JPH0745528A - Selective deposition method of fine particles - Google Patents
Selective deposition method of fine particlesInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体デバイ
ス等の電子デバイスの作製や、その他の膜形成等に用い
られるものであって、プラズマＣＶＤ法によって、基板
上の所望の部位に微粒子を選択的に堆積させる微粒子の
選択的堆積方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for manufacturing electronic devices such as semiconductor devices and for forming other films, and selects fine particles at a desired site on a substrate by a plasma CVD method. The present invention relates to a method for selectively depositing fine particles to be selectively deposited.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来は、微粒子（例えば、ａ−Ｓi（ア
モルファスシリコン）、ＳiＮx（窒化シリコン）、Ｔi
Ｏ2（酸化チタン）等の微粒子）を印刷によって基板上
に粗いパターンで塗布したり、プラズマＣＶＤ法によっ
て基板上の全面に堆積させたりした後、フォトリソグラ
フィーによってマスクのパターンを作り、このマスクを
用いてドライエッチングを行うことによって微粒子膜の
微細加工を行い、このようにして電子デバイス等の作製
を行っていた。2. Description of the Related Art Conventionally, fine particles (for example, a-Si (amorphous silicon), SiN x (silicon nitride), Ti
After applying O 2 (titanium oxide or other fine particles) on the substrate in a rough pattern by printing or depositing it on the entire surface by the plasma CVD method, a mask pattern is formed by photolithography and this mask is used. The fine film was finely processed by performing dry etching using it, and thus electronic devices and the like were manufactured.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、フォトリソ
グラフィーおよびドライエッチングの技術を用いて加工
を行う場合、光の回折によるマスクパターンのぼけや、
サイドエッチングによるアンダーカット等が不可避的に
生じるため、上記のような微粒子膜の微細加工は困難で
あるという問題がある。However, when processing is performed by using the techniques of photolithography and dry etching, blurring of the mask pattern due to diffraction of light,
Since undercutting due to side etching inevitably occurs, there is a problem that the fine processing of the fine particle film as described above is difficult.
【０００４】また、実験によれば、上記のようなａ−Ｓ
i、ＳiＮx、ＴiＯ2等の微粒子膜は、理由は定かではな
いが、ドライエッチングによる微細加工は不可能に近い
ことが確かめられており、それ以外の微粒子膜について
も、そのドライエッチングによる微細加工は非常に困難
であるということができる。Further, according to experiments, the above-mentioned a-S
Although the reason is not clear for the fine particle film of i, SiN x , TiO 2, etc., it has been confirmed that fine processing by dry etching is almost impossible. For other fine particle films, fine processing by dry etching is also possible. It can be said that processing is very difficult.
【０００５】そこでこの発明は、微粒子を基板上の必要
な部位に選択的に堆積させることによって、従来困難だ
った微粒子膜の微細加工工程を省くことができる微粒子
の選択的堆積方法を提供することを主たる目的とする。Therefore, the present invention provides a method for selectively depositing fine particles by selectively depositing fine particles on a necessary portion on a substrate, thereby omitting the fine processing step of a fine particle film which has been difficult in the past. Is the main purpose.
【０００６】[0006]
【発明の概要】この発明の微粒子の選択的堆積方法は、
簡単に言えば、プラズマ中で発生した微粒子は帯電、よ
り具体的には負に帯電している場合が殆どであり、この
性質を利用して、基板側の必要な部位に微粒子を静電気
力によって選択的に導くことを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION The method for selectively depositing particulates of the present invention comprises:
Simply put, most of the particles generated in plasma are charged, more specifically, negatively charged, and by utilizing this property, the particles are electrostatically applied to the necessary parts on the substrate side. It is characterized by selectively guiding.
【０００７】[0007]
【実施例】図１は、この発明の実施に使用するプラズマ
ＣＶＤ装置の一例を示す概略図である。真空排気装置１
２によって真空排気される真空容器４内に、高周波電極
６とホルダ兼電極８とを対向させて収納している。ホル
ダ兼電極８は、ここでは接地されている。ホルダ兼電極
８上には、微粒子を堆積させようとする基板２が載せら
れる。基板２は、例えばホルダ兼電極８内のヒータ１０
によって加熱される。1 is a schematic view showing an example of a plasma CVD apparatus used for carrying out the present invention. Vacuum exhaust device 1
A high-frequency electrode 6 and a holder-cum-electrode 8 are housed in a vacuum container 4 that is evacuated by 2 so as to face each other. The holder / electrode 8 is grounded here. The substrate 2 on which the particles are to be deposited is placed on the holder / electrode 8. The substrate 2 is, for example, a heater 10 in the holder / electrode 8.
Heated by.
【０００８】真空容器４内には、高周波電極６につなが
るガス導入部１４を経由して原料ガス２０が導入され
る。この例では、ガス源２２および２４から、マスフロ
ーコントローラ２６および２８をそれぞれ経由して、原
料ガス２０を構成するガスがガス導入部１４に供給され
る。３０は、ガス源２２からのガスの気化に用いられる
ヒータであり、ガスの種類によっては不要な場合もあ
る。A raw material gas 20 is introduced into the vacuum container 4 via a gas introduction portion 14 connected to the high frequency electrode 6. In this example, the gas that constitutes the raw material gas 20 is supplied from the gas sources 22 and 24 to the gas introduction unit 14 via the mass flow controllers 26 and 28, respectively. A heater 30 is used for vaporizing the gas from the gas source 22, and may be unnecessary depending on the type of gas.
【０００９】高周波電極６とホルダ兼電極８間には、マ
ッチングボックス１６を経由して、高周波電源１８から
例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力が供給さ
れる。A high frequency power having a frequency of, for example, 13.56 MHz is supplied between the high frequency electrode 6 and the holder / electrode 8 from a high frequency power source 18 via a matching box 16.
【００１０】このような装置において、真空容器４内に
原料ガス２０を導入して真空容器４内を例えば数百ｍＴ
ｏｒｒ程度にすると共に、高周波電極６とホルダ兼電極
８間に高周波電源１８から高周波電力を供給すると、両
電極６、８間で高周波放電が生じてプラズマ３２が発生
する。そしてこのプラズマ３２によって原料ガス２０が
活性化され、化学反応が進んで微粒子が生成され、これ
が基板２上に堆積して微粒子膜が形成される。例えば、
原料ガス２０としてＳiＨ4とＮＨ3の混合ガスを用いた
場合、基板２上にＳiＮxの微粒子膜が形成される。ある
いは、原料ガス２０としてＴiＣｌ4とＯ2の混合ガスを
用いた場合、基板２上にＴiＯ2微粒子膜が形成される。In such an apparatus, the raw material gas 20 is introduced into the vacuum container 4 so that the interior of the vacuum container 4 is, for example, several hundred mT.
When the high frequency power is supplied from the high frequency power supply 18 between the high frequency electrode 6 and the holder / electrode 8 as well as about orr, a high frequency discharge is generated between the electrodes 6 and 8 to generate plasma 32. Then, the raw material gas 20 is activated by the plasma 32, and a chemical reaction proceeds to generate fine particles, which are deposited on the substrate 2 to form a fine particle film. For example,
When a mixed gas of SiH 4 and NH 3 is used as the source gas 20, a SiN x fine particle film is formed on the substrate 2. Alternatively, if the raw material gas 20 using a mixed gas of TiCl 4 and O 2, TiO 2 fine particle film is formed on the substrate 2.
【００１１】上記成膜時のプラズマ３２のポテンシャル
の一例を図２に示す。高周波電極６はマッチングボック
ス１６内に含まれているブロッキングコンデンサによっ
て直流的に切られており、この高周波電極６には軽くて
イオンよりも移動度の遙かに大きい電子の方が多く入射
するので、高周波電極６の表面は負の電位になってお
り、これに対してプラズマ３２のポテンシャル（電位）
ＶP は正になっている。基板２は、この例ではホルダ兼
電極８が接地されているので接地電位にある。基板２お
よび高周波電極６の表面とプラズマ３２との間には、イ
オンのシース３２ａ、３２ｂがそれぞれ形成される。FIG. 2 shows an example of the potential of the plasma 32 during the film formation. The high-frequency electrode 6 is DC-cut by a blocking capacitor included in the matching box 16, and since many high-electrons, which are light and have much higher mobility than ions, enter the high-frequency electrode 6. , The surface of the high-frequency electrode 6 has a negative potential, while the potential of the plasma 32 is
V P is positive. The substrate 2 is at ground potential because the holder / electrode 8 is grounded in this example. Ion sheaths 32 a and 32 b are formed between the surfaces of the substrate 2 and the high-frequency electrode 6 and the plasma 32, respectively.
【００１２】上記のようにしてプラズマＣＶＤ法で微粒
子を堆積させる際、プラズマ３２中で発生した微粒子
は、プラズマ３２中の電子の衝突やイオンの衝撃を受け
て通常は帯電している。より具体的には、イオンよりも
電子の方が軽くて移動度が遙かに大きいので、当該微粒
子は通常は負に帯電している。そしてこの性質を利用す
ることよって、基板２側の必要な部位に微粒子を静電気
力（クーロン力）によって選択的に導くことができる。
以下にその実施例を説明する。When the fine particles are deposited by the plasma CVD method as described above, the fine particles generated in the plasma 32 are normally charged by the collision of electrons in the plasma 32 and the impact of ions. More specifically, electrons are lighter than ions and have much higher mobility, so that the particles are usually negatively charged. By utilizing this property, the fine particles can be selectively guided to a necessary portion on the substrate 2 side by electrostatic force (Coulomb force).
An example will be described below.
【００１３】図３は、基板上に凸部を形成しておく場合
の実施例を示すものであり、絶縁物から成る基板２上の
微粒子を堆積させたい部位に凸部２ａを形成しておき、
このような基板２上にプラズマＣＶＤ法によって微粒子
を堆積させる。FIG. 3 shows an embodiment in which the convex portion is formed on the substrate. The convex portion 2a is formed on the substrate 2 made of an insulating material at a portion where the fine particles are to be deposited. ,
Fine particles are deposited on the substrate 2 by the plasma CVD method.
【００１４】絶縁物から成る基板２上に凸部２ａを形成
しておくと、成膜の際に、凸部２ａは正に帯電する。こ
れは、プラズマ３２のシース３２ａの部分の電位差（例
えば５００〜６００Ｖ程度）によってプラズマ３２中の
イオンが加速されて基板２に衝突し、その際、凸部２ａ
には電界が集中するのでそこに集中的にイオンの衝突が
生じ、この衝突によって凸部２ａから電子が多数放出さ
れる結果、しかも基板２は絶縁物から成るので、凸部２
ａが正に帯電するからである。なお、基板２にはプラズ
マ３２から電子も入射するが、凸部２ａについて見れ
ば、入射する電子よりも放出される電子の方が多いの
で、結果として正に帯電する。この凸部２ａの正帯電の
程度は、凸部２ａの高さによって制御することができ
る。When the convex portion 2a is formed on the substrate 2 made of an insulating material, the convex portion 2a is positively charged during film formation. This is because the ions in the plasma 32 are accelerated and collide with the substrate 2 due to the potential difference (for example, about 500 to 600 V) in the sheath 32a portion of the plasma 32, and at that time, the convex portion 2a.
Since an electric field is concentrated on the projections, ions collide intensively there, and a large number of electrons are emitted from the projections 2a due to the collisions. Moreover, since the substrate 2 is made of an insulating material, the projections 2
This is because a is positively charged. It should be noted that although electrons are incident on the substrate 2 from the plasma 32, as for the convex portion 2a, more electrons are emitted than the incident electrons, and as a result, they are positively charged. The degree of positive charging of the convex portion 2a can be controlled by the height of the convex portion 2a.
【００１５】このように、図３の方法では凸部２ａが正
に帯電するので、プラズマ３２中で作られかつ負に帯電
した微粒子は、この凸部２ａの正電荷によって引き付け
られ、凸部２ａの表面に選択的に堆積する。従って、こ
の方法によれば、従来困難だった微粒子膜の微細加工工
程を省くことができる。As described above, in the method of FIG. 3, since the convex portion 2a is positively charged, the fine particles formed in the plasma 32 and negatively charged are attracted by the positive charge of the convex portion 2a, and the convex portion 2a is attracted. Selectively deposits on the surface of. Therefore, according to this method, it is possible to omit the fine processing of the fine particle film, which has been difficult in the past.
【００１６】なお、上記基板２上の凸部２ａは、他の部
分と同材質でも良いが、異材質にしても良く、異材質に
すれば、高さ以外に凸部２ａの材質によっても凸部２ａ
の帯電の程度を変えることができるので、凸部２ａの正
帯電の程度をより自由に制御することができる。The convex portion 2a on the substrate 2 may be made of the same material as the other portions, but may be made of a different material, and if made of a different material, the convex portion 2a may be convex in addition to the height. Part 2a
The degree of positive charging of the convex portion 2a can be controlled more freely because the degree of positive charging of the convex portion 2a can be changed.
【００１７】このようにして、凸部２ａの高さや材質等
によって凸部２ａの正帯電の程度を制御することによ
り、微粒子の凸部２ａ上への集まりやすさを制御するこ
とができる他、凸部２ａ上に堆積する微粒子の大きさを
制御することもできる。In this way, by controlling the degree of positive charging of the convex portion 2a depending on the height and material of the convex portion 2a, it is possible to control the easiness of collecting the fine particles on the convex portion 2a. It is also possible to control the size of the fine particles deposited on the convex portion 2a.
【００１８】基板２上に選択的に堆積する微粒子の大き
さの制御についてより詳しく説明すると、プラズマ３２
中で作られる微粒子は、その粒径の大きいものほど、表
面積が大きいので多くの負電荷を帯びやすいという性質
がある。このプラズマ３２中の微粒子が有する負電荷、
その微粒子の重さおよび基板２上のシース３２ａ（図２
参照）の部分の電界によって、基板２上に堆積する微粒
子の大きさが異なることが実験によって確かめられてい
る。The control of the size of the fine particles selectively deposited on the substrate 2 will be described in more detail.
The larger the particle size of the fine particles formed therein, the larger the surface area, and therefore the more the particles are likely to be negatively charged. Negative charge of fine particles in the plasma 32,
The weight of the fine particles and the sheath 32a on the substrate 2 (see FIG.
It has been confirmed by experiments that the size of the fine particles deposited on the substrate 2 varies depending on the electric field in the portion (see).
【００１９】即ち、基板２上のシース３２ａの部分の電
位差（これは、基板２が０電位であれば、プラズマ３２
のポテンシャルＶP に等しい）が小さい場合、プラズマ
３２中の微粒子は粒径が小さいままで基板２側に引かれ
て堆積し、シース３２ａの部分の電位差が中位の場合、
プラズマ３２中の微粒子は粒径が中位になった時に基板
２側に引かれて堆積し、シース３２ａの部分の電位差が
大きい場合、プラズマ３２中の微粒子は粒径が大きくな
って初めて基板２側に引かれて堆積するという性質があ
る。つまり、シース３２ａの電位差が小さければ粒径の
小さい微粒子が選択的に基板２上に堆積し、シース３２
ａの電位差が中位であれは粒径の中位の微粒子が選択的
に基板２上に堆積し、シース３２ａの電位差が大きけれ
ば粒径の大きい微粒子が選択的に基板２上に堆積する。That is, the potential difference of the portion of the sheath 32a on the substrate 2 (this means that if the substrate 2 has 0 potential, the plasma 32
If equal to the potential V P) is smaller, particles in the plasma 32 is deposited drawn 2 side substrate while the smaller particle size, if the potential difference between the portion of the sheath 32a is medium,
When the particle size of the plasma 32 becomes medium, the particles are attracted and deposited on the substrate 2 side, and when the potential difference in the portion of the sheath 32a is large, the particle size of the plasma 32 becomes large when the particle size of the substrate 2 is small. It has the property of being pulled to the side and deposited. That is, if the potential difference of the sheath 32a is small, fine particles having a small particle diameter are selectively deposited on the substrate 2 and the sheath 32a
When the potential difference of a is medium, fine particles having a medium particle size are selectively deposited on the substrate 2, and when the potential difference of the sheath 32a is large, fine particles having a large particle size are selectively deposited on the substrate 2.
【００２０】上記凸部２ａの正帯電の程度を制御するこ
とにより、図２中の基板２側の電位が（より具体的には
その凸部２ａの電位が）上下することになり、プラズマ
３２のポテンシャルＶP を変えなくても、この凸部２ａ
の部分では、シース３２ａの部分の電位差が制御される
ことになり、その結果、上記のような性質によって凸部
２ａ上に堆積する微粒子の大きさを制御することができ
る。例えば、凸部２ａの正電位を大きくすることによ
り、シース３２ａの電位差が小さくなるので、粒径の小
さい微粒子を選択的に凸部２ａ上に堆積させることがで
きる。By controlling the degree of positive charging of the convex portion 2a, the potential on the substrate 2 side (more specifically, the potential of the convex portion 2a) in FIG. Even if the potential V P of the
The potential difference in the portion of the sheath 32a is controlled at the portion of, and as a result, the size of the fine particles deposited on the convex portion 2a can be controlled by the above-described property. For example, by increasing the positive potential of the convex portion 2a, the potential difference of the sheath 32a becomes smaller, so that fine particles having a small particle diameter can be selectively deposited on the convex portion 2a.
【００２１】図４は、基板に金属パターンを形成してお
く場合の実施例を示すものであり、絶縁物から成る基板
２上の微粒子を堆積させたくない部位に金属パターン３
６を形成しておき、このような基板２上にプラズマＣＶ
Ｄ法によって微粒子を堆積させる。FIG. 4 shows an embodiment in which a metal pattern is formed on the substrate. The metal pattern 3 is formed on the substrate 2 made of an insulating material at a portion where it is not desired to deposit fine particles.
6 is formed in advance, and the plasma CV is formed on the substrate 2.
Fine particles are deposited by the D method.
【００２２】絶縁物から成る基板２上に金属パターン３
６を形成しておき、このような基板２をプラズマ３２に
曝すと、金属パターン３６には、プラズマ３２から、軽
くてイオンよりも移動度の遙かに大きい電子の方が多く
入射するので、しかも基板２が絶縁物から成り電荷が逃
げないので、プラズマ３２に曝された金属パターン３６
は負に帯電する。A metal pattern 3 is formed on a substrate 2 made of an insulating material.
When 6 is formed and such a substrate 2 is exposed to the plasma 32, more electrons, which are lighter and have much higher mobility than ions, enter the metal pattern 36 from the plasma 32. Moreover, since the substrate 2 is made of an insulating material and does not allow electric charges to escape, the metal pattern 36 exposed to the plasma 32 is discharged.
Is negatively charged.
【００２３】このように、図４の方法では金属パターン
３６が負に帯電するので、プラズマ３２中で作られかつ
負に帯電した微粒子は、この金属パターン３６上の負電
荷によって反発され、結果として、基板２上の金属パタ
ーン３６以外の所望の部位３７に選択的に堆積する。従
って、この方法によれば、従来困難だった微粒子膜の微
細加工工程を省くことができる。As described above, in the method of FIG. 4, since the metal pattern 36 is negatively charged, the fine particles produced in the plasma 32 and negatively charged are repelled by the negative charge on the metal pattern 36, and as a result, , And is selectively deposited on a desired portion 37 other than the metal pattern 36 on the substrate 2. Therefore, according to this method, it is possible to omit the fine processing of the fine particle film, which has been difficult in the past.
【００２４】図５は、基板上に金属パターンを形成し、
それに負電圧を印加しておく場合の実施例を示すもので
あり、絶縁物または半導体から成る基板２上の微粒子を
堆積させたくない部位に金属パターン３６を形成してお
き、この金属パターン３６に直流電源３８から負電圧を
印加した状態で、基板２上にプラズマＣＶＤ法によって
微粒子を堆積させる。In FIG. 5, a metal pattern is formed on a substrate,
An example in which a negative voltage is applied thereto is shown. A metal pattern 36 is formed on a portion of the substrate 2 made of an insulating material or a semiconductor where it is not desired to deposit fine particles, and the metal pattern 36 is formed on the metal pattern 36. Fine particles are deposited on the substrate 2 by the plasma CVD method while a negative voltage is applied from the DC power source 38.
【００２５】金属パターン３６に負電圧を印加しておく
と、プラズマ３２中で作られかつ負に帯電した微粒子
は、この金属パターン３６の負電圧によって反発され、
結果として、基板２上の金属パターン３６以外の所望の
部位３７に選択的に堆積する。従って、この方法によれ
ば、従来困難だった微粒子膜の微細加工工程を省くこと
ができる。When a negative voltage is applied to the metal pattern 36, the negative particles charged in the plasma 32 and negatively charged are repelled by the negative voltage of the metal pattern 36.
As a result, it is selectively deposited on the desired portion 37 other than the metal pattern 36 on the substrate 2. Therefore, according to this method, it is possible to omit the fine processing of the fine particle film, which has been difficult in the past.
【００２６】また、この実施例の場合、二つの金属パタ
ーン３６間にある所望の部位３７の電位を、その両側の
金属パターン３６に印加する負電圧によってある程度制
御することができ（これは両側の金属パターン３６から
の電位の滲み出しによる）、そのようにすることによっ
て、所望の部位３７についてのシース３２ａの電位差を
制御することができるので、先に図３の実施例のところ
で説明したような作用によって、所望の部位３７に堆積
される微粒子の大きさを制御することができる。例え
ば、金属パターン３６に大きな負電圧を印加することに
より、シース３２ａでの電位差が大きくなるので、粒径
の大きい微粒子を選択的に所望の部位３７に堆積させる
ことができる。Further, in the case of this embodiment, the potential of the desired portion 37 between the two metal patterns 36 can be controlled to some extent by the negative voltage applied to the metal patterns 36 on both sides of the desired portion 37. By bleeding the potential from the metal pattern 36), by doing so, the potential difference of the sheath 32a with respect to the desired portion 37 can be controlled, and as described above in the embodiment of FIG. By the action, the size of the fine particles deposited on the desired portion 37 can be controlled. For example, by applying a large negative voltage to the metal pattern 36, the potential difference in the sheath 32a increases, so that fine particles having a large particle size can be selectively deposited on the desired portion 37.
【００２７】図６は、基板上に金属パターンを形成し、
それに正電圧を印加しておく場合の実施例を示すもので
あり、絶縁物または半導体から成る基板２上の微粒子を
堆積させたい部位に金属パターン３６を形成しておき、
この金属パターン３６に直流電源３８から正電圧を印加
した状態で、基板２上にプラズマＣＶＤ法によって微粒
子を堆積させる。In FIG. 6, a metal pattern is formed on a substrate,
The present invention shows an embodiment in which a positive voltage is applied thereto, and a metal pattern 36 is formed on a portion of the substrate 2 made of an insulating material or a semiconductor, where fine particles are to be deposited.
Fine particles are deposited on the substrate 2 by the plasma CVD method while applying a positive voltage from the DC power source 38 to the metal pattern 36.
【００２８】金属パターン３６に正電圧を印加しておく
と、プラズマ３２中で作られかつ負に帯電した微粒子
は、この金属パターン３６の正電圧によって吸引され、
結果として、基板２上の所望の金属パターン３６上に選
択的に堆積する。従って、この方法によれば、従来困難
だった微粒子膜の微細加工工程を省くことができる。When a positive voltage is applied to the metal pattern 36, the fine particles produced in the plasma 32 and negatively charged are attracted by the positive voltage of the metal pattern 36,
As a result, it is selectively deposited on the desired metal pattern 36 on the substrate 2. Therefore, according to this method, it is possible to omit the fine processing of the fine particle film, which has been difficult in the past.
【００２９】また、この実施例の場合、金属パターン３
６に印加する電圧によって、微粒子の金属パターン３６
上の集まりやすさを制御することができる他、金属パタ
ーン３６の部分についてのシース３２ａの電位差を制御
することができるので、先に図３の実施例のところで説
明したような作用によって、金属パターン３６上に堆積
させる微粒子の大きさを制御することができる。例え
ば、金属パターン３６に大きな正電圧を印加することに
より、シース３２ａでの電位差が小さくなるので、粒径
の小さい微粒子を選択的に金属パターン３６上に堆積さ
せることができる。In the case of this embodiment, the metal pattern 3 is used.
Depending on the voltage applied to 6, the metal pattern 36 of fine particles
In addition to being able to control the easiness of gathering above, it is possible to control the potential difference of the sheath 32a with respect to the portion of the metal pattern 36. Therefore, by the action as described in the embodiment of FIG. The size of the particulates deposited on 36 can be controlled. For example, by applying a large positive voltage to the metal pattern 36, the potential difference in the sheath 32a becomes small, so that fine particles having a small particle size can be selectively deposited on the metal pattern 36.
【００３０】なお、上記図５および図６の方法のよう
に、金属パターン３６に直流電源３８によって強制的に
負または正の電圧を印加しておく場合は、帯電現象を利
用しないので、基板２は絶縁物または半導体のいずれで
あっても良い。When a negative or positive voltage is forcibly applied to the metal pattern 36 by the DC power source 38 as in the method shown in FIGS. 5 and 6, the charging phenomenon is not used, and the substrate 2 is not used. May be either an insulator or a semiconductor.
【００３１】上記図３ないし図６のいずれの方法におい
ても、プラズマ３２のポテンシャルＶP （図２参照）を
制御することを併用しても良く、そのようにすれば、プ
ラズマ３２のポテンシャルＶP によってもシース３２ａ
の部分の電位差を制御することができるので、先に図３
の実施例のところで説明したような作用によって、基板
２上に選択的に堆積させる微粒子の大きさを制御するこ
とができる。例えば、プラズマ３２のポテンシャルＶP
を大きくすることにより、シース３２ａでの電位差が大
きくなるので、粒径の大きい微粒子を選択的に基板２上
に堆積させることができる。In any of the methods of FIGS. 3 to 6 described above, controlling the potential V P of the plasma 32 (see FIG. 2) may be used together, and by doing so, the potential V P of the plasma 32 may be controlled. Also by the sheath 32a
Since it is possible to control the potential difference in the part of FIG.
The size of the fine particles selectively deposited on the substrate 2 can be controlled by the action as described in the embodiment. For example, the potential V P of the plasma 32
Since the potential difference in the sheath 32a is increased by increasing, the particles having a large particle size can be selectively deposited on the substrate 2.
【００３２】プラズマ３２のポテンシャルＶP は、プラ
ズマ３２の生成に寄与するエネルギー、例えば図１のプ
ラズマＣＶＤ装置の場合は、高周波電源１８から電極
６、８間に供給する高周波電力の大きさを制御すること
によって制御することができる。例えば、高周波電力を
大きくすればプラズマ３２のポテンシャルＶP も大きく
なる。The potential V P of the plasma 32 controls the energy that contributes to the generation of the plasma 32, for example, in the case of the plasma CVD apparatus of FIG. 1, the magnitude of the high frequency power supplied between the high frequency power supply 18 and the electrodes 6 and 8. It can be controlled by For example, if the high frequency power is increased, the potential V P of the plasma 32 is also increased.
【００３３】また、上記図３ないし図６の方法、更には
それにプラズマ３２のポテンシャルＶP を制御する方法
を併用する場合のいずれにおいても、基板２全体に正ま
たは負のバイアス電圧を印加しておくことを併用しても
良い。これは、例えば図７に示すように、基板２を保持
するホルダ兼電極８とアース間にバイアス電源４０を接
続し、このバイアス電源４０によってホルダ兼電極８に
正または負のバイアス電圧を印加することによって実現
することができる。Further, in any of the method of FIGS. 3 to 6 and the method of controlling the potential V P of the plasma 32 in combination therewith, a positive or negative bias voltage is applied to the entire substrate 2. You may use together. For example, as shown in FIG. 7, a bias power supply 40 is connected between the holder / electrode 8 holding the substrate 2 and the ground, and a positive or negative bias voltage is applied to the holder / electrode 8 by the bias power supply 40. Can be realized by
【００３４】このようにすれば、基板２のバイアス電圧
によってもシース３２ａの部分の電位差を制御すること
ができるので、先に図３の実施例のところで説明したよ
うな作用によって、基板２上に選択的に堆積させる微粒
子の大きさを制御することができる。例えば、基板２全
体に負のバイアス電圧を印加することにより、シース３
２ａでの電位差が大きくなるので、粒径の大きい微粒子
を選択的に基板２上に堆積させることができる。In this way, the potential difference in the portion of the sheath 32a can be controlled by the bias voltage of the substrate 2 as well, so that the substrate 2 will be affected by the action as described in the embodiment of FIG. It is possible to control the size of the fine particles that are selectively deposited. For example, by applying a negative bias voltage to the entire substrate 2, the sheath 3
Since the potential difference at 2a becomes large, it is possible to selectively deposit fine particles having a large particle size on the substrate 2.
【００３５】次に、この発明のより具体的な実施例につ
いて説明する。Next, more specific embodiments of the present invention will be described.
【００３６】（実施例Ａ）図８Ａに示すように、ガラス
基板４２上にＣr電極パターン４４（その幅は約１０〜
２０μｍ）を形成し、かつガラス基板４２の表面を一部
露出させておき（その幅は約５０μｍ）、このＣr電極
パターン４４には電源から電圧を印加しない状態で、図
１に示したようなプラズマＣＶＤ装置によって、表面に
ＳiＮx微粒子を堆積させた。(Example A) As shown in FIG. 8A, a Cr electrode pattern 44 (having a width of about 10 is formed on a glass substrate 42).
20 μm) and a part of the surface of the glass substrate 42 is exposed (the width is about 50 μm), and no voltage is applied to the Cr electrode pattern 44 from the power source as shown in FIG. SiN x particles were deposited on the surface by a plasma CVD apparatus.
【００３７】このときの条件は次のとおりである。 堆積膜 ：ＳiＮx微粒子膜、 膜 厚：７０００Å〜１００００Å、 微粒子直径：５０００Å〜７０００Å、 基 板：ガラス基板、 基板寸法：１００ｍｍ角、 基板温度：２５０℃、 電極面積：３５０ｍｍ角、 原料ガス：ＳiＨ4 ４０ｓｃｃｍ＋ＮＨ3 ２００ｓｃ
ｃｍ、 ガス圧 ：８００ｍＴｏｒｒ、 高周波電力：４００ＷThe conditions at this time are as follows. Deposited film: SiN x fine particle film, film thickness: 7,000 Å to 10,000 Å, fine particle diameter: 5,000 Å to 7,000 Å, substrate: glass substrate, substrate dimension: 100 mm square, substrate temperature: 250 ° C, electrode area: 350 mm square, source gas: SiH 4 40sccm + NH 3 200sc
cm, gas pressure: 800 mTorr, high frequency power: 400 W
【００３８】その結果、図８Ｂに示すように、Ｃr電極
パターン４４以外の元々ガラス基板４２の露出していた
部分４３上にＳiＮx微粒子を選択的に堆積させてＳiＮx
微粒子膜４６を形成することができた。これは、先の図
４の実施例の場合と同様の作用による。[0038] As a result, as shown in FIG. 8B, Cr electrode patterns 44 other than originally the SiN x microparticles selectively deposited on portions 43 which has been exposed in the glass substrate 42 SiN x
The fine particle film 46 could be formed. This is due to the same operation as in the case of the embodiment shown in FIG.
【００３９】この図８Ｂのデバイスは一種の湿度センサ
ーを構成しており、ＳiＮx微粒子膜４６はミクロ的に見
ると凹凸が多くて表面積が非常に大きいので、高感度の
湿度センサーが得られる。このＳiＮx微粒子膜４６はミ
クロ的に見ると凹凸が多く、従来はこのような凹凸の多
い微粒子膜をエッチング等によって微細加工して所望の
パターンにすることは困難であったが、この実施例で
は、初めからＳiＮx微粒子膜４６を所望のパターンに成
膜することができるので、そのような困難な微細加工工
程を省くことができた。The device of FIG. 8B constitutes a kind of humidity sensor, and since the SiN x fine particle film 46 has many irregularities and a very large surface area when viewed microscopically, a highly sensitive humidity sensor can be obtained. This SiN x fine particle film 46 has many irregularities when viewed microscopically, and it has been difficult to form a desired pattern by finely processing such a fine particulate film having many irregularities in the past. Then, since the SiN x fine particle film 46 can be formed into a desired pattern from the beginning, such a difficult fine processing step can be omitted.
【００４０】（実施例Ｂ）図９Ａに示すように、ｐ形Ｓ
i基板４８上にｐ+領域５０、Ｃr電極パターン５２およ
びＳiＯ2膜５４を所望のパターンで予め形成しておき、
このＣr電極パターン５２に直流電源５６から−１００
Ｖの負電圧を印加した状態で、図１に示したようなプラ
ズマＣＶＤ装置によって、表面にＴiＯ2微粒子を堆積さ
せた。(Example B) As shown in FIG. 9A, p-type S
The p + region 50, the Cr electrode pattern 52 and the SiO 2 film 54 are formed in advance in a desired pattern on the i substrate 48,
From the DC power supply 56 to this Cr electrode pattern 52, -100
With the negative voltage of V applied, the TiO 2 particles were deposited on the surface by the plasma CVD apparatus as shown in FIG.
【００４１】このときの条件は次のとおりである。 堆積膜 ：ＴiＯ2微粒子膜、 膜 厚：７０００Å〜１００００Å、 微粒子直径：６０００Å〜１００００Å、 基 板：Ｓi基板、 基板寸法：直径４インチ、 基板温度：２００℃、 電極面積：２００ｍｍφ、 原料ガス：ＴiＣl ８０ｓｃｃｍ＋Ｏ2 ２００ｓｃｃ
ｍ、 ガス圧 ：８００ｍＴｏｒｒ、 高周波電力：４００ＷThe conditions at this time are as follows. Deposition film: TiO 2 fine particle film, film thickness: 7,000 Å to 10000 Å, fine particle diameter: 6000 Å to 10000 Å, substrate: Si substrate, substrate dimension: 4 inch, substrate temperature: 200 ° C, electrode area: 200 mmφ, source gas: TiCl 80 sccm + O 2 200 scc
m, gas pressure: 800 mTorr, high frequency power: 400 W
【００４２】その結果、図９Ｂに示すように、Ｃr電極
パターン５２以外のＳiＯ2膜５４上にＴiＯ2微粒子を選
択的に堆積させてＴiＯ2微粒子膜５８を形成することが
できた。これは、先の図５の実施例の場合と同様の作用
による。As a result, as shown in FIG. 9B, TiO 2 fine particles could be selectively deposited on the SiO 2 film 54 other than the Cr electrode pattern 52 to form a TiO 2 fine particle film 58. This is due to the same operation as in the case of the embodiment shown in FIG.
【００４３】この図９Ｂのデバイスは一種のガスセンサ
ーを構成しており、ＴiＯ2微粒子膜５８はミクロ的に見
ると凹凸が多くて表面積が非常に大きいので、高感度の
ガスセンサーが得られる。このＴiＯ2微粒子膜５８はミ
クロ的に見ると凹凸が多く、従来はこのような凹凸の多
い微粒子膜をエッチング等によって微細加工して所望の
パターンにすることは困難であったが、この実施例で
は、初めからＴiＯ2微粒子膜５８を所望のパターンに成
膜することができるので、そのような困難な微細加工工
程を省くことができた。The device of FIG. 9B constitutes a kind of gas sensor, and the TiO 2 fine particle film 58 has many irregularities and has a very large surface area when viewed microscopically, so that a highly sensitive gas sensor can be obtained. Microscopically, the TiO 2 fine particle film 58 has many irregularities, and in the past, it was difficult to finely process such a irregular fine particle film by etching or the like to form a desired pattern. Then, since the TiO 2 fine particle film 58 can be formed into a desired pattern from the beginning, such a difficult fine processing step can be omitted.
【００４４】（実施例Ｃ）図１０Ａに示すように、アル
ミナ基板６０上に数十μｍ幅の多数の凸条６０ａ（その
高さは約５０００Å）を予め形成しておき、図１に示し
たようなプラズマＣＶＤ装置によって、表面にＣ微粒子
を堆積させた。(Example C) As shown in FIG. 10A, a large number of ridges 60a having a width of several tens of μm (the height thereof is about 5000 Å) are formed in advance on the alumina substrate 60, and then, as shown in FIG. C fine particles were deposited on the surface by such a plasma CVD apparatus.
【００４５】このときの条件は次のとおりである。 堆積膜 ：Ｃ微粒子膜、 膜 厚：１０００Å〜２０００Å、 微粒子直径：３００Å〜５００Å、 基 板：アルミナ基板、 基板寸法：１００ｍｍ角、 基板温度：２００℃、 電極面積：２００ｍｍφ、 原料ガス：ＣＨ4 ９０ｓｃｃｍ＋Ｈ2 ６０ｓｃｃｍ、 ガス圧 ：８０ｍＴｏｒｒ、 高周波電力：４００ＷThe conditions at this time are as follows. Deposition film: C fine particle film, film thickness: 1000Å to 2000Å, fine particle diameter: 300Å to 500Å, substrate: alumina substrate, substrate dimension: 100 mm square, substrate temperature: 200 ° C, electrode area: 200 mmφ, source gas: CH 4 90 sccm + H 2 60sccm, Gas pressure: 80mTorr, High frequency power: 400W
【００４６】その結果、図１０Ｂに示すように、凸条６
０ａの表面にＣ微粒子を選択的に堆積させてＣ微粒子膜
６２を形成することができた。これは、先の図３の実施
例の場合と同様の作用による。As a result, as shown in FIG.
It was possible to selectively deposit C particles on the surface of 0a to form the C particle film 62. This is due to the same operation as in the case of the embodiment shown in FIG.
【００４７】この凸条６０ａの表面に堆積させたＣ微粒
子膜６２の表面は、ミクロ的に見るとＣ微粒子が均一に
並んでいて最表層のＣ微粒子によって均一な凹凸が形成
されており、例えばこれを核としてＣ微粒子膜６２上に
ダイヤモンド薄膜を形成することで、所望のダイヤモン
ドパターンを得ることができる。On the surface of the C fine particle film 62 deposited on the surface of the ridges 60a, when seen microscopically, the C fine particles are evenly arranged and uniform unevenness is formed by the C fine particles in the outermost layer. A desired diamond pattern can be obtained by forming a diamond thin film on the C fine particle film 62 using this as a nucleus.
【００４８】ダイヤモンド薄膜を形成する場合は、従来
はセラミック基板をラビングして（擦って）傷を付けて
それを核としていたが、傷の定量性がなく傷の均一性が
悪いため、所望のパターンに均一性良くダイヤモンド薄
膜を形成することが困難であった。これに対してこの実
施例の方法では、所望のパターンをした凸条６０ａの表
面にＣ微粒子膜６２の下地を作製することで、ダイヤモ
ンド薄膜を所望のパターンに均一性良く形成することが
可能になる。In the case of forming a diamond thin film, conventionally, a ceramic substrate was rubbed (rubbed) to form a scratch and the scratch was used as a core. However, the scratch is not quantitative and the uniformity of the scratch is poor. It was difficult to form a diamond thin film with good uniformity in the pattern. On the other hand, in the method of this embodiment, the diamond thin film can be formed into a desired pattern with good uniformity by forming the base of the C fine particle film 62 on the surface of the ridge 60a having a desired pattern. Become.
【００４９】（実施例Ｄ）図１１Ａに示すように、ガラ
ス基板６４上にＣr電極パターン６６（その厚さは１〜
２μｍ）を形成し、かつそれに直径が約２００μｍの多
数の穴６８をあけてガラス基板６４の表面を一部露出さ
せておき、このＣr電極パターン６６には電源から電圧
を印加しない状態で、図１に示したようなプラズマＣＶ
Ｄ装置によって、表面にａ−Ｓi微粒子を堆積させた。(Example D) As shown in FIG. 11A, a Cr electrode pattern 66 (having a thickness of 1 to 1) is formed on a glass substrate 64.
2 μm) and a large number of holes 68 having a diameter of about 200 μm are formed in the glass substrate 64 to partially expose the surface of the glass substrate 64, and no voltage is applied to the Cr electrode pattern 66 from the power source. Plasma CV as shown in 1.
The D-device deposited a-Si fine particles on the surface.
【００５０】このときの条件は次のとおりである。 堆積膜 ：ａ−Ｓi微粒子膜、 膜 厚：１〜２μｍ、 微粒子直径：１０００Å〜５０００Å、 基 板：ガラス基板、 基板寸法：１００ｍｍ角、 基板温度：２００℃、 電極面積：２００ｍｍφ、 原料ガス：ＳiＨ4 １００ｓｃｃｍ＋Ｈ2 ４００ｓｃ
ｃｍ、 ガス圧 ：３５０ｍＴｏｒｒ、 高周波電力：１００ＷThe conditions at this time are as follows. Deposited film: a-Si fine particle film, film thickness: 1 to 2 μm, fine particle diameter: 1000Å to 5000Å, substrate: glass substrate, substrate dimension: 100 mm square, substrate temperature: 200 ° C., electrode area: 200 mmφ, source gas: SiH 4 100sccm + H 2 400sc
cm, gas pressure: 350 mTorr, high frequency power: 100 W
【００５１】その結果、図１１Ｂに示すように、元々ガ
ラス基板６４の露出していた穴６８の部分にａ−Ｓi微
粒子を選択的に堆積させてａ−Ｓi微粒子膜７０を形成
することができた。これは、先の図４の実施例の場合と
同様の作用による。As a result, as shown in FIG. 11B, the a-Si fine particle film 70 can be formed by selectively depositing the a-Si fine particles on the exposed portion of the hole 68 of the glass substrate 64. It was This is due to the same operation as in the case of the embodiment shown in FIG.
【００５２】この各穴６８のａ−Ｓi微粒子膜７０とそ
の両側のＣr電極パターン６６の部分を例えば図１１Ｃ
の平面図に示すようにそれぞれ切り出すことにより、多
数の光センサーを一度にかつ簡単に作ることができる。The portion of the a-Si fine particle film 70 in each hole 68 and the Cr electrode pattern 66 on both sides thereof are shown in FIG. 11C, for example.
A large number of optical sensors can be easily made at once by cutting out each as shown in the plan view.
【００５３】[0053]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、次のよ
うな効果を奏する。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
【００５４】請求項１の方法によれば、プラズマ中で作
られる微粒子は負に帯電しているのに対して、プラズマ
に曝される基板上の凸部は正に帯電するので、両チャー
ジの吸引作用により、微粒子を、基板上の凸部上に選択
的に堆積させることができる。その結果、従来困難だっ
た微粒子膜の微細加工工程を省くことができる。According to the method of claim 1, the fine particles produced in the plasma are negatively charged, while the convex portions on the substrate exposed to the plasma are positively charged, so By the suction action, the fine particles can be selectively deposited on the convex portions on the substrate. As a result, it is possible to omit the fine processing step of the fine particle film which has been difficult in the past.
【００５５】請求項２の方法によれば、高さ以外に凸部
の材質によっても凸部の帯電の程度を変えることができ
るので、凸部の正帯電の程度をより自由に制御すること
がでる。その結果、堆積させる微粒子の大きさの制御が
ある程度可能になる。According to the method of claim 2, since the degree of charging of the convex portion can be changed by the material of the convex portion other than the height, the degree of positive charging of the convex portion can be controlled more freely. Out. As a result, the size of the deposited particles can be controlled to some extent.
【００５６】請求項３の方法によれば、プラズマ中で作
られる微粒子は負に帯電しているのに対して、プラズマ
に曝される基板上の金属パターンは負に帯電するので、
両チャージの反発作用により、微粒子を、基板上の金属
パターン以外の部位に選択的に堆積させることができ
る。その結果、従来困難だった微粒子膜の微細加工工程
を省くことができる。According to the method of claim 3, the fine particles produced in the plasma are negatively charged, whereas the metal pattern on the substrate exposed to the plasma is negatively charged.
Due to the repulsive action of both charges, the fine particles can be selectively deposited on a portion other than the metal pattern on the substrate. As a result, it is possible to omit the fine processing step of the fine particle film which has been difficult in the past.
【００５７】請求項４の方法によれば、プラズマ中で作
られる微粒子は負に帯電しているのに対して、基板上の
金属パターンに負電圧を印加しておくので、両チャージ
の反発作用により、微粒子を、基板上の金属パターン以
外の部位に選択的に堆積させることができる。その結
果、従来困難だった微粒子膜の微細加工工程を省くこと
ができる。しかもこの方法の場合は、金属パターンへの
印加電圧を自由に調整することができるので、堆積させ
る微粒子の大きさの制御が可能である。According to the method of claim 4, the fine particles produced in the plasma are negatively charged, while a negative voltage is applied to the metal pattern on the substrate, so that the repulsive action of both charges is exerted. Thus, the fine particles can be selectively deposited on a portion other than the metal pattern on the substrate. As a result, it is possible to omit the fine processing step of the fine particle film which has been difficult in the past. Moreover, in the case of this method, since the voltage applied to the metal pattern can be freely adjusted, the size of the deposited fine particles can be controlled.
【００５８】請求項５の方法によれば、プラズマ中で作
られる微粒子は負に帯電しているのに対して、基板上の
金属パターンに正電圧を印加しておくので、両チャージ
の吸引作用により、微粒子を、基板上の金属パターン上
に選択的に堆積させることができる。その結果、従来困
難だった微粒子膜の微細加工工程を省くことができる。
しかもこの方法の場合は、金属パターンへの印加電圧を
自由に調整することができるので、堆積させる微粒子の
大きさの制御が可能である。According to the method of claim 5, the fine particles produced in the plasma are negatively charged, whereas the positive voltage is applied to the metal pattern on the substrate, so that the attraction action of both charges is exerted. Thus, the fine particles can be selectively deposited on the metal pattern on the substrate. As a result, it is possible to omit the fine processing step of the fine particle film which has been difficult in the past.
Moreover, in the case of this method, since the voltage applied to the metal pattern can be freely adjusted, the size of the deposited fine particles can be controlled.
【００５９】請求項６の方法によれば、プラズマのポテ
ンシャルを制御することによって、プラズマの基板上付
近のシース部での電位差を制御することができるので、
これによっても、基板上に選択的に堆積させる微粒子の
大きさの制御が可能である。According to the method of claim 6, the potential difference of the plasma in the sheath portion near the substrate can be controlled by controlling the plasma potential.
This also makes it possible to control the size of the fine particles selectively deposited on the substrate.
【００６０】請求項７の方法によれば、基板全体に印加
するバイアス電圧によって、プラズマの基板上付近のシ
ース部での電位差を制御することができるので、これに
よっても、基板上に選択的に堆積させる微粒子の大きさ
の制御が可能である。According to the method of claim 7, the potential difference of the plasma in the sheath portion near the substrate can be controlled by the bias voltage applied to the entire substrate. Therefore, the bias voltage can be selectively applied to the substrate. It is possible to control the size of fine particles to be deposited.
【図１】この発明の実施に使用するプラズマＣＶＤ装置
の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a plasma CVD apparatus used for implementing the present invention.
【図２】図１の装置におけるプラズマのポテンシャルの
一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a plasma potential in the apparatus of FIG.
【図３】基板上に凸部を形成しておく場合の実施例を示
す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing an embodiment in which a convex portion is formed on a substrate.
【図４】基板上に金属パターンを形成しておく場合の実
施例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example in which a metal pattern is formed on a substrate.
【図５】基板上に金属パターンを形成し、それに負電圧
を印加しておく場合の実施例を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic view showing an example in which a metal pattern is formed on a substrate and a negative voltage is applied thereto.
【図６】基板上に金属パターンを形成し、それに正電圧
を印加しておく場合の実施例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing an example in which a metal pattern is formed on a substrate and a positive voltage is applied thereto.
【図７】基板全体にバイアス電圧を印加しておく場合の
実施例を示す概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing an example in which a bias voltage is applied to the entire substrate.
【図８】基板上にＳiＮx微粒子膜を形成する場合の実施
例を示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of forming a SiN x fine particle film on a substrate.
【図９】基板上にＴiＯ2微粒子膜を形成する場合の実施
例を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic view showing an example of forming a TiO 2 fine particle film on a substrate.
【図１０】基板上にＣ微粒子膜を形成する場合の実施例
を示す概略図である。FIG. 10 is a schematic view showing an example in which a C fine particle film is formed on a substrate.
【図１１】基板上にａ−Ｓi微粒子膜を形成する場合の
実施例を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic view showing an example of forming an a-Si fine particle film on a substrate.
２ 基板 ２ａ 凸部 ４ 真空容器 ６ 高周波電極 ８ ホルダ兼電極 １８ 高周波電源 ２０ 原料ガス ３２ プラズマ ３２ａ シース ３６ 金属パターン ３７ 所望の部位 ３８ 直流電源 ４０ バイアス電源 2 Substrate 2a Convex part 4 Vacuum container 6 High frequency electrode 8 Holder and electrode 18 High frequency power supply 20 Raw material gas 32 Plasma 32a Sheath 36 Metal pattern 37 Desired site 38 DC power supply 40 Bias power supply
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑原 創 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor So Kuwahara 47 Umezutakaunecho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd.
Claims (7)
せたい部位に凸部を形成しておき、この基板上にプラズ
マＣＶＤ法によって微粒子を堆積させることを特徴とす
る微粒子の選択的堆積方法。1. A method for selectively depositing fine particles, characterized in that a convex portion is formed on a substrate made of an insulating material at a site where fine particles are desired to be deposited, and the fine particles are deposited on the substrate by a plasma CVD method. .
が異なる請求項１記載の微粒子の選択的堆積方法。2. The method for selectively depositing fine particles according to claim 1, wherein the convex portion on the substrate is made of a material different from that of other portions.
せたくない部位に金属パターンを形成しておき、この基
板上にプラズマＣＶＤ法によって微粒子を堆積させるこ
とを特徴とする微粒子の選択的堆積方法。3. A selective deposition of fine particles, characterized in that a metal pattern is formed on a portion of an insulating substrate where fine particles are not desired to be deposited, and the fine particles are deposited on the substrate by a plasma CVD method. Method.
粒子を堆積させたくない部位に金属パターンを形成して
おき、この金属パターンに負電圧を印加した状態で、基
板上にプラズマＣＶＤ法によって微粒子を堆積させるこ
とを特徴とする微粒子の選択的堆積方法。4. A fine metal particle is formed on a substrate made of an insulating material or a semiconductor by a plasma CVD method in a state where a metal pattern is formed on a portion where the fine particle is not desired to be deposited and a negative voltage is applied to the metal pattern. A method for selectively depositing fine particles, characterized in that:
粒子を堆積させたい部位に金属パターンを形成してお
き、この金属パターンに正電圧を印加した状態で、基板
上にプラズマＣＶＤ法によって微粒子を堆積させること
を特徴とする微粒子の選択的堆積方法。5. A metal pattern is formed on a portion of a substrate made of an insulating material or a semiconductor, where fine particles are to be deposited, and a positive voltage is applied to the metal pattern. A method for selectively depositing fine particles, which comprises depositing.
ンシャルを制御する請求項１、２、３、４または５記載
の微粒子の選択的堆積方法。6. The method for selectively depositing fine particles according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, wherein the potential of plasma when depositing the fine particles is controlled.
正または負のバイアス電圧を印加しておく請求項１、
２、３、４、５または６記載の微粒子の選択的堆積方
法。7. A positive or negative bias voltage is applied to the entire substrate when the fine particles are deposited.
A method for selectively depositing fine particles according to 2, 3, 4, 5 or 6.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP20456793A JP3191513B2 (en) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Method for selective deposition of fine particles |
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| JPH0745528A true JPH0745528A (en) | 1995-02-14 |
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