JPH0746265B2 - Display device - Google Patents
Display deviceInfo
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- JPH0746265B2 JPH0746265B2 JP1189326A JP18932689A JPH0746265B2 JP H0746265 B2 JPH0746265 B2 JP H0746265B2 JP 1189326 A JP1189326 A JP 1189326A JP 18932689 A JP18932689 A JP 18932689A JP H0746265 B2 JPH0746265 B2 JP H0746265B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- igf
- counter electrodes
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置（以下IG
Fという）を用いて、マトリックス配列がなされた絵素
群のそれぞれを制御して表示する周辺回路一体型のアク
ティブマトリックス方式の平面型ディスプレー装置、特
にカラーディスプレー装置に関する。The present invention relates to an insulating gate type field effect semiconductor device (hereinafter referred to as IG).
F) is used to control and display each of the picture element groups arranged in a matrix array, and relates to an active matrix type flat panel display device integrated with a peripheral circuit, in particular, a color display device.
従来、かかる半導体表示装置においては、第１図にその
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群（10）は１つのIGF（２）と表示素子（３）（ここ
ではLCDとする）を直列に連結し、このIGFのゲイト電極
をＸ方向に、またソース、ドレインをＹ方向に配列して
いた。Conventionally, in such a semiconductor display device, its matrix circuit is shown in FIG. 1, but a matrix-arranged picture element group (10) has one IGF (2) and a display element (3) (here, it is an LCD). Are connected in series, the gate electrode of this IGF is arranged in the X direction, and the source and drain are arranged in the Y direction.
しかしLCDにおけるIGFに連結されていない側は単にすべ
てが共通して接地レベルに保持され、その電圧レベルは
すべてのエレメントに対し共通しているのみである。However, all sides of the LCD that are not connected to the IGF are simply held at ground level in common and their voltage levels are common to all elements.
このためこのLCDの対抗電極（３）はIGFが設けられた基
板とは向かい合った基板の内側にCTF（透光性導電膜）
が全面に設けられているのみであった。Therefore, the counter electrode (3) of this LCD is CTF (transparent conductive film) inside the substrate facing the substrate on which the IGF is provided.
Was only provided on the entire surface.
このような構造の表示装置の問題点の一つとして製造プ
ロセシにおいて生じるIGFの欠陥がある。欠陥の種類に
は、成膜中のダストによる欠陥、フォトプロセス中に混
入するゴミによる欠陥など、さまざまな発生要因が挙げ
られる。One of the problems of the display device having such a structure is a defect of IGF that occurs in the manufacturing process. There are various types of defects such as defects due to dust during film formation and defects due to dust mixed in during a photo process.
しかしながら大面積、高解象度を実現していくうえで、
この欠陥がたとえ点欠陥であろうとも表示に現れてはな
らない。However, in order to achieve a large area and high resolution,
This defect shall not appear on the display, even if it is a point defect.
このような製造プロセスで生じるIGFの欠陥が表示に影
響を与えない表示装置が望ましい。It is desirable to use a display device in which the IGF defect that occurs in such a manufacturing process does not affect the display.
また他方かかる構造の平面型ディスプレー装置により、
RGB（赤、緑、青の三原色）をそれぞれ対をなして構成
させるためには、白黒表示ディスプレー装置の３倍のア
クティブエレメントの数を必要としてしまった。On the other hand, by the flat type display device having such a structure,
In order to compose RGB (the three primary colors of red, green, and blue) in pairs, the number of active elements required is three times that of a monochrome display device.
さらにこの３倍の集積度は絵素の数が525×640（計330K
素子）の三倍となり、その集積度の高密度化の程度はま
ったく実用化を不可能とするものであった。Furthermore, the number of picture elements is 525 × 640 (total 330K)
Element), and the degree of high integration density made practical use impossible.
また従来色分別用制御回路等の周辺回路は、表示素子が
形成された基板とは別にプラスチックスのタブに形成さ
れており、それを表示素子が形成された基板と連結し
て、表示装置を作成していたが、基板の延び縮みを考慮
するため、予め画素と画素とのピッチを大きくとってお
かなければならない等の問題があった。本発明はそれら
の問題を解決することを目的としたものである。Further, conventional peripheral circuits such as a color separation control circuit are formed on a plastic stub separately from the substrate on which the display element is formed, and the display device is connected to the substrate on which the display element is formed. Although it was created, there was a problem that the pitch between the pixels had to be set large in advance in order to take into consideration the expansion and contraction of the substrate. The present invention aims to solve these problems.
この目的を達成するため本発明は、絶縁表面を有する透
光性基板上に水素又はハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体の絶縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺
回路と、周辺回路より同一基板の同一平面上にマトリク
ス配列させた絵素と、該絵素の一方の電極へ電気信号を
制御する水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶珪
素半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置と、
色分別用デコーダに連結され、かつ該デコーダが設けら
れた基板と同一の基板に設けられており、前記絵素の一
方の電極に対を構成して配列された、複数の対向電極と
を有し、前記複数の対向電極は、前記第１の電極に対す
る電極を互いに独立して有することにより、一つの絵素
領域内で異なる複数の表示状態を構成することとし、さ
らに絶縁表面を有する透光性基板上に水素又はハロゲン
元素が添加された非単結晶半導体の絶縁ゲイト型半導体
装置により構成した周辺回路と、周辺回路より同一基板
の同一平面上にマトリクス配列させた絵素と、該絵素の
一方の電極へ電気信号を制御する水素又はハロゲン元素
が添加された非単結晶珪素半導体を用いた絶縁ゲイト型
電界効果半導体装置と、色分別用デコーダに連結され、
かつ該デコーダが設けられた基板と同一の基板に設けら
れており、前記絵素の一方の電極に対を構成して配列さ
れた、複数の対向電極とを有し、前記複数の対向電極の
各々と、前記絵素の一方の電極との間には光の透過量の
制御体または発光体が設けられたことを特徴とする表示
装置。In order to achieve this object, the present invention provides a peripheral circuit configured by an insulating gate type semiconductor device of a non-single crystal semiconductor in which hydrogen or a halogen element is added on a transparent substrate having an insulating surface, and the same circuit from the peripheral circuit. And an insulating gate type field effect semiconductor device using a non-single-crystal silicon semiconductor in which a hydrogen or halogen element is added to one electrode of the picture element, the pixels being arranged in a matrix on the same plane. ,
It is provided on the same substrate as the substrate on which the decoder for color separation is provided and on which the decoder is provided, and has a plurality of counter electrodes arranged in a pair with one electrode of the picture element. The plurality of counter electrodes have electrodes for the first electrode independently of each other, thereby forming a plurality of different display states in one pixel region, and further having an insulating surface. Circuit formed by an insulating gate type semiconductor device of a non-single crystal semiconductor to which hydrogen or a halogen element is added on a flexible substrate, picture elements arranged in a matrix on the same plane from the peripheral circuit, and the picture element An insulating gate type field effect semiconductor device using a non-single-crystal silicon semiconductor to which an electric signal is controlled to one electrode of hydrogen or a halogen element, and a color separation decoder,
Further, it is provided on the same substrate as the substrate on which the decoder is provided, and has a plurality of counter electrodes arranged in a pair with one electrode of the picture element, A display device, characterized in that a control body for controlling the amount of light transmission or a light emitting body is provided between each and one electrode of the picture element.
またIGFの精密なパターニング（一般には６〜８枚のマ
スクを用いる）を必要なプロセスは一方の基板側にのみ
集中して配設し、色識別をするための配線およびその周
辺回路を他方の基板側に設けたものである。In addition, the process that requires precise patterning of IGF (generally using 6 to 8 masks) is concentrated only on one substrate side, and the wiring for color identification and its peripheral circuits are arranged on the other side. It is provided on the substrate side.
そして１つのIGFに連結した絵素の電極であるCTFは１つ
であるが、このCTFに対をなして対抗した他方の電極で
あるCTFはRGBを設けた為、３つとしたものである。その
結果、製造に関しては、それぞれの２つの独立した基板
をまず製造し、品質検査をした後、それぞれの製品にお
ける良品を重合わせることにより最終完成品をを作るこ
とができる。その結果、半導体表示装置としてその歩留
りの向上を大幅に図ることができるという大きな特徴を
有する。And, although there is one CTF which is an electrode of a picture element connected to one IGF, the other CTF which forms a pair and opposes this CTF has three because the RGB is provided. As a result, in terms of manufacturing, it is possible to first manufacture each of the two independent substrates, perform a quality inspection, and then overlay the non-defective products of the respective products to form a final finished product. As a result, the semiconductor display device has a great feature that its yield can be significantly improved.
さらにこの発明は、光の透過量の制御機能を有する液晶
（LCDという）またエレクトロ・クロミック（ECDとい
う）に関し、自ら発光するエレクトロルミネッセンス
（ELという）に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧
または電流を印加してその電気信号の有無を制御する半
導体装置特にIGFを用いることにより、各絵素をアクテ
ィブエレメントとして制御するものである。Further, the present invention relates to a liquid crystal (referred to as LCD) or an electrochromic (referred to as ECD) having a function of controlling the amount of transmitted light, and to electroluminescence (referred to as EL) that emits light by itself. Alternatively, each pixel is controlled as an active element by using a semiconductor device that applies a current to control the presence or absence of the electric signal, particularly an IGF.
以下に図面に従って、本発明をさらに詳しく記す。 The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.
第２図は第１図の従来の発明に対応した作られた本発明
の回路図である。図面は簡略のため、３×３（RGBを分
けると３×３×３）のマトリックス配列をしている。即
ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリック
ス内のIGFは９ケでよいという大きな特長を有する。さ
らに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第４図、第５図
に示すが、対抗電極（３）（３′）（３″）での電極間
の間隔即ち（３）（３′）（３″）間の間隔（第４図
（Ｂ）（31））は５〜10μでよいことがわかる。これら
IGFに設ける配線（５）（５′）（５″）が50〜100μも
あるため、使用者にとってパネルを見る場合にわずらわ
しい面もあるが、この巾広の線の数を従来方法に比べ1/
3にすることができるという特長を合わせ持つ。その結
果、使用者に不快感を与えないことが判明した。FIG. 2 is a circuit diagram of the present invention made corresponding to the conventional invention of FIG. For the sake of simplicity, the drawing has a matrix arrangement of 3 × 3 (3 × 3 × 3 when RGB is divided). In other words, despite the 27 independent picture elements, the number of IGFs in the matrix can be as large as 9. Further, a plan view and a vertical sectional view of an actual pixel group are shown in FIG. 4 and FIG. 5, and the space between the electrodes at the counter electrodes (3) (3 ′) (3 ″), that is, (3) (3 It can be seen that the interval (') (3 ") (FIG. 4 (B) (31)) may be 5 to 10 .mu.m. these
The wiring (5) (5 ') (5 ") provided in the IGF is 50 to 100μ, which may be a nuisance for the user when looking at the panel, but the number of wide lines is 1 /
It also has the feature that it can be set to 3. As a result, it has been found that the user does not feel uncomfortable.
第２図において、アクティブエレメントは１つのIGF
（２）のソースまたはドレインとその一方に連結した表
示素子（ここではLCD）が（１）（１′）（１″）を有
する。さらに、他方は第２図におけるＹ方向のリード
（５）（５′）（５″）に連結されている。またIGFの
ゲイト電極は、Ｘ方向（４）（４′）（４″）に連結さ
れている。In Figure 2, the active element is one IGF
The source or drain of (2) and a display element (here, LCD) connected to one of them have (1), (1 '), and (1 "). Further, the other is a lead (5) in the Y direction in FIG. (5 ') and (5 ") are connected. The gate electrodes of the IGF are connected in the X direction (4) (4 ') (4 ").
また、表示素子の対抗電極（３）（３′）（３″）はそ
れぞれ独立し、かつ第２図ではＹ方向にマトリックス配
列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色分別
用デコーダ（９）に連結している。The counter electrodes (3), (3 '), (3 ") of the display element are independent of each other and are connected to the counter electrodes of the display elements arranged in a matrix in the Y direction in FIG. 9).
図面において、一方の透光性基板にはデコーダ（７）
（８）及び画素用のIGF（１）および表示素子の一方の
電極を設け、他方の基板側に３つに分別させ、かつそれ
をＸ方向、Ｙ方向、または斜め方向に連結させた。この
第２図はＹ方向に連結しているRGB用の電極、リードを
設け、それらは色分別用制御回路（デコーダ）（９）に
連結されたものである。In the drawing, a decoder (7) is provided on one transparent substrate.
(8) and one electrode of the IGF (1) for the pixel and the display element were provided, and the other substrate side was divided into three, and they were connected in the X direction, the Y direction, or the oblique direction. This FIG. 2 is provided with RGB electrodes and leads connected in the Y direction, which are connected to a color classification control circuit (decoder) (9).
第２図の回路は表示素子の電極に蓄積された電荷が第４
図の構造においてゲイト電極との間の寄生容量（44）が
発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果として
この回路においては高周波数特性を必要としないLCDが
表示素子に用いられることが好ましい。In the circuit of FIG. 2, the charge accumulated in the electrode of the display element is the fourth
In the structure shown, a parasitic capacitance (44) with the gate electrode is generated. Therefore, the frequency characteristic becomes slow. As a result, in this circuit, an LCD that does not require high frequency characteristics is preferably used as the display element.
第３図は第２図と同様であるが、Ｘ方向に表示素子の対
抗電極（３）（３′）（３″）を連結している。その他
は第２図と同様である。3 is similar to FIG. 2, but counter electrodes (3), (3 ') and (3 ") of the display element are connected in the X direction. Others are similar to FIG.
第３図においては、第４図の構成における（11）（12）
（13）・・・（11″）（12″）（13″）を横方向に配設
したことに対応している。すると、寄生容量は（40）
（41）が大きくなるが、ゲイト電極間とは少なくなる。
このため第３図の回路は周波数を変更することにより種
々の色を発生させるELを表示素子を設けた場合に好都合
である。In FIG. 3, (11) and (12) in the configuration of FIG.
(13) ... (11 ") (12") (13 ") are arranged in the lateral direction, and the parasitic capacitance is (40).
(41) increases, but the distance between the gate electrodes decreases.
For this reason, the circuit of FIG. 3 is convenient when an EL display element is provided which generates various colors by changing the frequency.
第４図、第５図は本発明の半導体表示装置の平面図、縦
断面図を示す。4 and 5 are a plan view and a vertical sectional view of the semiconductor display device of the present invention.
この図面は第２図の構造にその回路構成が対応してい
る。The circuit configuration of this drawing corresponds to the structure of FIG.
図面において、絶縁表面を有する透光性基板（25）上に
IGF（２）を第４図、第５図に対応して構成させた。こ
のIGFは対（ペア）を構成した並列構成して２つのIGF
（２）（２′）が設けられている。これはIGFの駆動応
力を高めるために重要であるに加え、一方のIGFがショ
ートまたはオープン不良を発生しても、そのIGFをレー
ザトリミング法により除去し、他方のみで表示素子を駆
動せしめた冗長性を有せしめたものである。In the drawing, on a transparent substrate (25) having an insulating surface
IGF (2) was constructed corresponding to FIGS. 4 and 5. This IGF consists of two IGFs that are paired in parallel.
(2) and (2 ') are provided. This is important for increasing the driving stress of the IGF. In addition, even if one IGF causes a short circuit or an open defect, that IGF is removed by the laser trimming method, and the display element is driven only by the other redundant circuit. It is something that has sex.
この縦チャネル型IGFに関し、第４図（Ａ）におけるＡ
−Ａ′の縦断面図を第４図（Ｂ）に示す。図面におい
て、IGF（２）の下側電極（14）は表示素子（１）の電
極（22）と連結し、この電極（14）上に同一形状を有す
る積層体としてソースまたはドレイン（15）（厚さ500
〜3000Å）積層体（16）（厚さ0.5〜５μ）（実際は窒
化珪素膜を用いた）、ドレインまたはソース（17）（厚
さ500〜3000Å）、Ｙ方向のリードを兼ねた電極（18）
厚さ1000〜5000Å）、層間絶縁膜（19）（0.5〜３μ）
（実際にはPIQを用いた）が設けられている。さらにこ
れらを覆って水素またはハロゲン元素（好ましくは弗
素）が添加された非単結晶半導体（アモルファス構造を
含む）（21）が0.1〜0.4μの厚さでこれらの積層体を覆
っている。Regarding this vertical channel type IGF, A in FIG.
A vertical sectional view of -A 'is shown in FIG. In the drawing, the lower electrode (14) of the IGF (2) is connected to the electrode (22) of the display device (1), and the source or drain (15) (as a laminate having the same shape is formed on the electrode (14). Thickness 500
~ 3000Å) Laminate (16) (thickness 0.5 to 5μ) (actually using silicon nitride film), drain or source (17) (thickness 500 to 3000Å), electrode (18) that also serves as a lead in the Y direction
Thickness 1000-5000Å), interlayer insulation film (19) (0.5-3μ)
(Actually using PIQ) is provided. Further, a non-single-crystal semiconductor (including an amorphous structure) (21) to which hydrogen or a halogen element (preferably fluorine) is added to cover these, covers these laminated bodies with a thickness of 0.1 to 0.4 μm.
この半導体（21）とＰまたはＮ型のソース、ドレインを
構成する層（15）（17）とは接触している。この半導体
層に酸化珪素または窒化珪素膜（厚さ500〜3000Å）お
よびその上に半導体、クロム、チタン、モリブデン、タ
ングステンまたはこれらの化合物のゲイト電極（厚さ30
0〜3000Å）とが（20）により設けている。このゲイト
電極はＸ方向のバスラインを構成するリード（４）
（４′）（４″）と連結しており、このリードは0.5〜
３μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.5Ω/cm2以下
にしている。The semiconductor (21) is in contact with the layers (15) and (17) forming the P or N type source and drain. A silicon oxide or silicon nitride film (thickness: 500 to 3000 Å) is formed on this semiconductor layer, and a gate electrode (thickness: 30 on the semiconductor, chromium, titanium, molybdenum, tungsten or a compound thereof is formed thereon).
0 to 3000Å) and (20) are provided. This gate electrode is a lead (4) that constitutes a bus line in the X direction.
It is connected to (4 ') and (4 ").
It has a thickness of 3μ. The sheet resistance is 0.5Ω / cm 2 or less.
さらに表示素子の電極（22）に対抗した他の絶縁表面を
有する基板上の各３本の対抗電極はRGBをそれぞれ分け
させ、赤（Ｒ）用として（11′）、緑（Ｇ）用として
（12′）、青（Ｂ）用として（13′）が設けられてい
る。そしてこの上方および下方の基板（26）（25）上に
赤、緑、青のフィルタが設けられている。この（11）
（12）（13）・・・・（11″）（12″）（13″）の電極
も配向処理がされており、それぞれのアクティブエレメ
ントの電極はＹ方向に互いに連結されている。特に重要
なことは配向処理がされた第１の電極（22）の面積に対
応した平面内に複数本ここでは３本に分割された第２の
電極が設けられていることである。この２つの電極間に
はLCD例えばネマチック型の液晶（１）を２つの基板（2
5）（26）を合わせ周辺を封止した後充填した。さらに
この電極間隔（32）は10〜20μであるため、実使用にあ
たってはまったく識別がされず、わずらわしさがない。
このＸ方向のCTFはその際リードを兼ねている。このた
め、第２図より明らかなごとく、例えばＹ方向のリード
側は（５）を「１」とし、他の（５′）（５″）を
「０」とし、Ｘ方向の（４）（４′）（４″）をそれぞ
れのレベルにて「１」「０」「１」とした時、さらに加
えて、色分別デコーダ（９）よりの制御にて例えば信号
をR,G,Bを与えることにより、ここでの（５）に連結し
たすべてのエレメントを同時駆動をさせ、その信号によ
り所定の色を表示させることができることが判明した。Furthermore, each of the three counter electrodes on the substrate having another insulating surface that opposes the electrode (22) of the display element separates RGB into RGB (11 ′) for red (R) and green (G). (12 ') and (13') are provided for blue (B). Red, green, and blue filters are provided on the upper and lower substrates (26) (25). This (11)
The electrodes of (12), (13), ..., (11 ″), (12 ″), and (13 ″) are also oriented, and the electrodes of each active element are connected to each other in the Y direction. This means that a plurality of second electrodes, here three, are provided in a plane corresponding to the area of the first electrode (22) subjected to the orientation treatment. An LCD, such as a nematic liquid crystal (1), is used between two substrates (2
5) (26) was put together, the periphery was sealed, and then filled. Furthermore, since this electrode interval (32) is 10 to 20 μ, it is not discriminated at all in actual use and there is no trouble.
This CTF in the X direction also serves as the lead at that time. Therefore, as is apparent from FIG. 2, for example, (5) is set to "1" on the lead side in the Y direction, other (5 ') (5 ") is set to" 0 ", and (4) ( 4 ') and (4 ") are set to" 1 "," 0 ", and" 1 "at the respective levels, and in addition, the signals from the R, G, B signals are controlled by the color classification decoder (9). It has been found that by applying the signals, all the elements connected to (5) here can be simultaneously driven, and a predetermined color can be displayed by the signal.
例えば赤用の電極（11）を「１」とすればＹ方向の配線
（５）とＸ方向のリード（４）とに接続されたエレメン
ト及び前記配線（５）とＸ方向のリード（４″）とに接
続されたエレメントを赤色に表示させることができ、同
様に緑用の電極（12）を「１」とすれば上記したと同様
に配線（５）とリード（４）とに接続されたエレメント
及び配線（５）とリード（４″）とに接続されたエレメ
ントを緑色とすることができ、青用の電極（13）におい
ても同様に「１」とすれば、赤もしくは緑と同じように
同じエレメントを青色とすることができる。For example, if the electrode (11) for red is set to "1", the element connected to the wiring (5) in the Y direction and the lead (4) in the X direction and the wiring (5) and the lead (4 "in the X direction). ) Can be displayed in red, and if the green electrode (12) is set to "1", it is connected to the wiring (5) and the lead (4) in the same manner as described above. If the element and the element connected to the wiring (5) and the lead (4 ") can be made green, and if the electrode (13) for blue is also set to" 1 ", it is the same as red or green. So the same element can be blue.
加えて、この赤用，緑用，青用の電極をすべて「１」と
すれば白色となり、すべてを「０」とすれば黒色となる
ことはいうまでもない。In addition, it goes without saying that if all the electrodes for red, green, and blue are set to "1", they become white, and if all of them are set to "0", they become black.
この制御は色分別デコーダ側（９）より容易に行うこと
ができる。This control can be easily performed from the color classification decoder side (9).
第５図は第４図（Ａ）におけるＢ−Ｂ′の縦断面図を示
す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード（1
2）をも兼ねていることがわかる。デコーダ、画素用のI
GF（２）は基板（25）上に同一工程で設けられ、また、
表示素子の電極（22）も示されているため、周辺回路を
作るとき、改めて製造工程を必要としない。ひいては低
価格化が可能である。特に本発明のガラス基板上にデコ
ーダ、画素用のIGFを実質的に同一構造で作るため低価
格化を実現できる。FIG. 5 is a vertical sectional view taken along the line BB 'in FIG. 4 (A). From the drawing, the electrodes on the side of the counter electrode are connected and the lead (1
You can see that it also serves as 2). I for decoder, pixel
GF (2) is provided on the substrate (25) in the same step, and
Since the electrodes (22) of the display element are also shown, no additional manufacturing process is required when forming the peripheral circuit. As a result, the price can be reduced. In particular, since the decoder and the IGF for the pixel are formed on the glass substrate of the present invention with substantially the same structure, the cost can be reduced.
またこの半導体装置の下方向に螢光灯を配設し、本発明
の基板（25）または（26）の一面にカラーフィルタを設
けることによりフルカラー表示を行う場合、２つの基板
ともガラス等を用い、透明であることは必要である。Further, when a fluorescent lamp is arranged below the semiconductor device and a color filter is provided on one surface of the substrate (25) or (26) of the present invention, full color display is performed, glass is used for both substrates. , It is necessary to be transparent.
以上の構成によって20インチ試験的には100×100素子を
5cm×5cmに設けた場合、その歩留り向上が著しかった。
従来方法では100×100パネルで欠陥数が１％以下を良品
とすると歩留り３％しかなかった。しかし本発明構造に
おいては、周辺回路も同一透光性基板上に同一製造工程
で形成するため、かつ不良画素に対してレーザでのリペ
アも行うことができるため10％を越えるロットも得るこ
とができた。With the above configuration, a 100 inch 100 element is used for a 20 inch test.
When it was provided in a size of 5 cm x 5 cm, the yield improvement was remarkable.
In the conventional method, the yield was only 3% when the defect number of 100 × 100 panel and the number of defects was 1% or less. However, in the structure of the present invention, since peripheral circuits are formed on the same light-transmitting substrate in the same manufacturing process, and repair of defective pixels with a laser can also be performed, a lot exceeding 10% can be obtained. did it.
このため、この素子数が525×640と大きくなった時、本
発明はその効果をますます増すことが期待できることが
判明した。Therefore, it has been found that the present invention can be expected to further increase its effect when the number of elements increases to 525 × 640.
さらに本発明において、人が見る側例えば基板（26）上
面に反射防止膜（27）を設けることは有効である。Further, in the present invention, it is effective to provide the antireflection film (27) on the side viewed by a person, for example, the upper surface of the substrate (26).
加えて本発明においては、IGFは縦チャネル型であり、
各絵素に対応した一方の第１の電極にIGFを２つの対と
して用いた。このため一方のIGFにショートまたはオー
プン不良が発生しても、そのIGFをレーザトリミング法
により除去し、他方のみで表示素子を駆動させることが
できるのである。しかし横チャネル型のIGFであっても
よいことはいうまでもない。In addition, in the present invention, the IGF is a vertical channel type,
Two pairs of IGFs were used for one first electrode corresponding to each pixel. Therefore, even if a short circuit or an open defect occurs in one IGF, the IGF can be removed by the laser trimming method, and the display element can be driven only by the other IGF. However, it goes without saying that a lateral channel type IGF may be used.
以上説明の如く、本発明はデコーダ等の周辺回路を構成
するIGFと、画素を制御するIGFとを同一透明基板に設
け、さらに対向電極とその色分別用デコーダとを同一基
板に設けて、かくすることにより、これまでデコーダ等
の周辺回路はプラスチックスのタブに設けられた単結晶
シリコンICをガラス基板の端部に連結していたが、その
大きな欠点である、連結の際の合わせ誤差を除去するこ
とができた。この周辺回路と画素との一体化によりプラ
スチックのタブの設置に伸び縮みを考慮して従来だと画
素間のピッチが125μｍ以内とすることが不可能であっ
たものが、本発明により60μｍのピッチすら可能となっ
た。As described above, according to the present invention, the IGF which configures the peripheral circuit such as the decoder and the IGF which controls the pixel are provided on the same transparent substrate, and the counter electrode and the color separation decoder are provided on the same substrate. By doing so, peripheral circuits such as decoders have hitherto connected the single crystal silicon IC provided on the plastic stub to the end of the glass substrate, but a major drawback is that the alignment error at the time of connection is Could be removed. Due to the integration of this peripheral circuit and the pixel, it was impossible to keep the pitch between the pixels within 125 μm in consideration of expansion and contraction in the installation of the plastic tab, but according to the present invention, the pitch of 60 μm It even became possible.
この発明はフルカラー型を主として示した。しかし高解
像度型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第２の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に３倍と
し、３倍の高解像度としたものである。またこの３倍を
第２の電極を２または４ケ以上とすることにより２倍ま
たは４倍とすることもできる。This invention mainly showed the full color type. However, it can also be used as a high-resolution display device. By removing the color filter on the second electrode, the number of picture elements is substantially tripled but the resolution is tripled even though it is a monochrome display. Further, this triple can be doubled or quadrupled by setting the number of second electrodes to two or four or more.
第１図は従来の表示装置の回路図を示す。 第２図、第３図は本発明の表示装置の回路図を示す。 第４図、第５図は第２図の回路に対応して設けた本発明
の半導体表示装置の縦断面図を示す。FIG. 1 shows a circuit diagram of a conventional display device. 2 and 3 show circuit diagrams of the display device of the present invention. 4 and 5 are vertical sectional views of the semiconductor display device of the present invention provided corresponding to the circuit of FIG.
Claims (2)
縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺回路と、 周辺回路よりマトリクス配列された絵素と、 前記絵素の一方の電極へ接続された電気信号を制御する
水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体を用
いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置とが設けられてお
り、 前記透光性基板上に対向する基板には、 色分別デコーダと、 前記色分別デコーダに連結され、前記絵素の一方の電極
に対を構成して配列された複数の対向電極とが設けられ
ており、 前記複数の対向電極は、前記透光性基板上の電極に対し
て互いに独立させることにより、一つの絵素領域内で異
なる複数の表示状態を構成することを特徴とする表示装
置。1. A peripheral circuit composed of an insulating gate type semiconductor device of a non-single crystal semiconductor to which hydrogen or a halogen element is added, and pixels arranged in a matrix from the peripheral circuit on a transparent substrate having an insulating surface. And an insulating gate type field effect semiconductor device using a non-single-crystal semiconductor to which an electric signal for controlling an electric signal connected to one electrode of the pixel is added. The substrate facing the flexible substrate is provided with a color classification decoder, and a plurality of counter electrodes connected to the color classification decoder and arranged in a pair with one electrode of the pixel. The display device according to claim 1, wherein the plurality of counter electrodes form a plurality of different display states in one picture element region by making the plurality of counter electrodes independent of each other on the transparent substrate.
縁ゲイト型半導体装置により構成した周辺回路と、 周辺回路よりマトリクス配列された絵素と、 前記絵素の一方の電極へ接続された電気信号を制御する
水素又はハロゲン元素が添加された非単結晶半導体を用
いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置とが設けられてお
り、 前記透光性基板上に対向する基板には、 色分別デコーダと、 前記色分別デコーダに連結され、前記絵素の一方の電極
に対を構成して配列された複数の対向電極とが設けられ
ており、 前記複数の対向電極の各々と、前記絵素の一方の電極と
の間には光の透過量の制御体または発光体が設けられた
ことを特徴とする表示装置。2. A peripheral circuit constituted by an insulating gate type semiconductor device of a non-single crystal semiconductor to which hydrogen or a halogen element is added, and pixels arranged in a matrix from the peripheral circuit on a transparent substrate having an insulating surface. And an insulating gate type field effect semiconductor device using a non-single-crystal semiconductor to which an electric signal for controlling an electric signal connected to one electrode of the pixel is added. The substrate facing the flexible substrate is provided with a color classification decoder, and a plurality of counter electrodes connected to the color classification decoder and arranged in a pair with one electrode of the pixel. A display device, characterized in that a control body of a light transmission amount or a light emitting body is provided between each of the plurality of counter electrodes and one electrode of the picture element.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1189326A JPH0746265B2 (en) | 1989-07-22 | 1989-07-22 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1189326A JPH0746265B2 (en) | 1989-07-22 | 1989-07-22 | Display device |
Related Parent Applications (1)
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| JP59055175A Division JPH0614259B2 (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Display device |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH02118593A JPH02118593A (en) | 1990-05-02 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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-
1989
- 1989-07-22 JP JP1189326A patent/JPH0746265B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02118593A (en) | 1990-05-02 |
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