JPH07506465A - ウエハ静電締着装置 - Google Patents
ウエハ静電締着装置Info
- Publication number
- JPH07506465A JPH07506465A JP6512157A JP51215794A JPH07506465A JP H07506465 A JPH07506465 A JP H07506465A JP 6512157 A JP6512157 A JP 6512157A JP 51215794 A JP51215794 A JP 51215794A JP H07506465 A JPH07506465 A JP H07506465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platen
- fastening
- voltage
- wafer
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (60)
- 1.被処理体を静電締着するための装置であって、少なくとも2つのプラテン・ セクションを含み、該少なくとも2つのプラテン・セクションが伝導材料から成 りかつ互いに電気的に絶縁されているプラテンと、 前記少なくとも2つのプラテン・セクション上に配置される誘電体物質であつて 、該誘電体物質は被処理体を受け取るための締着面を有するところの誘電体物質 と、 前記プラテンに多位相締着電圧を印加するための手段であって、前記被処理体が 前記締着面上の固定位置に静電的に締着されるように前記多位相締着電圧の1つ の位相が前記少なくとも2つのプラテン・セクションのそれぞれに印加されると ころの手段と、から成る装置。
- 2.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記プラテン・セクションは面積 が等しく前記誘電体物質と接触する面を含むところの装置。
- 3.請求の範囲第1項に記載の装置であって、さらに前記被処理体と前記多位相 電圧の接地導体との間に接続された伝導手段を含むところの装置。
- 4.請求の範囲第3項に記載の装置であって、前記導体手段は前記誘電体物質と 前記被処理体との間の前記締着面上に配置される少なくとも1つの細いワイヤか ら成るところの装置。
- 5.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記誘電体物質は前記少なくとも 2つのプラテン・セクションに固定された弾性誘電体層から成るところの装置。
- 6.請求の範囲第5項に記載の装置であって、前記弾性誘電体層は熱伝導性があ るところの装置。
- 7.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記被処理体は半導体ウエハから 成るところの装置。
- 8.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記締着面は平坦であるところの 装置。
- 9.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記多位相締着電圧の各位相は正 弦電圧から成るところの装置。
- 10.請求の範囲第1項に記載の装置であって、前記多位相締着電圧の各位相は 双極方形波電圧から成るところの装置。
- 11.請求の範囲第10項に記載の装置であって、前記方形波電圧は約1000 V/msecまたはそれ以下のスイッチング比を有するところの装置。
- 12.半導体ウエハを静電締着するための装置であって、 第1、第2及び第3プラテン・セクションを含み、該第1、第2及び第3プラテ ン・セクションが伝導材料から成りかつ互いに電気的に絶縁されているプラテン と、 前記第1、第2及び第3プラテン・セクション上に配置される誘電体物質であっ て、該誘電体物質は半導体ウエハを受け取るための締着面を有するところの誘電 体物質と、 前記プラテンに3位相締着電圧を印加するための手段であって、前記半導体ウエ ハが前記締着面上の固定位置に静電的に締着されるように前記3位相締着電圧の 1つの位相が前記第1、第2及び第3プラテン・セクションのそれぞれに印加さ れるところの手段と、から成る装置。
- 13.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記第1、第2及び第3プラ テン・セクションは面積が等しく前記誘電体物質と接触する面を有するところの 装置。
- 14.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記締着面は円形でありかつ 半径方向に前記第1、第2及び第3プラテン・セクションに分割されるところの 装置。
- 15.請求の範囲第12項に記載の装置であって、さらに前記被処理体と前記3 位相締着電圧の通常の導体との間に接続された伝導手段を含むところの装置。
- 16.請求の範囲第15項に記載の装置であって、前記伝導手段は前記誘電体物 質と前記半導体ウエハとの間の前記誘電体物質上に配置された少なくとも1つの 細いワイヤから成るところの装置。
- 17.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記誘電体物質は前記第1、 第2及び第3プラテン・セクションに固定された弾性誘電体層から成るところの 装置。
- 18.請求の範囲第17項に記載の装置であって、前記弾性誘電体層は熱伝導性 を有するところの装置。
- 19.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記締着面は平坦であるとこ ろの装置。
- 20.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記3位相締着電圧の各位相 は正弦電圧から成るところの装置。
- 21.請求の範囲第12項に記載の装置であって、前記3位相締着電圧の各位相 は双極方形波電圧から成るところの装置。
- 22.請求の範囲第21項に記載の装置であって、前記双極方形波電圧は約10 00V/msecかまたはそれ以下のスイッチング比を有するところの装置。
- 23.被処理体を静電締着するための装置であって、被処理体を受けるための円 形で電気的に絶縁された締着面と、該締着面の下方に配設されそれと電気的に離 隔された6つの伝導電極とを有し、該電極は前記円形締着面の中心に関して対称 に配置されるところのプラテンと、 被処理体の締着が所望の時前記電極のそれぞれにAC電圧を印加するための締着 制御手段であって、前記中心の反対側の電極に印加されたAC電圧は2分の1周 期位相を異にし、隣接する電極に印加される電圧は少なくとも6分の1周期位相 を異にし、前記被処理体は前記AC電圧が前記電極に印加されるとき前記締着面 上の固定位置に静電的に締着される、ところの締着制御手段と、 から成る装置。
- 24.請求の範囲第23項に記載の装置であって、前記円形締着面は半径方向に 6つのセクタに分割され、前記電極のひとつは前記締着面の各セクタの下に配設 されるところの装置。
- 25.請求の範囲第24項に記載の装置であって、前記締着面は誘電体物質によ り画成され、前記電極は前記誘電体物質の下方に配設されるメタル層から成ると ころの装置。
- 26.請求の範囲第24項に記載の装置であって、前記電極は等しい面積を有す るところの装置。
- 27.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記締着面は平坦であるとこ ろの装置。
- 28.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記誘電体物質は無極性であ るところの装置。
- 29.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記誘電体物質はアルミニウ ム、サファイヤ及びアルミニウム窒化物から成る装置。
- 30.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記誘電体物質はアルミニウ ムから成るところの装置。
- 31.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記誘電体物質は熱伝導性を 有するところの装置。
- 32.請求の範囲第23項に記載の装置であって、前記各電極に印加される電圧 は双極方形波から成るところの装置。
- 33.請求の範囲第32項に記載の装置であって、前記方形波は約1Hzから3 00Hzの範囲の基本周波数を有するところの装置。
- 34.請求の範囲第25項に記載の装置であって、前記プラテンはさらに、前記 電極及び前記誘電体物質のそれぞれを支持するための絶縁基板及び該絶縁基板を 支持するための支持プレートを含むところの装置。
- 35.請求の範囲第34項に記載の装置であって、前記プラテンはさらに前記被 処理体に接触するための周縁接地リングを含むところの装置。
- 36.請求の範囲第23項に記載の装置であって、前記被処理体は半導体ウエハ から成るところの装置。
- 37.請求の範囲第32項に記載の装置であって、前記各電極にAC電圧を印加 するための前記手段はそれぞれ0°、120°及び240°の位相を有する第1 、第2及び第3方形波を生成するための手段と、前記円形締着面の反対側の電極 に結合させるべく前記第1、第2及び第3方形波のそれぞれを2つの振幅の等し い反位相の双極方形波に変換するための手段と、から成る装置。
- 38.請求の範囲第32項に記載の装置であって、前記方形波は約20Hzから 50Hzの範囲の基本周波数を有するところの装置。
- 39.請求の範囲第32項に記載の装置であって、前記方形波は約30Hzの基 本周波数を有するところの装置。
- 40.請求の範囲第39項に記載の装置であって、前記方形波は約3msecの スイッチング速度を有するところの装置。
- 41.請求の範囲第39項に記載の装置であって、前記双極方形波は約900V から1200Vの範囲のピーク振幅を有するところの装置。
- 42.請求の範囲第24項に記載の装置であって、前記締着面は前記各電極に対 し1つの計6つの誘電体インシュレータにより画成され、前記電極はそれぞれ前 記誘電体インシュレータの下面上に形成されたメタル層から成る、ところの装置 。
- 43.請求の範囲第42項に記載の装置であって、前記誘電体インシュレータは アルミニウムから成り、前記電極はモリブデン層及び該モリブデン層と前記誘電 体インシュレータ層との間の薄いチタン層から成る、ところの装置。
- 44.請求の範囲第43項に記載の装置であって、前記電極は前記誘電体インシ ュレータの下面上に蒸着されているところの装置。
- 45.請求の範囲第42項に記載の装置であって、前記プラテンはさらに前記誘 電体インシュレータ及び前記電極を支持するための絶縁基板から成り、及び下面 に形成された電極を有する前記誘電体インシュレータは四フッ化エチレン留め具 により前記絶縁基板に接着される、ところの装置。
- 46.請求の範囲第23項に記載の装置であって、さらに前記装置が真空環境で 利用される際前記被処理体と前記締着面との間に熱エネルギーを伝導させるべく 前記被処理体と前記締着面との間の領域内にガスを導入するための手段を含む、 ところの装置。
- 47.請求の範囲第46項に記載の装置であって、さらに前記領域からのガスの 散逸を防止するため前記被処理体とその外縁付近の締着面との間の領域を密封す るための手段を含む、ところの装置。
- 48.請求の範囲第23項に記載の装置であって、さらに前記プラテンを冷却す るための手段を含むところの装置。
- 49.請求の範囲第34項に記載の装置であって、前記支持プレートは冷却液の 循環のための水路を含むところの装置。
- 50.被処理体を静電締着するための装置であって、被処理体を受けるための絶 縁締着面及び該締着面の下に配設されかつそれから絶縁されnが2またはそれ以 上の整数であるところの2n個の伝導電極を有するプラテンであって、前記電極 は前記締着面の中心に関して対称に配置されるところのプラテンと、被処理体の 締着が所望される際前記各電極にAC電圧を印加するための締着制御手段であっ て、前記中心の反対側の電極に印加される電圧は2分の1周期位相を異にし、隣 接する電極へ印加される電圧は少なくとも1/2n周期位相を異にし、前記AC 電圧が前記電極に印加されるとき被処理対は前記締着面上の固定位置に静電的に 締着される、ところの締着制御手段と、から成る装置。
- 51.請求の範囲第50項に記載の装置であって、前記締着面は前記各電極に対 し1つの誘電体インシュレータにより画成され、前記電極は前記誘電体インシュ レータの下面上に形成されたメタル層から成る、ところの装置。
- 52.請求の範囲第51項に記載の装置であって、前記誘電体インシュレータは アルミニウム、サファイヤ及びアルミニウム窒化物から成る集合から選択された 材料から製造されるところの装置。
- 53.請求の範囲第50項に記載の装置であって、前記各電極に印加される電圧 は双極方形波から成るところの装置。
- 54.請求の範囲第53項に記載の装置であって、前記方形波は約20Hzから 50Hzの範囲の基本周波数を有するところの装置。
- 55.請求の範囲第54項に記載の装置であって、前記双極方形波は約900V から1200Vの範囲のピーク振幅を有するところの装置。
- 56.請求の範囲第51項に記載の装置であって、前記誘電体インシュレータは アルミニウムから成り、前記電極はモリブデン層及び該モリブデン層と前記誘電 体インシュレータとの間の薄いチタン層から成る、ところの装置。
- 57.請求の範囲第50項に記載の装置であって、さらに前記装置が真空環境で 利用される際前記被処理体と前記締着面との間に熱エネルギーを伝導させるべく 前記彼処理体と前記締着面との間の領域内にガスを導入するための手段を含む、 ところの装置。
- 58.請求の範囲第57項に記載の装置であって、さらに前記領域からのガスの 散逸を防止するため前記被処理体とその外縁付近の締着面との間の領域を密封す るための手段を含む、ところの装置。
- 59.請求の範囲第50項に記載の装置であって、さらに前記プラテンを冷却す るための手段を含むところの装置。
- 60.被処理体を真空チャンバ内で静電締着するための装置であって、 被処理体を受けるための円形絶縁締着面を有するプラテンであって、該締着面は 6つの誘電体インシュレータにより画成され、さらに前記プラテンは前記誘電体 インシュレータの下に配設される6つの電極を含み、前記電極は前記円形締着面 に関し対称に配置され、前記プラテンがさらに前記電極及び前記誘電体インシュ レータを支持するための絶縁基板を含む、ところのプラテンと、 被処理体の締着が所望される際前記各電極にAC電圧を印加するための締着制御 手段であって、締着面の反対側の電極に印加されるAC電圧は1/2周期位相を 異にし、隣接する電極へ印加される電圧は少なくとも1/6周期位相を異にし、 前記AC電圧が前記電極に印加されるとき被処理対は前記締着面上の固定位置に 静電的に締着される、ところの締着制御手段と、 前記被処理体と前記締着面との間に熱エネルギー伝導させるべく前記被処理体及 び前記締着面との間の領域内にガスを導入するための手段と、 前記プラテンを冷却するための手段と、からなる装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US97261792A | 1992-11-06 | 1992-11-06 | |
US972,617 | 1992-11-06 | ||
PCT/US1993/010502 WO1994011944A1 (en) | 1992-11-06 | 1993-11-01 | Electrostatic wafer clamp |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07506465A true JPH07506465A (ja) | 1995-07-13 |
JP3330945B2 JP3330945B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=25519898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51215794A Expired - Fee Related JP3330945B2 (ja) | 1992-11-06 | 1993-11-01 | ウエハ静電締着装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0620953B1 (ja) |
JP (1) | JP3330945B2 (ja) |
DE (1) | DE69316872T2 (ja) |
WO (1) | WO1994011944A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237826A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2002511662A (ja) * | 1998-04-10 | 2002-04-16 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ウエーハのパーティクル汚染が低い静電的ウエーハクランプ |
JP2003513468A (ja) * | 1999-11-02 | 2003-04-08 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ガスを保持するための静電シールを有する静電ウエハクランプ |
JP2003520416A (ja) * | 1998-11-10 | 2003-07-02 | セムコ エンジニアリング エス.アー. | 静電保持装置 |
JP2015162596A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持方法、基板保持装置および接合装置 |
JP2017506827A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-09 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 多用途の静電クランプの動作のための様々な電極パターン |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
RU2343058C2 (ru) * | 2003-03-30 | 2009-01-10 | Л-3 Коммьюникейшнз Корпорейшн | Способ диффузионного соединения для микроканальных пластин |
US8139340B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-03-20 | Plasma-Therm Llc | Conductive seal ring electrostatic chuck |
US9236216B2 (en) * | 2012-08-03 | 2016-01-12 | Axcelis Technologies, Inc. | In-vacuum high speed pre-chill and post-heat stations |
JP6267201B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2018-01-24 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 真空下での高速前冷却および後加熱ステーション |
FR3017487B1 (fr) * | 2014-02-07 | 2016-03-18 | Ion Beam Services | Porte-substrat electrostatique chauffant et polarise en haute tension |
US9607803B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput cooled ion implantation system and method |
JP6723660B2 (ja) | 2017-03-24 | 2020-07-15 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ウェハ保持装置及びウェハ着脱方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3717801A (en) * | 1971-04-12 | 1973-02-20 | Xerox Corp | Methods and apparatus for electrostatically performing a tacking operation |
US4184188A (en) * | 1978-01-16 | 1980-01-15 | Veeco Instruments Inc. | Substrate clamping technique in IC fabrication processes |
US4384918A (en) * | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
JPS6059104B2 (ja) * | 1982-02-03 | 1985-12-23 | 株式会社東芝 | 静電チヤツク板 |
JPS5929435A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Hitachi Ltd | 試料支持装置 |
JPS5944797A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | 増田 閃一 | 物体の静電的処理装置 |
US5103367A (en) * | 1987-05-06 | 1992-04-07 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck using A.C. field excitation |
US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
EP0460955A1 (en) * | 1990-06-08 | 1991-12-11 | Varian Associates, Inc. | Clamping a workpiece utilizing polyphase clamping voltage |
US5166856A (en) * | 1991-01-31 | 1992-11-24 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with diamond coating |
-
1993
- 1993-11-01 WO PCT/US1993/010502 patent/WO1994011944A1/en active IP Right Grant
- 1993-11-01 EP EP94900491A patent/EP0620953B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-01 JP JP51215794A patent/JP3330945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-01 DE DE69316872T patent/DE69316872T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09237826A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2002511662A (ja) * | 1998-04-10 | 2002-04-16 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ウエーハのパーティクル汚染が低い静電的ウエーハクランプ |
JP2003520416A (ja) * | 1998-11-10 | 2003-07-02 | セムコ エンジニアリング エス.アー. | 静電保持装置 |
JP4763890B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2011-08-31 | セムコ エンジニアリング エス.アー. | 静電保持装置 |
JP2003513468A (ja) * | 1999-11-02 | 2003-04-08 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ガスを保持するための静電シールを有する静電ウエハクランプ |
JP2017506827A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-09 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 多用途の静電クランプの動作のための様々な電極パターン |
JP2015162596A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持方法、基板保持装置および接合装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3330945B2 (ja) | 2002-10-07 |
WO1994011944A1 (en) | 1994-05-26 |
DE69316872T2 (de) | 1998-05-28 |
EP0620953A4 (en) | 1995-07-05 |
DE69316872D1 (de) | 1998-03-12 |
EP0620953A1 (en) | 1994-10-26 |
EP0620953B1 (en) | 1998-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5452177A (en) | Electrostatic wafer clamp | |
EP0439000B1 (en) | Electrostatic clamp and method | |
US6781812B2 (en) | Chuck equipment | |
US5969934A (en) | Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers | |
JP4079992B2 (ja) | 導電性被処理体を載置部材に締め付けるための装置及び静電クランピング方法 | |
JPH07506465A (ja) | ウエハ静電締着装置 | |
EP0552877B1 (en) | Isolated electrostatic chuck and excitation method | |
US5631803A (en) | Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system | |
KR101516938B1 (ko) | 고리형 클램핑 및 후방 가스 냉각 정전 척 | |
JP4354983B2 (ja) | 基板処理設備 | |
JP2000509552A (ja) | 静電チャック | |
US7595972B2 (en) | Clamp for use in processing semiconductor workpieces | |
WO1988009054A1 (en) | Electrostatic chuck using ac field excitation | |
TW550644B (en) | Controlled resistivity boron nitride electrostatic chuck apparatus for retaining a semiconductor wafer and method of fabricating the same | |
US6839217B1 (en) | Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure | |
WO2007005925A1 (en) | Clamp for use in processing semiconductor workpieces | |
TW201535565A (zh) | 電漿處理裝置及晶圓搬送用托盤 | |
EP0460955A1 (en) | Clamping a workpiece utilizing polyphase clamping voltage | |
EP0460954B1 (en) | Clamping a workpiece | |
JPH09260472A (ja) | 静電チャック | |
JP4854056B2 (ja) | 冷却装置及びクランピング装置 | |
JP2004253402A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP4338376B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US20060012939A1 (en) | Clamp for use in processing semiconductor workpieces | |
JPH02130915A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120719 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |