JPH0747836Y2 - EL lamp having conductive film - Google Patents
EL lamp having conductive filmInfo
- Publication number
- JPH0747836Y2 JPH0747836Y2 JP1989068816U JP6881689U JPH0747836Y2 JP H0747836 Y2 JPH0747836 Y2 JP H0747836Y2 JP 1989068816 U JP1989068816 U JP 1989068816U JP 6881689 U JP6881689 U JP 6881689U JP H0747836 Y2 JPH0747836 Y2 JP H0747836Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- lamp
- thickness
- film
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
この考案は、蛍光層の表面が導電膜で覆われているELラ
ンプに関する。とくに、発熱が少なく、面積当りの供給
電力を大きくして、明るくできるELランプを提供するに
ある。This invention relates to an EL lamp in which the surface of a fluorescent layer is covered with a conductive film. In particular, there is a need to provide an EL lamp that emits less heat and can be brightened by increasing the power supply per area.
【従来の技術】 ELランプは、供給電力を大きくすると明るくなる。しか
しながら、供給電力が大きくなると、発熱量も増加す
る。従って、ELランプの発熱量が、供給電力を制限して
いる。ELランプは、蛍光層の表面に使用される導電膜に
通過する電流でジュール熱が発生する。ここで発生する
熱量は、導電膜の電気抵抗に比例し、電流の自乗に比例
する。 従来のELランプは、電気抵抗が200〜300Ω／口で、厚さ
が20〜30nmの導電膜を使用している。この導電膜は、透
光性を良くするために、極めて薄くしている。しかしな
がら、この導電膜は、電気抵抗が高く、通電電流による
ジュール熱の発生量が多い。 ELランプは液晶のバック照明に多く使用されている。こ
の用途に使用するELランプは、温度上昇を、５℃以下に
制限することを目標としている。このため、液晶のバッ
ク照明に使用するELランプは、1cm角当りの消費電力を8
mW程度に制限しているのが実状である。また、ELランプ
は、表面温度が90〜100℃に加温されると、発光斑がで
きる欠点もある。2. Description of the Related Art EL lamps become brighter when the power supply is increased. However, as the supplied power increases, the amount of heat generated also increases. Therefore, the calorific value of the EL lamp limits the power supply. In the EL lamp, Joule heat is generated by the current passing through the conductive film used on the surface of the fluorescent layer. The amount of heat generated here is proportional to the electric resistance of the conductive film and proportional to the square of the current. A conventional EL lamp uses a conductive film having an electric resistance of 200 to 300 Ω / neck and a thickness of 20 to 30 nm. This conductive film is made extremely thin in order to improve the translucency. However, this conductive film has a high electric resistance, and a large amount of Joule heat is generated by the applied current. EL lamps are often used for LCD back lighting. The EL lamp used in this application aims to limit the temperature rise to 5 ° C or less. For this reason, EL lamps used for LCD back lighting consume 8% power per 1 cm square.
The reality is that it is limited to around mW. In addition, the EL lamp has a defect that when the surface temperature is heated to 90 to 100 ° C, uneven light emission occurs.
導電膜の電気抵抗を低くできると、ELランプの発生熱量
は少なくなる。導電膜の電気抵抗は厚さに反比例して低
くなる。導電膜は、スパッタリング、あるいは、イオン
プレーティング等の方法で作られる。これ等の方法で作
られる導電膜は、厚いほど電気抵抗が低下する。しかし
ながら、困ったことに、厚い導電膜は透光性が低下す
る。透光性が低下すると、ELランプにとって極めて大切
な発光出力が低下する。このため、ELランプの供給電力
を大きくするために、導電膜に、電気抵抗が低くて、透
光性に優れたものが要求される。しかしながら、導電膜
の電気抵抗と透光性とは互いに相反する物性であって、
両者を同時に満足させることが極めて難しい。 本考案者は、互いに相反する特性を改善することを目的
に、種々の実験を繰り返した結果、極めて簡単な構造
で、両特性を満足することに成功した。したがって、こ
の考案の重要な目的は、発光出力の低下を少なくできる
にもかかわらず、温度上昇を低くできるELランプを提供
するにある。If the electric resistance of the conductive film can be lowered, the amount of heat generated by the EL lamp will decrease. The electric resistance of the conductive film decreases in inverse proportion to the thickness. The conductive film is formed by a method such as sputtering or ion plating. The thicker the conductive film formed by these methods, the lower the electric resistance. However, the trouble is that the light-transmitting property of the thick conductive film is lowered. When the translucency decreases, the luminous output, which is extremely important for EL lamps, decreases. Therefore, in order to increase the power supplied to the EL lamp, the conductive film is required to have low electric resistance and excellent translucency. However, the electric resistance and translucency of the conductive film are physical properties that are contradictory to each other.
It is extremely difficult to satisfy both at the same time. The present inventor has succeeded in satisfying both characteristics with an extremely simple structure as a result of repeating various experiments for the purpose of improving the characteristics which are contradictory to each other. Therefore, an important object of the present invention is to provide an EL lamp that can reduce the temperature rise while reducing the decrease in light emission output.
この考案のELランプは、前述の目的を達成するために下
記の構成を備えている。ELランプは、蛍光体粒子を分散
している蛍光層１の表面を、透明の導電膜3Aで被覆して
いる。ELランプの導電膜3Aは、厚さを100〜200nm、抵抗
を30〜100Ω／口とするフィルムである。さらに、ELラ
ンプの蛍光層１は、発光ピーク波長を導電膜3Aの厚さの
約４倍とする硫化亜鉛蛍光体である。The EL lamp of the present invention has the following structure to achieve the above-mentioned object. In the EL lamp, the surface of the phosphor layer 1 in which phosphor particles are dispersed is covered with a transparent conductive film 3A. The conductive film 3A of the EL lamp is a film having a thickness of 100 to 200 nm and a resistance of 30 to 100 Ω / mouth. Further, the fluorescent layer 1 of the EL lamp is a zinc sulfide fluorescent substance having an emission peak wavelength of about 4 times the thickness of the conductive film 3A.
この考案のELランプの特性を第１図ないし第３図に示し
ている。これ等の図は、この考案のELランプと、従来の
ELランプとの点灯してから温度が上昇する状態を示して
いる。ただし、第１図ないし第３図は、下記の条件で測
定している。 第１図の測定条件 電源電圧 ……180ボルト、 電源周波数 ……1kHz、 ELランプ供給電力……35.4mW、 輝度 ……約350ニット、 第２図の測定条件 電源電圧 ……200ボルト、 電源周波数 ……1kHz、 ELランプ供給電力……57.5mW、 輝度 ……約450ニット、 第３図の測定条件 電源電圧 ……220ボルト、 電源周波数 ……1kHz、 ELランプ供給電力 ……91.5mW、 輝度 ……約550ニット、 第１図ないし第３図において、実線Ａはこの考案のELラ
ンプの温度上昇を示し、鎖線Ｂは、従来のELランプの温
度上昇を示している。 ただし、この考案のELランプには、導電膜の電気抵抗を
40Ω／口、厚さを130nmとし、従来のELランプは、導電
膜の抵抗を250Ω／口、厚さを25nmとしている。また、
蛍光層には、発光ピーク波長が511nmであるZnS:Cu,Br蛍
光体を使用した。 これ等の図の曲線Ａで示すように、この考案のELランプ
は、従来のELランプ（曲線Ｂ）に比較して、極めて温度
上昇が少ない。それは、この考案のELランプは、電気抵
抗が４分の１と低く、ジュール熱の発生量が少ない導電
膜を有することが理由である。 さらに、この考案のELランプは、このように発生熱量が
少なくなるにもかかわらず、発光出力が改善される。そ
れは、第４図に示すように、このELランプに使用される
導電膜は、電気抵抗が低いにもかかわらず、特定の範囲
において、従来の導電膜よりも光の透過率が改善される
ことが理由である。 第４図は、膜厚が異なる導電膜を付着したPETフィルム
の光の透過率を示している。この図に使用したPETフィ
ルムには、同一厚さのPETフィルムに、膜厚が異なる導
電膜を付着したものを使用した。曲線Ａは、この考案の
ELランプに使用する導電膜として膜厚が130nmである合
成樹脂フィルムの光の透過率を示している。曲線Ｂは、
膜厚が25nmである導電膜を有する合成樹脂フィルムの光
の透過率を示している。この図から明らかなように、こ
の考案のELランプに使用する導電膜は、厚くて電気抵抗
が低いにもかかわらず、特定の波長領域で、優れた光線
透過率を有する。したがって、蛍光層に使用する硫化亜
鉛蛍光体の発光ピーク波長を、導電膜の光線透過率が高
い領域に設定することによって、ELランプは、電気抵抗
が低く、しかも、発光出力が高い優れた特性を実現す
る。The characteristics of the EL lamp of this invention are shown in FIGS. These figures show the EL lamp of this invention and the conventional
Indicates that the temperature rises after lighting with the EL lamp. However, FIGS. 1 to 3 are measured under the following conditions. Measurement conditions in Fig. 1 Power supply voltage ...... 180 V, power supply frequency ...... 1 kHz, EL lamp supply power ...... 35.4 mW, brightness ...... about 350 nits, measurement conditions in Fig. 2 Power supply voltage ...... 200 V, power supply frequency …… 1kHz, EL lamp power supply …… 57.5mW, brightness …… 450 nits, measurement condition in Fig. 3 Power supply voltage …… 220V, power supply frequency …… 1kHz, EL lamp power supply …… 91.5mW, brightness… About 550 nits, in FIGS. 1 to 3, the solid line A shows the temperature rise of the EL lamp of the present invention, and the chain line B shows the temperature rise of the conventional EL lamp. However, the EL lamp of this invention has the electric resistance of the conductive film.
The resistance of the conductive film of the conventional EL lamp is 250 Ω / port and the thickness is 25 nm. Also,
A ZnS: Cu, Br phosphor having an emission peak wavelength of 511 nm was used for the phosphor layer. As shown by the curve A in these figures, the EL lamp of the present invention has a much lower temperature rise than the conventional EL lamp (curve B). The reason for this is that the EL lamp of the present invention has a conductive film that has a low electric resistance of 1/4 and that generates a small amount of Joule heat. Further, the EL lamp of the present invention improves the light emission output in spite of the reduced heat generation amount. As shown in FIG. 4, the conductive film used in this EL lamp has a low electric resistance, but the light transmittance is improved over a conventional conductive film in a specific range. Is the reason. FIG. 4 shows the light transmittance of PET films to which conductive films having different thicknesses are attached. As the PET film used in this figure, a PET film having the same thickness to which a conductive film having a different thickness was attached was used. Curve A is for this device
The light transmittance of a synthetic resin film having a thickness of 130 nm as a conductive film used for an EL lamp is shown. Curve B is
7 shows the light transmittance of a synthetic resin film having a conductive film having a film thickness of 25 nm. As is clear from this figure, the conductive film used in the EL lamp of the present invention is thick and has low electric resistance, but has excellent light transmittance in a specific wavelength region. Therefore, by setting the emission peak wavelength of the zinc sulfide phosphor used for the fluorescent layer in the region where the light transmittance of the conductive film is high, the EL lamp has low electric resistance and high emission output. To realize.
以下、この考案の一実施例を図面に基づいて説明する。 但し、以下に示す実施例は、この考案の技術思想を具体
化する為のELランプを例示するものであって、この考案
のELランプは、構成部品の材質、形状、構造、配置を下
記の構造に特定するものでない。この考案のELランプ
は、実用新案登録請求の範囲に記載の範囲に於て、種々
の変更が加えられる。 更に、この明細書は、実用新案登録請求の範囲が理解し
易いように、実施例に示される部材に対応する番号を、
「実用新案登録請求の範囲の欄」、「従来の課題を解決
する為の手段の欄」に示される部材に付記している。た
だ、実用新案登録請求の範囲に示される部材を、実施例
の部材に特定するものでは決してない。 第５図に示すELランプは、発光層１と、その背面に位置
する絶縁層２と、これら発光層１及び絶縁層２を挟持す
ると共に相対向して配置された一対の電極層３、４と、
これら電極層３、４を包囲して外気を遮断するための防
湿フィルム５、６と、これら全体を気密に包囲する防湿
外皮フィルム７、８とで構成されている。 図において絶縁層２の下面に位置する電極層４は、銅や
アルミニウム板が使用される。この電極には透光性が要
求されないからである。 発光層１の上面である蛍光面に位置する電極３は、ここ
を光が透過するので、透光性が要求される。この電極３
には、第６図に示すように、透光性の合成樹脂フィルム
3Bの下面に、導電膜3Aが付着されたものが使用される。
透光性の合成樹脂フィルムには、PETやポリエステルフ
ィルムが使用できる。導電膜3Aには、例えば、In2O3、S
nO2、Sb2O3等が使用できる。 導電膜3Aは、厚さが100〜200nmで、電気抵抗が30〜100
Ω／口の範囲に調整される。導電膜3Aを構成する酸化金
属は、スパッタリング、あるいは、イオンプレーティン
グ等の方法で透光性の合成樹脂フィルムに付着されてい
る。 電極層３、４には、リード線（図示せず）が接続されて
いる。リード線は、互いに絶縁されて、防湿外皮フィル
ム７、８の間に気密に挟着されて外部に導かれている。
電極層３、４には、リード線を介して交流電力が供給さ
れる。 発光層１は、蛍光体粒子が、バインダーに均一に分散さ
れて、光を反射する絶縁層２の表面に塗布されている。
バインダーには、シアノエチルセルローズ等の有機バイ
ンダーが使用される。 蛍光体粒子は、ここで発光した光が導電膜を良く透過す
るように、発光ピークが導電膜の厚さの約４倍波長とな
るものが使用される。蛍光体粒子には、発光ピーク波長
が導電膜3Aの厚さの約４倍である硫化亜鉛蛍光体が使用
される。この硫化亜鉛蛍光体は、例えば、発光ピーク波
長が400〜700nmである硫化亜鉛蛍光体が使用される。こ
の硫化亜鉛蛍光体は、硫化亜鉛に対する銅の含有量を0.
15〜0.16重量％、臭素の含有量を0.15重量％に調整す
る。 発光層には、ZnS:Cu、Br蛍光体が使用できる。この蛍光
体は、例えば、次の工程で製造できる。 ZnS粉末800gに対し、Cu(CH3COO)2・H2Oを10g、NH4Brを2
0g添加して混合する。これを乾燥した後、温度900℃で
６時間焼成する。冷却後湿式粉砕し、充分水洗してろ過
乾燥する。 この考案のELランプは、蛍光層に使用する硫化亜鉛蛍光
体の発光ピークを、導電膜の約４倍に特定している。そ
れは、蛍光体の発光ピークと導電膜の厚さとをこの範囲
に特定することによって、ELランプの発光輝度を高くし
て、発熱を低くできるからである。 第４図は、導電膜の波長に対する光の透過率を示してい
る。この図において、曲線Ａは、厚さが130nmである導
電膜の光透過率を示し、鎖線Ｂは、厚さが25nmである導
電膜の光減衰率を示している。この図に示すように、特
定の厚さの導電膜を有する合成樹脂フィルムは、特定の
領域の光透過率を高くできる。曲線Ａに示すように、導
電膜の厚さの４倍±0.5倍nmの範囲において、光の透過
率は、薄い膜厚の導電膜の合成樹脂フィルムと同等にな
る。したがって、この明細書において、蛍光体の発光ピ
ーク波長が、導電膜の厚さの約４倍とは、導電膜の厚さ
をＴとし、硫化亜鉛蛍光体の発光ピーク波長をλとする
時、下記の条件を満足する範囲を意味するものとする。 λ＝4T±0.5T すなわち、発光ピークが、導電膜厚さの４倍±0.5倍で
ある状態を意味するものとする。 硫化亜鉛蛍光体は、付活剤とその含有量で発光色と発光
輝度とが変化する。硫化亜鉛蛍光体の発光色は、要求さ
れる発光ピークと輝度とを考慮して最適値に調整され
る。 銅と臭素とで付活された硫化亜鉛蛍光体は、付活剤の含
有量が高くなると発光色の緑色に近付いてピーク波長が
長くなり、反対に付活剤が減少すると、青色に近付くと
ピーク波長が短くなる。 また、硫化亜鉛蛍光体に含まれる銅の含有量によって、
EL発光素子は発光輝度が変化する。銅の含有量が特定の
範囲で硫化亜鉛蛍光体の発光輝度が最大となり、多すぎ
ても、あるいは、少なすぎても発光輝度は低下する。 従って、CuとBrの含有率は、発光色と発光輝度とを考慮
して、通常10×10-4≦Cu/ZnS≦50×10-4の範囲に調整さ
れる。 また、銅と臭素とで付活された硫化亜鉛蛍光体は、Cuと
Brのモル量がほぼ等しく、例えば臭素に対する銅のモル
比が、0.6≦Cu/Br≦1.5の範囲に調整される。 絶縁層２は、発光層１の有機バインダー溶液と同様な有
機バインダー溶液に、BaTiO3等の強誘電物質の粉末を溶
解させたものを電極層４に塗布乾燥して形成されてい
る。 防湿フィルム５、６は、上下の層が電極層３、４の周縁
で連結されて閉鎖空間を形成し、この閉鎖空間内に、電
極層３、４と発光層１と絶縁層２とが気密に収納されて
いる。 防湿外皮フィルム７、８は、例えば、その内面をポリエ
チレンでコーティングした三フッ化塩化エチレンフィル
ム等の防湿特性及び透光特性のよいフィルムで、周縁部
は加熱によってヒートシールされている。 このように構成されたEL発光素子は、外部交流電源から
引き出し線を介して電極層３、４に交流電界を印加する
と、発光層１の蛍光体が電界発光する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the examples shown below exemplify an EL lamp for embodying the technical idea of the present invention.The EL lamp of the present invention has the following components, materials, shapes, structures, and arrangements. Not specific to structure. The EL lamp of this invention is subject to various modifications within the scope of the claims for utility model registration. Further, in this specification, in order to facilitate understanding of the scope of claims for utility model registration, the numbers corresponding to the members shown in the embodiment are
It is added to the members shown in "Column for Claim of Utility Model" and "Column for Means for Solving Conventional Problems". However, the members shown in the scope of claims for utility model registration are by no means limited to the members of the embodiment. The EL lamp shown in FIG. 5 includes a light emitting layer 1, an insulating layer 2 located on the back surface thereof, and a pair of electrode layers 3 and 4 sandwiching the light emitting layer 1 and the insulating layer 2 and arranged to face each other. When,
It is composed of moisture-proof films 5 and 6 which surround the electrode layers 3 and 4 to block the outside air, and moisture-proof outer films 7 and 8 which airtightly surround all of them. In the figure, a copper or aluminum plate is used for the electrode layer 4 located on the lower surface of the insulating layer 2. This is because translucency is not required for this electrode. The light is transmitted through the electrode 3 located on the phosphor screen, which is the upper surface of the light emitting layer 1, and therefore, the translucency is required. This electrode 3
As shown in FIG. 6, there is a translucent synthetic resin film.
The lower surface of 3B to which the conductive film 3A is attached is used.
PET or polyester film can be used as the translucent synthetic resin film. The conductive film 3A includes, for example, In 2 O 3 and S.
nO 2 , Sb 2 O 3, etc. can be used. The conductive film 3A has a thickness of 100 to 200 nm and an electric resistance of 30 to 100 nm.
Ω / mouth range adjusted. The metal oxide forming the conductive film 3A is attached to the translucent synthetic resin film by a method such as sputtering or ion plating. Lead wires (not shown) are connected to the electrode layers 3 and 4. The lead wires are insulated from each other, airtightly sandwiched between the moisture-proof outer skin films 7 and 8 and guided to the outside.
AC power is supplied to the electrode layers 3 and 4 via lead wires. In the light emitting layer 1, phosphor particles are uniformly dispersed in a binder and applied on the surface of an insulating layer 2 that reflects light.
An organic binder such as cyanoethyl cellulose is used as the binder. As the phosphor particles, those having an emission peak wavelength of about 4 times the thickness of the conductive film are used so that the light emitted here is well transmitted through the conductive film. For the phosphor particles, a zinc sulfide phosphor whose emission peak wavelength is about 4 times the thickness of the conductive film 3A is used. As the zinc sulfide phosphor, for example, a zinc sulfide phosphor having an emission peak wavelength of 400 to 700 nm is used. This zinc sulfide phosphor has a copper content of 0.
Adjust the content of bromine to 15 to 0.16% by weight and bromine content to 0.15% by weight. ZnS: Cu, Br phosphor can be used for the light emitting layer. This phosphor can be manufactured in the following steps, for example. To 800 g of ZnS powder, 10 g of Cu (CH 3 COO) 2 · H 2 O and 2 g of NH 4 Br
Add 0 g and mix. After drying this, it is baked at a temperature of 900 ° C. for 6 hours. After cooling, it is wet-milled, washed thoroughly with water, filtered and dried. In the EL lamp of the present invention, the emission peak of the zinc sulfide phosphor used for the fluorescent layer is specified to be about four times that of the conductive film. This is because by specifying the emission peak of the phosphor and the thickness of the conductive film within this range, the emission brightness of the EL lamp can be increased and the heat generation can be reduced. FIG. 4 shows the light transmittance with respect to the wavelength of the conductive film. In this figure, the curve A shows the light transmittance of the conductive film having a thickness of 130 nm, and the chain line B shows the light attenuation factor of the conductive film having a thickness of 25 nm. As shown in this figure, a synthetic resin film having a conductive film of a specific thickness can increase the light transmittance of a specific region. As shown by the curve A, in the range of 4 times ± 0.5 times the thickness of the conductive film, the light transmittance becomes equivalent to that of the synthetic resin film of the conductive film having the thin film thickness. Therefore, in this specification, when the emission peak wavelength of the phosphor is about four times the thickness of the conductive film, when the thickness of the conductive film is T and the emission peak wavelength of the zinc sulfide phosphor is λ, It means the range that satisfies the following conditions. λ = 4T ± 0.5T That is, it means that the emission peak is 4 times ± 0.5 times the conductive film thickness. In the zinc sulfide phosphor, the emission color and the emission brightness change depending on the activator and its content. The emission color of the zinc sulfide phosphor is adjusted to an optimum value in consideration of the required emission peak and brightness. The zinc sulfide phosphor activated with copper and bromine approaches the emission color green when the content of the activator is high, and the peak wavelength is long, and conversely, when the activator decreases, it approaches blue. The peak wavelength becomes shorter. Also, depending on the content of copper contained in the zinc sulfide phosphor,
The emission brightness of the EL light emitting element changes. The emission brightness of the zinc sulfide phosphor becomes maximum when the content of copper is in a specific range, and the emission brightness is reduced when the content is too large or too small. Therefore, the Cu and Br contents are usually adjusted in the range of 10 × 10 −4 ≦ Cu / ZnS ≦ 50 × 10 −4 in consideration of emission color and emission brightness. Further, the zinc sulfide phosphor activated with copper and bromine is Cu and
The molar amounts of Br are almost equal, and for example, the molar ratio of copper to bromine is adjusted in the range of 0.6 ≦ Cu / Br ≦ 1.5. The insulating layer 2 is formed by coating the electrode layer 4 with a solution of a powder of a ferroelectric substance such as BaTiO 3 dissolved in an organic binder solution similar to the organic binder solution of the light emitting layer 1 and drying it. In the moisture-proof films 5 and 6, upper and lower layers are connected at the peripheral edges of the electrode layers 3 and 4 to form a closed space, and the electrode layers 3 and 4, the light emitting layer 1 and the insulating layer 2 are hermetically sealed in the closed space. It is stored in. The moisture-proof outer films 7 and 8 are films having good moisture-proof properties and light-transmitting properties, such as a trifluoroethylene chloride film having an inner surface coated with polyethylene, and the peripheral portions thereof are heat-sealed by heating. In the EL light emitting element thus configured, when an AC electric field is applied to the electrode layers 3 and 4 from the external AC power source through the lead wire, the phosphor of the light emitting layer 1 emits light by electroluminescence.
この考案のELランプは、互いに相反する特性であって、
両特性を同時に満足するのが極めて難しい、発光特性と
温度特性の両方を改善できる優れた特長がある。それ
は、本考案のELランプが、導電膜の電気抵抗及び膜圧
と、発光層の発光ピークとを特定の範囲に特定している
からである。ELランプの導電膜は、厚くすると、電気抵
抗が低下してELランプの温度上昇を低くできるが、導電
膜の透光性が低下して光の減衰が大きくなる。反対に導
電膜を薄くすると、発光出力の低下は少なくできるが、
電気抵抗が増加してELランプの温度上昇が大きくなる。
この考案のELランプは、導電膜を厚くして電気抵抗を低
くし、これによって温度上昇を低くできるにもかかわら
ず、発光出力を高くできる極めて優れた特長がある。そ
れは、厚い導電膜の膜厚と、発光層の発光ピーク波長と
を特定の範囲に特定しているからである。発光ピーク波
長を導電膜の膜圧の４倍、いいかえると、導電膜の膜圧
を発光ピーク波長の1/4にすると、導電膜はフィルター
に類似する作用をして光の減衰を少なくする性質が現れ
る。すなわち、導電膜が厚いにもかかわらず、光は極め
て少ない減衰で導電膜を透過する特異な現象を示す。こ
の考案のELランプは、この現象を巧妙に利用して、互い
に相反する特性である温度上昇と発光出力の低下を極限
することに成功したものである。The EL lamps of this invention have mutually contradictory characteristics,
It is extremely difficult to satisfy both characteristics at the same time, and it has excellent features that can improve both light emission characteristics and temperature characteristics. This is because the EL lamp of the present invention specifies the electric resistance and film pressure of the conductive film and the emission peak of the light emitting layer in a specific range. When the conductive film of the EL lamp is thickened, the electric resistance is lowered and the temperature rise of the EL lamp can be suppressed, but the translucency of the conductive film is lowered and the light attenuation is increased. On the contrary, if the conductive film is made thin, the decrease in light emission output can be reduced,
The electric resistance increases and the temperature rise of the EL lamp increases.
The EL lamp of the present invention has an extremely excellent feature that the luminous output can be increased even though the temperature rise can be reduced by reducing the electric resistance by thickening the conductive film. This is because the thickness of the thick conductive film and the emission peak wavelength of the light emitting layer are specified in a specific range. The emission peak wavelength is 4 times the film pressure of the conductive film. In other words, if the film pressure of the conductive film is set to 1/4 of the emission peak wavelength, the conductive film acts like a filter to reduce light attenuation. Appears. That is, even though the conductive film is thick, light exhibits a unique phenomenon of passing through the conductive film with very little attenuation. The EL lamp of the present invention has succeeded in maximizing the temperature rise and the light emission output reduction, which are mutually contradictory characteristics, by skillfully utilizing this phenomenon.
第１図ないし第３図はELランプの温度上昇特性を示すグ
ラフ、第４図は膜厚が異なる導電膜を有する合成樹脂フ
ィルムの光透過率を示すグラフ、第５図はELランプの断
面図、第６図は電極層の拡大断面図である。 １……発光層、２……絶縁層、３……電極層、3A……導
電膜、3B……合成樹脂フィルム、４……電極層、５……
防湿フィルム、６……防湿フィルム、７……防湿外皮フ
ィルム、８……防湿外皮フィルム。1 to 3 are graphs showing temperature rise characteristics of EL lamps, FIG. 4 is a graph showing light transmittance of synthetic resin films having conductive films having different thicknesses, and FIG. 5 is a sectional view of EL lamps. , FIG. 6 is an enlarged sectional view of an electrode layer. 1 ... Emitting layer, 2 ... Insulating layer, 3 ... Electrode layer, 3A ... Conductive film, 3B ... Synthetic resin film, 4 ... Electrode layer, 5 ...
Moisture-proof film, 6 ... Moisture-proof film, 7 ... Moisture-proof skin film, 8 ... Moisture-proof skin film.
Claims (1)
の表面を覆う状態に透明の導電膜（3A）が設けられてい
るELランプにおいて、 導電膜（3A）が、厚さを100〜200nm、抵抗を30〜100Ω
／口とするフィルムで、蛍光層（１）が、発光ピーク波
長を導電膜（3A）の厚さの約４倍とする硫化亜鉛蛍光体
であることを特徴とする導電膜を有するELランプ。1. A phosphor layer (1) in which phosphor particles are dispersed.
In an EL lamp in which a transparent conductive film (3A) is provided so as to cover the surface of, the conductive film (3A) has a thickness of 100 to 200 nm and a resistance of 30 to 100 Ω.
An EL lamp having a conductive film, wherein the fluorescent layer (1) is a zinc sulfide phosphor whose emission peak wavelength is about 4 times the thickness of the conductive film (3A).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989068816U JPH0747836Y2 (en) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | EL lamp having conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989068816U JPH0747836Y2 (en) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | EL lamp having conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038897U JPH038897U (en) | 1991-01-28 |
| JPH0747836Y2 true JPH0747836Y2 (en) | 1995-11-01 |
Family
ID=31603576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989068816U Expired - Lifetime JPH0747836Y2 (en) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | EL lamp having conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747836Y2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0163351B1 (en) * | 1984-05-31 | 1988-04-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film electroluminescent device |
| JPS63221591A (en) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | 富士通株式会社 | Method of forming transparent conductive film |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1989068816U patent/JPH0747836Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038897U (en) | 1991-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4684353A (en) | Flexible electroluminescent film laminate | |
| US4458177A (en) | Flexible electroluminescent lamp device and phosphor admixture therefor | |
| US3205393A (en) | Electroluminescent lamp with a dielectric reflective material | |
| US3248588A (en) | Electroluminescent device with integral color modifier | |
| JPS6240836B2 (en) | ||
| JPH0747836Y2 (en) | EL lamp having conductive film | |
| JPH07216351A (en) | Dispersion-type el element | |
| US3118079A (en) | Electroluminescent cell and variable frequency source for selective excitation of contrastingly-responsive phosphor components thereof | |
| JPH03257790A (en) | Electroluminescence (el) light emitting element | |
| US3000834A (en) | Method of preparing a green electroluminescent zinc sulphide phosphor | |
| JPH0364887A (en) | El lamp using specified phosphor particle | |
| JPH03258891A (en) | Electroluminescent element having orange luminescence | |
| JPH0337291A (en) | El lamp | |
| JPH03138890A (en) | El lamp | |
| JPS60220597A (en) | Electric field light emitting element | |
| JPH01157091A (en) | Dispersion type electroluminescence element | |
| JPH0467758B2 (en) | ||
| JP2779373B2 (en) | EL element | |
| JPH031485A (en) | Electroluminescent lamp | |
| JPH03152898A (en) | Distributed type el element | |
| JPH0632306B2 (en) | EL light emitting element | |
| JPS6321004Y2 (en) | ||
| JPH01200593A (en) | Manufacture of electroluminescence display element | |
| JPH03250582A (en) | Dispersion type el element and its manufacture | |
| JPH0224995A (en) | Electroluminescence element |