JPH0738201A - 半導体レーザチップの実装方位調整方法 - Google Patents
半導体レーザチップの実装方位調整方法Info
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- JPH0738201A JPH0738201A JP17697793A JP17697793A JPH0738201A JP H0738201 A JPH0738201 A JP H0738201A JP 17697793 A JP17697793 A JP 17697793A JP 17697793 A JP17697793 A JP 17697793A JP H0738201 A JPH0738201 A JP H0738201A
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- Japan
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- laser chip
- semiconductor laser
- light
- emitted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップを実装するときに、その
発光点の位置を調整し、かつレーザ光の出射角度を調整
する。 【構成】 可動台10に載置した半導体レーザチップ1
を発光させ、照射された光束上にフォトダイオード7
a,7bを設け、これらに照射された光量が最大となる
位置により、半導体レーザチップ1から出射される光束
の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準位置
からのずれ量と、出射角度の基準出射角度からのずれ量
だけ可動台10を移動させる。
発光点の位置を調整し、かつレーザ光の出射角度を調整
する。 【構成】 可動台10に載置した半導体レーザチップ1
を発光させ、照射された光束上にフォトダイオード7
a,7bを設け、これらに照射された光量が最大となる
位置により、半導体レーザチップ1から出射される光束
の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準位置
からのずれ量と、出射角度の基準出射角度からのずれ量
だけ可動台10を移動させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザチップを
ステムに実装するとき、半導体レーザチップの位置姿勢
を調整する実装方位調整方法に関するものである。
ステムに実装するとき、半導体レーザチップの位置姿勢
を調整する実装方位調整方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図7は、半導体レーザの一例の一部切り
欠き斜視図である。半導体レーザチップ1をステム2に
実装するとき、実装後に半導体レーザチップを微細に回
動し照射角度のずれをなくするように補正できないか
ら、実装前にステムとは別に設置された実装方位調整機
構で上記半導体レーザチップの位置姿勢を調整し、その
後半導体レーザチップをステムに移載して貼付け加熱し
固着する。このステム2は、フォトダイオード5を備え
た基台11に取り付けられ、ガラス窓4を有するキャッ
プ3によって覆われ、端子12,12,12により配線
されている。
欠き斜視図である。半導体レーザチップ1をステム2に
実装するとき、実装後に半導体レーザチップを微細に回
動し照射角度のずれをなくするように補正できないか
ら、実装前にステムとは別に設置された実装方位調整機
構で上記半導体レーザチップの位置姿勢を調整し、その
後半導体レーザチップをステムに移載して貼付け加熱し
固着する。このステム2は、フォトダイオード5を備え
た基台11に取り付けられ、ガラス窓4を有するキャッ
プ3によって覆われ、端子12,12,12により配線
されている。
【0003】従来の半導体レーザチップの位置姿勢を調
整する機構には、カメラで撮像した半導体レーザチップ
の外形全体の画像情報から調整する第1の方法と、特開
平2−114590号に開示されているような、光軸を
受光装置により測定しボンディング位置決め装置で調整
する第2の方法とがある。
整する機構には、カメラで撮像した半導体レーザチップ
の外形全体の画像情報から調整する第1の方法と、特開
平2−114590号に開示されているような、光軸を
受光装置により測定しボンディング位置決め装置で調整
する第2の方法とがある。
【0004】第1の方法は、半導体レーザチップを移動
するテーブル上に載置し、半導体レーザチップの上方に
CCDカメラを設置し、上記CCDカメラで撮像した半
導体レーザチップの外形全体の画像情報から、半導体レ
ーザチップの位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチ
ップの載置のずれを算出し、上記ずれがなくなるように
上記テーブルを移動することにより、半導体レーザチッ
プの位置姿勢を調整する。
するテーブル上に載置し、半導体レーザチップの上方に
CCDカメラを設置し、上記CCDカメラで撮像した半
導体レーザチップの外形全体の画像情報から、半導体レ
ーザチップの位置と姿勢を検出し、この半導体レーザチ
ップの載置のずれを算出し、上記ずれがなくなるように
上記テーブルを移動することにより、半導体レーザチッ
プの位置姿勢を調整する。
【0005】第2の方法は、半導体レーザチップから出
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第1の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のずれを算出し、上記ずれがなく
なるように上記テーブルを移動することにより、半導体
レーザチップの位置姿勢を調整する。
射された光束を受光する受光素子を用いて、上記第1の
方法で調整した後に、半導体レーザチップから出射され
た光束を上記受光素子で画像情報に変換し、この画像情
報から光束の中心の位置を検出し、この半導体レーザチ
ップの光束の出射角度のずれを算出し、上記ずれがなく
なるように上記テーブルを移動することにより、半導体
レーザチップの位置姿勢を調整する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記第1の方
法は、半導体レーザチップの外形だけで位置姿勢を調整
しており、上記半導体レーザチップから出射される光束
の発光点の位置と出射角度を調整していなかった。
法は、半導体レーザチップの外形だけで位置姿勢を調整
しており、上記半導体レーザチップから出射される光束
の発光点の位置と出射角度を調整していなかった。
【0007】また、前記第2の方法は、半導体レーザチ
ップが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射し
ても、上記出射された光束の画像情報から検出された光
束の中心の位置があるべき特定の位置すなわち基準位置
と一致すれば調整完了であり、半導体レーザチップから
出射する光束の発光点の位置は調整されておらず、上記
光束の出射角度の調整精度もあまりよくなかった。
ップが受光素子に向けて斜め方向からレーザ光を出射し
ても、上記出射された光束の画像情報から検出された光
束の中心の位置があるべき特定の位置すなわち基準位置
と一致すれば調整完了であり、半導体レーザチップから
出射する光束の発光点の位置は調整されておらず、上記
光束の出射角度の調整精度もあまりよくなかった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明においては、半導
体レーザチップを、レーザ光の基準線に直角な方向に移
動可能でかつ基準線に対して傾斜角を変更できる可動台
に載置し、半導体レーザチップを発光させ、レーザ光の
基準線に直角方向の複数の箇所におけるレーザ出力を測
定し、レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体
レーザチップと可動台との相対位置を変更するようにし
た。
体レーザチップを、レーザ光の基準線に直角な方向に移
動可能でかつ基準線に対して傾斜角を変更できる可動台
に載置し、半導体レーザチップを発光させ、レーザ光の
基準線に直角方向の複数の箇所におけるレーザ出力を測
定し、レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体
レーザチップと可動台との相対位置を変更するようにし
た。
【0009】
【作用】可動台に載置された半導体レーザチップを発光
させると、半導体レーザチップから出射された光は、そ
の光軸上の付近に配置された受光素子に照射される。受
光素子は照射された光のパワーに比例した電気信号を出
力し、受光素子を光軸と垂直な方向に移動させると、そ
れから出力される電気信号は受光素子が半導体レーザチ
ップから出射された光軸上の位置へきたときに最大とな
る。複数の箇所における受光素子に関してその電気信号
が最大になる位置を求め、求められた位置から半導体レ
ーザチップの発光点の基準位置からのずれ量と光束の基
準出射角度からのずれ量を算出する。可動台をこのずれ
量だけ移動させ、または、光軸の前後に配置されたそれ
ぞれ複数の受光素子の出力が等しくなるように、可動台
を移動させて、半導体レーザチップの実装方位を調整す
る。
させると、半導体レーザチップから出射された光は、そ
の光軸上の付近に配置された受光素子に照射される。受
光素子は照射された光のパワーに比例した電気信号を出
力し、受光素子を光軸と垂直な方向に移動させると、そ
れから出力される電気信号は受光素子が半導体レーザチ
ップから出射された光軸上の位置へきたときに最大とな
る。複数の箇所における受光素子に関してその電気信号
が最大になる位置を求め、求められた位置から半導体レ
ーザチップの発光点の基準位置からのずれ量と光束の基
準出射角度からのずれ量を算出する。可動台をこのずれ
量だけ移動させ、または、光軸の前後に配置されたそれ
ぞれ複数の受光素子の出力が等しくなるように、可動台
を移動させて、半導体レーザチップの実装方位を調整す
る。
【0010】
【実施例】図1は、本発明の一実施例のブロック図であ
る。
る。
【0011】半導体レーザチップ1は可動台10に載置
されている。この可動台10はレーザ光の基準線に直角
な方向に移動可能で、かつ、基準線に対して傾斜角を変
更できる。半導体レーザチップ1は電源部6から電流が
供給されてレーザ光を出射する。そして、半導体レーザ
チップ1から出射されたレーザ光は、半導体レーザチッ
プ1の光軸の付近に設置された光のエネルギを電気的信
号に変える2個の受光素子たとえばフォトダイオード7
a,7bに照射される。フォトダイオード7bに照射さ
れるレーザ光をフォトダイオード7aが遮らないよう
に、フォトダイオード7aおよび7bを光軸方向にずら
して配置する。あるいは1個の受光素子を前後に移動す
る。2個のフォトダイオード7aおよび7bは、それら
に照射された光のエネルギに対応した電気的信号を出力
する。計測部8は2個のフォトダイオード7aおよび7
bから出力される電気的信号により、半導体レーザチッ
プ1から出射される光束の発光点の位置と、上記光束の
出射角度とを求め、制御部9に入力する。制御部9は可
動台10水平方向に移動するためのコントロール信号
を、可動台10に入力する。可動台10は入力されたコ
ントロール信号に基づいて移動する。
されている。この可動台10はレーザ光の基準線に直角
な方向に移動可能で、かつ、基準線に対して傾斜角を変
更できる。半導体レーザチップ1は電源部6から電流が
供給されてレーザ光を出射する。そして、半導体レーザ
チップ1から出射されたレーザ光は、半導体レーザチッ
プ1の光軸の付近に設置された光のエネルギを電気的信
号に変える2個の受光素子たとえばフォトダイオード7
a,7bに照射される。フォトダイオード7bに照射さ
れるレーザ光をフォトダイオード7aが遮らないよう
に、フォトダイオード7aおよび7bを光軸方向にずら
して配置する。あるいは1個の受光素子を前後に移動す
る。2個のフォトダイオード7aおよび7bは、それら
に照射された光のエネルギに対応した電気的信号を出力
する。計測部8は2個のフォトダイオード7aおよび7
bから出力される電気的信号により、半導体レーザチッ
プ1から出射される光束の発光点の位置と、上記光束の
出射角度とを求め、制御部9に入力する。制御部9は可
動台10水平方向に移動するためのコントロール信号
を、可動台10に入力する。可動台10は入力されたコ
ントロール信号に基づいて移動する。
【0012】図3は半導体レーザチップの出力の特性の
説明図である。半導体レーザチップ1から出射する光
は、一般に水平方向に約±20°、垂直方向に約±40
°広がっており、分布中心に近づくほど光量が多くな
る。フォトダイオードPDは受ける光のエネルギに比例
した電流出力が得られるので、フォトダイオードPDを
図のように半導体レーザチップと水平の方向に移動させ
ると、図のような最大値を持つ波形がみられる。この最
大値の位置Xmax は半導体レーザチップ1の光軸の位置
である。X方向およびY方向の最大値により発光点が計
測される。
説明図である。半導体レーザチップ1から出射する光
は、一般に水平方向に約±20°、垂直方向に約±40
°広がっており、分布中心に近づくほど光量が多くな
る。フォトダイオードPDは受ける光のエネルギに比例
した電流出力が得られるので、フォトダイオードPDを
図のように半導体レーザチップと水平の方向に移動させ
ると、図のような最大値を持つ波形がみられる。この最
大値の位置Xmax は半導体レーザチップ1の光軸の位置
である。X方向およびY方向の最大値により発光点が計
測される。
【0013】図4はこの実施例における光束の発光点の
位置と光束の出射角度の計測方法の説明図である。
位置と光束の出射角度の計測方法の説明図である。
【0014】半導体レーザチップ1の出射光軸Lを基準
線L0 に合わせる場合を考える。まず、図4のように、
半導体レーザチップ1の出射光軸Lを基準線L0 におお
むね平行に合わせる。しかし、実際に半導体レーザチッ
プ1から出射される光束の中心は、発光点の位置では基
準線L0 とX0 だけずれ、光束の出射角度もψだけずれ
たLの方向である。そこで、半導体レーザチップ1から
それぞれ水平方向にD 1 ,D2 の距離だけ離れた位置2
箇所にフォトダイオード7aおよび7bを設置し、半導
体レーザチップ1を発光させた状態でフォトダイオード
7aおよび7bを図中矢印の方向に移動させると、図の
ような出力波形が得られる。この出力波形が最大値とな
るフォトダイオードの位置と基準線L0 上の位置とのず
れ量X1およびX2 を求める。これらの値を用いて半導
体レーザチップ1の出射光の水平方向の角のずれ量ψが
次の式より求められる。
線L0 に合わせる場合を考える。まず、図4のように、
半導体レーザチップ1の出射光軸Lを基準線L0 におお
むね平行に合わせる。しかし、実際に半導体レーザチッ
プ1から出射される光束の中心は、発光点の位置では基
準線L0 とX0 だけずれ、光束の出射角度もψだけずれ
たLの方向である。そこで、半導体レーザチップ1から
それぞれ水平方向にD 1 ,D2 の距離だけ離れた位置2
箇所にフォトダイオード7aおよび7bを設置し、半導
体レーザチップ1を発光させた状態でフォトダイオード
7aおよび7bを図中矢印の方向に移動させると、図の
ような出力波形が得られる。この出力波形が最大値とな
るフォトダイオードの位置と基準線L0 上の位置とのず
れ量X1およびX2 を求める。これらの値を用いて半導
体レーザチップ1の出射光の水平方向の角のずれ量ψが
次の式より求められる。
【0015】
【数1】
【0016】また、この角度ψを用いて、半導体レーザ
チップ1の出射光の発光点のずれ量X0 が次の式より求
められる。
チップ1の出射光の発光点のずれ量X0 が次の式より求
められる。
【0017】
【数2】
【0018】上記の式より求められた半導体レーザチッ
プ1の出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ
量X0 の値だけ移動する指令を可動台10に送り半導体
レーザチップ1を移動させることにより、その出射光軸
Lを基準軸L0 に合わせることができる。また、上記実
施例では受光素子としてフォトダイオード7aおよび7
bを用いたが、他の受光素子たとえばCCDラインセン
サを用いてもよい。この場合の光束の発光点の位置と光
束の出射角度の計測方法を図5について説明する。
プ1の出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ
量X0 の値だけ移動する指令を可動台10に送り半導体
レーザチップ1を移動させることにより、その出射光軸
Lを基準軸L0 に合わせることができる。また、上記実
施例では受光素子としてフォトダイオード7aおよび7
bを用いたが、他の受光素子たとえばCCDラインセン
サを用いてもよい。この場合の光束の発光点の位置と光
束の出射角度の計測方法を図5について説明する。
【0019】図5において、半導体レーザチップ1の出
射光軸を基準線L0 に合わせる場合を考える。まず上記
実施例と同様に、半導体レーザチップ1の出射光軸Lを
基準線L0 とおおむね平行に合わせる。しかし、実際に
半導体レーザチップ1から出射される光束の中心は発光
点の位置では基準線L0 とX0 だけずれ、光束の出射角
度もψだけずれたLの方向である。そこで、半導体レー
ザチップ1からそれぞれ水平方向にD1 およびD2 の距
離だけ離れた位置2箇所にCCDラインセンサ7−1
a,7−1bを設置し、半導体レーザチップ1を発光さ
せると、図のような出力波形が得られる。この出力波形
が最大値となるCCDラインセンサ7−1aおよび7−
1b上の位置と、基準線L0 上の位置とのずれ量X1 お
よびX2 を求める。これらの値を用いて半導体レーザチ
ップ1の出射光の水平方向の角度ずれ量ψが前記式
(1)により求められる。
射光軸を基準線L0 に合わせる場合を考える。まず上記
実施例と同様に、半導体レーザチップ1の出射光軸Lを
基準線L0 とおおむね平行に合わせる。しかし、実際に
半導体レーザチップ1から出射される光束の中心は発光
点の位置では基準線L0 とX0 だけずれ、光束の出射角
度もψだけずれたLの方向である。そこで、半導体レー
ザチップ1からそれぞれ水平方向にD1 およびD2 の距
離だけ離れた位置2箇所にCCDラインセンサ7−1
a,7−1bを設置し、半導体レーザチップ1を発光さ
せると、図のような出力波形が得られる。この出力波形
が最大値となるCCDラインセンサ7−1aおよび7−
1b上の位置と、基準線L0 上の位置とのずれ量X1 お
よびX2 を求める。これらの値を用いて半導体レーザチ
ップ1の出射光の水平方向の角度ずれ量ψが前記式
(1)により求められる。
【0020】またこの角度ψを用いて半導体レーザチッ
プ1の出射光の発光点のずれ量X0が前記の式(2)に
より求められる。
プ1の出射光の発光点のずれ量X0が前記の式(2)に
より求められる。
【0021】上記の式より求められた半導体レーザチッ
プの出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ量
X0 の値だけ移動する指令を可動台10におくり、半導
体レーザチップ1を移動させることによりその出射光軸
Lを基準軸L0 に合わせることができる。上記実施例で
は受光素子を2個使用したが、受光素子1個をD1 の位
置からD2 の位置へ移動させてもよいし、また反対に半
導体レーザチップ1を移動させてもよい。
プの出射光の水平方向の角度ずれ量ψと発光点のずれ量
X0 の値だけ移動する指令を可動台10におくり、半導
体レーザチップ1を移動させることによりその出射光軸
Lを基準軸L0 に合わせることができる。上記実施例で
は受光素子を2個使用したが、受光素子1個をD1 の位
置からD2 の位置へ移動させてもよいし、また反対に半
導体レーザチップ1を移動させてもよい。
【0022】図2は、他の実施例のブロック図である。
半導体レーザチップ1は可動台10に載置されている。
半導体レーザチップ1は電源部6から電流が供給されレ
ーザ光を出射する。そして、半導体レーザチップ1から
出射されたレーザ光は、半導体レーザチップ1の出射方
向前後にそれぞれ2個ずつ設置させた光のエネルギを電
気的信号に変える合計4個の受光素子たとえばフォトダ
イオード7a,7b,7c,7dに照射される。これら
4個の受光素子は照射された光のエネルギに対応した電
気的信号を出力する。計測部8により所要の数値を計測
し、制御部9は4個の受光素子から出力される電気的信
号の大きさを比較し、その大小関係に基づいて水平方向
に移動するためのコントロール信号を可動台10に出力
する。可動台10は入力されたコントロール信号に基づ
いて移動する。
半導体レーザチップ1は可動台10に載置されている。
半導体レーザチップ1は電源部6から電流が供給されレ
ーザ光を出射する。そして、半導体レーザチップ1から
出射されたレーザ光は、半導体レーザチップ1の出射方
向前後にそれぞれ2個ずつ設置させた光のエネルギを電
気的信号に変える合計4個の受光素子たとえばフォトダ
イオード7a,7b,7c,7dに照射される。これら
4個の受光素子は照射された光のエネルギに対応した電
気的信号を出力する。計測部8により所要の数値を計測
し、制御部9は4個の受光素子から出力される電気的信
号の大きさを比較し、その大小関係に基づいて水平方向
に移動するためのコントロール信号を可動台10に出力
する。可動台10は入力されたコントロール信号に基づ
いて移動する。
【0023】図6(a〜d)はこの実施例における光束
の発光点の位置と光束の出射角度の計測方法の説明図で
ある。
の発光点の位置と光束の出射角度の計測方法の説明図で
ある。
【0024】図6において、半導体レーザチップ1の出
射光軸を基準線x0 ,基準線x0 に直角な基準線y0 に
合わせる場合を考える。
射光軸を基準線x0 ,基準線x0 に直角な基準線y0 に
合わせる場合を考える。
【0025】図6(a)のように、半導体レーザチップ
1から出射される光束が基準線x0およびy0 に一致し
ている場合には、4個のフォトダイオード7a〜7bの
出力をそれぞれIa,Ib,IcおよびIdとすると次
の関係がなりたつ。
1から出射される光束が基準線x0およびy0 に一致し
ている場合には、4個のフォトダイオード7a〜7bの
出力をそれぞれIa,Ib,IcおよびIdとすると次
の関係がなりたつ。
【0026】
【数3】
【0027】したがって、この関係が成立するように半
導体レーザチップ1を移動させれば、半導体レーザチッ
プ1から出射される光束が基準線x0 およびy0 に一致
することになる。
導体レーザチップ1を移動させれば、半導体レーザチッ
プ1から出射される光束が基準線x0 およびy0 に一致
することになる。
【0028】たとえば、図6(b)のように、半導体レ
ーザチップ1から出射される出射光軸が基準線x0 に対
してxだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
ーザチップ1から出射される出射光軸が基準線x0 に対
してxだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
【0029】
【数4】
【0030】そこで、次の式で表されるFx をx方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【0031】
【数5】
【0032】Fx <0となる。また、半導体レーザチッ
プ1から出射される出射光軸は基準線x0 に対して反対
方向にずれている場合には、Fx >0となる。したがっ
て、Fx =0となるように半導体レーザチップ1を右に
移動させることにより、半導体レーザチップ1から出射
される出射光軸を基準線x0 に合わせることができる。
プ1から出射される出射光軸は基準線x0 に対して反対
方向にずれている場合には、Fx >0となる。したがっ
て、Fx =0となるように半導体レーザチップ1を右に
移動させることにより、半導体レーザチップ1から出射
される出射光軸を基準線x0 に合わせることができる。
【0033】図6(c)のように、半導体レーザチップ
1から出射される出射光軸が基準線x0 に対して回転方
向にψだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
1から出射される出射光軸が基準線x0 に対して回転方
向にψだけずれている場合には、次の関係がなりたつ。
【0034】
【数6】
【0035】そこで、次の式で表されるFψをψ方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【0036】
【数7】
【0037】Fψ<0となる。また、半導体レーザチッ
プ1から出射される出射光軸が基準線x0 に対して回転
方向反対にずれている場合には、Fψ>0となる。した
がってFψ=0となるように半導体レーザチップ1を回
転させることにより、半導体レーザチップから出射され
る出射光軸を基準線x0 に合わせることはできる。
プ1から出射される出射光軸が基準線x0 に対して回転
方向反対にずれている場合には、Fψ>0となる。した
がってFψ=0となるように半導体レーザチップ1を回
転させることにより、半導体レーザチップから出射され
る出射光軸を基準線x0 に合わせることはできる。
【0038】図6(d)のように、半導体レーザチップ
1から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線y
0 に対してyだけずれている場合には、次の関係がなり
たつ。
1から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線y
0 に対してyだけずれている場合には、次の関係がなり
たつ。
【0039】
【数8】
【0040】そこで、次の式で表されるFy をy方向の
位置ずれの評価関数とすると、
位置ずれの評価関数とすると、
【0041】
【数9】
【0042】Fy <0となる。また、半導体レーザチッ
プ1から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線
y0 に対して反対方向にずれている場合には、Fy >0
となる。したがって、Fy =0となるように半導体レー
ザチップ1をy方向に移動させることにより、半導体レ
ーザチップ1から出射される出射光軸に垂直な軸を所定
の基準線y0 に合わせることができる。
プ1から出射される出射光軸に垂直な軸が所定の基準線
y0 に対して反対方向にずれている場合には、Fy >0
となる。したがって、Fy =0となるように半導体レー
ザチップ1をy方向に移動させることにより、半導体レ
ーザチップ1から出射される出射光軸に垂直な軸を所定
の基準線y0 に合わせることができる。
【0043】したがって、4個のフォトダイオード7
a,7b,7c,7dの出力Ia,Ib,Ic,Idか
ら上記のFx ,Fψ,Fy を計測部8によりもとめ、こ
の値の正負に応じた方向へ移動する指令を制御部9から
可動台10に送る。Fx ,Fψ,Fy すべてが0になっ
た時点で可動台10の移動は終了し、半導体レーザチッ
プ1の方位調整は完了する。
a,7b,7c,7dの出力Ia,Ib,Ic,Idか
ら上記のFx ,Fψ,Fy を計測部8によりもとめ、こ
の値の正負に応じた方向へ移動する指令を制御部9から
可動台10に送る。Fx ,Fψ,Fy すべてが0になっ
た時点で可動台10の移動は終了し、半導体レーザチッ
プ1の方位調整は完了する。
【0044】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
レーザチップを発光させ、その半導体レーザチップから
出射させた光の光束上に受光素子を配置し、各受光素子
に照射された光量を計測または比較して半導体レーザチ
ップを移動させることにより、半導体レーザチップの発
光点の位置と、半導体レーザチップから出射されるレー
ザ光の出射角度とを調整することができ、半導体レーザ
チップの調整精度が高い実装方位調整方法が得られる。
レーザチップを発光させ、その半導体レーザチップから
出射させた光の光束上に受光素子を配置し、各受光素子
に照射された光量を計測または比較して半導体レーザチ
ップを移動させることにより、半導体レーザチップの発
光点の位置と、半導体レーザチップから出射されるレー
ザ光の出射角度とを調整することができ、半導体レーザ
チップの調整精度が高い実装方位調整方法が得られる。
【図1】本発明の一実施例のブロック図である。
【図2】本発明の他の実施例のブロック図である。
【図3】半導体レーザチップの出力の特性の説明図であ
る。
る。
【図4】第1の実施例の計測方法の説明図である。
【図5】第1の実施例の他の計測方法の説明図である。
【図6】(a)〜(d)は、それぞれ第2の実施例の計
測方法の説明図である。
測方法の説明図である。
【図7】半導体レーザの一例の一部切り欠き斜視図であ
る。
る。
1 半導体レーザチップ 2 ステム 3 キャップ 4 ガラス窓 6 電源部 7a,7b,7c,7d フォトダイオード 8 計測部 9 制御部 10 可動台
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体レーザチップを、レーザ光の基準
線に直角な方向に移動可能でかつ基準線に対して傾斜角
を変更できる可動台に載置し、 半導体レーザチップを発光させ、 レーザ光の基準線に直角な方向の複数の箇所におけるレ
ーザ出力を測定し、 レーザ光の光軸が基準線と一致するように半導体レーザ
チップと可動台との相対位置を変更することを特徴とす
る半導体レーザチップの実装方位調整方法。 - 【請求項2】 半導体レーザチップを発光させ、その半
導体レーザチップから出射された光の光束上の一方向に
受光素子を配置し、該受光素子に照射された光量が最大
となる位置により、半導体レーザチップから出射される
光束の発光点の位置と出射角度を検出し、発光点の基準
位置からのずれ量と、光束の基準出射角度からのずれ量
だけ半導体レーザチップを移動させることを特徴とする
請求項1記載の半導体レーザチップの実装方位調整方
法。 - 【請求項3】 半導体レーザチップを発光させ、その半
導体レーザチップから出射された光の光束の前後にそれ
ぞれ複数の受光素子を配置し、該受光素子に照射された
光量がすべて等しくなるように半導体レーザチップを移
動させることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ
チップの実装方位調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17697793A JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17697793A JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0738201A true JPH0738201A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16023022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17697793A Withdrawn JPH0738201A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体レーザチップの実装方位調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0738201A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0762092A2 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical source position adjustment device |
JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17697793A patent/JPH0738201A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0762092A2 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical source position adjustment device |
EP0762092A3 (en) * | 1995-08-22 | 1997-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | Positioning device for an optical source |
JP2002009380A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
JP4537540B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 発光素子のボンディング装置及びその方法 |
US6998279B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
US7264980B2 (en) | 2001-08-23 | 2007-09-04 | Sony Corporation | Method of mounting light emitting element |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |