JPH0738172A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPH0738172A JPH0738172A JP5155953A JP15595393A JPH0738172A JP H0738172 A JPH0738172 A JP H0738172A JP 5155953 A JP5155953 A JP 5155953A JP 15595393 A JP15595393 A JP 15595393A JP H0738172 A JPH0738172 A JP H0738172A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- etching
- film
- good conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗素子の磁性薄膜上の良導体金属を乾式
エッチングする際、エッチング終点を目視により明確に
判定できるようにする。 【構成】磁性薄膜上にエッチング終点表示用金属膜を設
け、乾式エッチングの際にレジスト等の被覆により選択
的に必要な良導体金属のみエッチングする。エッチング
が良導体金属下のエッチング終点金属膜に達すると、該
金属膜の色により目視により明確に終点が判定でき、膜
厚のバラツキによる終点変動があっても容易に作業者の
個人差もなく終点判断できる。
エッチングする際、エッチング終点を目視により明確に
判定できるようにする。 【構成】磁性薄膜上にエッチング終点表示用金属膜を設
け、乾式エッチングの際にレジスト等の被覆により選択
的に必要な良導体金属のみエッチングする。エッチング
が良導体金属下のエッチング終点金属膜に達すると、該
金属膜の色により目視により明確に終点が判定でき、膜
厚のバラツキによる終点変動があっても容易に作業者の
個人差もなく終点判断できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子に関し、特
に乾式エッチング工法により形成された磁気抵抗素子に
関する。
に乾式エッチング工法により形成された磁気抵抗素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗素子の薄膜構造では、図
２に示すように、下地の磁性薄膜上に外部回路接続のた
めの良導体金属が直接被覆されている。磁気検出部は、
検出感度を上げるため、良導体金属を部分的に除去する
が、エッチング精度の関係で乾式エッチングを用いる場
合が多い。
２に示すように、下地の磁性薄膜上に外部回路接続のた
めの良導体金属が直接被覆されている。磁気検出部は、
検出感度を上げるため、良導体金属を部分的に除去する
が、エッチング精度の関係で乾式エッチングを用いる場
合が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
は、乾式エッチングの際に、良導体金属のエッチング終
点の見極めが難かしく、特に磁性薄膜としてパーマロイ
を使用し良導体金属として金を使用する場合、両者は色
調が似ているため、エッチング過不足になり易いという
欠点があった。終点の検出は一般に目視で行なうため人
によるバラツキも大きく、膜厚等の製造バラツキにより
変動する最適終点に追従できないという問題があった。
は、乾式エッチングの際に、良導体金属のエッチング終
点の見極めが難かしく、特に磁性薄膜としてパーマロイ
を使用し良導体金属として金を使用する場合、両者は色
調が似ているため、エッチング過不足になり易いという
欠点があった。終点の検出は一般に目視で行なうため人
によるバラツキも大きく、膜厚等の製造バラツキにより
変動する最適終点に追従できないという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上述した欠点を除去し、
乾式エッチングを行う場合の良導体金属のエッチング終
点が容易に判断できる磁気抵抗素子を提供することにあ
る。
乾式エッチングを行う場合の良導体金属のエッチング終
点が容易に判断できる磁気抵抗素子を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の欠点を除去するた
めに、本発明の磁気抵抗素子は磁性薄膜と良導体金属と
の間に当該材料と色調が異なる金属膜を設けたことを特
徴としている。
めに、本発明の磁気抵抗素子は磁性薄膜と良導体金属と
の間に当該材料と色調が異なる金属膜を設けたことを特
徴としている。
【０００６】
【実施例】次に本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示す磁気抵抗素
子の断面図である。図において、基板１の表面に、磁性
薄膜２と良導体金属３とエッチング終点を明らかにする
ための金属４が形成されている。基板１はシリコンウェ
ハ等の半導体から構成されている。磁性薄膜２は磁気抵
抗効果を有するＮｉ−Ｆｅ等の合金から構成され、蒸着
法により基板１表面に形成される。続いて磁性薄膜２の
表面にエッチング終点金属４と良導体金属３を蒸着法に
より形成される。良導体金属３はＡｕ等の良導体からな
り、外部回路と接続する端子部として用いられる。エッ
チング終点金属４としては、磁性薄膜２、良導体金属３
と明確に色調の異なる金属からなり磁気抵抗特性にも影
響の無い金属が用いられている。一例として、８５Ｎｉ
−１５Ｆｅ〔ΔＰ／ＰＯ（異方性磁気抵抗係数）・・・
３．５５％〕の磁性薄膜の上に、９８Ｎｉ−２Ｍｎ〔Δ
Ｐ−ＰＯ（異方性磁気抵抗係数）・・・２．９３％〕の
金属膜４を形成した。
子の断面図である。図において、基板１の表面に、磁性
薄膜２と良導体金属３とエッチング終点を明らかにする
ための金属４が形成されている。基板１はシリコンウェ
ハ等の半導体から構成されている。磁性薄膜２は磁気抵
抗効果を有するＮｉ−Ｆｅ等の合金から構成され、蒸着
法により基板１表面に形成される。続いて磁性薄膜２の
表面にエッチング終点金属４と良導体金属３を蒸着法に
より形成される。良導体金属３はＡｕ等の良導体からな
り、外部回路と接続する端子部として用いられる。エッ
チング終点金属４としては、磁性薄膜２、良導体金属３
と明確に色調の異なる金属からなり磁気抵抗特性にも影
響の無い金属が用いられている。一例として、８５Ｎｉ
−１５Ｆｅ〔ΔＰ／ＰＯ（異方性磁気抵抗係数）・・・
３．５５％〕の磁性薄膜の上に、９８Ｎｉ−２Ｍｎ〔Δ
Ｐ−ＰＯ（異方性磁気抵抗係数）・・・２．９３％〕の
金属膜４を形成した。
【０００８】この金属膜４上に所定のパターンを形成す
るため、良導体金属３の表面に所定パターンのホトレジ
ストを施し、乾式エッチング工法により端子部５として
用いるＡｕ以外の良導体金属３をエッチグする。良導体
金属３のエッチングが終了した時点で色調の異なるエッ
チング終点表示用の金属４が露出した時点でエッチング
終点とする。
るため、良導体金属３の表面に所定パターンのホトレジ
ストを施し、乾式エッチング工法により端子部５として
用いるＡｕ以外の良導体金属３をエッチグする。良導体
金属３のエッチングが終了した時点で色調の異なるエッ
チング終点表示用の金属４が露出した時点でエッチング
終点とする。
【０００９】この様に構成すると、磁性薄膜２と良導体
金属３の膜厚が製造バラツキにより変動しても、エッチ
ング終点金属４の露出点を明確な終点として検出できる
ため、目視で容易に、個人差も少なく製造可能となる。
金属３の膜厚が製造バラツキにより変動しても、エッチ
ング終点金属４の露出点を明確な終点として検出できる
ため、目視で容易に、個人差も少なく製造可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ではエッチ
ング終点表示用金属膜を設けることにより、乾式エッチ
ングの終点検出が容易で安定的なエッチング精度が得ら
れるという効果がある。
ング終点表示用金属膜を設けることにより、乾式エッチ
ングの終点検出が容易で安定的なエッチング精度が得ら
れるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】従来例の断面図。
１ 基板 ２ 磁性薄膜 ３ 良導体金属 ４ エッチング終点金属 ５ 端子部
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に磁性薄膜を形成した磁気抵抗素子
において、乾式エッチング工程により所定のパターンに
エッチングする際、磁性薄膜と端子部の良導体金属層間
に、当該材料と明確に色調の異なる金属膜を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗素子。 - 【請求項２】前記色調の異なる金属膜としてマンガンを
含む金属を用いることを特徴とする請求項１の磁気抵抗
素子。 - 【請求項３】前記色調の異なる金属膜として９８Ｎｉ−
２Ｍｎからなる金属膜を使用したことを特徴とする請求
項１の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5155953A JP2591429B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5155953A JP2591429B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738172A true JPH0738172A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2591429B2 JP2591429B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=15617143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5155953A Expired - Lifetime JP2591429B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591429B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232513A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164982A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS60160676A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子の乾式エツチング法 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5155953A patent/JP2591429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164982A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS60160676A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子の乾式エツチング法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232513A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591429B2 (ja) | 1997-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961029 |