JPH0750674B2 - レジスト被塗布体の加熱装置 - Google Patents
レジスト被塗布体の加熱装置Info
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- JPH0750674B2 JPH0750674B2 JP63068721A JP6872188A JPH0750674B2 JP H0750674 B2 JPH0750674 B2 JP H0750674B2 JP 63068721 A JP63068721 A JP 63068721A JP 6872188 A JP6872188 A JP 6872188A JP H0750674 B2 JPH0750674 B2 JP H0750674B2
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- insulating material
- resist
- heat insulating
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レジスト被塗布体の加熱装置に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体デバイスの製造においては、精密写真転
写技術を用いて、所定パターンを半導体ウエハに転写す
るが、近年は、半導体デバイスの高集積化に伴い、その
工程数は著しく増大している。
写技術を用いて、所定パターンを半導体ウエハに転写す
るが、近年は、半導体デバイスの高集積化に伴い、その
工程数は著しく増大している。
すなわち、従来は、単にレジスト塗布装置によりレジス
トを塗布し、レジスト被塗布体の加熱装置により溶剤乾
燥を行えばよかったが、集積度向上に伴なう微細加工の
ためには、疎水処理（HMDSによるアドヒージョン処理）
や、塗布層の上にさらに塗布層を重ねてレジスト膜の表
面平坦化を行う多層塗布、CEL膜（反射防止膜）塗布等
が必要とされる。
トを塗布し、レジスト被塗布体の加熱装置により溶剤乾
燥を行えばよかったが、集積度向上に伴なう微細加工の
ためには、疎水処理（HMDSによるアドヒージョン処理）
や、塗布層の上にさらに塗布層を重ねてレジスト膜の表
面平坦化を行う多層塗布、CEL膜（反射防止膜）塗布等
が必要とされる。
このため、これらの一連の工程を処理するために必要と
される装置が増え、装置設置面積が増大する傾向にあ
る。
される装置が増え、装置設置面積が増大する傾向にあ
る。
そこで、レジスト塗布装置によりレジストを塗布された
基板の溶剤乾燥を行うレジスト被塗布体の加熱装置にお
いては、従来第３図に示すように、レジスト被塗布体、
例えばレジストが塗布された半導体ウエハ１が載置さ
れ、この半導体ウエハ１を加熱する加熱板２を所定の間
隔を形成して縦方向に積層し、複数段設けることによっ
て、設置面積の縮小を図っている。
基板の溶剤乾燥を行うレジスト被塗布体の加熱装置にお
いては、従来第３図に示すように、レジスト被塗布体、
例えばレジストが塗布された半導体ウエハ１が載置さ
れ、この半導体ウエハ１を加熱する加熱板２を所定の間
隔を形成して縦方向に積層し、複数段設けることによっ
て、設置面積の縮小を図っている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、一般に半導体製造工程は、クリーンルー
ム内で行われ、このクリーンルーム内には、上方から下
方へ向けてのダウンフローが形成されている。このた
め、第３図に示した従来のレジスト被塗布体の加熱装置
では、上記ダウンフローによって上方に配置された加熱
板２の熱が、例えばレジスト塗布装置３等の周辺の工程
機器に運ばれ、例えばレジスト塗布装置３周囲の雰囲気
温度が上昇してレジスト塗布等の工程に悪影響を与える
という問題がある。また、レジスト被塗布体の加熱装置
においては、処理温度を±0.5℃程度の精度で一定に保
つ必要があるが、上述のダウンフローにより上方に配置
された加熱板２の熱が下方に配置された加熱板２の周囲
に運ばれるため、下方に配置された加熱板２と上方に配
置された加熱板２との間で熱的な条件に違いが生じ、温
度精度が低下するという問題がある。
ム内で行われ、このクリーンルーム内には、上方から下
方へ向けてのダウンフローが形成されている。このた
め、第３図に示した従来のレジスト被塗布体の加熱装置
では、上記ダウンフローによって上方に配置された加熱
板２の熱が、例えばレジスト塗布装置３等の周辺の工程
機器に運ばれ、例えばレジスト塗布装置３周囲の雰囲気
温度が上昇してレジスト塗布等の工程に悪影響を与える
という問題がある。また、レジスト被塗布体の加熱装置
においては、処理温度を±0.5℃程度の精度で一定に保
つ必要があるが、上述のダウンフローにより上方に配置
された加熱板２の熱が下方に配置された加熱板２の周囲
に運ばれるため、下方に配置された加熱板２と上方に配
置された加熱板２との間で熱的な条件に違いが生じ、温
度精度が低下するという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱が他の周辺の工程に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することのできるレジスト被
塗布体の加熱装置を提供しようとするものである。
で、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱が他の周辺の工程に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することのできるレジスト被
塗布体の加熱装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、レジストが塗布されたレジスト被塗
布体を設ける加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、
この断熱材層の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に
接続された排気口を有する筐体で囲んだことを特徴とす
る。
布体を設ける加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、
この断熱材層の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に
接続された排気口を有する筐体で囲んだことを特徴とす
る。
（作用） 上記構成の本発明のレジスト被塗布体の加熱装置では、
縦方向に複数段設けられた加熱板の周囲がそれぞれ断熱
材層で囲まれており、これらの断熱材層の周囲は、それ
ぞれ吸気口および排気手段に接続された排気口を有する
筐体で囲まれている。
縦方向に複数段設けられた加熱板の周囲がそれぞれ断熱
材層で囲まれており、これらの断熱材層の周囲は、それ
ぞれ吸気口および排気手段に接続された排気口を有する
筐体で囲まれている。
したがって、上方に配置された加熱板の熱が、クリーン
ルーム内に形成されたダウンフローによってレジスト塗
布装置等の周辺の機器および下方に配置された加熱板の
周囲に運ばれることを防止することができ、従来に較べ
て処理温度精度の向上を図ることができるとともに、加
熱板の熱による周辺の機器に対する影響を従来に較べて
大幅に軽減することができる。
ルーム内に形成されたダウンフローによってレジスト塗
布装置等の周辺の機器および下方に配置された加熱板の
周囲に運ばれることを防止することができ、従来に較べ
て処理温度精度の向上を図ることができるとともに、加
熱板の熱による周辺の機器に対する影響を従来に較べて
大幅に軽減することができる。
（実施例） 以下本発明のレジスト被塗布体の加熱装置の一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
レジストが前工程のレジスト塗布装置で半導体ウエハ１
の表面に塗布され、この半導体ウエハ１が搬送され円板
状の加熱板２上に載置される。この加熱板２の底面には
ヒータ４が配置される。この加熱板２の周囲は、例えば
低発塵性材料の断熱材層５によって覆われている。すな
わち、この断熱材層５は、加熱板２の下部および側部を
覆う如く円板状、環状ブロックを積み重ねた断熱材層5a
と、この断熱材層5aと別体に構成され加熱板２の上部を
覆う有底筒体状断熱材層5bとから構成されている。
の表面に塗布され、この半導体ウエハ１が搬送され円板
状の加熱板２上に載置される。この加熱板２の底面には
ヒータ４が配置される。この加熱板２の周囲は、例えば
低発塵性材料の断熱材層５によって覆われている。すな
わち、この断熱材層５は、加熱板２の下部および側部を
覆う如く円板状、環状ブロックを積み重ねた断熱材層5a
と、この断熱材層5aと別体に構成され加熱板２の上部を
覆う有底筒体状断熱材層5bとから構成されている。
断熱材層5aは、駆動機構、例えばエアシリンダ６に接続
されて上記加熱板２およびヒータ４とともに上下動可能
に構成されている。また、断熱材層5aとヒータ４および
加熱板２には、同一部分に複数例えば３つの透孔Ｈが形
成されており、これらの透孔Ｈには、ピン７が挿入され
ている。そして、上記エアシリンダ６による加熱板２の
上下動により、加熱板２が下降位置でピン７が加熱板２
上面に突出し、半導体ウエハ１をピン７により支持する
よう構成されている。
されて上記加熱板２およびヒータ４とともに上下動可能
に構成されている。また、断熱材層5aとヒータ４および
加熱板２には、同一部分に複数例えば３つの透孔Ｈが形
成されており、これらの透孔Ｈには、ピン７が挿入され
ている。そして、上記エアシリンダ６による加熱板２の
上下動により、加熱板２が下降位置でピン７が加熱板２
上面に突出し、半導体ウエハ１をピン７により支持する
よう構成されている。
一方、断熱材層5bは、支持部材８に固定されており、そ
のほぼ中央部には、加熱にともなって半導体ウエハ１に
塗布されたレジストから気化する溶媒を外部に導出する
ための排気管９が接続されている。
のほぼ中央部には、加熱にともなって半導体ウエハ１に
塗布されたレジストから気化する溶媒を外部に導出する
ための排気管９が接続されている。
さらに、上記断熱材層５、エアシリンダ６、支持部材８
等を囲む如く筐体10が配置されている。この筐体10の上
部および側部には、吸気孔として例えば複数の円孔11が
形成されており、例えば側部下方には、排気孔が形成さ
れこの排気孔には、図示しない排気装置に接続された排
気管12が接続されている。また、筐体10の側部には、半
導体ウエハ１径よりも幅の広いスリット状の開口からな
る搬出入口13が形成されている。
等を囲む如く筐体10が配置されている。この筐体10の上
部および側部には、吸気孔として例えば複数の円孔11が
形成されており、例えば側部下方には、排気孔が形成さ
れこの排気孔には、図示しない排気装置に接続された排
気管12が接続されている。また、筐体10の側部には、半
導体ウエハ１径よりも幅の広いスリット状の開口からな
る搬出入口13が形成されている。
そして、上述のように加熱板２、断熱材層５、エアシリ
ンダ６、支持部材８等を収容する筐体10が第２図に示す
ように、縦方向に間隔を設けて複数積層されて、レジス
ト被塗布体の加熱装置が構成されている。なお、これら
の筐体10は、図示しない駆動装置に接続されており上下
動可能に構成されている。
ンダ６、支持部材８等を収容する筐体10が第２図に示す
ように、縦方向に間隔を設けて複数積層されて、レジス
ト被塗布体の加熱装置が構成されている。なお、これら
の筐体10は、図示しない駆動装置に接続されており上下
動可能に構成されている。
上記構成のこの実施例のレジスト被塗布体の加熱装置
は、予めヒータ４により加熱板２を所定温度に加熱して
おくとともに、排気管12により筐体10内からの排気を行
い、エアシリンダ６により断熱材層5aおよび加熱板２を
下降させ、断熱材層5aと断熱材層5bとの間に間隔を設け
るとともにピン７が加熱板２上面に突出した状態で待機
する。
は、予めヒータ４により加熱板２を所定温度に加熱して
おくとともに、排気管12により筐体10内からの排気を行
い、エアシリンダ６により断熱材層5aおよび加熱板２を
下降させ、断熱材層5aと断熱材層5bとの間に間隔を設け
るとともにピン７が加熱板２上面に突出した状態で待機
する。
そして、レジスト塗布装置３によりレジストを塗布され
た半導体ウエハ１が図示しない搬送装置により搬送さ
れ、搬出入口13から筐体10内に挿入されて、ピン７上に
配置される。なお、この時、半導体ウエハ１を搬入され
る筐体10は、図示しない駆動装置により、搬送装置の高
さに対応した所定高さ位置に配置される。
た半導体ウエハ１が図示しない搬送装置により搬送さ
れ、搬出入口13から筐体10内に挿入されて、ピン７上に
配置される。なお、この時、半導体ウエハ１を搬入され
る筐体10は、図示しない駆動装置により、搬送装置の高
さに対応した所定高さ位置に配置される。
この後、エアシリンダ６を駆動し断熱材層5aおよび加熱
板２を上昇させることにより、半導体ウエハ１をピン７
上から加熱板２上に移し、断熱材層5aと断熱材層5bとの
間の間隔を閉塞した状態で、排気管９、12により排気を
行い、所定時間半導体ウエハ１を加熱して、レジストの
溶剤乾燥を行う。
板２を上昇させることにより、半導体ウエハ１をピン７
上から加熱板２上に移し、断熱材層5aと断熱材層5bとの
間の間隔を閉塞した状態で、排気管９、12により排気を
行い、所定時間半導体ウエハ１を加熱して、レジストの
溶剤乾燥を行う。
そして、上記所定時間のレジストの溶剤乾燥が終了する
と、エアシリンダ６を駆動し、断熱材層5aおよび加熱板
２を下降させることにより、断熱材層5aと断熱材層5bと
の間に間隔を設けるとともに加熱板２からピン７上に半
導体ウエハ１を移し、搬送装置により搬出入口13から搬
出する。
と、エアシリンダ６を駆動し、断熱材層5aおよび加熱板
２を下降させることにより、断熱材層5aと断熱材層5bと
の間に間隔を設けるとともに加熱板２からピン７上に半
導体ウエハ１を移し、搬送装置により搬出入口13から搬
出する。
すなわち、上記説明のこの実施例のレジスト被塗布体の
加熱装置では、加熱板２の周囲が断熱材層５によって覆
われているとともに、これらの加熱板２および断熱材層
５は、筐体10内に収容され、この筐体10内は、排気管12
により常に排気されている。したがって筐体10内には、
第１図に矢印で示すような空気流が形成され、筐体10
は、この空気流によって冷却される。このため、加熱板
２およびヒータ４が高温になっても、この熱が筐体10に
伝わりにくく、筐体10を介して外側雰囲気に熱が伝達す
ることを防止することができる。また、筐体10内を通過
し、温度が上昇した空気は、排気管12により系外に排出
されるので、この空気により他の機器および下段に配置
された加熱板２に悪影響をおよぼすこともない。さら
に、断熱材層５を介して加熱板２およびヒータ４の熱が
ある程度漏洩しても、上述のような筐体10内の空気流に
よって系外に導出されるので、断熱材層５の厚さを薄く
することができ、装置全体の高さを低くする、あるいは
積層段数を多くすることができる。
加熱装置では、加熱板２の周囲が断熱材層５によって覆
われているとともに、これらの加熱板２および断熱材層
５は、筐体10内に収容され、この筐体10内は、排気管12
により常に排気されている。したがって筐体10内には、
第１図に矢印で示すような空気流が形成され、筐体10
は、この空気流によって冷却される。このため、加熱板
２およびヒータ４が高温になっても、この熱が筐体10に
伝わりにくく、筐体10を介して外側雰囲気に熱が伝達す
ることを防止することができる。また、筐体10内を通過
し、温度が上昇した空気は、排気管12により系外に排出
されるので、この空気により他の機器および下段に配置
された加熱板２に悪影響をおよぼすこともない。さら
に、断熱材層５を介して加熱板２およびヒータ４の熱が
ある程度漏洩しても、上述のような筐体10内の空気流に
よって系外に導出されるので、断熱材層５の厚さを薄く
することができ、装置全体の高さを低くする、あるいは
積層段数を多くすることができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明のレジスト被塗布体の加熱装置で
は、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱による周辺の機器に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することができる。
は、従来に較べて処理温度精度の向上を図ることができ
るとともに、加熱板の熱による周辺の機器に対する影響
を従来に較べて大幅に軽減することができる。
第１図は本発明の一実施例のレジスト被塗布体の加熱装
置の要部を示す断面図、第２図は第１図のレジスト被塗
布体の加熱装置の全体構成を示す図、第３図は従来のレ
ジスト被塗布体の加熱装置の全体構成を示す図である。 １……半導体ウエハ、２……加熱板、３……レジスト塗
布装置、４……ヒータ、５……断熱材層、６……エアシ
リンダ、７……ピン、８……支持部材、９……排気管、
10……筐体、11……円孔（吸気孔）、12……排気管、13
……搬出入口。
置の要部を示す断面図、第２図は第１図のレジスト被塗
布体の加熱装置の全体構成を示す図、第３図は従来のレ
ジスト被塗布体の加熱装置の全体構成を示す図である。 １……半導体ウエハ、２……加熱板、３……レジスト塗
布装置、４……ヒータ、５……断熱材層、６……エアシ
リンダ、７……ピン、８……支持部材、９……排気管、
10……筐体、11……円孔（吸気孔）、12……排気管、13
……搬出入口。
Claims (1)
- 【請求項１】レジストが塗布されたレジスト被塗布体を
設ける加熱板の周囲をそれぞれ断熱材層で囲み、この断
熱材層の周囲をそれぞれ吸気口および排気手段に接続さ
れた排気口を有する筐体で囲んだことを特徴とするレジ
スト被塗布体の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068721A JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068721A JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9796996A Division JP2611161B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | レジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241124A JPH01241124A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0750674B2 true JPH0750674B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13381943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068721A Expired - Fee Related JPH0750674B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | レジスト被塗布体の加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750674B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306175A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | 基板の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3280798B2 (ja) * | 1993-05-20 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗膜の加熱処理方法及び加熱処理装置 |
| JP4535499B2 (ja) | 2005-04-19 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 |
| CN103578928A (zh) * | 2013-10-21 | 2014-02-12 | 上海和辉光电有限公司 | 基板干燥方法、基板制造方法及其低温加热干燥装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348589U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-04-24 | ||
| JPS594021A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 真空断熱スペ−サ− |
| JPS6231120A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの搬送方法及び装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236276Y2 (ja) * | 1985-01-10 | 1990-10-03 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068721A patent/JPH0750674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5348589U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-04-24 | ||
| JPS594021A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 真空断熱スペ−サ− |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306175A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | 基板の製造方法 |
| JP4534175B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2010-09-01 | エルピーダメモリ株式会社 | 基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01241124A (ja) | 1989-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |