導体レーザ11に近接配置され
ており、レーザ11の出力光の一部を受光する。基準値発
生回路13は、半導体レーザ11で必要とする光出力に相当
する基準値を発生するものであり、疑似モニタ信号発生
器18は、上記基準値よりも大きい値の疑似モニタ信号を
発生するものである。疑似モニタ信号発生器18からの疑
似モニタ信号は、フォトダイオード12で検出されたモニ
タ信号と共に切換器17に供給される。切換器17は、後述
する動作モード切換信号に応じて上記２つの信号の一方
を選択するもので、切換器17の出力は基準値発生回路13
からの基準値と共に比較器14に供給される。比較器14の
出力は、LPF15を介して駆動回路16に供給される。駆動
回路16は、上記入力した比較出力に応じて駆動電源（図
示せず）から半導体レーザ11に供給する駆動電流を制御
するものであり、この駆動電流のフィードバック制御に
より半導体レーザ11の発光出力が一定に保持されるもの
となっている。なお、LPF15は、高い周波数成分が帰還
されて制御動作が不安定になるのを有効に防止するもの
である。
ており、レーザ11の出力光の一部を受光する。基準値発
生回路13は、半導体レーザ11で必要とする光出力に相当
する基準値を発生するものであり、疑似モニタ信号発生
器18は、上記基準値よりも大きい値の疑似モニタ信号を
発生するものである。疑似モニタ信号発生器18からの疑
似モニタ信号は、フォトダイオード12で検出されたモニ
タ信号と共に切換器17に供給される。切換器17は、後述
する動作モード切換信号に応じて上記２つの信号の一方
を選択するもので、切換器17の出力は基準値発生回路13
からの基準値と共に比較器14に供給される。比較器14の
出力は、LPF15を介して駆動回路16に供給される。駆動
回路16は、上記入力した比較出力に応じて駆動電源（図
示せず）から半導体レーザ11に供給する駆動電流を制御
するものであり、この駆動電流のフィードバック制御に
より半導体レーザ11の発光出力が一定に保持されるもの
となっている。なお、LPF15は、高い周波数成分が帰還
されて制御動作が不安定になるのを有効に防止するもの
である。
次に、上記構成された本装置の動作について説明する。
第２図は動作モード切換時の各部の信号波形を示したも
ので、実線は実施例装置における動作波形を示し、破線
は従来装置における動作波形を示している。第２図
（ａ）は動作モード切換信号であり、“L"レベルが待機
状態、“H"レベルが発光状態を示す。この信号は第１図
の切換器17の切換動作を制御し、“L"レベルで疑似モニ
タ信号を選択し、“H"レベルで半導体レーザ11のモニタ
信号を選択する。また、この動作モード切換信号は駆動
電源から駆動回路16に供給する駆動電流も制御してお
り、“H"レベルで駆動電流を半導体レーザ11に供給し、
“L"レベルで駆動電流の供給を停止する。第２図（ｂ）
は基準値発生回路13で発生する基準値VR、同図（ｃ）は
疑似モニタ信号発生器18で発生する疑似モニタ信号VP、
同図（ｄ）は切換器17の出力信号、同図（ｅ）はLPF15
の出力信号、同図（ｆ）は駆動回路16の出力信号、同図
（ｇ）はフォトダイオード12の出力信号波形を示してい
る。
ので、実線は実施例装置における動作波形を示し、破線
は従来装置における動作波形を示している。第２図
（ａ）は動作モード切換信号であり、“L"レベルが待機
状態、“H"レベルが発光状態を示す。この信号は第１図
の切換器17の切換動作を制御し、“L"レベルで疑似モニ
タ信号を選択し、“H"レベルで半導体レーザ11のモニタ
信号を選択する。また、この動作モード切換信号は駆動
電源から駆動回路16に供給する駆動電流も制御してお
り、“H"レベルで駆動電流を半導体レーザ11に供給し、
“L"レベルで駆動電流の供給を停止する。第２図（ｂ）
は基準値発生回路13で発生する基準値VR、同図（ｃ）は
疑似モニタ信号発生器18で発生する疑似モニタ信号VP、
同図（ｄ）は切換器17の出力信号、同図（ｅ）はLPF15
の出力信号、同図（ｆ）は駆動回路16の出力信号、同図
（ｇ）はフォトダイオード12の出力信号波形を示してい
る。
まず、動作モード切換信号が“L"レベルの時、つまり待
機状態にある時は、切換器17は疑似モニタ信号VPを選択
している。疑似モニタ信号VPは基準値VRより大きな値に
設定されているため、比較器14は駆動電流の減少を指示
する低い電流の信号を出力する。この信号はLPF15を介
して駆動回路16に入力されるが、前述した動作モードの
制御により駆動電源から半導体レーザ11への駆動電流の
供給は停止され、半導体レーザ11は非発光状態となって
いる。従って、比較器14の出力により駆動回路16の駆動
電流量調整機構が制御され、そのため駆動電源から駆動
電流が供給された場合は、小さな駆動電流が半導体レー
ザ11に供給される。
機状態にある時は、切換器17は疑似モニタ信号VPを選択
している。疑似モニタ信号VPは基準値VRより大きな値に
設定されているため、比較器14は駆動電流の減少を指示
する低い電流の信号を出力する。この信号はLPF15を介
して駆動回路16に入力されるが、前述した動作モードの
制御により駆動電源から半導体レーザ11への駆動電流の
供給は停止され、半導体レーザ11は非発光状態となって
いる。従って、比較器14の出力により駆動回路16の駆動
電流量調整機構が制御され、そのため駆動電源から駆動
電流が供給された場合は、小さな駆動電流が半導体レー
ザ11に供給される。
次に、動作モード切換信号が“H"レベルに移行すると、
切換器17はフォトダイオード12の出力信号（モニタ信
号）を選択すると共に、駆動電流が半導体レーザ11に供
給可能となる。フォトダイオード12の出力は、待機状態
における半導体レーザ11が非発光状態であったために、
基準値VRよりもかなり小さな値となっている。従って、
比較器14の出力は、駆動電流の増加を指示する高い電位
の信号を出力するが、LPF15によって急激な変化が抑制
されるため、駆動電流は上記発光待機状態直後徐々に増
加するようになる。これに伴い光出力も徐々に増加し、
半導体レーザ11の出力は基準値VRに相当する発光出力に
収束していくことになる。
切換器17はフォトダイオード12の出力信号（モニタ信
号）を選択すると共に、駆動電流が半導体レーザ11に供
給可能となる。フォトダイオード12の出力は、待機状態
における半導体レーザ11が非発光状態であったために、
基準値VRよりもかなり小さな値となっている。従って、
比較器14の出力は、駆動電流の増加を指示する高い電位
の信号を出力するが、LPF15によって急激な変化が抑制
されるため、駆動電流は上記発光待機状態直後徐々に増
加するようになる。これに伴い光出力も徐々に増加し、
半導体レーザ11の出力は基準値VRに相当する発光出力に
収束していくことになる。
ここで、切換器17は基本的には動作モード切換信号によ
り選択動作が制御されるが、正確には以下に示す切換パ
ルス発生部からの切換パルスにより制御される。第３図
は切換パルスの発生部の一例を示す回路構成図である。
この切換パルス発生部は、コンパレータ31,ANDゲート3
2,コンデンサＣ及び抵抗Ｒ等からなるもので、コンパレ
ータ31によりR1,C1の接続点の電位とR2,R3の接続点の電
位とを比較して、電源投入時における切換パルスを発生
する。ANDゲート32は、コンパレータ31の出力と動作モ
ード切換信号との論理積を取り、この出力パルスで切換
器17の切換動作を制御する。
り選択動作が制御されるが、正確には以下に示す切換パ
ルス発生部からの切換パルスにより制御される。第３図
は切換パルスの発生部の一例を示す回路構成図である。
この切換パルス発生部は、コンパレータ31,ANDゲート3
2,コンデンサＣ及び抵抗Ｒ等からなるもので、コンパレ
ータ31によりR1,C1の接続点の電位とR2,R3の接続点の電
位とを比較して、電源投入時における切換パルスを発生
する。ANDゲート32は、コンパレータ31の出力と動作モ
ード切換信号との論理積を取り、この出力パルスで切換
器17の切換動作を制御する。
第４図は切換パルス発生部の動作波形を示し、（ａ）は
電源電圧Vcc、（ｂ）はコンパレータ31の入力波形、
（ｃ）はコンパレータ31の出力波形である。電源電圧Vc
cが印加されると、R2,R3の接続点の電位は第４図（ｂ）
の破線に示す如く即座に上昇する。これに対してR1,C1
の接続点は、第４図（ｂ）の実線で示した如く、R1を介
してC1に電荷が注入されるのに従って電位が徐々に上昇
する。このため、コンパレータ31の出力は、第４図
（ｃ）に示す如く電源の投入時には“L"レベルとなり、
R1,C1の時定数で決まる時間だけ経過した後“H"レベル
となる。このとき、動作モード切換信号が“L"レベルに
ある場合は、ANDゲート32の出力は“L"レベルとなって
待機状態を保持するが、動作モード切換信号が“Ｈ“レ
ベルの場合には、ANDゲート32の出力にはコンパレータ3
1の出力信号の変化がそのまま現われて切換器17を切換
制御する。
電源電圧Vcc、（ｂ）はコンパレータ31の入力波形、
（ｃ）はコンパレータ31の出力波形である。電源電圧Vc
cが印加されると、R2,R3の接続点の電位は第４図（ｂ）
の破線に示す如く即座に上昇する。これに対してR1,C1
の接続点は、第４図（ｂ）の実線で示した如く、R1を介
してC1に電荷が注入されるのに従って電位が徐々に上昇
する。このため、コンパレータ31の出力は、第４図
（ｃ）に示す如く電源の投入時には“L"レベルとなり、
R1,C1の時定数で決まる時間だけ経過した後“H"レベル
となる。このとき、動作モード切換信号が“L"レベルに
ある場合は、ANDゲート32の出力は“L"レベルとなって
待機状態を保持するが、動作モード切換信号が“Ｈ“レ
ベルの場合には、ANDゲート32の出力にはコンパレータ3
1の出力信号の変化がそのまま現われて切換器17を切換
制御する。
従って、電源投入直後の切換器17は、待機状態と同様に
疑似モニタ信号を選択し、R1,C1の時定数で決まる時間
だけ経過した後、発光状態に切換わり、半導体レーザ11
のモニタ信号を選択することになる。この結果、半導体
レーザ11の駆動電流は電源投入直後には非常に小さな値
に抑えられ、発光状態に切換った後に増加するように制
御される。ここで、R1,C1の時定数をLPF15の時定数より
大きくしておけば、一旦待機状態に落着いた後、発光状
態に切換わるため、第２図（ｆ）に示した如く、半導体
レーザ11の駆動電流は小さな値から大きな値へと徐々に
増加するように制御される。
疑似モニタ信号を選択し、R1,C1の時定数で決まる時間
だけ経過した後、発光状態に切換わり、半導体レーザ11
のモニタ信号を選択することになる。この結果、半導体
レーザ11の駆動電流は電源投入直後には非常に小さな値
に抑えられ、発光状態に切換った後に増加するように制
御される。ここで、R1,C1の時定数をLPF15の時定数より
大きくしておけば、一旦待機状態に落着いた後、発光状
態に切換わるため、第２図（ｆ）に示した如く、半導体
レーザ11の駆動電流は小さな値から大きな値へと徐々に
増加するように制御される。
一方、動作モード切換に際し、疑似モニタ信号と半導体
レーザのモニタ信号とを切換えない従来の装置では、第
２図（ｅ）〜（ｇ）の破線で示した如く、待機状態にお
ける比較出力及びLPF15の出力が駆動電流の増加を指示
する高い電位となっている。このため、待機状態から発
光状態へと動作モードが切換った瞬間、半導体レーザ11
に大きな駆動電流が流れ、これに伴って光出力は一旦増
加した後、徐々に減少して収束するように制御される。
従って、発光状態へと切換った瞬間の駆動電流が半導体
レーザ11の許容電流を越える過大電流となり易かった。
レーザのモニタ信号とを切換えない従来の装置では、第
２図（ｅ）〜（ｇ）の破線で示した如く、待機状態にお
ける比較出力及びLPF15の出力が駆動電流の増加を指示
する高い電位となっている。このため、待機状態から発
光状態へと動作モードが切換った瞬間、半導体レーザ11
に大きな駆動電流が流れ、これに伴って光出力は一旦増
加した後、徐々に減少して収束するように制御される。
従って、発光状態へと切換った瞬間の駆動電流が半導体
レーザ11の許容電流を越える過大電流となり易かった。
これに対して本実施例では、待機状態における比較出力
を或いは比較出力及びLPF15の出力を、駆動電流の減少
を指示する低い電位に下げておくことが可能なため、発
光状態への切換に際して、駆動電流を小さな値から徐々
に増加する方向に制御することができ、半導体レーザ11
に過大電流が供給されることはない。また、この駆動電
流の制御動作は、半導体レーザ11の特性のバラツキの影
響を受けないため、確実に過大電流を防止できる。
を或いは比較出力及びLPF15の出力を、駆動電流の減少
を指示する低い電位に下げておくことが可能なため、発
光状態への切換に際して、駆動電流を小さな値から徐々
に増加する方向に制御することができ、半導体レーザ11
に過大電流が供給されることはない。また、この駆動電
流の制御動作は、半導体レーザ11の特性のバラツキの影
響を受けないため、確実に過大電流を防止できる。
かくして本実施例によれば、切換器17によってモニタ信
号と疑似モニタ信号とを適宜選択することにより、電源
投入直後及び発光待機状態において、比較出力を発光時
の比較出力より小さく制御し、発振しきい値を越えない
小さな駆動電流を指示する低い電圧に下げておくことが
できる。このため、発光状態への切換に際して半導体レ
ーザ11に過大な駆動電流が流れるのを防止することがで
き、半導体レーザ11の特性劣化や破壊を未然に防止する
ことができる。また、ツェナーダイオードを用いるもの
とは異なり、半導体レーザ11の特性のバラツキの影響を
受けることはなく、確実に過大電流を防止できると共
に、フィードバック制御の動作範囲を狭める等の不都合
をも避けることができる。従って、各種半導体レーザを
安定に駆動することができ、その有用性は絶大である。
号と疑似モニタ信号とを適宜選択することにより、電源
投入直後及び発光待機状態において、比較出力を発光時
の比較出力より小さく制御し、発振しきい値を越えない
小さな駆動電流を指示する低い電圧に下げておくことが
できる。このため、発光状態への切換に際して半導体レ
ーザ11に過大な駆動電流が流れるのを防止することがで
き、半導体レーザ11の特性劣化や破壊を未然に防止する
ことができる。また、ツェナーダイオードを用いるもの
とは異なり、半導体レーザ11の特性のバラツキの影響を
受けることはなく、確実に過大電流を防止できると共
に、フィードバック制御の動作範囲を狭める等の不都合
をも避けることができる。従って、各種半導体レーザを
安定に駆動することができ、その有用性は絶大である。
なお、上記実施例では、電源投入時の疑似モニタ信号か
らモニタ信号への切換えを電源投入時から遅延させて行
っているが、これは電源投入と同時に切換えてもよい。
らモニタ信号への切換えを電源投入時から遅延させて行
っているが、これは電源投入と同時に切換えてもよい。
また、上記実施例では発光待機時の比較器14の比較出力
が発光時の比較出力より小さくなるように制御すればよ
い。発光時でも環境温度の低下によりモニタ信号が大き
くなり、駆動電流を小さくするフィードバック制御が行
われるが、この場合は発光を維持する範囲で駆動電流が
小さくなるように比較器出力が制御される。従って、上
記実施例では発光待機時の比較出力を発光時の比較出力
より小さくなるようにすることにより、発振しきい値を
越えない小さな駆動電流とすることができる。
が発光時の比較出力より小さくなるように制御すればよ
い。発光時でも環境温度の低下によりモニタ信号が大き
くなり、駆動電流を小さくするフィードバック制御が行
われるが、この場合は発光を維持する範囲で駆動電流が
小さくなるように比較器出力が制御される。従って、上
記実施例では発光待機時の比較出力を発光時の比較出力
より小さくなるようにすることにより、発振しきい値を
越えない小さな駆動電流とすることができる。
第５図は本発明の他の実施例の概略構成を示すブロック
図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を付し
て、その詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、電源投
入直後及び発光待機時に基準値と疑似モニタ信号とを比
較するのではなく、上記基準値（第１の基準値）よりも
値の小さい別の基準値（第２の基準値）とモニタ信号と
を比較することにある。即ち、前記フォトダイオード12
の検出信号は、切換器17を介することなく直接比較器14
に入力される。また、半導体レーザ11で必要とする光出
力に相当する第１の基準値を発生する第１の基準値発生
回路13と共に、第１の基準値より小さな値（例えば自然
放出光レベルに相当する値又は暗電流に相当する値より
小さい値）の第２の基準値を発生する第２の基準値発生
回路19が設けられており、これらの出力が切換器17に入
力される。切換器17は、前記動作モード切換信号に応じ
て、上記第１及び第２の基準値の一方を選択して出力す
るもので、その出力信号が前記モニタ信号と共に比較器
14に供給されるものとなっている。
入直後及び発光待機時に基準値と疑似モニタ信号とを比
較するのではなく、上記基準値（第１の基準値）よりも
値の小さい別の基準値（第２の基準値）とモニタ信号と
を比較することにある。即ち、前記フォトダイオード12
の検出信号は、切換器17を介することなく直接比較器14
に入力される。また、半導体レーザ11で必要とする光出
力に相当する第１の基準値を発生する第１の基準値発生
回路13と共に、第１の基準値より小さな値（例えば自然
放出光レベルに相当する値又は暗電流に相当する値より
小さい値）の第２の基準値を発生する第２の基準値発生
回路19が設けられており、これらの出力が切換器17に入
力される。切換器17は、前記動作モード切換信号に応じ
て、上記第１及び第２の基準値の一方を選択して出力す
るもので、その出力信号が前記モニタ信号と共に比較器
14に供給されるものとなっている。
第６図は第５図の装置の動作モード切換時の各部の信号
波形を示すもので、第２図と異なる点は、（ｂ）が第１
の基準値発生回路13で発生する第１の基準値VR1、
（ｃ）が第２の基準値発生回路19で発生する第２の基準
値VR2を示すことにある。
波形を示すもので、第２図と異なる点は、（ｂ）が第１
の基準値発生回路13で発生する第１の基準値VR1、
（ｃ）が第２の基準値発生回路19で発生する第２の基準
値VR2を示すことにある。
まず、動作モード切換信号が“L"レベルで待機状態にあ
る時は、切換器17が第２の基準値VR2を選択するため、
比較器14はモニタ信号と第２の基準値VR2とを比較す
る。このとき、半導体レーザ11は非発光状態となってい
るため、フォトダイオード12の出力信号（モニタ信号）
は暗電流に相当する小さな値となっている。従って、比
較器14は、駆動電流の増加を指示する信号を出力する
が、VR2も自然放出光レベルに相当する小さな値に設定
されているため両者の差は小さく、比較器14は発振しき
い値を越えないような小さな駆動電流の供給を指示する
低い電位の信号を出力する。この信号はLPF15を介して
駆動回路16に入力されるが、前述した動作モードの制御
により半導体レーザ11への駆動電流の供給は停止されて
いる。
る時は、切換器17が第２の基準値VR2を選択するため、
比較器14はモニタ信号と第２の基準値VR2とを比較す
る。このとき、半導体レーザ11は非発光状態となってい
るため、フォトダイオード12の出力信号（モニタ信号）
は暗電流に相当する小さな値となっている。従って、比
較器14は、駆動電流の増加を指示する信号を出力する
が、VR2も自然放出光レベルに相当する小さな値に設定
されているため両者の差は小さく、比較器14は発振しき
い値を越えないような小さな駆動電流の供給を指示する
低い電位の信号を出力する。この信号はLPF15を介して
駆動回路16に入力されるが、前述した動作モードの制御
により半導体レーザ11への駆動電流の供給は停止されて
いる。
次に、動作モード切換信号が“H"レベルに移行すると、
切換器14は第１の基準値VR1を選択すると共に、駆動電
流が半導体レーザ11に供給可能となる。この場合、比較
器14で第１の基準値VR1とモニタ信号とを比較すること
になるので、先の実施例と同様に駆動電流が徐々に増加
し、これに伴って光出力も徐々に増加し、半導体レーザ
11の出力は第１の基準値VR1に相当する所定の発光出力
に収束していくことになる。
切換器14は第１の基準値VR1を選択すると共に、駆動電
流が半導体レーザ11に供給可能となる。この場合、比較
器14で第１の基準値VR1とモニタ信号とを比較すること
になるので、先の実施例と同様に駆動電流が徐々に増加
し、これに伴って光出力も徐々に増加し、半導体レーザ
11の出力は第１の基準値VR1に相当する所定の発光出力
に収束していくことになる。
かくして本実施例によれば、切換器17によって第１及び
第２の基準値を適宜選択することにより、電源投入直後
や発光待機状態における比較器14の出力を、発光時の比
較出力より小さく制御し、発振しきい値を越えない小さ
な駆動電流の供給を指示する低い電位に下げておくこと
が可能となる。このため、発光状態への切換に際して、
半導体レーザ11の駆動電流を小さな値から徐々に増加す
る方向に制御することができる。従って、先の実施例と
同様の効果が得られる。
第２の基準値を適宜選択することにより、電源投入直後
や発光待機状態における比較器14の出力を、発光時の比
較出力より小さく制御し、発振しきい値を越えない小さ
な駆動電流の供給を指示する低い電位に下げておくこと
が可能となる。このため、発光状態への切換に際して、
半導体レーザ11の駆動電流を小さな値から徐々に増加す
る方向に制御することができる。従って、先の実施例と
同様の効果が得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、第１図の装置において、半導体レーザの
モニタ信号と疑似モニタ信号とを互いに独立な信号とせ
ず、発光待機時に半導体レーザのモニタ信号に直流信号
等を加算して疑似モニタ信号を発光する構成としてもよ
い。同様に、第５図の装置において、第１及び第２の基
準値を互いに独立な信号とせず、発光待機的に一方の基
準値に負電源等から得られる直流信号等を加算して他方
の基準値を発生する構成としてもよい。さらに、第１及
び第２の基準値は直流信号でなく、パルス信号或いはパ
ルス信号を平滑した信号であってもよい。また、LPFを
比較器の前段に挿入する構成、或いは低速度で動作する
比較器を用いることによりLPFを省略する構成とするこ
とも可能である。さらに、レーザ光をモニタする光セン
サとしては、フォトダイオードに限らずフォトトランジ
スタやPINフォトダイオード等を用いることが可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
ない。例えば、第１図の装置において、半導体レーザの
モニタ信号と疑似モニタ信号とを互いに独立な信号とせ
ず、発光待機時に半導体レーザのモニタ信号に直流信号
等を加算して疑似モニタ信号を発光する構成としてもよ
い。同様に、第５図の装置において、第１及び第２の基
準値を互いに独立な信号とせず、発光待機的に一方の基
準値に負電源等から得られる直流信号等を加算して他方
の基準値を発生する構成としてもよい。さらに、第１及
び第２の基準値は直流信号でなく、パルス信号或いはパ
ルス信号を平滑した信号であってもよい。また、LPFを
比較器の前段に挿入する構成、或いは低速度で動作する
比較器を用いることによりLPFを省略する構成とするこ
とも可能である。さらに、レーザ光をモニタする光セン
サとしては、フォトダイオードに限らずフォトトランジ
スタやPINフォトダイオード等を用いることが可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、発光待機時に基準
値とモニタ信号とを比較するのではなく、基準値とこれ
より大きい値の疑似モニタ信号とを比較、又は基準値よ
り小さい値の別の基準値とモニタ信号とを比較すること
により、電源投入時やモード切換え時にレーザ駆動電流
を小さくすることができる。従って、フィードバック制
御の動作範囲を狭めることなく、半導体レーザの特性の
バラツキに対しても確実に過大電流を防止することがで
き、レーザの特性劣化や破壊を未然に防止し得る信頼性
の高い半導体レーザ駆動装置を実現することが可能とな
る。
値とモニタ信号とを比較するのではなく、基準値とこれ
より大きい値の疑似モニタ信号とを比較、又は基準値よ
り小さい値の別の基準値とモニタ信号とを比較すること
により、電源投入時やモード切換え時にレーザ駆動電流
を小さくすることができる。従って、フィードバック制
御の動作範囲を狭めることなく、半導体レーザの特性の
バラツキに対しても確実に過大電流を防止することがで
き、レーザの特性劣化や破壊を未然に防止し得る信頼性
の高い半導体レーザ駆動装置を実現することが可能とな
る。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ駆動装
置の概略構成を示すブロック図、第２図は第１図の装置
の動作を説明するための信号波形図、第３図は切換パル
ス発生部の一例を示す回路構成図、第４図は切換パルス
発生部の動作を説明するための信号波形図、第５図は本
発明の他の実施例の概略構成を示すブロック図、第６図
は第５図の装置の動作を説明するための信号波形図、第
７図は従来装置の概略構成を示すブロック図である。 11……半導体レーザ、12……フォトダイオード、13……
基準値発生回路（第１の基準値発生回路）、14……比較
器、15……LPF、16……駆動回路、17……切換器、18…
…疑似モニタ信号発生器、19……第２の基準値発生回
路、31……コンパレータ、32……ANDゲート。
置の概略構成を示すブロック図、第２図は第１図の装置
の動作を説明するための信号波形図、第３図は切換パル
ス発生部の一例を示す回路構成図、第４図は切換パルス
発生部の動作を説明するための信号波形図、第５図は本
発明の他の実施例の概略構成を示すブロック図、第６図
は第５図の装置の動作を説明するための信号波形図、第
７図は従来装置の概略構成を示すブロック図である。 11……半導体レーザ、12……フォトダイオード、13……
基準値発生回路（第１の基準値発生回路）、14……比較
器、15……LPF、16……駆動回路、17……切換器、18…
…疑似モニタ信号発生器、19……第２の基準値発生回
路、31……コンパレータ、32……ANDゲート。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザの出力光をモニタする光検出
器と、この光検出器で得られたモニタ信号と前記半導体
レーザで必要とする光出力に相当する基準値とを比較す
る比較器と、この比較器の比較出力が供給される低域通
過フィルタと、この低域通過フィルタを通した信号に基
づき前記半導体レーザの駆動電流を制御する駆動回路と
を備えた半導体レーザ駆動装置において、 前記モニタ信号に前記基準値より大きい値の疑似モニタ
信号を加算する加算手段を設け、前記半導体レーザの発
光待機時にはモニタ信号と疑似モニタ信号を加算して前
記比較器に供給し、前記半導体レーザの発光時にはモニ
タ信号をそのまま前記比較器に供給することを特徴とす
る半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】半導体レーザの出力光をモニタする光検出
器と、この光検出器で得られたモニタ信号と基準値とを
比較する比較器と、この比較器の比較出力が供給される
低域通過フィルタと、この低域通過フィルタを通した信
号に基づき前記半導体レーザの駆動電流を制御する駆動
回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、 前記比較器の前段に、前記半導体レーザで必要とする光
出力に相当する第１の基準値と該基準値より小さい値の
第２の基準値とを切換える切換器を設け、前記半導体レ
ーザの発光待機時には切換器により第２の基準値を選択
し、前記半導体レーザの発光時には切換器により第１の
基準値を選択することを特徴とする半導体レーザ駆動装
置。 - 【請求項３】半導体レーザの出力光をモニタする光検出
器と、この光検出器で得られたモニタ信号と基準値とを
比較する比較器と、この比較器の比較出力が供給される
低域通過フィルタと、この低域通過フィルタを通した信
号に基づき前記半導体レーザの駆動電流を制御する駆動
回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、 前記半導体レーザで必要とする光出力に相当する第１の
基準値に該基準値とは逆極性の第２の基準値を加算する
加算手段を設け、前記半導体レーザの発光待機時には第
１の基準値に第２の基準値を加算して前記比較器に供給
し、前記半導体レーザの発光時には第１の基準値をその
まま前記比較器に供給することを特徴とする半導体レー
ザ駆動装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62241410A JPH0758819B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 半導体レーザ駆動装置 |
| EP88308834A EP0311279B1 (en) | 1987-09-25 | 1988-09-23 | Semiconductor laser driving device for stabilizing the optical output thereof |
| DE3855292T DE3855292T2 (de) | 1987-09-25 | 1988-09-23 | Steuerungsvorrichtung für Halbleiterlaser zur Stabilisierung der optischen Ausstrahlung desselben |
| US07/248,112 US4884280A (en) | 1987-09-25 | 1988-09-23 | Semiconductor laser driving device for stabilizing the optical output thereof |
| CA000578341A CA1319392C (en) | 1987-09-25 | 1988-09-23 | Semiconductor laser driving device for stabilizing the optical output thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62241410A JPH0758819B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6482682A JPS6482682A (en) | 1989-03-28 |
| JPH0758819B2 true JPH0758819B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17073875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62241410A Expired - Lifetime JPH0758819B2 (ja) | 1987-09-25 | 1987-09-25 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4884280A (ja) |
| EP (1) | EP0311279B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0758819B2 (ja) |
| CA (1) | CA1319392C (ja) |
| DE (1) | DE3855292T2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5128950A (en) * | 1989-08-02 | 1992-07-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Low noise pulsed light source using laser diode |
| US5184189A (en) * | 1989-09-26 | 1993-02-02 | The United States Of Americas As Represented By The United States Department Of Energy | Non-intrusive beam power monitor for high power pulsed or continuous wave lasers |
| JP2945042B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1999-09-06 | 株式会社リコー | レーザダイオード駆動装置 |
| US5179565A (en) * | 1990-06-07 | 1993-01-12 | Hamamatsu Photonics, K.K. | Low noise pulsed light source utilizing laser diode and voltage detector device utilizing same low noise pulsed light source |
| DE4021293A1 (de) * | 1990-07-04 | 1992-01-16 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Bistabiler optischer schalter |
| DE4025497C2 (de) * | 1990-08-11 | 1996-12-19 | Hell Ag Linotype | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Korrektur der Strahlungsleistung einer Laserdiode |
| DE4026087C2 (de) * | 1990-08-17 | 1996-12-12 | Hell Ag Linotype | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Laserdiode |
| US5293263A (en) * | 1990-09-07 | 1994-03-08 | U.S. Philips Corporation | Electro-optical modulator which provides optical bias stabilization during operation |
| IT1241364B (it) * | 1990-12-21 | 1994-01-10 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Sistema di emissione sdi segnali ottici modulati |
| US5224111A (en) * | 1991-07-15 | 1993-06-29 | International Business Machines Corporation | Dual fiber drive system |
| JPH05251800A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Nec Corp | Ｈｅ−Ｎｅレーザ電源 |
| JP3231436B2 (ja) * | 1992-11-16 | 2001-11-19 | 旭光学工業株式会社 | レーザ発光装置の光出力切替装置 |
| JP3184359B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2001-07-09 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置 |
| JPH07240554A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| US5479425A (en) * | 1994-11-23 | 1995-12-26 | Harris Corporation | Thermal compensation of injection laser diodes driven by shunt current modulations |
| JP3432620B2 (ja) * | 1994-12-20 | 2003-08-04 | 富士通株式会社 | 光送信機及びレーザダイオードモジュール |
| DE19504712C2 (de) * | 1995-02-14 | 1998-02-05 | Linotype Hell Ag Werk Kiel | Verfahren zur Regelung der Lichtleistung einer Laserdiode |
| JP2704133B2 (ja) * | 1995-05-22 | 1998-01-26 | 日本電気テレコムシステム株式会社 | レーザダイオード駆動回路 |
| DE19818088B4 (de) * | 1997-09-26 | 2005-09-01 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Optische Kommunikationseinheit |
| JP3587971B2 (ja) | 1997-09-26 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 光通信ユニット |
| US6108114A (en) * | 1998-01-22 | 2000-08-22 | Methode Electronics, Inc. | Optoelectronic transmitter having an improved power control circuit for rapidly enabling a semiconductor laser |
| JP2000012950A (ja) | 1998-04-23 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体レ―ザ装置 |
| EP1085291B1 (de) | 1999-09-16 | 2009-11-11 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Vorrichtung zur Positionsbestimmung und Ermittlung von Führungsfehlern |
| JP2002158396A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Corp | オートレーザーパワーコントロール回路 |
| US7209502B2 (en) * | 2004-02-12 | 2007-04-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Open loop laser power control for optical navigation devices and optical systems |
| US20050192821A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Texas Instruments Incorporated | Web based electronic waiver requisition |
| US7505692B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-03-17 | Cisco Technology, Inc. | System and method for optical transmission |
| US20060066575A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-30 | Brosnan Michael J | Laser power control manufacturing method of matching binned laser to drive conditions through soldering and component mounting techniques to convey binning information |
| US7271601B2 (en) * | 2005-07-11 | 2007-09-18 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Current fault detection for light emitters |
| WO2007007733A1 (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光源、光源装置、レーザ画像形成装置、および集積回路 |
| JP2007043771A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Nichicon Corp | スイッチング電源装置 |
| IT201800005450A1 (it) * | 2018-05-16 | 2019-11-16 | Dispositivo ottico integrato in un’antenna o disposto sul palo dell’antenna |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2736966A1 (de) * | 1977-08-17 | 1979-03-01 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Sender fuer optische strahlung |
| FR2415332A1 (fr) * | 1978-01-20 | 1979-08-17 | Thomson Csf | Dispositif d'alimentation de source lumineuse a semi-conducteur |
| US4237427A (en) * | 1978-06-16 | 1980-12-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for stabilizing a laser |
| JPS59184578A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ発振器の出力安定化制御装置 |
| US4621376A (en) * | 1983-04-28 | 1986-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
| JPS60115278A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザの駆動方式 |
| JPS59145587A (ja) * | 1983-12-27 | 1984-08-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レ−ザ用直流バイアス回路 |
| CA1210070A (en) * | 1984-10-26 | 1986-08-19 | Northern Telecom Limited | Laser transmitter |
| JPS61265883A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPS61274379A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| DE3684079D1 (de) * | 1985-09-30 | 1992-04-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Einrichtung zur stabilisierung der optischen ausgangsleistung eines halbleiterlasers. |
| JPS63117333A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Seiko Epson Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
-
1987
- 1987-09-25 JP JP62241410A patent/JPH0758819B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-23 US US07/248,112 patent/US4884280A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-23 DE DE3855292T patent/DE3855292T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-23 EP EP88308834A patent/EP0311279B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-23 CA CA000578341A patent/CA1319392C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4884280A (en) | 1989-11-28 |
| EP0311279A1 (en) | 1989-04-12 |
| CA1319392C (en) | 1993-06-22 |
| JPS6482682A (en) | 1989-03-28 |
| EP0311279B1 (en) | 1996-05-15 |
| DE3855292D1 (de) | 1996-06-20 |
| DE3855292T2 (de) | 1997-02-06 |
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