JPH0758431A - 三次元性の薄膜型相互接続体およびその製造方法 - Google Patents
三次元性の薄膜型相互接続体およびその製造方法Info
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Abstract
子の間をも各接触パッド18を介して相互接続しうるよ
うな2つ以上のコネクタ14を有する三次元性の薄膜型
相互接続体12を、各コネクタ内に高密度に導電性バイ
ア30が形成されるように構成することを目的とする。 【構成】 基板22と、該基板上において各誘電体層2
4−1〜24−5と各配線面26−1〜26−3又はグ
ランド面32とが交互にデポジットされたものと、最後
にデポジットされた誘電体層24−5からそれぞれ延び
ていて上記配線面のうちの何れかと電気接続されるよう
にデポジットされた各バイア30と、上記各バイア上に
それぞれデポジットされた各接触パッド18と、あるコ
ネクタに存在する各接触パッドと他のコネクタに存在す
る対応の各接触パッドとをそれぞれ電気接続するように
してデポジットされた各ワイヤ16とにより構成され
る。
Description
で電気信号などを伝送するための相互接続体およびその
製造方法に関する。特に本発明は、異なる面にそれぞれ
配置された2つ以上の電気素子の間を相互接続するため
の相互接続体およびその製造方法に関する。
は、各種の電気的な相互接続体を利用することによっ
て、多数の各種の電気素子が相互に、あるいは別の回路
基板などに電気接続される。かかる電気的な相互接続体
は、通常、剛性又は準可撓性を有する誘電体材料で作ら
れた本体をそなえている。かかる本体には所定数の導電
性ワイヤが配設されており、各該導電性ワイヤを介して
上記各電気素子相互間に電力および電気信号が伝送され
うる。かかる相互接続体は当該分野においてよく知られ
ており、該相互接続体における1つの面には、該相互接
続体に接続しようとする第1の電気素子に形成されてい
る対応の各電気接触部とそれぞれ電気接続させるための
各電気接触部が配設され、また該相互接続体における他
の面には、該相互接続体に接続しようとする第2の電気
素子に形成されている対応の各電気接触部とそれぞれ電
気接続させるための各電気接触部が配設されている。し
たがって該対応する各電気接触部同志を電気接続するこ
とによって、該相互接続体の本体内に形成されている各
導電性ワイヤを介して、所要の電力および電気信号が上
記第1および第2の各電気素子相互間で伝送されるよう
になる。
は、各種のマルチ・チップモジュールなどを含む多数の
各種電気素子が設けられており、これらの各種電気素子
は該コンピュータ内において、他の各種電気素子と何ら
かの形態でそれぞれ相互に電気接続されることが必要あ
る。この場合、該コンピュータに対するデータ処理容量
およびデータ処理速度を増大させる必要性が増加するに
したがって、該コンピュータ内に配設されるべき各電気
素子の数も増加してくる。したがって該コンピュータ内
に配設されるべきかかる各電気素子の数の増加に対処す
るためには、上記各電気素子のサイズを小型化するか、
又は上記各電気素子同志を集積化して単一の集積パッケ
ージを形成させるかする必要がある。このように上記各
電気素子のサイズを小型化するか又は集積化することに
よって、上記各電気素子によって占有されるスペースの
量が実質的に少くなり、これによって、かかる小型化あ
るいは集積化をしない場合に比し、同一のスペース内に
より多数の電気素子を収容することが容易となる。
あるいは集積化をしたとしても、該コンピュータ内にお
いては、上記各電気素子の間を相互接続するための電気
的な相互接続体を、上記各電気素子の数とほぼ同数だけ
配設する必要がある。したがって、上記各電気素子のサ
イズが小型化されるにつれて、該コンピュータ内に配設
しうる上記各電気素子の数が増加するとともに、上記各
電気素子の間を相互接続するに必要な上記電気的な相互
接続体の数も増加することになる。更にまた上記したス
ペースを有効に利用するためには、かかる小型化された
上記各電気素子を互にきわめて接近させた状態で配設す
る必要がある。これらの理由によって、該コンピュータ
内での所定のスペース当りに存在すべき電気的接続部の
数がきわめて高密度になる。
るべき各電気的接続部の高密度化を達成するためには、
該電気的な相互接続体を高密度型とする必要がある。換
言すれば、該電気的な相互接続体は、上記各電気的接続
部の高密度化を達成する上で、上記各電気的接続部が互
い違いになるような配列で構成されることが望ましい。
この点、かかる電気的な相互接続体をプリント配線手法
を使用して製造することはよく知られているが、かかる
プリント配線手法を使用した場合には、各該相互接続体
内に形成されうる電気的接続部の数が実質的に制限され
る。すなわち、上記したような高性能のコンピュータな
どにおいて使用される上記各電気素子に対する各電気的
接続部を高密度化させるには、上記プリント配線手法を
使用することによってえられる相互接続体よりも、より
高密度の電気的接続部をそなえた相互接続体を実現する
ことが必要となる。
ータなどを構成するにあたっては、マルチ・チップモジ
ュールなどを含む多数の各種電気素子が、所定のスペー
スを有効に利用しうるような態様で相互接続されなけれ
ばならない。かかるスペースの有効利用をしようとする
と、相互接続されるべき各電気素子を互に異なる面にそ
れぞれ配置する必要性が生ずる。したがって、かかる態
様で配置されている上記各電気素子間の電気的な相互接
続を達成するためには、該電気的な相互接続体は、上記
したような異なる面にそれぞれ配置されている各電気素
子の間を相互接続しうるような構成を有するように形成
されなければならない。
は、あらゆる異なった方向にそれぞれ配置されている多
数の各種電気素子で構成されており、またこれらの各種
電気素子の間を相互接続しうるような電気的相互接続手
段を必要とする。しかし実際には、各電気素子の間を通
常の方法で相互接続しようとすると、互に相互接続され
るべき各電気素子を所定の単一方向に沿ってそれぞれ配
置せざるをえない。しかしながら、特にコンピュータな
どの分野では、最近該コンピュータの性能としてより一
層の高速化とより一層の大容量化との必要性が求められ
ているので、かかるコンピュータを構成するきわめて多
数の各種電気素子を互に結合させるためには、かかる各
種電気素子の配列状態をより自由自在に設定したいとい
う要求が、急速に高まってきている。しかるに、相互接
続されるべき各電気素子同志をあらゆる可能な方向で相
互接続できるような電気的相互接続体を設計しまた製造
することは、これまで困難であった。
成するにあたっては、互に異なる高さの異なる面などに
それぞれ配置された2つ以上の電気素子の間を相互接続
しうるような相互接続体もしばしば必要となる。このよ
うな場合には、かかる2つ以上の電気素子に対する相互
接続体は、あらゆる可能な方向に適応するように構成さ
れる必要があり、したがってますます各該電気素子に対
する相互接続構成が複雑化する。更にまた、多数の異な
る面にそれぞれ配置された多数の電気素子の間を電気的
に相互接続しうるような電気的相互接続体においては、
各該電気素子に対する電気的接続部を多数個形成しうる
ように構成されることも必要となる(すなわち高密度型
の電気的相互接続体とされる必要がある)。
を多数個形成する必要があるのは、上記したような高性
能のコンピュータを構成する際にスペースを有効に利用
する必要があるからである。コンピュータ技術および電
子技術の発展に伴って、該コンピュータを構成するのに
使用される各種電気素子のサイズが小型化されてきた。
かかる各種電気素子のサイズの小型化は、これらの電気
素子を統合化することによってかなり達成されうる。1
例として、多数の集積回路を組合せることによって単一
のマルチ・チップモジュールが形成される。かかるマル
チ・チップモジュール(MCM)は、そのサイズは比較
的小型であるが、多数の各種回路で構成されており、こ
れらの各種回路にはすべて所定の電気的接続部が必要と
なる。したがって、かかるマルチ・チップモジュール
(MCM)の間を相互接続するために用いられる電気的
相互接続体は高密度型とされる必要があり、これによっ
て小さなスペース内に存在する上述したような多数の電
気的接続部に適応させることが可能となる。
気的な相互接続体は、多数の電気的接続部に適応しうる
ように構成されること、換言すれば、上述したような高
性能のコンピュータなどに存在する各電気的接続部に適
応させうるような高密度型の相互接続体とされることが
望ましい。またかかる電気的な相互接続体は、種々の異
なる高さや位置、あるいは種々の異なる面にそれぞれ配
置されている2つ以上の電気素子の間を相互接続しうる
ように構成されることが望ましい。更にかかる電気的な
相互接続体は所定の表面領域内にできるだけ多数の電気
的接続部が形成されるように構成されることが望まし
い。更にまた、かかる電気的な相互接続体を製造する方
法が、使用される各材料のことをも含め、実用的かつ経
済的に有利な方法であることが望ましい。
発明においては、異なる面にそれぞれ配置された2つ以
上の電気素子の間を電気接続することができるととも
に、高密度に各電気的接続部が形成された三次元性の薄
膜型相互接続体およびその製造方法が提供される。かか
る薄膜型相互接続体を製造するにあたっては、先ず基板
の表面上に第1の誘電体層がデポジット形成される。次
いで導電性の配線(信号線など)面が、該第1の誘電体
層の表面上において、互に電気的に隔離された各選択位
置にデポジット形成される。次いで該第1の誘電体層と
同様の材料からなる第2の誘電体層が、該配線面の表面
上と、該配線面の各形成位置を除く範囲に存在する該第
1の誘電体層の表面上とにデポジット形成される。
誘電体層の表面から直前にデポジット形成された該配線
面まで延びるようにして、該第2の誘電体層内に形成さ
れる。ここでこのようにして形成される各スルーホール
の数および配列状態は、該相互接続体に電気接続しよう
とする各電気素子に対する電気的接続条件に応じて決定
される。次いで上記各スルーホールに導電体材料が充填
されることによって、各バイアが形成される。以下同様
にして、配線面の選択的なデポジット形成と、誘電体層
のデポジット形成と、所定数のスルーホールの形成と、
各該スルーホールに対する導電体材料の充填(バイアの
デポジット形成)とが順次繰返されて、各配線面および
各バイアの配列状態がそれぞれ所定の配列状態となるよ
うにされる。
ット形成された誘電体層上での各選択位置にデポジット
形成される。その結果、上記各選択位置においてそれぞ
れ構成される各配線面と各誘電体層とを含む多層構成部
分が、1つの配線面セットとなる。このようにして本発
明における薄膜型相互接続体においては、各該配線面セ
ットによってそれぞれ構成される少なくとも2つのコネ
クタが形成される。ここで上述したようにして上記配線
面セットを形成するにあたって、必要があれば、ある配
線面を選択的にデポジット形成する代りに、グランド面
を選択的にデポジット形成するようにしてもよい。かか
るグランド面は、導電体材料で構成されており、きわめ
て接近した状態で順次配列されている各配線面相互の間
で発生する可能性のある予期しない電磁的障害などを抑
制するように機能する。ただし、かかるグランド面は、
上記各配線面とは異なり、如何なるバイアとの電気的接
続をも必要としない。
アの配列状態がそれぞれ所定の配列状態とされたなら
ば、所定数の接触パッドが、最後にデポジット形成され
た誘電体層の表面(該相互接続体の前表面となる)上に
デポジット形成される。すなわちかかる接触パッドは、
該配線面セットを構成している最前面側の誘電体層(最
後にデポジット形成された誘電体層)内にデポジット形
成されている各バイアにそれぞれ対応した各位置にデポ
ジット形成される。このようにして、上記各接触パッド
は、上記各配線面のうちの何れかの配線面に電気接続さ
れている各バイアとそれぞれ電気接続される。次いで所
定数のワイヤが、上記最後にデポジット形成された誘電
体層の表面上に選択的にデポジット形成される。ここで
各該ワイヤは、あるコネクタを形成するある配線面セッ
トにデポジット形成された各接触パッドと、他のコネク
タを形成する他の配線面セットにデポジット形成された
対応する各接触パッドとの間を、それぞれ電気接続する
ような要領で、デポジット形成される。
ポジット形成されている互に対応する各接触パッドの間
にそれぞれ延びるようにデポジット形成された各該ワイ
ヤは、上記基板と各誘電体層とにより構成される中間体
上を横切ることになる。ここで該中間体を除去すると、
各該コネクタが各該ワイヤを介して機械的かつ電気的に
相互接続された状態となる。このようにして本発明にか
かる薄膜型相互接続体においては、該相互接続体を構成
する各該コネクタの間が、可撓性を有する各該ワイヤを
介して接続されているので、互に異なる面にそれぞれ配
置されている各電気素子との電気接続を達成することが
可能となる。ここで各該配線面、各該グランド面、各該
バイア、各該接触パッド、および各該ワイヤは、それぞ
れ互にほぼ等しい熱膨張係数を有する導電体材料で構成
されている。これらの素子の熱膨張係数を整合させるこ
とは、機械的欠陥に絡む熱的ストレスの発生を抑制する
上で望ましい。
に応じて、2つ以上のコネクタを有するように構成され
ることもできる。更にまた、各該コネクタでの該前表面
と対向する背面側に、互にほぼ相補的に作用するような
各係合部が一体的に形成されうる。これらの各係合部
は、各該コネクタの背面同志の位置整合を達成するため
に使用されることができ、したがって、もし形状不変の
(フレキシブルでない)薄膜型相互接続体が所望される
場合には、所要の接着剤を介して各該コネクタ同志が一
体的に付着されるようにして使用することもできる。
体は、少なくとも2つの電気素子の間の電気接続を行な
うように形成された所定数の導電性ワイヤをそなえてい
る。かかる電気素子との相互接続を達成するためには、
各該ワイヤの両端部分は誘電体材料の中に常に固定され
ていることが好ましい。このように各該ワイヤの両端部
分を誘電体材料の中に固定させることによって、各該ワ
イヤの配列状態を、該相互接続体に接続しようとする各
電気素子と常に正しく対応するような配列状態とするこ
とができる。この場合、本発明のように薄膜手法を使用
することによって、きわめて径が小さく多数の電気的接
続をなしうるような多数のワイヤが誘電体本体内に固定
されたような相互接続体を容易に製造することが可能と
なる。
ることによって、上記したプリント配線手法によってえ
られる電気的相互接続体よりも、はるかに高密度に各電
気的接続部が形成されるように該相互接続体を構成する
ことができる。すなわち該プリント配線手法によって製
造される相互接続体は、いくつかの個別の(ディスクリ
ートな)層によって構成されており、各層は、その一部
が選択的に除去された導電体部分をその表面に有する誘
電体材料で構成されている。このようにして構成された
いくつかの層が所定の配列関係となるようにして積み重
ねられ、これによって、ある層の表面に残存している各
信号トレース形成用の各導電体部分と、他の各層の表面
に残存している各信号トレース形成用の各導電体部分と
が、所定の位置関係でそれぞれ対応するようにされる。
次いで最後に積み重ねられた層の露出表面から該積み重
ねられた各層を通して、各スルーホールが所定の各位置
に形成される。次いで上記各スルーホールに導電体材料
が充填されることにより、上記各層にそれぞれ形成され
ている各信号トレース相互間の電気接続部が形成され
る。したがって、このようにして形成される各電気接続
部の直径、更にいえば該相互接続体内に形成される各電
気接続部相互間の間隔は、ドリルビットなどの直径によ
って規定される。しかるに、該ドリルビットなどの直径
は、ドリル操作の際に該積み重ねられた各層を貫通させ
るのに耐えられるだけの機械的強度が該ドリルビットに
要求されることから、ある限度以上には小さくすること
ができない。その結果、かかるプリント配線手法を用い
た場合には、上記各電気接続部相互間で達成しうる最小
間隔は、例えばほぼ0.1ミリメートル程度となって、
それ以上に小さくすることはできない。
を用いた場合には、かかる相互接続体が、誘電体材料か
らなる薄膜をデポジット形成するステップと、配線面形
成用の導電体材料からなる薄膜を選択的にデポジット形
成するステップと、誘電体薄膜および配線面薄膜の上に
誘電体材料からなる薄膜をデポジット形成するステップ
などを用いて構成されうる。ここで上記各電気素子に対
する各電気的接続部は、最後にデポジット形成された誘
電体薄膜での、各該電気的接続部の数と所要ピッチとに
対応した各部分を選択的にエッチング除去して各スルー
ホールを形成し、該エッチングにより形成された各スル
ーホールに、ベーパデポジションなどのようなメタルデ
ポジション手法を用いて、導電体材料を充填することに
よって形成される。かかる薄膜手法を用いてかかる相互
接続体を構成することによって、上記したようなプリン
ト配線手法によってえられる相互接続体におけるより
も、はるかに小さい直径となるように各該電気的接続部
を形成することが可能となる。その理由は、かかる選択
的なエッチング手法によって形成される各スルーホール
の径の値は、上述したようなドリルビットに要求される
機械的強度などによって何等制約されることがないから
である。このようにして、本発明においては、上記した
各電気的接続部を従来のものよりはるかに小径に形成す
ることができるので、上記各電気的接続部同志を従来の
ものよりはるかに接近させて配置形成することが容易と
なり、これによって従来よりはるかに高密度の相互接続
体を構成することができる。その結果、本発明において
は、かかる薄膜手法を用いることによって、上記各電気
的接続部相互間で達成しうる最小間隔を、例えばほぼ1
0マイクロメートル程度にまで小さくすることが可能と
なる。
ュータなどを設計製作するにあたっては、そのスペース
を効率的に利用することが、きわめて重要な課題であ
る。したがってかかる分野に上記したような高密度の薄
膜型相互接続体を使用することは、かかる相互接続体が
該コンピュータ内に存在する多数の電気的接続部に適応
しうるように小型かつ大容量(高密度)に形成されてい
るため、きわめて好ましいことである。ただし、かかる
薄膜型相互接続体を構成するにあたって、上記した各導
電体ワイヤを上記した中間体を構成する誘電体部分と一
体化させておくと、該相互接続体が形状不変のリジッド
な相互接続体となってしまうので、かかる相互接続体を
用いた場合には、同じ面に沿ってそれぞれ配置されてい
る各電気素子の間しか相互接続することができなくな
る。しかるに、上記した高性能のコンピュータなどの分
野では、上述したようにそのスペースを効率的に利用す
る必要性が高いため、かかる相互接続体に接続しようと
する上記各電気素子を、互いに異なる面(種々の高さあ
るいは種々の方向を含む)にそれぞれ配置する必要性が
しばしば発生する。したがって、かかる薄膜型の相互接
続体はまた、上述したような態様で互に異なる面にそれ
ぞれ配置されている各電気素子の間をも、電気的に相互
接続しうるように構成されることが望ましい。
互接続体12によって、2つのマルチ・チップモジュー
ル10が電気的に相互接続されている状態を示す斜視図
である。各該マルチ・チップモジュール(MCM)は多
数の集積回路などで構成されており、各該集積回路など
はそれぞれプリント回路板や他のMCMなどと電気接続
されている。なお以下の説明では、図1および図2にお
いて上方側に示されている該MCMの表面を該MCMの
前表面と称することとし、該MCMの前表面に隣接して
いる該薄膜型相互接続体の表面を該相互接続体の前表面
と称することとする。また該薄膜型相互接続体での該前
表面と対向している表面を該薄膜型相互接続体の背面と
称することとする。
膜型相互接続体12は2つのコネクタ14をそなえてお
り、該2つのコネクタは、該2つのコネクタの各対向面
の間で延びている所定数の導電性ワイヤ16を介して相
互接続されている。ここで各該ワイヤは導電体材料で構
成されており、各該ワイヤを介して各該コネクタ14相
互間での電気信号および/又は電力の伝送がなされる。
前表面には多数の電気的接触部17が形成されており、
各該電気的接触部を介して該MCM内に存在する各集積
回路などに対して入出力されるべき電気信号および/又
は電力の伝送がなされる。一方、該薄膜型相互接続体1
2を構成する各該コネクタ14には、各該コネクタの前
表面において、各該電気的接触部に対応するような多数
の接触パッド18が形成されている。したがって、各該
MCMは、各該MCMに形成されている各該電気的接触
部17を、該相互接続体を構成する各該コネクタ14に
形成されている相応の各該接触パッド18とそれぞれ電
気接続することによって、電気的に相互接続される。こ
こで各該電気的接触部と相応の各該接触パッドとの間を
それぞれ電気接続するには、例えばはんだ材からなるパ
ッド20を用いることができ、この場合、該はんだ材か
らなるパッド20を溶融させることによって、各該MC
Mに形成されている各該電気的接触部と各該コネクタ1
4に形成されている相応の各該接触パッドとの間にそれ
ぞれはんだ付けによる電気的接続部が形成される。
膜型相互接続体12は可撓性を有する各該ワイヤ16を
介して個別に形成されている2つのコネクタ14をそな
えており、これによって例えば図2示されるように、例
えば異なる高さの異なる面などにそれぞれ配置されてい
る2つのMCM10などの間を、該相互接続体12によ
って相互接続することが可能となる。
1例が図3乃至図7を参照して以下に説明される。なお
ここで該図3乃至図7はそれぞれ、本発明での好適な実
施例としての薄膜型相互接続体12を完成させるまでの
いくつかの製造段階において、該相互接続体12の状態
構成を例示した縦断面図である。すなわち該図3乃至図
7は、本発明での好適な実施例としての該薄膜型相互接
続体の製造方法を1ステップ毎に明示する目的で、上記
したいくつかの製造段階での該相互接続体12の状態構
成を拡大して例示した縦断面図である。ここで、該図3
乃至図7には、上述した各製造段階での該相互接続体1
2の状態構成が、各図面の上方側に該相互接続体の前表
面が向けられるような要領で図示されている。
らなる誘電体層24−1が基板22の表面上にデポジッ
トされる。該基板22は任意のタイプの金属材料又は非
金属材料で構成されうる。該基板22用として好適な材
料は、例えばシリコン、およびアルミニウムなどから選
択されうる。一方、上述したような誘電体層用の誘電体
材料は、有機又は無機のポリマー、セラミックス、ガラ
ス、ガラス−セラミックス、ポリイミド−エポキシ、エ
ポキシ−ガラス繊維、およびテフロンなどからなる非導
電体材料の中から選択されうる。かかる誘電体層用とし
て好適な誘電体材料は、例えば、製品番号2525又は
2611としてデュポン ケミカルから市販されている
ポリイミド、ベンゾシクロブテン、および他の適宜のフ
ォト・エッチング可能な材料などから選択されうる。
て周知の種々の方法を用いて、該基板22に付加されう
る。その第1の方法は、該基板22の頂面全体に亘っ
て、上記誘電体層用の材料を分布形成させるために用い
られるスピニングプロセスにもとづいて、スピン方法
(spin method)と称される方法である。こ
のスピン方法は、液状になっている該誘電体層用の材料
を、該基板22の頂面の中央部近くに載置することによ
って行なわれる。次いで、該基板22は高速度で回転さ
せられ、それによって均一な厚みの薄い誘電体層(すな
わち誘電体薄膜)を形成するように、該基板22の頂面
全体に亘って、上記誘電体層用の材料が延び広げられ
る。このプロセスにおいて、該誘電体層用の材料のうち
余分の材料は、該基板22から単に外方へ逸出(スピン
オフ)させられるのみである。このスピン方法は、有機
および無機の誘電体層用材料の何れにも適用されうる。
このようにして該液状の誘電体材料が該基板22の頂面
全体に亘って層状に分散形成された後、該誘電体層用の
材料は、そのとき選択された材料に適した所定のキュア
時間の間、放熱状態のままでキュア処理されるか、又は
所定の温度上昇状態を維持したままでキュア処理され
る。
電体層用材料を上記基板22上に直接スプレイする方法
である。このスプレイ方法では、該液状の誘電体層用材
料が、圧縮空気によって、スプレイガンのノズルチップ
を通して押し進められる。このようにして押し進められ
た該誘電体層用材料は、小滴の連続的な流れとなって該
基板22の表面に向って押し飛ばされて該基板22の表
面に突き当たり、これによって該基板22の表面上に上
記液状の誘電体材料層が形成される。このスプレイ方法
は、主として有機の誘電体層用材料で該誘電体層24−
1を形成する場合に適用されうる。かかる誘電体材料層
が形成された後、該誘電体層用材料は、上記スピン方法
において上記誘電体層用材料をキュア処理したのと同様
の周知の方法によってキュア処理される。
ング(Corton coating)を用いる方法で
ある。この方法では、有機の誘電体層用材料が、該基板
22の頂面全体に亘って、薄いフィルム(薄膜)を形成
するように押し出される。このとき、該押し出し用のノ
ズル又は該基板22のうちの何れか一方が、該基板22
の表面全体に亘って該誘電体層用材料を均一に分散形成
させるために移動させられうる。このコートンコーティ
ング方法は、主として有機の誘電体層用材料で該誘電体
層24−1を形成する場合に適用されうる。上述したよ
うにして該誘電体層用材料のフィルムが形成された後、
該誘電体層用材料は、上記スピン方法およびスプレイ方
法において、それぞれ上記誘電体層用材料をキュア処理
したのと同様の周知の方法によってキュア処理される。
が、該誘電体層24−1の表面での選択された各位置
に、導電体材料の薄膜を付加するようにして形成され
る。ここで該配線面を形成するための材料は、高い導電
率を有していることが望ましく、したがって各種の純金
属、各種の合金、および各種金属と各種誘電体などとの
組合せなどから選択されうる。一方、該配線面用として
選択される導電体材料は、上記したような誘電体層24
−1などを形成するために用いられる誘電体材料が有す
る熱膨張係数とほぼ等しい値の熱膨張係数(CTE)を
有していることが望ましい。すなわち、相互に接触して
いる各電気素子のCTEを整合させることは、該相互接
続体の動作中に生ずるであろう各種の熱的ストレスが増
大することを回避する上で、また上記各電気素子内に生
ずるおそれのある機械的欠陥の要因を排除する上で、望
ましいことである。
ョン、ケミカルベーパデポジション、メタルオルガニッ
クケミカルベーパデポジション、電気メッキ、および非
電気メッキなどのような当業者において周知の薄膜デポ
ジション手法を用いて、該誘電体層の表面上に選択的に
デポジットされる。ここで該デポジットされるべき導電
体層の厚さは、該配線面26−1などに対して要求され
るインピーダンスの値に依存して決定されることが望ま
しく、これによって該配線面を通して伝送される信号の
完全性が保証されうる。すなわち例えば、仮にある配線
面に対して比較的高いインピーダンスが要求される場合
には、薄い厚さの導電体材料層が対応する誘電体層上に
デポジットされるべきである。一方、仮に該配線面に対
して比較的低いインピーダンスが要求される場合には、
より厚い厚さの導電体材料層が該誘電体層上にデポジッ
トされるべきである。
いて、各該コネクタ14を形成することが所望される各
位置にデポジットされる。この場合、周知のフォトリソ
グラフィック手法を用いて、該所望される各位置に導電
体材料を選択的にデポジットさせるか又は、対応する誘
電体層の全表面上に該導電体材料をデポジットさせてか
ら余分のデポジット層を選択的に除去する。図3は、対
応する各誘電体層の表面上において、電気的に隔離され
た2つの異なる位置に2つの配線面がデポジットされて
おり、該2つの位置が2つのコネクタ14の形成位置と
されている、本発明での好適な実施例としての薄膜型相
互接続体の状態構成を、途中の製造段階において例示し
たものである。しかしながら、本発明にかかる薄膜型相
互接続体においては、対応する各誘電体層の表面上にお
いて、電気的に隔離された2つ以上の任意の異なる位置
に所定数の配線面を必要に応じてデポジットし、該デポ
ジットされた位置の数に等しい数のコネクタを構成する
ことができる。
面26−1の表面および直前に形成された誘電体層24
−1の一部表面に付加される。ここで該第2の誘電体層
24−2を付加するにあたっても、上記基板22の表面
上に上記した誘電体層24−1をデポジット形成したの
と同様のデポジット手法が用いられる。また該第2の誘
電体層24−2用として選択される誘電体材料も、該基
板22上に該誘電体層24−1をデポジット形成するの
に用いられた材料と同様の材料であることが望ましい。
の誘電体層24−2を通して形成される。ここで各該ス
ルーホールの形成位置は、該相互接続体に接続される各
電気素子に対する相互接続条件に応じて決定される。ま
た各該スルーホールは、該第2の誘電体層24−2の表
面から、該第2の誘電体層を通して、上記配線面26−
1の表面まで延びるように形成される。また各該スルー
ホールを形成するにあたっては、反応性イオンエッチン
グ、あるいはケミカルエッチングなどのような当業者に
おいて周知のエッチング手法が用いられうる。各該スル
ーホールを形成するのに好適なエッチング手法は、フォ
トリソグラフィックエッチングあるいはフォトエッチン
グプロセスなどである。該フォトエッチングプロセスに
おいては、先ず、該第2の誘電体層24−2の表面にフ
ォトレジスト材料の均一層が適用され、次いで周知の手
法を用いて該フォトレジスト材料がキュア処理される。
この際、該フォトレジスト材料の表面上に、所定数の円
形開口が設けられたフォトマスクが配置される。ここで
該フォトマスクの開口パターンは、該第2の誘電体層2
4−2内に各該スルーホールを形成するのに必要な数と
位置とに対応したパターンとされる。
位置は、該相互接続体に接続される各電気素子に対する
電気的接続条件に応じて決定される。かかる要求に対処
するため、上記したフォトエッチングプロセスにおいて
は、該フォトマスクを通して該フォトレジスト材料が露
光され、その結果該フォトマスクによってカバーされて
いない各領域に存在するフォトレジスト材料を現像さ
せ、このようにして各該スルーホール28を形成させた
い各位置が規定される。次いで該現像された各領域が周
知のエッチング手法によってエッチング処理される。例
えば化学的なエッチング化合物(コンパウンド)が該フ
ォトレジスト材料に対する各現像領域に適用され、その
結果上記各現像領域において、該第2の誘電体層24−
2が、その表面から該第2の誘電体層を通して該配線面
26−1の表面までエッチング除去される。
ルの形状は、必然的に、該第2の誘電体層24−2の表
面近くでの第1の直径より、該配線面26−1の表面近
くでの第2の直径が小さくされたような、先端を切った
形の円錐形状となる。各該スルーホールがかかる円錐形
状に形成されるのは、上記エッチング化合物が該誘電体
層の表面からその厚み方向に侵入するにつれて生ずるエ
ッチング効率の低下、ならびに各該スルーホールがより
深くエッチングされたときの該フォトレジスト材料から
なる層の僅かなアンダーカットなどがその要因となって
いる。
ーホール28には、以下で“メタライズ”と称するプロ
セスを用いて、導電体材料が充填され、これによって各
バイア30が形成される。ここで各該スルーホールをメ
タライズするための導電体材料は、各種の純金属、各種
の合金、および各種金属と各種誘電体などとの組合せな
どから選択されうる。ただし、かかるメタライズ用の導
電体材料を選択するにあたっては、該選択された導電体
材料が、上記したような配線面26−1などを形成する
ために用いられる導電体材料が有する熱膨張係数とほぼ
等しい値の熱膨張係数を有していることが望ましい。
ール28を充填又はメタライズさせるために用いられう
る。しかしながら、本発明においては、特別に選択され
た手法を採用することによって、上記各スルーホール2
8のメタライズを、ボイド無しに密封された状態で達成
させることが望ましい。このように各該スルーホール2
8のメタライズをボイド無しに密封された状態で完結さ
せるのに好適な1つの手法は、電気メッキプロセスを用
いる手法である。この電気メッキプロセスにおいては、
上記各スルーホール28を充填又はメタライズするため
に選択された金属又は合金が、典型的には、上記したよ
うなメタライズ用の材料のイオンを含む電解槽内に浸さ
れた陽極側電極(アノード)とされる。一方、上記した
導電性の配線面26−1が、典型的には、上記電気メッ
キプロセスがなされている間、陰極側電極(カソード)
とされて、上記電解槽内に浸されている。この状態で所
定の電圧が、該メタライズ用の導電体材料(通常、上記
アノードとされる)と、上記配線面26−1(上述した
ように上記メッキプロセスがなされている間、通常、上
記カソードとされる)との間に印加され、これによっ
て、該メタライズ用の導電体材料が、上記各スルーホー
ル28の内部において、その底部側(すなわち上記配線
面26−1の表面側)から上方側(すなわち上記第2の
誘電体層24−2の表面側)に向って、逐次堆積させら
れる。このようにして各該スルーホール28が上記第2
の誘電体層24−2の表面まで充填(すなわちメタライ
ズ)させられたならば、上記各スルーホール28に対す
るメタライズは完全なものとなる。
ーホール28をボイド無しで密封充填することを保証す
る。その理由は、該メタライズ用の導電体材料が各該ス
ルーホール28における上記カソード部分のみに電気メ
ッキされて行くからであり、この場合、当初は上記配線
面26−1が該カソード部分とされ、その後、上記メタ
ライズ用の導電体材料が堆積(デポジット)されて行く
にしたがって、該堆積(デポジット)された該導電体材
料の表面が逐次上記カソード部分とされて行くからであ
る。ここで該メタライズ用の導電体材料が、各該スルー
ホール28の壁(wall)上にデポジットもしくは電
気メッキされることはない。その理由は、各該スルーホ
ール28の壁が非導電性の誘電体材料で構成されている
からである。各該スルーホール28の壁の周りに該メタ
ライズ用の導電体材料をデポジットさせることなく、各
該スルーホール28をその底部側からその上方側に向っ
てメタライズさせることができるので、該メタライズを
行う期間中に、何等かのボイドが発生するのを防止する
ことができ、その結果、各該スルーホール28内に形成
される各バイア30の導電率を最高の値にすることがで
きる。該メタライズを行うために用いられる他の手法で
は、各該スルーホール28の壁上に該メタライズ用の導
電体材料がデポジットされるため、各種のボイドがしば
しば発生してしまい、その結果、該メタライズ用の導電
体材料を、各該スルーホール28の最底部分まで密封さ
れた状態で充填させたいという課題を解決することを困
難にし、又は不可能にする。
封されるようにメタライズするのに好適な他の手法は、
メタルオルガニックケミカルベーパデポジション(MO
CVD)である。該MOCVDを行うプロセスにおいて
は先ず、各該スルーホール28を充填するために選択さ
れた材料(すなわち有機金属化合物(メタルオルガニッ
クコンポジション))が、所定の蒸発室内に配置され
て、蒸気を発生させるために、酸素を含まない雰囲気中
でその昇華温度まで加熱される。次いで、該蒸気は所定
の反応室内に指し向けられ、該反応室内で該蒸気が、加
熱された状態にある上記相互接続体12に設けられてい
る各該スルーホール28上をその全体に亘って通過させ
られる。その結果、該蒸気は、該配線面26−1の表面
上に金属フィルムを形成するように堆積され、その際該
配線面26−1は金属性蒸気に対する凝集場所として機
能する。ここで該金属性蒸気は上記配線面26−1の表
面上で熱分解され、その結果、各該スルーホール28を
次第に埋め盡くすような導電性の金属フィルムとして残
留する。これによって、一旦、上記各スルーホール28
が上記第2の誘電体層24−2の表面まで充填されたな
らば、各該スルーホール28のメタライゼーションは完
全なものとなる。
8をメタライズさせるのに好適な手法である。その理由
は、該MOCVDによれば、金属と非金属化合物とを含
む導電体材料を堆積(デポジット)させることも可能と
なるからである。有機成分は良好な導電体ではないけれ
ども、該有機成分が有する本質的に低い値の熱膨張係数
(CTE)によって、導電性の金属成分が有する本質的
に高い値のCTEを相殺することが可能となる。したが
って該有機成分を使用することは、上記各スルーホール
28の周囲を取り巻く上記第2の誘電体層24−2が有
するCTEと、該メタライズ用の導電体材料が有するC
TEとを整合させるにあたってきわめて好ましいことで
ある。
各スルーホール28をボイド無しで密封するようにして
メタライズするために用いられうる。次いで第2の配線
(信号線などの)面26−2が、該第2の誘電体層24
−2の表面上に導電体材料を選択的にデポジットするこ
とによって形成される。この場合、該第2の配線面26
−2用として選択される導電体材料も、上記第1の配線
面26−1を形成するのに用いられたのと同様の材料と
されうる。また該第2の配線面26−2は、該第2の誘
電体層24−2の表面上において、直前に形成された配
線面26−1の形成位置に対応した各位置にデポジット
されている。ここで該第2の配線面26−2を形成する
にあたっても、導電体材料が上記第1の配線面26−1
をデポジット形成したのと同様のデポジット手法を用い
てデポジットされうる。この場合、該第2の配線面26
−2を形成するための導電体材料は、該第2の誘電体層
24−2の表面上において、該第2の誘電体層24−2
の表面から該第1の配線面26−1まで延びている各バ
イア30と接触しないようにしてデポジットされる必要
がある。すなわち仮に該第2の配線面26−2が上記各
バイア30のうちの何れかと接触したとすると、上記第
1の配線面26−1と該第2の配線面26−2との間に
短絡回路が生じてしまうため、かかる短絡回路が生ずる
のを阻止する上で、上記したような接触は避けられるべ
きである。かかる接触を避けるために、好適な1具体例
においては、該第2の誘電体層24−2の表面上での上
記各位置において、上記第1の配線面26−1まで延び
ている上記各バイア30と接触しない範囲を限って、該
第2の配線面26−2を形成するための導電体材料が選
択的にデポジットされうる。しかしながら、該相互接続
体に接続される上記各電気素子に対する電気的接続条件
はしばしば変化する可能性があるので、かかる各配線面
相互間での短絡回路の発生を回避するためには、該第2
の配線面26−2などをデポジットするにあたっては、
上記第1の配線面26−1をデポジット形成したのとは
異なる別の態様でデポジットするのが好ましい。
の配線面26−2の表面および直前に形成された誘電体
層24−2の一部表面にデポジットされる。この場合、
該第3の誘電体層24−3を形成するための誘電体材料
も、上記第1および第2の各誘電体層を形成するのに用
いられたのと同様の誘電体材料とすることができ、また
該第3の誘電体層24−3を形成するにあたっても、上
記第1および第2の各誘電体層をデポジット形成したの
と同様のデポジット手法を用いてデポジット形成されう
る。
の誘電体層24−3内に形成される。この場合、各該ス
ルーホールを形成するにあたっても、上記第2の誘電体
層24−2内に各スルーホールを形成したのと同様のエ
ッチング手法を用いてエッチング形成されうる。ここで
該第3の誘電体層24−3内に形成される各該スルーホ
ールの位置と数は、該第2の誘電体層24−2内に形成
されている既存の各バイア30の位置と数、および上記
第2の配線面26−2に直接電気接続させようとする各
バイアの位置と数とに応じて、それぞれ決定される。換
言すれば、該第3の誘電体層24−3内に形成される各
該スルーホールの位置と数とはともに、該相互接続体に
接続される上記各電気素子に対する電気的接続条件に応
じて決定されることになる。図3は、本発明での好適な
1実施例として、上記第1の配線面26−1に電気接続
されている既存の各バイア30の位置と数、および上記
第2の配線面26−2に電気接続させるために新たに形
成しようとする各バイアの位置と数とにそれぞれ対応さ
せて、該第3の誘電体層24−3内に形成されるべき各
スルーホール28の位置と数とが決められうることを示
している。
成された各スルーホール28がメタライズされて、該第
3の誘電体層24−3内に各バイア30が形成される。
この場合、上記各スルーホールをメタライズするにあた
っても、上記第2の誘電体層24−2内に形成された各
スルーホールをメタライズするために用いた材料と同様
の導電体材料を用いることができ、また上記第2の誘電
体層24−2内に形成された各スルーホールをメタライ
ズするのに用いたのと同様のメタライズ手法を用いてメ
タライズすることができる。
するステップ、該配線面の表面上などに誘電体層をデポ
ジット形成するステップ、該誘電体層内に各スルーホー
ルを形成するステップ、および上記各スルーホールをメ
タライズして各導電性バイアを形成するステップが、各
該配線面および上記各バイアの数と配列状態とがそれぞ
れ所定の数と所定の配列状態とになるのに必要な回数だ
け、上述したような要領で繰返し実行されうる。
ーホールを形成し、更にこのようにして形成された各ス
ルーホールをメタライズして各導電性バイアを形成する
ことは、高いアスペクト比(ここで該アスペクト比は、
バイアの長さ又は深さHと、該バイアの直径Wとの比、
すなわちH/Wとして規定される)がえられるように、
各バイアを形成することが可能となるため、きわめて有
利なことである。かかる薄膜手法および上述したような
スルーホール形成方法および該スルーホールに対するメ
タライズ方法を用いることによって、本発明にかかる相
互接続体は、プリント配線手法を用いて構成された相互
接続体に比し、はるかに高密度に各該バイアをそなえさ
せるように構成されうる。したがって本発明において採
用されているかかる薄膜手法は、特に高性能のコンピュ
ータなどに使用される相互接続体を構成する上で最適な
手法である。すなわち本発明のようにかかる薄膜手法を
用いることによって、各該バイアのピッチがほぼ10マ
イクロメートルとなるように、上記相互接続体を構成す
ることが可能となる。これに対し、プリント配線手法を
用いて構成された相互接続体では、各バイアのピッチ
を、せいぜい0.10ミリメートル程度にしかとること
ができず、それ以上に高密度に上記各バイアを形成する
ことは不可能である。
るにあたっては、上記した各誘電体層のうちのある誘電
体層の表面に、上記配線面に代えて、グランド面を形成
することが望ましい場合がある。その理由はかかるグラ
ンド面を形成することによって、互にきわめて接近した
状態で順次配列されている上記各導電性配線面にそれぞ
れ存在する各電気配線が電気信号又は電力を伝送するた
めに使用されているときに発生するおそれがある静電的
障害又は相互干渉的障害を抑制することができるからで
ある。したがってかかるグランド面の形成が望まれる場
合には、上記各電気配線を予期していない各種の電磁的
障害などから保護するためのシールドとして作用させる
ために、該グランド面が上記各電気配線の間に形成され
うる。かかるグランド面の形成は、該相互接続体が特に
高性能のコンピュータなどの用途に使用される場合に特
に好ましいことである。その理由は、かかる用途におい
ては、上記各電気配線によって伝送される電気信号の完
全性がきわめて厳密に要求されるからである。
での好適な実施例においては、図4に示されるように、
グランド面32が上記第3の誘電体層24−3の表面に
付加される。かかるグランド面32を形成するにあたっ
ても、上記各配線面26−1,26−2、および上記各
バイア30を形成するのに用いられたのと同様の導電体
材料を用いて形成することができる。これによって、該
グランド面32を形成するために用いられる導電体材料
が有する熱膨張係数(CTE)を、該薄膜型相互接続体
を構成する導電性の各素子を形成するために用いられる
各導電体材料がそれぞれ有する熱膨張係数(CTE)の
何れとも整合させることが可能となる。またかかるグラ
ンド面32を形成するにあたっては、上記各配線面26
−1および26−2をデポジット形成した場合と同様の
デポジット手法を用いてデポジット形成されうる。ここ
で該グランド面32は、該誘電体層24−3の表面上に
おいて、それ以前に形成された各配線面の形成位置に対
応した各位置にデポジット形成される。この場合、該グ
ランド面32は、上記図4に示されるように、直前に形
成された誘電体層24−3内に存在する各バイアと接触
しないようにして、選択的にデポジットされる必要があ
る。
32が、単にその1例として、上記第3の誘電体層24
−3の表面上にデポジットされている。しかしながら、
上述したような予期しない各種の電磁的障害などを受け
ないように電気的にシールドしたい電気配線をそなえた
配線面の数に応じて、該薄膜型相互接続体内に上述した
ようなグランド面32を任意の数だけデポジット形成す
ることができることは明らかである。したがって結局、
該薄膜型相互接続体内に形成されるべき上記グランド面
の位置と数は、該相互接続体に接続しようとする各電気
素子に対する電気的接続条件に応じて、それぞれ決定さ
れることになる。
に形成された誘電体層24−3の一部表面上とに、第4
の誘電体層24−4がデポジットされた後の段階での、
該薄膜型相互接続体の状態構成を示している。該第4の
誘電体層24−4を形成するにあたっても、それ以前に
形成された各誘電体層を形成するのに用いられたのと同
様の誘電体材料を用いることができ、また上記各誘電体
層をデポジット形成した場合と同様のデポジット手法を
用いてデポジット形成されうる。次いで所定数のスルー
ホールが、それ以前に形成された各誘電体層内に各スル
ーホールを形成した場合と同様のエッチング手法を用い
て、該第4の誘電体層24−4内に形成される。ここで
各該スルーホール28は、上記第1の配線面26−1お
よび第2の配線面26−2まで述びている各バイアに対
応する各位置に形成される。次いで各該スルーホール
は、それ以前に形成された各誘電体層内に形成された各
スルーホールをメタライズした場合と同様のデポジット
手法を用いて、メタライズされる。
−3が、該第4の誘電体層24−4の表面上において、
それ以前に形成された各配線面26−1および26−2
の形成位置に対応した各位置にデポジット形成される。
該第3の配線面26−3を形成するにあたっても、上記
各配線面26−1および26−2を形成するのに用いら
れたのと同様の導電体材料を用いることができ、また上
記各配線面26−1および26−2をデポジット形成し
た場合と同様のデポジット手法を用いて、上記各配線面
26−1および26−2の形成位置に対応した各位置に
デポジット形成されうる。
の配線面26−3の表面上および直前に形成された誘電
体層24−4の一部表面上にデポジットされる。該第5
の誘電体層24−5を形成するにあたっても、それ以前
に形成された各誘電体層24−1,24−2,24−
3、および24−4を形成するのに用いられたのと同様
の誘電体材料を用いることができ、また上記各誘電体層
24−1,24−2,24−3、および24−4をデポ
ジット形成した場合と同様のデポジット手法を用いてデ
ポジット形成されうる。次いで所定数のスルーホール
が、それ以前に形成された各誘電体層内に各スルーホー
ルを形成した場合に用いられたのと同様のエッチング手
法を用いて、該第5の誘電体層24−5内に形成され
る。ここで各該スルーホールは、上記各配線面26−1
および26−2までそれぞれ延びている各バイアに対応
する各位置、および上記配線面26−3まで延びるよう
に形成したい各バイアに対応する各位置に形成される。
次いで、このようにして形成された各該スルーホールが
メタライズされることによって各バイアが形成される。
この場合、かかる各バイアを形成するにあたっても、そ
れ以前に形成された各誘電体層内に形成された各スルー
ホールをメタライズするのに用いられたのと同様の導電
体材料を用いることができ、また上記各誘電体層内に形
成された各スルーホールをメタライズした場合に用いら
れたのと同様のデポジット手法を用いてメタライズされ
うる。説明を分り易くしかつ例示的なものとする上で、
図5においては、第5の誘電体層24−5が、最後に形
成される誘電体層であるとして示されている。
各誘電体層、および各バイアがそれぞれ所望の数だけ形
成されたならば、所定数の接触パッド18が、上記した
ようにして最後に形成された誘電体層24−5の前表面
上に選択的にデポジット形成される。かかる各接触パッ
ド18は、各コネクタ14を構成する各バイア30の形
成位置に対応する各位置において、上記各バイア30と
それぞれ電気接続されるような態様でデポジット形成さ
れる。かかる各接触パッド18を形成するにあたって
も、上述したようにして上記各スルーホールをメタライ
ズするのに用いられたのと同様の導電体材料を用いるこ
とができる。その結果、上記各接触パッド18を構成す
る導電体材料が有する熱膨張係数(CTE)を、上記各
接触パッドとそれぞれ電気接続されている各バイア30
を構成する導電体材料が有する熱膨張係数(CTE)と
整合させることができ、これによって上記したような各
種の熱的ストレスの発生を回避することができる。更に
かかる各接触パッド18を形成するにあたっても、上記
各配線面26−1乃至26−3をデポジット形成した場
合に用いられたのと同様の選択的なデポジット手法を用
いて、デポジット形成されうる。
て、3つの配線面26−1乃至26−3、1つのグラン
ド面32、および5つの誘電体層24−1乃至24−5
をそなえた薄膜型相互接続体12が例示されているが、
この実施例は単に説明を分り易くする目的で例示された
ものにすぎないことは明らかである。したがって、かか
る薄膜型相互接続体12に形成されるべき各配線面、各
グランド面、各誘電体層、各バイア、および各接触パッ
ドの数および/又はそれらの配列状態が、該相互接続体
に接続しようとする各電気素子に対する種々の電気的接
続条件に応じて、上述したものとは異なる数および/又
は配列状態とされたとしても、すべて本発明の範囲に含
まれていると解されるべきである。
を順次多層状にデポジット形成することによって、各該
配線面に存在する各電気配線を相互に交差するように配
線することが可能となり、これによって該相互接続体に
接続しようとする各電気素子の間を相互接続するにあた
り、如何なる接続条件にも適応させることが可能とな
る。したがってかかる薄膜型相互接続体を利用すること
によって、あるMCMに形成されているあるリード線
を、該MCMの近くに配置されている他のMCMに形成
されている如何なるリード線とも、容易かつ確実に電気
接続することができる。かかる点を考慮すると、該薄膜
型相互接続体に形成されるべき各配線面の数は、該相互
接続体が利用される各分野においてそれぞれ要求される
相互接続条件、およびそれに伴って発生する上記各電気
配線の所要交差度数などを勘案して、所定の数に設定さ
れるのが望ましい。
相互接続体内での所定の各位置に各配線面と各誘電体層
とを交互に組合せるようにしてデポジットさせて行くこ
とにより、上記した各位置を除く各位置に、上記基板2
2と上記各誘電体層24−1乃至24−5とにより構成
される中間体33が形成されることになる。かかる中間
体33は、横方向に隔離されている各配線面セット27
の間にそれぞれ存在することになり、かかる中間体33
によって上記各配線面セット27相互間が電気的に隔離
される。上記図5には、本発明での好適な1実施例とし
て、2つの配線面セット27の間に存在する該相互接続
体の中央部分に、単一の中間体33が存在しているよう
な薄膜型相互接続体が示されている。しかしながら、該
薄膜型相互接続体内に形成されるべき該中間体33の数
は、上記した配線面セット27、換言すればかかる配線
面セット27により構成されるコネクタ14についての
必要数に応じて、任意の数とされうることは言うまでも
ない。例えば、上記した配線面セット27、換言すれば
上記コネクタ14を3つそなえた薄膜型相互接続体にお
いては、2つの中間体33が形成されることになる。
に、所定数の導電性ワイヤ16が、上記最後に形成され
た誘電体層24−5の表面上に形成されるここで各該ワ
イヤ16は、あるコネクタ14に形成されている各接触
パッド18から該中間体33上を横切って他のコネクタ
14に形成されている対応の各接触パッド18までそれ
ぞれ延びるように形成されており、これによって該対応
する上記各接触パッド同志がそれぞれ電気接続される。
かかる各ワイヤ16を形成するにあたっても、上記各配
線面26−1乃至26−3、上記グランド面32、上記
各バイア30、および上記各接触パッド18をそれぞれ
デポジット形成するのに用いられたのと同様の導電体材
料を用いてデボジット形成することができる。これによ
って上記各ワイヤ16を構成する導電体材料が有する熱
膨張係数(CTE)を、上記各配線面26−1乃至26
−3、上記グランド面32、上記各バイア30、および
上記各接触パッド18をそれぞれ構成する各導電体材料
がそれぞれ有する熱膨張係数(CTE)の何れとも整合
させることが保証される。またかかる各ワイヤ16を形
成するにあたっては、上記各配線面26−1乃至26−
3および上記グランド面32をデポジット形成した場合
に用いられたのと同様の選択的なデポジット手法を用い
て、上記各コネクタ14の前表面上と上記中間体33の
前表面上とにデポジット形成されうる。上記図6は、上
記各ワイヤ16がデポジット形成された後での、中間段
階としての該薄膜型相互接続体の平面図である。
によって完成した、該薄膜型相互接続体12の構成を例
示している。上記図7に示されるように、該薄膜型相互
接続体12においては、該相互接続体を構成する各コネ
クタ14が、所定数のワイヤ16を介して、電気的およ
び機械的に相互接続されている。ここで上記した中間体
33は、上記各誘電体層24−1乃至24−5内にそれ
ぞれ各スルーホールを形成した場合に用いられたのと同
様のエッチング手法を用いてエッチング除去されうる。
このように上記中間体33を除去することによって、該
相互接続体12を構成する何れのコネクタ14について
も、残余の各コネクタ14に対して自由な位置をとりう
るようにフレキシブルな相対的移動を容易に行わせるこ
とができる。したがってかかる構成をそなえた薄膜型相
互接続体12によれば、異なる面にそれぞれ配置されて
いる各電気素子の間を容易かつ確実に相互接続すること
が可能となる。
の代りに、もし全体形状が不変とされたリジッドな薄膜
型相互接続体が所望される場合には、上記中間体33を
そのまま残存させておくこともできる。そしてかかる薄
膜型相互接続体12によれば、同じ面にそれぞれ配置さ
れている各電気素子の間を相互接続するような場合に有
利に使用されうる。
体33が除去されたような場合には、互に対向した状態
にある各コネクタ14の間に存在する各ワイヤ16の部
分は、自己支持機能を確保するのに必要な厚みとなるよ
うに、その周囲がデポジット被覆されうる。更にまた、
上記各ワイヤ16に使用される材料は、上述したような
異なる面にそれぞれ配置されている各MCMの間を上記
各コネクタ14を用いて相互接続する際に必要とされる
曲がりを支障なく発揮しうるような所要の柔軟性を有し
ていることが望ましい。なお上記各ワイヤ16は互に分
離形成されているので、上記した以外には特に付加的な
電気絶縁処理を通常は必要としないけれども、もし必要
があれば、上記各コネクタ14上に形成されている上記
各接触パッド18を一時的にマスクしておいて、上記各
コネクタ14上に形成されている各ワイヤ16の部分に
も、その周りに電気絶縁材料がデポジット被覆されう
る。
ネクタ14が上記各ワイヤ16を介して一体となるよう
に相互接続されているが、かかる各ワイヤ16を用いる
代りに、例えばワイヤケーブルを用いて、上記各コネク
タ14(2つ以上のコネクタ14)同志を相互接続する
ことも考えられる。この場合、周知のリボンケーブルな
どを用いて、あるコネクタ14に形成されているあるピ
ン(上記接触パッドに相当する)を、他のコネクタ14
に形成されているあるピン(上記接触パッドに対応する
他の接触パッドに相当する)と電気接続するような要領
で、上記した各ピン同志がそれぞれ相互に電気接続され
る。このようにして本発明にかかる薄膜型相互接続体1
2においては、上記したような各ワイヤ16あるいはワ
イヤケーブルなどを用いて、該相互接続体12を構成す
るあるコネクタ14に形成されている任意のピン又は任
意の接触パッドと、他のコネクタ14に形成されている
対応する任意のピン又は任意の接触パッドとを、それぞ
れ相互接続することができる。更に本発明にかかる相互
接続体12においては、上記各配線面26−1乃至26
−3などにそれぞれ形成されている各配線パターンを利
用して、該相互接続体12を構成するあるコネクタ14
に形成されているある接触パッド又はピンを、他のコネ
クタ14に形成されているいくつかの対応する接触パッ
ド又はピンと、それぞれ相互接続するような要領で、上
記各接触パッド又は上記各ピン同志を、それぞれ相互接
続することが可能となる。
における好適な1実施例としての薄膜型相互接続体の製
造方法を、ステップ形式で概説したフローチャートであ
る。図10乃至図12は、本発明での好適な1実施例と
しての、2つのコネクタ14を有する薄膜型相互接続体
12において、各該コネクタ14が互に異なる3つの位
置関係に置かれた場合の各使用状態をそれぞれ例示して
いる。すなわち該薄膜型相互接続体12を上記図10に
示されるような状態で使用した場合には、特に同じ面に
それぞれ配置された各電気素子の間を容易かつ確実に電
気接続することができる。また該薄膜型相互接続体12
を上記図11に示されるような状態で使用した場合に
は、特に互に直角をなす各面にそれぞれ配置された各電
気素子の間を容易かつ確実に電気接続することができ
る。また該薄膜型相互接続体12を上記図12に示され
るような状態で使用した場合には、特に異なる高さの2
つの平行面にそれぞれ配置された各電気素子の間を容易
かつ確実に電気接続することができる。ただし上述した
ような各使用例は単に例示的なものにすぎず、本発明に
かかる薄膜型相互接続体12によれば、該相互接続体を
構成する上記各コネクタ14が上述したように互にフレ
キシブルな相対的移動をなしうるように構成されている
ので、上述した以外の種々の異なる面にそれぞれ配置さ
れている各電気素子の間をも、容易かつ確実に電気接続
することが可能となる。
ての薄膜型相互接続体12として、該相互接続体を構成
する2つのコネクタ14のうち、一方のコネクタ14の
背面に***部34が形成され、他方のコネクタ14の背
面に該***部34に対しほぼ相補的に作用するような切
欠部36が形成されている相互接続体を例示している。
かかる構成をそなえているので、もし該薄膜型相互接続
体を形状不変のリジッドな部材として使用したい場合に
は、上記***部34と切欠部36とを利用して、各該コ
ネクタ14の背面同志の位置合せ(アライン)がなされ
る。更に必要があれば、各該コネクタにそれぞれ形成さ
れている上記***部34と切欠部36とに接着剤を適用
して各該コネクタ14同志を付着させ、次いで上記***
部34および切欠部36の各位置を合せ(アライン
し)、更に各該コネクタ14の各背面を一体化させる方
向に押し付ける。この場合、該薄膜型相互接続体に各電
気素子を電気接続する際に遭遇する種々のはんだ付け温
度に耐えられるような有機又は無機の各種接着剤が、各
該コネクタ14同志を付着させるのに使用されうる。か
かる目的で使用するのに好適な有機の接着剤は、エポキ
シ、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、お
よびポリエーテルケトンなどから選択されることがで
き、これらの各接着剤はすべてフィルム状にして適用さ
れうる。一方、かかる目的で使用するのに好適な無機の
接着剤は、低いシーリング温度(例えば450℃以下)
を有する各種ガラスおよび各種合金などから選択されう
る。なおもし必要があれば、各該コネクタ14の各背面
間に各種のガラススペーサなどを配設することもでき、
これによって上記各電気素子間を相互接続する際に要求
される、該薄膜型相互接続体の全体の厚さを、必要な厚
さとなるように適宜調整することができる。
は、各該コネクタ14の各背面同志を相補的に係合させ
る手段として上記したような***部34と切欠部36と
が設けられているが、かかる係合あるいは位置合せを確
保する手段として、本発明においては他の適宜の構成を
採用することができる。更に上記図13には、ある1つ
の薄膜型相互接続体を構成する各コネクタ同志をそれら
の背面側で一体化させうるようにした相互接続体が例示
されているが、上述したような係合あるいは位置合せ手
段などを利用して、別々の各薄膜型相互接続体にそれぞ
れ設けられている各コネクタ14同志を相互に一体化さ
せるようにすることも、本発明の範囲に含まれるべきで
ある。
互接続体についてこれまで図示説明してきたが、上述し
た実施例以外にも、種々の変形例や各種の実施例が、本
発明の範囲内のものとして当業者にとって容易に考えら
れうることは明らかである。その1例として、図14に
は、本発明での他の好適な実施例として、上述したよう
な本発明の製造方法にしたがって製造された、3つのコ
ネクタ14をそなえた薄膜型相互接続体12が例示され
ている。これまでの説明から明らかなように、該図14
に示される薄膜型相互接続体12は、対応する各誘電体
層上での3つの異なる各位置に各配線面をそれぞれ選択
的にデポジットすることによってえられるもので、これ
により3つの配線面セット(したがって3つのコネクタ
14)が形成されることになる。かかる薄膜型相互接続
体12は、該相互接続体を構成する各ワイヤ16を介し
て該3つのコネクタ14の各位置をそれぞれ所要の位置
に設定することにより、異なる面にそれぞれ配置された
特に3つ以上の各電気素子の間を相互接続するような場
合に、きわめて好適に使用されうる。このように該薄膜
型相互接続体に接続されるべき各電気素子に対する電気
的な相互接続条件に応じて、該相互接続体を構成する各
コネクタ14の数をどのような値に設定した場合でも、
すべて本発明の範囲に含まれうることは明らかである。
本発明での更に他の好適な実施例として、上述したよう
な本発明の製造方法にしたがって製造された、5つのコ
ネクタ14をそなえた薄膜型相互接続体12が例示され
ている。該図15から明らかなように、かかる薄膜型相
互接続体12は、互に異なる5つの面にそれぞれ配置さ
れた特に5つ以上の各電気素子の間の相互接続を確保す
るような場合にきわめて好適に使用されうる。該図15
に示される薄膜型相互接続体12は、対応する各誘電体
層上での5つの異なる各位置に各配線面をそれぞれ選択
的にデポジットすることによってえられるもので、これ
により5つの配線面セット(したがって5つのコネクタ
14)が形成されることになる。
変形例や各種の実施例が考えられるので、本発明は、上
述した実施例によって限定されるべきものではなく、上
記した特許請求の範囲に規定された範囲内で、種々の態
様で実施されうるものである。
などに存在する各電気素子の間を相互接続することがで
きるように、所定の表面領域内に多数の電気的接続部が
形成された高密度型の薄膜型相互接続体とすることがで
きる。また本発明によれば、互に異なる面にそれぞれ配
置されている各電気素子の間を自由に相互接続すること
ができるような、三次元性の薄膜型相互接続体とするこ
とができる。更にまた本発明によれば、使用すべき各材
料および採用すべき各薄膜手法としてそれぞれ所定の材
料および手法を選択することによって、上記したような
薄膜型相互接続体を実用的かつ経済的に製造することが
できる。
て、2つのマルチ・チップモジュール10が電気的に接
続されている状態を示す斜視図である。
て、異なる高さの異なる面にそれぞれ配置されている2
つのマルチ・チップモジュール10が電気的に接続され
ている状態を示す側面図である。
接続体について、第3の誘電体層24−3が形成された
後の中間段階での状態構成を拡大して示す縦断面図であ
る。
接続体について、第4の誘電体層24−4が形成された
後の中間段階での状態構成を拡大して示す縦断面図であ
る。
接続体について、第5の誘電体層24−5、各接触パッ
ド18、および各ワイヤ16がそれぞれ形成された後の
中間段階での状態構成を拡大して示す縦断面図である。
接続体について、上記各接触パッド18および各ワイヤ
16がそれぞれ形成された後の中間段階での状態構成を
拡大して示す平面図である。
接続体について、中間体33が除去されたことによって
出来上った、最終製品としての該相互接続体の構成を拡
大して示す縦断面図である。
接続体の製造方法を、ステップ形式で概説したフローチ
ャートである。
接続体の製造方法を、ステップ形式で概説したフローチ
ャートである。
互接続体の1使用状態として、該相互接続体を構成する
2つのコネクタ14が同じ面にそれぞれ位置している場
合を例示する斜視図である。
互接続体の他の使用状態として、該相互接続体を構成す
る2つのコネクタ14が互いに直角をなす各面にそれぞ
れ位置している場合を例示する斜視図である。
互接続体の更に他の使用状態として、該相互接続体を構
成する2つのコネクタ14が異なる高さの2つの平行面
にそれぞれ位置している場合を例示する斜視図である。
互接続体として、該相互接続体を構成する2つのコネク
タ14の各背面に、互に位置整合しうるような各係合部
がそれぞれ形成されている該相互接続体の構成を例示す
る斜視図である。
相互接続体として、3つのコネクタ14をそなえた相互
接続体の構成を例示する斜視図である。
膜型相互接続体として、5つのコネクタ14をそなえた
相互接続体の構成を例示する斜視図である。
Claims (39)
- 【請求項1】 非導電体層の表面上に導電体層を形成す
るステップと、 該導電体層の表面上に誘電体層を形成するステップと、 該誘電体層の表面から該誘電体層を通して該導電体層ま
で延びている各導電性バイアを形成するステップとをそ
なえ、 所定数の導電体層がえられるまで、導電体層を形成する
ステップと、誘電体層を形成するステップと、各導電性
バイアを形成するステップとを繰返し、更に、 上記各導電性バイアの間をそれぞれ電気的に相互接続す
るステップと、 各該導電体層と連結されていない少なくとも一の部分に
存在する非導電体層と各該誘電体層とを除去するステッ
プとをそなえていることを特徴とする、薄膜型相互接続
体の製造方法。 - 【請求項2】 該非導電体層又は直前に形成された誘電
体層での各選択領域上に導電体材料をデポジットするこ
とによって各該導電体層を形成し、上記各選択領域上に
デポジットされた各該導電体層で導電体層セットを構成
するようにした、請求項1に記載の製造方法。 - 【請求項3】 上記各導電性バイアをそなえた誘電体層
の表面上に導電体材料を選択的にデポジットすることに
よって、各該導電体層セットを構成する上記各導電性バ
イアをそれぞれ電気的に相互接続するようにした、請求
項2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 各該導電体層セットを構成していない領
域に存在する該非導電体層および各該誘電体層を除去す
ることによって、各コネクタを形成するようにした、請
求項2に記載の製造方法。 - 【請求項5】 該誘電体層内に各スルーホールを形成
し、上記各スルーホールに導電体材料を充填することに
よって、上記各導電性バイアを形成するようにした、請
求項1に記載の製造方法。 - 【請求項6】 該誘電体層の表面から直前に形成された
誘電体層内に存在する上記各導電性バイアまで延びるよ
うに、該誘電体層内に所定数のスルーホールを形成する
ようにした、請求項5に記載の製造方法。 - 【請求項7】 該誘電体層の表面から直前に形成された
導電体層まで延びるように、該誘電体層内に所定数のス
ルーホールを形成するようにした、請求項6に記載の製
造方法。 - 【請求項8】 各該スルーホールに導電体材料を充填し
て、各導電性バイアを形成するようにした、請求項7に
記載の製造方法。 - 【請求項9】 上記各導電性バイア上に導電体材料をデ
ポジットすることによって、最後に形成された誘電体層
の表面上に各接触パッドを形成するようにした、請求項
1に記載の製造方法。 - 【請求項10】 互にほぼ等しい熱膨張係数を有する各
導電体材料を用いて、各該導電体層、上記各導電性バイ
ア、上記各接触パッド、および上記各導電性バイア間で
の各電気的接続部を形成するようにした、請求項9に記
載の製造方法。 - 【請求項11】 第1の非導電体層の背面上に、ほぼ相
補的に作用するような各係合部を形成するようにした、
請求項1に記載の製造方法。 - 【請求項12】 異なる面にそれぞれ配置された各電気
素子の間を電気的に相互接続しうるようにした三次元性
の薄膜型相互接続体の製造方法であって、 基板表面上に誘電体層を形成するステップと、 該誘電体層の表面での選択された各部分上に導電体層を
形成するステップと、 該導電体層および該基板の表面上に誘電体層を形成する
ステップと、 該誘電体層内に所定数のスルーホールを形成するステッ
プと、 各該スルーホールに導電体材料を充填するステップとを
そなえ、 所定数の導電体層が形成されるまで、導電体層を形成す
るステップと、誘電体層を形成するステップと、所定数
のスルーホールを形成するステップと、各該スルーホー
ルを充填するステップとを繰返し、更に、 最後に形成された誘電体層の表面上に所定数の接触パッ
ドを形成するステップと、 各該接触パッドの間をそれぞれ電気的に相互接続して、
各該接触パッドの間にそれぞれ延びるような所定数のワ
イヤを形成するステップと、 上記各電気素子と電気接続しうるような少なくとも2つ
のコネクタを形成するように、該基板および各該誘電体
層の一部を除去するステップとをそなえていることを特
徴とする、三次元性の薄膜型相互接続体の製造方法。 - 【請求項13】 直前に形成された誘電体層の表面上に
おいて、互に電気的に隔離された各位置に導電体材料を
選択的にデポジットすることによって各該導電体層を形
成し、同じ位置にデポジットされた各該導電体層によっ
て導電体層セットを構成するようにした、請求項12に
記載の製造方法。 - 【請求項14】 直前に形成された誘電体層に存在する
該充填された各スルーホールと接触しないようにして、
該導電体層をデポジットするようにした、請求項13に
記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項15】 該誘電体層の表面と直前に形成された
導電体層の表面との間に存在する各該誘電体層の一部を
除去することによって各スルーホールを形成し、上記各
スルーホールの形成位置を所定の電気的接続部に対応さ
せた、請求項13に記載の製造方法。 - 【請求項16】 該誘電体層の表面と直前に形成された
誘電体層の表面との間に存在する各該誘電体層の一部を
除去することによって各スルーホールを形成し、上記各
スルーホールの形成位置を直前に形成された誘電体層内
での該充填された各スルーホールの位置に対応させた、
請求項15に記載の製造方法。 - 【請求項17】 最後に形成された誘電体層の表面上に
おいて、該充填された各スルーホールに対応する各位置
に導電体材料を選択的にデポジットすることによって、
各該接触パッドを形成するようにした、請求項12に記
載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項18】 該充填された各スルーホールをそなえ
た誘電体層の表面上に導電体材料を選択的にデポジット
することによって、各該ワイヤを形成するようにした、
請求項13に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項19】 ある導電体層セット内に形成されてい
る該充填されたスルーホールを、他の導電体層セット内
に形成されている該スルーホールと対応する他の充填さ
れたスルーホールと電気的に接続するような要領で、各
該ワイヤをデポジットするようにした、請求項18に記
載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項20】 各該導電体層セットを構成していない
部分に存在する該基板および各該誘電体層を除去するこ
とによって、各該ワイヤを介して一体的に保持された少
なくとも2つのコネクタを形成するようにした、請求項
13に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項21】 各該コネクタにおける各該接触パッド
と対向した表面上に、ほぼ相補的に作用するような各係
合部を形成することによって、各該コネクタ相互の位置
整合を確保しうるようにした、請求項20に記載の相互
接続体の製造方法。 - 【請求項22】 該相補的に作用する上記各係合部に有
機又は無機の接着剤を適用することによって各該コネク
タ同志を付着させ、次いで上記各係合部の位置を整合さ
せ、更に各該コネクタを一体化する方向に押圧するよう
にした、請求項21に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項23】 互にほぼ等しい熱膨張係数を有する各
導電体材料を用いて、各該導電体層を形成し、各該スル
ーホールを充填し、各該接触パッドを形成し、更に各該
ワイヤを形成するようにした、請求項13に記載の相互
接続体の製造方法。 - 【請求項24】 異なる面にそれぞれ配置された各電気
素子相互間に電気信号を伝送しうるようにした薄膜型相
互接続体の製造方法であって、 基板表面に第1の誘電体層を付加するステップと、 該第1の誘電体層の表面での選択された各部分に第1の
配線面を付加するステップと、 該第1の配線面および該基板の表面に第2の誘電体層を
付加するステップと、 所定の電気的接続部に対応するパターンとなるように該
第2の誘電体層内に第1の所定数のスルーホールを形成
するステップと、 該第1の各スルーホールに導電体材料を充填するステッ
プと、 該第2の誘電体層の表面での選択された各部分に第2の
配線面を付加するステップと、 該第2の配線面および該第2の誘電体層の表面に第3の
誘電体層を付加するステップと、 該第1の該充填された各スルーホールに対応するパター
ンと所定の電気的接続部に対応するパターンとを合成し
たパターンとなるように、該第3の誘電体層内に第2の
所定数のスルーホールを形成するステップと、 該第2の各スルーホールに導電体材料を充填するステッ
プと、 該第1および該第2の該充填された各スルーホールの各
形成位置に対応させて、該第3の誘電体層の表面に所定
数の接触パッドを付加するステップと、 各該接触パッドの間をそれぞれ電気的に相互接続するよ
うにして、該第3の誘電体層の表面に所定数のワイヤを
付加するステップと、 各該配線面も該充填された各スルーホールも形成されて
いない部分に存在する該基板および各該誘電体層を除去
するステップとをそなえていることを特徴とする、薄膜
型相互接続体の製造方法。 - 【請求項25】 所定数の配線面が形成されるまで、誘
電体層の表面に配線面を付加するステップと、該配線面
の表面に誘電体層を付加するステップと、誘電体層内に
所定数のスルーホールを形成するステップと、該所定数
の各スルーホールに導電体材料を充填するステップとを
繰返すようにした、請求項24に記載の相互接続体の製
造方法。 - 【請求項26】 該誘電体層の表面と直前に形成された
配線面との間に延びている該誘電体層の一部を除去する
ことによって所定数のスルーホールを形成し、各該スル
ーホールの形成位置を所定の電気的接続部に対応させ
た、請求項25に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項27】 直前に形成された誘電体層内での該充
填された各スルーホールに対応する各位置に、所定数の
スルーホールを形成するようにした、請求項26に記載
の相互接続体の製造方法。 - 【請求項28】 直前に形成された誘電体層の表面上に
おいて、互に電気的に隔離された2つ以上の異なる位置
に導電体材料を選択的にデポジットすることによって各
該配線面を付加し、各該誘電体層上での同じ位置にデポ
ジットされている各配線面によって配線面セットを構成
し、各該配線面セットを構成している上記各配線面は直
前に形成された誘電体層内に形成されている該充填され
た所定数のスルーホールと接触しないようにしてデポジ
ットされている、請求項27に記載の相互接続体の製造
方法。 - 【請求項29】 最後に形成された誘電体層の表面上に
導電体材料を選択的にデポジットすることによって所定
数のワイヤを付加し、各該ワイヤは、ある配線面セット
に形成された接触パッドを他の配線面セットに形成され
た該接触パッドと対応する他の接触パッドと電気的に接
続するような要領で、各該接触パッドの間にそれぞれ延
びている、請求項28に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項30】 各該配線面セットを構成していない部
分に存在する該基板および各該誘電体層を除去すること
によって、該所定数のワイヤを介して相互に結合された
少なくとも2つの電気的コネクタを形成するようにし
た、請求項29に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項31】 該誘電体層の表面に該配線面に代えて
グランド面をそれ以前又はそれ以後の各ステップで形成
される各配線面の電気的特性に応じて付加するステップ
と、該グランド面を付加した後に該グランド面の表面に
誘電体層を付加するとともに所定数のスルーホールを該
誘電体層内に形成するステップとを更にそなえ、各該ス
ルーホールの形成パターンが直前に形成された誘電体層
内に形成されている該充填された各スルーホールに対応
したパターンとなるようにした、請求項30に記載の相
互接続体の製造方法。 - 【請求項32】 互にほぼ等しい熱膨張係数を有する各
導電体材料を用いて、各該配線面を付加し、各該グラン
ド面を付加し、各該スルーホールを充填し、各該接触パ
ッドを付加し、更に各該ワイヤを付加するようにした、
請求項31に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項33】 各該コネクタにおける各該接触パッド
と対向した表面上に、ほぼ相補的に作用するような各係
合部を形成することによって、各該コネクタ相互の位置
整合を確保しうるようにした、請求項32に記載の相互
接続体の製造方法。 - 【請求項34】 該相補的に作用する上記各係合部に有
機又は無機の接着剤を適用することによって各該コネク
タ同志を付着させ、次いで上記各係合部の位置を整合さ
せ、更に各該コネクタを一体化する方向に押圧するよう
にした、請求項33に記載の相互接続体の製造方法。 - 【請求項35】 異なる面にそれぞれ配置された各電気
素子の間を電気的に相互接続しうるようにした少なくと
も2つのコネクタをそなえた三次元性の薄膜型相互接続
体であって、各該コネクタが、 基板層と、 該基板層上において誘電体層と導電性配線面とが交互に
配列されたものと、 該誘電体層から延びていて各該配線面とそれぞれ電気接
続されている所定数の導電性バイアと、 あるコネクタに存在する各該導電性バイアと他のコネク
タに存在する各該導電性バイアとをそれぞれ電気接続す
るような所定数の導電性ワイヤとをそなえていることを
特徴とする、三次元性の薄膜型相互接続体。 - 【請求項36】 各該導電性バイアは、該誘電体層を通
して延びている各スルーホールに導電体材料が充填され
ることにより構成されており、かつ各該導電性バイアは
該誘電体層の前表面近傍での第1の直径が該誘電体層に
おける該前表面と対向している背面近傍での第2の直径
より大きくされたような先端を切った形の円錐形状を順
次繰返して積み重ねたような形状に構成されている、請
求項35に記載の薄膜型相互接続体。 - 【請求項37】 各該ワイヤは、各該コネクタが自由な
位置でのフレキシブルな相互接続を可能とし、これによ
って異なる面にそれぞれ配置された各電気素子の間を電
気的に相互接続するのに必要な長さを有している、請求
項35に記載の薄膜型相互接続体。 - 【請求項38】 互にほぼ等しい熱膨張係数を有する各
導電体材料を用いて、各該配線面、各該バイア、および
各該ワイヤが形成されている、請求項35に記載の薄膜
型相互接続体。 - 【請求項39】 各該コネクタには前表面と該前表面と
対向した背面とが形成され、該前表面にはある電気素子
に対する電気的接続手段が設けられるとともに、該背面
には各該コネクタの背面同志の位置整合および相互固着
を達成させるようなほぼ相補的に作用する各係合部が設
けられている、請求項35に記載の薄膜型相互接続体。
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