JPH0758308A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0758308A JPH0758308A JP5161923A JP16192393A JPH0758308A JP H0758308 A JPH0758308 A JP H0758308A JP 5161923 A JP5161923 A JP 5161923A JP 16192393 A JP16192393 A JP 16192393A JP H0758308 A JPH0758308 A JP H0758308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- potential
- light
- region
- floating diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子の出力部の出力感度の低下を防
止する。 【構成】 水平転送部の出力側で情報電荷を受けるフロ
ーティングディフュージョン２３と出力アンプ２７の入
力につながるゲート電極２８とをアルミニウム配線２６
で接続する。出力アンプ２７の出力をバッファアンプ３
１に入力し、バッファアンプ３１の出力を拡散層３２か
ら、フローティングディフュージョン２３を被うアルミ
ニウム膜３０に印加する。アルミニウム配線２６とアル
ミニウム膜３０とを同一の位相とすることで、フローテ
ィングディフュージョン２３の容量の増大を抑圧する。
止する。 【構成】 水平転送部の出力側で情報電荷を受けるフロ
ーティングディフュージョン２３と出力アンプ２７の入
力につながるゲート電極２８とをアルミニウム配線２６
で接続する。出力アンプ２７の出力をバッファアンプ３
１に入力し、バッファアンプ３１の出力を拡散層３２か
ら、フローティングディフュージョン２３を被うアルミ
ニウム膜３０に印加する。アルミニウム配線２６とアル
ミニウム膜３０とを同一の位相とすることで、フローテ
ィングディフュージョン２３の容量の増大を抑圧する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラインセンサあるいは
エリアセンサの如き固体撮像素子に関する。
エリアセンサの如き固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体
撮像素子の概略を示す平面図である。受光部１は、垂直
方向に連続し、互いに平行に配列される複数のシフトレ
ジスタからなり、これらのシフトレジスタの各ビットが
電極の作用によって電位的に区画されて受光画素が構成
される。従って、受光部１には、複数の受光画素がマト
リクス配置されることになる。蓄積部２は、受光部１の
各シフトレジスタに連続する複数のシフトレジスタから
なり、各受光画素に蓄積された１画面分の情報電荷を受
光部１のシフトレジスタから受けて一時的に蓄積する。
水平転送部３は、各ビットが蓄積部２のシフトレジスタ
の出力端に対応付けられる通常単一のシフトレジスタか
らなり、蓄積部２に蓄積される１画面分の情報電荷を１
水平ライン単位で受けて順次出力する。この水平転送部
３の出力側には、電荷量を電圧値に変換する出力部４が
設けられ、水平転送部３を転送される情報電荷が映像信
号に変換されて出力される。以上の各部は、シリコン基
板上に多結晶シリコン電極を配置して形成され、光を受
けると光電変換によって電荷を発生するため、被写体映
像を受ける受光部１以外の領域は、アルミニウム等の遮
光膜５により被われる。
撮像素子の概略を示す平面図である。受光部１は、垂直
方向に連続し、互いに平行に配列される複数のシフトレ
ジスタからなり、これらのシフトレジスタの各ビットが
電極の作用によって電位的に区画されて受光画素が構成
される。従って、受光部１には、複数の受光画素がマト
リクス配置されることになる。蓄積部２は、受光部１の
各シフトレジスタに連続する複数のシフトレジスタから
なり、各受光画素に蓄積された１画面分の情報電荷を受
光部１のシフトレジスタから受けて一時的に蓄積する。
水平転送部３は、各ビットが蓄積部２のシフトレジスタ
の出力端に対応付けられる通常単一のシフトレジスタか
らなり、蓄積部２に蓄積される１画面分の情報電荷を１
水平ライン単位で受けて順次出力する。この水平転送部
３の出力側には、電荷量を電圧値に変換する出力部４が
設けられ、水平転送部３を転送される情報電荷が映像信
号に変換されて出力される。以上の各部は、シリコン基
板上に多結晶シリコン電極を配置して形成され、光を受
けると光電変換によって電荷を発生するため、被写体映
像を受ける受光部１以外の領域は、アルミニウム等の遮
光膜５により被われる。
【０００３】図３は、水平転送部の一部及び出力部の構
成を示す断面図である。シリコン基板１０の表面に、多
結晶シリコンからなる２層構造の転送電極１１が絶縁膜
１２を介して互いに平行に配列され、水平転送部が構成
される。各転送電極１２には、例えば２相の転送クロッ
クが印加され、転送電極１２の下のチャネル領域のポテ
ンシャルの制御によって情報電荷が出力部側に転送され
る。また、転送電極１２の出力側のシリコン基板１０
に、電気的に独立したフローティングディフュージョン
１３が設けられると共に、このフローティングディフュ
ージョン１３に隣接してリセットドレイン１４が設けら
れ、これらフローティングディフュージョン１３及びリ
セットドレイン１４の間に絶縁膜１２を介してリセット
電極１５が配置されて出力部が構成される。リセット電
極１５には、転送クロックに同期したリセットクロック
が印加され、フローティングディフュージョン１３に蓄
積される情報電荷を所定の周期でリセットドレイン１４
へ排出させる。また、フローティングディフュージョン
１３には、出力アンプにつながるアルミニウム配線１６
が接続され、蓄積される電荷量に従って変化する電位の
検出が成される。そして、アルミニウム配線１６上に絶
縁膜１７を介してアルミニウム膜１８が形成され、水平
転送部及び出力部が遮光される。
成を示す断面図である。シリコン基板１０の表面に、多
結晶シリコンからなる２層構造の転送電極１１が絶縁膜
１２を介して互いに平行に配列され、水平転送部が構成
される。各転送電極１２には、例えば２相の転送クロッ
クが印加され、転送電極１２の下のチャネル領域のポテ
ンシャルの制御によって情報電荷が出力部側に転送され
る。また、転送電極１２の出力側のシリコン基板１０
に、電気的に独立したフローティングディフュージョン
１３が設けられると共に、このフローティングディフュ
ージョン１３に隣接してリセットドレイン１４が設けら
れ、これらフローティングディフュージョン１３及びリ
セットドレイン１４の間に絶縁膜１２を介してリセット
電極１５が配置されて出力部が構成される。リセット電
極１５には、転送クロックに同期したリセットクロック
が印加され、フローティングディフュージョン１３に蓄
積される情報電荷を所定の周期でリセットドレイン１４
へ排出させる。また、フローティングディフュージョン
１３には、出力アンプにつながるアルミニウム配線１６
が接続され、蓄積される電荷量に従って変化する電位の
検出が成される。そして、アルミニウム配線１６上に絶
縁膜１７を介してアルミニウム膜１８が形成され、水平
転送部及び出力部が遮光される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の出力部において
は、フローティングディフュージョン１３の容量を利用
して電荷量が電圧値に変換されるため、フローティング
ディフュージョン１３の容量の低減による出力感度の向
上が課題となる。即ち、フローティングディフュージョ
ン１３の容量を小さくすれば、蓄積される情報電荷の微
少な量の変化に対しても大きな電位変動が生じるため、
フローティングディフュージョン１３の容量が可能な限
り小さく設定される。しかしながら、出力部がアルミニ
ウム膜１８で被われる場合、このアルミニウム膜１８と
アルミニウム配線１６との間に形成される容量のために
フローティングディフュージョン１３の容量が大きくな
り、出力感度が低下するという問題が生じる。
は、フローティングディフュージョン１３の容量を利用
して電荷量が電圧値に変換されるため、フローティング
ディフュージョン１３の容量の低減による出力感度の向
上が課題となる。即ち、フローティングディフュージョ
ン１３の容量を小さくすれば、蓄積される情報電荷の微
少な量の変化に対しても大きな電位変動が生じるため、
フローティングディフュージョン１３の容量が可能な限
り小さく設定される。しかしながら、出力部がアルミニ
ウム膜１８で被われる場合、このアルミニウム膜１８と
アルミニウム配線１６との間に形成される容量のために
フローティングディフュージョン１３の容量が大きくな
り、出力感度が低下するという問題が生じる。
【０００５】このため、出力部上にはアルミニウム膜を
形成せず、光学系の設定によって出力部に光が当らない
ようにするといった対策が図られる場合がある。ところ
が、ラインセンサ等のように受光部と出力部との距離が
短くなると、出力部に光を当てないように光学系を設定
することが困難となるため、出力部を何らかの手段で遮
光する必要が生じる。
形成せず、光学系の設定によって出力部に光が当らない
ようにするといった対策が図られる場合がある。ところ
が、ラインセンサ等のように受光部と出力部との距離が
短くなると、出力部に光を当てないように光学系を設定
することが困難となるため、出力部を何らかの手段で遮
光する必要が生じる。
【０００６】そこで本発明は、出力部を被う遮光膜を形
成しながら、出力部の容量の増大を低減し、出力感度の
低下を防止することを目的とする。
成しながら、出力部の容量の増大を低減し、出力感度の
低下を防止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、半導体基板上に複数の受光画素が配列され、各受光
画素に蓄積される情報電荷を時系列的に転送出力して映
像信号を得る固体撮像素子であって、上記半導体基板の
表面領域に形成され、上記受光画素から読み出されて転
送される情報電荷を出力側で受ける電気的に独立した不
純物領域と、この不純物領域が受け取る情報電荷を一定
の周期で排出し、不純物領域の電位を所定の電位に初期
設定するリセット手段と、上記不純物領域に電気的に接
続され、不純物領域の電位の変動を映像信号として出力
する出力手段と、少なくとも上記不純物領域を被い、上
記出力手段の出力に従う電位が印加される導電性遮光膜
と、を備えることにある。
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、半導体基板上に複数の受光画素が配列され、各受光
画素に蓄積される情報電荷を時系列的に転送出力して映
像信号を得る固体撮像素子であって、上記半導体基板の
表面領域に形成され、上記受光画素から読み出されて転
送される情報電荷を出力側で受ける電気的に独立した不
純物領域と、この不純物領域が受け取る情報電荷を一定
の周期で排出し、不純物領域の電位を所定の電位に初期
設定するリセット手段と、上記不純物領域に電気的に接
続され、不純物領域の電位の変動を映像信号として出力
する出力手段と、少なくとも上記不純物領域を被い、上
記出力手段の出力に従う電位が印加される導電性遮光膜
と、を備えることにある。
【０００８】
【作用】本発明によれば、不純物領域を被う遮光膜に、
この不純物領域の電位の変動と同一位相の信号を印加す
ることにより、不純物領域に接続される導電線とこれに
対向する遮光膜との間に形成される容量が減少するた
め、不純物領域の容量の増大を抑圧することができる。
この不純物領域の電位の変動と同一位相の信号を印加す
ることにより、不純物領域に接続される導電線とこれに
対向する遮光膜との間に形成される容量が減少するた
め、不純物領域の容量の増大を抑圧することができる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の固体撮像素子の出力部の構
成図で、断面図と回路図との組み合わせにより示す。シ
リコン基板２０上に複数の転送電極２１が絶縁膜２２を
介して多層配置され、水平転送部が構成される。この水
平転送部については、図３と同一構造を有しており、各
転送電極１２に印加される転送クロックに従い、転送電
極２１の下に形成されるチャネル領域内を情報電荷が転
送される。この水平転送部の出力側のシリコン基板２０
の表面領域には、転送電極２１に隣接してフローティン
グディフュージョン２３が形成され、水平転送部から転
送出力される情報電荷を一時的に蓄積する。さらにフロ
ーティングディフュージョン２３から一定の距離を置い
たシリコン基板２０の表面領域には、所定の電位に固定
されるリセットドレイン２４が形成される。これらフロ
ーティングディフュージョン２３及びリセットドレイン
２４は、共にＮ型の不純物イオンをシリコン基板２０の
表面領域に高濃度に注入して形成される。フローティン
グディフュージョン２３とリセットドレイン２４との間
の領域には、リセットクロックを受けるリセット電極２
５が配置され、これによりリセットトランジスタが構成
される。このリセットトランジスタは、リセットクロッ
クに応答してフローティングディフュージョン２３とリ
セットドレイン２４との間を導通してフローティングデ
ィフュージョン２３に蓄積される情報電荷をリセットド
レイン２４へ排出する。フローティングディフュージョ
ン２３には、アルミニウム配線２６が接続され、このア
ルミニウム配線２６を介して、フローティングディフュ
ージョン２３と出力アンプ２７の入力につながるゲート
電極２８とが電気的に接続される。そして、絶縁膜２９
を介してアルミニウム膜３０が形成され、フローティン
グディフュージョン２３、リセットドレイン２４、リセ
ット電極２５及びアルミニウム配線２６が形成される出
力部が遮光される。このアルミニウム膜３０は、バッフ
ァアンプ３１の出力につながる拡散層３２に電気的に接
続される。
成図で、断面図と回路図との組み合わせにより示す。シ
リコン基板２０上に複数の転送電極２１が絶縁膜２２を
介して多層配置され、水平転送部が構成される。この水
平転送部については、図３と同一構造を有しており、各
転送電極１２に印加される転送クロックに従い、転送電
極２１の下に形成されるチャネル領域内を情報電荷が転
送される。この水平転送部の出力側のシリコン基板２０
の表面領域には、転送電極２１に隣接してフローティン
グディフュージョン２３が形成され、水平転送部から転
送出力される情報電荷を一時的に蓄積する。さらにフロ
ーティングディフュージョン２３から一定の距離を置い
たシリコン基板２０の表面領域には、所定の電位に固定
されるリセットドレイン２４が形成される。これらフロ
ーティングディフュージョン２３及びリセットドレイン
２４は、共にＮ型の不純物イオンをシリコン基板２０の
表面領域に高濃度に注入して形成される。フローティン
グディフュージョン２３とリセットドレイン２４との間
の領域には、リセットクロックを受けるリセット電極２
５が配置され、これによりリセットトランジスタが構成
される。このリセットトランジスタは、リセットクロッ
クに応答してフローティングディフュージョン２３とリ
セットドレイン２４との間を導通してフローティングデ
ィフュージョン２３に蓄積される情報電荷をリセットド
レイン２４へ排出する。フローティングディフュージョ
ン２３には、アルミニウム配線２６が接続され、このア
ルミニウム配線２６を介して、フローティングディフュ
ージョン２３と出力アンプ２７の入力につながるゲート
電極２８とが電気的に接続される。そして、絶縁膜２９
を介してアルミニウム膜３０が形成され、フローティン
グディフュージョン２３、リセットドレイン２４、リセ
ット電極２５及びアルミニウム配線２６が形成される出
力部が遮光される。このアルミニウム膜３０は、バッフ
ァアンプ３１の出力につながる拡散層３２に電気的に接
続される。
【００１０】出力アンプ２７は、２段のソースホロワ回
路３３、３４からなり、１段目のソースホロワ回路３３
の入力にフローティングディフュージョン２３の電位変
動を受け、２段目のソースホロワ回路３４の出力から映
像信号を得るように構成される。各ソースホロワ回路３
３、３４は、電源接地間に２つのＭＯＳトランジスタが
直列に接続され、それぞれ電源側のＭＯＳトランジスタ
のゲートを入力とすると共に両ＭＯＳトランジスタの接
続点を出力とし、接地側のＭＯＳトランジスタのゲート
に与えられる制御電圧ＶG1に応じて利得が設定される。
路３３、３４からなり、１段目のソースホロワ回路３３
の入力にフローティングディフュージョン２３の電位変
動を受け、２段目のソースホロワ回路３４の出力から映
像信号を得るように構成される。各ソースホロワ回路３
３、３４は、電源接地間に２つのＭＯＳトランジスタが
直列に接続され、それぞれ電源側のＭＯＳトランジスタ
のゲートを入力とすると共に両ＭＯＳトランジスタの接
続点を出力とし、接地側のＭＯＳトランジスタのゲート
に与えられる制御電圧ＶG1に応じて利得が設定される。
【００１１】バッファアンプ３１は、出力アンプと同様
に、１段のソースフォロワ回路３５からなり、入力に出
力アンプ２７から出力される映像信号を受け、出力を拡
散層３２からアルミニウム膜３０に印加する。このソー
スフォロワ回路３５は、電源接地間に２つのＭＯＳトラ
ンジスタが直列に接続され、電源側のＭＯＳトランジス
タのゲートを入力とし、そのＭＯＳトランジスタのドレ
インを出力とすると共に、接地側のＭＯＳトランジスタ
のゲートに印加される制御電圧ＶG2によって利得が設定
される。このバッファアンプ３１の出力は、映像信号と
同一、即ち、フローティングディフュージョン２３に生
じる電位の変動と同一の位相であるため、フローティン
グディフュージョン２３の電位変動を受けるアルミニウ
ム配線２６とバッファアンプ３１の出力を受けるアルミ
ニウム膜３０との間の電位差は殆どなくなる。従って、
アルミニウム配線２６とアルミニウム膜３０とが絶縁膜
２９を挟んで対向しているとしても、その間の実質的な
容量は十分に小さくなり、フローティングディフュージ
ョン２３の容量の増大が抑圧される。
に、１段のソースフォロワ回路３５からなり、入力に出
力アンプ２７から出力される映像信号を受け、出力を拡
散層３２からアルミニウム膜３０に印加する。このソー
スフォロワ回路３５は、電源接地間に２つのＭＯＳトラ
ンジスタが直列に接続され、電源側のＭＯＳトランジス
タのゲートを入力とし、そのＭＯＳトランジスタのドレ
インを出力とすると共に、接地側のＭＯＳトランジスタ
のゲートに印加される制御電圧ＶG2によって利得が設定
される。このバッファアンプ３１の出力は、映像信号と
同一、即ち、フローティングディフュージョン２３に生
じる電位の変動と同一の位相であるため、フローティン
グディフュージョン２３の電位変動を受けるアルミニウ
ム配線２６とバッファアンプ３１の出力を受けるアルミ
ニウム膜３０との間の電位差は殆どなくなる。従って、
アルミニウム配線２６とアルミニウム膜３０とが絶縁膜
２９を挟んで対向しているとしても、その間の実質的な
容量は十分に小さくなり、フローティングディフュージ
ョン２３の容量の増大が抑圧される。
【００１２】以上の実施例においては、出力アンプ２７
を２段のソースホロワ回路、バッファアンプ３１を１段
のソースホロワ回路で構成した場合を例示したが、出力
アンプ２７を１段のソースホロワ回路で構成すること、
あるいは、バッファアンプ３１を２段のソースホロワ回
路で構成することも可能である。また、このような出力
部の構成は、エリアセンサに限らずラインセンサにも採
用可能である。
を２段のソースホロワ回路、バッファアンプ３１を１段
のソースホロワ回路で構成した場合を例示したが、出力
アンプ２７を１段のソースホロワ回路で構成すること、
あるいは、バッファアンプ３１を２段のソースホロワ回
路で構成することも可能である。また、このような出力
部の構成は、エリアセンサに限らずラインセンサにも採
用可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、出力部を遮光膜で被っ
た場合でも、出力部のフローティングディフュージョン
の容量の増大を抑圧することができ、出力感度の劣化を
防止することができる。従って、光学系の設定が容易
で、出力特性の優れた固体撮像素子を実現できる。
た場合でも、出力部のフローティングディフュージョン
の容量の増大を抑圧することができ、出力感度の劣化を
防止することができる。従って、光学系の設定が容易
で、出力特性の優れた固体撮像素子を実現できる。
【図１】本発明の固体撮像素子の出力部の構成図であ
る。
る。
【図２】フレーム転送方式のエリアセンサの模式的平面
図である。
図である。
【図３】従来の固体撮像素子の出力部の構成を示す断面
図である。
図である。
１ 撮像部 ２ 蓄積部 ３ 水平転送部 ４ 出力部 １０、２０ シリコン基板 １１、２１ 転送電極 １２、１７、２２、２９ 絶縁膜 １３、２３ フローティングディフュージョン １４、２４ リセットドレイン １５、２５ リセットゲート １６、２６ アルミニウム配線 １８、３０ アルミニウム膜 ２７ 出力アンプ ２８ ゲート電極 ３１ バッファ回路 ３２ 拡散層 ３３、３４、３５ ソースホロワ回路
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に複数の受光画素が配列さ
れ、各受光画素に蓄積される情報電荷を時系列的に転送
出力して映像信号を得る固体撮像素子であって、上記半
導体基板の表面領域に形成され、上記受光画素から読み
出されて転送される情報電荷を出力側で受ける電気的に
独立した不純物領域と、この不純物領域が受け取る情報
電荷を一定の周期で排出し、不純物領域の電位を所定の
電位に初期設定するリセット手段と、上記不純物領域に
電気的に接続され、不純物領域の電位の変動を映像信号
として出力する出力手段と、少なくとも上記不純物領域
を被い、上記出力手段の出力に従う電位が印加される導
電性遮光膜と、を備えることを特徴とする固体撮像素
子。 - 【請求項２】 上記出力手段の出力がバッファ回路を介
して上記導電性遮光膜に印加されることを特徴とする請
求項１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161923A JPH0758308A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161923A JPH0758308A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758308A true JPH0758308A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=15744606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5161923A Pending JPH0758308A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758308A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098281A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷検出装置 |
| US6498622B1 (en) | 1997-11-11 | 2002-12-24 | Nec Corporation | High output CMOS-based image sensor |
| JP2008166810A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | シーモスイメージセンサ及びその製造方法 |
| EP2525406A1 (fr) * | 2011-05-20 | 2012-11-21 | Société Française de Détecteurs Infrarouges - SOFRADIR | Circuit de détection à faible flux et faible bruit |
| US8507870B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| US8530989B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| US8836833B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus having pixels with plural semiconductor regions |
| US9007501B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5161923A patent/JPH0758308A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH098281A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷検出装置 |
| US6498622B1 (en) | 1997-11-11 | 2002-12-24 | Nec Corporation | High output CMOS-based image sensor |
| JP2008166810A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | シーモスイメージセンサ及びその製造方法 |
| US8507870B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| US8530989B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| US8836833B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus having pixels with plural semiconductor regions |
| US9007501B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| US9113103B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
| EP2525406A1 (fr) * | 2011-05-20 | 2012-11-21 | Société Française de Détecteurs Infrarouges - SOFRADIR | Circuit de détection à faible flux et faible bruit |
| FR2975529A1 (fr) * | 2011-05-20 | 2012-11-23 | Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir | Circuit de detection a faible flux et faible bruit |
| US8872097B2 (en) | 2011-05-20 | 2014-10-28 | Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges—Sofradir | Low-flux and low-noise detection circuit having a readout circuit with shielded integration node |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6466266B1 (en) | Active pixel sensor with shared row timing signals | |
| EP0862219B1 (en) | Active pixel sensor in which adjacent pixels share an integrated electrical element | |
| US10756129B2 (en) | Image sensors having imaging pixels with ring-shaped gates | |
| US6091793A (en) | Solid-state photographic device having a charge storage element for simultaneous shutter action | |
| US8810703B2 (en) | Solid-state image pickup device, driving method of solid-state image pickup device, and electronic device | |
| US8018515B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
| US5430481A (en) | Multimode frame transfer image sensor | |
| US20090046186A1 (en) | Solid state image capturing device and electronic information device | |
| US9565375B1 (en) | Pixel and an array of pixels | |
| JP2001177775A (ja) | 固体撮像装置、撮像システム及び固体撮像装置の駆動方法 | |
| US6486913B1 (en) | Pixel array with shared reset circuitry | |
| EP0022323B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| US6642561B2 (en) | Solid imaging device and method for manufacturing the same | |
| JPH0758308A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US11140343B1 (en) | Image sensors having an adjustable current source for column settling speedup | |
| US7054041B2 (en) | Image sensor method and apparatus having addressable pixels and non-destructive readout | |
| US10958861B2 (en) | Image sensors with in-pixel amplification circuitry | |
| KR100264833B1 (ko) | 엠오에스 트랜지스터 및 이것을 사용한 전하검출장치 | |
| US5091922A (en) | Charge transfer device type solid state image sensor having constant saturation level | |
| JPH06104418A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6677997B1 (en) | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same | |
| JP2570054B2 (ja) | 固体イメージセンサ | |
| JP3018676B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JP2002051267A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04365275A (ja) | Ｃｃｄ固体撮像装置 |