JPH0757039B2 - 音響用振動板及びその製造法 - Google Patents
音響用振動板及びその製造法Info
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- JPH0757039B2 JPH0757039B2 JP63110510A JP11051088A JPH0757039B2 JP H0757039 B2 JPH0757039 B2 JP H0757039B2 JP 63110510 A JP63110510 A JP 63110510A JP 11051088 A JP11051088 A JP 11051088A JP H0757039 B2 JPH0757039 B2 JP H0757039B2
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/276—Diamond only using plasma jets
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
- H04R2307/023—Diaphragms comprising ceramic-like materials, e.g. pure ceramic, glass, boride, nitride, carbide, mica and carbon materials
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は音響用振動板とその製造法に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］ 音響用振動板、特に高音用スピーカ及び中音用スピーカ
に使用される振動板として、その材質や振動板基材の表
面を処理するための数多くの方法が従来より提案されて
きたが、このうち、振動板基材の表面にアモルファス
（非結晶）が少ないダイヤモンド皮膜を形成する方法と
しては、第14図（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、熱フィラ
メント法、電子衝撃化学輸送法（EACVD法）及びマイク
ロ波化学輸送法（MCVD法）があり、更に、図には示さな
いが、プラズマジェット法やDCプラズマ法等がある。
に使用される振動板として、その材質や振動板基材の表
面を処理するための数多くの方法が従来より提案されて
きたが、このうち、振動板基材の表面にアモルファス
（非結晶）が少ないダイヤモンド皮膜を形成する方法と
しては、第14図（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、熱フィラ
メント法、電子衝撃化学輸送法（EACVD法）及びマイク
ロ波化学輸送法（MCVD法）があり、更に、図には示さな
いが、プラズマジェット法やDCプラズマ法等がある。
また、ダイヤモンド膜だけで振動板を得る方法としては
特開昭61−128700号公報が知られており、第15図（Ａ）
に示すように、振動板形状に形成した単結晶硅素40の上
にメタン（CH4）と水素（H2）の混合ガスを上記した2.4
5GHzのMCVD法によりダイヤモンド膜41を堆積させたの
ち、単結晶硅素を溶解して、第15図（Ｂ）に示すような
ダイヤモンド振動板42を製造する方法である。
特開昭61−128700号公報が知られており、第15図（Ａ）
に示すように、振動板形状に形成した単結晶硅素40の上
にメタン（CH4）と水素（H2）の混合ガスを上記した2.4
5GHzのMCVD法によりダイヤモンド膜41を堆積させたの
ち、単結晶硅素を溶解して、第15図（Ｂ）に示すような
ダイヤモンド振動板42を製造する方法である。
［発明が解決しようとする課題］ ところが上記した従来の音響用振動板及びその製造法に
は次のような問題点がある。
は次のような問題点がある。
第１に、熱フィラメント法及びEACVD法は皮膜を得る面
積が小さく、被着物である振動板基材との距離が短いこ
と及び膜厚分布も悪い。また、MCVD法はその被着面積が
導波管と反応する石英管とプラズマのサイズで決定され
ることが知られており、いずれの方法によっても被着面
の直径は３〜10cmであるため、直径１センチの振動板が
１〜５枚程度処理できる能力しかない。また、時間当り
の付着膜厚は１〜10μ/cm2のレートであって高価格とな
って量産性に乏しい、という欠点がある。
積が小さく、被着物である振動板基材との距離が短いこ
と及び膜厚分布も悪い。また、MCVD法はその被着面積が
導波管と反応する石英管とプラズマのサイズで決定され
ることが知られており、いずれの方法によっても被着面
の直径は３〜10cmであるため、直径１センチの振動板が
１〜５枚程度処理できる能力しかない。また、時間当り
の付着膜厚は１〜10μ/cm2のレートであって高価格とな
って量産性に乏しい、という欠点がある。
第２に、上記したいずれの方法も、フィラメント加熱、
直流放電又は高周波のマイクロ波の放電によりダイヤモ
ンド膜を得る方法であるため、振動板基材には1000度に
およぶ熱が加わり、基材の変形や損壊が生じることから
その放熱を改善する必要がある。
直流放電又は高周波のマイクロ波の放電によりダイヤモ
ンド膜を得る方法であるため、振動板基材には1000度に
およぶ熱が加わり、基材の変形や損壊が生じることから
その放熱を改善する必要がある。
第３に、ダイヤモンド膜だけの振動板を製造する方法に
おいて、上記した特開昭61−128700号公報記載の方法で
は単結晶硅素40を目的形状にするための加工が困難であ
ると共に堆積面の直径が３〜10cmであり、しかも時間当
りの堆積速度が１μ以下であるから、数十ミクロンのダ
イヤモンド膜による振動板を得るためには数十時間を要
し、量産性に欠ける難点がある。
おいて、上記した特開昭61−128700号公報記載の方法で
は単結晶硅素40を目的形状にするための加工が困難であ
ると共に堆積面の直径が３〜10cmであり、しかも時間当
りの堆積速度が１μ以下であるから、数十ミクロンのダ
イヤモンド膜による振動板を得るためには数十時間を要
し、量産性に欠ける難点がある。
この発明の第１の目的は、振動板基材の表面にダイヤモ
ンド膜を形成した低兼な、しかも、径の大きな振動板で
あってもダイヤモンド膜厚を均一に形成した音響用振動
板を提供することにある。
ンド膜を形成した低兼な、しかも、径の大きな振動板で
あってもダイヤモンド膜厚を均一に形成した音響用振動
板を提供することにある。
この発明の第２の目的は、振動板基材の表面にダイヤモ
ンド膜を形成するに際し、短時間で確実に皮膜を形成す
ることができ、量産性に富むのは勿論、振動板の大きさ
に制限を受けることがない音響用振動板の製造法を提供
することにある。
ンド膜を形成するに際し、短時間で確実に皮膜を形成す
ることができ、量産性に富むのは勿論、振動板の大きさ
に制限を受けることがない音響用振動板の製造法を提供
することにある。
この発明の第３の目的は、ダイヤモンド膜だけの音響用
振動板を製造するに際し、短時間で製造できて量産性に
富み、しかも振動板の大きさに制限を受けることがない
音響用振動板の製造法を提供することにある。
振動板を製造するに際し、短時間で製造できて量産性に
富み、しかも振動板の大きさに制限を受けることがない
音響用振動板の製造法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、この発明に係る音響用振動板
においては、振動板形状に形成したセラミックスにより
振動板基材の少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合したガスを熱プラズマ放射することにより
結晶質ダイヤモンド膜を形成したものである。
においては、振動板形状に形成したセラミックスにより
振動板基材の少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合したガスを熱プラズマ放射することにより
結晶質ダイヤモンド膜を形成したものである。
この場合、振動板基材としては、炭化硅素などの炭化物
系セラミックスとしたり、酸化アルミニウム又は酸化ジ
ルコニウムなどの酸化物系セラミックス、或いは、窒化
チタン又は窒化硼素などの窒化物系セラミックスで形成
することができる。
系セラミックスとしたり、酸化アルミニウム又は酸化ジ
ルコニウムなどの酸化物系セラミックス、或いは、窒化
チタン又は窒化硼素などの窒化物系セラミックスで形成
することができる。
更には、上記振動板基材を金属振動板基材とすることが
でき、また、この金属振動板基材をチタニウムとし、ア
ルゴンと炭化水素ガスを熱プラズマ放射することにより
振動板基材面に炭化チタン層を形成して該炭化チタン層
の上に、上記アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱
プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チ
タニウム、炭化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層
を形成したものとすることができる。
でき、また、この金属振動板基材をチタニウムとし、ア
ルゴンと炭化水素ガスを熱プラズマ放射することにより
振動板基材面に炭化チタン層を形成して該炭化チタン層
の上に、上記アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱
プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チ
タニウム、炭化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層
を形成したものとすることができる。
この発明に係る音響用振動板の製造法において、振動板
形状に形成した金属基材の表面にダイヤモンド膜を形成
したのち金属基材を溶解させて、ダイヤモンド膜だけで
形成された音響用振動板を製造するに際しては、チタニ
ウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形成した
金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを
熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモンドを
堆積させてダイヤモンド膜を形成し、上記金属基材を溶
解させる。
形状に形成した金属基材の表面にダイヤモンド膜を形成
したのち金属基材を溶解させて、ダイヤモンド膜だけで
形成された音響用振動板を製造するに際しては、チタニ
ウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形成した
金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを
熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモンドを
堆積させてダイヤモンド膜を形成し、上記金属基材を溶
解させる。
また、この場合、金属基材の表面に硅素又は炭化チタン
を蒸着し、その上に上記手段によって結晶質ダイヤモン
ド膜を形成したのち、金属基材を溶解せしめることもで
きる。
を蒸着し、その上に上記手段によって結晶質ダイヤモン
ド膜を形成したのち、金属基材を溶解せしめることもで
きる。
一方、振動板基材上にダイヤモンド膜を形成して音響用
振動板を製造する方法においては、振動板基材と該振動
板基材をセットすべき放熱器との間にはセラミックパウ
ダーを充填して放熱器側を水冷することにより振動板基
材の表面温度を800゜Ｃ〜1000゜Ｃの温度範囲に保つよ
うに冷却しながら、この振動板基材上にアルゴン、炭化
水素及び水素の混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダ
イヤモンド膜を形成する。
振動板を製造する方法においては、振動板基材と該振動
板基材をセットすべき放熱器との間にはセラミックパウ
ダーを充填して放熱器側を水冷することにより振動板基
材の表面温度を800゜Ｃ〜1000゜Ｃの温度範囲に保つよ
うに冷却しながら、この振動板基材上にアルゴン、炭化
水素及び水素の混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダ
イヤモンド膜を形成する。
この場合、充填されるべきセラミックパウダーとして
は、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素により
セラミックスとすることができる。
は、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素により
セラミックスとすることができる。
また、振動板基材を該振動板基材の形状に対応する形状
のセット部を備えた放熱器にセットして水冷しながら、
上記振動板基材上に、アルゴン、炭化水素及び水素の混
合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形
成する方法を採ることができる。
のセット部を備えた放熱器にセットして水冷しながら、
上記振動板基材上に、アルゴン、炭化水素及び水素の混
合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形
成する方法を採ることができる。
この場合、放熱器のセット部の表面に、ダイヤモンド、
立方晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミックス膜
を形成して振動板基材の冷却効果を高めることができ
る。
立方晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミックス膜
を形成して振動板基材の冷却効果を高めることができ
る。
［作用］ この発明に係る音響用振動板のうち、振動板基材上に結
晶質のダイヤモンド膜を形成してなる振動板において
は、後に詳述するように、音速に優れており、また、ダ
イヤモンド特有の高硬度、高剛性の特長によって分割振
動が低減され、優れた振動板とすることができる。
晶質のダイヤモンド膜を形成してなる振動板において
は、後に詳述するように、音速に優れており、また、ダ
イヤモンド特有の高硬度、高剛性の特長によって分割振
動が低減され、優れた振動板とすることができる。
結晶質ダイヤモンド膜だけで形成された振動板において
は膜厚が均一となっており、また、音速は更に優れてい
る。
は膜厚が均一となっており、また、音速は更に優れてい
る。
この発明に係る音響用振動板の製造法においては、基材
上にダイヤモンド膜を形成するに際し、混合ガスを大量
に供給する熱プラズマ化学輸送法（熱プラズマCVD法）
が用いられ、混合ガスとしては、アルゴン、炭化水素及
び水素が使用される。この方法では高温のプラズマを発
生させることができ、直流放電の電極はプラズマトーチ
内にあるため被着物である基材との間隔に自由度があ
る。また、基材をプラズマトーチを中心として移動させ
ることにより数多く処理することができ、しかも時間あ
たりの付着速度にも優れている。従って、基材上には均
一な膜厚の結晶質ダイヤモンド膜を迅速に形成すること
ができ、また、被着物である基材の大きさに制限を受け
ることがない。
上にダイヤモンド膜を形成するに際し、混合ガスを大量
に供給する熱プラズマ化学輸送法（熱プラズマCVD法）
が用いられ、混合ガスとしては、アルゴン、炭化水素及
び水素が使用される。この方法では高温のプラズマを発
生させることができ、直流放電の電極はプラズマトーチ
内にあるため被着物である基材との間隔に自由度があ
る。また、基材をプラズマトーチを中心として移動させ
ることにより数多く処理することができ、しかも時間あ
たりの付着速度にも優れている。従って、基材上には均
一な膜厚の結晶質ダイヤモンド膜を迅速に形成すること
ができ、また、被着物である基材の大きさに制限を受け
ることがない。
このため、金属基材上にダイヤモンド膜を形成した後こ
の金属基材を溶解させてダイヤモンド膜だけの振動板を
製造する方法においても、所定厚さの結晶質ダイヤモン
ド振動板を量産することができる。
の金属基材を溶解させてダイヤモンド膜だけの振動板を
製造する方法においても、所定厚さの結晶質ダイヤモン
ド振動板を量産することができる。
熱プラズマCVD法は上記のように高温のプラズマを発生
させるものであるから、振動板基材の溶融や極度の変形
が生じ、或いは炭素化が促進されてダイヤモンド膜が生
成されないおそれがるが、放電器を用いて水冷すること
により振動板基材の表面温度を所定の温度範囲内に保つ
ように冷却しながら結晶質ダイヤモンド膜を形成するこ
とにより所期の目的を達することができる。
させるものであるから、振動板基材の溶融や極度の変形
が生じ、或いは炭素化が促進されてダイヤモンド膜が生
成されないおそれがるが、放電器を用いて水冷すること
により振動板基材の表面温度を所定の温度範囲内に保つ
ように冷却しながら結晶質ダイヤモンド膜を形成するこ
とにより所期の目的を達することができる。
この発明に係る音響用振動板及びその製造法の実施例を
第１図乃至第13図に基づいて説明すると、第１図は熱プ
ラズマCVD法の実施に使用される機構図であり、熱プラ
ズマを発生するプラズマトーチ（ガン）１及びチャンバ
ー２内は真空排気５によって真空状態におかれており、
原料ガス３が供給される。被着物である振動板基材４は
実施例ではドーム型に形成され、冷却水６が循環する放
熱器７上にセットされる。この放熱器７は回転するよう
になっている。
第１図乃至第13図に基づいて説明すると、第１図は熱プ
ラズマCVD法の実施に使用される機構図であり、熱プラ
ズマを発生するプラズマトーチ（ガン）１及びチャンバ
ー２内は真空排気５によって真空状態におかれており、
原料ガス３が供給される。被着物である振動板基材４は
実施例ではドーム型に形成され、冷却水６が循環する放
熱器７上にセットされる。この放熱器７は回転するよう
になっている。
プラズマトーチ１はアノード（陽極）８とカソード（陰
極）９で構成した電極間の直流放電によって炭化水素ガ
スのメタンと水素が分解したプラズマをトーチから放出
し、化学輸送法（CVD）によって振動板基材４上に結晶
粒のダイヤモンド膜が堆積する。
極）９で構成した電極間の直流放電によって炭化水素ガ
スのメタンと水素が分解したプラズマをトーチから放出
し、化学輸送法（CVD）によって振動板基材４上に結晶
粒のダイヤモンド膜が堆積する。
この方式においてはプラズマトーチ１に混合ガスを大量
に供給し、高温のプラズマを発生させることができ、直
流放電の電極はプラズマトーチ内にあるため被着物たる
上記振動板基材４との間隔に自由度がある。また、プラ
ズマトーチを中心として振動板基材４を移動させること
により数多く処理することができ、従来法にない利点が
ある。更に、この熱プラズマCVD法ではダイヤモンド膜
の生成に大量のガスを供給する方式であるため、従来の
10〜50倍の付着速度が得られ、量産性に適している。
に供給し、高温のプラズマを発生させることができ、直
流放電の電極はプラズマトーチ内にあるため被着物たる
上記振動板基材４との間隔に自由度がある。また、プラ
ズマトーチを中心として振動板基材４を移動させること
により数多く処理することができ、従来法にない利点が
ある。更に、この熱プラズマCVD法ではダイヤモンド膜
の生成に大量のガスを供給する方式であるため、従来の
10〜50倍の付着速度が得られ、量産性に適している。
第２図は上記した熱プラズマCVD法によるプラズマジェ
ット温度分布図であるが、アーク放電電流によって生じ
る誘導磁場でアーク柱が搾られるためプラズマトーチ１
の出口では10000度乃至20000度に達する。放熱器７にセ
ットされた振動板基材４はこの高温にさらされるからこ
の振動板基材４を効率的に冷却する必要がある。
ット温度分布図であるが、アーク放電電流によって生じ
る誘導磁場でアーク柱が搾られるためプラズマトーチ１
の出口では10000度乃至20000度に達する。放熱器７にセ
ットされた振動板基材４はこの高温にさらされるからこ
の振動板基材４を効率的に冷却する必要がある。
実験例として、供給すべき原料ガス（混合ガス）の混合
比を アルゴン 100 メタン 0.1 水 素 7 とし、その他の条件を、 真空度 20Torr 振動板基材 炭化硅素（SiC）40μ蒸着 基材の大きさ 2.5cm として、支持面が平坦な従来の支持装置に上記ドーム型
の振動板基材をセットして冷却しないで熱プラズマ放射
したところ、振動板基材の表面の温度が2000〜3000度に
達し、振動板基材が熔融したり極度の変形が生じた。ま
た、高温であるため炭素化が促進され、ダイヤモンド膜
が生成されなかった。
比を アルゴン 100 メタン 0.1 水 素 7 とし、その他の条件を、 真空度 20Torr 振動板基材 炭化硅素（SiC）40μ蒸着 基材の大きさ 2.5cm として、支持面が平坦な従来の支持装置に上記ドーム型
の振動板基材をセットして冷却しないで熱プラズマ放射
したところ、振動板基材の表面の温度が2000〜3000度に
達し、振動板基材が熔融したり極度の変形が生じた。ま
た、高温であるため炭素化が促進され、ダイヤモンド膜
が生成されなかった。
そこで第３図及び第４図に示すような放熱器７を設けた
ものである。
ものである。
銅製の放熱器７には振動板基材４のヒンジ部を固定する
押え治具10が設けられており、内部の通水路11を介して
冷却水６が循環することにより冷却されるようになって
いる。第３図（Ａ）においては振動板基材４のドーム径
よりもやや小径の半球状のセット部12を形成し、このセ
ット部12に振動板基材４をセットするが、振動板基材４
との間にセラミックパウダー13を充填する。
押え治具10が設けられており、内部の通水路11を介して
冷却水６が循環することにより冷却されるようになって
いる。第３図（Ａ）においては振動板基材４のドーム径
よりもやや小径の半球状のセット部12を形成し、このセ
ット部12に振動板基材４をセットするが、振動板基材４
との間にセラミックパウダー13を充填する。
第３図（Ａ）の冷却手段で振動板基材を冷却しながら熱
プラズマ放射すると、振動板基材の表面温度は800〜100
0度に保つことができた。
プラズマ放射すると、振動板基材の表面温度は800〜100
0度に保つことができた。
第３図（Ｂ）に示すものにおいては、載置面が平坦な放
熱器にドーム型の振動板基材４をセットする場合に、載
置面と振動板基材との間にセラミックパウダー14を充填
したものである。このセラミックスパウダーとしては、
ダイヤモンド、立方晶窒化硼素（CBN）、炭化硅素（Si
C）のパウダーである。いずれのパウダーも1500度以上
の融点をもち、且つ、熱伝導率が放熱器７の素材である
銅と同等又はそれ以上である素材が好ましい。これらの
素材の熱伝導率は次の通りである。
熱器にドーム型の振動板基材４をセットする場合に、載
置面と振動板基材との間にセラミックパウダー14を充填
したものである。このセラミックスパウダーとしては、
ダイヤモンド、立方晶窒化硼素（CBN）、炭化硅素（Si
C）のパウダーである。いずれのパウダーも1500度以上
の融点をもち、且つ、熱伝導率が放熱器７の素材である
銅と同等又はそれ以上である素材が好ましい。これらの
素材の熱伝導率は次の通りである。
銅 3.85W/cm・℃ ダイヤモンド 20.0 立方晶窒化硼素 6.0 炭化硅素 2.7 セラミック粒径 0.5〜２μ 上記第３図（Ｂ）における冷却でも第３図（Ａ）と同
様、振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つことが
できた。
様、振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つことが
できた。
上記のような第３図（Ａ），（Ｂ）に示す冷却手段を用
いて振動板基材を冷却すると振動板基材の表面温度を３
分の１〜４分の１に冷却することができ、これによって
放熱器表面の耐熱性を向上させることができて振動板基
材との熱融着による変形がなくなり、また、ガスの発生
によるダイヤモンド膜の品質低下を防止することができ
る。
いて振動板基材を冷却すると振動板基材の表面温度を３
分の１〜４分の１に冷却することができ、これによって
放熱器表面の耐熱性を向上させることができて振動板基
材との熱融着による変形がなくなり、また、ガスの発生
によるダイヤモンド膜の品質低下を防止することができ
る。
第４図（Ａ）の放熱器７は振動板基材４のドーム形状に
対応する半球状のセット部15を形成し、振動板基材をこ
れに嵌合してセットし、水冷するものである。これによ
っても振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つこと
ができた。
対応する半球状のセット部15を形成し、振動板基材をこ
れに嵌合してセットし、水冷するものである。これによ
っても振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つこと
ができた。
第４図（Ｂ）に示すものにおいては、上記セット部15の
表面に、熱プラズマCVD法を用いてダイヤモンド、立方
晶窒化硼素、炭化硅素のセラミック膜16を２〜４μ厚で
形成したものである。従って振動板基材４はセラミック
膜16を介してセット部15にセットされることになり、こ
れによっても振動板表面温度を800〜1000度に下げるこ
とができた。
表面に、熱プラズマCVD法を用いてダイヤモンド、立方
晶窒化硼素、炭化硅素のセラミック膜16を２〜４μ厚で
形成したものである。従って振動板基材４はセラミック
膜16を介してセット部15にセットされることになり、こ
れによっても振動板表面温度を800〜1000度に下げるこ
とができた。
次に、具体的実施例について説明すると、実施例におい
て、供給すべき原料ガス（混合ガス）の混合比は次の通
りであり、上記した実施例と同様である。
て、供給すべき原料ガス（混合ガス）の混合比は次の通
りであり、上記した実施例と同様である。
アルゴン 100 メタン 0.1 水 素 7 その他の条件としては次の通りである。
実施例１ 真空度 20Torr 振動板基材 炭化硅素（SiC）40μ蒸着 基材表面温度 800〜1000度 基材の大きさ 2.5cm 形成されたダイヤモンド膜厚 ２μ なお、実施例１においては時間あたりの付着膜厚は、50
〜100μ/cm2であった。
〜100μ/cm2であった。
この実施例１によって得られたドーム型振動板21は第５
図（Ａ）に示されており、振動板基材４上に結晶質のダ
イヤモンド膜22が形成されている。このダイヤモンド膜
22の分析をラマン分光及びＸ線回析で行なったところ、
第８図のラマン分光特性図に示すように、1333cm-1にダ
イヤモンド特有のピークが得られると共にＸ線も同様に
ダイヤモンドの回析を示し、同定される。
図（Ａ）に示されており、振動板基材４上に結晶質のダ
イヤモンド膜22が形成されている。このダイヤモンド膜
22の分析をラマン分光及びＸ線回析で行なったところ、
第８図のラマン分光特性図に示すように、1333cm-1にダ
イヤモンド特有のピークが得られると共にＸ線も同様に
ダイヤモンドの回析を示し、同定される。
また、実施例１において、振動板基材４として、酸化物
系又は窒化物系であって、低密度、高弾性であり、音速
が10000m/s以上のセラミックスを使用することができ、
これによって製造されたドーム型振動板を第５図
（Ｂ），（Ｃ）にそれぞれ示す。
系又は窒化物系であって、低密度、高弾性であり、音速
が10000m/s以上のセラミックスを使用することができ、
これによって製造されたドーム型振動板を第５図
（Ｂ），（Ｃ）にそれぞれ示す。
これらのドーム型振動板21において、実施例１により得
られた第５図（Ａ）の振動板においては、音速が10000
〜12000m/sであり、第５図（Ｂ）の振動板では9000〜11
000m/s、第５図（Ｃ）の振動板では8000〜10000m/sが得
られ、従来のスピーカの周波数特性に対して約1.6〜2.4
倍の高域再生が可能なスピーカとすることができる。
られた第５図（Ａ）の振動板においては、音速が10000
〜12000m/sであり、第５図（Ｂ）の振動板では9000〜11
000m/s、第５図（Ｃ）の振動板では8000〜10000m/sが得
られ、従来のスピーカの周波数特性に対して約1.6〜2.4
倍の高域再生が可能なスピーカとすることができる。
第11図は実施例１によって得られた上記第５図（Ａ）の
ドーム型振動板の周波数特性Ａ（実線で示す）とチタニ
ウムだけによるドーム型振動板の周波数特性Ｂ（破線で
示す）を比較した周波数特性図であり、第５図（Ａ）の
ものＡは特に高域において著しく改善されていることが
判明する。
ドーム型振動板の周波数特性Ａ（実線で示す）とチタニ
ウムだけによるドーム型振動板の周波数特性Ｂ（破線で
示す）を比較した周波数特性図であり、第５図（Ａ）の
ものＡは特に高域において著しく改善されていることが
判明する。
実施例２ 実施例１において、振動板基材４として金属基材を用い
たものであり、実施例１の条件中、基材表面温度は600
〜1000度である。その他は実施例１と同様である。
たものであり、実施例１の条件中、基材表面温度は600
〜1000度である。その他は実施例１と同様である。
この実施例２によって得られたドーム型振動板21は第６
図（Ａ）に示されており、ダイヤモンド膜22の分析を実
施例１と同様に行なった。ラマン分光特性は第９図に示
されており、この分光特性図から明らかなように、実施
例１と同様、1333cm-1にダイヤモンド特有のピークが得
られ、また、Ｘ線回析でも同定された。
図（Ａ）に示されており、ダイヤモンド膜22の分析を実
施例１と同様に行なった。ラマン分光特性は第９図に示
されており、この分光特性図から明らかなように、実施
例１と同様、1333cm-1にダイヤモンド特有のピークが得
られ、また、Ｘ線回析でも同定された。
実施例２において、金属振動板基材４としてチタンを用
いてその表面にアルゴンと炭化水素ガスの熱プラズマ放
射をして炭化チタン層を形成し、次に上記アルゴンと炭
化水素に水素を加えて上記炭化チタン層の表面に結晶質
ダイヤモンド膜を形成することにより、第６図（Ｂ）に
示すように、チタニウム基材４、炭化チタン層23、ダイ
ヤモンド膜22の三層からなるドーム型振動板21とするこ
とができる。
いてその表面にアルゴンと炭化水素ガスの熱プラズマ放
射をして炭化チタン層を形成し、次に上記アルゴンと炭
化水素に水素を加えて上記炭化チタン層の表面に結晶質
ダイヤモンド膜を形成することにより、第６図（Ｂ）に
示すように、チタニウム基材４、炭化チタン層23、ダイ
ヤモンド膜22の三層からなるドーム型振動板21とするこ
とができる。
実施例２によって得られた第６図（Ａ）に示すドーム型
振動板21においては、音速が8000〜10000m/sであり、第
６図（Ｂ）に示すものにおいては9000〜11000m/sが得ら
れる。
振動板21においては、音速が8000〜10000m/sであり、第
６図（Ｂ）に示すものにおいては9000〜11000m/sが得ら
れる。
第12図は実施例２によって得られた上記第６図（Ａ）の
ドーム型振動板の周波数特性Ａとチタニウムだけにより
ドーム型振動板の周波数特性Ｂを比較した周波数特性図
である。
ドーム型振動板の周波数特性Ａとチタニウムだけにより
ドーム型振動板の周波数特性Ｂを比較した周波数特性図
である。
実施例３ 実施例１において、基材４としてチタニウム（Ti）でド
ーム型振動板形状に形成した金属基材20（第７図
（Ａ））を用い、その表面に結晶質ダイヤモンド膜を形
成した。この場合の条件は次の通りである。
ーム型振動板形状に形成した金属基材20（第７図
（Ａ））を用い、その表面に結晶質ダイヤモンド膜を形
成した。この場合の条件は次の通りである。
真空度 100Torr 基 材 チタニウム30μ 基材表面温度 800〜1000度 基材の大きさ 2.5cm 堆積時間 45分 形成されたダイヤモンド膜厚 40μ 上記のようにして金属基材20上に結晶質ダイヤモンド膜
22を形成したものにおいてはダイヤモンドは１〜５μの
結晶粒が堆積し、ボール状の結晶面をもった膜が得られ
た。これを実施例１と同様のラマン分光及びＸ線回析を
したところ、このラマン分光特性は第10図（Ａ）に示す
ように、実施例１と同様、1333cm-1にダイヤモンド特有
のピークが得られ、また、Ｘ線回析によっても同定され
た。
22を形成したものにおいてはダイヤモンドは１〜５μの
結晶粒が堆積し、ボール状の結晶面をもった膜が得られ
た。これを実施例１と同様のラマン分光及びＸ線回析を
したところ、このラマン分光特性は第10図（Ａ）に示す
ように、実施例１と同様、1333cm-1にダイヤモンド特有
のピークが得られ、また、Ｘ線回析によっても同定され
た。
上記のようにしてダイヤモンド膜22が形成された金属基
材20を弗化水素（HF）と硝酸の1:1混合液を用いて溶解
し、厚さ40μのダイヤモンド膜だけのドーム型振動板21
を得た。
材20を弗化水素（HF）と硝酸の1:1混合液を用いて溶解
し、厚さ40μのダイヤモンド膜だけのドーム型振動板21
を得た。
上記実施例３において、第７図（Ｂ）に示すように、金
属基材20の表面に硅素（Si）を蒸着して蒸着膜24を形成
し、その上にダイヤモンド膜22を形成した。この場合硅
素の蒸着膜24は金属基材20との反応を防ぐ役目をし、ダ
イヤモンド膜22の品質が向上する。また、この蒸着膜は
上例の混合液で溶解させることができる特徴がある。ダ
イヤモンドは１〜５μの結晶粒が堆積していることは上
例と同様であるが、100配向の結晶面をもった膜が得ら
れた。ダイヤモンド膜22の分析は上例と同様であり、ラ
マン分光特性は第10図（Ｂ）に示す通りである。
属基材20の表面に硅素（Si）を蒸着して蒸着膜24を形成
し、その上にダイヤモンド膜22を形成した。この場合硅
素の蒸着膜24は金属基材20との反応を防ぐ役目をし、ダ
イヤモンド膜22の品質が向上する。また、この蒸着膜は
上例の混合液で溶解させることができる特徴がある。ダ
イヤモンドは１〜５μの結晶粒が堆積していることは上
例と同様であるが、100配向の結晶面をもった膜が得ら
れた。ダイヤモンド膜22の分析は上例と同様であり、ラ
マン分光特性は第10図（Ｂ）に示す通りである。
第７図（Ｂ）に示すように、上例と同様の手段で金属基
材20及び蒸着膜24を溶解させてダイヤモンド膜22だけの
ドーム型振動板21を得た。
材20及び蒸着膜24を溶解させてダイヤモンド膜22だけの
ドーム型振動板21を得た。
なお、実施例３においては金属基材としてチタニウムを
用いたが、タンタル（Ta）でも可能であり、更には、タ
ングステン、ニオブ等の高融点の素材を使用することが
できる。また、蒸着膜24を炭化硅素とすることもでき
る。
用いたが、タンタル（Ta）でも可能であり、更には、タ
ングステン、ニオブ等の高融点の素材を使用することが
できる。また、蒸着膜24を炭化硅素とすることもでき
る。
実施例３によって得られた第７図（Ａ），（Ｂ）に示す
ダイヤモンドドーム振動板21の音響定数は、密度３〜3.
4（g/cm3）、ヤング率5.9〜8.2x1011（pa）が得られ、
音速は、第７図（Ａ）のものにおいては13000〜15000m/
s、第７図（Ｂ）に示すものにおいては14000〜16000m/s
が得られる。この特性は従来のスピーカの周波数特性に
対して約2.6〜3.2倍にあたる100KHzまで高域再生が可能
なスピーカを得ることができる。
ダイヤモンドドーム振動板21の音響定数は、密度３〜3.
4（g/cm3）、ヤング率5.9〜8.2x1011（pa）が得られ、
音速は、第７図（Ａ）のものにおいては13000〜15000m/
s、第７図（Ｂ）に示すものにおいては14000〜16000m/s
が得られる。この特性は従来のスピーカの周波数特性に
対して約2.6〜3.2倍にあたる100KHzまで高域再生が可能
なスピーカを得ることができる。
［発明の効果］ この発明に係る音響用振動板によれば、音響定数に優れ
ており、特に高域における周波数特性を大幅に改善する
ことができて、高音用、中音用のスピーカに最適であ
る。また、ダイヤモンド特有の高強度、高剛性の特長に
よって分割振動を低減することができ、歪の少ないスピ
ーカとすることができる。
ており、特に高域における周波数特性を大幅に改善する
ことができて、高音用、中音用のスピーカに最適であ
る。また、ダイヤモンド特有の高強度、高剛性の特長に
よって分割振動を低減することができ、歪の少ないスピ
ーカとすることができる。
この発明に係る音響用振動板の製造法によれば、ダイヤ
モンド膜の生成に大量のガスを供給する熱プラズマCVD
法が用いられ、放熱器を用いて振動板基材の表面温度を
所定の温度範囲に保つように冷却しながらプラズマ放射
を行なうものであるから、振動板基材を溶解したり変形
したりすることなく振動板基材上に所定膜圧のダイヤモ
ンド膜を形成することができ、また、その生成速度は従
来の10〜50倍の付着速度を得ることができると共に振動
板基材を移動させることにより多数枚処理することがで
きるから量産性に優れ、特性的に優れた音響用振動板を
安価に製造することができる。
モンド膜の生成に大量のガスを供給する熱プラズマCVD
法が用いられ、放熱器を用いて振動板基材の表面温度を
所定の温度範囲に保つように冷却しながらプラズマ放射
を行なうものであるから、振動板基材を溶解したり変形
したりすることなく振動板基材上に所定膜圧のダイヤモ
ンド膜を形成することができ、また、その生成速度は従
来の10〜50倍の付着速度を得ることができると共に振動
板基材を移動させることにより多数枚処理することがで
きるから量産性に優れ、特性的に優れた音響用振動板を
安価に製造することができる。
また、このような基材上に所定膜圧のダイヤモンド膜を
迅速に形成することができることから、基材を金属材と
してダイヤモンド膜を形成したのちこの金属基材を溶解
させてダイヤモンド膜だけの振動板を得る場合において
も量産が可能であり、この種の音響用振動板の製造法と
して最適である。
迅速に形成することができることから、基材を金属材と
してダイヤモンド膜を形成したのちこの金属基材を溶解
させてダイヤモンド膜だけの振動板を得る場合において
も量産が可能であり、この種の音響用振動板の製造法と
して最適である。
第１図乃至第13図はこの発明に係る音響用振動板及びそ
の製造法の実施例を示し、第１図は熱プラズマCVD法の
実施に使用される機構図、第２図はプラズマジェット温
度分布図、第３図及び第４図は放熱器の断面図、第５図
及び第６図は音響用振動板の断面図、第７図はダイヤモ
ンド膜だけの音響用振動板を製造する過程における基材
とダイヤモンド膜を示す断面図、第８図乃至第10図はラ
マン分光特性図、第11図乃至第13図は音響用振動板を組
み込んだスピーカの周波数特性図である。 第14図は従来のダイヤモンド膜形成法の機構図、第15図
は従来のダイヤモンド膜だけによる音響用振動板の製造
法における基材とダイヤモンド膜を示す断面図である。 1:プラズマトーチ、2:チャンバー、3:混合ガス 4:振動板基材、5:真空排気、6:冷却水、7:放熱器 8:アノード、9:カソード、10:押え治具 11:通水路、12:セット部、15:セット部 13:セラミックパウダー 14:セラミックスパウダー、16:セラミック膜 20:金属基材、21:ドーム型振動板 22:ダイヤモンド膜、23:炭化チタン層 24:蒸着膜
の製造法の実施例を示し、第１図は熱プラズマCVD法の
実施に使用される機構図、第２図はプラズマジェット温
度分布図、第３図及び第４図は放熱器の断面図、第５図
及び第６図は音響用振動板の断面図、第７図はダイヤモ
ンド膜だけの音響用振動板を製造する過程における基材
とダイヤモンド膜を示す断面図、第８図乃至第10図はラ
マン分光特性図、第11図乃至第13図は音響用振動板を組
み込んだスピーカの周波数特性図である。 第14図は従来のダイヤモンド膜形成法の機構図、第15図
は従来のダイヤモンド膜だけによる音響用振動板の製造
法における基材とダイヤモンド膜を示す断面図である。 1:プラズマトーチ、2:チャンバー、3:混合ガス 4:振動板基材、5:真空排気、6:冷却水、7:放熱器 8:アノード、9:カソード、10:押え治具 11:通水路、12:セット部、15:セット部 13:セラミックパウダー 14:セラミックスパウダー、16:セラミック膜 20:金属基材、21:ドーム型振動板 22:ダイヤモンド膜、23:炭化チタン層 24:蒸着膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸嶋 博昭 東京都足立区新田３丁目８番22号 並木精 密宝石株式会社内 (72)発明者 古滝 敏郎 東京都足立区新田３丁目８番22号 並木精 密宝石株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】振動板形状に形成したセラミックスの振動
板基材の少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及び水
素の混合したガスを熱プラズマ放射することにより結晶
質ダイヤモンド膜を形成したことを特徴とする音響用振
動板。 - 【請求項２】振動板基材が炭化硅素などの炭化物系セラ
ミックスであることを特徴とする請求項１記載の音響用
振動板。 - 【請求項３】振動板基材が酸化アルミニウム又は酸化ジ
ルコニウムなどの酸化物系セラミックスであることを特
徴とする請求項１記載の音響用振動板。 - 【請求項４】振動板基材が窒化チタン又は窒化硼素など
の窒化物系セラミックスであることを特徴とする請求項
１記載の音響用振動板。 - 【請求項５】振動板形状に形成した金属振動板基材の少
なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及び水素を混合し
たガスを熱プラズマ放射することにより結晶質ダイヤモ
ンド膜を形成したことを特徴とする音響用振動板。 - 【請求項６】金属振動板基材をチタニウムとし、アルゴ
ンと炭化水素ガスを熱プラズマ放射することにより振動
板基材面に炭化チタン層を形成し、該炭化チタン層の上
に、上記アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱プラ
ズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チタニ
ウム、炭化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層から
なることを特徴とする請求項５記載の音響用振動板。 - 【請求項７】チタニウム、タンタル又はモリブデンで振
動板形状に形成した金属基材に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合ガスを熱プラズマ放射することにより結晶
質のダイヤモンドを堆積させてダイヤモンド膜を形成し
たのち、金属基材を溶解せしめてダイヤモンド膜で振動
板形状としたことを特徴とする音響用振動板。 - 【請求項８】金属基材の表面に硅素又は炭化チタンを蒸
着し、その上にダイヤモンド膜を形成したのち、金属基
材を溶解せしめたことを特徴とする請求項７記載の音響
用振動板。 - 【請求項９】振動板形状に形成した金属基材の表面にダ
イヤモンド膜を形成したのち金属基材を溶解させて、ダ
イヤモンド膜だけで形成された振動板を得る音響用振動
板の製造法において、 チタニウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形
成した金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合
ガスを熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモ
ンドを堆積させてダイヤモンド膜を形成し、金属基材を
溶解させることを特徴とする音響用振動板の製造法。 - 【請求項１０】金属基材の表面に硅素又は炭化チタンを
蒸着し、その上に結晶質ダイヤモンド膜を形成したの
ち、金属基材を溶解せしめることを特徴とする請求項９
記載の音響用振動板の製造法。 - 【請求項１１】振動板基材上に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモ
ンド膜を形成する音響用振動板の製造法において、 振動板基材と該振動板基材をセットすべき放熱器との間
にセラミックパウダーを充填すると共に放熱器側を水冷
し、振動板基材の表面温度を600゜Ｃ〜1000゜Ｃの温度
範囲に保つように冷却することを特徴とする音響用振動
板の製造法。 - 【請求項１２】充填されるべきセラミックパウダーが、
ダイヤモンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素によるセラ
ミックスであることを特徴とする請求項11記載の音響用
振動板の製造法。 - 【請求項１３】振動板基材上に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモ
ンド膜を形成する音響用振動板の製造法において、 振動板基材を該振動板基材の形状に対応する形状のセッ
ト部を備えた放熱器にセットし、該放熱器を水冷するこ
とにより、振動板基材の表面温度を600゜Ｃ〜1000゜Ｃ
の温度範囲に保つように冷却することを特徴とする音響
用振動板の製造法。 - 【請求項１４】放熱器のセット部の表面に、ダイヤモン
ド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミック
ス膜を形成して振動板基材の冷却効果を高めることを特
徴とする請求項13記載の音響用振動板の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110510A JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
| US07/347,027 US4987002A (en) | 1988-05-09 | 1989-05-04 | Process for forming a crystalline diamond film |
| EP89108111A EP0341589B1 (en) | 1988-05-09 | 1989-05-05 | Method of and apparatus for manufacturing a crystalline diamond film for use as an acoustic diaphragm |
| DE68923815T DE68923815T2 (de) | 1988-05-09 | 1989-05-05 | Verfahren und Gerät zur Herstellung einer kristaliner Diamantfilm zur Anwendung als Akustisches Diaphragm. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110510A JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282999A JPH01282999A (ja) | 1989-11-14 |
| JPH0757039B2 true JPH0757039B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=14537613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110510A Expired - Lifetime JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4987002A (ja) |
| EP (1) | EP0341589B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0757039B2 (ja) |
| DE (1) | DE68923815T2 (ja) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413772A (en) * | 1987-03-30 | 1995-05-09 | Crystallume | Diamond film and solid particle composite structure and methods for fabricating same |
| GB8912498D0 (en) * | 1989-05-31 | 1989-07-19 | De Beers Ind Diamond | Diamond growth |
| US5190823A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-02 | General Electric Company | Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates |
| JPH0385099A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Kenwood Corp | スピーカ用振動板及びその製造法 |
| JPH0396200A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Kobe Steel Ltd | スピーカ用振動板 |
| US5356672A (en) * | 1990-05-09 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films |
| US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
| US5492770A (en) * | 1990-08-03 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for vapor deposition of diamond film |
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