JPH0740566B2 - プラズマ処理方法及びその装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びその装置Info
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- JPH0740566B2 JPH0740566B2 JP61021254A JP2125486A JPH0740566B2 JP H0740566 B2 JPH0740566 B2 JP H0740566B2 JP 61021254 A JP61021254 A JP 61021254A JP 2125486 A JP2125486 A JP 2125486A JP H0740566 B2 JPH0740566 B2 JP H0740566B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ処理方法及びその装置に係り、とく
にガスを活性化して被処理物上に輸送し灰化処理するの
に好適なプラズマ処理方法及びその装置に関する。
にガスを活性化して被処理物上に輸送し灰化処理するの
に好適なプラズマ処理方法及びその装置に関する。
従来のプラズマ処理装置においては、たとえば特開昭52
−11175号公報に記載されているように、マイクロ波空
胴共振器の１部に石英製の活性化室を設け、この活性化
室に原料ガス（酸素ガス）を供給して所定の真空度に排
気し、マイクロ波電力を供給して活性化室にプラズマを
発生させ、このプラズマにより励起された活性化酸素を
反応室まで輸送してレジストを灰化処理する方法が提案
されている。
−11175号公報に記載されているように、マイクロ波空
胴共振器の１部に石英製の活性化室を設け、この活性化
室に原料ガス（酸素ガス）を供給して所定の真空度に排
気し、マイクロ波電力を供給して活性化室にプラズマを
発生させ、このプラズマにより励起された活性化酸素を
反応室まで輸送してレジストを灰化処理する方法が提案
されている。
この方法は活性化室と反応室との距離が比較的長いの
で、プラズマが反応室まで輸送される間に消滅し、活性
化酸素のみによりレジストを灰化処理し、これによって
被処理物へのプラズマによる損傷を防止することができ
る。
で、プラズマが反応室まで輸送される間に消滅し、活性
化酸素のみによりレジストを灰化処理し、これによって
被処理物へのプラズマによる損傷を防止することができ
る。
また従来たとえば特開昭56−96841号公報に記載されて
いるように前記提案のようにプラズマを活性化室から反
応室に輸送するのを止めて反応室でマイクロ波プラズマ
を発生させ、活性化酸素の発生部でレジストの灰化処理
を行ない、これによって処理速度の増大をはかるものが
提案されている。
いるように前記提案のようにプラズマを活性化室から反
応室に輸送するのを止めて反応室でマイクロ波プラズマ
を発生させ、活性化酸素の発生部でレジストの灰化処理
を行ない、これによって処理速度の増大をはかるものが
提案されている。
さらに従来、たとえば特開昭57−76844号公報に記載さ
れているように、反応室の被処理物の上方にマイクロ波
遮蔽の金属板を設け、被処理物の上方でマイクロ波とプ
ラズマとを遮蔽して被処理物のプラズマによる損傷を防
止するものが提案されている。
れているように、反応室の被処理物の上方にマイクロ波
遮蔽の金属板を設け、被処理物の上方でマイクロ波とプ
ラズマとを遮蔽して被処理物のプラズマによる損傷を防
止するものが提案されている。
前記第１の提案は活性化室と反応室との距離が比較的長
くなるため、活性化酸素も輸送途中で消滅し、反応室で
の活性化酸素の比率が活性化室に比べて大幅に小さくな
る。
くなるため、活性化酸素も輸送途中で消滅し、反応室で
の活性化酸素の比率が活性化室に比べて大幅に小さくな
る。
この点については、活性化物質の種類および活性化物質
に衝突する物質の組合わせにより輸送途中での濃度低下
を小さくする配慮がなされている。しかるに輸送による
活性化酸素の濃度低下はさけられない。
に衝突する物質の組合わせにより輸送途中での濃度低下
を小さくする配慮がなされている。しかるに輸送による
活性化酸素の濃度低下はさけられない。
前記第２の提案は第１の提案の問題点を解決することが
できるが、プラズマによる損傷についての配慮がなされ
ていない。
できるが、プラズマによる損傷についての配慮がなされ
ていない。
前記第３の提案は第２の提案の前記の問題点を解決する
ことができるが、プラズマ遮蔽用の金属板にプラズマ中
の荷電粒子が衝突することにより金属板表面が荷電粒子
によりスパッタリングされ、この金属板の構成物質が反
応室内に突出し被処理物に付着して、汚染する点につい
ての配慮がなされていない。また処理速度が上昇する
と、プラズマにより被処理物の損傷および汚染を発生す
るが、この点についての配慮がなされていない。すなわ
ち、前記第３の提案は処理速度を犠牲にして行なうもの
であるから、生産性が低下する問題がある。
ことができるが、プラズマ遮蔽用の金属板にプラズマ中
の荷電粒子が衝突することにより金属板表面が荷電粒子
によりスパッタリングされ、この金属板の構成物質が反
応室内に突出し被処理物に付着して、汚染する点につい
ての配慮がなされていない。また処理速度が上昇する
と、プラズマにより被処理物の損傷および汚染を発生す
るが、この点についての配慮がなされていない。すなわ
ち、前記第３の提案は処理速度を犠牲にして行なうもの
であるから、生産性が低下する問題がある。
本発明は前記従来の問題点を解決し、処理速度を上昇し
ても不純物による汚染の防止およびプラズマによる損傷
を防止してレジストの除去を可能とするプラズマ処理方
法及びその装置を提供することを目的とする。
ても不純物による汚染の防止およびプラズマによる損傷
を防止してレジストの除去を可能とするプラズマ処理方
法及びその装置を提供することを目的とする。
前記の目的は、マイクロ波導入口を有し、マイクロ波空
胴共振器に形成された活性化室と、この活性化室の外周
部に設置され交互に磁極を異にして活性化室の内壁面に
多極カスプ現象を発生する複数個の永久磁石と、長さを
短かく形成され、前記活性化室および処理空間を連結す
るプラズマ輸送手段である輸送管と、この輸送管に設置
され、磁力線が輸送方向に対して直角な方向に作用し、
プラズマ中の電子とイオンとを分離して活性化ガスのみ
処理室に輸送する荷電粒子分離用磁石とを設けることに
より達成される。
胴共振器に形成された活性化室と、この活性化室の外周
部に設置され交互に磁極を異にして活性化室の内壁面に
多極カスプ現象を発生する複数個の永久磁石と、長さを
短かく形成され、前記活性化室および処理空間を連結す
るプラズマ輸送手段である輸送管と、この輸送管に設置
され、磁力線が輸送方向に対して直角な方向に作用し、
プラズマ中の電子とイオンとを分離して活性化ガスのみ
処理室に輸送する荷電粒子分離用磁石とを設けることに
より達成される。
マイクロ波導入口より所定の真空度に保持された活性化
室内にマイクロ波を印加すると、活性化室内に定在波が
発生して容易にプラズマが発生する。このとき、活性化
室の内壁面に対して、その外周部に設置された複数個の
永久磁石による多極カスプ現象によりプラズマ中の荷電
粒子が衝突するのが低減されかつ荷電粒子のスパッタ作
用により活性化室の壁材などの不純物が活性化ガス中に
混入してその濃度が低下することが低減される。
室内にマイクロ波を印加すると、活性化室内に定在波が
発生して容易にプラズマが発生する。このとき、活性化
室の内壁面に対して、その外周部に設置された複数個の
永久磁石による多極カスプ現象によりプラズマ中の荷電
粒子が衝突するのが低減されかつ荷電粒子のスパッタ作
用により活性化室の壁材などの不純物が活性化ガス中に
混入してその濃度が低下することが低減される。
したがって活性化室は高密度のプラズマを発生して閉じ
込めているので、高濃度の活性化ガスを発生することが
できる。
込めているので、高濃度の活性化ガスを発生することが
できる。
また活性化室から処理室に活性ガスを輸送するための輸
送管の長さを短かくして、輸送される活性化ガスの濃度
低下を防止するとともに輸送管の長さを短かくしたこと
により活性化ガスとともに輸送されるプラズマ中の電子
とイオンとを輸送管に設置された荷電粒子分離用磁石に
より分離して活性化ガスのみ処理室に輸送する。
送管の長さを短かくして、輸送される活性化ガスの濃度
低下を防止するとともに輸送管の長さを短かくしたこと
により活性化ガスとともに輸送されるプラズマ中の電子
とイオンとを輸送管に設置された荷電粒子分離用磁石に
より分離して活性化ガスのみ処理室に輸送する。
したがって活性化ガスは処理室内の被処理物に達する迄
濃度が低下しないので、高速処理することができ、かつ
被処理物がプラズマにより損傷するのを防止することが
できる。
濃度が低下しないので、高速処理することができ、かつ
被処理物がプラズマにより損傷するのを防止することが
できる。
本発明の実施例を示す第１図乃至第３図により説明す
る。第１図は本発明によるプラズマ処理装置の側面の断
面図、第２図は第１図のII−II部分の断面図、第３図は
第１のIII−III部分の断面図である。
る。第１図は本発明によるプラズマ処理装置の側面の断
面図、第２図は第１図のII−II部分の断面図、第３図は
第１のIII−III部分の断面図である。
前記図において、１は活性化室にして１方側に窓２を形
成し、他方側を開口し、底部に開口穴1aを形成してい
る。なお、この活性化室１はその内部に窓２を介して接
続する後述のマイクロ波発生源６からのマイクロ波（通
常は2.45GHzのマグネトロンが使用される。）によりプ
ラズマが発生するので、使用するマイクロ波の周波数に
適合するマイクロ波空胴共振器として機能するような寸
法形状に形成されている。前記窓２は、マイクロ波を透
過するが活性化室１内の真空度を保持するように石英ま
たはアルミナ磁器から形成された窓部材３を嵌挿してい
る。４はマイクロ波発信管にして、一端部を導波管５を
介して前記活性化室１の１方側（窓２側）端面に締着さ
れ、他端部にマイクロ波発振源６に接続し、周面１部に
は軸心方向に間隔をおいて配置する複数個のチューナ７
を固定している。この複数個のチューナ７はマイクロ波
発振源６から活性化室１内に印加されたマイクロ波が空
胴共振器として設定された活性化室１の内部で定在波と
なるようにマイクロ波の位相を整合させる如く形成され
ている。８はフランジにして、前記活性化室１の他方開
口側に締着され、原料ガス供給源（図示せず）に接続す
る原料ガス供給管９の端部を固嵌している。10は複数個
の永久磁石にして、交互に磁極が相異するように前記活
性化室１の外周面とその周囲を囲繞するヨーク11との間
に間隔をおいて介挿され、励磁したとき相隣れる磁力線
が第２図に示す如く、活性化室１の内周面上に弧状10a
に形成される。12は輸送管（プラズマ輸送手段）にし
て、一端部を前記活性化室１の底部（開口穴11側）に締
着され、他端部を後述の反応室16に締着され、活性化室
１からの活性化ガスを反応室16内に輸送する如くしてい
る。13a,13bは２個で１対の磁石にして、前記輸送管12
の外周面と、その周囲を囲繞するヨーク14との間に介挿
され励磁したとき、磁力線15が第３図に示す如く輸送方
向に対して直角な方向になる如く形成されている。16は
反応室にして、内部に被処理物17を載置しその対向方向
の上壁には前記輸送管12と接続する開口穴18を形成し、
底壁端部には排気ポンプ（図示せず）に接続する排気管
19の端部を固定している。
成し、他方側を開口し、底部に開口穴1aを形成してい
る。なお、この活性化室１はその内部に窓２を介して接
続する後述のマイクロ波発生源６からのマイクロ波（通
常は2.45GHzのマグネトロンが使用される。）によりプ
ラズマが発生するので、使用するマイクロ波の周波数に
適合するマイクロ波空胴共振器として機能するような寸
法形状に形成されている。前記窓２は、マイクロ波を透
過するが活性化室１内の真空度を保持するように石英ま
たはアルミナ磁器から形成された窓部材３を嵌挿してい
る。４はマイクロ波発信管にして、一端部を導波管５を
介して前記活性化室１の１方側（窓２側）端面に締着さ
れ、他端部にマイクロ波発振源６に接続し、周面１部に
は軸心方向に間隔をおいて配置する複数個のチューナ７
を固定している。この複数個のチューナ７はマイクロ波
発振源６から活性化室１内に印加されたマイクロ波が空
胴共振器として設定された活性化室１の内部で定在波と
なるようにマイクロ波の位相を整合させる如く形成され
ている。８はフランジにして、前記活性化室１の他方開
口側に締着され、原料ガス供給源（図示せず）に接続す
る原料ガス供給管９の端部を固嵌している。10は複数個
の永久磁石にして、交互に磁極が相異するように前記活
性化室１の外周面とその周囲を囲繞するヨーク11との間
に間隔をおいて介挿され、励磁したとき相隣れる磁力線
が第２図に示す如く、活性化室１の内周面上に弧状10a
に形成される。12は輸送管（プラズマ輸送手段）にし
て、一端部を前記活性化室１の底部（開口穴11側）に締
着され、他端部を後述の反応室16に締着され、活性化室
１からの活性化ガスを反応室16内に輸送する如くしてい
る。13a,13bは２個で１対の磁石にして、前記輸送管12
の外周面と、その周囲を囲繞するヨーク14との間に介挿
され励磁したとき、磁力線15が第３図に示す如く輸送方
向に対して直角な方向になる如く形成されている。16は
反応室にして、内部に被処理物17を載置しその対向方向
の上壁には前記輸送管12と接続する開口穴18を形成し、
底壁端部には排気ポンプ（図示せず）に接続する排気管
19の端部を固定している。
本発明によるプラズマ処理装置は前記の如く構成されて
いるから、原料ガス供給源からの原料ガスが原料ガス供
給管９内を通って活性化室１内に供給されたのち、輸送
管12および反応室16内を通って排気管19より排出され、
これによって活性化室１内が所定の真空度（たとえば0.
1〜10Torr程度）に保持される。
いるから、原料ガス供給源からの原料ガスが原料ガス供
給管９内を通って活性化室１内に供給されたのち、輸送
管12および反応室16内を通って排気管19より排出され、
これによって活性化室１内が所定の真空度（たとえば0.
1〜10Torr程度）に保持される。
この状態でマイクロ波発振源６からマイクロ波発信管４
および導波管５を通り窓部材３を透過して活性化室１内
に印加すると活性化室１内のマイクロ波は定在波を発生
し、この電界により雰囲気ガス（灰化処理では酸素また
は酸素と四フッ化炭素など）を電離してプラズマを発生
させ、このプラズマを永久磁石10によって形成される多
極カスプ磁場により閉じ込められる。そのため、プラズ
マ中の荷電粒子は活性化室１の内壁をスパッタリングす
ることなく、また内壁と衝突して消滅する荷電粒子が低
減されることから、活性化室１内のプラズマ密度も向上
する。この活性化室１で発生したプラズマ中の荷電粒子
と活性化ガスは、輸送管12を通って反応室16へ輸送され
る。ここで、荷電粒子は、１対の磁石13a,13bにより構
成される磁力線15により、電子がサイクロトロン運動さ
せられトラップされ、イオンが偏向させられて被処理物
17上には到達しない。
および導波管５を通り窓部材３を透過して活性化室１内
に印加すると活性化室１内のマイクロ波は定在波を発生
し、この電界により雰囲気ガス（灰化処理では酸素また
は酸素と四フッ化炭素など）を電離してプラズマを発生
させ、このプラズマを永久磁石10によって形成される多
極カスプ磁場により閉じ込められる。そのため、プラズ
マ中の荷電粒子は活性化室１の内壁をスパッタリングす
ることなく、また内壁と衝突して消滅する荷電粒子が低
減されることから、活性化室１内のプラズマ密度も向上
する。この活性化室１で発生したプラズマ中の荷電粒子
と活性化ガスは、輸送管12を通って反応室16へ輸送され
る。ここで、荷電粒子は、１対の磁石13a,13bにより構
成される磁力線15により、電子がサイクロトロン運動さ
せられトラップされ、イオンが偏向させられて被処理物
17上には到達しない。
このため、活性化室１と反応室16との距離を１対の磁石
13a,13bを設置しうる程度に短かくすることができ、被
処理物17上の活性化ガス濃度の低下を防止することがで
きる。
13a,13bを設置しうる程度に短かくすることができ、被
処理物17上の活性化ガス濃度の低下を防止することがで
きる。
したがって、本発明によるプラズマ処理装置によれば、
高密度プラズマにより高濃度の活性化ガスを被処理物19
上に高濃度のまま輸送できるため、処理速度が向上で
き、プラズマ中の荷電粒子は磁場により完全に分離する
ため被処理物はプラズマによる損傷を受けずかつ活性化
室のプラズマは複数個の永久磁石により構成される多極
カスプ磁場により閉込められるためプラズマ中の荷電粒
子による活性室内壁のスパッタリング作用が大幅低減さ
れ、活性室内壁から飛出した不純物が被処理物を汚染す
ることも低減することができる。
高密度プラズマにより高濃度の活性化ガスを被処理物19
上に高濃度のまま輸送できるため、処理速度が向上で
き、プラズマ中の荷電粒子は磁場により完全に分離する
ため被処理物はプラズマによる損傷を受けずかつ活性化
室のプラズマは複数個の永久磁石により構成される多極
カスプ磁場により閉込められるためプラズマ中の荷電粒
子による活性室内壁のスパッタリング作用が大幅低減さ
れ、活性室内壁から飛出した不純物が被処理物を汚染す
ることも低減することができる。
本発明によれば、高密度プラズマを発生させ、これを閉
込め、このプラズマにより発生した活性化ガスだけを、
プラズマ中の荷電粒子と完全に分離するので、短距離で
活性化ガス濃度を低下することなく被処理物上に輸送し
灰化処理できる。また被処理物にプラズマによる損傷を
与えることなくかつ不純物汚染もない状態で高速灰化処
理できる。したがって生産性の向上とレジスト除去の安
定性の向上をはかることができる。
込め、このプラズマにより発生した活性化ガスだけを、
プラズマ中の荷電粒子と完全に分離するので、短距離で
活性化ガス濃度を低下することなく被処理物上に輸送し
灰化処理できる。また被処理物にプラズマによる損傷を
与えることなくかつ不純物汚染もない状態で高速灰化処
理できる。したがって生産性の向上とレジスト除去の安
定性の向上をはかることができる。
第１図は本発明によるプラズマ処理装置の側面の断面
図、第２図は第１図のII−II部分の断面図、第３図は第
１図のIII−III部分の断面図である。 １…活性化室、６…マイクロ波発生源、７…チューナ、
９…原料ガス供給管、10…永久磁石、11…ヨーク、12…
輸送管、13a,13b…１対の磁石、16…反応室、17…被処
理物、19…排気管。
図、第２図は第１図のII−II部分の断面図、第３図は第
１図のIII−III部分の断面図である。 １…活性化室、６…マイクロ波発生源、７…チューナ、
９…原料ガス供給管、10…永久磁石、11…ヨーク、12…
輸送管、13a,13b…１対の磁石、16…反応室、17…被処
理物、19…排気管。
Claims (6)
- 【請求項１】マイクロ波プラズマ発生手段によりプラズ
マを発生し、該プラズマをプラズマ輸送手段で輸送する
と共に磁場により前記プラズマ中の荷電粒子を分離除去
して活性化ガスを供給し、処理室において前記供給され
た活性化ガスにより基板を処理することを特徴とするプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項２】前記マイクロ波プラズマ発生手段により発
生するプラズマは、空胴共振器を用いて発生させること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項３】前記マイクロ波プラズマ発生手段により発
生するプラズマは、プラズマ中の荷電粒子が内壁面に衝
突するのを低減させるように磁場が形成された空胴共振
器を用いて発生させることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】マイクロ波プラズマ発生手段と、処理室手
段と、前記マイクロ波プラズマ発生手段と前記処理室手
段とを接続し前記プラズマを輸送するためのプラズマ輸
送手段とから成るプラズマ処理装置において、前記マイ
クロ波プラズマ発生手段は空胴共振器を有し、該空胴共
振器には前記プラズマ中の荷電粒子が前記空胴共振器の
内壁面に衝突するのを低減するための第一の磁場発生手
段を設け、前記プラズマ輸送手段には前記プラズマ中の
荷電粒子を分離除去するための第二の磁場発生手段を設
けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記第一の磁場発生手段は、前記空胴共振
器の内部にカスプ磁場を形成する複数の磁石よりなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項６】前記第二の磁場発生手段は、プラズマ中の
荷電粒子の軌道を変更して前記荷電粒子が処理基板に到
達するのを防止するような磁場を発生する複数の磁石よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61021254A JPH0740566B2 (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| KR1019870000805A KR940000384B1 (ko) | 1986-02-04 | 1987-02-02 | 프라즈마 처리장치 |
| US07/009,685 US4831963A (en) | 1986-02-04 | 1987-02-02 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61021254A JPH0740566B2 (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62179728A JPS62179728A (ja) | 1987-08-06 |
| JPH0740566B2 true JPH0740566B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=12049945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61021254A Expired - Lifetime JPH0740566B2 (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4831963A (ja) |
| JP (1) | JPH0740566B2 (ja) |
| KR (1) | KR940000384B1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01198478A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-10 | Canon Inc | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH01297141A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| DE3834984A1 (de) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Leybold Ag | Einrichtung zur erzeugung von elektrisch geladenen und/oder ungeladenen teilchen |
| US4888088A (en) * | 1989-03-06 | 1989-12-19 | Tegal Corporation | Ignitor for a microwave sustained plasma |
| US4943345A (en) * | 1989-03-23 | 1990-07-24 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Plasma reactor apparatus and method for treating a substrate |
| FR2647293B1 (fr) * | 1989-05-18 | 1996-06-28 | Defitech Sa | Reacteur a plasma perfectionne muni de moyens de couplage d'ondes electromagnetiques |
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| JPH088243B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 表面クリーニング装置及びその方法 |
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| US6029602A (en) * | 1997-04-22 | 2000-02-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for efficient and compact remote microwave plasma generation |
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| US6066568A (en) * | 1997-05-14 | 2000-05-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and system |
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| US6274058B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning method for processing chambers |
| JPH11102799A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ発生装置 |
| US6379575B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
| US6872322B1 (en) | 1997-11-12 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Multiple stage process for cleaning process chambers |
| US6136211A (en) * | 1997-11-12 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning etch process |
| US6322714B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-11-27 | Applied Materials Inc. | Process for etching silicon-containing material on substrates |
| US6797188B1 (en) | 1997-11-12 | 2004-09-28 | Meihua Shen | Self-cleaning process for etching silicon-containing material |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| FR2792854B1 (fr) * | 1999-04-29 | 2001-08-03 | Sidel Sa | Dispositif pour le depot par plasma micro-ondes d'un revetement sur un recipient en materiau thermoplastique |
| US6527968B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
| JP3485896B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2004-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6450117B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
| US6905800B1 (en) | 2000-11-21 | 2005-06-14 | Stephen Yuen | Etching a substrate in a process zone |
| US6852242B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
| KR100399019B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2003-09-19 | 한국과학기술연구원 | 상온 화학 증착 시스템 및 이를 이용한 복합 금속막 제조 방법 |
| US6676760B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
| WO2007142850A2 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Applied Materials | Gas flow control by differential pressure measurements |
| US8118946B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-02-21 | Wesley George Lau | Cleaning process residues from substrate processing chamber components |
| JP5938491B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| CN105895489B (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-07 | 中国科学技术大学 | 基于大气压等离子体喷管的并行无掩模扫描微纳米加工装置和方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1523267A (en) * | 1976-04-15 | 1978-08-31 | Hitachi Ltd | Plasma etching apparatus |
| JPS5613480A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-09 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
| EP0106497B1 (en) * | 1982-09-10 | 1988-06-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Ion shower apparatus |
| JPS60103626A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Hitachi Ltd | プラズマ陽極酸化装置 |
| JPH0693447B2 (ja) * | 1983-12-23 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-02-04 JP JP61021254A patent/JPH0740566B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-02 US US07/009,685 patent/US4831963A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-02 KR KR1019870000805A patent/KR940000384B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62179728A (ja) | 1987-08-06 |
| KR940000384B1 (ko) | 1994-01-19 |
| KR870008373A (ko) | 1987-09-26 |
| US4831963A (en) | 1989-05-23 |
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