JPH0756686B2 - 磁気ヘツド位置測定装置 - Google Patents
磁気ヘツド位置測定装置Info
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- JPH0756686B2 JPH0756686B2 JP1311696A JP31169689A JPH0756686B2 JP H0756686 B2 JPH0756686 B2 JP H0756686B2 JP 1311696 A JP1311696 A JP 1311696A JP 31169689 A JP31169689 A JP 31169689A JP H0756686 B2 JPH0756686 B2 JP H0756686B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ産業上の利用分野 Ｂ発明の概要 Ｃ従来の技術（第12図） Ｄ発明が解決しようとする問題点 Ｅ問題点を解決するための手段（第１図、第４図〜第７
図） Ｆ作用（第１図〜第12図） Ｇ実施例 （１）第１実施例（第１図〜第３図） （２）第２実施例（第４図〜第６図） （３）第３実施例（第７図及び第８図） （４）第４実施例（第９図及び第10図） （５）第５実施例（第11図） （６）他の実施例 Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は磁気ヘツド位置測定装置に関し、例えば映像信
号を記録再生するビデオテープレコーダの回転磁気ヘツ
ドに位置を測定する装置に適用して好適なものである。
図） Ｆ作用（第１図〜第12図） Ｇ実施例 （１）第１実施例（第１図〜第３図） （２）第２実施例（第４図〜第６図） （３）第３実施例（第７図及び第８図） （４）第４実施例（第９図及び第10図） （５）第５実施例（第11図） （６）他の実施例 Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は磁気ヘツド位置測定装置に関し、例えば映像信
号を記録再生するビデオテープレコーダの回転磁気ヘツ
ドに位置を測定する装置に適用して好適なものである。
Ｂ発明の概要 本発明は、磁気ヘツド位置測定装置において、光源から
射出された照射光を第１の集光レンズを介して回転ドラ
ム及び磁気ヘツドの摺接面に照射し、回転ドラム又は磁
気ヘツドの摺接面における反射光を第２の集光レンズを
介して位置検出手段の受光面上に集光し、磁気ヘツド摺
接面の変化を入射位置の変化として検出させるようにし
たことにより、小型かつ高精度の磁気ヘツド位置測定装
置を得ることができる。また回転ドラム及び磁気ヘツド
の摺接面から得られた反射光の入射位置に対応する信号
レベルを抽出し比較することにより、磁気ヘツド摺接面
の回転ドラムに対する突出量を測定し得るようにする。
射出された照射光を第１の集光レンズを介して回転ドラ
ム及び磁気ヘツドの摺接面に照射し、回転ドラム又は磁
気ヘツドの摺接面における反射光を第２の集光レンズを
介して位置検出手段の受光面上に集光し、磁気ヘツド摺
接面の変化を入射位置の変化として検出させるようにし
たことにより、小型かつ高精度の磁気ヘツド位置測定装
置を得ることができる。また回転ドラム及び磁気ヘツド
の摺接面から得られた反射光の入射位置に対応する信号
レベルを抽出し比較することにより、磁気ヘツド摺接面
の回転ドラムに対する突出量を測定し得るようにする。
Ｃ従来の技術 従来、高品位用ビデオテープレコーダにおいては、磁気
テープが摺接することにより生ずる磁気ヘツドの摩耗
を、ビデオテープレコーダを定期的に点検することによ
り修正するようになされている。
テープが摺接することにより生ずる磁気ヘツドの摩耗
を、ビデオテープレコーダを定期的に点検することによ
り修正するようになされている。
因に磁気ヘツドが摩耗すると、これに応じて磁気ヘツド
の電磁変換特性が変化するので、これを補償するように
記録電流の大きさや、再生イコライザ回路の特性などを
調整し直し、やがて磁気ヘツドの摩耗が極限まで進行し
て記録再生が困難な状態に近づいたことを確認し得たと
き、磁気ヘツドを回転ドラムごと交換する。
の電磁変換特性が変化するので、これを補償するように
記録電流の大きさや、再生イコライザ回路の特性などを
調整し直し、やがて磁気ヘツドの摩耗が極限まで進行し
て記録再生が困難な状態に近づいたことを確認し得たと
き、磁気ヘツドを回転ドラムごと交換する。
しかしこの方法によると、実際上調整をし直す必要がな
い場合にも、点検時期が来ればビデオテープレコーダの
使用を停止して点検するような無駄がある。
い場合にも、点検時期が来ればビデオテープレコーダの
使用を停止して点検するような無駄がある。
この問題を解決する１つの方法として、特願平１−6416
5号に開示されているように、磁気ヘツドの摩耗量を光
学的手法を用いて常時測定し、測定結果に基づいて記録
再生系を時々刻々に調整するような自己診断機能を有す
る磁気記録再生装置が提案されている。
5号に開示されているように、磁気ヘツドの摩耗量を光
学的手法を用いて常時測定し、測定結果に基づいて記録
再生系を時々刻々に調整するような自己診断機能を有す
る磁気記録再生装置が提案されている。
特願平１−64165号に開示の磁気記録再生装置におい
て、光学的位置検出ヘツド部H0は、第12図に示すよう
に、発光素子を構成する半導体レーザH1及び光位置検出
素子H2で構成され、当該半導体レーザH1及び光位置検出
素子H2を搭載した保持部材H3が、回転ドラムH4に近接し
てシヤーシにネジ留めされるようになされている。
て、光学的位置検出ヘツド部H0は、第12図に示すよう
に、発光素子を構成する半導体レーザH1及び光位置検出
素子H2で構成され、当該半導体レーザH1及び光位置検出
素子H2を搭載した保持部材H3が、回転ドラムH4に近接し
てシヤーシにネジ留めされるようになされている。
半導体レーザH1は、磁気ヘツドH5（H6）が磁気テープに
当接する当接面Ｍに対して、45度の傾きでレーザ光HLA1
を照射するようになされ、当接面Ｍで反射した光ビーム
HLA2を光位置検出素子H2で受光し得るようになされてい
る。
当接する当接面Ｍに対して、45度の傾きでレーザ光HLA1
を照射するようになされ、当接面Ｍで反射した光ビーム
HLA2を光位置検出素子H2で受光し得るようになされてい
る。
光位置検出素子H2は、光ビームHLA2の受光位置に応じて
出力信号SOUTの信号レベルが変化するようになされ、こ
れにより磁気ヘツドH5（H6）の摩耗量を検出し得るよう
になされている。
出力信号SOUTの信号レベルが変化するようになされ、こ
れにより磁気ヘツドH5（H6）の摩耗量を検出し得るよう
になされている。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところが従来の磁気ヘツド位置測定装置においては磁気
ヘツド６（７）の摩耗量をΔｄとすると、位置検出素子
３での変化量P1は でしか得られないため、最大でも0.05〔mm〕程度の摩耗
量Δｄを十分な精度で測定することができなかつた。
ヘツド６（７）の摩耗量をΔｄとすると、位置検出素子
３での変化量P1は でしか得られないため、最大でも0.05〔mm〕程度の摩耗
量Δｄを十分な精度で測定することができなかつた。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、全体とし
ての構成が小型かつ精度の高い磁気ヘツド位置測定装置
を提案しようとするものである。
ての構成が小型かつ精度の高い磁気ヘツド位置測定装置
を提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、光源２
と、光源２から射出された照射光LA1を第１の集光レン
ズLEN1を介して集光し、光源２の光源像を回転ドラム３
の外周面上及び当該外周面上に配設された磁気ヘツド４
の摺接面上に結像させる照明光学系と、磁気ヘツド４の
摺接面において反射された反射光を第２の集光レンズLE
N2を介して集光し結像する反射光学系と、反射光学系に
よつて集光され結像された反射光の受光面上での入射位
置を検出し、当該入射位置に基づいて磁気ヘツド４の摺
接面の回転ドラム３の半径方向に対する位置を検出する
位置検出手段６、７とを設けるようにする。
と、光源２から射出された照射光LA1を第１の集光レン
ズLEN1を介して集光し、光源２の光源像を回転ドラム３
の外周面上及び当該外周面上に配設された磁気ヘツド４
の摺接面上に結像させる照明光学系と、磁気ヘツド４の
摺接面において反射された反射光を第２の集光レンズLE
N2を介して集光し結像する反射光学系と、反射光学系に
よつて集光され結像された反射光の受光面上での入射位
置を検出し、当該入射位置に基づいて磁気ヘツド４の摺
接面の回転ドラム３の半径方向に対する位置を検出する
位置検出手段６、７とを設けるようにする。
また本発明においては、光源２と、光源２から射出され
た照射光LA1を第１の集光レンズ15を介して集光し、光
源２の光源像を回転ドラム３の外周面上及び当該外周面
上に配設された磁気ヘツド４の摺接面上に結像させる照
明光学系と、磁気ヘツド４の摺接面において反射された
反射光を第２の集光レンズ16を介して集光した後、反射
手段17によつて反射することにより反射光の光路を折り
返して出力する反射光学系と、反射光学系によつて集光
され結像された反射光の受光面上での入射位置を検出
し、当該入射位置に基づいて磁気ヘツド４の摺接面の回
転ドラム３の半径方向に対する位置を検出する位置検出
手段18、12とを設けるようにする。
た照射光LA1を第１の集光レンズ15を介して集光し、光
源２の光源像を回転ドラム３の外周面上及び当該外周面
上に配設された磁気ヘツド４の摺接面上に結像させる照
明光学系と、磁気ヘツド４の摺接面において反射された
反射光を第２の集光レンズ16を介して集光した後、反射
手段17によつて反射することにより反射光の光路を折り
返して出力する反射光学系と、反射光学系によつて集光
され結像された反射光の受光面上での入射位置を検出
し、当該入射位置に基づいて磁気ヘツド４の摺接面の回
転ドラム３の半径方向に対する位置を検出する位置検出
手段18、12とを設けるようにする。
さらに本発明においては、光源２と、光源２から射出さ
れた照射光LA1を第１の集光レンズ15を介して集光し、
光源２の光源像を回転ドラム３の外周面上及び当該外周
面上に配設された磁気ヘツド４の摺面上に結像させる照
明光学系と、磁気ヘツド４の摺接面において反射された
反射光LA2を第２の集光レンズ16を介して集光し結像す
る反射光学系と、反射光学系によつて集光され結像され
た反射光の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位
置に応じて得られるヘツド位置検出信号SOUTのうち回転
ドラム３の外周面に対応する反射光の検出信号から第１
の信号レベルL11を抽出すると共に、磁気ヘツド４の摺
接面に対応する反射光の検出信号から第２の信号レベル
L10を抽出し、当該第１及び第２の信号レベルの差分に
基づいて磁気ヘツド４における摺接面の回転ドラム３の
外周面に対する突出量を検出する位置検出手段18、21と
を設けるようにする。
れた照射光LA1を第１の集光レンズ15を介して集光し、
光源２の光源像を回転ドラム３の外周面上及び当該外周
面上に配設された磁気ヘツド４の摺面上に結像させる照
明光学系と、磁気ヘツド４の摺接面において反射された
反射光LA2を第２の集光レンズ16を介して集光し結像す
る反射光学系と、反射光学系によつて集光され結像され
た反射光の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位
置に応じて得られるヘツド位置検出信号SOUTのうち回転
ドラム３の外周面に対応する反射光の検出信号から第１
の信号レベルL11を抽出すると共に、磁気ヘツド４の摺
接面に対応する反射光の検出信号から第２の信号レベル
L10を抽出し、当該第１及び第２の信号レベルの差分に
基づいて磁気ヘツド４における摺接面の回転ドラム３の
外周面に対する突出量を検出する位置検出手段18、21と
を設けるようにする。
さらに本発明においては、光源２と、光源２から射出さ
れた照明光LA21を第１の集光レンズ29を介して集光し、
光源２の光源像を回転ドラム３の外周面上、及び、回転
ドラム３の外周面上であつて当該回転ドラム３の回転軸
方向かつ円周方向に沿つてそれぞれ段差を有するように
配設された複数の磁気ヘツド25A、26Aの摺接面上に結像
させる照明光学系と、磁気ヘツド25A、26Aの摺接面にお
いて反射された反射光LA22を第２の集光レンズ31を介し
て集光し結像する反射光学系と、反射光学系によつて集
光され結像された反射光LA22の受光面上での入射位置を
検出し、当該入射位置に応じて得られるヘツド位置検出
信号SOUTのうち回転ドラム３の外周面に対応する反射光
の検出信号から第１の信号レベルL3を抽出すると共に、
磁気ヘツド25A、26Aの摺接面に対応する反射光の検出信
号から第２の信号レベルL25、L26を抽出し、当該第１及
び第２の信号レベルの差分に基づいて複数の磁気ヘツド
それぞれにおける摺接面の回転ドラム３の外周面に対す
る突出量を検出する位置検出手段32、21とを設けるよう
にする。
れた照明光LA21を第１の集光レンズ29を介して集光し、
光源２の光源像を回転ドラム３の外周面上、及び、回転
ドラム３の外周面上であつて当該回転ドラム３の回転軸
方向かつ円周方向に沿つてそれぞれ段差を有するように
配設された複数の磁気ヘツド25A、26Aの摺接面上に結像
させる照明光学系と、磁気ヘツド25A、26Aの摺接面にお
いて反射された反射光LA22を第２の集光レンズ31を介し
て集光し結像する反射光学系と、反射光学系によつて集
光され結像された反射光LA22の受光面上での入射位置を
検出し、当該入射位置に応じて得られるヘツド位置検出
信号SOUTのうち回転ドラム３の外周面に対応する反射光
の検出信号から第１の信号レベルL3を抽出すると共に、
磁気ヘツド25A、26Aの摺接面に対応する反射光の検出信
号から第２の信号レベルL25、L26を抽出し、当該第１及
び第２の信号レベルの差分に基づいて複数の磁気ヘツド
それぞれにおける摺接面の回転ドラム３の外周面に対す
る突出量を検出する位置検出手段32、21とを設けるよう
にする。
Ｆ作用 第１の発明において、光源２から射出された照明光LA1
を第１の集光レンズLEN1を通して所定位置に結像させ、
磁気ヘツド４によつて反射された反射光LA2を第２の集
光レンズLEN2を通した後、位置検出手段６の受光面上に
結像させるようにしたことにより、磁気ヘツド4A及び4B
の変動量を入射位置の大きな変動量として検出すること
ができる。これにより小型で精度の高い磁気ヘツド位置
測定装置を実現し得る。
を第１の集光レンズLEN1を通して所定位置に結像させ、
磁気ヘツド４によつて反射された反射光LA2を第２の集
光レンズLEN2を通した後、位置検出手段６の受光面上に
結像させるようにしたことにより、磁気ヘツド4A及び4B
の変動量を入射位置の大きな変動量として検出すること
ができる。これにより小型で精度の高い磁気ヘツド位置
測定装置を実現し得る。
第２の発明において、光源２から射出された照明光LA1
を第１の集光レンズ15を通して所定位置に結像させ、磁
気ヘツド4A及び4Bの摺接面によつて反射された反射光LA
2を第２の集光レンズ16を通した後反射手段17によつて
反射させることにより折り返し、反射像を位置検出手段
18上に結像させるようにしたことにより、光路を長くと
ることができ、小型で精度の高い磁気ヘツド位置測定装
置を実現し得る。
を第１の集光レンズ15を通して所定位置に結像させ、磁
気ヘツド4A及び4Bの摺接面によつて反射された反射光LA
2を第２の集光レンズ16を通した後反射手段17によつて
反射させることにより折り返し、反射像を位置検出手段
18上に結像させるようにしたことにより、光路を長くと
ることができ、小型で精度の高い磁気ヘツド位置測定装
置を実現し得る。
第３の発明において、位置検出手段18から得られる回転
ドラム３の反射光に対応する信号部分SOUT1の信号レベ
ルL11と磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面に対応する信号部
分SOUT0の信号レベルL10との差分L11−L10を検出するこ
とにより、簡易かつ確実に摺接面の回転ドラム３からの
突出量を求めることができる。
ドラム３の反射光に対応する信号部分SOUT1の信号レベ
ルL11と磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面に対応する信号部
分SOUT0の信号レベルL10との差分L11−L10を検出するこ
とにより、簡易かつ確実に摺接面の回転ドラム３からの
突出量を求めることができる。
第４の発明において、位置検出手段32から得られる回転
ドラム３の反射光LA22に対応する信号部分の信号レベル
L3と複数の磁気ヘツド25及び26の摺接面にそれぞれ対応
する信号部分の信号レベルL25、L26との差分Δ11、Δ12
を検出することにより、段差をもつように配設された複
数の磁気ヘツド25及び26の突出量についても簡易かつ正
確に検出することができる。
ドラム３の反射光LA22に対応する信号部分の信号レベル
L3と複数の磁気ヘツド25及び26の摺接面にそれぞれ対応
する信号部分の信号レベルL25、L26との差分Δ11、Δ12
を検出することにより、段差をもつように配設された複
数の磁気ヘツド25及び26の突出量についても簡易かつ正
確に検出することができる。
Ｇ実施例 以下図面について本発明の一実施例を詳述する。
（１）第１実施例 第１図において、１は全体として磁気ヘツド位置測定装
置を示し、発光素子２から回転ドラム３上の磁気ヘツド
４に照射光LA1を集光レンズLEN1を通して所定角度で照
射し、集光レンズLEN2を通して得られる反射光LA2の位
置検出素子６への入射位置に対応する位置検出信号S1を
得るようになされている。
置を示し、発光素子２から回転ドラム３上の磁気ヘツド
４に照射光LA1を集光レンズLEN1を通して所定角度で照
射し、集光レンズLEN2を通して得られる反射光LA2の位
置検出素子６への入射位置に対応する位置検出信号S1を
得るようになされている。
磁気ヘツド位置測定装置１は、この位置検出信号S1を摩
耗量検出回路７に出力し、当該摩耗量検出回路７におい
て磁気ヘツド４の回転ドラム３上の突出位置、従つて摩
耗量を判断するようになされている。
耗量検出回路７に出力し、当該摩耗量検出回路７におい
て磁気ヘツド４の回転ドラム３上の突出位置、従つて摩
耗量を判断するようになされている。
ここで照射側集光レンズLEN1は発光素子２及び磁気ヘツ
ド４間の距離をL1:L2に内分する点に配設され、これに
より照射光LA1を磁気ヘツド４上の点M1に集光するよう
になされている。
ド４間の距離をL1:L2に内分する点に配設され、これに
より照射光LA1を磁気ヘツド４上の点M1に集光するよう
になされている。
また反射光用集光レンズLEN2は磁気ヘツド４及び位置検
出素子６間の距離を同様にしてL1:L2に内分する点に配
設され、磁気ヘツド４上の点M1の像を位置検出素子６上
の点N1に結像させるようになされている。
出素子６間の距離を同様にしてL1:L2に内分する点に配
設され、磁気ヘツド４上の点M1の像を位置検出素子６上
の点N1に結像させるようになされている。
これにより反射光用集光レンズLEN2は、位置検出素子６
上での結像点N1の移動量P2を磁気ヘツド４の摩耗Δｄに
よる光路長差P1のL1/L2倍にすることができるようにな
されている。
上での結像点N1の移動量P2を磁気ヘツド４の摩耗Δｄに
よる光路長差P1のL1/L2倍にすることができるようにな
されている。
ところで、位置検出素子６は第２図に示すような三層構
造をしており、所定バイアスを加えると、受光位置に応
じて第３図に示すような出力電流I1及びI2が、それぞれ
アノード１及びアノード２から得られるようになつてい
る。
造をしており、所定バイアスを加えると、受光位置に応
じて第３図に示すような出力電流I1及びI2が、それぞれ
アノード１及びアノード２から得られるようになつてい
る。
従つて、受光位置Ｘは、I1とI2の差又は比を求めること
により検出することができる。因に、位置検出素子の中
心を原点とした場合、受光位置xAは、 により求めることができる。
により検出することができる。因に、位置検出素子の中
心を原点とした場合、受光位置xAは、 により求めることができる。
また、位置検出素子の端部を原点とした場合、受光位置
xBは、 により求めることができる。
xBは、 により求めることができる。
本明細書においては、受光素子（又は位置検出素子）の
出力信号は、便宜上、上記（２）又は（３）式から求め
た位置情報を表わす信号、すなわちヘツド位置検出信号
SOUTとする。
出力信号は、便宜上、上記（２）又は（３）式から求め
た位置情報を表わす信号、すなわちヘツド位置検出信号
SOUTとする。
以上の構成において、磁気ヘツド４が摩耗により破線に
示す位置に後退すると、照射光LA1の入射位置は点M1か
ら照射光LA2の延長線上の点M2に移動し、この点M2にお
ける反射光LA2の入射位置は集光レンズLEN2の中心点Ｏ
を通つて点N2に移動する。
示す位置に後退すると、照射光LA1の入射位置は点M1か
ら照射光LA2の延長線上の点M2に移動し、この点M2にお
ける反射光LA2の入射位置は集光レンズLEN2の中心点Ｏ
を通つて点N2に移動する。
このようにして磁気ヘツド４の摩耗により生ずる反射光
LA2の入射位置の変化量P2（＝N1〜N2）は、磁気ヘツド
４の摩耗量P1（＝M1〜M2）及び光路差により生じる三角
形△OM1M2と三角形△ON1N2が相似である条件を用いて、 として検出される。
LA2の入射位置の変化量P2（＝N1〜N2）は、磁気ヘツド
４の摩耗量P1（＝M1〜M2）及び光路差により生じる三角
形△OM1M2と三角形△ON1N2が相似である条件を用いて、 として検出される。
この変移量P2は、従来検出される変移量P1に対してL1/L
2倍に拡大された値である。
2倍に拡大された値である。
以上の構成によれば、位置検出素子６で検出される反射
光L2の入射位置の変移量P2を従来のL1/L2倍にできるこ
とにより、ヘツドの突出量及び摩耗量の検出精度を一段
と向上することができる。
光L2の入射位置の変移量P2を従来のL1/L2倍にできるこ
とにより、ヘツドの突出量及び摩耗量の検出精度を一段
と向上することができる。
（２）第２実施例 第１図との対応部分に同一符号を付して示す第４図にお
いて、10は全体として磁気ヘツド位置測定装置を示し、
光学的位置検出ヘツド部11とその位置検出信号SOUTを処
理する摩耗量検出回路12であり、光学的位置検出ヘツド
部11は回転ドラム３の磁気テープが巻き付けられていな
い範囲において、回転ドラム３上に180度の角間隔だけ
離れた位置に配設された一対の磁気ヘツド4A及び4Bの走
行軌跡と対向する位置に配設されている。
いて、10は全体として磁気ヘツド位置測定装置を示し、
光学的位置検出ヘツド部11とその位置検出信号SOUTを処
理する摩耗量検出回路12であり、光学的位置検出ヘツド
部11は回転ドラム３の磁気テープが巻き付けられていな
い範囲において、回転ドラム３上に180度の角間隔だけ
離れた位置に配設された一対の磁気ヘツド4A及び4Bの走
行軌跡と対向する位置に配設されている。
光学的位置検出ヘツド部11には、第５図に示すように、
断面六角形状の支持ブロツク11A内に形成された折返し
照射光路孔11B及び反射光路孔11Cが穿設されている。
断面六角形状の支持ブロツク11A内に形成された折返し
照射光路孔11B及び反射光路孔11Cが穿設されている。
照射光路孔11Bは、第５図の左下側面11DLLから右上側面
11DRHから左下向きに折返して下側面11DLのほぼ中央位
置にある照射点M11まで延長するように形成され、左下
側面11DLLにLED（light emitting diode）又はレーザで
なる発光素子13が嵌め込まれ、この発光素子13から射出
された照射光を右上側面に嵌め込まれたミラー14におい
て反射させた後照射点M11の近傍に配設された照射側集
光レンズ15を通つて照射点M11に集光させる。
11DRHから左下向きに折返して下側面11DLのほぼ中央位
置にある照射点M11まで延長するように形成され、左下
側面11DLLにLED（light emitting diode）又はレーザで
なる発光素子13が嵌め込まれ、この発光素子13から射出
された照射光を右上側面に嵌め込まれたミラー14におい
て反射させた後照射点M11の近傍に配設された照射側集
光レンズ15を通つて照射点M11に集光させる。
また反射光路孔11Cは、第５図の下側面11DLの照射点M11
から右上向きに延長して左上側面11DLHに至り、この左
上側面11DLHから右下向きに折返して右下側面11DRLまで
延長するように形成され、照射点M11から得られる反射
光をその近傍に配設された反射側集光レンズ16を通つて
左上側面11DLHに嵌め込まれたミラー17において反射さ
せた後右下側面11DRLに嵌め込まれた位置検出素子18に
集光させ、照射点M11の位置に対応する位置検出信号を
送出する。
から右上向きに延長して左上側面11DLHに至り、この左
上側面11DLHから右下向きに折返して右下側面11DRLまで
延長するように形成され、照射点M11から得られる反射
光をその近傍に配設された反射側集光レンズ16を通つて
左上側面11DLHに嵌め込まれたミラー17において反射さ
せた後右下側面11DRLに嵌め込まれた位置検出素子18に
集光させ、照射点M11の位置に対応する位置検出信号を
送出する。
かくして発光素子13→ミラー14→集光レンズ15→照射点
M11の折返し照射光路と、照射点M11→集光レンズ16→ミ
ラー17→位置検出素子18の折返し反射光路とは、照射点
M11を通る中心仮想線Ｗを中心として対称かつ互いに交
差するような空間形状をもつようになされている。
M11の折返し照射光路と、照射点M11→集光レンズ16→ミ
ラー17→位置検出素子18の折返し反射光路とは、照射点
M11を通る中心仮想線Ｗを中心として対称かつ互いに交
差するような空間形状をもつようになされている。
以上の構成において、回転ドラム３上に搭載された磁気
ヘツド4A及び4Bに摩耗が生じていないとき、磁気ヘツド
4A及び4Bの磁気テープとの摺接面の走行軌跡は光学的位
置検出ヘツド部11の照射点M11を通る。従つて折返し照
射光路を通つて照射点M11に結像した発光素子13の発光
点の光源像が、磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面において反
射されて折返し反射光路を通つて位置検出素子18の受光
面上に結像される。
ヘツド4A及び4Bに摩耗が生じていないとき、磁気ヘツド
4A及び4Bの磁気テープとの摺接面の走行軌跡は光学的位
置検出ヘツド部11の照射点M11を通る。従つて折返し照
射光路を通つて照射点M11に結像した発光素子13の発光
点の光源像が、磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面において反
射されて折返し反射光路を通つて位置検出素子18の受光
面上に結像される。
磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面が光学的位置検出ヘツド部
11の照射点M11に近づいて来て照射点M11を通つた後照射
点M11から離れて行くまでの時間の間に、位置検出素子1
8から第６図において特性曲線K0で示すように、摺接面
が照射点M11を通過している間に位置情報L0を示すヘツ
ド位置検出信号SOUTが得られる。
11の照射点M11に近づいて来て照射点M11を通つた後照射
点M11から離れて行くまでの時間の間に、位置検出素子1
8から第６図において特性曲線K0で示すように、摺接面
が照射点M11を通過している間に位置情報L0を示すヘツ
ド位置検出信号SOUTが得られる。
これに対して磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面が摩耗して、
その高さが低くなると、光学的位置検出ヘツド部11の照
射点M11が摩耗した分後退する。
その高さが低くなると、光学的位置検出ヘツド部11の照
射点M11が摩耗した分後退する。
このとき磁気ヘツド4A及び4B上に結像した光源像は折返
し反射光路を通つて位置検出素子18に到達するが、位置
検出素子18上に結像する光源像の位置はヘツドの摩耗分
が集光レンズに拡大された量だけずれる。
し反射光路を通つて位置検出素子18に到達するが、位置
検出素子18上に結像する光源像の位置はヘツドの摩耗分
が集光レンズに拡大された量だけずれる。
従つて摺接面が照射点M11を通過している間のヘツド位
置検出信号SOUTは、第６図において特性曲線K1で示すよ
うに、位置情報L1に低下する。
置検出信号SOUTは、第６図において特性曲線K1で示すよ
うに、位置情報L1に低下する。
摩耗量検出回路12には、摩耗前のヘツド位置検出信号S
OUTの位置情報L0に基づいて摩耗後のヘツド位置検出信
号SOUTの位置情報L1への低下量を設定し、当該低下量が
所定の限界値を超えたとき磁気ヘツド4A又は4Bの変換が
必要になつたと判断して警報信号SARMを送出し得る。
OUTの位置情報L0に基づいて摩耗後のヘツド位置検出信
号SOUTの位置情報L1への低下量を設定し、当該低下量が
所定の限界値を超えたとき磁気ヘツド4A又は4Bの変換が
必要になつたと判断して警報信号SARMを送出し得る。
以上の構成によれば、磁気ヘツド4A又は4Bの摩耗状態を
確実の検出でき、かくするにつき折返し反射光路を有す
る光学的位置検出ヘツド部を用いるようにしたことによ
り、全体としての構成を一段と小型化し得る。
確実の検出でき、かくするにつき折返し反射光路を有す
る光学的位置検出ヘツド部を用いるようにしたことによ
り、全体としての構成を一段と小型化し得る。
かくするにつき、照射光及び反射光を折り曲げたことに
より、全体としての構成を大型化することなく実用上十
分長い光路長を得ることができ、その結果磁気ヘツドの
微小な摩耗量の変化を拡大して検出し得ることにより摩
耗量を一段と高精度で検出することができる。
より、全体としての構成を大型化することなく実用上十
分長い光路長を得ることができ、その結果磁気ヘツドの
微小な摩耗量の変化を拡大して検出し得ることにより摩
耗量を一段と高精度で検出することができる。
（３）第３実施例 第７図は第３実施例を示すもので第４図との対応部分に
同一符号を付して示すように、光学的位置検出ヘツド部
11から送出されるヘツド位置検出信号SOUTの処理手段と
して突出量測定回路21を有することを除いて第４図の場
合と同様の構成を有する。
同一符号を付して示すように、光学的位置検出ヘツド部
11から送出されるヘツド位置検出信号SOUTの処理手段と
して突出量測定回路21を有することを除いて第４図の場
合と同様の構成を有する。
以上の構成において、突出量検出回路21は第５図に示す
ように、ヘツド位置検出信号SOUTに含まれている位置信
号のうち、光学的位置検出ヘツド部11に対して磁気ヘツ
ド4A又は4Bが対向したとき得られる位置信号SOUT0に加
えて、光学的位置検出ヘツド部11に対して回転ドラム３
の外周面が対向したとき得られる位置信号SOUT1を用い
て回転ドラム３の外周面を基準にして、当該外周面から
の磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面の突出量を評定する。
ように、ヘツド位置検出信号SOUTに含まれている位置信
号のうち、光学的位置検出ヘツド部11に対して磁気ヘツ
ド4A又は4Bが対向したとき得られる位置信号SOUT0に加
えて、光学的位置検出ヘツド部11に対して回転ドラム３
の外周面が対向したとき得られる位置信号SOUT1を用い
て回転ドラム３の外周面を基準にして、当該外周面から
の磁気ヘツド4A及び4Bの摺接面の突出量を評定する。
すなわち突出量測定回路21は、第５図において、光学的
位置検出ヘツド部11が回転ドラム３の外周面に対向して
いる期間（時点t1より前又は時点t2より後の範囲）のタ
イミングにおいて回転ドラム３の外周面の位置を表す位
置信号L11を取り込むと共に、光学的位置検出ヘツド部1
1が磁気ヘツド4A又は4Bの摺接面に対向している期間
（時点t1〜t2の範囲）のタイミングにおいて磁気ヘツド
4A及び4Bの摺接面の位置を表す位置信号L10を取り込
む。
位置検出ヘツド部11が回転ドラム３の外周面に対向して
いる期間（時点t1より前又は時点t2より後の範囲）のタ
イミングにおいて回転ドラム３の外周面の位置を表す位
置信号L11を取り込むと共に、光学的位置検出ヘツド部1
1が磁気ヘツド4A又は4Bの摺接面に対向している期間
（時点t1〜t2の範囲）のタイミングにおいて磁気ヘツド
4A及び4Bの摺接面の位置を表す位置信号L10を取り込
む。
そして突出量検出回路21は取り込んだ位置信号L10及びL
11の差を演算により求めてその偏差量 ΔP1＝|L10−L11| ……（５） を磁気ヘツド4A、4Bの回転ドラム３からの突出量P1を表
す情報として得る。
11の差を演算により求めてその偏差量 ΔP1＝|L10−L11| ……（５） を磁気ヘツド4A、4Bの回転ドラム３からの突出量P1を表
す情報として得る。
以上の構成によれば、磁気ヘツド4A、4Bの摺接面の位置
を回転ドラム３の外周面の位置を基準にして検出するこ
とができ、従つて例えば摺接面の摩耗状態を自己診断す
る際にこれを比較的簡易な構成によつて実現し得る。
を回転ドラム３の外周面の位置を基準にして検出するこ
とができ、従つて例えば摺接面の摩耗状態を自己診断す
る際にこれを比較的簡易な構成によつて実現し得る。
因に摺接面の摩耗量に基づいて磁気ヘツド4A、4Bの交換
時期を評定する場合に、摩耗開始前の摺接面の位置デー
タと現在位置データとの偏差によつて摩耗量を評定する
ことも考えられるが、上述の構成によれば、位置データ
格納用のメモリを省略することができ、この分全体とし
ての構成を簡易化し得る。
時期を評定する場合に、摩耗開始前の摺接面の位置デー
タと現在位置データとの偏差によつて摩耗量を評定する
ことも考えられるが、上述の構成によれば、位置データ
格納用のメモリを省略することができ、この分全体とし
ての構成を簡易化し得る。
また回転ドラム３の半径が異なるビデオテープレコーダ
や、回転ドラム３が偏心している場合にも、突出量測定
回路21は、２点から得られるヘツド位置検出信号の差分
を検出するいわゆるフローテイング法と呼ばれる方法で
あるため、加工精度上生じる回転ドラム３の外周面の位
置のバラツキなどによる機械的オフセツトを全く無視す
ることができ、検出データを修正する構成を別途設ける
ことなく、その影響を受けない検出結果を得ることがで
きる。
や、回転ドラム３が偏心している場合にも、突出量測定
回路21は、２点から得られるヘツド位置検出信号の差分
を検出するいわゆるフローテイング法と呼ばれる方法で
あるため、加工精度上生じる回転ドラム３の外周面の位
置のバラツキなどによる機械的オフセツトを全く無視す
ることができ、検出データを修正する構成を別途設ける
ことなく、その影響を受けない検出結果を得ることがで
きる。
（４）第４実施例 第９図は第４実施例を示し、第７図との対応部分に同一
符号を付して示すように、検出対象となる回転ドラム３
はその回転方向及び回転軸の方向に沿う方向にずれた位
置に段差をもつ第１及び第２の磁気ヘツド25A（25B）及
び26A（26B）を配設してなる４ヘツドの構成を有し、磁
気ヘツド位置測定装置27は、磁気ヘツド25A及び26A（又
は25B及び26B）を同時に照射し得るように回転ドラム３
の回転軸方向に細長い矩形の照射光LA21を射出する発光
素子28を有し、この照射光LA21を集光レンズ29を通して
回転ドラム３及び磁気ヘツド25A及び26A（又は25B及び2
6B）上に照射することにより光源像30を結像させる共
に、その反射光LA22を集光レンズ31を通して位置検出素
子32上に照射することにより光源像を結像させる。
符号を付して示すように、検出対象となる回転ドラム３
はその回転方向及び回転軸の方向に沿う方向にずれた位
置に段差をもつ第１及び第２の磁気ヘツド25A（25B）及
び26A（26B）を配設してなる４ヘツドの構成を有し、磁
気ヘツド位置測定装置27は、磁気ヘツド25A及び26A（又
は25B及び26B）を同時に照射し得るように回転ドラム３
の回転軸方向に細長い矩形の照射光LA21を射出する発光
素子28を有し、この照射光LA21を集光レンズ29を通して
回転ドラム３及び磁気ヘツド25A及び26A（又は25B及び2
6B）上に照射することにより光源像30を結像させる共
に、その反射光LA22を集光レンズ31を通して位置検出素
子32上に照射することにより光源像を結像させる。
この光源像は、第６図に示されるように縦方向に細長い
像とされている。従つて、この実施例においては、後述
するように、光源像の長さの範囲内にある複数の磁気ヘ
ツドについて位置検出することができる。
像とされている。従つて、この実施例においては、後述
するように、光源像の長さの範囲内にある複数の磁気ヘ
ツドについて位置検出することができる。
この実施例の場合磁気ヘツド25A及び25B（又は26A及び2
6B）の摺接面の周囲は非反射部材34によつて埋め込ま
れ、これにより位置検出素子32のヘツド位置検出信号S
OUTは、第７図に示すように、光源像30が回転ドラム３
の外周面を照射している期間（時点t11より前又は時点t
12より後の範囲）のタイミングにおいて回転ドラム３の
外周面の位置を表す信号レベルL3になり、また光源像30
が磁気ヘツド25A（又は25B）の摺接面を照射している期
間（時点t251〜t250の範囲）のタイミングにおいてその
摺接面の位置を表す位置信号L25になり、さらに光源像3
0が磁気ヘツド26A（又は26B）の摺接面を照射している
期間（時点t261〜t260の範囲）のタイミングにおいてそ
の摺接面の位置を表す位置信号L26になるように変化
し、これらの位置信号L3、L25及びL26を呈する期間以外
の期間（時点t11〜t251の範囲、時点t250〜t261の範
囲、時点t260〜t12の範囲）のタイミングにおいては光
源像30が非反射部材34を照射することにより低い位置を
示すようになされている。
6B）の摺接面の周囲は非反射部材34によつて埋め込ま
れ、これにより位置検出素子32のヘツド位置検出信号S
OUTは、第７図に示すように、光源像30が回転ドラム３
の外周面を照射している期間（時点t11より前又は時点t
12より後の範囲）のタイミングにおいて回転ドラム３の
外周面の位置を表す信号レベルL3になり、また光源像30
が磁気ヘツド25A（又は25B）の摺接面を照射している期
間（時点t251〜t250の範囲）のタイミングにおいてその
摺接面の位置を表す位置信号L25になり、さらに光源像3
0が磁気ヘツド26A（又は26B）の摺接面を照射している
期間（時点t261〜t260の範囲）のタイミングにおいてそ
の摺接面の位置を表す位置信号L26になるように変化
し、これらの位置信号L3、L25及びL26を呈する期間以外
の期間（時点t11〜t251の範囲、時点t250〜t261の範
囲、時点t260〜t12の範囲）のタイミングにおいては光
源像30が非反射部材34を照射することにより低い位置を
示すようになされている。
以上の構成において、回転ドラム３の回転に従つて光源
像30が回転ドラム３、磁気ヘツド25A及び26A（又は25B
及び26B）を順次照射することにより、位置検出素子32
のヘツド位置検出信号SOUTは第10図に示すように変動す
る。
像30が回転ドラム３、磁気ヘツド25A及び26A（又は25B
及び26B）を順次照射することにより、位置検出素子32
のヘツド位置検出信号SOUTは第10図に示すように変動す
る。
突出量測定回路21は、ヘツド位置検出信号SOUTが位置信
号L3、L25及びL26になつているタイミングで順次発生す
るゲート信号G1、G2及びG3（第７図（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ））によつて当該位置信号L3、L25及びL26を内部に
取り込んで偏差量 ΔP11＝|L25−L3| ……（６） ΔP11＝|L26−L3| ……（７） を磁気ヘツド25A（又は25B）及び26A（又は26B）の回転
ドラム３からの突出量P11及びP12を表す情報として得
る。
号L3、L25及びL26になつているタイミングで順次発生す
るゲート信号G1、G2及びG3（第７図（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ））によつて当該位置信号L3、L25及びL26を内部に
取り込んで偏差量 ΔP11＝|L25−L3| ……（６） ΔP11＝|L26−L3| ……（７） を磁気ヘツド25A（又は25B）及び26A（又は26B）の回転
ドラム３からの突出量P11及びP12を表す情報として得
る。
以上の構成によれば、回転ドラム３の回転軸方向及び回
転方向にずれて段差をもつて配設された磁気ヘツド25A
及び26A並びに25B及び26Bの回転ドラム３に対する突出
量を検出するにつき、第４図の実施例において上述した
と同様にして、回転ドラム３の外周面の位置を基準にし
て検出できることにより、その摺接面の摩耗状態等の自
己診断を簡易な構成によつて実現し得る。
転方向にずれて段差をもつて配設された磁気ヘツド25A
及び26A並びに25B及び26Bの回転ドラム３に対する突出
量を検出するにつき、第４図の実施例において上述した
と同様にして、回転ドラム３の外周面の位置を基準にし
て検出できることにより、その摺接面の摩耗状態等の自
己診断を簡易な構成によつて実現し得る。
因に第９図の構成においても、第７図について上述した
実施例の場合と同様にして、磁気ヘツド25A若しくは25
B、又は26A若しくは26Bの位置と比較するための基準位
置データを保持するためのメモリを省略することがで
き、また突出量の検出結果に回転ドラムに偏心があつて
もその影響を受けないようにできる。
実施例の場合と同様にして、磁気ヘツド25A若しくは25
B、又は26A若しくは26Bの位置と比較するための基準位
置データを保持するためのメモリを省略することがで
き、また突出量の検出結果に回転ドラムに偏心があつて
もその影響を受けないようにできる。
（５）第５実施例 第11図は第５実施例を示す、第９図との対応部分に同一
符号を付して示すように、磁気ヘツド位置測定装置27は
２本の照射光LA211及びLA212を照射する第１及び第２の
発光源28X1及び28X2を含む発光素子28を有している。
符号を付して示すように、磁気ヘツド位置測定装置27は
２本の照射光LA211及びLA212を照射する第１及び第２の
発光源28X1及び28X2を含む発光素子28を有している。
第１及び第２の発光源28X1及び28X2は第１及び第２の磁
気ヘツド25A（又は25B）、26A（又は26B）の回転軸方向
のずれに応じて配置されている。
気ヘツド25A（又は25B）、26A（又は26B）の回転軸方向
のずれに応じて配置されている。
発光素子28は、磁気ヘツド25A（又は25B）及び26A（又
は26B）との段差に対応するように離間する２つの発光
源28X1及び28X2を有し、この発光源28X1及び28X2から射
出された照射光LA211及びLA212を同じ集光レンズ29を通
つて磁気ヘツド25A（又は25B）及び26A（又は26B）に照
射することにより光源像301及び302を結像させると共
に、その反射光を同じ集光レンズ31を通して位置検出素
子32に入射させるようになされている。
は26B）との段差に対応するように離間する２つの発光
源28X1及び28X2を有し、この発光源28X1及び28X2から射
出された照射光LA211及びLA212を同じ集光レンズ29を通
つて磁気ヘツド25A（又は25B）及び26A（又は26B）に照
射することにより光源像301及び302を結像させると共
に、その反射光を同じ集光レンズ31を通して位置検出素
子32に入射させるようになされている。
この実施例の場合、位置検出素子32は磁気ヘツド25A
（又は25B）及び26A（又は26B）に対応する位置検出素
子部321及び322上に光源像331及び332を結像させ、これ
により対応する突出量測定回路部211及び212に対してヘ
ツド位置検出信号SOUT1及びSOUT2を与えるようになされ
ている。
（又は25B）及び26A（又は26B）に対応する位置検出素
子部321及び322上に光源像331及び332を結像させ、これ
により対応する突出量測定回路部211及び212に対してヘ
ツド位置検出信号SOUT1及びSOUT2を与えるようになされ
ている。
以上の構成によれば、回転ドラム３の回転軸方向にずれ
て配置された２つの段差をもつ磁気ヘツド25A（又は25
B）及び26A（又は26B）を共通の光学系を通る２本の照
射光で照射し、その反射光を対応する２つの位置検出素
子321及び322によつてそれぞれ検出するようにしたこと
により、第９図の場合と比較して信号処理系の構成を一
段と簡易化し得る。
て配置された２つの段差をもつ磁気ヘツド25A（又は25
B）及び26A（又は26B）を共通の光学系を通る２本の照
射光で照射し、その反射光を対応する２つの位置検出素
子321及び322によつてそれぞれ検出するようにしたこと
により、第９図の場合と比較して信号処理系の構成を一
段と簡易化し得る。
因に第４図の実施例によれば、磁気ヘツド25A（又は25
B）及び26A（又は26B）の突出量を演算するにつき、ゲ
ート信号G1、G2及びG3（第10図（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ））によつて対応する検出信号を抜き出すような信
号処理系が必要であつたのに対し、第11図の構成によれ
ば、この構成を必要としない分信号処理系を一段と簡易
化し得る。
B）及び26A（又は26B）の突出量を演算するにつき、ゲ
ート信号G1、G2及びG3（第10図（Ｂ）、（Ｃ）及び
（Ｄ））によつて対応する検出信号を抜き出すような信
号処理系が必要であつたのに対し、第11図の構成によれ
ば、この構成を必要としない分信号処理系を一段と簡易
化し得る。
（６）他の実施例 （１） 上述の実施例においては、発光源の光源を直接
回転ドラム３上に光源像として結像させるようにした場
合について述べたが、本発明においてはこれに代え、発
光源から射出された光源光を遮光マスクによつて遮光す
ることにより、照射光をしぼるようにしても、上述の場
合と同様の効果を得ることができる。
回転ドラム３上に光源像として結像させるようにした場
合について述べたが、本発明においてはこれに代え、発
光源から射出された光源光を遮光マスクによつて遮光す
ることにより、照射光をしぼるようにしても、上述の場
合と同様の効果を得ることができる。
（２） 上述の実施例においては、光源としてLEDを用
いた場合について述べたが、本発明においてはこれに代
え、レーザビーム等種々の光源を適用し得る。
いた場合について述べたが、本発明においてはこれに代
え、レーザビーム等種々の光源を適用し得る。
例えば発光源２、13を間欠発光させるようにすると、位
置検出素子６、18の出力について外来光の光量分と光源
像の光量分との判別を容易に行うことができるようにな
り、外来光の影響の少ない、すなわち、信号対雑音比
（S/N比）の良好な正確なヘツド位置信号SOUTを得るこ
とができる。また、発光源を間欠発光させることによ
り、発光源を許容され得る最大電力で駆動することがで
きるので、受光素子への入射光量はその分増加すること
ができ、この点からもヘツド位置信号SOUTのS/N比はさ
らに改善される。
置検出素子６、18の出力について外来光の光量分と光源
像の光量分との判別を容易に行うことができるようにな
り、外来光の影響の少ない、すなわち、信号対雑音比
（S/N比）の良好な正確なヘツド位置信号SOUTを得るこ
とができる。また、発光源を間欠発光させることによ
り、発光源を許容され得る最大電力で駆動することがで
きるので、受光素子への入射光量はその分増加すること
ができ、この点からもヘツド位置信号SOUTのS/N比はさ
らに改善される。
（３） 上述の実施例においては、同一円周上に配設さ
れた一対の磁気ヘツドの突出量を測定する場合について
述べたが、同一円周上に配置された磁気ヘツドの数はこ
れに限らず、１個又は２個以上であつてもよい。
れた一対の磁気ヘツドの突出量を測定する場合について
述べたが、同一円周上に配置された磁気ヘツドの数はこ
れに限らず、１個又は２個以上であつてもよい。
（４） 上述の実施例においては、回転ドラム３上に磁
気ヘツドを一体に取付けた場合について述べたが、固定
ドラムに対して磁気ヘツドを搭載した回転板を回転駆動
するプロペラ方式のものにも適用し得る。
気ヘツドを一体に取付けた場合について述べたが、固定
ドラムに対して磁気ヘツドを搭載した回転板を回転駆動
するプロペラ方式のものにも適用し得る。
（５） 第５図の実施例においては、発光素子13から射
出された照射光及び照射点M11において反射された反射
光を２枚のミラー14及び17によつてそれぞれ反射させて
折り曲げるようにした場合について述べたが、本発明は
これに代え、プリズム等によつて折り曲げるようにして
も良い。
出された照射光及び照射点M11において反射された反射
光を２枚のミラー14及び17によつてそれぞれ反射させて
折り曲げるようにした場合について述べたが、本発明は
これに代え、プリズム等によつて折り曲げるようにして
も良い。
（６） 上述の第３の実施例においては、ヘツド位置信
号SOUTから磁気ヘツド4A及び4Bの突出量を求める場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、回転ドラム３
の周面上の複数点に対応する位置検出素子18の出力のヘ
ツド位置信号SOUTから偏差を求めることにより、回転ド
ラム３の偏心量を測定しても良い。従つて、回転ドラム
３の交換の際に、この偏心量を測定することにより、偏
心の修正を高精度に行うことができる。
号SOUTから磁気ヘツド4A及び4Bの突出量を求める場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、回転ドラム３
の周面上の複数点に対応する位置検出素子18の出力のヘ
ツド位置信号SOUTから偏差を求めることにより、回転ド
ラム３の偏心量を測定しても良い。従つて、回転ドラム
３の交換の際に、この偏心量を測定することにより、偏
心の修正を高精度に行うことができる。
（７） 上述の第３の実施例においては、ヘツド位置信
号SOUTから磁気ヘツド4A及び4Bの突出量を求める場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、ヘツドクロツ
グを一段と高精度に検出することができる。すなわち、
磁気ヘツド4A、4Bの摺接面には、磁気テープの磁粉ある
いは種々のダストが次第に堆積され、磁気ヘツド摺接面
の形状は原形状から次第に変形する。この変形は突出量
測定回路21において、ヘツド位置検出信号SOUTの位置情
報判別を行うことにより容易に検出することができる。
号SOUTから磁気ヘツド4A及び4Bの突出量を求める場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、ヘツドクロツ
グを一段と高精度に検出することができる。すなわち、
磁気ヘツド4A、4Bの摺接面には、磁気テープの磁粉ある
いは種々のダストが次第に堆積され、磁気ヘツド摺接面
の形状は原形状から次第に変形する。この変形は突出量
測定回路21において、ヘツド位置検出信号SOUTの位置情
報判別を行うことにより容易に検出することができる。
（８） 第９図及び第11図の第４及び第５実施例におい
ては、回転軸方向及び回転方向にずれた４つの磁気ヘツ
ド25A、25B及び26A、26Bを有する４ヘツド構成の回転ド
ラム３に本発明を適用した場合について述べたが、回転
軸方向の段差数及び回転方向の配列数はこれに限らず種
々のものに適用し得る。
ては、回転軸方向及び回転方向にずれた４つの磁気ヘツ
ド25A、25B及び26A、26Bを有する４ヘツド構成の回転ド
ラム３に本発明を適用した場合について述べたが、回転
軸方向の段差数及び回転方向の配列数はこれに限らず種
々のものに適用し得る。
（９） 第11図の第５実施例においては、２つの磁気ヘ
ツド25A及び26A（又は25B及び26B）に対応して２つの発
光源28X1及び28X2を設けた場合について述べたが、第３
実施例（第６図）と同様回転軸方向に細長い１つの発光
素子を用いても良い。
ツド25A及び26A（又は25B及び26B）に対応して２つの発
光源28X1及び28X2を設けた場合について述べたが、第３
実施例（第６図）と同様回転軸方向に細長い１つの発光
素子を用いても良い。
Ｈ発明の効果 上述のように第１の発明によれば、磁気ヘツド上に照射
光の光源像を第１の集光レンズを介して結像させると共
に、反射像を第２の集光レンズを介して位置検出手段の
受光面上に結像させることにより、小型かつ高精度の磁
気ヘツド位置測定装置を得ることができる。
光の光源像を第１の集光レンズを介して結像させると共
に、反射像を第２の集光レンズを介して位置検出手段の
受光面上に結像させることにより、小型かつ高精度の磁
気ヘツド位置測定装置を得ることができる。
また第２の発明によれば、磁気ヘツド上に照射光の光源
像を第１の集光レンズを介して結像させると共に、第２
の集光レンズを通つた反射像を反射手段によつて反射さ
せ、折り返された反射光を位置検出手段の受光面上に結
像させることにより、光路を長くとつて変動量を一層拡
大でき、一段と小型かつ高精度の磁気ヘツド位置測定装
置を得ることができる。
像を第１の集光レンズを介して結像させると共に、第２
の集光レンズを通つた反射像を反射手段によつて反射さ
せ、折り返された反射光を位置検出手段の受光面上に結
像させることにより、光路を長くとつて変動量を一層拡
大でき、一段と小型かつ高精度の磁気ヘツド位置測定装
置を得ることができる。
さらに第３の発明によれば、磁気ヘツドの位置を回転ド
ラム表面を基準にして測定するようにしたことにより、
簡易に磁気ヘツドの突出量を測定し得る磁気ヘツド位置
測定装置を得ることができる。
ラム表面を基準にして測定するようにしたことにより、
簡易に磁気ヘツドの突出量を測定し得る磁気ヘツド位置
測定装置を得ることができる。
さらに第４の発明によれば、回転軸方向及び円周方向に
沿つて段差を有するように配置された複数の磁気ヘツド
を照明光により照射し、その反射光の受光面への入射位
置を位置検出手段によつて検出するようにしたことによ
り、複数の磁気ヘツドの突出量についても正確に測定し
得る磁気ヘツド位置測定装置を得ることができる。
沿つて段差を有するように配置された複数の磁気ヘツド
を照明光により照射し、その反射光の受光面への入射位
置を位置検出手段によつて検出するようにしたことによ
り、複数の磁気ヘツドの突出量についても正確に測定し
得る磁気ヘツド位置測定装置を得ることができる。
第１図は本発明による磁気ヘツド位置測定装置の第１の
実施例の説明に供する略線図、第２図は位置検出素子の
説明に供する断面図、第３図はその位置検出特性の説明
に供する特性曲線図、第４図は本発明による磁気ヘツド
位置測定装置の第２実施例を示す略線的平面図、第５図
は光学的位置検出装置の詳細構成を示す略線的断面図、
第６図はヘツド位置検出信号を示す信号波形図、第７図
は本発明による磁気ヘツド位置測定装置の第３実施例を
示す略線的平面図、第８図はヘツド突出量の測定の説明
に供する信号波形図、第９図は本発明による第４実施例
の説明に供する斜視図、第10図はその動作の説明に供す
る信号波形図、第11図は本発明による第５実施例の説明
に供する斜視図、第12図は検出部を示す略線図である。 ２、13、28……発光素子、３……回転ドラム、4A、4B、
25A、25B、26A、26B……磁気ヘツド、６、18、32……位
置検出素子、７、12……摩耗量検出回路、14、17……ミ
ラー、15、16、29、31……集光レンズ、21……突出量測
定回路。
実施例の説明に供する略線図、第２図は位置検出素子の
説明に供する断面図、第３図はその位置検出特性の説明
に供する特性曲線図、第４図は本発明による磁気ヘツド
位置測定装置の第２実施例を示す略線的平面図、第５図
は光学的位置検出装置の詳細構成を示す略線的断面図、
第６図はヘツド位置検出信号を示す信号波形図、第７図
は本発明による磁気ヘツド位置測定装置の第３実施例を
示す略線的平面図、第８図はヘツド突出量の測定の説明
に供する信号波形図、第９図は本発明による第４実施例
の説明に供する斜視図、第10図はその動作の説明に供す
る信号波形図、第11図は本発明による第５実施例の説明
に供する斜視図、第12図は検出部を示す略線図である。 ２、13、28……発光素子、３……回転ドラム、4A、4B、
25A、25B、26A、26B……磁気ヘツド、６、18、32……位
置検出素子、７、12……摩耗量検出回路、14、17……ミ
ラー、15、16、29、31……集光レンズ、21……突出量測
定回路。
Claims (4)
- 【請求項１】光源と、 上記光源から射出された照射光を第１の集光レンズを介
して集光し、上記光源の光源像を回転ドラムの外周面上
及び当該外周面上に配設された磁気ヘツドの摺接面上に
結像させる照明光学系と、 上記磁気ヘツドの摺接面において反射された反射光を第
２の集光レンズを介して集光し結像する反射光学系と、 上記反射光学系によつて集光され結像された上記反射光
の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位置に基づ
いて上記磁気ヘツドの摺接面の上記回転ドラムの半径方
向に対する位置を検出する位置検出手段と を具えることを特徴とする磁気ヘツド位置測定装置。 - 【請求項２】光源と、 上記光源から射出された照明光を第１の集光レンズを介
して集光し、上記光源の光源像を回転ドラムの外周面上
及び当該外周面上に配設された磁気ヘツドの摺接面上に
結像させる照明光学系と、 上記磁気ヘツドの摺接面において反射された反射光を第
２の集光レンズを介して集光した後、反射手段によつて
反射することにより上記反射光の光路を折り返して出力
する反射光学系と、 上記反射光学系によつて集光され結像された上記反射光
の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位置に基づ
いて上記磁気ヘツドの摺接面の上記回転ドラムの半径方
向に対する位置を検出する位置検出手段と を具えることを特徴とする磁気ヘツド位置測定装置。 - 【請求項３】光源と、 上記光源から射出された照明光を第１の集光レンズを介
して集光し、上記光源の光源像を回転ドラムの外周面上
及び当該外周面上に配設された磁気ヘツドの摺面上に結
像させる照明光学系と、 上記磁気ヘツドの摺接面において反射された反射光を第
２の集光レンズを介して集光し結像する反射光学系と、 上記反射光学系によつて集光され結像された上記反射光
の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位置に応じ
て得られるヘツド位置検出信号のうち上記回転ドラムの
外周面に対応する反射光の検出信号から第１の信号レベ
ルを抽出すると共に、上記磁気ヘツドの摺接面に対応す
る反射光の検出信号から第２の信号レベルを抽出し、当
該第１及び第２の信号レベルの差分に基づいて上記磁気
ヘツドにおける摺接面の上記回転ドラムの外周面に対す
る突出量を検出する位置検出手段と を具えることを特徴とする磁気ヘツド位置測定装置。 - 【請求項４】光源と、 上記光源から射出された照明光を第１の集光レンズを介
して集光し、上記光源の光源像を回転ドラムの外周面
上、及び、上記回転ドラムの外周面上であつて当該回転
ドラムの回転軸方向かつ円周方向に沿つてそれぞれ段差
を有するように配設された複数の磁気ヘツドの摺接面上
に結像させる照明光学系と、 上記磁気ヘツドの摺接面において反射された反射光を第
２の集光レンズを介して集光し結像する反射光学系と、 上記反射光学系によつて集光され結像された上記反射光
の受光面上での入射位置を検出し、当該入射位置に応じ
て得られるヘツド位置検出信号のうち上記回転ドラムの
外周面に対応する反射光の検出信号から第１の信号レベ
ルを抽出すると共に、上記磁気ヘツドの摺接面に対応す
る反射光の検出信号から第２の信号レベルを抽出し、当
該第１及び第２の信号レベルの差分に基づいて上記複数
の磁気ヘツドそれぞれにおける摺接面の上記回転ドラム
の外周面に対する突出量を検出する位置検出手段と を具えることを特徴とする磁気ヘツド位置測定装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311696A JPH0756686B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気ヘツド位置測定装置 |
| US07/619,140 US5196979A (en) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Magnetic head position measuring device |
| US08/016,510 US5291364A (en) | 1989-11-30 | 1993-02-11 | Magnetic head position measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311696A JPH0756686B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気ヘツド位置測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171401A JPH03171401A (ja) | 1991-07-24 |
| JPH0756686B2 true JPH0756686B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=18020367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311696A Expired - Fee Related JPH0756686B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 磁気ヘツド位置測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5196979A (ja) |
| JP (1) | JPH0756686B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756686B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1995-06-14 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツド位置測定装置 |
| JPH06168425A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Hitachi Ltd | 磁気テープライブラリ装置及び磁気記録再生装置並びに磁気ヘッド検査方法 |
| WO1995013606A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Exabyte Corporation | Method and apparatus for determining and using head parameters in a helical scan recorder |
| US5734535A (en) * | 1995-06-19 | 1998-03-31 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | Magnetic head with a useable lifetime detection mechanism |
| US5953812A (en) * | 1997-07-03 | 1999-09-21 | Schlumberger Technologies, Inc. | Misinsert sensing in pick and place tooling |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5819724A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド突出量測定方法 |
| JPS6032143A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-19 | Nec Home Electronics Ltd | 姿勢制御装置 |
| JPH01133316U (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-11 | ||
| JPH0244401A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Toshiba Corp | 多重型電気式プロセス制御装置 |
| JPH02244401A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | Sony Corp | 磁気記録再生装置 |
| JPH0756686B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1995-06-14 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツド位置測定装置 |
| US5079432A (en) * | 1990-06-25 | 1992-01-07 | Ampex Corporation | Method and apparatus for measuring the displacement of an automatic scan tracking head |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311696A patent/JPH0756686B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-11-28 US US07/619,140 patent/US5196979A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-11 US US08/016,510 patent/US5291364A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5196979A (en) | 1993-03-23 |
| US5291364A (en) | 1994-03-01 |
| JPH03171401A (ja) | 1991-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |